CN115393331A - 基片位置异常的检测方法与检测装置 - Google Patents
基片位置异常的检测方法与检测装置 Download PDFInfo
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Abstract
本公开提供了一种基片位置异常的检测方法与检测装置,该检测方法包括:设定基片正常位置的各个极限位置,计算正常位置的轮廓范围,生成正常范围轮廓边缘图像;获取待测基片的图像;根据待测基片的图像确定待测基片的轮廓;通过位置异常判别算法判断当前待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内;若判断待测基片的轮廓处于预设目标区域内,则判断当前待测基片的位置处于正常状态;若判断待测基片的轮廓未处于预设目标区域内,则判断当前待测基片的位置处于异常状态,并发送告警信息。通过获取待测基片的轮廓来判断待测基片的位置是否发生异常,能够极大提高基片位置的检测精度和准确性,进而避免了因基片放置错误而导致设备损坏情况的产生。
Description
技术领域
本公开涉及镀膜设备技术领域,具体而言,涉及一种基片位置异常的检测方法与检测装置。
背景技术
在具有自动上下片功能的镀膜机上,操作人员需要手动将被镀产品固定在基片上,然后将基片放入镀膜机,镀膜机内的机械手自动抓取基片,并传送到相应设备进行镀膜处理。
但是,若操作人员在将被镀产品固定在基片上的过程中发生操作不当,则会导致基片放置的位置不正确,从而与机械手的运行轨迹造成干涉,导致机械手发生碰撞损坏,进而损坏镀膜机。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开实施例的目的在于提供一种基片位置异常的检测方法与检测装置,能够提高基片位置检测的精度和准确性。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开实施例的一个方面,提供了一种基片位置异常的检测方法,该检测方法包括:
设定基片正常位置的各个极限位置,计算正常位置的轮廓范围,生成正常范围轮廓边缘图像;
获取待测基片的图像;
根据所述待测基片的图像确定所述待测基片的轮廓;
通过位置异常判别算法判断当前所述待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内;
若判断所述待测基片的轮廓处于所述预设目标区域内,则判断当前所述待测基片的位置处于正常状态;
若判断所述待测基片的轮廓未处于所述预设目标区域内,则判断当前所述待测基片的位置处于异常状态,并发送告警信息。
在本公开的一种示例性实施例中,通过位置异常判别算法判断当前所述待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内,包括:
根据生成的正常范围轮廓边缘图像,形成第一图像;
将所述第一图像填充,并进行二值化处理,形成第二图像;
根据所述待测基片的图像,获取边缘图像,形成第三图像;
将所述第三图像填充,并进行二值化处理,形成第四图像;
将所述第二图像和所述第四图像合并,形成第五图像;
将所述第五图像减去所述第二图像,形成第六图像;
统计所述第六图像有填充颜色的占比;
将所述占比与预置异常判断值比较,当所述占比小于或等于所述预置异常判断值,则判定基片在预设目标区域内;当所述占比大于所述预置异常判断值,则判定基片不在预设目标区域内。
在本公开的一种示例性实施例中,判断当前所述待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内,包括:
确定第一预设范围,所述第一预设范围为所述基片所允许的前后倾斜角度范围;
根据所述待测基片的轮廓确定当前所述待测基片的前后倾斜角度;
判断当前所述待测基片的前后倾斜角度是否超出所述第一预设范围;
若判断超出所述第一预设范围,则发送第一告警信息,所述第一告警信息为所述待测基片的前后倾斜位置处发生异常。
在本公开的一种示例性实施例中,判断当前所述待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内,还包括:
确定第二预设范围,所述第二预设范围为所述基片所允许的侧向倾斜范围;
根据所述待测基片的轮廓确定当前所述待测基片的短边在第一方向上的投影尺寸,所述第一方向垂直于所述待测基片的中轴线;
判断所述投影尺寸是否超出所述第二预设范围;
若判断超出所述第二预设范围,则发送第二告警信息,所述第二告警信息为所述待测基片的侧向倾斜位置处发生异常。
在本公开的一种示例性实施例中,判断当前所述待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内,还包括:
确定第三预设范围,所述第三预设范围为所述基片上的定位件在垂直方向上所允许的范围;
根据所述定位件的轮廓确定所述定位件在垂直方向上的尺寸;
判断所述定位件在垂直方向上的尺寸是否超出第三预设范围;
若判断超出所述第三预设范围,则发送第三告警信息,所述第三告警信息为所述待测基片的垂直位置处发生异常。
在本公开的一种示例性实施例中,在所述基片的垂直方向上,所述定位件位于中间位置或边缘位置。
在本公开的一种示例性实施例中,判断当前所述待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内,还包括:
确定第四预设范围,所述第四预设范围为所述基片在水平方向上所允许的范围;
根据所述待测基片的轮廓识别当前所述待测基片的长边或短边;
判断所述长边或所述短边是否超出所述第四预设范围;
若判断所述长边或所述短边超出所述第四预设范围,则发送第四告警信息,所述第四告警信息为所述待测基片的水平位置处发生异常。
在本公开的一种示例性实施例中,所述检测方法还包括:
对所述待测基片的图像进行二值化处理以得到目标区域;
若所述目标区域为全白,则判断当前无所述待测基片;
若判断当前无所述待测基片,则发送第五告警信息,所述第五告警信息为检测区域无基片的异常。
根据本公开实施例的另一个方面,提供了一种基片位置检测装置,用于上述的检测方法,该检测装置包括:
装载腔;
第一观察窗和第二观察窗,设于所述装载腔上;
待测基片,位于所述装载腔内;
图像采集组件,设于所述第一观察窗上;
光源组件,设于所述第二观察窗上;
控制组件,与所述图像采集组件和上述光源组件连接,所述控制组件用于判断待测基片的位置是否发生异常;
显示组件,与所述控制组件连接,所述显示组件用于显示所述待测基片位置的状态。
在本公开的一种示例性实施例中,所述检测装置还包括:
搬运组件,所述搬运组件上安装有待测基片;当所述待测基片进行检测时,所述控制组件驱动所述搬运组件移动到预设位置处,所述预设位置为所述待测基片的轴心与所述光源组件的轴心和所述图像采集组件的轴心均处于同一直线上。
本公开提供的基片位置异常的检测方法,当需要对待测基片进行位置检测时,可以通过待测基片的图像,进而根据待测基片的图像来确定待测基片的轮廓。该轮廓反映了当前待测基片的形状,即包括一对依次首尾连接的长边和短边。通过判断当前待测基片的轮廓是否处于预设区域内来判断待测基片的位置是否处于异常。若判断当前待测基片的轮廓处于预设目标区域内,则判断当前待测基片的位置处于正常状态;若判断当前待测基片的轮廓超出预设目标区域,则判断当前待测基片的位置处于异常状态并发送告警信息。通过获取待测基片的轮廓来判断待测基片的位置是否发生异常,能够极大提高基片位置的检测精度和准确性,进而避免了因基片放置错误而导致设备损坏情况的产生。此外,利用上述方法也能够避免需要使用传感器检测基片位置而带来的额外成本,进而极大降低了检测成本。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1为本公开的一种实施例提供的基片位置异常的检测方法的流程图;
图2为本公开的一种实施例提供的位置异常判别算法示意图;
图3为本公开的一种实施例提供的基片前后倾斜的结构示意图;
图4为本公开的一种实施例提供的基片侧向倾斜的结构示意图;
图5为本公开的一种实施例提供的基片垂直位置处的结构示意图;
图6为本公开的一种实施例提供的基片水平位置的结构示意图;
图7为本公开的一种实施例提供的检测装置正视图的结构示意图;
图8为本公开的一种实施例提供的检测装置俯视图的结构示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。
此外,所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本公开的技术方案而没有特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下,不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本公开的各方面。
附图中所示的方框图仅仅是功能实体,不一定必须与物理上独立的实体相对应。即,可以采用软件形式来实现这些功能实体,或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体,或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
附图中所示的流程图仅是示例性说明,不是必须包括所有的内容和操作/步骤,也不是必须按所描述的顺序执行。例如,有的操作/步骤还可以分解,而有的操作/步骤可以合并或部分合并,因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。
在具有自动上下片功能的镀膜机上,操作人员需要手动将被镀产品固定在基片上,然后将基片放入镀膜机,镀膜机内的机械手自动抓取基片,并传送到相应设备进行镀膜处理。但是若操作人员在将被镀产品固定在基片上的过程中发生操作不当,则会导致基片放置的位置不正确,从而与机械手的运行轨迹造成干涉,导致机械手发生碰撞损坏,进而损坏镀膜机。
针对上述技术问题,本公开实施方式首先提供了一种基片位置的检测方法,如图1所示,该检测方法可以包括:
步骤S100、设定基片正常位置的各个极限位置,计算正常位置的轮廓范围,生成正常范围轮廓边缘图像;
步骤S200、获取待测基片的图像;
步骤S300、根据待测基片的图像确定待测基片的轮廓;
步骤S400、通过位置异常判别算法判断当前待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内;
步骤S500、若判断待测基片的轮廓处于预设目标区域内,则判断当前待测基片的位置处于正常状态;
步骤S600、若判断待测基片的轮廓未处于预设目标区域内,则判断当前待测基片的位置处于异常状态,并发送告警信息。
本公开提供的基片位置的检测方法,当需要对待测基片进行位置检测时,可以通过待测基片的图像,进而根据待测基片的图像来确定待测基片的轮廓。该轮廓反映了当前待测基片的形状,即包括一对依次首尾连接的长边和短边。通过判断当前待测基片的轮廓是否处于预设区域内来判断待测基片的位置是否处于异常。若判断当前待测基片的轮廓处于预设目标区域内,则判断当前待测基片的位置处于正常状态;若判断当前待测基片的轮廓超出预设目标区域,则判断当前待测基片的位置处于异常状态并发送告警信息。通过获取待测基片的轮廓来判断待测基片的位置是否发生异常,能够极大提高基片位置的检测精度和准确性,进而避免了因基片放置错误而导致设备损坏情况的产生。此外,利用上述方法也能够避免需要使用传感器检测基片位置而带来的额外成本,进而极大降低了检测成本。
下面,将结合附图对本公开实施方式提供的基片位置的检测方法的各个步骤进行详细说明:
在本公开的一种实施例中,步骤S400、通过位置异常判别算法判断当前待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内,如图2所示,包括如下步骤:
步骤S410、根据生成的正常范围轮廓边缘图像,形成第一图像;
步骤S420、将第一图像填充,并进行二值化处理,形成第二图像;
步骤S430、根据待测基片的图像,获取边缘图像,形成第三图像;
步骤S440、将第三图像填充,并进行二值化处理,形成第四图像;
步骤S450、将第二图像和第四图像合并,形成第五图像;
步骤S460、将第五图像减去第二图像,形成第六图像;
步骤S470、统计第六图像有填充颜色的占比;
步骤S480、将占比与预置异常判断值比较,当占比小于或等于预置异常判断值,则判定基片在预设目标区域内;当占比大于预置异常判断值,则判定基片不在预设目标区域内。
在本公开的一种实施例中,判断当前待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内包括:
确定第一预设范围,第一预设范围为基片所允许的前后倾斜角度范围;
根据待测基片的轮廓确定当前待测基片的前后倾斜角度;
判断当前待测基片的前后倾斜角度是否超出第一预设范围;
若判断超出第一预设范围,则发送第一告警信息,第一告警信息为待测基片的前后倾斜位置处发生异常。
具体的,如图3所示的基片前后倾斜结构示意图,实线框为当前待测基片1的轮廓,而虚线框所组成的区域则是基片所允许的倾斜角度范围。可以理解的是,该倾斜角度为基片的长边偏离基片的中轴线的角度。即:本公开中可以利用待测基片1的轮廓来确定当前待测基片1的倾斜角度,进而利用待测基片1的倾斜角度来判断当前待测基片1的位置是否发生异常。若判断当前待测基片1的倾斜角度超出第一预设范围,则判断当前待测基片1的前后倾斜位置处发生了异常。若判断当前待测基片1的倾斜角度为超出第一预设范围,则判断当前基片的前后倾斜位置处正常。
可选的,第一预设范围可以为-5°~+5°。举例而言,当待测基片1倾斜的角度为-5°、-3°-1°、0°、1°、3°、5°时,待测基片1的前后倾斜位置处于正常状态。本公开在此对第一预设范围不做特殊的限定,本领域技术人员能够根据实际情况的不同选取其他适合的第一预设范围。
在本公开的一种实施例中,如图7所示,判断当前待测基片1的轮廓是否处于预设目标区域内还包括:
确定第二预设范围,第二预设范围为基片的所允许的侧向倾斜范围;
根据待测基片1的轮廓确定当前待测基片1的短边在第一方向上的投影尺寸,第一方向垂直与待测基片1的中轴线;
判断投影尺寸是否超出第二预设范围;
若判断超出第二预设范围,则发送第二告警信息,第二告警信息为待测基片1的侧向倾斜位置处发生异常。
具体的,如图4所示的基片侧向倾斜的结构示意图。图4中实线框为待测基片1的轮廓,虚线框所组成的区域为基片所允许的侧向倾斜范围。若待测基片1的轮廓处于虚线框所在区域内,则说明待测基片1的侧向倾斜位置处处于正常状态,若待测基片1的轮廓超出了虚线框所在区域,则说明待测基片1的侧向倾斜位置处发生了异常。由于基片在侧向倾斜时,基片遮挡光源面积增大,表现出来就是基片厚度变厚,其待测基片1的短边在第一方向上的投影尺寸会发生变化。因此,本公开利用该原理根据待测基片1的轮廓来确定当前待测基片1的短边在第一方向上的投影尺寸,从而通过该投影尺寸来判断是否超出第二预设范围来判断待测基片1的侧向倾斜位置处是否发生异常。若判断超出第二预设范围,则说明当前待测基片1的侧向倾斜位置处发生了异常;若判断未超出第二预设范围,则说明当前待测基片1的侧向倾斜位置处正常。
在本公开的另一种实施例中,判断当前待测基片1的轮廓是否处于预设目标区域内还包括:
确定第三预设范围,第三预设范围为基片的定位件2在垂直方向上所允许的范围;其中,在基片的垂直方向上,定位件可位于基片上的任一位置,例如中间位置或边缘位置;
根据定位件的轮廓确定定位件2在垂直方向上的尺寸;
判断定位件2在垂直方向上的尺寸是否超出第三预设范围;
若判断超出第三预设范围,则发送第三告警信息,第三告警信息为待测基片1的垂直位置处发生异常。
具体的,如图5所示的基片垂直位置的结构示意图。实线框为待测基片1的轮廓,虚线框所组成的区域为基片在垂直方向上所允许的范围。此外,通过在待测基片1上设置有定位件2,该定位件2用于定位检测和垂直到位的判断。由于待测基片1在垂直方向上发生位移时,连接与待测基片1上的定位件2也随之移动。因此,可以利用上述原理通过判断定位件2在垂直方向上的位移来判断待测基片1在垂直方向上发生的位移是否在所允许的范围内。即:可以根据定位件2在垂直方向上的尺寸来判断该尺寸是否超出第三预设范围。若判断超出第三预设方位,则发送第三告警信息,该告警信息为待测基片1的垂直位置处发生异常。
可选的,定位件2可以为螺钉、螺栓或其他便于定位的器件。本公开在此对定位件2的类型不做特殊的限定。当然,定位件2还可以通过可拆卸的方式或者不可拆卸的方式与待测基片1连接在一起。举例而言,定位件2可以通过焊接的方式与待测基片1连接。
可选的,也可以通过识别连接与待测基片1的定位件2的轮廓来判断待测基片1在垂直方向上的位置是否发生异常。若待测基片1在垂直方向上发生位移,则定位件2也会随之发生移动。因此本公开还可以通过识别定位件2的轮廓,进而通过判断定位件2的轮廓是否位于虚线框所组成的区域内。若定位件的轮廓超出了虚线框所组成的区域,则说明待测基片1在垂直方向上的位置发生了异常;若定位件2的轮廓未超出虚线框所组成的区域,则说明待测基片1在垂直方向上的位置处于正常状态。
在本公开的一种实施例中,判断当前待测基片1的轮廓是否处于预设目标区域内还包括:
确定第四预设范围,第四预设范围为基片在水平方向上所允许的范围;
根据待测基片1的轮廓识别当前待测基片1的长边;
判断长边是否超出第四预设范围;
若判断超出第四预设范围,则发生第四告警信息,第四告警信息为待测基片1的水平位置处发生异常。
具体的,如图6所示的基片水平位置的结构示意图。实线框为待测基片1的轮廓,虚线框所组成的区域为基片在水平方向上所允许的范围。由于当待测基片1在水平方向上发生移动时,相当于待测基片1在水平方向上整体向某一方向移动一定距离。因此可以根据待测基片1的轮廓来识别待测基片1的长边和短边,进而只要判断待测基片1的长边或者短边任意一个是否超出第四预设范围,即可以判断待测基片1在水平位置处是否发生异常。举例而言,若待测基片1水平方向上发生异常,则不管待测基片1的长边还是短边均超出了第四预设范围。
可选的,也可以通过识别连接与待测基片1的定位件的轮廓来判断待测基片1在水平方向上的位置是否发生异常。若待测基片1在水平方向上发生位移,则定位件也会随之发生移动。因此本公开还可以通过识别定位件的轮廓,进而通过判断定位件的轮廓是否位于虚线框所组成的区域内。若定位件的轮廓超出了虚线框所组成的区域,则说明待测基片1在水平方向上的位置发生了异常;若定位件的轮廓未超出虚线框所组成的区域,则说明待测基片1在水平方向上的位置处于正常状态。
在本公开的一种实施例中,检测方法还可以包括:
获取待测基片1的图像;
对待测基片1的图像进行二值化处理以得到感兴趣区域;
若感兴趣区域为全白,则判断当前无待测基片1。
具体的,当待测工位没有基片时,所获取的待测基片1图像经过二值化处理,其检测区域为全白,即当前区域无待测基片1。若判断当前无所述待测基片1,则发送第五告警信息,所述第五告警信息为检测区域无基片的异常。
本公开利用上述检测方法,通过对待测基片1的多个维度进行异常检测,能够极大提高其检测的准确性。此外,通过获取待测基片1的图像,能够提高其识别的精度,进而提高检测方法的可靠性。
本公开实施方式还提供一种基片位置检测装置,用于实现上述的检测方法,如图7所示的检测装置正视图的结构示意图和图8所示的检测装置俯视图的结构示意图。该检测装置可以包括装载腔6、待测基片1、图像采集组件7、光源组件4、控制组件9、显示组件10。装载腔6上设有相对设置的第一观察窗3和第二观察窗5,待测基片1可以位于装载腔6内。图像采集组件7设于第一观察窗3上,图像采集组件7可以位于第一观察窗3向远离装载腔6的一侧。光源组件4设于第二观察窗5上,光源组件4可以位于第二观察窗5向远离装载腔6的一侧。控制组件9可以与图像采集组件7和光源组件4连接,控制组件9用于判断待测基片1的位置是否发生异常。显示组件10可以与控制组件9连接,显示组件10用于显示待测基片1位置的状态。
可选的,检测装置还可以包括定位件2,该定位件2设置于所述待测基片1的轴心处,用于定位检测和垂直到位判断。
可选的,检测装置还可以包括搬运组件8,搬运组件8上安装有待测基片1;当待测基片1进行检测时,控制组件9驱动搬运组件8移动到预设位置处,预设位置为待测基片1的轴心与光源组件4的轴心和图像采集组件7的轴心均处于同一直线上。
在本公开的一种实施例中,由于用于固定基片的支座留有间隙,所以可以用手将基片推向各个极端位置,然后通过视觉记录图像采集组件7记录各个极端位置,最后通过控制组件9计算出基片前后倾斜允许范围、基片侧向倾斜范围和基片水平到位允许范围。而基片垂直到位允许范围需要人工设定。
可选的,第一预设范围即基片前后倾斜允许范围测量可以通过如下步骤实现:将基片传送到检测位置,用手将基片上端推向前端,将基片下端推向后端,形成基片最大前倾角度,按下显示组件10界面上的“识别最大前倾位置”按钮,控制组件9自动保存最大前倾位置。然后,用手将基片上端推向后端,将基片下端推向前端,形成基片最大后倾角度,按下界面上的“识别最大后倾位置”按钮,视觉系统自动保存最大后倾位置。通过最大前倾位置和最大后倾位置,计算得出基片前后倾斜允许范围。检测装置在实际运行时,若基待测片在此区域内,属于正常范围,否则发出待测基片1前后倾斜位置异常警报。
可选的,第二预设范围即基片侧向倾斜范围测量可以通过如下步骤实现:将基片输送到检测位置,用手将基片左侧推向前端,将基片右侧推向后端,形成基片最大侧向倾斜角度A,按下界面上的“识别最大侧向倾斜位置A”按钮,视觉系统自动保存最大侧向倾斜位置A。然后,用手将基片左侧推向后端,将基片右侧推向前端,形成基片最大侧向倾斜角度B,按下显示组件10界面上的“识别最大侧向倾斜位置B”按钮,控制组件9自动保存最大侧向倾斜位置B。通过最大侧向倾斜位置A和最大侧向倾斜位置B,控制组件9计算得出基片侧向倾斜允许范围。检测装置在实际运行时,若待测基片1在此区域内,属于正常范围,否则发出待测基片1侧向倾斜位置异常警报。
可选的,第四预设范围即基片水平到位允许范围测量可以通过如下步骤实现:将基片输送到检测位置,用手将基片上端和下端同时推向前端,形成基片水平最前位置,按下显示组件10界面上的“识别水平最前位置”按钮,控制组件9自动保存水平最前位置。然后,用手将基片上端和下端同时推向后端,形成基片水平最后位置,按下控制组件9界面上的“识别水平最后位置”按钮,控制组件9自动保存水平最后位置。通过水平最前位置和水平最后位置,控制组件9可以计算得出基片水平到位允许范围。检测装置实际运行时,若待测基片1在此区域内,属于正常范围,否则发出待测基片1水平位置异常警报。
本公开实施方式还提供一种镀膜机基片位置检测控制系统,该控制系统可以包括上述的检测装置和与检测装置的控制组件9相连接的镀膜机控制系统11。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是,本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (10)
1.一种基片位置异常的检测方法,其特征在于,包括:
设定基片正常位置的各个极限位置,计算正常位置的轮廓范围,生成正常范围轮廓边缘图像;
获取待测基片的图像;
根据所述待测基片的图像确定所述待测基片的轮廓;
通过位置异常判别算法判断当前所述待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内;
若判断所述待测基片的轮廓处于所述预设目标区域内,则判断当前所述待测基片的位置处于正常状态;
若判断所述待测基片的轮廓未处于所述预设目标区域内,则判断当前所述待测基片的位置处于异常状态,并发送告警信息。
2.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,通过位置异常判别算法判断当前所述待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内,包括:
根据生成的正常范围轮廓边缘图像,形成第一图像;
将所述第一图像填充,并进行二值化处理,形成第二图像;
根据所述待测基片的图像,获取边缘图像,形成第三图像;
将所述第三图像填充,并进行二值化处理,形成第四图像;
将所述第二图像和所述第四图像合并,形成第五图像;
将所述第五图像减去所述第二图像,形成第六图像;
统计所述第六图像有填充颜色的占比;
将所述占比与预置异常判断值比较,当所述占比小于或等于所述预置异常判断值,则判定基片在预设目标区域内;当所述占比大于所述预置异常判断值,则判定基片不在预设目标区域内。
3.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,判断当前所述待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内,包括:
确定第一预设范围,所述第一预设范围为所述基片所允许的前后倾斜角度范围;
根据所述待测基片的轮廓确定当前所述待测基片的前后倾斜角度;
判断当前所述待测基片的前后倾斜角度是否超出所述第一预设范围;
若判断超出所述第一预设范围,则发送第一告警信息,所述第一告警信息为所述待测基片的前后倾斜位置处发生异常。
4.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,判断当前所述待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内,还包括:
确定第二预设范围,所述第二预设范围为所述基片所允许的侧向倾斜范围;
根据所述待测基片的轮廓确定当前所述待测基片的短边在第一方向上的投影尺寸,所述第一方向垂直于所述待测基片的中轴线;
判断所述投影尺寸是否超出所述第二预设范围;
若判断超出所述第二预设范围,则发送第二告警信息,所述第二告警信息为所述待测基片的侧向倾斜位置处发生异常。
5.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,判断当前所述待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内,还包括:
确定第三预设范围,所述第三预设范围为所述基片上的定位件在垂直方向上所允许的范围;
根据所述定位件的轮廓确定所述定位件在垂直方向上的尺寸;
判断所述定位件在垂直方向上的尺寸是否超出第三预设范围;
若判断超出所述第三预设范围,则发送第三告警信息,所述第三告警信息为所述待测基片的垂直位置处发生异常。
6.根据权利要求5所述的检测方法,其特征在于,在所述基片的垂直方向上,所述定位件位于中间位置或边缘位置。
7.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,判断当前所述待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内,还包括:
确定第四预设范围,所述第四预设范围为所述基片在水平方向上所允许的范围;
根据所述待测基片的轮廓识别当前所述待测基片的长边或短边;
判断所述长边或所述短边是否超出所述第四预设范围;
若判断所述长边或所述短边超出所述第四预设范围,则发送第四告警信息,所述第四告警信息为所述待测基片的水平位置处发生异常。
8.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述检测方法还包括:
对所述待测基片的图像进行二值化处理以得到目标区域;
若所述目标区域为全白,则判断当前无所述待测基片;
若判断当前无所述待测基片,则发送第五告警信息,所述第五告警信息为检测区域无基片的异常。
9.一种基片位置检测装置,用于实现如权利要求1~8任意一项所述的检测方法,其特征在于,所述检测装置包括:
装载腔;
第一观察窗和第二观察窗,设于所述装载腔上;
待测基片,位于所述装载腔内;
图像采集组件,设于所述第一观察窗上;
光源组件,设于所述第二观察窗上;
控制组件,与所述图像采集组件和上述光源组件连接,所述控制组件用于判断待测基片的位置是否发生异常;
显示组件,与所述控制组件连接,所述显示组件用于显示所述待测基片位置的状态。
10.根据权利要求9所述的检测装置,其特征在于,所述检测装置还包括:
搬运组件,所述搬运组件上安装有待测基片;当所述待测基片进行检测时,所述控制组件驱动所述搬运组件移动到预设位置处,所述预设位置为所述待测基片的轴心与所述光源组件的轴心和所述图像采集组件的轴心均处于同一直线上。
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CN116883398A (zh) * | 2023-09-06 | 2023-10-13 | 湖南隆深氢能科技有限公司 | 基于电堆装配生产线的检测方法、系统、终端设备及介质 |
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