CN115394928A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

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CN115394928A
CN115394928A CN202110558317.7A CN202110558317A CN115394928A CN 115394928 A CN115394928 A CN 115394928A CN 202110558317 A CN202110558317 A CN 202110558317A CN 115394928 A CN115394928 A CN 115394928A
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magnesium
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light emitting
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zinc oxide
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马兴远
王劲
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TCL Technology Group Co Ltd
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Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法,显示面板包括发光层以及电子传输层,发光层由纳米颗粒形成,其中,当发光层包括一层纳米颗粒时,电子传输层的电子迁移率为1×10‑4平方厘米每伏每秒至1×10‑1平方厘米每伏每秒、当发光层包括两层纳米颗粒时,电子传输层的电子迁移率为5×10‑3平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒或当发光层包括至少层纳米颗粒时,电子传输层的电子迁移率为5×10‑2平方厘米每伏每秒至5×100平方厘米每伏每秒。使得显示面板电荷平衡,进而提高显示面板的稳定性以及寿命。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
目前量子点发光二极管的器件结构与有机发光二极管的器件结构相似,通过空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层等构成类似p-i-n结的三明治结构,通过平衡电子和空穴的注入,达到高效发光的效果。
量子点发光二极管器件中,电子传输层通常采用氧化锌形成,而氧化锌和量子点界面间存在电荷转移现象,且量子点对电子束缚能力低于对空穴的束缚,这导致了氧化锌和量子点界面处的电荷积累,即,电荷不平衡,极大增加了非辐射俄歇复合的概率,严重影响了器件的效率和寿命。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制备方法,以解决现有技术的显示面板电荷不平衡的问题。
本申请提供一种显示面板,包括:
衬底层;
发光层,所述发光层设置于所述衬底层上,所述发光层包括至少一层纳米颗粒;以及
电子传输层,所述电子传输层设置于所述发光层远离所述衬底层的一侧上,其中,当所述发光层由一层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层的电子迁移率为1×10-4平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒;当所述发光层由两层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层的电子迁移率为5×10-3平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒;当所述发光层由至少三层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层的电子迁移率为5×10-2平方厘米每伏每秒至5×100平方厘米每伏每秒。
可选的,在本申请的一些实施例中,当所述发光层由一层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层材料包括掺镁氧化锌、掺镓氧化锌、氧化锌和掺镁锂氧化锌中的至少一种。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%-20%,所述掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比为5%-20%,所述掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比为0%-10%,所述掺镓氧化锌中镓的掺杂比为0%-20%。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述发光层的厚度为5纳米-14纳米。
可选的,在本申请的一些实施例中,当所述发光层由两层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层材料包括掺镁氧化锌、掺镁铝氧化锌和掺镁锂氧化锌中的至少一种。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%-10%,所述掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比为5%-10%,所述掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-10%,所述掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比为5%-10%,所述掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比为0%-5%。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述发光层的厚度为10纳米-28纳米。
可选的,在本申请的一些实施例中,当所述发光层由至少三层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层材料包括掺镁氧化锌、掺镁铝氧化锌、氧化锌和掺铝氧化锌中的至少一种。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%,所述掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%,所述掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-5%,所述掺铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-10%。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述纳米颗粒的材料包括CdSe基量子点材料、CdZnSe基量子点材料、InP基量子点材料和ZnSe基量子点材料中的至少一种。
本申请还提供一种显示面板的制备方法,包括:
提供一衬底层;
在所述衬底层上设置纳米颗粒形成发光层,所述发光层包括至少一层纳米颗粒;以及
在所述发光层远离所述衬底层的一侧上形成电子传输层,其中,当所述发光层由一层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层的电子迁移率为1×10-4平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒;当所述发光层由两层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层的电子迁移率为5×10-3平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒;当所述发光层由至少三层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层的电子迁移率为5×10-2平方厘米每伏每秒至5×100平方厘米每伏每秒。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述纳米颗粒的材料包括CdSe基量子点材料、CdZnSe基量子点材料、InP基量子点材料和ZnSe基量子点材料中的至少一种。
本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法,显示面板包括衬底层、发光层以及电子传输层,发光层设置于衬底层上,发光层由纳米颗粒形成,电子传输层设置于发光层远离衬底层的一侧上,当发光层由一层纳米颗粒组成时,电子传输层的电子迁移率为1×10-4平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒、当发光层由两层纳米颗粒组成时,电子传输层的电子迁移率为5×10-3平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒或当发光层由至少层纳米颗粒组成时,电子传输层的电子迁移率为5×10-2平方厘米每伏每秒至5×100平方厘米每伏每秒。在本申请中,通过根据不同层数的纳米颗粒形成的发光层对应采用不同的电子迁移率的电子传输层材料,使得显示面板中的电荷平衡,进而提高显示面板的稳定性以及寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板的第一种结构示意图。
图2是本申请实施例提供的显示面板的第二种结构示意图。
图3是本申请实施例提供的显示面板的第三种结构示意图。
图4是本申请实施例提供的显示面板的制备方法流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法。以下分别进行详细说明。
第一种实施方式
请参阅图1,图1是本申请实施例提供的显示面板10的第一种结构示意图。本申请提供一种显示面板10。显示面板10包括衬底层100、发光层500和电子传输层600。具体描述如下。
衬底层100可以为刚性衬底层100或柔性衬底层100。刚性衬底层100可以为玻璃衬底层100。柔性衬底层100的材料包括聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚砜和聚醚酰亚胺中的一种或几种组合。
在一实施例中,显示面板10还包括第一电极层200。第一电极层200设置于衬底层100上。第一电极层200可以为阴极或阳极,在本实施例中,第一电极层200为阳极。
在一实施例中,第一电极层200的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝和氧化铟镓锌中的一种或几种组合。在本实施例中,第一电极层200的材料为氧化铟锡。
在一实施例中,第一电极层200的厚度H1为30纳米-200纳米。具体的,第一电极层200的厚度H1可以为30纳米、35纳米、40纳米、80纳米、150纳米、170纳米或200纳米等。在本实施例中,第一电极层200的H1为40纳米。
在本申请中,将第一电极层200的厚度H1设置为20纳米-600纳米,厚度在此范围之内的第一电极层200的电阻小,对电流的阻碍作用小,从而提高第一电极层200的导电性能。若将第一电极层200的厚度H1设置为小于20纳米,使得第一电极层200的电阻过小,造成显示面板10的损伤;若将第一电极层200的厚度H1设置为大于600纳米,使得第一电极层200的电阻过大,从而影响第一电极层200的导电性,使得显示面板10无法正常显示。
在一实施例中,显示面板10还包括空穴注入层300。空穴注入层300设置于第一电极层200远离衬底层100的一侧。空穴注入层300材料选自聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐、聚苯胺和聚噻吩。在本实施例中,空穴注入层300材料为聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐。
在一实施例中,显示面板10还包括空穴传输层400。空穴传输层400设置于空穴注入层300远离衬底层100的一侧。
在一实施例中,空穴传输层400材料包括聚(9,9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚(N,N′-双(4-丁基苯基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺)、聚乙烯咔唑、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4′-二(9-咔唑)联苯中的一种或几种组合。在本实施例中,第一空穴传输层400材料为4,4′-二(9-咔唑)联苯。
发光层500设置于空穴传输层400远离衬底层100的一侧上。发光层500由纳米颗粒510形成。
在一实施例中,纳米颗粒510材料包括CdSe基量子点材料、CdZnSe基量子点材料、InP基量子点材料和ZnSe基量子点材料中的至少一种。。
在一实施例中,发光层500包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层,在本实施例中,以红色发光层进行说明。
在一实施例中,红色发光层500由一层纳米颗粒510形成。由一层纳米颗粒510形成的红色发光层500的厚度W1为5纳米-14纳米。具体的,红色发光层500的厚度W1可以为5纳米、6纳米、8纳米、10纳米、12纳米或14纳米等。
需要说明的是,附图中的纳米颗粒呈整齐排列,仅是为了更简要、清晰表明纳米颗粒的层数,在实际产品中,纳米颗粒可以为大致整齐排列即可。
电子传输层600设置于发光层500远离衬底层100的一侧。
在一实施例中,当发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料的电子迁移率为1×10-4平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒。具体的,当红色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料的电子迁移率为1×10-4平方厘米每伏每秒至1×10-2平方厘米每伏每秒。
在本申请中,当红色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,因不需要电子在红色发光层500中传输,因此对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率低,即为1×10-4平方厘米每伏每秒至1×10-2平方厘米每伏每秒,使得电子到达红色发光层500后,直接与空穴复合发光,避免电子在红色发光层500中堆积或稀少进而使得显示面板10的电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率小于1×10-4平方厘米每伏每秒,会造成到达红色发光层500的电子稀少,影响电子和空穴的复合效率,使得电荷不平衡,进而使得显示面板10显示效果稳定性差,且寿命短。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率大于1×10-2平方厘米每伏每秒,造成电子在红色发光层500界面堆积,造成显示面板10的电荷不平衡,进而使得显示面板10显示效果稳定性差,且寿命短。
在一实施例中,电子传输层600材料包括掺镁氧化锌、掺镓氧化锌和掺镁锂氧化锌中的至少一种。
在一实施例中,掺镁氧化锌中镁的掺杂比可以为0%-20%。
在一实施例中,掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比可以为5%-20%。掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比可以为0%-10%。
在一实施例中,掺镓氧化锌中镓的掺杂比可以为0%-20%。
在一实施例中,当红色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镁氧化锌中镁的掺杂比为10%-20%。具体的,掺镁氧化锌中镁的掺杂比可以为10%、12%、14%、17%或20%等。
在一实施例中,当红色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比为10%-20%。具体的,掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比可以为10%、12%、14%、17%或20%等。掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比为5%-10%。具体的,掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比可以为5%、8%、9%或10%等。
在一实施例中,当红色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镓氧化锌中镓的掺杂比为10%-20%。具体的,掺镓氧化锌中镓的掺杂比可以为10%、12%、14%、17%或20%等。
在本申请中,当红色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料通过调节掺杂比,也即将掺镁氧化锌中镁的掺杂比设置为10%-20%,或者,掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比设置为5%-20%,掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比设置为5%-10%,亦或者,掺镓氧化锌中镓的掺杂比设置为10%-20%,使得电子传输层600材料的电子迁移率在1×10-4平方厘米每伏每秒-1×10-2平方厘米每伏每秒区间,避免电子在红色发光层500中堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。
在一实施例中,显示面板10还包括第二电极层700。第二电极层700设置于电子传输层600远离衬底层100的一侧。
在一实施例中,第二电极层700的材料包括金、银、铝及其合金等。在本实施例中,第二电极层700材料为金。
在一实施例中,第二电极层700的厚度H2为80纳米-200纳米。具体的,第二电极层700的厚度H2可以为80纳米、90纳米、100纳米、140纳米、180纳米或200纳米等。在本实施例中,第二电极层700的厚度H2为100纳米。
在本申请中,将第二电极层700的厚度H2设置为80纳米-200纳米,厚度在此范围之内的第二电极层700的电阻小,对电流的阻碍作用小,从而提高第二电极层700的导电性能,并降低第二电极层700的透光性。若将第二电极层700的厚度H2设置为小于80纳米,使得第二电极层700容易透光或电阻太小,进而影响显示面板10显示效果;若将第二电极层700的厚度H2设置为大于200纳米,使得第二电极层700过厚,第二电极层700的电阻过大,从而影响第二电极层700的导电性,使得显示面板10无法正常显示。另外,因,第二电极层700的材料为金属,金属成本较高,若将第二电极层700的厚度H2设置为大于200纳米,造成成本升高。
本申请提供一种显示面板10,当红色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,红色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率低,即为1×10-4平方厘米每伏每秒至1×10-2平方厘米每伏每秒,使得电子到达红色发光层500后,直接与空穴复合发光,电子不需要红色发光层500传输,避免了电子在红色发光层500中堆积或稀少,进而使得显示面板10的电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。
第二种实施方式
请参阅图2,图2是本申请实施例提供的显示面板10的第二种结构示意图。需要说明是,第二种实施方式和第一种实施方式的不同之处在于:
当发光层500由两层纳米颗粒510组成时。电子传输层600材料的电子迁移率为5×10-3平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒。在本申请中,以发光层500为红色发光层500进行说明。
在一实施例中,当红色发光层500由两层纳米颗粒510组成时。电子传输层600材料的电子迁移率为5×10-3平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒。
需要说明的是,附图中的纳米颗粒呈整齐排列,仅是为了更简要、清晰表明纳米颗粒的层数,在实际产品中,纳米颗粒可以为大致整齐排列即可。
在本申请中,当红色发光层500由两层纳米颗粒510组成时,电子需要经过部分红色发光层500才能与空穴复合发光,因此两层纳米颗粒510形成的红色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率要比一层纳米颗粒510形成的红色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率高,即为5×10-3平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒,使得电子经过部分红色发光层500后,直接与空穴复合发光,避免电子的堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率小于5×10-3平方厘米每伏每秒,会造成电子无法传输至部分红色发光层500中,影响电子和空穴的复合效率,使得电荷不平衡,进而使得显示面板10显示效果稳定性差,且寿命短。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率大于1×10-1平方厘米每伏每秒,造成非辐射俄歇复合严重,使得显示面板10发光效率降低。
俄歇复合是指俄歇跃迁相应的复合过程。俄歇效应是三粒子效应,在半导体中,电子与空穴复合时,把能量或者动量,通过碰撞转移给另一个电子或者另一个空穴,造成该电子或者空穴跃迁的复合过程叫俄歇复合,也称非辐射俄歇复合。
在一实施例中,电子传输层600材料包括掺镁氧化锌、氧化锌、掺镁铝氧化锌和掺镁锂氧化锌中的至少一种。
在一实施例中,掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%-10%。
在一实施例中,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比为5%-10%。掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-10%。
在一实施例中,掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比为5%-10%。掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比为0%-5%。
在一实施例中,当红色发光层500由两层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镁氧化锌中镁的掺杂比为5%-10%。具体的,掺镁氧化锌中镁的掺杂比可以为5%、7.5%、8%或10%等。
在一实施例中,红色发光层500由两层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比为5%-10%。具体的,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比可以为5%、6%、8%或10%等。掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。
在一实施例中,由两层纳米颗粒510形成的红色发光层500的厚度W2为10纳米-28纳米。具体的,红色发光层500的厚度W2可以为10纳米、18纳米、20纳米、22纳米或28纳米等。
在一实施例中,红色发光层500由两层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比为5%-10%。具体的,掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比可以为5%、6%、8%或10%等。掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。
在本申请中,红色发光层500由两层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料通过调节掺杂比,也即将掺镁氧化锌中镁的掺杂比设置为5%-10%,或者,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比设置为5%-10%,掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比设置为0%-5%,亦或者,掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比设置为5%-10%,掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比设置为0%-5%,使得电子传输层600材料的电子迁移率在5×10-3平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒区间,避免电子在红色发光层500中堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。
本申请提供一种显示面板10,红色发光层500由两层的纳米颗粒510形成,且对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率比一层纳米颗粒510形成的红色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率高,即为5×10-3平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒,使得电子经过部分红色发光层500后,直接与空穴复合发光,避免电子的堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长了显示面板10的寿命。
第三种实施方式
请参阅图3,图3是本申请实施例提供的显示面板10的第三种结构示意图。需要说明是,第三种实施方式和第一种实施方式的不同之处在于:
发光层500由至少三层纳米颗粒510组成时。电子传输层600材料的电子迁移率为5×10-2平方厘米每伏每秒至5×100平方厘米每伏每秒。
需要说明的是,附图中的纳米颗粒呈整齐排列,仅是为了更简要、清晰表明纳米颗粒的层数,在实际产品中,纳米颗粒可以为大致整齐排列即可。
在一实施例中,红色发光层500由至少三层纳米颗粒510组成时。电子传输层600材料的电子迁移率为5×10-2平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒。
在一实施例中,红色发光层500由至少三层纳米颗粒510形成。由至少三层纳米颗粒510形成的红色发光层500的厚度W3为15纳米-42纳米。具体的,红色发光层500的厚度W3可以为15纳米、18纳米、25纳米、38纳米或42纳米等。
在本申请中,红色发光层500由至少三层纳米颗粒510组成时,电子需要经过部分红色发光层500才能与空穴复合发光,因此至少三层纳米颗粒510形成的红色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率要比一层纳米颗粒510形成的红色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率高,即为5×10-2平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒,使得电子经过部分红色发光层500后,直接与空穴复合发光,避免电子的堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率小于5×10-2平方厘米每伏每秒,会造成电子无法传输至部分红色发光层500中,影响电子和空穴的复合效率,使得电荷不平衡,进而使得显示面板10显示效果稳定性差,且寿命短。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率大于1×100平方厘米每伏每秒,造成非辐射俄歇复合严重,使得显示面板10发光效率降低。
在一实施例中,电子传输层600材料包括掺镁氧化锌、掺镁铝氧化锌、氧化锌和掺铝氧化锌中的至少一种。
在一实施例中,掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%。
在一实施例中,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%。掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-5%。
在一实施例中,掺铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-10%。
在一实施例中,红色发光层500由至少三层纳米颗粒510时。电子传输层600材料中的掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁氧化锌中镁的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。
在一实施例中,红色发光层500由至少三层纳米颗粒510组成时。电子传输层600材料中的掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。
在一实施例中,红色发光层500由至少三层纳米颗粒510组成时。电子传输层600材料中的掺铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-10%。具体的,掺铝氧化锌中铝的掺杂比可以为0%、3%、3.5%、4.5%、6%、8%或10%等。
在本申请中,红色发光层500由至少三层纳米颗粒510组成时。的电子传输层600材料通过调节掺杂比,也即将掺镁氧化锌中镁的掺杂比设置为0%-5%,或者,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比设置为0%-5%,掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比设置为0%-5%,亦或者,掺铝氧化锌中铝的掺杂比设置为0%-10%,使得电子传输层600材料的电子迁移率在5×10-2平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒区间,避免电子在红色发光层500中堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。
本申请提供一种显示面板10,当红色发光层500由一层的纳米颗粒510形成时,因电子不需要红色发光层500传输,因此,其对应设置的电子传输层600采用的材料的电子迁移率要低点,即为1×10-4平方厘米每伏每秒至1×10-2平方厘米每伏每秒,使得电子到达红色发光层500后,直接与空穴复合发光,电子不需要红色发光层500传输,避免了电子在红色发光层500中堆积或稀少,进而使得显示面板10的电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命;当采用两层纳米颗粒510形成的红色发光层500,因电子需要经过部分红色发光层500才能与空穴复合发光,因此两层纳米颗粒510形成的红色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率要比一层纳米颗粒510形成的红色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率高,即为5×10-3平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒,使得电子经过部分红色发光层500后,直接与空穴复合发光,避免电子的堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命;当采用至少三层纳米颗粒510形成的红色发光层500时,因电子需要经过部分红色发光层500才能与空穴复合发光,因此,采用至少三层纳米颗粒510形成的红色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率要比一层纳米颗粒510形成的红色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率高,即为5×10-2平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒,使得电子经过部分红色发光层500后,直接与空穴复合发光,避免电子的堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。即,通过采用不同层数的纳米颗粒510形成的发光层500对应采用不同的电子迁移率的电子传输层600材料,使得显示面板10中的电荷平衡,进而提高显示面板10的稳定性,且,提高显示面板10的寿命。
第四种实施方式
需要说明的是,第四种实施方式和第一种实施方式的不同之处在于:
发光层500为绿色发光层500。绿色发光层500包括一层纳米颗粒510组成时。电子传输层600材料的电子迁移率为1×10-3平方厘米每伏每秒至5×10-2平方厘米每伏每秒。
在本申请中,绿色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,因电子不需要绿色发光层500传输,因此对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率低,即为1×10-3平方厘米每伏每秒至5×10-2平方厘米每伏每秒,使得电子到达绿色发光层500后,直接与空穴复合发光,避免电子在绿色发光层500中堆积或稀少,进而使得显示面板10的电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率小于1×10-3平方厘米每伏每秒,会造成到达绿色发光层500的电子稀少,影响电子和空穴的复合效率,使得电荷不平衡,进而使得显示面板10显示效果稳定性差,且寿命短。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率大于5×10-2平方厘米每伏每秒,造成电子在绿色发光层500界面堆积,造成显示面板10的电荷不平衡,进而使得显示面板10显示效果稳定性差,且寿命短。
在一实施例中,绿色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镁氧化锌中镁的掺杂比为5%-10%。具体的,掺镁氧化锌中镁的掺杂比可以为5%、6%、8%或10%等。
在一实施例中,绿色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比为5%-10%。具体的,掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比可以为5%、7.6%、8%或10%等。掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。
在一实施例中,绿色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镓氧化锌中镓的掺杂比为5%-10%。具体的,掺镓氧化锌中镓的掺杂比可以为5%、7.5%、8%或10%等。
在本申请中,绿色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料通过调节掺杂比,也即将掺镁氧化锌中镁的掺杂比设置为5%-10%,或者,掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比设置为5%-10%,掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比设置为0%-5%,亦或者,掺镓氧化锌中镓的掺杂比设置为5%-10%,使得电子传输层600材料的电子迁移率在1×10-3平方厘米每伏每秒至5×10-2平方厘米每伏每秒区间,避免电子在绿色发光层500中堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。
第五种实施方式
需要说明的是,第五种实施方式与第二种实施方式的不同之处在于:
发光层500为两层纳米颗粒510形成的绿色发光层500。电子传输层600材料的电子迁移率为1×10-2平方厘米每伏每秒至5×10-1平方厘米每伏每秒。
在本申请中,采用两层纳米颗粒510形成的绿色发光层500,电子需要经过部分绿色发光层500才能与空穴复合发光,因此两层纳米颗粒510形成的绿色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率要比一层纳米颗粒510形成的绿色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率高,即为1×10-2平方厘米每伏每秒至5×10-1平方厘米每伏每秒,使得电子经过部分绿色发光层500后,直接与空穴复合发光,避免电子的堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率小于1×10-2平方厘米每伏每秒,会造成电子无法传输至部分绿色发光层500中,影响电子和空穴的复合效率,使得电荷不平衡,进而使得显示面板10显示效果稳定性差,且寿命短。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率大于5×10-1平方厘米每伏每秒,造成非辐射俄歇复合严重,使得显示面板10发光效率降低。
在一实施例中,掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁氧化锌中镁的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。当掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%时,电子传输层600材料为氧化锌。
在一实施例中,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比为5%-10%。具体的,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比可以为5%、6%、8%或10%等。掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比为1%-10%。具体的,掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比可以为1%、3%、4.5%、6%、8%或10%等。
在本申请中,在两层纳米颗粒510形成的绿色发光层500对应设置的电子传输层600材料中,通过调节掺杂比,也即掺镁氧化锌中镁的掺杂比设置为0%-5%,或者,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比设置为5%-10%,掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比设置为1%-10%,使得电子传输层600材料的电子迁移率在1×10-2平方厘米每伏每秒至5×10-1平方厘米每伏每秒区间,避免电子在绿色发光层500中堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。
第六种实施方式
需要说明的是,第六种实施方式与第三种实施方式的不同之处在于:
发光层500由至少三层纳米颗粒510形成的绿色发光层500。电子传输层600材料的电子迁移率为1×10-1平方厘米每伏每秒至5×100平方厘米每伏每秒。
在本申请中,采用至少三层纳米颗粒510形成的绿色发光层500,电子需要经过部分绿色发光层500才能与空穴复合发光,因此至少三层纳米颗粒510形成的绿色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率要比一层纳米颗粒510形成的绿色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率高,即为1×10-1平方厘米每伏每秒至5×100平方厘米每伏每秒,使得电子经过部分绿色发光层500后,直接与空穴复合发光,避免电子的堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率小于1×10-1平方厘米每伏每秒,会造成电子无法传输至部分绿色发光层500中,影响电子和空穴的复合效率,使得电荷不平衡,进而使得显示面板10显示效果稳定性差,且寿命短。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率大于5×100平方厘米每伏每秒,造成非辐射俄歇复合严重,使得显示面板10发光效率降低。
在一实施例中,掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁氧化锌中镁的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。当掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%时,电子传输层600材料为氧化锌。
在一实施例中,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比可以为0%、2.4%、3%、4%或5%等。掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比可以为0%、2.4%、3%、4%或5%等。
在本申请中,绿色发光层500由至少三层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料通过调节掺杂比,也即掺镁氧化锌中镁的掺杂比设置为0%-5%,或者,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比设置为0%-5%,掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比设置为0%-5%,使得电子传输层600材料的电子迁移率在1×10-2平方厘米每伏每秒至5×10-1平方厘米每伏每秒区间,避免电子在绿色发光层500中堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。
第七种实施方式
需要说明的是,第七种实施方式和第一种实施方式的不同之处在于:
发光层500为由一层纳米颗粒510形成的蓝色发光层500。其对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率为5×10-3平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒。
在本申请中,蓝色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,因电子不需要蓝色发光层500传输,因此对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率低,即为5×10-3平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒,使得电子到达蓝色发光层500后,直接与空穴复合发光,避免电子在蓝色发光层500中堆积或稀少,进而使得显示面板10的电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率小于5×10-3平方厘米每伏每秒,会造成到达蓝色发光层500的电子稀少,影响电子和空穴的复合效率,使得电荷不平衡,进而使得显示面板10显示效果稳定性差,且寿命短。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率大于1×10-1平方厘米每伏每秒,造成电子在蓝色发光层500界面堆积,造成显示面板10的电荷不平衡,进而使得显示面板10显示效果稳定性差,且寿命短。
在一实施例中,蓝色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁氧化锌中镁的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。
在一实施例中,蓝色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。
在一实施例中,蓝色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镓氧化锌中镓的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镓氧化锌中镓的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。
在本申请中,蓝色发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料通过调节掺杂比,也即将掺镁氧化锌中镁的掺杂比设置为0%-5%,或者,掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比设置为0%-5%,掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比设置为0%-5%,亦或者,掺镓氧化锌中镓的掺杂比设置为0%-5%,使得电子传输层600材料的电子迁移率在5×10-3平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒区间,避免电子在蓝色发光层500中堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。
第八种实施方式
需要说明是,第八种实施方式和第二种实施方式的不同之处在于:
发光层500为由两层纳米颗粒510形成的蓝色发光层500。其对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率为5×10-2平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒。
在本申请中,采用两层纳米颗粒510形成的蓝色发光层500,电子需要经过部分蓝色发光层500才能与空穴复合发光,因此两层纳米颗粒510形成的蓝色发光层500对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率要高,即为5×10-2平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒,使得电子经过部分蓝色发光层500后,直接与空穴复合发光,避免电子的堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率小于5×10-2平方厘米每伏每秒,会造成电子无法传输至部分蓝色发光层500中,影响电子和空穴的复合效率,使得电荷不平衡,进而使得显示面板10显示效果稳定性差,且寿命短。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率大于1×100平方厘米每伏每秒,造成非辐射俄歇复合严重,使得显示面板10发光效率降低。
在一实施例中,蓝色发光层500由两层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比为5%-10%。具体的,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比可以为5%、6%、8%或10%等。掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。
在一实施例中,蓝色发光层500由两层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁氧化锌中镁的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。
在一实施例中,蓝色发光层500由两层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比为5%-10%。具体的,掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比可以为5%、6%、8%或10%等。掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。
在本申请中,蓝色发光层500由两层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料通过调节掺杂比,也即将掺镁氧化锌中镁的掺杂比设置为0%-5%,或者,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比设置为5%-10%,掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比设置为0%-5%,亦或者,掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比设置为5%-10%,掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比设置为0%-5%,使得电子传输层600材料的电子迁移率在5×10-2平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒区间,避免电子在蓝色发光层500中堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。
第九种实施方式
需要说明是,第九种实施方式和第三种实施方式的不同之处在于:
发光层500为至少三层纳米颗粒510形成的蓝色发光层500。其对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率为5×10-1平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒。
在本申请中,采用至少三层纳米颗粒510形成的蓝色发光层500,电子需要经过部分蓝色发光层500才能与空穴复合发光,因此由至少三层纳米颗粒510形成的蓝色发光层500对应设置的电子传输层600材料的需要具有较高的电子迁移率,即为5×10-1平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒,使得电子经过部分蓝色发光层500后,直接与空穴复合发光,避免电子的堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率小于5×10-1平方厘米每伏每秒,会造成电子无法传输至部分蓝色发光层500中,影响电子和空穴的复合效率,使得电荷不平衡,进而使得显示面板10显示效果稳定性差,且寿命短。若采用的电子传输层600材料的电子迁移率大于1×100平方厘米每伏每秒,造成非辐射俄歇复合严重,使得显示面板10发光效率降低。
在一实施例中,蓝色发光层500由至少三层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。
在一实施例中,蓝色发光层500由至少三层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-10%。具体的,掺铝氧化锌中铝的掺杂比可以为0%、3%、3.5%、4.5%、6%、8%或10%等。
在一实施例中,蓝色发光层500由至少三层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料中的掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%。具体的,掺镁氧化锌中镁的掺杂比可以为0%、1.2%、2.4%、3%、4%或5%等。
在本申请中,蓝色发光层500由至少三层纳米颗粒510组成时,电子传输层600材料通过调节掺杂比,也即将掺镁氧化锌中镁的掺杂比设置为0%-5%,或者,掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比设置为0%-5%,掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比设置为0%-5%,亦或者,掺铝氧化锌中铝的掺杂比设置为0%-10%,使得电子传输层600材料的电子迁移率在5×10-1平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒区间,避免电子在蓝色发光层500中堆积或稀少,进而使得电荷平衡,进而提高了显示面板10显示效果的稳定性,且延长显示面板10的寿命。
本申请实施例公开了一种显示面板10,显示面板10包括衬底层100、发光层500以及电子传输层600,发光层500设置于衬底层100上,发光层500由纳米颗粒510形成,电子传输层600设置于发光层500远离衬底层100的一侧上,其中,设置有一层纳米颗粒510的发光层500对应设置的电子传输层600的电子迁移率为1×10-4平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒、设置有两层纳米颗粒510的发光层500对应设置的电子传输层600的电子迁移率为5×10-3平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒或设置有至少三层纳米颗粒510的发光层500对应设置的电子传输层600的电子迁移率为5×10-2平方厘米每伏每秒至5×100平方厘米每伏每秒。在本申请中,通过根据不同层数的纳米颗粒510形成的发光层500对应采用不同的电子迁移率的电子传输层600材料,使得显示面板10中的电荷平衡,进而提高显示面板10的稳定性。
请参阅图4,图4是本申请实施例提供的显示面板10的制备方法流程示意图。本申请还提供一种显示面板10的制备方法,具体描述如下:
试验例1
B11、提供一衬底层。
衬底层100可以为刚性衬底层100或柔性衬底层100。刚性衬底层100可以为玻璃衬底层100。柔性衬底层100的材料包括聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚砜和聚醚酰亚胺中的一种或几种组合。
在一实施例中,在步骤B11之后,还包括:
在衬底层100上蒸镀第一电极层200材料形成第一电极层200。
在一实施例中,在衬底层100上形成第一电极层200的步骤之后,还包括:
采用紫外光臭氧(UVO)对第一电极层200进行清洗。
在一实施例中,清洗时间为10分钟-16分钟。具体的,清洗时间可以为10分钟、12分钟、13分钟、15分钟或16分钟等。在本实施例中,清洗时间为15分钟。
在本申请中,采用紫外光臭氧清洗第一电极层200,可以清洗第一电极层200表面上的杂质的同时改善其表面浸润度,并提高第一电极层200的功函数。
在一实施例中,第一电极层200的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝和氧化铟镓锌中的一种或几种组合。在本实施例中,第一电极层200的材料为氧化铟锡。
在一实施例中,在采用紫外光臭氧(UVO)对第一电极层200进行清洗的步骤之后,还包括:
在第一电极层200远离衬底层100的一侧上旋涂空穴注入层300材料,并将旋涂转速设置为3500转每分钟-4200转每分钟,旋涂时间设置为35秒-45秒,之后,在140摄氏度-160摄氏度的条件下退火13分钟-18分钟形成空穴注入层300。此步骤在空气中进行。
在一实施例中,旋涂转速可以为3500转每分钟、3800转每分钟、4000转每分钟或4200转每分钟等。在本实施例中,旋涂转速设置为4000转每分钟。
在一实施例中,旋涂时间可以为35秒、40秒、42秒或45秒等。在本实施例中,旋涂时间为40秒。
在一实施例中,退火温度可以为140摄氏度、145摄氏度、150摄氏度、156摄氏度或160摄氏度等。在本实施例中,退火温度为150摄氏度。
在一实施例中,退火时间可以为14分钟、15分钟或17分钟等。在本实施例中,退火时间为15分钟。
在一实施例中,在第一电极层200远离衬底层100的一侧上形成空穴注入层300的步骤之后,还包括:
将空穴传输层400材料事先溶于氯苯中,形成空穴传输层400材料溶液,然后,将空穴传输层400溶液旋涂于空穴注入层300远离衬底层100的一侧,然后,进行退火处理形成空穴传输层400。此步骤在手套箱中进行。
在一实施例中,旋涂转速为2600转每分钟-3300转每分钟。具体的,旋涂转速可以为2600转每分钟、2800转每分钟、3000转每分钟或3300转每分钟等。在本实施例中,旋涂转速设置为3000转每分钟。
在一实施例中,旋涂时间25秒-35秒。具体的,旋涂时间可以为25秒、30秒、32秒或35秒等。在本实施例中,旋涂时间为30秒。
在一实施例中,退火温度140摄氏度-160摄氏度。具体的,退火温度可以为140摄氏度、145摄氏度、150摄氏度、156摄氏度或160摄氏度等。在本实施例中,退火温度为150摄氏度。
在一实施例中,退火时间15分钟-25分钟。具体的,退火时间可以为15分钟、17分钟、20分钟、22分钟或25分钟等。在本实施例中,退火时间为20分钟。
在一实施例中,空穴传输层400材料溶液的浓度为6毫克每毫升-10毫克每毫升。具体的,空穴传输层400材料溶液的浓度可以为6毫克每毫升、8毫克每毫升、8.5毫克每毫升或10毫克每毫升。在本实施例中,空穴传输层400材料溶液的浓度为8毫克每毫升。
B12、在衬底层上设置纳米颗粒形成发光层。
具体的,将纳米颗粒510溶解于有机溶剂中形成发光层500溶液。在空穴传输层400远离衬底层100的一侧旋涂发光层500溶液,之后,对其进行加热处理形成发光层500。此步骤在手套箱中进行。在本实施例中,发光层500为由一层纳米颗粒510形成的红色发光层500为例进行说明。
在一实施例中,有机溶剂包括正辛烷、甲苯、氯仿或乙苯等。在本实施例中,有机溶剂为正辛烷。
在一实施例中,旋涂转速为2600转每分钟-3300转每分钟。具体的,旋涂转速可以为2600转每分钟、2800转每分钟、3000转每分钟或3300转每分钟等。在本实施例中,旋涂转速设置为3000转每分钟。
在一实施例中,旋涂时间25秒-35秒。具体的,旋涂时间可以为25秒、30秒、32秒或35秒等。在本实施例中,旋涂时间为30秒。
在一实施例中,退火温度为80摄氏度-110摄氏度。具体的,退火温度可以为80摄氏度、90摄氏度、95摄氏度、100摄氏度或110摄氏度等。在本实施例中,退火温度为100摄氏度。
在一实施例中,退火时间15分钟-25分钟。具体的,退火时间可以为15分钟、17分钟、20分钟、22分钟或25分钟等。在本实施例中,退火时间为20分钟。
在一实施例中,发光层500溶液的浓度为8毫克每毫升-35毫克每毫升。具体的,发光层500溶液的浓度可以为8毫克每毫升、9毫克每毫升、10毫克每毫升、13毫克每毫升、20毫克每毫升、25毫克每毫升或35毫克每毫升。在本实施例中,发光层500溶液的浓度为10毫克每毫升。
B13、在发光层远离衬底层的一侧上形成电子传输层
具体的,将电子迁移率为1×10-4平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒的电子传输层600材料溶解于醇类或醚类溶剂中,形成电子传输层600溶液。然后,将电子传输层600溶液旋涂于发光层500远离衬底的一侧。然后,对其进行加热处理形成电子传输层600。此步骤在手套箱中进行。
在一实施例中,电子迁移率为1×10-4平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒的电子传输层600材料包括镁的掺杂比为10%-20%的掺镁氧化锌、镁的掺杂比为10%-20%及锂的掺杂比为5%-10%的掺镁锂氧化锌和镓的掺杂比为10%-20%的掺镓氧化锌。在本实施中,电子传输层600材料为掺镁锂氧化锌,其中,镁的掺杂比为10%。锂的掺杂比为10%。
在一实施例中,旋涂转速为2000转每分钟-5000转每分钟。具体的,旋涂转速可以为2000转每分钟、2800转每分钟、3500转每分钟、4000转每分钟或5000转每分钟等。在本实施例中,旋涂转速设置为3000转每分钟。
在一实施例中,旋涂时间25秒-35秒。具体的,旋涂时间可以为25秒、30秒、32秒或35秒等。在本实施例中,旋涂时间为30秒。
在一实施例中,退火温度为60摄氏度-90摄氏度。具体的,退火温度可以为60摄氏度、70摄氏度、75摄氏度、80摄氏度或90摄氏度等。在本实施例中,退火温度为80摄氏度。
在一实施例中,退火时间15分钟-25分钟。具体的,退火时间可以为15分钟、17分钟、20分钟、22分钟或24分钟等。在本实施例中,退火时间为20分钟。
在一实施例中,电子传输层600溶液的浓度为25毫克每毫升-35毫克每毫升。具体的,电子传输层600溶液的浓度可以为25毫克每毫升、30毫克每毫升、32毫克每毫升或35毫克每毫升。在本实施例中,电子传输层600溶液的浓度为30毫克每毫升。
在一实施例中,在步骤B13之后,还包括:
在电子传输层600远离衬底层100的一侧上蒸镀第二电极层700材料,形成第二电极层700。
对比例1
将试验例1中电子传输层600材料掺镁锂氧化锌改成氧化锌。其他步骤与试验例1相同。此处不再赘述。
试验例2
将试验例1中的红色发光层500溶液的浓度为10毫克每毫升改为红色发光层500溶液的浓度为20毫克每毫升。即红色发光层500由两层纳米颗粒510形成。
将步骤B13中,电子传输层600材料为掺镁锂氧化锌。掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比为10%。掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比为10%。改成电子传输层600材料为掺镁氧化锌,其镁的掺杂比为5%。
其他步骤与试验例1相同,此处不再赘述。
对比例2
将试验例2中的电子传输层600材料掺镁锂氧化锌改成氧化锌。其他步骤与试验例2相同,此处不再赘述。
试验例3
将试验例1中的红色发光层500溶液的浓度改为30毫克每毫升。即红色发光层500由至少三层纳米颗粒510形成。将电子传输层600材料掺镁锂氧化锌改成氧化锌。其他步骤与试验例1相同,此处不再赘述。
对比例3
将试验例3电子传输层600材料改为掺镁锂氧化锌。掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比和锂的掺杂比都为10%。其他步骤与试验例3相同,此处不再赘述。
在本申请中,通过纳米颗粒的的浓度来控制510形成发光层500的层数。
请参照表1,表1为显示面板10的外量子效率和寿命数据。
表1:
项目组别 最大外量子效率 T95(1000nit)
试验例1 19.5% 9000小时
对比例1 16.5% 3500小时
试验例2 20.5% 8500小时
对比例2 18.2% 5200小时
试验例3 20.1% 7900小时
对比例3 20.3% 2100小时
需要说明的是,当光子入射到光敏器材的表面时,部分光子会激发光敏材料产生电子空穴对,形成电流,把收集到的电子(经过内部电子空穴复合等过程)与所有入射的光子数之比称为外量子效率(EQE,External Quantum Efficiency)。T95意思是手动最大亮度衰减到95%所用的时间。1000nit为手动最大亮度。T95(1000nit)为最大亮度为1000nit衰减到95%所需要的时长。
由表1可知,红色发光层500由一层纳米颗粒510形成时,对应设置的电子传输层600材料为掺镁锂氧化锌。且,掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比和锂的掺杂比都为10%。此时显示面板10的最大外量子效率达到19.5%,且寿命在9000小时左右。而采用氧化锌形成电子传输层600,显示面板10的最大外量子效率仅仅达到16.5%,且寿命也仅仅只有3500小时。
由表1可知,红色发光层500由两层纳米颗粒510形成时,对应设置的电子传输层600材料为掺镁氧化锌。且,掺镁氧化锌中镁的掺杂比为5%。此时显示面板10的最大外量子效率达到20.5%,且寿命在8500小时左右。而采用氧化锌形成电子传输层600,显示面板10的最大外量子效率仅仅达到18.5%,且寿命也仅仅只有5200小时。
由表1可知,红色发光层500由至少三层及以上纳米颗粒510形成时,对应设置的电子传输层600材料为氧化锌。此时显示面板10的最大外量子效率达到20.1%,且寿命在7900小时左右。而采用掺镁锂氧化锌形成电子传输层600,显示面板10的最大外量子效率虽然达到20.3%,但寿命只有2100小时。
综上所述,当由不同层数的纳米颗粒510形成红色发光层500时,对应设置电子迁移率不同的电子传输层600材料,使得显示面板10达到整体的电荷平衡,即使得显示面板10的最大外量子效率可以达到19.5%及以上,且寿命在7900小时及以上,即提高了显示面板10的稳定性以及寿命。
试验例4
将试验例1中的电子传输层600材料设置为镁的掺杂比为10%的掺镁氧化锌。发光层500为由一层纳米颗粒510形成的绿色发光层500。其他步骤与试验例1相同,此处不再赘述。
对比例4
将试验例4中的电子传输层600材料的镁的掺杂比为10%的掺镁氧化锌改成铝的掺杂比为5%的掺铝氧化锌。其他步骤与试验例4相同,此处不再赘述。
试验例5
将试验例4中的发光层500设置为由两层纳米颗粒510形成的绿色发光层500。电子传输层600材料为镁的掺杂比为2.5%的掺镁氧化锌。其他步骤与试验例4相同,此处不再赘述。
对比例5
将试验例5中的电子传输层600材料掺镁氧化锌改成掺铝氧化锌。掺镁氧化锌中镁的掺杂比为2.5%。掺铝氧化锌中铝的掺杂比为5%。其他步骤与试验例5相同,此处不再赘述。
试验例6
将试验例4中的发光层500设置为由至少三层纳米颗粒510形成的绿色发光层500。电子传输层600材料设置为铝的掺杂比为5%的掺铝氧化锌。其他步骤与试验例4相同,此处不再赘述。
对比例6
将试验例6中的电子传输层600材料掺铝氧化锌改成掺镁氧化锌。掺铝氧化锌中铝的掺杂比为5%。掺镁氧化锌中的镁的掺杂比为10%。其他步骤与试验例6相同,此处不再赘述。
请参照表2,表2为显示面板10的外量子效率和寿命数据。
表2:
项目组别 最大外量子效率 T95(1000nit)
试验例4 18.4% 6700小时
对比例4 15.3% 2600小时
试验例5 19.6% 7700小时
对比例5 17.1% 3300小时
试验例6 19.5% 5700小时
对比例6 19.4% 1700小时
由表2可知,绿色发光层500由一层纳米颗粒510形成时,对应设置的电子传输层600材料为镁的掺杂比为10%的掺镁氧化锌。此时显示面板10的最大外量子效率达到18.4%,且寿命在6700小时左右。而采用铝的掺杂比为5%掺铝氧化锌形成电子传输层600,显示面板10的最大外量子效率仅仅达到15.3%,且寿命有2600小时。
由表2可知,绿色发光层500由两层纳米颗粒510形成时,对应设置的电子传输层600材料为镁的掺杂比为2.5%的掺镁氧化锌。此时显示面板10的最大外量子效率达到19.6%,且寿命在7700小时左右。而采用铝的掺杂比为5%掺铝氧化锌形成电子传输层600,显示面板10的最大外量子效率仅仅达到17.1%,且寿命也仅仅只有3300小时。
由表2可知,绿色发光层500由至少三层及以上纳米颗粒510形成时,对应设置的电子传输层600材料为铝的掺杂比为5%的掺铝氧化锌。此时显示面板10的最大外量子效率达到19.5%,且寿命在5700小时左右。而采用镁的掺杂比为10%掺镁氧化锌形成电子传输层600,显示面板10的最大外量子效率虽然达到19.4%,但寿命只有1700小时。
综上所述,当由不同层数的纳米颗粒510形成绿色发光层500时,对应设置电子迁移率不同的电子传输层600材料,使得显示面板10达到整体的电荷平衡,即使得显示面板10的最大外量子效率可以达到18.4%及以上,且寿命在5700小时及以上,即提高了显示面板10的稳定性以及寿命。
试验例7
将试验例1中的电子传输层600材料设置为镁的掺杂比为2.5%的掺镁氧化锌。发光层500设置为由一层纳米颗粒510形成的蓝色发光层500。其他步骤与试验例1相同,此处不再赘述。
对比例7
将试验例7中将电子传输层600材料掺镁氧化锌中镁的掺杂比为2.5%改成镁的掺杂比为10%。其他步骤与试验例7相同,此处不再赘述。
试验例8
将试验例7中的发光层500设置为由两层纳米颗粒510形成的蓝色发光层500。电子传输层600材料设置为镁的掺杂比为5%以及铝的掺杂比为2.5%的掺镁铝氧化锌。其他步骤与试验例7相同,此处不再赘述。
对比例8
将试验例8中镁的掺杂比为5%以及铝的掺杂比为2.5%的掺镁铝氧化锌改成镁的掺杂比为10%掺镁氧化锌。其他步骤与试验例8相同,此处不再赘述。
试验例9
将试验例7中的发光层500设置为由至少三层纳米颗粒510形成的蓝色发光层500。电子传输层600材料设置为铝的掺杂比为5%的掺铝氧化锌。其他步骤与试验例7相同,此处不再赘述。
对比例9
将试验例9中电子传输层600材料设置为镁的掺杂比为2.5%掺镁氧化锌。其他步骤与试验例9相同,此处不再赘述。
请参照表3,表3为显示面板10的外量子效率和寿命数据。
表3:
项目组别 最大外量子效率 T95(1000nit)
试验例7 17.5% 9000小时
对比例7 17.8% 1500小时
试验例8 19.5% 7500小时
对比例8 18.9% 2200小时
试验例9 20.1% 6500小时
对比例9 20.3% 1100小时
由表3可知,蓝色发光层500包括一层纳米颗粒510时,电子传输层600材料为镁的掺杂比为2.5%的掺镁氧化锌。此时显示面板10的最大外量子效率达到17.5%,且寿命在9000小时左右。而采用镁的掺杂比为10%的掺镁氧化锌形成电子传输层600,显示面板10的最大外量子效率虽然达到17.8%,但寿命只有1500小时。
由表3可知,蓝色发光层500由两层纳米颗粒510形成时,对应设置的电子传输层600材料为镁的掺杂比为5%以及铝的掺杂比为2.5%的掺镁铝氧化锌。此时显示面板10的最大外量子效率达到19.5%,且寿命在7500小时左右。而采用镁的掺杂比为10%掺镁氧化锌形成电子传输层600,显示面板10的最大外量子效率仅仅达到18.9%,且寿命只有2200小时。
由表3可知,蓝色发光层500由至少三层及以上纳米颗粒510形成时,对应设置的电子传输层600材料为铝的掺杂比为5%的掺铝氧化锌。此时显示面板10的最大外量子效率达到20.1%,且寿命在6500小时左右。而采用镁的掺杂比为2.5%掺镁氧化锌形成电子传输层600,显示面板10的最大外量子效率虽然达到20.3%,但寿命只有1100小时。
综上所述,当由不同层数的纳米颗粒510形成蓝色发光层500时,对应设置电子迁移率不同的电子传输层600材料,使得显示面板10达到整体的电荷平衡,即使得显示面板10的最大外量子效率可以达到17.5%及以上,且寿命在6500小时及以上,即提高了显示面板10的稳定性以及寿命。
现有技术中,显示面板最大外量子效率达到20.3%及以下,且寿命在5200小时及以下。而在本申请中,由不同层数的纳米颗粒形成发光层500,其对应设置的电子传输层600材料的电子迁移率不同,使得显示面板达到整体的电荷平衡,即使得显示面板10的最大外量子效率可以达到17.5%及以上,且寿命在5700小时及以上,即提高了显示面板10的稳定性以及寿命。
本申请实施例公开了一种显示面板10及其制备方法,显示面板10包括衬底层100、发光层500以及电子传输层600,发光层500设置于衬底层100上,发光层500由纳米颗粒510形成,电子传输层600设置于发光层500远离衬底层100的一侧上,其中,当发光层500由一层纳米颗粒510组成时,电子传输层600的电子迁移率为1×10-4平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒、当发光层500由两层纳米颗粒510组成时,电子传输层600的电子迁移率为5×10-3平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒或当发光层500由至少三层纳米颗粒510组成时,电子传输层600的电子迁移率为5×10-3平方厘米每伏每秒至5×100平方厘米每伏每秒。在本申请中,通过采用不同层数的纳米颗粒510形成的发光层500对应采用不同的电子迁移率的电子传输层600材料,即使得发光层500的能级和电子传输层600的能级相匹配,进而使得显示面板10中的电荷平衡,进而提高显示面板10的稳定性以及寿命。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (13)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底层;
发光层,所述发光层设置于所述衬底层上,所述发光层包括至少一层纳米颗粒;以及
电子传输层,所述电子传输层设置于所述发光层远离所述衬底层的一侧上,其中,当所述发光层由一层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层的电子迁移率为1×10-4平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒;当所述发光层由两层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层的电子迁移率为5×10-3平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒;当所述发光层由至少三层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层的电子迁移率为5×10-2平方厘米每伏每秒至5×100平方厘米每伏每秒。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,当所述发光层由一层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层材料包括掺镁氧化锌、掺镓氧化锌和掺镁锂氧化锌中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%-20%,所述掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比为5%-20%,所述掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比为0%-10%,所述掺镓氧化锌中镓的掺杂比为0%-20%。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述发光层的厚度为5纳米-14纳米。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,当所述发光层由两层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层材料包括掺镁氧化锌、掺镁铝氧化锌、氧化锌和掺镁锂氧化锌中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%-10%,所述掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比为5%-10%,所述掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-10%,所述掺镁锂氧化锌中镁的掺杂比为5%-10%,所述掺镁锂氧化锌中锂的掺杂比为0%-5%。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述发光层的厚度为10纳米-28纳米。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,当所述发光层由至少三层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层材料包括掺镁氧化锌、掺镁铝氧化锌、氧化锌和掺铝氧化锌中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述掺镁氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%,所述掺镁铝氧化锌中镁的掺杂比为0%-5%,所述掺镁铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-5%,所述掺铝氧化锌中铝的掺杂比为0%-10%。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述发光层的厚度为15纳米-42纳米。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述纳米颗粒的材料包括CdSe基量子点材料、CdZnSe基量子点材料、InP基量子点材料和ZnSe基量子点材料中的至少一种。
12.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底层;
在所述衬底层上设置纳米颗粒形成发光层,所述发光层包括至少一层纳米颗粒;以及
在所述发光层远离所述衬底层的一侧上形成电子传输层,其中,当所述发光层由一层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层的电子迁移率为1×10-4平方厘米每伏每秒至1×10-1平方厘米每伏每秒;当所述发光层由两层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层的电子迁移率为5×10-3平方厘米每伏每秒至1×100平方厘米每伏每秒;当所述发光层由至少三层所述纳米颗粒组成时,所述电子传输层的电子迁移率为5×10-2平方厘米每伏每秒至5×100平方厘米每伏每秒。
13.根据权利要求12所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述纳米颗粒的材料包括CdSe基量子点材料、CdZnSe基量子点材料、InP基量子点材料和ZnSe基量子点材料中的至少一种。
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