CN115395899A - 射频接收系统和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种射频接收系统和电子设备。该射频接收系统，包括低噪声放大器、开关单元、控制电路和滤波电路；所述开关单元与所述低噪声放大器相连；所述控制电路与所述开关单元相连，输出控制信号控制所述开关单元工作；所述滤波电路的第一端耦合至所述控制电路的输出端，第二端接地，被配置为，对所述低噪声放大器工作过程的干扰信号进行滤波。本方案中，滤波电路可将射频接收系统中形成的影响低噪声放大器工作的干扰信号短路到地，以滤除干扰信号，减小低噪声放大器的信号波动，从而优化低噪声放大器的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。

Description

射频接收系统和电子设备

技术领域

本发明涉及射频通信技术领域，尤其涉及一种射频接收系统和电子设备。

背景技术

现有无线通信终端的射频接收系统中一般集成有低噪声放大器，低噪声放大器为射频接收系统中的有源放大电路，可接收并放大射频信号。由于低噪声放大器处于射频接收系统的最前端，需提供足够高的增益以抑制后级噪声。为了实现最大功率传输，需保障低噪声放大器具有较好的噪声系数和射频接收系统具有较高的灵敏度，但在低噪声放大器所在的信号传输链路中，会存在各种干扰信号，影响低噪声放大器的噪声系数和射频接收系统的灵敏度，进而影响低噪声放大器的正常工作。

发明内容

本发明实施例提供一种射频接收系统和电子设备，以解决现有射频接收系统中存在干扰信号影响低噪声放大器的噪声系数和射频接收系统的灵敏度的问题。

本发明实施例提供一种射频接收系统，包括低噪声放大器、开关单元、控制电路和滤波电路；

所述开关单元与所述低噪声放大器相连；

所述控制电路与所述开关单元相连，输出控制信号控制所述开关单元工作；

所述滤波电路的第一端耦合至所述控制电路的输出端，第二端接地，被配置为，对所述低噪声放大器工作过程的干扰信号进行滤波。

优选地，所述滤波电路，被配置为，对所述控制电路向所述开关单元输出的干扰信号进行滤波。

优选地，所述干扰信号为所述控制电路向所述开关单元输出的高阶谐波信号，其中，所述高阶谐波信号位于所述低噪声放大器的工作频段内。

优选地，所述干扰信号为所述控制电路向所述开关单元输出的低阶谐波信号。其中，所述低阶谐波信号与所述低噪声放大器的基波信号组合形成的交调信号，所述交调信号位于所述低噪声放大器的工作频段内。

优选地，所述滤波电路包括第一电容，所述第一电容的一端耦合至所述控制电路的输出端，所述第一电容的另一端接地。

优选地，所述滤波电路包括第一电感和第一电容，所述第一电感的第一端耦合至所述控制电路的输出端，所述第一电感的第二端与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端接地。

优选地，所述滤波电路为机械滤波器，所述机械滤波器的第一端耦合至所述控制电路的输出端，第二端接地。

优选地，所述开关单元的一端与天线相连，另一端与所述低噪声放大器的输入端相连；

或者，所述开关单元的一端与所述低噪声放大器的输入端相连，另一端接地；

或者，所述开关单元的一端与所述低噪声放大器的输出端相连，另一端与所述射频接收系统的信号输出端相连。

优选地，所述开关单元包括至少一个开关晶体管；

所述开关晶体管的控制端与所述控制电路的输出端相连；

所述开关晶体管的第一连接端与所述天线相连，所述开关晶体管的第二连接端与所述低噪声放大器的输入端相连；

或者，所述开关晶体管的第一连接端与所述低噪声放大器的输入端相连，所述开关晶体管的第二连接端接地；

或者，所述开关晶体管的第一连接端与所述低噪声放大器的输出端相连，所述开关晶体管的第二连接端与所述射频接收系统的信号输出端相连。

优选地，所述开关晶体管为MOS管，所述开关晶体管的栅极为所述开关晶体管的控制端，所述开关晶体管的源极为所述开关晶体管的第一连接端，所述开关晶体管的漏极为所述开关晶体管的第二连接端。

优选地，所述控制电路、所述开关单元、所述低噪声放大器和所述滤波电路集成在第一芯片上。

本发明实施例提供一种电子设备，包括上述射频接收系统。

上述射频接收系统和电子设备，所述滤波电路的第一端耦合至所述控制电路的输出端，第二端接地，可使控制电路的输出端向开关单元输出控制信号时，滤波电路可将射频接收系统中形成的影响低噪声放大器工作的干扰信号短路到地，以滤除干扰信号，减小低噪声放大器的信号波动，从而优化低噪声放大器的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。可理解地，滤波电路的第一端越靠近控制电路的输出端设计，其所滤除的干扰信号越多，低噪声放大器的噪声系数和射频接收系统的灵敏度的优化效果越好。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一实施例中射频接收系统的一电路示意图；

图2是本发明一实施例中射频接收系统的另一电路示意图；

图3是本发明一实施例中射频接收系统的另一电路示意图；

图4是本发明一实施例中射频接收系统的另一电路示意图；

图5是本发明一实施例中射频接收系统的另一电路示意图；

图6是本发明一实施例中射频接收系统的另一电路示意图；

图7是本发明一实施例中射频接收系统的另一电路示意图。

图中：1、低噪声放大器；2、开关单元；3、控制电路；4、滤波电路；C1、第一电容；L1、第一电感；41、机械滤波器；5、天线。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

本发明实施例提供一种射频接收系统，如图1所示，射频接收系统包括低噪声放大器1、开关单元2、控制电路3和滤波电路4；开关单元2与低噪声放大器1相连；控制电路3与开关单元2相连，输出控制信号控制开关单元2工作；滤波电路4的第一端耦合至控制电路3的输出端，第二端接地，被配置为，对干扰信号进行滤波。

其中，干扰信号是指干扰低噪声放大器1正常工作，从而影响低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度的信号，是需要滤除的信号。

作为一示例，开关单元2与低噪声放大器1相连，可与低噪声放大器1的输入端相连，也可与低噪声放大器1的输出端相连，通过控制开关单元2的导通或断开，以使低噪声放大器1所在信号传输链路导通或断开，进而控制低噪声放大器1的工作状态。控制电路3与开关单元2相连，可控制开关单元2工作，具体控制开关单元2导通或断开，以使低噪声放大器1所在信号传输链路导通或断开。

本示例中，在开关单元2设置在低噪声放大器1的输入端时，具体可设置在天线5和低噪声放大器1的输入端之间，以将天线5接收到的射频信号传输至低噪声放大器1进行低噪声放大处理。例如，开关单元2可以为MOS管M1，MOS管M1的源极与天线5相连，MOS管M1的漏极与低噪声放大器1的输入端相连，MOS管M1的栅极与控制电路3相连，可接收控制电路3输出的控制信号，根据控制信号控制MOS管M1的导通或断开。在控制电路3控制开关单元2的导通或断开，以使低噪声放大器1所在信号传输链路导通或断开的实际应用中，控制电路3输出控制信号时会形成干扰低噪声放大器1工作的干扰信号，当干扰信号影响低噪声放大器1的正常工作时，会影响低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。

本实施例中，滤波电路4的第一端耦合至控制电路3的输出端，第二端接地，可使控制电路3输出控制信号控制开关单元2工作时，将控制电路3和开关单元2之间的传输线上的干扰信号短路到地，以滤除控制电路3和开关单元2之间的干扰信号，避免干扰信号对射频接收系统造成干扰，尤其是对射频接收系统中的低噪声放大器造成干扰，(例如：避免干扰信号落入在低噪声放大器1的工作频段内，以减小低噪声放大器1的信号波动)，从而优化低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。可理解地，滤波电路4的第一端越靠近控制电路3的输出端设计，越能有效的滤除的干扰信号，低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度的优化效果越好。

在一实施例中，滤波电路4，被配置为，对控制电路3向开关单元2输出的干扰信号进行滤波。

在一实际应用过程中，控制电路中包括有震荡电路和升压模块，震荡电路和升压模块被配置为对输入的逻辑电平(例如：1.2V电压)进行升压转换，生成满足需求的控制电压(例如：1.8V电压)。然而，由于震荡电路和升压模块在对输入的逻辑电平进行转换的工作过程中会产生干扰信号，从而对射频接收系统和低噪声放大器造成干扰。针对于此，本申请通过采用滤波电路4对控制电路3向开关单元2输出的干扰信号进行滤波，进而优化低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。

作为一示例，在控制电路3通过传输线向开关单元2输出控制信号过程中，若控制信号的信号强度较大，就会形成干扰低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度的干扰信号。也就是说，控制电路3向开关单元2输出控制信号过程中，会输出干扰信号，此时，需将滤波电路4的第一端耦合至控制电路3的输出端，第二端接地，以将控制电路3向开关单元2输出的干扰信号短路到地，以滤除干扰信号，从而优化低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。本示例中，滤波电路4的第一端越靠近控制电路3的输出端，越有助于将控制电路3向开关单元2输出的干扰信号滤除干净，优化低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。

在一实施例中，干扰信号为控制电路3向开关单元2输出的高阶谐波信号，其中，高阶谐波信号位于低噪声放大器1的工作频段内。

其中，高阶谐波信号是指频率较高的谐波信号，此处的频率较高是指谐波信号与基波信号的比例大于或等于预设值。需要说明的是，本实施例对高阶谐波信号具体为几阶次谐波信号不做具体限定，只要该阶次的谐波信号影响到低噪声放大器1的工作即为本实施例中的高阶谐波信号。其中，该高阶谐波信号位于低噪声放大器1的工作频段内。例如：该预设值可设置为4或其他数值，若预设值为4，则高阶谐波信号可以是4阶谐波信号。基波信号是指频率与原信号频率相同的正弦分量。

作为一示例，射频接收系统工作过程中，控制电路3会向开关单元2输出高阶谐波信号，若高阶谐波信号位于低噪声放大器1的工作频段内，会使低噪声放大器1的工作频段内的信号波动较大，影响低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度，因此，需将滤波电路4的第一端耦合至控制电路3的输出端，第二端接地，将位于低噪声放大器1的工作频段内的高阶谐波信号短路到地，以滤除低噪声放大器1的工作频段内的高阶谐波信号，优化低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。

在一实施例中，干扰信号为控制电路3向开关单元2输出的低阶谐波信号。其中，所述低阶谐波信号与低噪声放大器1的基波信号组合形成的交调信号，交调信号位于低噪声放大器1的工作频段内。

其中，低阶谐波信号是指频率较低的谐波信号，此处的频率较高是指谐波信号与基波信号的比例小于预设值。需要说明的是，本实施例对低阶谐波信号具体为几阶次谐波信号不做具体限定，只要该阶次的谐波信号与低噪声放大器1的基波信号组合形成的交调信号位于低噪声放大器1的工作频段内即为本实施例中的低阶谐波信号。例如：该预设值可设置为4或其他数值，若预设值为4，则低阶谐波信号可以是3阶谐波信号或2阶谐波信号。基波信号是指频率与原信号频率相同的正弦分量。交调信号是指控制电路3向开关单元2输出的低阶谐波信号与低噪声放大器1的基波信号相互作用所产生的信号。

作为一示例，射频接收系统工作过程中，控制电路3会向开关单元2输出低阶谐波信号，该低阶谐波信号和低噪声放大器工作过程中传输的基波信号相互作用，会形成交调信号，交调信号落入低噪声放大器1的工作频段内，影响低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。因此，实施例通过将滤波电路4的第一端耦合至控制电路3的输出端，第二端接地，以将低阶谐波信号短路到地，避免该低阶谐波信号和基波信号相互作用形成的交调信号以影响低噪声放大器的正常工作，从而优化低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。

控制电路3会向开关单元2输出高阶谐波信号或者低阶谐波信号。高阶谐波信号在低噪声放大器1的工作频段内，会干扰低噪声放大器1的正常工作，此时，高阶谐波信号为需要滤除的干扰信号。低阶谐波信号虽然可能不在低噪声放大器1的工作频段内，但由于低阶谐波信号会与低噪声放大器1的基波信号相互作用形成交调信号，若该交调信号在低噪声放大器1的工作频段内，则也会干扰低噪声放大器1的正常工作，此时，低阶谐波信号也为需要滤除的干扰信号。

在一实施例中，如图2所示，滤波电路4包括第一电容C1，第一电容C1的一端耦合至控制电路3的输出端，第一电容C1的另一端接地。

作为一示例，滤波电路4可以包括第一电容C1，第一电容C1的一端耦合至控制电路3的输出端，第一电容C1的另一端接地，以使第一电容C1可将控制电路3、开关单元2和低噪声放大器1工作过程形成的干扰信号滤除，具体滤除控制电路3向开关单元2输出的高阶谐波信号，并滤除控制电路3向开关单元2输出的低阶谐波信号，避免该低阶谐波信号和低噪声放大器1的基波信号相互作用形成的交调信号影响低噪声放大器的正常工作，从而优化低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。

在一实施例中，如图3所示，滤波电路4包括第一电感L1和第一电容C1，第一电感L1的第一端耦合至控制电路3的输出端，第一电感L1的第二端与第一电容C1的第一端相连，第一电容C1的第二端接地。

作为一示例，滤波电路4可以包括第一电感L1和第一电容C1，第一电感L1和第一电容C1串联形成LC滤波器，LC滤波器设置在控制电路3的输出端和地之间。本示例中，第一电感L1的第一端耦合至控制电路3的输出端，第一电感L1的第二端与第一电容C1的第一端相连，第一电容C1的第二端接地。本示例中，采用耦合至控制电路3的输出端的LC滤波器，可将控制电路3、开关单元2和低噪声放大器1工作过程形成的干扰信号滤除，具体滤除控制电路3向开关单元2输出的高阶谐波信号，并滤除控制电路3向开关单元2输出的低阶谐波信号，避免低阶谐波信号低噪声放大器1的基波信号相互作用形成的交调信号影响低噪声放大器的正常工作，从而优化低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。

在一实施例中，如图4所示，滤波电路4为机械滤波器41，机械滤波器41的第一端耦合至控制电路3的输出端，第二端接地。

其中，机械滤波器41(mechanical filter)是由机械振子、机械耦合元件和机电换能器组成的滤波器。用可与某一频率谐振的一定几何尺寸的恒弹性金属作为谐振单元，机械联结成为一个谐振系统，两端分别接上机械电气换能器，它相当于由线圈和电容组成的带通型四端网络。

作为一示例，滤波电路4也可以为机械滤波器41，机械滤波器41一般等效于线圈和电容形成的滤波网络，将机械滤波器41的第一端耦合至控制电路3的输出端，第二端接地，可将控制电路3、开关单元2和低噪声放大器1工作过程形成的干扰信号滤除，具体滤除控制电路3向开关单元2输出的高阶谐波信号，并滤除控制电路3向开关单元2输出的低阶谐波信号，避免低阶谐波信号和低噪声放大器1的基波信号相互作用形成的交调信号影响低噪声放大器的正常工作，从而优化低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。

在一实施例中，开关单元2的一端与天线5相连，另一端与低噪声放大器1的输入端相连；或者，开关单元2的一端与低噪声放大器1的输入端相连，另一端接地；或者，开关单元2的一端与低噪声放大器1的输出端相连，另一端与射频接收系统的信号输出端相连。

一般来说，开关单元2可以设置在低噪声放大器1所在信号传输链路的任意位置，在接收到控制电路3输出的控制信号后，可控制低噪声放大器1所在信号传输链路导通。

作为一示例，如图5所示，将开关单元2的一端与天线5相连，另一端与低噪声放大器1的输入端相连，即将开关单元2设置在天线5与低噪声放大器1之间，控制电路3与该开关单元2相连，且滤波电路4的第一端耦合至控制电路3的输出端，第二端接地。由于低噪声放大器1为射频接收系统的第一级有源放大电路，可实现低噪声放大处理，利用滤波电路4耦合至控制电路3的输出端，以滤除信号在“控制电路3-开关单元2-低噪声放大器1”和“天线5-开关单元2-低噪声放大器1”等传输路径中所形成的干扰信号，包括但不限于控制电路3与开关单元2之间的传输线上形成的信号强度较大的干扰信号、低噪声放大器1工作过程形成的谐波信号等。

作为一示例，如图6所示，将开关单元2的一端与低噪声放大器1的输入端相连，另一端接地，控制电路3与该开关单元2相连，且滤波电路4的第一端耦合至控制电路3的输出端，第二端接地。由于低噪声放大器1为射频接收系统的第一级有源放大电路，可实现低噪声放大处理，利用滤波电路4耦合至控制电路3的输出端，以滤除信号在“控制电路3-开关单元2-低噪声放大器1”和“地-开关单元2-低噪声放大器1”等传输路径中所形成的干扰信号。本示例中，开关单元2的一端接地，另一端与低噪声放大器1的输入端相连，可避免开关单元2所形成的干扰信号输入到低噪声放大器1，而影响低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。

作为一示例，如图7所示，将开关单元2的一端与低噪声放大器1的输出端相连，另一端与射频接收系统的信号输出端RFout相连，控制电路3与该开关单元2相连，且滤波电路4的第一端耦合至控制电路3的输出端，第二端接地。由于低噪声放大器1为射频接收系统的第一级有源放大电路，可实现低噪声放大处理，利用滤波电路4耦合至控制电路3的输出端，以滤除信号在“控制电路3-开关单元2-低噪声放大器1”等传输路径中所形成的干扰信号。

在一实施例中，开关单元2包括至少一个开关晶体管；开关晶体管的控制端与控制电路3的输出端相连；开关晶体管的第一连接端与天线5相连，开关晶体管的第二连接端与低噪声放大器1的输入端相连；或者，开关晶体管的第一连接端与低噪声放大器1的输入端相连，开关晶体管的第二连接端接地；或者，开关晶体管的第一连接端与低噪声放大器1的输入端相连，开关晶体管的第二连接端与射频接收系统的信号输出端相连。

作为一示例，开关电路包括至少一个开关晶体管，至少一个开关晶体管可以采用堆叠或者其他结构设计。

本示例中，每一开关晶体管的控制端与控制电路3相连，开关晶体管的第一连接端与天线5相连，开关晶体管的第二连接端与低噪声放大器1的输入端相连，使得每一开关晶体管的控制端可接收控制电路3输出的控制信号，控制其第二端和第三端是否导通，以确定天线5和低噪声放大器1之间的电路是否导通。本示例中，每一开关晶体管均设置在天线5与低噪声放大器1之间，控制电路3与开关晶体管相连，且滤波电路4的第一端耦合至控制电路3的输出端，第二端接地，在低噪声放大器1实现低噪声放大处理的同时，利用滤波电路4耦合至控制电路3的输出端，以滤除信号在“控制电路3-开关晶体管-低噪声放大器1”和“天线5-开关晶体管-低噪声放大器1”等传输路径的传输过程中所形成的干扰信号。

本示例中，每一开关晶体管的控制端与控制电路3相连，开关晶体管的第一连接端与低噪声放大器1的输入端相连，开关晶体管的第二连接端与接地，使得开关晶体管的控制端可接收控制电路3输出的控制信号，控制其第二端和第三端是否导通，以确定低噪声放大器1和地的电路是否导通。本示例中，每一开关晶体管均设置在地与低噪声放大器1之间，控制电路3与开关晶体管相连，且滤波电路4的第一端耦合至控制电路3的输出端，第二端接地，在低噪声放大器1实现低噪声放大处理的同时，利用滤波电路4耦合至控制电路3的输出端，以滤除信号在“控制电路3-开关晶体管-低噪声放大器1”和“地-开关晶体管-低噪声放大器1”等传输路径的传输过程中所形成的干扰信号。

本示例中，每一开关晶体管的控制端与控制电路3相连，开关晶体管的第一连接端与低噪声放大器1相连，开关晶体管的第二连接端与射频接收系统的信号输出端相连，使得每一开关晶体管的控制端可接收控制电路3输出的控制信号，控制其第二端和第三端是否导通，以确定天线5和低噪声放大器1之间的电路是否导通。本示例中，每一开关晶体管均设置在低噪声放大器1和射频接收系统的信号输出端之间，控制电路3与开关晶体管相连，且滤波电路4的第一端耦合至控制电路3的输出端，第二端接地，在低噪声放大器1实现低噪声放大处理的同时，利用滤波电路4耦合至控制电路3的输出端，以滤除信号在“控制电路3-开关晶体管-低噪声放大器1”和“低噪声放大器1-开关晶体管-射频接收系统的信号输出端”等传输路径的传输过程中所形成的干扰信号。

在一实施例中，开关晶体管为MOS管，开关晶体管的栅极为开关晶体管的控制端；开关晶体管的源极为开关晶体管的第一连接端，开关晶体管的漏极为开关晶体管的第二连接端。

本示例中，开关晶体管的栅极与控制电路3相连，可根据控制电路3输出的控制信号，控制开关晶体管的源极和开关晶体管的漏极是否导通，以确定低噪声放大器1所在信号传输链路是否导通。

在一实施例中，控制电路3、开关单元2、低噪声放大器1和滤波电路4集成在第一芯片上。

作为一示例，控制电路3、开关单元2、低噪声放大器1和滤波电路4集成在第一芯片上，使得射频接收系统整体占用面积较小，此时，由于控制电路3和开关单元2之间的布局较紧凑，开关单元2和低噪声放大器1之间的布局也较紧紧凑，使得低噪声放大器1工作过程中的干扰信号较大，此时，由于滤波电路4的第一端耦合至控制电路3的输出端，滤波电路4的第二端接地，因此，滤波电路4可实现将控制电路3向开关单元2输出的干扰信号滤除，避免干扰信号对低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度造成干扰，以实现在保障射频接收系统整体占用面积较小的前提下，优化低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。

本发明实施例提供一种电子设备，包括上述射频接收系统。上述射频接收系统中，滤波电路4的第一端耦合至控制电路3的输出端，第二端接地，可使控制电路3输出控制信号控制开关单元2工作时，将控制电路3和开关单元2之间的传输线上的干扰信号短路到地，以滤除控制电路3和开关单元2之间的干扰信号，避免干扰信号影响低噪声放大器1的正常工作，使低噪声放大器1的信号波动较小，从而优化低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。可理解地，滤波电路4的第一端越靠近控制电路3的输出端设计，其所滤除的干扰信号越多，低噪声放大器1的噪声系数和射频接收系统的灵敏度的优化效果越好。

以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种射频接收系统，其特征在于，包括低噪声放大器、开关单元、控制电路和滤波电路；

所述开关单元与所述低噪声放大器相连；

所述控制电路与所述开关单元相连，输出控制信号控制所述开关单元工作；

所述滤波电路的第一端耦合至所述控制电路的输出端，第二端接地，被配置为，对干扰信号进行滤波。

2.如权利要求1所述的射频接收系统，其特征在于，所述滤波电路，被配置为，对所述控制电路向所述开关单元输出的干扰信号进行滤波。

3.如权利要求2所述的射频接收系统，其特征在于，所述干扰信号为所述控制电路向所述开关单元输出的高阶谐波信号，其中，所述高阶谐波信号位于所述低噪声放大器的工作频段内。

4.如权利要求2所述的射频接收系统，其特征在于，所述干扰信号为所述控制电路向所述开关单元输出的低阶谐波信号，其中，所述低阶谐波信号与所述低噪声放大器的基波信号组合形成的交调信号，所述交调信号位于所述低噪声放大器的工作频段内。

5.如权利要求1所述的射频接收系统，其特征在于，所述滤波电路包括第一电容，所述第一电容的一端耦合至所述控制电路的输出端，所述第一电容的另一端接地。

6.如权利要求1所述的射频接收系统，其特征在于，所述滤波电路包括第一电感和第一电容，所述第一电感的第一端耦合至所述控制电路的输出端，所述第一电感的第二端与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端接地。

7.如权利要求1所述的射频接收系统，其特征在于，所述滤波电路为机械滤波器，所述机械滤波器的第一端耦合至所述控制电路的输出端，第二端接地。

8.如权利要求1所述的射频接收系统，其特征在于，所述开关单元的一端与天线相连，另一端与所述低噪声放大器的输入端相连；

或者，所述开关单元的一端与所述低噪声放大器的输入端相连，另一端接地；

或者，所述开关单元的一端与所述低噪声放大器的输出端相连，另一端与所述射频接收系统的信号输出端相连。

9.如权利要求8所述的射频接收系统，其特征在于，所述开关单元包括至少一个开关晶体管；

所述开关晶体管的控制端与所述控制电路的输出端相连；

所述开关晶体管的第一连接端与所述天线相连，所述开关晶体管的第二连接端与所述低噪声放大器的输入端相连；

或者，所述开关晶体管的第一连接端与所述低噪声放大器的输入端相连，所述开关晶体管的第二连接端接地；

或者，所述开关晶体管的第一连接端与所述低噪声放大器的输出端相连，所述开关晶体管的第二连接端与所述射频接收系统的信号输出端相连。

10.如权利要求1所述的射频接收系统，其特征在于，所述开关晶体管为MOS管，所述开关晶体管的栅极为所述开关晶体管的控制端，所述开关晶体管的源极为所述开关晶体管的第一连接端，所述开关晶体管的漏极为所述开关晶体管的第二连接端。

11.如权利要求1所述的射频接收系统，其特征在于，所述控制电路、所述开关单元、所述低噪声放大器和所述滤波电路集成在第一芯片上。

12.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-11任一项所述射频接收系统。

Images