CN102522508B - 反转叠层有机发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明反转叠层有机发光二极管，涉及有机发光二极管，是由双p型掺杂层和双n型掺杂层组成连接层结构的反转叠层有机发光二极管，由衬底上的一层阴极、再上一层有机n型掺杂电子传输层Ⅰ、再上一层有机n型掺杂电子注入层Ⅰ、再上一层有机发光层Ⅰ、再上一层有机空穴过渡层Ⅰ、再上一层有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ、再上一层有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ、再上一层有机n型掺杂电子传输层Ⅱ、再上一层有机n型掺杂电子注入层Ⅱ、再上一层有机发光层Ⅱ、再上一层有机空穴过渡层Ⅱ、再上一层有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ、再上一层有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ和再上一层阳极组成，克服了现有技术的反转叠层有机发光二极管驱动电压高、效率低和稳定性差的缺点。
Description
技术领域
本发明的技术方案涉及有机发光二极管，具体地说是反转叠层有机发光二极管。
背景技术
有机发光二极管在高清晰度主动式平板显示和固态节能照明领域有着及其广泛的应用市场。发展高功能有机发光二极管，对于加速有机电致发光技术的产业化进程具有至关重要的现实意义。
目前，现有技术研发的高功能有机发光二极管多为叠层结构有机发光二极管。所谓叠层结构是指两个分立的发光单元通过连接层结构以串联的方式相连接。在相同的电流密度下，叠层器件的亮度、电流效率、寿命均为单一器件的二倍。CN102130302A、CN102185112A和CN102074658A公开了叠层有机发光二极管及其制备方法。这些现有技术所提供的叠层有机发光二极管，在提高亮度和电流效率的同时，也大大提高了功率效率，在照明、显示等实际应用中特别有利。但是这些现有技术的缺点是，所述的p型有机半导体和n型有机半导体均为未掺杂的本征材料，电导率低下，载流子传输过程中的欧姆损耗严重；其所述的电荷产生层结构只能应用于正常结构的叠层有机发光二极管，而且没有出示证据表明基于所述的电荷产生层结构能够制备出理想的反转叠层有机发光二极管。
所谓反转结构是指有机发光二极管的制备从阴极开始，这样可以很好的和当前主流的硅基光电子工艺很好的结合起来。现有的国内外反转叠层结构采用单有机p型掺杂层实现内空穴注入过程，单有机n型掺杂层实现内电子注入过程，即采用单有机p掺杂层和单有机n型掺杂层来组成连接层结构，存在驱动电压高、效率低和稳定性差的缺点。正是由于受到上述连接层结构设计上的限制，国际上还没有开发出高性能的反转叠层有机发光二极管。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供反转叠层有机发光二极管，是一种采用由双p型掺杂层和双n型掺杂层组成的连接层结构的反转叠层有机发光二极管，克服了现有技术采用由单p型掺杂层和单n型掺杂层组成的连接层结构的反转叠层有机发光二极管的驱动电压高、效率低和稳定性差的缺点。
本发明解决该技术问题所采用的技术方案是：反转叠层有机发光二极管，是一种采用由双p型掺杂层和双n型掺杂层组成的连接层结构的反转叠层有机发光二极管，由衬底上的一层阴极、一层沉积在阴极上的有机n型掺杂电子传输层Ⅰ、一层沉积在有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上的有机n型掺杂电子注入层Ⅰ、一层沉积在有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上的有机发光层Ⅰ、一层沉积在有机发光层Ⅰ上的有机空穴过渡层Ⅰ、一层沉积在有机空穴过渡层Ⅰ上的有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ、一层沉积在有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上的有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ、一层沉积在有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上的有机n型掺杂电子传输层Ⅱ、一层沉积在有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上的有机n型掺杂电子注入层Ⅱ、一层沉积在有机n型掺杂电子注入层Ⅱ上的有机发光层Ⅱ、一层沉积在有机发光层Ⅱ上的有机空穴过渡层Ⅱ、一层沉积在有机空穴过渡层Ⅱ上的有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ、一层沉积在有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上的有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ和一层沉积在有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上的阳极组成；其中，所述阴极是厚度为100nm的氧化铟锡导电薄膜或20nm厚的贵金属薄膜；所述沉积在阴极上的有机n型掺杂电子传输层Ⅰ的材料是在萘四甲酸二酐中掺杂派洛宁B，其质量配比为萘四甲酸二酐∶派洛宁B＝1∶0.01～0.5；所述沉积在有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上的有机电子注入层Ⅰ的材料是在4,7二苯基-1,10-菲啰啉中掺杂碳酸铷，其质量配比为4,7二苯基-1,10-菲啰啉∶碳酸铷＝1∶0.01～0.5；所述沉积在有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上的有机发光层Ⅰ的材料是三(8-羟基喹啉)铝(Ⅲ)；所述沉积在有机发光层Ⅰ上的有机空穴过渡层Ⅰ的材料是9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑；所述沉积在有机空穴过渡层Ⅰ上的有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ的材料是在4，4'-二（9-咔唑）联苯中掺杂三氧化铼，其质量配比为4，4'-二（9-咔唑）联苯∶三氧化铼=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上的有机p型空穴传输层Ⅰ的材料是在4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺中掺杂三氧化铼，其质量配比为4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺∶三氧化铼=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上的有机n型掺杂电子传输层Ⅱ的材料是在萘四甲酸二酐中掺杂派洛宁B，其质量配比为萘四甲酸二酐∶派洛宁B=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上的有机n型掺杂电子注入层Ⅱ的材料是在4,7二苯基-1,10-菲啰啉中掺杂碳酸铷，其质量配比为4,7二苯基-1,10-菲啰啉∶碳酸铷＝1∶0.01～0.5；所述沉积在有机n型掺杂电子注入层Ⅱ上的有机发光层的材料是三(8-羟基喹啉)铝(Ⅲ)；所述沉积在有机发光层Ⅱ上的有机空穴过渡层Ⅱ的材料是9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑；所述沉积在有机空穴过渡层Ⅱ上的有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ的材料是在4，4'-二（9-咔唑）联苯中掺杂三氧化铼，其质量配比为4，4'-二（9-咔唑）联苯∶三氧化铼=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上的有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ的材料是在4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺中掺杂三氧化铼，其质量配比为4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺∶三氧化铼=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上的阳极为银。
上述反转叠层有机发光二极管，所述阴极贵金属薄膜是金薄膜或银薄膜。
上述反转叠层有机发光二极管，所述阴极氧化铟锡导电薄膜的面电阻为每4×4cm2方块小于10欧姆。
上述反转叠层有机发光二极管，所述有机n型掺杂电子传输层Ⅰ的厚度为5～1000nm，有机n型掺杂电子注入层Ⅰ的厚度为1～10nm，有机发光层Ⅰ的厚度为40～60nm，有机空穴过渡层Ⅰ的厚度为40～60nm，有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ的厚度为1～10nm，有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ的厚度为1～10nm，有机n型掺杂电子传输层Ⅱ的厚度为1～10nm，有机n型掺杂电子注入层Ⅱ的厚度为1～10nm，有机发光层Ⅱ的厚度为40～60nm，有机空穴过渡层Ⅱ的厚度为40～60nm，有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ的厚度为1～10nm，有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ的厚度为5～1000nm，阳极的厚度100nm。
上述反转叠层有机发光二极管，其中所涉及的材料均可以通过商购获得。
为了节省篇幅，列出以下化合物的英文缩写，并在下文中均用英文缩写表示相应的化合物。
| 中文名称 | 英文缩写 | 中文名称 | 英文缩写 |
| 三(8-羟基喹啉)铝(Ⅲ) | Alq3 | 萘四甲酸二酐 | NTCDA |
| 4,7二苯基-1,10-菲啰啉 | Bphen | 派洛宁B | Pyronin B |
| 9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑 | mCP | 碳酸铷 | Rb2CO3 |
| 4，4'-二（9-咔唑）联苯 | CBP | 三氧化铼 | ReO3 |
| 4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺 | 2-TNATA |
上述反转叠层有机发光二极管的制备方法，其步骤如下：
第一步，阴极衬底的处理及阴极的形成
把以阴极覆盖的衬底称为阴极衬底，衬底材料是玻璃或硅片，将该阴极衬底小块，在盛有丙酮、乙醇和去离子水的超声波清洗器中清洗，依次用前述每种溶剂分别清洗两次，每次10分钟，之后用氮气吹干，然后放入抽到背景真空度为4×10-4Pa的真空镀膜机中镀上贵金属或氧化铟锡导电薄膜形成阴极；
第二步，在阴极上沉积有机n型掺杂电子传输层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第一步形成的阴极上沉积NTCDA中掺杂Pyronin B的薄膜作为有机n型掺杂电子传输层Ⅰ，厚度为5～1000nm，掺杂质量配比为NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.01～0.5；
第三步，在有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上沉积有机n型掺杂电子注入层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第二步沉积的有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上再沉积Bphen中掺杂Rb2CO3的薄膜作为有机n型掺杂电子注入层Ⅰ，厚度为1～10nm，掺杂质量配比为Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.01～0.5；
第四步，在有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上沉积有机发光层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第三步沉积的有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上再沉积Alq3薄膜作为有机发光层Ⅰ，厚度为40～60nm，沉积速率为
第五步，在有机发光层Ⅰ上沉积有机空穴过渡层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第四步沉积的有机发光层Ⅰ上再沉积mCP薄膜作为有机空穴过渡层Ⅰ，厚度为40～60nm，沉积速率为
第六步，在有机空穴过渡层Ⅰ上沉积有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第五步沉积的有机空穴过渡层Ⅰ上再沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ，厚度为1～10nm，掺杂质量配比为CBP∶ReO3＝1∶0.01～0.5；
第七步，在有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上沉积有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第六步沉积的有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上沉积2-TNATA中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ，厚度为1～10nm，掺杂质量配比为2-TNATA∶ReO3＝1∶0.01～0.5；
第八步，在有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上沉积有机n型掺杂电子传输层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第七步沉积的有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上沉积NTCDA中掺杂Pyronin B的薄膜作为有机n型掺杂电子传输层Ⅱ，厚度为1～10nm，掺杂质量配比为NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.01～0.5；
第九步，在有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上沉积有机n型掺杂电子注入层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第八步沉积的有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上沉积Bphen中掺杂Rb2CO3的薄膜作为有机n型掺杂电子注入层Ⅱ，厚度为1～10nm，掺杂质量配比为Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.01～0.5；
第十步，在有机n型掺杂电子注入层Ⅱ上沉积有机发光层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第九步沉积的有机电子传输层Ⅱ上再沉积Alq3薄膜作为有机发光层Ⅱ，厚度为40～60nm，沉积速率为
第十一步，在有机发光层Ⅱ上沉积有机空穴过渡层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十步沉积的有机发光层Ⅱ上再沉积mCP薄膜作为有机空穴过渡层Ⅱ，厚度为40～60nm，沉积速率为
第十二步，在有机空穴过渡层Ⅱ上沉积有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十一步沉积的有机空穴过渡层Ⅱ上再沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ，厚度为1～10nm，掺杂质量配比为CBP∶ReO3＝1∶0.01～0.5；
第十三步，在有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上沉积有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十二步沉积的有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上沉积2-TNATA中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ，厚度为5～1000nm，掺杂质量配比为2-TNATA∶ReO3＝1∶0.01～0.5；
第十四步，在有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上沉积阳极
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十三步沉积的有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上沉积银薄膜作为阳极，厚度100nm，沉积速率为
由此，最终制得上述反转叠层有机发光二极管，是一种采用由CBP∶ReO3/2-TNATA∶ReO3构成的双p型掺杂层和由NTCDA∶Pyronin B/Bphen∶Rb2CO3构成的双n型掺杂层所组成的连接层结构的反转叠层有机发光二极管，其中2-TNATA∶ReO3和NTCDA∶Pyronin B构成电荷产生层。
上述反转叠层有机发光二极管的制备方法，所述贵金属为金或银。
上述反转叠层有机发光二极管的制备方法，所述阴极衬底小块的大小为4×4cm2。
上述反转叠层有机发光二极管的制备方法，所述阴极氧化铟锡导电薄膜的面电阻为每4×4cm2方块小于10欧姆。
上述反转叠层有机发光二极管的制备方法，优先选用氧化铟锡导电薄膜覆盖的玻璃即ITO作为所述阴极衬底及阴极，此时在用氮气吹干之后，然后在紫外光-臭氧装置中处理10分钟，之后再放入真空镀膜机中。
上述反转叠层有机发光二极管的制备方法中，所涉及的设备、工艺均是本技术领域的技术人员所熟知的，所涉及的材料均是可以商购获得的。
本发明的有益效果是：（1）本发明突出的实质性特点在于：在反转叠层结构的现有技术中，所采用的连接层结构由单p型掺杂层（例如为CBP∶ReO3）和单n型掺杂层（例如为Bphen∶Rb2CO3）组成，存在着以下问题和缺点：①单p型掺杂层的最高占有分子轨道能级和单n型掺杂层的的最低未占有分子轨道能级之间的差值在2eV左右，这样单p型掺杂层的最高占有分子轨道中的电子只能以隧穿的方式注入到单n型掺杂层的最低未占有分子轨道之中，电荷产生效率低；②单p型掺杂层技术和单n型掺杂层技术所导致的欧姆损耗大。这是制约反转叠层有机发光二极管发展的两个主要原因，也正因为如此，国际上现在还没有开发出高性能的反转叠层有机发光二极管。本发明反转叠层有机发光二极管的突出的实质性特点在于创造性地使用双p型掺杂层和双n型掺杂层组成了连接层结构，有效地解决现有技术的以上问题和缺点。原因是：①有机p型掺杂空穴传输层材料的最高占据分子轨道能级（5.1eV）和有机n型掺杂电子传输层材料的最低未占据分子轨道能级（4.0eV）之间的差值为1.1eV，由于费米能级的调平作用，会进一步降低到0.6eV，这样，有机p型掺杂空穴传输层的最高占据分子轨道中的电子不但能够以隧穿的方式而且还能以热发射的方式注入到有机n型掺杂电子传输层材料的最低未占据分子轨道中，极大的提高了电荷产生效率；②双p型掺杂层技术和双n型掺杂层技术能够有效的降低欧姆损耗。（2）本发明的显著进步在于：与现有的CN102130302A、CN102185112A和CN102074658A公开的叠层有机发光二极管及其制备方法相比，本发明的显著进步是，上述现有技术所述的p型有机半导体为噻吩类化合物，在可见光区域有很强的光吸收，这样降低了器件的光输出效率，而本发明所述的有机p型掺杂空穴传输层在可见光范围内没有光吸收；上述现有技术所述的p型有机半导体为未掺杂的本征材料，电导率低下，空穴传输过程中的欧姆损耗严重，而本发明所述的有机p型掺杂空穴传输层的电导率比噻吩类化合物高4～5个数量级，能够显著降低器件驱动电压；上述现有技术所述的n型有机半导体为未掺杂的本征材料，电导率低下，电子传输过程中的欧姆损耗严重，而本发明所述的有机n型掺杂空穴传输层的电导率比噻吩类化合物高5～6个数量级，能够显著降低器件驱动电压；上述现有技术没有出示任何证据表明基于所述的电荷产生层结构能够制备出理想的反转叠层有机发光二极管，而本发明技术表明基于本发明创新的连接层结构能够制备出理想的反转叠层有机发光二极管。因此，与上述现有技术公开的电荷产生层相比，本发明提出的连接层结构能够在提高器件电流的同时有效降低驱动电压。本发明的反转叠层有机发光二极管提供了一种由双p型掺杂层和双n型掺杂层组成的连接层结构，与现有技术相比具有以下优势：①电荷产生效率高；②电流传输过程中的欧姆损耗小；③连接层结构对可见光没有吸收；④选取的材料便宜，加工简单；⑤能够显著提高反转叠层有机发光二极管的效率、亮度、稳定性和功率。因此，本发明反转叠层有机发光二极管有利于生产高性价比的有机平板显示器和有机照明灯具，还可以应用于有机太阳能电池和有机场效应晶体管。这在下面的实施例中还有进一步的证述。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1为本发明反转叠层有机发光二极管的结构示意图。
图2为本发明实施例1制得的反转叠层有机发光二极管的光电性能曲线图。
图3为本发明实施例1制得的反转叠层有机发光二极管和对比实例1制得的单有机p掺杂层和单有机n型掺杂层来组成连接层结构的反转叠层有机发光二极管的发光效率比较图。
具体实施方式
图1所示实施例表明，本发明反转叠层有机发光二极管，是由双p型掺杂层和双n型掺杂层组成的连接层结构的反转叠层有机发光二极管，由在衬底上的一层阴极（i）、一层沉积在阴极上的有机n型掺杂电子传输层Ⅰ（ii）、一层沉积在有机n型掺杂电子传输层Ⅰ（ii）上的有机n型掺杂电子注入层Ⅰ（iii）、一层沉积在有机n型掺杂电子注入层Ⅰ（iii）上的有机发光层Ⅰ（iv）、一层沉积在有机发光层Ⅰ（iv）上的有机空穴过渡层Ⅰ（v）、一层沉积在有机空穴过渡层Ⅰ（v）上的有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ（vi）、一层沉积在有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ（vi）上的有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ（vii）、一层沉积在有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ（vii）上的有机n型掺杂电子传输层Ⅱ（viii）、一层沉积在有机n型掺杂电子传输层Ⅱ（viii）上的有机n型掺杂电子注入层Ⅱ（ix）、一层沉积在有机n型掺杂电子注入层Ⅱ（ix）上的有机发光层Ⅱ（x）、一层沉积在有机发光层Ⅱ（x）上的有机空穴过渡层Ⅱ（xi）、一层沉积在有机空穴过渡层Ⅱ（xi）上的有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ（xii）、一层沉积在有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ（xii）上的有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ（xiii）、和一层沉积在有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ（xiii）上的阳极（xiv）组成。其中，（i）-（v）构成了第一发光单元，（vi）、（vii）、（viii）、（ix）构成了连接层结构，其中（vii）和（viii）构成了电荷产生层结构；（x）-（xiv）构成了第二发光单元。
实施例1
结构为ITO/NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.5，厚度5nm/Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.5，厚度5nm/Alq3厚度40nm/mCP厚度40nm/CBP∶ReO3＝1∶0.5，厚度5nm/2-TNATA∶ReO3＝1∶0.5，厚度5nm/NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.5，厚度5nm/Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.5，厚度5nm/Alq3厚度40nm/mCP厚度40nm/CBP∶ReO3＝1∶0.5，厚度5nm/2-TNATA∶ReO3＝1∶0.5，厚度5nm/Ag厚度100nm的由双p型掺杂层和双n型掺杂层组成的连接层结构的反转叠层有机发光二极管。
该有机发光二极管是由ITO阴极、一层沉积在ITO阴极上的厚度为5nm的NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.5有机n型掺杂电子传输层Ⅰ、一层沉积在NTCDA∶Pyronin B有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上的厚度为5nm的Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.5有机n型掺杂电子注入层Ⅰ、一层沉积在Bphen∶Rb2CO3有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上的厚度为40nm的Alq3有机发光层Ⅰ、一层沉积在Alq3有机发光层Ⅰ上的厚度为40nm的mCP有机空穴过渡层Ⅰ、一层沉积在mCP有机空穴过渡层Ⅰ上的厚度为5nm的CBP∶ReO3＝1∶0.5有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ、一层沉积在CBP∶ReO3有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上的厚度为5nm的2-TNATA∶ReO3＝1∶0.5有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ、一层沉积在2-TNATA∶ReO3有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上的厚度为5nm的NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.5有机n型掺杂电子传输层Ⅱ、一层沉积在NTCDA∶Pyronin B有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上的厚度为5nm的Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.5有机n型掺杂电子注入层Ⅱ、一层沉积在Bphen∶Rb2CO3有机n型掺杂电子注入层Ⅱ上的厚度为40nm的Alq3有机发光层Ⅱ、一层沉积在Alq3有机发光层Ⅱ上的厚度为40nm的mCP有机空穴过渡层Ⅱ、一层沉积在mCP有机空穴过渡层Ⅱ上的厚度为5nm的CBP∶ReO3＝1∶0.5有机p型掺杂空穴注入层、一层沉积在CBP∶ReO3有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上的厚度为5nm的2-TNATA∶ReO3＝1∶0.5有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ、和一层沉积在2-TNATA∶ReO3有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上的厚度为100nm的Ag阳极组成的反转叠层有机发光二极管。
上述ITO为氧化铟锡导电薄膜覆盖的玻璃的简称。作为阴极衬底及阴极，氧化铟锡导电薄膜的厚度为100nm，其面电阻为每4×4cm2方块小于10欧姆。本实施例的ITO是由南玻公司生产的。
上述反转叠层有机发光二极管制备方法是：
第一步，阴极衬底的处理及阴极的形成
以氧化铟锡导电薄膜的厚度为100nm、大小为4×4cm2的方块并面电阻小于10欧姆的ITO作为阴极衬底及阴极，将该阴极衬底及阴极先在盛有丙酮的超声波清洗器中清洗两次、再在盛有乙醇的超声波清洗器中清洗两次，最后在盛有去离子水的超声波清洗器中清洗两次，每次10分钟，之后用氮气吹干，然后在紫外光-臭氧装置中处理10分钟，之后放入真空镀膜机中，蒸空镀膜机抽到背景真空度为4×10-4Pa；
第二步，在阴极上沉积有机n型掺杂电子传输层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第一步形成的阴极上沉积NTCDA中掺杂Pyronin B的薄膜作为有机n型掺杂电子传输层Ⅰ，厚度为5nm，掺杂重量比为NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.5；
第三步，在有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上沉积有机n型掺杂电子注入层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第二步沉积的有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上再沉积Bphen中掺杂Rb2CO3的薄膜作为有机n型掺杂电子注入层Ⅰ，厚度为5nm，掺杂重量比为Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.5；
第四步，在有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上沉积有机发光层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第三步沉积的有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上再沉积Alq3薄膜作为有机发光层Ⅰ，厚度为40nm，沉积速率为
第五步，在有机发光层Ⅰ上沉积有机空穴过渡层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第四步沉积的有机发光层Ⅰ上再沉积mCP薄膜作为有机空穴过渡层Ⅰ，厚度为40nm，沉积速率为
第六步，在有机空穴过渡层Ⅰ上沉积有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第五步沉积的有机空穴过渡层Ⅰ上再沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ，厚度为5nm，掺杂重量比为CBP∶ReO3＝1∶0.5；
第七步，在有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上沉积有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第六步沉积的有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上沉积2-TNATA中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ，厚度为5nm，掺杂重量比为2-TNATA∶ReO3＝1∶0.5；
第八步，在有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上沉积有机n型掺杂电子传输层
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第七步沉积的有机p型掺杂空穴传输层上沉积NTCDA中掺杂Pyronin B的薄膜作为有机n型掺杂电子传输层，厚度为5nm，掺杂重量比为NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.5；
第九步，在有机n型掺杂电子传输层上沉积有机n型掺杂电子注入层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第八步沉积的有机n型掺杂电子传输层上沉积Bphen中掺杂Rb2CO3的薄膜作为有机n型掺杂电子注入层，厚度为5nm，掺杂重量比为Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.5；
第十步，在有机n型掺杂电子注入层Ⅱ上沉积有机发光层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第九步沉积的有机电子传输层Ⅱ上再沉积Alq3薄膜作为有机发光层Ⅱ，厚度为40nm，沉积速率为
第十一步，在有机发光层Ⅱ上沉积有机空穴过渡层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十步沉积的有机发光层Ⅱ上再沉积mCP薄膜作为有机空穴过渡层Ⅱ，厚度为40nm，沉积速率为
第十二步，在有机空穴过渡层上沉积有机p型掺杂空穴注入层
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十一步沉积的有机空穴过渡层Ⅱ上再沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ，厚度为5nm，掺杂重量比为CBP∶ReO3＝1∶0.5；
第十三步，在有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上沉积有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十二步沉积的有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上沉积2-TNATA中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ，厚度为5nm，掺杂重量比为2-TNATA∶ReO3＝1∶0.5；
第十四步，在有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上沉积阳极
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十三步沉积的有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上沉积银薄膜作为阳极，厚度100nm，沉积速率为
由此，最终制得上述反转叠层有机发光二极管，是一种采用由双p型掺杂层（CBP∶ReO3/2-TNATA∶ReO3）和双n型掺杂层（NTCDA∶Pyronin B/Bphen∶Rb2CO3）组成的连接层结构的反转叠层有机发光二极管。
对比实施例1
结构为ITO/Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.5，厚度5nm/Alq3厚度40nm/mCP厚度40nm/CBP∶ReO3＝1∶0.5，厚度5nm/Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.5，厚度5nm/Alq3厚度40nm/mCP厚度40nm/CBP∶ReO3＝1∶0.5，厚度5nm/Ag厚度100nm的有机发光二极管。
该有机发光二极管是由ITO阴极、一层沉积在ITO阴极上的厚度为5nm的Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.5有机n型掺杂电子注入层、一层沉积在Bphen∶Rb2CO3有机n型掺杂电子注入层上的厚度为40nm的Alq3有机发光层、一层沉积在Alq3有机发光层上的厚度为40nm的mCP有机空穴过渡层、一层沉积在mCP有机空穴过渡层上的厚度为5nm的CBP∶ReO3＝1∶0.5有机p型掺杂空穴注入层、一层沉积在CBP∶ReO3有机p型掺杂空穴注入层上的厚度为5nm的Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.5有机n型掺杂电子注入层、一层沉积在Bphen∶Rb2CO3有机n型掺杂电子注入层上的厚度为40nm的Alq3有机发光层、一层沉积在Alq3有机发光层上的厚度为40nm的mCP有机空穴过渡层、一层沉积在mCP有机空穴过渡层上的厚度为5nm的CBP∶ReO3＝1∶0.5有机p型掺杂空穴注入层、和一层沉积在CBP∶ReO3有机p型掺杂空穴注入层上的厚度为100nm的Ag阳极组成的反转叠层有机发光二极管。
该反转叠层有机发光二极管的制备方法是：
除没有实施例1中的“第二步，第七步、第八步、第十三步”之外，其他步骤工艺均同实施例1。
由此，最终制得上述的反转叠层有机发光二极管，是一种采用由单p型掺杂层（CBP∶ReO3）和单n型掺杂层（Bphen∶Rb2CO3）组成的连接层结构的常规反转叠层有机发光二极管。
设：实施例1所制得的大功率的反转叠层有机发光二极管为器件A，对比实施例1所制得的常规反转叠层有机发光二极管为器件B。
从图2实施例1制得的反转叠层有机发光二极管的光电性能曲线图可以看出，当驱动电压为20伏时，器件A的电流密度达到149.5毫安每平方厘米，亮度达到7797尼特，器件工作性能良好。
图3中，三角曲线为器件A的电流效率-电流密度关系曲线，圆圈曲线为器件B的电流效率-电流密度关系曲线。从图3可以看出，器件A的最大电流效率达到6.0坎德拉每安培，是单管发光器件效率的2倍，而器件B的最大电流效率只有2.5坎德拉每安培，略微小于单管发光器件效率，这充分说明采用现有连接层结构（由单p型掺杂层和单n型掺杂层组成）的反转叠层有机发光二极管的性能很差，而采用由双p型掺杂层和双n型掺杂层组成的连接层结构的的反转叠层有机发光二极管的性能达到了理论要求的水平。因此，本发明提出的反转叠层有机发光二极管是先进的技术，具有重大的实际应用意义。
实施例2
结构为在玻璃衬底上覆盖的一层半透明的金，厚度20nm/NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.01，厚度1000nm/Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.01，厚度10nm/Alq3厚度60nm/mCP厚度60nm/CBP∶ReO3＝1∶0.01，厚度10nm/2-TNATA∶ReO3＝1∶0.01，厚度10nm/NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.01，厚度10nm/Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.01，厚度10nm/Alq3厚度60nm/mCP厚度60nm/CBP∶ReO3＝1∶0.01，厚度10nm/2-TNATA∶ReO3＝1∶0.01，厚度1000nm/Ag厚度100nm的由双p型掺杂层和双n型掺杂层组成的连接层结构的反转叠层有机发光二极管。
该有机发光二极管是由在玻璃衬底上覆盖的一层半透明的厚度为20nm的金阴极、一层沉积在金阴极上的厚度为1000nm的NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.01有机n型掺杂电子传输层Ⅰ、一层沉积在NTCDA∶Pyronin B有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上的厚度为10nm的Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.01有机n型掺杂电子注入层Ⅰ、一层沉积在Bphen∶Rb2CO3有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上的厚度为60nm的Alq3有机发光层Ⅰ、一层沉积在Alq3有机发光层Ⅰ上的厚度为60nm的mCP有机空穴过渡层Ⅰ、一层沉积在mCP有机空穴过渡层Ⅰ上的厚度为10nm的CBP∶ReO3＝1∶0.01有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ、一层沉积在CBP∶ReO3有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上的厚度为10nm的2-TNATA∶ReO3＝1∶0.01有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ、一层沉积在2-TNATA∶ReO3有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上的厚度为10nm的NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.01有机n型掺杂电子传输层Ⅱ、一层沉积在NTCDA∶Pyronin B有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上的厚度为10nm的Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.01有机n型掺杂电子注入层Ⅱ、一层沉积在Bphen∶Rb2CO3有机n型掺杂电子注入层Ⅱ上的厚度为60nm的Alq3有机发光层Ⅱ、一层沉积在Alq3有机发光层Ⅱ上的厚度为60nm的mCP有机空穴过渡层Ⅱ、一层沉积在mCP有机空穴过渡层Ⅱ上的厚度为10nm的CBP∶ReO3＝1∶0.01有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ、一层沉积在CBP∶ReO3有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上的厚度为1000nm的2-TNATA∶ReO3＝1∶0.01有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ、和一层沉积在2-TNATA∶ReO3有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上的厚度为100nm的Ag阳极组成的反转叠层有机发光二极管。
该反转叠层有机发光二极管的制备方法是：
第一步，阴极衬底的处理及阴极的形成
以大小为4×4cm2的透明玻璃作为衬底，将该衬底先在盛有丙酮的超声波清洗器中清洗两次、再在盛有乙醇的超声波清洗器中清洗两次，最后在盛有去离子水的超声波清洗器中清洗两次，每次10分钟，之后用氮气吹干，然后放入真空镀膜机中，真空镀膜机抽到背景真空度为4×10-4Pa，在玻璃衬底上沉积一层半透明的厚度20nm的金；
第二步，在阴极上沉积有机n型掺杂电子传输层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第一步形成的阴极上沉积NTCDA中掺杂Pyronin B的薄膜作为有机n型掺杂电子传输层Ⅰ，厚度为1000nm，掺杂重量比为NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.01；
第三步，在有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上沉积有机n型掺杂电子注入层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第二步沉积的有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上再沉积Bphen中掺杂Rb2CO3的薄膜作为有机n型掺杂电子注入层Ⅰ，厚度为10nm，掺杂重量比为Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.01；
第四步，在有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上沉积有机发光层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第三步沉积的有机n型掺杂电子注入层ⅠⅠ上再沉积Alq3薄膜作为有机发光层Ⅰ，厚度为60nm，沉积速率为
第五步，在有机发光层Ⅰ上沉积有机空穴过渡层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第四步沉积的有机发光层Ⅰ上再沉积mCP薄膜作为有机空穴过渡层Ⅰ，厚度为60nm，沉积速率为
第六步，在有机空穴过渡层Ⅰ上沉积有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第五步沉积的有机空穴过渡层Ⅰ上再沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ，厚度为10nm，掺杂重量比为CBP∶ReO3＝1∶0.01；
第七步，在有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上沉积有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第六步沉积的有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上沉积2-TNATA中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ，厚度为10nm，掺杂重量比为2-TNATA∶ReO3＝1∶0.01；
第八步，在有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上沉积有机n型掺杂电子传输层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第七步沉积的有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上沉积NTCDA中掺杂Pyronin B的薄膜作为有机n型掺杂电子传输层Ⅱ，厚度为10nm，掺杂重量比为NTCDA∶Pyronin＝1∶0.01；
第九步，在有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上沉积有机n型掺杂电子注入层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第八步沉积的有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上沉积Bphen中掺杂Rb2CO3的薄膜作为有机n型掺杂电子注入层Ⅱ，厚度为10nm，掺杂重量比为Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.01；
第十步，在有机n型掺杂电子注入层Ⅱ上沉积有机发光层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第九步沉积的有机电子传输层Ⅱ上再沉积Alq3薄膜作为有机发光层Ⅱ，厚度为60nm，沉积速率为
第十一步，在有机发光层Ⅱ上沉积有机空穴过渡层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十步沉积的有机发光层Ⅱ上再沉积mCP薄膜作为有机空穴过渡层Ⅱ，厚度为60nm，沉积速率为
第十二步，在有机空穴过渡层Ⅱ上沉积有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十一步沉积的有机空穴过渡层Ⅱ上再沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ，厚度为10nm，掺杂重量比为CBP∶ReO3＝1∶0.01；
第十三步，在有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上沉积有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十二步沉积的有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上沉积2-TNATA中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ，厚度为1000nm，掺杂重量比为2-TNATA∶ReO3＝1∶0.01；
第十四步，在有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上沉积阳极
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十三步沉积的有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上沉积银薄膜作为阳极，厚度100nm，沉积速率为
由此，最终制得上述大功率的反转叠层有机发光二极管，是一种采用由双p型掺杂层（CBP∶ReO3/2-TNATA∶ReO3）和双n型掺杂层（NTCDA∶Pyronin B/Bphen∶Rb2CO3）组成的连接层结构的反转叠层有机发光二极管。
实施例3
结构为在玻璃衬底上覆盖的一层半透明的银，厚度20nm/NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.2，厚度500nm/Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.2，厚度1nm/Alq3厚度50nm/mCP厚度50nm/CBP∶ReO3＝1∶0.2，厚度1nm/2-TNATA∶ReO3＝1∶0.2，厚度1nm/NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.2，厚度1nm/Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.2，厚度1nm/Alq3厚度50nm/mCP厚度50nm/CBP∶ReO3＝1∶0.2，厚度1nm/2-TNATA∶ReO3＝1∶0.2，厚度5nm/Ag厚度100nm的由双p型掺杂层和双n型掺杂层组成的连接层结构的反转叠层有机发光二极管。
该有机发光二极管是由在玻璃衬底上覆盖的一层半透明的厚度20nm的银阴极、一层沉积在银阴极上的厚度为500nm的NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.2有机n型掺杂电子传输层Ⅰ、一层沉积在NTCDA∶Pyronin B有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上的厚度为1nm的Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.2有机n型掺杂电子注入层Ⅰ、一层沉积在Bphen∶Rb2CO3有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上的厚度为50nm的Alq3有机发光层Ⅰ、一层沉积在Alq3有机发光层Ⅰ上的厚度为50nm的mCP有机空穴过渡层Ⅰ、一层沉积在mCP有机空穴过渡层Ⅰ上的厚度为1nm的CBP∶ReO3＝1∶0.2有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ、一层沉积在CBP∶ReO3有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上的厚度为1nm的2-TNATA∶ReO3＝1∶0.2有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ、一层沉积在2-TNATA∶ReO3有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上的厚度为1nm的NTCDA∶Pyronin B＝1∶0.2有机n型掺杂电子传输层Ⅱ、一层沉积在NTCDA∶Pyronin B有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上的厚度为1nm的Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.2有机n型掺杂电子注入层Ⅱ、一层沉积在Bphen∶Rb2CO3有机n型掺杂电子注入层Ⅱ上的厚度为50nm的Alq3有机发光层Ⅱ、一层沉积在Alq3有机发光层Ⅱ上的厚度为50nm的mCP有机空穴过渡层Ⅱ、一层沉积在mCP有机空穴Ⅱ过渡层上的厚度为1nm的CBP∶ReO3＝1∶0.2有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ、一层沉积在CBP∶ReO3有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上的厚度为5nm的2-TNATA∶ReO3＝1∶0.2有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ、和一层沉积在2-TNATA∶ReO3有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上的厚度为100nm的Ag阳极组成的反转叠层有机发光二极管。
该反转叠层有机发光二极管的制备方法是：
第一步，阴极衬底的处理及阴极的形成
以大小为4×4cm2的透明玻璃作为衬底，将该衬底先在盛有丙酮的超声波清洗器中清洗两次、再在盛有乙醇的超声波清洗器中清洗两次，最后在盛有去离子水的超声波清洗器中清洗两次，每次10分钟，之后用氮气吹干，然后放入真空镀膜机中，真空镀膜机抽到背景真空度为4×10-4Pa，在玻璃衬底上沉积一层半透明的厚度20nm的银；
第二步，在阴极上沉积有机n型掺杂电子传输层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第一步形成的阴极上沉积NTCDA中掺杂Pyronin B的薄膜作为有机n型掺杂电子传输层Ⅰ，厚度为500nm，掺杂重量比为NTCDA∶Pyronin＝1∶0.2；
第三步，在有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上沉积有机n型掺杂电子注入层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第二步沉积的有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上再沉积Bphen中掺杂Rb2CO3的薄膜作为有机n型掺杂电子注入层Ⅰ，厚度为1nm，掺杂重量比为Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.2；
第四步，在有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上沉积有机发光层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第三步沉积的有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上再沉积Alq3薄膜作为有机发光层，厚度为50nm，沉积速率为
第五步，在有机发光层Ⅰ上沉积有机空穴过渡层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第四步沉积的有机发光层Ⅰ上再沉积mCP薄膜作为有机空穴过渡层Ⅰ，厚度为50nm，沉积速率为
第六步，在有机空穴过渡层Ⅰ上沉积有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第五步沉积的有机空穴过渡层Ⅰ上再沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ，厚度为1nm，掺杂重量比为CBP∶ReO3＝1∶0.2；
第七步，在有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上沉积有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第六步沉积的有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上沉积2-TNATA中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ，厚度为1nm，掺杂重量比为2-TNATA∶ReO3＝1∶0.2；
第八步，在有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上沉积有机n型掺杂电子传输层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第七步沉积的有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上沉积NTCDA中掺杂Pyronin B的薄膜作为有机n型掺杂电子传输层Ⅱ，厚度为1nm，掺杂重量比为NTCDA∶Pyronin＝1∶0.2；
第九步，在有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上沉积有机n型掺杂电子注入层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第八步沉积的有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上沉积Bphen中掺杂Rb2CO3的薄膜作为有机n型掺杂电子注入层Ⅱ，厚度为1nm，掺杂重量比为Bphen∶Rb2CO3＝1∶0.2；
第十步，在有机n型掺杂电子注入层Ⅱ上沉积有机发光层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第九步沉积的有机电子传输层Ⅱ上再沉积Alq3薄膜作为有机发光层Ⅱ，厚度为50nm，沉积速率为
第十一步，在有机发光层Ⅱ上沉积有机空穴过渡层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十步沉积的有机发光层Ⅱ上再沉积mCP薄膜作为有机空穴过渡层Ⅱ，厚度为50nm，沉积速率为
第十二步，在有机空穴过渡层Ⅱ上沉积有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十一步沉积的有机空穴过渡层Ⅱ上再沉积CBP中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ，厚度为1nm，掺杂重量比为CBP∶ReO3＝1∶0.2；
第十三步，在有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上沉积有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十二步沉积的有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上沉积2-TNATA中掺杂ReO3的薄膜作为有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ，厚度为5nm，掺杂重量比为2-TNATA∶ReO3＝1∶0.2；
第十四步，在有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上沉积阳极
在上述真空镀膜机中，采用热蒸发方式，在第十三步沉积的有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上沉积银薄膜作为阳极，厚度100nm，沉积速率为
由此，最终制得上述反转叠层有机发光二极管，是一种采用由双p型掺杂层（CBP∶ReO3/2-TNATA∶ReO3）和双n型掺杂层（NTCDA∶Pyronin B/Bphen∶Rb2CO3）组成的连接层结构的反转叠层有机发光二极管。
上述实施例中，所涉及的设备、工艺均是本技术领域的技术人员所熟知的，所涉及的材料均是可以商购获得的。
Claims (4)
1.反转叠层有机发光二极管，其特征在于：是一种采用由双p型掺杂层和双n型掺杂层组成的连接层结构的反转叠层有机发光二极管，由衬底上的一层阴极、一层沉积在阴极上的有机n型掺杂电子传输层Ⅰ、一层沉积在有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上的有机n型掺杂电子注入层Ⅰ、一层沉积在有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上的有机发光层Ⅰ、一层沉积在有机发光层Ⅰ上的有机空穴过渡层Ⅰ、一层沉积在有机空穴过渡层Ⅰ上的有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ、一层沉积在有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上的有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ、一层沉积在有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上的有机n型掺杂电子传输层Ⅱ、一层沉积在有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上的有机n型掺杂电子注入层Ⅱ、一层沉积在有机n型掺杂电子注入层Ⅱ上的有机发光层Ⅱ、一层沉积在有机发光层Ⅱ上的有机空穴过渡层Ⅱ、一层沉积在有机空穴过渡层Ⅱ上的有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ、一层沉积在有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上的有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ和一层沉积在有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上的阳极组成；其中，所述阴极是厚度为100nm的氧化铟锡导电薄膜或20nm厚的贵金属薄膜；所述沉积在阴极上的有机n型掺杂电子传输层Ⅰ的材料是在萘四甲酸二酐中掺杂派洛宁B，其质量配比为萘四甲酸二酐∶派洛宁B＝1∶0.01～0.5；所述沉积在有机n型掺杂电子传输层Ⅰ上的有机电子注入层Ⅰ的材料是在4,7二苯基-1,10-菲啰啉中掺杂碳酸铷，其质量配比为4,7二苯基-1,10-菲啰啉∶碳酸铷＝1∶0.01～0.5；所述沉积在有机n型掺杂电子注入层Ⅰ上的有机发光层Ⅰ的材料是三(8-羟基喹啉)铝(Ⅲ)；所述沉积在有机发光层Ⅰ上的有机空穴过渡层Ⅰ的材料是9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑；所述沉积在有机空穴过渡层Ⅰ上的有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ的材料是在4，4'-二（9-咔唑）联苯中掺杂三氧化铼，其质量配比为4，4'-二（9-咔唑）联苯∶三氧化铼=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ上的有机p型空穴传输层Ⅰ的材料是在4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺中掺杂三氧化铼，其质量配比为4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺∶三氧化铼=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ上的有机n型掺杂电子传输层Ⅱ的材料是在萘四甲酸二酐中掺杂派洛宁B，其质量配比为萘四甲酸二酐∶派洛宁B=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机n型掺杂电子传输层Ⅱ上的有机n型掺杂电子注入层Ⅱ的材料是在4,7二苯基-1,10-菲啰啉中掺杂碳酸铷，其质量配比为4,7二苯基-1,10-菲啰啉∶碳酸铷＝1∶0.01～0.5；所述沉积在有机n型掺杂电子注入层Ⅱ上的有机发光层的材料是三(8-羟基喹啉)铝(Ⅲ)；所述 沉积在有机发光层Ⅱ上的有机空穴过渡层Ⅱ的材料是9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑；所述沉积在有机空穴过渡层Ⅱ上的有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ的材料是在4，4'-二（9-咔唑）联苯中掺杂三氧化铼，其质量配比为4，4'-二（9-咔唑）联苯∶三氧化铼=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ上的有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ的材料是在4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺中掺杂三氧化铼，其质量配比为4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺∶三氧化铼=1∶0.01～0.5；所述沉积在有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ上的阳极为银。
2.权利要求1所述反转叠层有机发光二极管，其特征在于：所述阴极贵金属薄膜是金薄膜或银薄膜。
3.权利要求1所述反转叠层有机发光二极管，其特征在于：所述阴极氧化铟锡导电薄膜的面电阻为每4×4cm2方块小于10欧姆。
4.权利要求1所述反转叠层有机发光二极管，其特征在于：所述有机n型掺杂电子传输层Ⅰ的厚度为5～1000nm，有机n型掺杂电子注入层Ⅰ的厚度为1～10nm，有机发光层Ⅰ的厚度为40～60nm，有机空穴过渡层Ⅰ的厚度为40～60nm，有机p型掺杂空穴注入层Ⅰ的厚度为1～10nm，有机p型掺杂空穴传输层Ⅰ的厚度为1～10nm，有机n型掺杂电子传输层Ⅱ的厚度为1～10nm，有机n型掺杂电子注入层Ⅱ的厚度为1～10nm，有机发光层Ⅱ的厚度为40～60nm，有机空穴过渡层Ⅱ的厚度为40～60nm，有机p型掺杂空穴注入层Ⅱ的厚度为1～10nm，有机p型掺杂空穴传输层Ⅱ的厚度为5～1000nm，阳极的厚度100nm。
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