CN115404543B - 外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种硅外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备，包括：腔体以及设置在腔体中的基座和预热环，其中，腔体的侧壁上沿水平方向相对设置有进气口和出气口；预热环环绕在基座与腔体的侧壁之间，且是可升降的，以能够使预热环的上表面在进行外延工艺时位于第一高度位置，或者在进行刻蚀工艺时位于第二高度位置，预热环的上表面在位于第一高度位置时，不高于进气口，且不低于基座的下表面；预热环的上表面在位于第二高度位置时，低于基座的下表面。本发明提供的预热环结构确保了下腔室的刻蚀效率，有效地避免了下腔室发生沉积的情况。

Description

外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备。

背景技术

目前，外延生长设备通过精确调控外延层的工艺参数，以实现较高的器件性能。外延层的生长工艺流程为先进行外延工艺，然后再进行刻蚀工艺。在进行硅外延工艺的过程中，硅源在高温下和氢气发生还原反应，反应物会沉积在晶圆上形成单晶硅外延层，在外延工艺过程中，通过均匀控制温场，可以提升外延层的质量；外延工艺完成后腔室会进行一次刻蚀工艺，对反应腔室进行刻蚀清洁，从而保证外延工艺过程中的温度稳定性。

外延生长设备的工艺腔室是由上、下圆顶及侧壁形成的圆形腔室，晶圆位于基座上，上、下圆顶外围分布有上、下两部分的加热灯，实现晶圆的加热，气体通过进气端进入到腔室内部，流经预热环以及基座上方，从尾气端流出，实现晶圆的外延生长以及腔室的刻蚀处理。

目前的腔室结构，通过预热环及基座将圆形腔室分隔为上下两个部分，由此会导致在刻蚀工艺过程中，刻蚀气体主要集中在基座的上方，由于基座的下方刻蚀的气体浓度低，这会导致基座下方的刻蚀效率低以及使得下圆顶上的沉积物无法被有效去除，从而影响了下方加热灯的光线对基座的加热，影响腔室内部的温度均匀性。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备，其可以有效去除下腔室的沉积物，避免沉积物对下方的加热灯发出的光线产生干扰，保证腔体内部温度的均匀性。

为实现本发明的目的之一，提供一种硅外延生长设备的工艺腔室，包括腔体以及设置在所述腔体中的基座和预热环，其中，所述腔体的侧壁上沿水平方向相对设置有进气口和出气口；所述预热环环绕在所述基座与所述腔体的侧壁之间，且是可升降的，以能够使所述预热环的上表面在进行外延工艺时位于第一高度位置，或者在进行刻蚀工艺时位于第二高度位置，所述预热环的上表面在位于所述第一高度位置时，不高于所述进气口，且不低于所述基座的下表面；所述预热环的上表面在位于所述第二高度位置时，低于所述基座的下表面。

其中，所述预热环包括两个弧形体，两个所述弧形体对接成闭合环形；两个所述弧形体均相对于所述进气口在所述水平方向上的轴线对称分布；靠近所述进气口的所述弧形体的中心角大于或等于靠近所述出气口的所述弧形体的中心角。

其中，所述工艺腔室还包括一个或多个沿所述预热环的周向间隔分布的升降组件，每个所述升降组件均与所述预热环连接，用于带动所述预热环升降。

其中，每个所述升降组件均包括升降部件、导向部件和固定部件，其中，所述导向部件与所述腔体固定连接；所述升降部件竖直设置，且与所述导向部件可升降的连接，并且所述升降部件与所述预热环固定连接；所述固定部件用于将所述升降部件与所述导向部件相对固定，以能够限定所述预热环的上表面的高度。

其中，所述腔体包括上腔体、下腔体和连接在所述上腔体和所述下腔体之间的承载环，所述进气口和所述出气口设置于所述承载环上；所述承载环上设置有一个或多个避让通道，所述避让通道的数量与所述升降组件的数量相同，且各所述升降部件一一对应地通过各所述避让通道与所述预热环固定连接，所述避让通道用于避让所述预热环的升降运动。

其中，所述承载环的内周面上形成有凹槽，且所述承载环的下表面形成有与所述凹槽连通的通孔；所述凹槽和所述通孔构成所述避让通道；所述预热环的外周面设置有连接部，所述连接部的至少一部分位于所述凹槽中，所述升降部件的上端穿过所述通孔，并与所述连接部固定连接；所述凹槽和所述连接部在竖直方向上的高度被设置为能够使所述预热环在所述第一高度位置和所述第二高度位置之间移动。

其中，所述升降部件的外表面上设置有用于表示所述升降部件高度的刻度。

其中，所述导向部件上设置有沿竖直方向贯通所述导向部件的导向孔，所述升降部件穿设于所述导向孔中。

其中，所述升降部件的外周面与所述导向孔的内周面之间设置有凹凸结构，用于限制所述升降部件的旋转自由度。

其中，所述固定部件包括紧固螺钉，在所述导向部件上，且沿平行于所述导向孔的径向截面的方向设置有螺纹孔，所述紧固螺钉与所述螺纹孔相配合，用以在所述紧固螺钉旋紧时通过所述紧固螺钉的一端与所述升降部件的外周面相抵来将所述升降部件与所述导向部件相对固定。

根据本发明的第二方面，还提供一种外延生长设备，包括上述所述的工艺腔室。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的外延生长设备的工艺腔室，其预热环是可升降的，以能够使该预热环的上表面在进行外延工艺时位于第一高度位置，或者在进行刻蚀工艺时位于第二高度位置，该预热环的上表面在位于该第一高度位置时，不高于该进气口，且不低于该基座的下表面，该预热环的上表面在位于该第二高度位置时，低于该基座的下表面，这样，当调节好预热环与基座的相对位置后，将预热环进行固定，在进行外延沉积工艺时，该预热环的上表面介于基座的上表面与基座的下表面之间，外延工艺气体进入之后，会流经预热环以及基座的上方，此时，工艺气体会经过预热环后到达放置在基座上方的晶圆，在晶圆上沉积薄膜，而由于预热环与基座之间设置有间隙，一部分工艺气体也会通过预热环与基座之间的间隙扩散到基座的下方并会在下腔体上进行沉积。在进行刻蚀工艺时，预热环的上表面低于基座的下表面，此时，刻蚀气体进入到腔体内后会直接从预热环的上方进入到腔体内，被基座分为两条行驶路径，由于气体从进气口进入之后，流经基座下方的空间增大，进入下腔体的刻蚀气体增多，保证了下腔体正常刻蚀气体的浓度，从而确保了下腔体的刻蚀效率，有效地避免了下腔体发生沉积而无法有效清洗的情况。此外，由于在上腔体的上方以及下腔体的下方均设有加热灯，由于下腔体产生的沉积得到有效的刻蚀，因而，不会影响设置在下腔体下方的加热灯的光线对基座的加热，确保了腔体内部温度的均匀性。

本发明提供的外延生长设备，其通过采用本发明提供的上述外延生长设备的工艺腔室，可以有效去除下腔室的沉积物，避免沉积物对下方的加热灯发出的光线产生干扰，保证腔体内部温度的均匀性。

附图说明

图1为现有技术的预热环结构的整体结构示意图；

图2为本发明实施例提供的外延生长设备的工艺腔室的整体结构示意图；

图3为图2中的预热环的整体结构仰视图；

图4为图3中的A-A剖面结构示意图；

图5为图2中的承载环的整体结构仰视图；

图6为图5中的沿承载环的进气口侧的剖面结构示意图；

图7为图2中的B-B的一种剖面结构示意图；

图8为图2中的C-C的剖面结构示意图；

图9为图2中的升降部件的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的外延生长设备的工艺腔室在进行外延工艺时的气体流经示意图；

图11为本发明实施例提供的外延生长设备的工艺腔室在进行刻蚀工艺时的气体流经示意图；

图12为图2中的B-B的另一种剖面结构示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的温度控制装置及应用其的反应腔室进行详细描述。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

如图1所示，外延生长设备的工艺腔室是由上圆顶60、下圆顶70和位于二者之间的侧壁80形成的封闭空间，晶圆位于基座20上，上圆顶60的外围和下圆顶70的外围均分布有加热灯50，该加热灯50可以实现对晶圆的加热，气体通过侧壁80上的进气端30进入到腔室内部，流经预热环10以及基座20的上方，从侧壁80上的尾气端40流出，实现晶圆的外延生长以及腔室的刻蚀处理。

上述工艺腔室是通过预热环10及基座20将封闭空间分隔为上下两个部分，由此会导致在刻蚀工艺过程中，气体主要集中在基座20的上方，很小的一部分气体经过预热环10与基座20之间的间隙进入到基座20的下方，也就是下腔室，基座20的下方由于刻蚀的气体浓度低，从而会导致基座20下方的刻蚀效率低以及使得下圆顶70沉积无法有效清洁，从而影响了下方的加热灯50的光线对基座20的加热，影响腔室内部的温度均匀性。

基于上述情况，本发明提供一种外延生长设备的工艺腔室。如图2、图6、图8、图10和图11所示，图中示意性地显示了该工艺腔室包括腔体1、预热环2和基座4。在本发明的实施例中，该基座4和预热环2设置在该腔体1中，该腔体1的侧壁上沿水平方向相对设置有进气口32和出气口33。可选的，腔体1包括上腔体11、下腔体12和连接在该上腔体11和该下腔体12之间的承载环3，该承载环3即构成腔体1的侧壁的至少一部分。该进气口32和该出气口33设置于该承载环3上。当然，本发明实施例对腔体1的具体结构没有特别的限制。另外，可选的，在上腔体11和该下腔体12的外部还罩设有外壳6。

该预热环2环绕在该基座4与该腔体1的侧壁(即，承载环3)之间，且预热环2是可升降的，以能够使该预热环2的上表面在进行外延工艺时位于第一高度位置，或者在进行刻蚀工艺时位于第二高度位置，该预热环2的上表面在位于该第一高度位置时，不高于该进气口32，且不低于该基座4的下表面，该预热环2的上表面在位于该第二高度位置时，低于该基座4的下表面。具体地，本发明通过使得该预热环2环绕在该基座4与该腔体1的侧壁之间，且是可升降的，以能够使该预热环2的上表面在进行外延工艺时位于第一高度位置，或者在进行刻蚀工艺时位于第二高度位置，该预热环2的上表面在位于该第一高度位置时，不高于该进气口32，且不低于该基座4的下表面，该预热环2的上表面在位于该第二高度位置时，低于该基座4的下表面，这样，当调节好预热环2与基座4的相对位置后，将预热环2进行固定，在进行外延沉积工艺时，如图10所示，该预热环2的上表面a介于基座4的上表面b与基座4的下表面c之间，外延工艺气体进入之后，会流经预热环2以及基座4的上方，此外，外延气体也会通过预热环2与基座4之间的间隙扩散到基座4的下方并会在下腔体12上进行沉积。在进行刻蚀工艺时，如图11所示，预热环2的上表面a低于基座4的下表面c，此时，刻蚀气体进入到腔体1内后会直接从预热环2的上方进入到腔体1内，被基座4分为两条行驶路径，由于气体从进气口32进入之后，依然一部分刻蚀气体会经过基座4的上表面b，对基座4上方的部件(如上腔体11)进行刻蚀，同时，流经基座4下方的空间增大，进入下腔体12的刻蚀气体增多，保证了下腔体12正常刻蚀气体的浓度，从而确保了下腔体12的刻蚀效率，有效地避免了下腔体12发生沉积而无法有效清洗的情况。此外，由于在上腔体11的上方以及下腔体12的下方均设有加热灯，由于下腔体11产生的沉积得到有效的刻蚀，因而，不会影响设置在下腔体12下方的加热灯的光线对基座4的加热，确保了腔体1内部温度的均匀性。

如图2和图3所示，在本发明的一个可选的实施例中，预热环2包括两个弧形体21，两个该弧形体21对接成闭合环形。两个该弧形体21均相对于该进气口32在该水平方向上的轴线对称分布，靠近该进气口32的该弧形体21的中心角大于或等于靠近该出气口的该弧形体21的中心角。具体地，由于左侧的该弧形体21靠近进气口32，右侧的弧形体21靠近出气口33，通过使得两个该弧形体21均相对于该进气口32在该水平方向上的轴线对称分布，靠近该进气口32的该弧形体21的中心角α大于或等于靠近该出气口的该弧形体21的中心角γ，这样，可以将两个弧形体21之间的间隙尽可能靠近出气口33，避免在进气口32附近处形成气体涡流，影响进气流向的均匀性。需要说明的是，两个弧形体21之间的间隙越靠近出气口33，越可以降低气体涡流对进气口32附近进气流向的影响。

如图2所示，在本发明的一个可选的实施例中，该工艺腔室还包括一个或多个沿该预热环2的周向间隔分布的升降组件5，每个该升降组件5均与该预热环2连接，用于带动该预热环2升降。具体地，通过增设该升降组件5，并使得该升降组件5与预热环2相连接，从而通过调节该升降组件5的纵向位置，从而可以达到调节该预热环2的纵向位置的目的。以预热环2包括两个弧形体21为例，如图2所示，升降组件5有两个，且分别与两个弧形体21连接。可选的，每个升降组件5在弧形体21的中间位置处与该弧形体21连接，以提高升降运动的稳定性。具体地，如图3所示，该弧形体21的外周面设置有连接部23，该连接部23位于弧形体21的中间位置处，升降组件5与该连接部23固定连接。

如图2和图9所示，在本发明的一个可选的实施例中，以预热环2包括两个弧形体21为例，每个该升降组件5均包括升降部件51、导向部件52和固定部件53，其中，该导向部件52与该腔体1固定连接。该升降部件51竖直设置，且与该导向部件52可升降的连接，并且该升降部件51与对应的弧形体21固定连接。该固定部件53用于将该升降部件51与该导向部件52相对固定，以能够限定该预热环2的上表面(由两个弧形体21的上表面构成)的高度。具体地，本发明通过使得该升降部件51竖直设置，且与该导向部件52可升降的连接，且该升降部件51与对应的弧形体21固定连接，当将升降部件51相对导向部件52移动到适合的位置后，可通过使用该固定部件53进行固定，便可以实现对该预热环2的上表面的高度的限定。如图2所示，在本发明的一个可选的实施例中，该升降部件51可为竖向滑轨，该导向部件52可为滑块。

如图2所示，在本发明的一个可选的实施例中，该腔体1包括上腔体11、下腔体12和连接在该上腔体11和该下腔体12之间的承载环3，该进气口32和该出气口33设置于该承载环3上。该承载环3上设置有一个或多个避让通道26，该避让通道26的数量与该升降组件5的数量相同，且各该升降部件51一一对应地通过各该避让通道26与对应的弧形体21固定连接，该避让通道26用于避让对应的弧形体21的升降运动，即，为连接部23预留出足够的升降空间，以避免干涉连接部23的升降往复运动。具体地，通过在该承载环3上设置有一个或多个避让通道26，各个该升降部件51一一对应地通过各该避让通道26与对应的弧形体21固定连接。这样，通过调节该升降部件51的纵向位置，便可以实现对对应的弧形体21的纵向位置的调节。

如图4和图6所示，该凹槽31的高度为H1，且高度H1大于连接部23的轴向厚度H，即，预热环2的升降范围为连接部23在凹槽31中移动的最大距离，即为高度H1与轴向厚度H的差值。该最大距离应满足能够使预热环2通过升降到达上述第一高度位置和第二高度位置。另外，如图3所示，连接部23的宽度D应小于凹槽31的宽度，以保证连接部23能够顺利地伸入该凹槽31中，同时，还能确保该连接部23能够顺利地在该凹槽31内进行上下运动，避免了该连接部23发生遇卡的情况。

如图9所示，在本发明的一个具体的实施例中，在该升降部件51的上端设有连接件511，该连接件511穿过相应的避让通道26，该连接件511可为连接杆或连接柱，为实现该连接杆或连接柱与对应的弧形体21固定连接，可以在弧形体21上构造有第一螺纹，在该连接杆或连接柱的外表面构造有第二螺纹，其中，该第一螺纹与该第二螺纹相适配，这样，实现了该升降部件51与弧形体21的固定连接，即，通过调节该升降部件51在竖向上的高度位置，便可以间接地实现对弧形体21相对基座4在竖向上的高度位置调节，在固定弧形体21的高度位置后，再开始进行工艺，从而可以根据不同的工艺相应的调节弧形体21的高度位置，以保证气体在外延工艺以及刻蚀工艺两种状态下具有不同的流经。

如图4、图6和图8所示，在本发明的一个可选的实施例中，该承载环3的内周面上形成有凹槽31，且该承载环3的下表面形成有与该凹槽31连通的通孔25，该凹槽31和该通孔25构成上述避让通道26。每个弧形体21的上述连接部23的至少一部分位于该凹槽31中，该升降部件51的上端穿过该通孔25，并与该连接部23固定连接，该凹槽31和该连接部23在竖直方向上的高度被设置为能够使该预热环2在该第一高度位置和该第二高度位置之间移动。具体地，该连接部23能插入到该凹槽31内，并能在该凹槽31内进行竖向往复运动，通过使得该连接部23在该凹槽31内进行竖向往复运动，从而实现该预热环2在该第一高度位置和该第二高度位置之间移动。

如图2和图3所示，本发明的弧形体21的制造材质为石英材质，该连接部23可优选为圆柱体或杆体，该连接部23呈水平式设置。其中，该弧形体21与相应侧的该连接部23焊接为一体，其中，该连接部23与该弧形体21处于同一平面内。

如图9所示，在本发明的一个可选的实施例中，该升降部件51的外表面上设置有用于表示升降部件51高度的刻度512。具体地，通过在该升降部件51的表面设有刻度512，从而可以直观的看出升降部件51在竖向上的位置调节范围。

如图7和图12所示，在本发明的一个可选的实施例中，该导向部件52上设置有沿竖直方向贯通该导向部件52的导向孔521，该升降部件51穿设于该导向孔521中。具体地，该导向孔521沿竖向设置，该升降部件51可以穿过该导向孔521，即，该升降部件51可以在该导向孔521内进行竖向往复运动。

如图7所示，在本发明的一个可选的实施例中，该升降部件51的外周面与该导向孔521的内周面之间设置有凹凸结构54，用于限制该升降部件51的旋转自由度。具体地，该凹凸结构54的设置，可以有效防止该升降部件51相对该导向部件52发生轴向旋转的情况。例如，图7中的凹凸结构54包括设置在导向孔521的内周面上的两个圆弧凸部，以及分别对应地设置在升降部件51的外周面上的两个圆弧凹部，该圆弧凸部与圆弧凹部相配合，以使升降部件51无法转动。或者，如图12所示，在本发明的另一个可选的实施例中，该升降部件51的外周面与该导向孔521的内周面之间也可以不设置上述凹凸结构54，即，升降部件51为圆柱体，导向孔521为圆孔。

如图2、图7和图12所示，在本发明的一个可选的实施例中，该固定部件53包括紧固螺钉，在该导向部件52上，且沿平行于该导向孔521的径向截面的方向设置有螺纹孔，该紧固螺钉与该螺纹孔相配合，用以在该紧固螺钉旋紧时通过该紧固螺钉的一端与该升降部件51的外周面相抵来将该升降部件51与该导向部件52相对固定。具体地，当将升降部件51调节到适合的高度后，将紧固螺钉的一端穿过该螺纹孔，旋紧该紧固螺钉，使得该紧固螺钉的穿入端的侧端面抵接在该升降部件51的外周面上，这样，便实现了升降部件51与导向部件52之间的相对固定。

在本发明的一个可选的实施例中，如图2所示，该工艺腔室还包括底座8，其中，该升降部件51的下端设置在该底座8上。该底座8的设置，可以确保该升降部件51整体的稳定性，避免该升降部件51发生倾斜的情况。

根据本发明的第二方面，还提供一种外延生长设备，包括上述实施例所述的工艺腔室。

本发明实施例提供的外延生长设备，其通过采用本发明实施例提供的上述外延生长设备的工艺腔室，可以有效去除下腔室的沉积物，避免沉积物对下方的加热灯发出的光线产生干扰，保证腔体内部温度的均匀性。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种外延生长设备的工艺腔室，其特征在于，包括腔体以及设置在所述腔体中的基座和预热环，其中，所述腔体的侧壁上沿水平方向相对设置有进气口和出气口；

所述预热环环绕在所述基座与所述腔体的侧壁之间，且是可升降的，以能够使所述预热环的上表面在进行外延工艺时位于第一高度位置，在进行刻蚀工艺时位于第二高度位置，所述预热环的上表面在位于所述第一高度位置时，不高于所述进气口，且不低于所述基座的下表面；所述预热环的上表面在位于所述第二高度位置时，低于所述基座的下表面。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述预热环包括两个弧形体，两个所述弧形体对接成闭合环形；

两个所述弧形体均相对于所述进气口在所述水平方向上的轴线对称分布；靠近所述进气口的所述弧形体的中心角大于或等于靠近所述出气口的所述弧形体的中心角。

3.根据权利要求1或2所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括一个或多个沿所述预热环的周向间隔分布的升降组件，每个所述升降组件均与所述预热环连接，用于带动所述预热环升降。

4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，每个所述升降组件均包括升降部件、导向部件和固定部件，其中，

所述导向部件与所述腔体固定连接；

所述升降部件竖直设置，且与所述导向部件可升降的连接，并且所述升降部件与所述预热环固定连接；

所述固定部件用于将所述升降部件与所述导向部件相对固定，以能够限定所述预热环的上表面的高度。

5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述腔体包括上腔体、下腔体和连接在所述上腔体和所述下腔体之间的承载环，所述进气口和所述出气口设置于所述承载环上；

所述承载环上设置有一个或多个避让通道，所述避让通道的数量与所述升降组件的数量相同，且各所述升降部件一一对应地通过各所述避让通道与所述预热环固定连接，所述避让通道用于避让所述预热环的升降运动。

6.根据权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述承载环的内周面上形成有凹槽，且所述承载环的下表面形成有与所述凹槽连通的通孔；所述凹槽和所述通孔构成所述避让通道；

所述预热环的外周面设置有连接部，所述连接部的至少一部分位于所述凹槽中，所述升降部件的上端穿过所述通孔，并与所述连接部固定连接；所述凹槽和所述连接部在竖直方向上的高度被设置为能够使所述预热环在所述第一高度位置和所述第二高度位置之间移动。

7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述升降部件的外表面上设置有用于表示所述升降部件高度的刻度。

8.根据权利要求4-7任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述导向部件上设置有沿竖直方向贯通所述导向部件的导向孔，所述升降部件穿设于所述导向孔中。

9.根据权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，所述升降部件的外周面与所述导向孔的内周面之间设置有凹凸结构，用于限制所述升降部件的旋转自由度。

10.根据权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，所述固定部件包括紧固螺钉，在所述导向部件上，且沿平行于所述导向孔的径向截面的方向设置有螺纹孔，所述紧固螺钉与所述螺纹孔相配合，用以在所述紧固螺钉旋紧时通过所述紧固螺钉的一端与所述升降部件的外周面相抵来将所述升降部件与所述导向部件相对固定。

11.一种外延生长设备，其特征在于，包括上述权利要求1至10中任一项所述的工艺腔室。