CN115421429B - 一种模拟芯片电路设计系统及方法 - Google Patents
一种模拟芯片电路设计系统及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115421429B CN115421429B CN202211176866.9A CN202211176866A CN115421429B CN 115421429 B CN115421429 B CN 115421429B CN 202211176866 A CN202211176866 A CN 202211176866A CN 115421429 B CN115421429 B CN 115421429B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- central control
- circuit
- control unit
- preset standard
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000013461 design Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 136
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 43
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 10
- 238000011835 investigation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 238000013024 troubleshooting Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/04—Programme control other than numerical control, i.e. in sequence controllers or logic controllers
- G05B19/042—Programme control other than numerical control, i.e. in sequence controllers or logic controllers using digital processors
- G05B19/0423—Input/output
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/20—Pc systems
- G05B2219/25—Pc structure of the system
- G05B2219/25257—Microcontroller
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明涉及模拟芯片电路设计领域，尤其涉及一种模拟芯片电路设计系统及方法。一种模拟芯片电路设计系统，包括：智能制造单元，用以进行模拟芯片电路的制造；智能检测单元，用以检测模拟芯片电路的电路信息；所述电路信息包括模拟芯片的响应速度、各电路温度、电路间距和硅脂层涂敷厚度；中控单元，用以将所述智能检测单元检测到的电路信息与其预设标准进行比对并根据比对结果进行分析判定是否对所述智能制造单元进行相应的调节；用户服务单元，其与所述智能制造单元、所述智能检测单元和所述中控单元相连，用以对各单元进行主动控制。在保证制造速度的同时，提高了本发明制得的模拟芯片的性能。
Description
技术领域
本发明涉及模拟芯片电路设计领域，尤其涉及一种模拟芯片电路设计系统及方法。
背景技术
模拟信号是连接真实世界和数字世界的桥梁，相对于确定和离散的0和1，模拟是感性的。这种“感性”，广泛存在于模拟芯片的全生命周期中。由于需要把花花世界里的声音、光线、图像、无线电、各类效应等等信息转化为电信号，从我们熟悉的AD/DA、电源、射频、放大，到我们不太熟悉的接口、音频、时钟、功率、隔离等等，在信号变为0和1以前，都归模拟管。因此模拟芯片的品类众多，产品线众多，同时，如何高效地制造出性能良好的模拟芯片成为当下人们较为关注的热点。
中国专利公开号CN110489842A公开了一种模拟单元电路的辅助设计系统及分析方法，包括电路结构读入模块、设计指标读入模块、实例生成模块和分析模块；所述电路结构读入模块将模拟单元电路结构输入至实例生成模块；所述设计指标读入模块将模拟单元电路对应的设计指标输入至实例生成模块，所述实例生成模块生成实例集，并将实例集输入至分析模块进行仿真分析；从而得到模拟单元电路中各个器件参数与模拟单元电路性能之间的相关性信息。由此可见，所述一种模拟单元电路的辅助设计系统及分析方法存在以下问题：无法根据芯片的实际运行情况对应地调节设计参数导致的芯片性能差。
发明内容
因此，本发明提供一种模拟芯片电路设计系统及方法以解决现有技术中无法根据芯片的实际运行情况对应地调节设计参数导致的芯片性能差的问题，
为实现上述目的，本发明提供一种模拟芯片电路设计的设计方法，包括：
s1、模拟芯片制造，智能制造单元根据用户服务单元输入的指令制造模拟芯片；
s2、模拟芯片检测，当所述智能制造单元制造模拟芯片完成时，智能检测单元试运行模拟芯片、在运行过程中检测和记录模拟芯片电路信息并将测得的模拟芯片电路信息传送至中控单元；
s3、电路信息分析，所述中控单元接收到电路信息时将电路信息分别与对应的预设标准进行比对并根据比对结果进行分析判定是否对所述智能制造单元制造的模拟芯片的对应参数进行调节。
进一步地，所述中控单元在所述智能制造单元制造模拟芯片完成时将所述智能检测单元检测到的该模拟芯片的响应速度V与预设标准进行比对以判定该模拟芯片的响应速度是否符合预设标准；所述中控单元设有第一预设响应速度Vz1和第二预设响应速度Vz2，其中，0＜Vz1＜Vz2，
若V＜Vz1，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度符合预设标准并将判定信息传送至所述用户服务单元并对芯片体积是否能够缩小进行进一步判定；
若Vz1≤V≤Vz2，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度符合预设标准并将判定信息传送至所述用户服务单元；
若Vz2＜V，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度不符合预设标准并将各电路温度与预设标准进行比对以判定响应速度不符合预设标准的具体原因。
进一步地，所述中控单元在判定模拟芯片的响应速度不符合预设标准时依次计算智能检测单元检测到的各电路温度与预设标准温度Tz的差值并将各差值分别与预设标准进行比对以判定是否存在温度不符合预设标准的电路，对于模拟芯片中的第i个电路，设定i＝1,2,3，...，n，中控单元将智能检测单元检测得的该电路的温度记为Ti并将Ti与Tz的差值记为△Ti，设定△Ti＝Ti－Tz；所述中控单元设有预设标准温差△Tz，其中，0＜△Tz，
若△Ti≤△Tz，所述中控单元判定该电路温度符合预设标准；
若△Ti＞△Tz，所述中控单元判定该电路温度不符合预设标准、根据电路温度不符合预设标准的电路的数量与预设标准的比对结果判定如何对所述智能制造单元的制造参数进行调节并将判定信息传送至所述用户服务单元。
进一步地，所述中控单元在将△Ti与预设标准温差△Tz进行比对以判定该电路是否存在温度不符合预设标准的问题的判定完成时将电路温度不符合预设标准的电路的数量N与预设标准进行比对以判定是否对所述智能制造单元的制造参数进行调节；所述中控单元设有第一预设数量N1和第二预设数量N2，其中，0＜N1＜N2，
若N≤N1，所述中控单元判定无需调节所述智能制造单元并将判定信息传送至所述用户服务单元并发出对电路温度不符合预设标准的电路进行人工检查的提醒信息；
若N1＜N≤N2，所述中控单元判定根据各电路温度Ti的平均值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的制造参数进行调节；
若N2＜N，所述中控单元判定无需调节所述智能制造单元、将判定信息传送至所述用户服务单元同时发出对智能制造单元进行故障排查的提醒信息。
进一步地，所述中控单元在判定根据各电路温度Ti的平均值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的参数进行调节时计算各电路的平均温度并将/>与预设标准进行比对以判定如何对智能制造单元的制造参数进行调节，其中，/>＝/>，其中，n为电路总数；所述中控单元设有第一预设调节温度Tz1和第二预设调节温度Tz2，其中，0＜Tz1＜Tz2，
若≤Tz1，所述中控单元判定根据/>和Tz1的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的硅脂层涂敷参数进行相应地调节；
若Tz1＜≤Tz2，所述中控单元判定根据/>和Tz2的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的电路间距参数进行相应地调节；
若Tz2＜，所述中控单元判定所述智能制造单元存在故障、将判定信息传送至所述用户服务单元同时发出对智能制造单元进行故障排查的提醒信息。
进一步地，所述中控单元在判定根据和Tz1的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的硅脂层涂敷参数进行相应地调节时计算/>和Tz1的差值△Tx并将△Tx与预设标准进行比对以判定如何对硅脂层涂敷厚度D进行调节，其中，△Tx＝Tz1－/>；所述中控单元设有第一预设差值△Tx1、第二预设差值△Tx2、第一厚度调节系数α1、第二厚度调节系数α2和第三厚度调节系数α3，其中，0＜△Tx1＜△Tx2,0＜α1＜α2＜α3，
若△Tx≤△Tx1，所述中控单元判定使用α3对硅脂层涂敷厚度进行调节，调节后的硅脂层涂敷厚度记为D’，设定，D’＝D×α3；
若△Tx1＜△Tx≤△Tx2，所述中控单元判定使用α2对硅脂层涂敷厚度进行调节，调节后的硅脂层涂敷厚度记为D’，设定，D’＝D×α2；
若△Tx2≤△Tx，所述中控单元判定使用α1对硅脂层涂敷厚度进行调节，调节后的硅脂层涂敷厚度记为D’，设定，D’＝D×α1。
进一步地，所述中控单元在判定根据和Tz2的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的电路间距参数进行相应地调节时计算/>和Tz2的差值△Ty并将△Ty与预设标准进行比对以判定如何对电路间距L进行调节，其中，△Ty＝Tz2－/>；所述中控单元设有第三预设差值△Tx3、第四预设差值△Tx4、第一间距调节系数β1、第二间距调节系数β2和第三间距调节系数β3，其中，0＜△Tx3＜△Tx4,0＜β1＜β2＜β3，
若△Ty≤△Tx3，所述中控单元判定使用β3对电路间距进行调节，调节后的电路间距记为L’，设定，L’＝L×β3；
若△Tx3＜△Ty≤△Tx4，所述中控单元判定使用β2对电路间距进行调节，调节后的电路间距记为L’，设定，L’＝L×β2；
若△Tx4＜△Ty，所述中控单元判定使用β1对电路间距进行调节，调节后的电路间距记为L’，设定，L’＝L×β1。
进一步地，所述中控单元在对所述智能制造单元的制造参数的调节完成时重新检测各电路温度的平均值并将其与预设标准进行比对以判定是否继续对智能制造单元的制造参数进行调节同时记录调节次数M，并且将M并与预设标准进行比对以判定是否继续此次调节；所述中控单元设有最大调节次数Mmax，其中，0＜Mmax，
若M＜Mmax，所述中控单元判定允许继续此次调节；
若Mmax≤M，所述中控单元判定不允许继续此次调节并将判定信息传送至用户服务单元。
进一步地，所述用户服务单元包括一影音显示屏，用以显示所述中控单元的判定信息。
一种模拟芯片电路设计系统，包括：
智能制造单元，其设置于芯片制造端，用以进行模拟芯片电路的制造；
智能检测单元，其设置于芯片制造端，用以检测模拟芯片电路的电路信息；所述电路信息包括模拟芯片的响应速度、各电路温度、电路间距和硅脂层涂敷厚度；
中控单元，其与所述智能制造单元和所述智能检测单元相连，用以将所述智能检测单元检测到的电路信息与其预设标准进行比对并根据比对结果进行分析判定是否对所述智能制造单元进行相应的调节；
用户服务单元，其与所述智能制造单元、所述智能检测单元和所述中控单元相连，用以对各单元进行主动控制。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明对于制造的芯片进行试运行检测，并且所述中控单元根据所述智能检测单元检测到的模拟芯片电路的电路信息与预设标准的比对结果对应地调节所述智能制造单元的制造参数，在保证制造速度的同时，提高了本发明制得的模拟芯片的性能。
进一步地，所述中控单元设有第一预设响应速度Vz1和第二预设响应速度Vz2，范围的划分可以更加快速准确地对模拟芯片的响应速度进行评判以确定是否需要调节智能制造单元，在保证制造速度的同时，提高了制造精度，进而提高了本发明制得的模拟芯片的性能。
进一步地，所述中控单元设有预设标准温差和预设标准温度，更加快速准确地判断模拟芯片的温度是否符合标准，避免了因运行温度过高导致的芯片性能下降，在保证制造速度的同时，提高了制造精度，进而提高了本发明值得的模拟芯片的性能。
进一步地，所述中控单元设有第一预设数量N1和第二预设数量N2，通过将电路温度不符合预设标准的电路的数量与预设标准进行比对判定芯片问题并进行进一步地判定调节，更加准确地分析模拟芯片可能存在的问题，节省了资源和时间，在保证制造速度的同时，提高了制造精度，进而提高了本发明值得的模拟芯片的性能。
进一步地，所述中控单元设有第一预设调节温度Tz1和第二预设调节温度Tz2，中控单元将与预设标准进行比对以判定如何对智能制造单元的制造参数进行调节，提高了判定速度，调节更加精确，提高了制造精度，进而提高了本发明值得的模拟芯片的性能。
进一步地，所述中控单元记录调节次数M，并且将M并与预设标准进行比对以判定是否继续此次调节，避免了因多次重复调节导致的无效调节及资源浪费，提高了判定速度和制造精度，进而提高了本发明值得的模拟芯片的性能。
附图说明
图1为本发明实施例所述模拟芯片电路设计系统的结构示意图；
图2为本发明实施例所述应用于所述模拟芯片电路设计系统的设计方法的示意图；
图3为本发明实施例所述中控单元将模拟芯片的响应速度V与预设标准进行比对的流程图；
图4为本发明实施例所述中控单元将△Ti与预设标准进行比对以判定该电路是否存在温度不符合预设标准的问题的流程图；
图5为本发明实施例所述中控单元将电路温度不符合预设标准的电路的数量N与预设标准进行比对以判定是否对所述智能制造单元的制造参数进行相应地调节的流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的和优点更加清楚明白，下面结合实施例对本发明作进一步描述；应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
下面参照附图来描述本发明的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本发明的技术原理，并非在限制本发明的保护范围。
需要说明的是，在本发明的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，还需要说明的是，在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
请参阅图1所示，其为本发明实施例所述模拟芯片电路设计系统的结构示意图，一种模拟芯片电路设计系统，包括：
智能制造单元，其设置于芯片制造端，用以进行模拟芯片电路的制造；
智能检测单元，其设置于芯片制造端，用以检测模拟芯片电路的电路信息；所述电路信息包括模拟芯片的响应速度、各电路温度、电路间距和硅脂层涂敷厚度；
中控单元，其与所述智能制造单元和所述智能检测单元相连，用以将所述智能检测单元检测到的电路信息与其预设标准进行比对并根据比对结果进行分析判定是否对所述智能制造单元进行相应的调节；
用户服务单元，其与所述智能制造单元、所述智能检测单元和所述中控单元相连，用以对各单元进行主动控制。
请参阅图2所示，其为本发明实施例所述应用于所述模拟芯片电路设计系统的设计方法的示意图，一种应用于所述模拟芯片电路设计系统的设计方法，包括：
s1、模拟芯片制造，智能制造单元根据用户服务单元输入的指令制造模拟芯片；
s2、模拟芯片检测，当所述智能制造单元制造模拟芯片完成时，智能检测单元试运行模拟芯片、在运行过程中检测和记录模拟芯片电路信息并将测得的模拟芯片电路信息传送至中控单元；
s3、电路信息分析，所述中控单元接收到电路信息时将电路信息分别与对应的预设标准进行比对并根据比对结果进行分析判定是否对所述智能制造单元制造的模拟芯片的对应参数进行调节。
请参阅图3所示，其为本发明实施例所述中控单元将模拟芯片的响应速度V与预设标准进行比对的流程图，所述中控单元在所述智能制造单元制造模拟芯片完成时将所述智能检测单元检测到的该模拟芯片的响应速度V与预设标准进行比对以判定该模拟芯片的响应速度是否符合预设标准；所述中控单元设有第一预设响应速度Vz1和第二预设响应速度Vz2，其中，Vz1＝5ms/次，Vz2＝10ms/次，
若V＜Vz1，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度符合预设标准并将判定信息传送至所述用户服务单元并对芯片体积是否能够缩小进行进一步判定；
若Vz1≤V≤Vz2，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度符合预设标准并将判定信息传送至所述用户服务单元；
若Vz2＜V，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度不符合预设标准并将各电路温度与预设标准进行比对以判定响应速度不符合预设标准的具体原因。
请参阅图4所示，其为本发明实施例所述中控单元将△Ti与预设标准进行比对以判定该电路是否存在温度不符合预设标准的问题的流程图，所述中控单元在判定模拟芯片的响应速度不符合预设标准时依次计算智能检测单元检测到的各电路温度与预设标准温度Tz的差值并将各差值分别与预设标准进行比对以判定是否存在温度不符合预设标准的电路，对于模拟芯片中的第i个电路，设定i＝1,2,3，...，n，中控单元将智能检测单元检测得的该电路的温度记为Ti并将Ti与Tz的差值记为△Ti，设定△Ti＝Ti－Tz；所述中控单元设有预设标准温差△Tz，其中，Tz＝70℃，0＜△Tz＝20℃，
若△Ti≤△Tz，所述中控单元判定该电路温度符合预设标准；
若△Ti＞△Tz，所述中控单元判定该电路温度不符合预设标准、根据电路温度不符合预设标准的电路的数量与预设标准的比对结果判定如何对所述智能制造单元的制造参数进行调节并将判定信息传送至所述用户服务单元。
请参阅图5所示，其为本发明实施例所述中控单元将电路温度不符合预设标准的电路的数量N与预设标准温差△Tz进行比对以判定是否对所述智能制造单元的制造参数进行相应地调节的流程图，所述中控单元在将△Ti与预设标准进行比对以判定该电路是否存在温度不符合预设标准的问题的判定完成时将电路温度不符合预设标准的电路的数量N与预设标准进行比对以判定是否对所述智能制造单元的制造参数进行相应地调节；所述中控单元设有第一预设数量N1和第二预设数量N2，其中，N1＝2，N2＝6，
若N≤N1，所述中控单元判定无需调节所述智能制造单元并将判定信息传送至所述用户服务单元并发出对电路温度不符合预设标准的电路进行人工检查的提醒信息；
若N1＜N≤N2，所述中控单元判定根据各电路温度Ti的平均值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的制造参数进行调节；
若N2＜N，所述中控单元判定无需调节所述智能制造单元、将判定信息传送至所述用户服务单元同时发出对智能制造单元进行故障排查的提醒信息。
请继续参阅图1至图5所示，所述中控单元在判定根据各电路温度Ti的平均值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的参数进行调节时计算各电路的平均温度并将与预设标准进行比对以判定如何对智能制造单元的制造参数进行调节，其中，/>＝，其中，n为电路总数；所述中控单元设有第一预设调节温度Tz1和第二预设调节温度Tz2，其中，Tz1＝70℃，Tz2＝90℃，
若≤Tz1，所述中控单元判定根据/>和Tz1的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的硅脂层涂敷参数进行相应地调节；
若Tz1＜≤Tz2，所述中控单元判定根据/>和Tz2的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的电路间距参数进行相应地调节；
若Tz2＜，所述中控单元判定所述智能制造单元存在故障、将判定信息传送至所述用户服务单元同时发出对智能制造单元进行故障排查的提醒信息。
具体而言，所述中控单元在判定根据和Tz1的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的硅脂层涂敷参数进行相应地调节时计算/>和Tz1的差值△Tx并将△Tx与预设标准进行比对以判定如何对硅脂层涂敷厚度D进行调节，其中，△Tx＝Tz1－/>；所述中控单元设有第一预设差值△Tx1、第二预设差值△Tx2、第一厚度调节系数α1、第二厚度调节系数α2和第三厚度调节系数α3，其中，0＜△Tx1＜△Tx2,0＜α1＜α2＜α3，
若△Tx≤△Tx1，所述中控单元判定使用α3对硅脂层涂敷厚度进行调节，调节后的硅脂层涂敷厚度记为D’，设定，D’＝D×α3；
若△Tx1＜△Tx≤△Tx2，所述中控单元判定使用α2对硅脂层涂敷厚度进行调节，调节后的硅脂层涂敷厚度记为D’，设定，D’＝D×α2；
若△Tx2≤△Tx，所述中控单元判定使用α1对硅脂层涂敷厚度进行调节，调节后的硅脂层涂敷厚度记为D’，设定，D’＝D×α1。
具体而言，所述中控单元在判定根据和Tz2的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的电路间距参数进行相应地调节时计算/>和Tz2的差值△Ty并将△Ty与预设标准进行比对以判定如何对电路间距L进行调节，其中，△Ty＝Tz2－/>；所述中控单元设有第三预设差值△Tx3、第四预设差值△Tx4、第一间距调节系数β1、第二间距调节系数β2和第三间距调节系数β3，其中，△Tx3＝5℃，△Tx4＝15℃,β1＝1.1，β2＝1.2，β3＝1.3，
若△Ty≤△Tx3，所述中控单元判定使用β3对电路间距进行调节，调节后的电路间距记为L’，设定，L’＝L×β3；
若△Tx3＜△Ty≤△Tx4，所述中控单元判定使用β2对电路间距进行调节，调节后的电路间距记为L’，设定，L’＝L×β2；
若△Tx4＜△Ty，所述中控单元判定使用β1对电路间距进行调节，调节后的电路间距记为L’，设定，L’＝L×β1。
具体而言，所述中控单元在对所述智能制造单元的制造参数的调节完成时重新检测各电路温度的平均值并将其与预设标准进行比对以判定是否继续对智能制造单元的制造参数进行调节同时记录调节次数M，并且将M并与预设标准进行比对以判定是否继续此次调节；所述中控单元设有最大调节次数Mmax，其中，0＜Mmax，
若M＜Mmax，所述中控单元判定允许继续此次调节；
若Mmax≤M，所述中控单元判定不允许继续此次调节并将判定信息传送至用户服务单元。
具体而言，所述用户服务单元包括一影音显示屏，用以显示所述中控单元的判定信息。
实施例1
在本实施例中，所述智能检测单元检测到的该模拟芯片的响应速度V＝13ms/次，此时，Vz2＜V，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度不符合预设标准并将各电路温度与预设标准进行比对以判定响应速度不符合预设标准的具体原因；在本实施例中，所述智能检测单元检测到的一电路温度T2与预设标准温度Tz的差值△T2＝25℃，此时，△Ti＞△Tz，所述中控单元判定该电路温度不符合预设标准、根据电路温度不符合预设标准的电路的数量与预设标准的比对结果判定如何对所述智能制造单元的制造参数进行调节并将判定信息传送至所述用户服务单元；本实施例中，电路温度不符合预设标准的电路的数量N＝4，此时，N1＜N＜N2，所述中控单元判定根据各电路温度Ti的平均值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的制造参数进行调节；本实施例中，所述中控单元计算＝80℃，此时Tz1＜/>≤Tz2，所述中控单元判定根据/>和Tz2的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的电路间距参数进行相应地调节，本实施例中，电路间距L＝2mm，△Ty＝90-80＝10℃，此时，△Tx3＜△Ty＜△Tx4，所述中控单元判定使用β2对电路间距进行调节，调节后的电路间距记为L’，设定，L’＝2×1.2＝2.4mm；判定调节全部完成后所述智能检测单元检测到的该模拟芯片的响应速度V＝4ms/次，此时，V＜Vz1，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度符合预设标准并将判定信息传送至所述用户服务单元同时发出检查是否可以缩小芯片体积的提醒信息
实施例2
在本实施例中，所述智能检测单元检测到的该模拟芯片的响应速度V＝8ms/次，此时，Vz1＜V＜Vz2，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度符合预设标准并将判定信息传送至所述用户服务单元。
至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本发明的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本发明的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本发明的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征做出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本发明的保护范围之内。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明；对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种模拟芯片电路设计的设计方法，其特征在于，包括：
s1、模拟芯片制造，智能制造单元根据用户服务单元输入的指令制造模拟芯片；
s2、模拟芯片检测，当所述智能制造单元制造模拟芯片完成时，智能检测单元试运行模拟芯片、在运行过程中检测和记录模拟芯片电路信息并将测得的模拟芯片电路信息传送至中控单元；
s3、电路信息分析，所述中控单元接收到电路信息时将电路信息分别与对应的预设标准进行比对并根据比对结果进行分析判定是否对所述智能制造单元制造的模拟芯片的对应参数进行调节；
所述中控单元在所述智能制造单元制造模拟芯片完成时将所述智能检测单元检测到的该模拟芯片的响应速度V与预设标准进行比对以判定该模拟芯片的响应速度是否符合预设标准；所述中控单元设有第一预设响应速度Vz1和第二预设响应速度Vz2，其中，0＜Vz1＜Vz2，
若V＜Vz1，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度符合预设标准并将判定信息传送至所述用户服务单元并对芯片体积是否能够缩小进行进一步判定；
若Vz1≤V≤Vz2，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度符合预设标准并将判定信息传送至所述用户服务单元；
若Vz2＜V，所述中控单元判定该模拟芯片的响应速度不符合预设标准并将各电路温度与预设标准进行比对以判定响应速度不符合预设标准的具体原因。
2.根据权利要求1所述的模拟芯片电路设计的设计方法，其特征在于，所述中控单元在判定模拟芯片的响应速度不符合预设标准时依次计算智能检测单元检测到的各电路温度与预设标准温度Tz的差值并将各差值分别与预设标准进行比对以判定是否存在温度不符合预设标准的电路，对于模拟芯片中的第i个电路，设定i＝1,2,3，...，n，中控单元将智能检测单元检测得的该电路的温度记为Ti并将Ti与Tz的差值记为△Ti，设定△Ti＝Ti－Tz；所述中控单元设有预设标准温差△Tz，其中，0＜△Tz，
若△Ti≤△Tz，所述中控单元判定该电路温度符合预设标准；
若△Ti＞△Tz，所述中控单元判定该电路温度不符合预设标准、根据电路温度不符合预设标准的电路的数量与预设标准的比对结果判定如何对所述智能制造单元的制造参数进行调节并将判定信息传送至所述用户服务单元。
3.根据权利要求2所述的模拟芯片电路设计的设计方法，其特征在于，所述中控单元在将△Ti与预设标准温差△Tz进行比对以判定该电路是否存在温度不符合预设标准的问题的判定完成时将电路温度不符合预设标准的电路的数量N与预设标准进行比对以判定是否对所述智能制造单元的制造参数进行调节；所述中控单元设有第一预设数量N1和第二预设数量N2，其中，0＜N1＜N2，
若N≤N1，所述中控单元判定无需调节所述智能制造单元并将判定信息传送至所述用户服务单元并发出对电路温度不符合预设标准的电路进行人工检查的提醒信息；
若N1＜N≤N2，所述中控单元判定根据各电路温度Ti的平均值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的制造参数进行调节；
若N2＜N，所述中控单元判定无需调节所述智能制造单元、将判定信息传送至所述用户服务单元同时发出对智能制造单元进行故障排查的提醒信息。
4.根据权利要求3所述的模拟芯片电路设计的设计方法，其特征在于，所述中控单元在判定根据各电路温度Ti的平均值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的参数进行调节时计算各电路的平均温度并将/>与预设标准进行比对以判定如何对智能制造单元的制造参数进行调节，其中，/>＝/>，其中，n为电路总数；所述中控单元设有第一预设调节温度Tz1和第二预设调节温度Tz2，其中，0＜Tz1＜Tz2，
若≤Tz1，所述中控单元判定根据/>和Tz1的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的硅脂层涂敷参数进行相应地调节；
若Tz1＜≤Tz2，所述中控单元判定根据/>和Tz2的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的电路间距参数进行相应地调节；
若Tz2＜，所述中控单元判定所述智能制造单元存在故障、将判定信息传送至所述用户服务单元同时发出对智能制造单元进行故障排查的提醒信息。
5.根据权利要求4所述的模拟芯片电路设计的设计方法，其特征在于，所述中控单元在判定根据和Tz1的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的硅脂层涂敷参数进行相应地调节时计算/>和Tz1的差值△Tx并将△Tx与预设标准进行比对以判定如何对硅脂层涂敷厚度D进行调节，其中，△Tx＝Tz1－/>；所述中控单元设有第一预设差值△Tx1、第二预设差值△Tx2、第一厚度调节系数α1、第二厚度调节系数α2和第三厚度调节系数α3，其中，0＜△Tx1＜△Tx2,0＜α1＜α2＜α3，
若△Tx≤△Tx1，所述中控单元判定使用α3对硅脂层涂敷厚度进行调节，调节后的硅脂层涂敷厚度记为D’，设定，D’＝D×α3；
若△Tx1＜△Tx≤△Tx2，所述中控单元判定使用α2对硅脂层涂敷厚度进行调节，调节后的硅脂层涂敷厚度记为D’，设定，D’＝D×α2；
若△Tx2≤△Tx，所述中控单元判定使用α1对硅脂层涂敷厚度进行调节，调节后的硅脂层涂敷厚度记为D’，设定，D’＝D×α1。
6.根据权利要求4所述的模拟芯片电路设计的设计方法，其特征在于，所述中控单元在判定根据和Tz2的差值与预设标准的比对结果对所述智能制造单元的电路间距参数进行相应地调节时计算/>和Tz2的差值△Ty并将△Ty与预设标准进行比对以判定如何对电路间距L进行调节，其中，△Ty＝Tz2－/>；所述中控单元设有第三预设差值△Tx3、第四预设差值△Tx4、第一间距调节系数β1、第二间距调节系数β2和第三间距调节系数β3，其中，0＜△Tx3＜△Tx4,0＜β1＜β2＜β3，
若△Ty≤△Tx3，所述中控单元判定使用β3对电路间距进行调节，调节后的电路间距记为L’，设定，L’＝L×β3；
若△Tx3＜△Ty≤△Tx4，所述中控单元判定使用β2对电路间距进行调节，调节后的电路间距记为L’，设定，L’＝L×β2；
若△Tx4＜△Ty，所述中控单元判定使用β1对电路间距进行调节，调节后的电路间距记为L’，设定，L’＝L×β1。
7.根据权利要求6所述的模拟芯片电路设计的设计方法，其特征在于，所述中控单元在对所述智能制造单元的制造参数的调节完成时重新检测各电路温度的平均值并将其与预设标准进行比对以判定是否继续对智能制造单元的制造参数进行调节同时记录调节次数M，并且将M并与预设标准进行比对以判定是否继续此次调节；所述中控单元设有最大调节次数Mmax，其中，0＜Mmax，
若M＜Mmax，所述中控单元判定允许继续此次调节；
若Mmax≤M，所述中控单元判定不允许继续此次调节并将判定信息传送至用户服务单元。
8.根据权利要求7所述的模拟芯片电路设计的设计方法，其特征在于，所述用户服务单元包括一影音显示屏，用以显示所述中控单元的判定信息。
9.一种使用权利要求1-8任一权利要求所述方法的模拟芯片电路设计系统，其特征在于，包括：
智能制造单元，其设置于芯片制造端，用以进行模拟芯片电路的制造；
智能检测单元，其设置于芯片制造端，用以检测模拟芯片电路的电路信息；所述电路信息包括模拟芯片的响应速度、各电路温度、电路间距和硅脂层涂敷厚度；
中控单元，其与所述智能制造单元和所述智能检测单元相连，用以将所述智能检测单元检测到的电路信息与其预设标准进行比对并根据比对结果进行分析判定是否对所述智能制造单元进行相应的调节；
用户服务单元，其与所述智能制造单元、所述智能检测单元和所述中控单元相连，用以对各单元进行主动控制。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211176866.9A CN115421429B (zh) | 2022-09-26 | 2022-09-26 | 一种模拟芯片电路设计系统及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211176866.9A CN115421429B (zh) | 2022-09-26 | 2022-09-26 | 一种模拟芯片电路设计系统及方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115421429A CN115421429A (zh) | 2022-12-02 |
| CN115421429B true CN115421429B (zh) | 2024-04-26 |
Family
ID=84205446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211176866.9A Active CN115421429B (zh) | 2022-09-26 | 2022-09-26 | 一种模拟芯片电路设计系统及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115421429B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116306434B (zh) * | 2023-05-17 | 2023-07-21 | 深圳安森德半导体有限公司 | 一种高精度运算放大器设计方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012120792A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | パナソニック株式会社 | 三次元集積回路設計装置、三次元集積回路設計方法、プログラム |
| CN105425201A (zh) * | 2015-12-11 | 2016-03-23 | 中国电力科学研究院 | 用于智能电能表软件可靠性检测的计量芯片模拟测试方法 |
| CN106201651A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-12-07 | 鄞州浙江清华长三角研究院创新中心 | 神经形态芯片的模拟器 |
| CN110489842A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-11-22 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种模拟单元电路的辅助设计系统及分析方法 |
| JP2021082023A (ja) * | 2019-11-19 | 2021-05-27 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 回路設計支援装置および回路設計支援方法 |
| CN114236272A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-25 | 深圳市环球众一科技有限公司 | 一种电子产品的智能检测系统 |
-
2022
- 2022-09-26 CN CN202211176866.9A patent/CN115421429B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012120792A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | パナソニック株式会社 | 三次元集積回路設計装置、三次元集積回路設計方法、プログラム |
| CN105425201A (zh) * | 2015-12-11 | 2016-03-23 | 中国电力科学研究院 | 用于智能电能表软件可靠性检测的计量芯片模拟测试方法 |
| CN106201651A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-12-07 | 鄞州浙江清华长三角研究院创新中心 | 神经形态芯片的模拟器 |
| CN110489842A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-11-22 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种模拟单元电路的辅助设计系统及分析方法 |
| JP2021082023A (ja) * | 2019-11-19 | 2021-05-27 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 回路設計支援装置および回路設計支援方法 |
| CN114236272A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-25 | 深圳市环球众一科技有限公司 | 一种电子产品的智能检测系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115421429A (zh) | 2022-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN115421429B (zh) | 一种模拟芯片电路设计系统及方法 | |
| CN1870750B (zh) | 一种报警处理系统及方法 | |
| CN103064390A (zh) | 基于物联网的机房环境远程监控系统及其监控方法 | |
| KR101273712B1 (ko) | 신호 처리 설비와 광학 인터페이스 보드의 온라인 고장 검출 방법과 장치 | |
| CA2939003C (en) | Data and event gap reconciliation across networks using different communication technologies | |
| CN116032692A (zh) | 一种智能物联网关以及基于智能物联网关的物联网系统 | |
| CN103997372B (zh) | 一种光线路终端光模块的状态监控方法及装置 | |
| CN116820872A (zh) | 一种移动智能平台的实验数据处理系统 | |
| WO2022242349A1 (zh) | 授时补偿方法、无线授时终端、电子设备及存储介质 | |
| CN106849346A (zh) | 一种测试配电自动化设备对时功能与守时性能的系统 | |
| CN206389373U (zh) | 一种基于arm的多源逻辑切换授时模块 | |
| CN112187946B (zh) | 一种物联网传感设备评估系统及方法 | |
| CN111787584B (zh) | 一种基于物联网的数据采集方法及系统 | |
| CN213547561U (zh) | 一种物联网传感设备评估系统 | |
| CN110927477B (zh) | 一种非介入式负荷辨识检测的方法及系统 | |
| CN103150781B (zh) | 自动插件设备的监控装置、方法和系统 | |
| CN109871816B (zh) | 基于物联网的图像快速识别方法及装置 | |
| CN104678789B (zh) | 切换控制装置及方法 | |
| CN114428758B (zh) | 基于iic总线的数据采集方法、系统、空调器及存储介质 | |
| CN217766678U (zh) | 触控单元的高低温测试系统 | |
| CN219802593U (zh) | 一种无线传感器和无线传感网络系统 | |
| CN111564821B (zh) | 一种就地化管理单元的自动配置方法 | |
| CN114238191B (zh) | 一种接口集成电路及服务器 | |
| CN113364551B (zh) | 一种配电网站域式保护装置的时钟同步方法及装置 | |
| Lysenko et al. | Computer-integrated Systems for Information Support and Automatiozation of the Complicated Objects |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Country or region after: China Address after: C203L, Lan Guang Technology Building, No. 27 Gaoxin North 6th Road, Songpingshan Community, Xili Street, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province, 518000 Applicant after: Shenzhen ansende Semiconductor Co.,Ltd. Address before: 518000 309, building a, Shanshui building, Nanshan Yungu Innovation Industrial Park, 4093 Liuxian Avenue, Pingshan community, Taoyuan Street, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong Province Applicant before: Shenzhen ansende Semiconductor Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |