CN115389894A - 器件测试装置及器件测试装置的控制方法 - Google Patents

器件测试装置及器件测试装置的控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115389894A
CN115389894A CN202211013926.5A CN202211013926A CN115389894A CN 115389894 A CN115389894 A CN 115389894A CN 202211013926 A CN202211013926 A CN 202211013926A CN 115389894 A CN115389894 A CN 115389894A
Authority
CN
China
Prior art keywords
field effect
effect transistor
target field
grid
diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211013926.5A
Other languages
English (en)
Inventor
王荣华
刘强
梁凯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Miracle Power Semiconductor Co ltd
Original Assignee
Miracle Power Semiconductor Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Miracle Power Semiconductor Co ltd filed Critical Miracle Power Semiconductor Co ltd
Priority to CN202211013926.5A priority Critical patent/CN115389894A/zh
Publication of CN115389894A publication Critical patent/CN115389894A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607Circuits therefor
    • G01R31/2621Circuits therefor for testing field effect transistors, i.e. FET's
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607Circuits therefor
    • G01R31/2621Circuits therefor for testing field effect transistors, i.e. FET's
    • G01R31/2623Circuits therefor for testing field effect transistors, i.e. FET's for measuring break-down voltage therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本申请实施例公开了一种器件测试装置及器件测试装置的控制方法,所述器件测试装置包括直流电源、电感、变阻器、稳压二极管及栅极驱动设备;所述直流电源通过所述电感连接所述变阻器,所述稳压二极管的正极连接所述栅极驱动设备,所述稳压二极管的负极连接所述变阻器,所述变阻器与所述电感之间的节点用于连接目标场效应管的源极或漏极,所述稳压二极管的正极与所述栅极驱动设备之间的节点用于连接目标场效应管的栅极。通过本申请的器件测试装置能够准确测试出目标场效应管的安全工作区,避免目标场效应管工作在安全工作区以外导致的损坏,保证了包括目标场效应管的电子设备的稳定性和可靠性。

Description

器件测试装置及器件测试装置的控制方法
技术领域
本发明涉及器件测试领域,尤其涉及一种器件测试装置及器件测试装置的控制方法。
背景技术
随着硬件设备技术的快速发展,MOS(metal-oxide semiconductor,场效应管)器件的应用范围越来越广,场效应管的应用环境也越来越苛刻。晶体管的安全工作区是指场效应管能够安全、可靠运行的电流和电压范围。现有技术采用理论计算的方式得到场效应管的理论安全工作区,并将场效应管的理论工作区记录至规格书。
然而,理论计算的方式得到的理论安全工作区不准确,通常得到的理论安全工作区会远高于场效应管的实际安全工作区。当场效应管运行在高于实际安全工作区的理论安全工作区时,容易发生场效应管损坏的情况,进而影响了包括场效应管的电子设备的稳定性和可靠性,降低了电子设备的运行寿命。
发明内容
有鉴于现有技术存在的缺陷,本申请实施例目的在于提供一种器件测试装置及器件测试装置的控制方法,以解决得到的场效应管的安全工作区不准确的问题。
第一方面,本申请的一个实施方式提供器件测试装置,所述装置包括直流电源、电感、变阻器、稳压二极管及栅极驱动设备;
所述直流电源通过所述电感连接所述变阻器的一端,所述变阻器的另一端连接所述稳压二极管的负极,所述稳压二极管的正极连接所述栅极驱动设备,所述变阻器与所述电感之间的节点用于连接目标场效应管的源极或漏极,所述稳压二极管的正极与所述栅极驱动设备之间的节点用于连接目标场效应管的栅极;
所述直流电源用于提供直流电流,所述电感用于释放电能至所述目标场效应管,所述变阻器用于调整所述目标场效应管的栅极电压,所述稳压二极管用于稳定所述目标场效应管的电压,所述栅极驱动设备用于将脉冲测试信号输入至所述目标场效应管。
结合第一方面,在第一种可能的实现方式中,还包括第一二极管;
所述第一二极管的正极连接所述稳压二极管的正极,所述第一二极管的负极连接所述栅极驱动设备,所述第一二极管的负极与所述栅极驱动设备之间的节点用于连接目标场效应管的栅极;
所述第一二极管用于防止电流倒灌。
结合第一方面,在第二种可能的实现方式中,还包括电源开关管;
所述直流电源通过所述电源开关管连接所述电感,且所述电源开关管的控制端连接所述栅极驱动设备。
结合第一方面的第二种可能的实现方式,在第三可能的方式中,还包括第二二极管;
所述第二二极管的正极接地,所述第二二极管的负极连接所述电感和所述电源开关管之间的节点;
所述第二二极管用于对所述电感进行放电。
结合第一方面的第二种可能的实现方式,在第四可能的方式中,还包括第一栅极电阻;
所述电源开关管的栅极通过所述第一栅极电阻连接所述栅极驱动设备。
结合第一方面,在第五种可能的实现方式中,还包括第二栅极电阻;
所述第二栅极电阻的一端连接所述栅极驱动设备,所述第二栅极电阻的另一端用于连接所述目标场效应管的栅极。
结合第一方面,在第六种可能的实现方式中,所述栅极驱动设备包括驱动子设备和控制子设备;
所述控制子设备通过所述驱动子设备连接所述稳压二极管的正极,所述驱动子设备与所述稳压二极管的正极之间的节点用于连接所述目标场效应管的栅极;
所述驱动子设备用于将所述脉冲测试信号输入至所述目标场效应管,所述控制子设备用于控制所述驱动子设备产生脉冲测试信号。
结合第一方面的第六种可能的实现方式,在第七可能的方式中,所述栅极驱动设备还包括记录子设备;
所述记录子设备的第一端连接所述控制子设备,所述记录子设备的第二端连接驱动子设备与所述稳压二极管的正极之间的节点,所述记录子设备的第三端连接所述电感与所述变阻器之间的节点;
所述记录子设备用于获取时间数据及所述目标场效应管的电流数据和电压数据,并将所述目标场效应管的电流数据和电压数据发送至所述控制子设备;
所述控制子设备还用于存储所述目标场效应管的电流数据和电压数据。
第二方面,本申请的一个实施方式提供一种器件测试装置的控制方法,所述器件测试装置是根据第一方面所述的器件测试装置,所述方法包括:
将所述栅极驱动设备产生的脉冲测试信号输入至目标场效应管;
当所述电感的电流达到预设电流值时,将所述目标场效应管配置为关断状态;
调整所述变阻器的阻值直到所述目标场效应管发生损坏;
基于所述目标场效应管发生损坏时的电流值和电压值,得到所述目标场效应管的安全工作区。
结合第二方面,在第一种可能的实现方式中,所述调整所述变阻器的阻值直到所述目标场效应管发生损坏之后,所述基于所述目标场效应管发生损坏时的电流值和电压值,得到所述目标场效应管的安全工作区之前,还包括:
调整所述稳压二极管的耐压值,并将发生损坏的目标场效应管更换为未发生损坏的目标场效应管,重复执行将所述栅极驱动设备产生的脉冲测试信号输入至目标场效应管的步骤。
本申请提供一种器件测试装置,所述装置包括直流电源、电感、变阻器、稳压二极管及栅极驱动设备;所述直流电源通过所述电感连接所述变阻器,所述稳压二极管的正极连接所述栅极驱动设备,所述稳压二极管的负极连接所述变阻器,所述变阻器与所述电感之间的节点用于连接目标场效应管的源极或漏极,所述稳压二极管的正极与所述栅极驱动设备之间的节点用于连接目标场效应管的栅极。通过本申请的器件测试装置能够准确测试出目标场效应管的安全工作区,避免目标场效应管工作在安全工作区以外导致的损坏,保证了包括目标场效应管的电子设备的稳定性和可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对本发明保护范围的限定。在各个附图中,类似的构成部分采用类似的编号。
图1示出了本申请实施例提供的器件测试装置的第一种结构示意图;
图2示出了本申请实施例提供的器件测试装置的第二种结构示意图;
图3示出了本申请实施例提供的器件测试装置的第三种结构示意图;
图4示出了本申请实施例提供的器件测试装置的第四种结构示意图;
图5示出了本发明实施例提供的器件测试装置的控制方法的流程图。
主要元件符号说明:
100-器件测试装置;110-栅极驱动设备;111-驱动子设备、112-控制子设备、113-记录子设备;D1-稳压二极管、D2-第一二极管、D3-第二二极管、DUT-目标场效应管、VDD-直流电源、L-电感、Q-电源开关管、Rg1-第一栅极电阻、Rg2-第二栅极电阻、Rw-变阻器。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围,而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
在下文中,可在本发明的各种实施例中使用的术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合,并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。
此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
除非另有限定,否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义,除非在本发明的各种实施例中被清楚地限定。
实施例1
请参阅图1,图1示出了本申请实施例提供的器件测试装置的第一种结构示意图。示范性地,所述器件测试装置100包括直流电源VDD、电感L、变阻器Rw、稳压二极管D1及栅极驱动设备110;
所述直流电源VDD通过所述电感L连接所述变阻器Rw的一端,所述变阻器Rw的另一端连接所述稳压二极管D1的负极,所述稳压二极管D1的正极连接所述栅极驱动设备110,所述变阻器Rw与所述电感L之间的节点用于连接目标场效应管DUT的源极或漏极,所述稳压二极管D1的正极与所述栅极驱动设备110之间的节点用于连接目标场效应管DUT的栅极;
所述直流电源VDD用于提供直流电流,所述电感L用于释放电能至所述目标场效应管DUT,所述变阻器Rw用于调整所述目标场效应管DUT的栅极电压,所述稳压二极管D1用于稳定所述目标场效应管DUT的电压,所述栅极驱动设备110用于将脉冲测试信号输入至所述目标场效应管DUT。
目标场效应管DUT为需要测试得到安全工作区的场效应管,可以是P型场效应管,也可以是N型场效应管。测试目标场效应管DUT的安全工作区时,将目标场效应管DUT设置于器件测试装置100。为便于理解,本申请的实施例中,目标场效应管DUT的栅极连接稳压二极管D1的正极与栅极驱动设备110之间的节点,目标场效应管DUT的漏极连接变阻器Rw与电感L之间的节点,目标场效应管DUT的源极接地。
直流电源VDD的输出功率可调整,用于提供器件测试装置100所需的直流电流。栅极驱动设备110用于输出控制目标场效应管DUT开关状态的脉冲测试信号,具体地,当栅极驱动设备110输出高电平的脉冲测试信号至目标场效应管DUT时,目标场效应管DUT处于导通状态并工作在线性区,电压加载至电感L的两端给电感L充电。当栅极驱动设备110输出低电平的脉冲测试信号至目标场效应管DUT时,目标场效应管DUT处于关断状态。由于电感L的特性,电感L将产生的电动势加载至目标场效应管DUT的漏极。
稳压二极管D1用于稳定所述目标场效应管DUT的漏极电压。由于稳压二极管D1的存在,目标场效应管DUT的漏极电压超过稳压二极管D1的击穿电压时,稳压二极管D1将发生击穿,并导致电流传输至目标场效应管DUT的栅极进行充电。目标场效应管DUT处于微导通状态,进而使得目标场效应管DUT的漏极电压钳位至稳压二极管D1的击穿电压附近。调整变阻器Rw的阻值可调整目标场效应管DUT的开启程度,进而调整流经目标场效应管DUT的电流。调整所述变阻器Rw的阻值直到目标场效应管DUT发生损坏,基于目标场效应管DUT发生损坏时的电流值和电压值,得到目标场效应管DUT的安全工作区。通过本申请的器件测试装置100能够准确测试出目标场效应管DUT的安全工作区,避免目标场效应管DUT工作在安全工作区以外导致的损坏,保证了包括目标场效应管DUT的电子设备的稳定性和可靠性。
请一并参阅图2,图2示出了本申请实施例提供的器件测试装置的第二种结构示意图。所述器件测试装置100还包括第一二极管D2;
所述第一二极管D2的正极连接所述稳压二极管D1的正极,所述第一二极管D2的负极连接所述栅极驱动设备110,所述第一二极管D2的负极与所述栅极驱动设备110之间的节点用于连接目标场效应管DUT的栅极;
所述第一二极管D2用于防止电流倒灌。
为便于理解,本申请的实施例中,稳压二极管D1的正极与栅极驱动设备110之间的节点连接目标场效应管DUT的栅极,等效于第一二极管D2的负极与栅极驱动设备110之间的节点连接目标场效应管DUT的栅极。由于器件测试装置100还包括第二栅极电阻Rg2,图中第一二极管D2的负极通过第二栅极电阻Rg2连接栅极驱动设备110。由于二极管具有单向导通的特征,第一二极管D2用于防止发生电流倒灌,避免倒灌的电流对测试目标场效应管DUT的安全工作区的影响,进而保证得到准确的目标场效应管DUT的安全工作区。
进一步地,所述器件测试装置100还包括电源开关管Q;
所述直流电源VDD通过所述电源开关管Q连接所述电感L,且所述电源开关管Q的控制端连接所述栅极驱动设备110。
由于器件测试装置100还包括第一栅极电阻Rg1,图中电源开关管Q的控制端通过第一栅极电阻Rg1连接栅极驱动设备110。电源开关管Q用于控制直流电源VDD与电感L之间的连接状态,具体地,当需要对电感L充电时,栅极驱动设备110发送控制信号至电源开关管Q和目标场效应管DUT,控制电源开关管Q和目标场效应管DUT处于导通状态。直流电源VDD、电源开关管Q、电感L和目标场效应管DUT构成导通回路,并对应电感L进行充电。当需要对电感L放电时,栅极驱动设备110发送控制信号至电源开关管Q,控制电源开关管Q处于关断状态。需要理解的是,电源开关管Q可以任意的场效应管,在此不做限定。为便于理解,本申请的实施例中,电源开关管Q为场效应管。具体地,电源开关管Q的栅极为控制端,且电源开关管Q的栅极连接栅极驱动设备110,电源开关管Q的漏极连接直流电源VDD,电源开关管Q的源极连接电感。
进一步地,所述器件测试装置100还包括第二二极管D3;
所述第二二极管D3的正极接地,所述第二二极管D3的负极连接所述电感L和所述电源开关管Q之间的节点;
所述第二二极管D3用于对所述电感L进行放电。
每次测试目标场效应管之后,都需要释放电感L中的电流。具体地,目标场效应管DUT保持导通状态,将电源开关管Q由导通状态切换至关断状态,电感L与直流电源VDD处于不连接状态。目标场效应管DUT、电感L及第二二极管D3构成导通回路,实现对电感L的放电。
进一步地,所述器件测试装置100还包括第一栅极电阻Rg1;
所述电源开关管Q的栅极通过所述第一栅极电阻Rg1连接所述栅极驱动设备110。
第一栅极电阻Rg1用于消除电源开关管Q的栅极振荡,降低栅极驱动设备110输出的信号功率损耗,进而提高电源开关管Q对栅极驱动设备110输出的信号的响应速度。
进一步地,所述器件测试装置100还包括第二栅极电阻Rg2;
所述第二栅极电阻Rg2的一端连接所述栅极驱动设备110,所述第二栅极电阻Rg2的另一端用于连接所述目标场效应管DUT的栅极。
当稳压二极管D1发生击穿时,电流通过第一二极管D2传输至第二栅极电阻Rg2,第二栅极电阻Rg2形成压降并给目标场效应管DUT的栅极充电。同时,第二栅极电阻Rg2用于消除目标场效应管DUT的栅极振荡,降低栅极驱动设备110输出的信号功率损耗,进而提高目标场效应管DUT对栅极驱动设备110输出的信号的响应速度。需要理解的是,第一栅极电阻Rg1和第二栅极电阻Rg2的阻值是根据实际需求设置,在此不做限定。
请一并参阅图3,图3示出了本申请实施例提供的器件测试装置的第三种结构示意图。所述栅极驱动设备110包括驱动子设备111和控制子设备112;
所述控制子设备112通过所述驱动子设备111连接所述稳压二极管D1的正极,所述驱动子设备111与所述稳压二极管D1的正极之间的节点用于连接所述目标场效应管DUT的栅极;
所述驱动子设备111用于将所述脉冲测试信号输入至所述目标场效应管DUT,所述控制子设备112用于控制所述驱动子设备111产生脉冲测试信号。
驱动子设备111可产生不同脉冲频率和电平大小的脉冲测试信号,并将产生的脉冲测试信号输入至目标场效应管DUT,控制目标场效应管DUT的开关状态。为便于理解,本申请的实施例中,驱动子设备111将高电平的测试信号输入至目标场效应管DUT时,目标场效应管DUT处于导通状态。驱动子设备111将低电平的测试信号输入至目标场效应管DUT时,目标场效应管DUT处于关断状态。控制子设备112用于控制驱动子设备111产生不同的脉冲测试信号,配置测试目标场效应管DUT所需的运行环境条件。此外,控制子设备112还用于生成其它的控制指令,在此不做赘述。
进一步地,所述栅极驱动设备110还包括记录子设备113;
所述记录子设备113的第一端连接所述控制子设备112,所述记录子设备113的第二端连接驱动子设备111与所述稳压二极管D1的正极之间的节点,所述记录子设备113的第三端连接所述电感L与所述变阻器Rw之间的节点;
所述记录子设备113用于获取时间数据及所述目标场效应管DUT的电流数据和电压数据,并将所述目标场效应管DUT的电流数据和电压数据发送至所述控制子设备112;
所述控制子设备112还用于存储所述目标场效应管DUT的电流数据和电压数据。
为便于理解,本申请的实施例中,记录子设备113的第一端连接控制子设备112,记录子设备113的第二端连接目标场效应管DUT的栅极,记录子设备113的第二端连接目标场效应管DUT的漏极。记录子设备113用于获取时间数据及目标场效应管DUT的漏极电流、栅极电流、漏极电压及栅极电压,以便于观察波形。控制子设备112还用于存储获取到的漏极电流、栅极电流、漏极电压及栅极电压,以得到目标场效应管DUT的安全工作区。此外,控制子设备112还用于存储其它图形式和形式的数据,在此不做赘述。
请一并参阅图4,图4示出了本申请实施例提供的器件测试装置的第四种结构示意图。
由于驱动子设备111产生控制目标场效应管DUT和电源开关管Q的控制信号。本实施例中,驱动子设备111的第一端连接控制子设备112,驱动子设备111的第二端通过第二栅极电阻Rg2连接目标场效应管DUT的栅极,驱动子设备111的第三端通过第一栅极电阻Rg1连接电源开关管Q。通过驱动子设备111输出的控制信号,控制目标场效应管DUT和电源开关管Q的开关状态。
本申请提供一种器件测试装置,所述装置包括直流电源、电感、变阻器、稳压二极管及栅极驱动设备;所述直流电源通过所述电感连接所述变阻器,所述稳压二极管的正极连接所述栅极驱动设备,所述稳压二极管的负极连接所述变阻器,所述变阻器与所述电感之间的节点用于连接目标场效应管的源极或漏极,所述稳压二极管的正极与所述栅极驱动设备之间的节点用于连接目标场效应管的栅极。通过本申请的器件测试装置能够准确测试出目标场效应管的安全工作区,避免目标场效应管DUT工作在安全工作区以外导致的损坏,保证了包括目标场效应管的电子设备的稳定性和可靠性。
实施例2
请参阅图5,图5示出了本发明实施例提供的器件测试装置的控制方法的流程图。所述器件测试装置100是根据实施例1所述的器件测试装置100,所述方法包括以下步骤:
步骤210,将所述栅极驱动设备110产生的脉冲测试信号输入至目标场效应管DUT。
为便于理解,本申请的实施例中,目标场效应管DUT的栅极连接稳压二极管D1的正极与栅极驱动设备110之间的节点,目标场效应管DUT的漏极连接变阻器Rw与电感L之间的节点,目标场效应管DUT的源极接地。
将栅极驱动设备110产生的脉冲测试信号输入至目标场效应管DUT,控制目标场效应管DUT处于导通状态。直流电源VDD、电感L和目标场效应管DUT构成导通回路,电压加载至电感L的两端,使得电感L通过直流电源VDD输出的直流电流进行充电。
步骤220,当所述电感L的电流达到预设电流值时,将所述目标场效应管DUT配置为关断状态。
当电感L的电流达到预设电流值时,栅极驱动设备110输出低电平的脉冲测试信号至目标场效应管DUT,将目标场效应管DUT配置为关断状态,使得电感L产生的电动势与直流电源VDD的电压一并加载至目标场效应管DUT,在DUT发生雪崩击穿前,稳压器件发生击穿并导致电流传输至目标场效应管DUT的栅极进行充电。目标场效应管DUT处于微导通状态,目标场效应管DUT的漏极电压钳位至稳压二极管D1的击穿电压附近。
步骤230,调整所述变阻器Rw的阻值直到所述目标场效应管DUT发生损坏。
目标场效应管DUT的测试过程包括三个测试阶段,具体地,第一测试阶段包括:将栅极驱动设备110产生的脉冲测试信号输入至目标场效应管DUT,控制目标场效应管DUT处于导通状态,对电感L进行充电。第二测试阶段包括:栅极驱动设备110输出低电平的脉冲测试信号至目标场效应管DUT,将目标场效应管DUT配置为关断状态。稳压器件发生击穿并导致电流传输至目标场效应管DUT的栅极进行充电,目标场效应管DUT处于微导通状态,目标场效应管DUT的漏极电压钳位至稳压二极管D1的击穿电压附近。第三测试阶段包括:在第二测试阶段结束之后,将目标场效应管DUT配置为导通状态,释放电感L中存储的电流。需要理解的是,第一测试阶段的测试时长由电感L、电压及需求电流共同决定,第二测试阶段的测试时长由期望观察的脉冲时长决定,在此不做赘述。三个测试阶段构成目标场效应管DUT的一轮测试,得到目标场效应管DUT的安全工作区。
若第二测试阶段中的目标场效应管DUT未发生损坏,在下一轮的测试中调整一次变阻器Rw的阻值。通过调整变阻器Rw的阻值来调整经过目标场效应管DUT两端的电压,直到某一轮的测试中目标场效应管DUT发生损坏。当目标场效应管DUT由导通状态切换至关断状态时,在DUT发生雪崩击穿前,稳压器件发生击穿,并导致电流传输至目标场效应管DUT的栅极进行充电,使得目标场效应管DUT切换至微导通状态。目标场效应管DUT的栅极电压降低至一个较低的电压值,调整变阻器Rw的阻值直到目标场效应管DUT发生损坏之后,目标场效应管DUT的栅极电压降低为零。目标场效应管DUT的漏极电压上升至钳位电压附近,调整变阻器Rw的阻值直到目标场效应管DUT发生损坏之后,目标场效应管DUT的漏极电压降低为零。
步骤240,基于所述目标场效应管DUT发生损坏时的电流值和电压值,得到所述目标场效应管DUT的安全工作区。
基于目标场效应管DUT发生损坏时的电流值和电压值,得到一个目标场效应管DUT的安全工作点。当目标场效应管DUT在安全工作点对应的范围内运行时,不会发生损坏。基于得到的安全工作点,生成准确的目标场效应管DUT的安全工作区,避免目标场效应管工作在安全工作区以外导致的损坏,保证了包括目标场效应管DUT的电子设备的稳定性和可靠性。
作为一个示例,所述调整所述变阻器Rw的阻值直到所述目标场效应管DUT发生损坏之后,所述基于所述目标场效应管DUT发生损坏时的电流值和电压值,得到所述目标场效应管DUT的安全工作区之前,还包括:
调整所述稳压二极管D1的耐压值,并将发生损坏的目标场效应管DUT更换为未发生损坏的目标场效应管DUT,重复执行将所述栅极驱动设备110产生的脉冲测试信号输入至目标场效应管DUT的步骤。
目标场效应管DUT发生损坏之后,对电感L进行放电,并将发生损坏的目标场效应管DUT更换为未发生损坏的目标场效应管DUT。调整稳压二极管D1的耐压值,可通过更换不同耐压值稳压二极管D1,实现对稳压二极管D1的耐压值调整,在此不做赘述。
通过调整稳压二极管D1的耐压值,调整目标场效应管DUT处于微导通状态的钳位电压,进而调整经过目标场效应管DUT的电流。重新执行将所述栅极驱动设备110产生的脉冲测试信号输入至目标场效应管DUT的步骤,得到不同电压和不同电流的目标场效应管DUT的安全工作点。多次调整稳压二极管D1的耐压值,得到预设数量的不同安全工作点,其中,预设数量是根据实际需求设置的,在此不做限定。基于预设数量的不同安全工作点,绘制目标场效应管DUT的安全工作曲线,进而得到目标场效应管DUT的安全工作区。
本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时,实现如实施例2所述的器件测试装置的控制方法。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的装置和方法,也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,附图中的流程图和结构图显示了根据本发明的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上,流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分,所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意,在作为替换的实现方式中,方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如,两个连续的方框实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这依所涉及的功能而定。也要注意的是,结构图和/或流程图中的每个方框、以及结构图和/或流程图中的方框的组合,可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现,或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
另外,在本发明各个实施例中的各功能模块或单元可以集成在一起形成一个独立的部分,也可以是各个模块单独存在,也可以两个或更多个模块集成形成一个独立的部分。
所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是智能手机、个人计算机、服务器、或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种器件测试装置,其特征在于,所述装置包括直流电源、电感、变阻器、稳压二极管及栅极驱动设备;
所述直流电源通过所述电感连接所述变阻器的一端,所述变阻器的另一端连接所述稳压二极管的负极,所述稳压二极管的正极连接所述栅极驱动设备,所述变阻器与所述电感之间的节点用于连接目标场效应管的源极或漏极,所述稳压二极管的正极与所述栅极驱动设备之间的节点用于连接目标场效应管的栅极;
所述直流电源用于提供直流电流,所述电感用于释放电能至所述目标场效应管,所述变阻器用于调整所述目标场效应管的栅极电压,所述稳压二极管用于稳定所述目标场效应管的电压,所述栅极驱动设备用于将脉冲测试信号输入至所述目标场效应管。
2.根据权利要求1所述的器件测试装置,其特征在于,还包括第一二极管;
所述第一二极管的正极连接所述稳压二极管的正极,所述第一二极管的负极连接所述栅极驱动设备,所述第一二极管的负极与所述栅极驱动设备之间的节点用于连接目标场效应管的栅极;
所述第一二极管用于防止电流倒灌。
3.根据权利要求1所述的器件测试装置,其特征在于,还包括电源开关管;
所述直流电源通过所述电源开关管连接所述电感,且所述电源开关管的控制端连接所述栅极驱动设备。
4.根据权利要求3所述的器件测试装置,其特征在于,还包括第二二极管;
所述第二二极管的正极接地,所述第二二极管的负极连接所述电感和所述电源开关管之间的节点;
所述第二二极管用于对所述电感进行放电。
5.根据权利要求3所述的器件测试装置,其特征在于,还包括第一栅极电阻;
所述电源开关管的栅极通过所述第一栅极电阻连接所述栅极驱动设备。
6.根据权利要求1所述的器件测试装置,其特征在于,还包括第二栅极电阻;
所述第二栅极电阻的一端连接所述栅极驱动设备,所述第二栅极电阻的另一端用于连接所述目标场效应管的栅极。
7.根据权利要求1所述的器件测试装置,其特征在于,所述栅极驱动设备包括驱动子设备和控制子设备;
所述控制子设备通过所述驱动子设备连接所述稳压二极管的正极,所述驱动子设备与所述稳压二极管的正极之间的节点用于连接所述目标场效应管的栅极;
所述驱动子设备用于将所述脉冲测试信号输入至所述目标场效应管,所述控制子设备用于控制所述驱动子设备产生脉冲测试信号。
8.根据权利要求7所述的器件测试装置,其特征在于,所述栅极驱动设备还包括记录子设备;
所述记录子设备的第一端连接所述控制子设备,所述记录子设备的第二端连接驱动子设备与所述稳压二极管的正极之间的节点,所述记录子设备的第三端连接所述电感与所述变阻器之间的节点;
所述记录子设备用于获取时间数据及所述目标场效应管的电流数据和电压数据,并将所述目标场效应管的电流数据和电压数据发送至所述控制子设备;
所述控制子设备还用于存储所述目标场效应管的电流数据和电压数据。
9.一种器件测试装置的控制方法,其特征在于,所述器件测试装置是根据权利要求1-8中任一项所述的器件测试装置,所述方法包括:
将所述栅极驱动设备产生的脉冲测试信号输入至目标场效应管;
当所述电感的电流达到预设电流值时,将所述目标场效应管配置为关断状态;
调整所述变阻器的阻值直到所述目标场效应管发生损坏;
基于所述目标场效应管发生损坏时的电流值和电压值,得到所述目标场效应管的安全工作区。
10.根据权利要求9所述的器件测试装置的控制方法,其特征在于,所述调整所述变阻器的阻值直到所述目标场效应管发生损坏之后,所述基于所述目标场效应管发生损坏时的电流值和电压值,得到所述目标场效应管的安全工作区之前,还包括:
调整所述稳压二极管的耐压值,并将发生损坏的目标场效应管更换为未发生损坏的目标场效应管,重复执行将所述栅极驱动设备产生的脉冲测试信号输入至目标场效应管的步骤。
CN202211013926.5A 2022-08-23 2022-08-23 器件测试装置及器件测试装置的控制方法 Pending CN115389894A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211013926.5A CN115389894A (zh) 2022-08-23 2022-08-23 器件测试装置及器件测试装置的控制方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211013926.5A CN115389894A (zh) 2022-08-23 2022-08-23 器件测试装置及器件测试装置的控制方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115389894A true CN115389894A (zh) 2022-11-25

Family

ID=84120587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211013926.5A Pending CN115389894A (zh) 2022-08-23 2022-08-23 器件测试装置及器件测试装置的控制方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115389894A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116436450A (zh) * 2023-03-28 2023-07-14 重庆大学 Mos型半导体器件的栅极驱动电路和电力变换装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116436450A (zh) * 2023-03-28 2023-07-14 重庆大学 Mos型半导体器件的栅极驱动电路和电力变换装置
CN116436450B (zh) * 2023-03-28 2024-04-09 重庆大学 Mos型半导体器件的栅极驱动电路和电力变换装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107636968B (zh) 功率用半导体元件的驱动控制电路
EP3565073B1 (en) Self-test of over-current fault detection
TWI428617B (zh) 半導體元件的測試裝置以及測試方法
US9222966B2 (en) Test apparatus and test method
US20150364913A1 (en) Load driving circuit
CN108075460B (zh) 具有反馈控制的浪涌保护电路
US8866489B2 (en) Test apparatus with power cutoff section having variable maximum and minimum thresholds
CN109309381B (zh) 限流电路及限流方法
CN112838746A (zh) 具有集成米勒钳位器的栅极驱动器
US9478975B2 (en) Protection circuit and related method
JP2024026303A (ja) 非飽和又は短絡障害を制御するためのSiC及びIGBTパワーデバイス用のゲート駆動制御システム
EP2101389A1 (en) Monitoring and control circuit for adjusting current
US20140049866A1 (en) Method for Controlling a Transistor and Control Circuit
CN115389894A (zh) 器件测试装置及器件测试装置的控制方法
US9673609B2 (en) Self-test of over-current fault detection
KR101771803B1 (ko) 과전류 보호 회로 및 방법
CN111146928A (zh) 调节电路和buck电路
TW201539001A (zh) 電力供應裝置、包含電力供應裝置之測試設備、及用以操作電力供應裝置之方法
KR102338806B1 (ko) 전압 레귤레이터
US11056969B2 (en) Boost converter short circuit protection
CN108469582B (zh) 一种测试电路
US10018678B2 (en) Method and device for measuring a battery cell current
KR20150105809A (ko) 로드 스위치를 포함하는 제어 회로, 로드 스위치를 포함하는 전자 장치 및 그 스위치 제어 방법
CN106058798A (zh) 电压保护装置、方法及可穿戴设备
EP3579328A1 (en) Charging device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination