KR101771803B1 - 과전류 보호 회로 및 방법 - Google Patents

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마리오 알레한드로 로드리게즈 로드리게즈
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컨티넨탈 오토모티브 시스템즈 인코포레이티드
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Abstract

DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하는 방법으로서, 상기 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 미리 결정된 임계값을 초과할 때를 결정하고, 상기 전류가 상기 미리 결정된 임계값을 초과할 때 상기 트랜지스터를 비활성화하는 단계로서, 상기 트랜지스터가 비활성화되면 상기 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 상당히 제한하는데 효과적이고, 상기 전류가 제한되면 과전류 상태에서 상기 트랜지스터에 손상이 일어나는 것을 방지하는데 효과적인, 상기 트랜지스터를 비활성화하는 단계; 및 타임오프(time off) 회로가 상기 DC-DC 컨버터 회로를 리셋할 때까지 상기 트랜지스터를 비활성화된 상태에 유지하는 단계로서, 이 비활성화된 상태는 상기 타임온(듀티 사이클 - D.C.)과 주파수를 감소시켜 스위칭 전력 손실로 인해 상기 트랜지스터에 손상이 일어나는 것을 추가적으로 방지하는데 추가적으로 효과적인, 상기 트랜지스터를 비활성화된 상태에 유지하는 단계를 포함하는 방법에 관한 것이다.

Description

과전류 보호 회로 및 방법{OVER-CURRENT PROTECTION CIRCUIT AND METHOD}
본 출원은 DC-DC 컨버터에 관한 것으로, 보다 상세하게는, DC-DC 컨버터에 있는 트랜지스터를 보호하기 위한 보호 회로에 관한 것이다.
배터리(및 종종 다수의 배터리)를 사용하여 여러 유형의 시스템에 전력을 공급한다. 배터리 사용의 일부 예는 배터리를 사용하여 종래의 내연 차량의 전기 시스템, 전기 차량 또는 하이브리드 전기 차량의 모터에 전력을 공급할 때이다. 이 시스템에서 배터리는 12 내지 400 볼트 범위의 전압을 제공하는 배터리 팩일 수 있다.
동일한 차량에 사용되는 액세서리 및 다른 컴포넌트(예를 들어, 연료 인젝터)는 일반적으로 200 내지 400 볼트와는 상이한 전압을 요구한다. 이 전압은 일반적으로 12V 배터리 또는 24V의 배터리 어레이로부터 제공된다. 사용될 수 있는 하나의 이러한 변환 시스템은 DC-DC 컨버터이다. DC-DC 컨버터의 일부 예에서, 전압은 (예를 들어, 연료 인젝터를 구동하기 위해) 12 볼트로부터 48 볼트로 변환될 수 있다. 변환의 다른 예도 가능하다.
DC-DC 컨버터가 사용되었으나, 이들 컨버터는 동작 문제와 한계를 가지고 있다. 예를 들어, DC-DC 컨버터 내 변환 회로는 일반적으로 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 너무 높은 전류가 인가될 때 손상되거나 파괴될 수 있다. 예를 들어, 인덕터를 사용하는 특정 응용에서, 인덕터는 결함이 있는 경우 회로들을 구동하는 트랜지스터에 고전류를 유발할 수 있다. 다른 예에서, 회로의 제어 로직에 글리치 도는 출력에 과부하가 걸리면 너무 많은 전류가 트랜지스터를 통해 흐르게 되어 트랜지스터가 파괴될 수 있다.
이전의 접근법은 전술한 문제를 해결하는데 완전히 성공적이지 못하였다. 이것은 이전의 시스템과 접근법에 일부 사용자의 불만족을 유발하였다.
본 발명을 보다 완전히 이해하기 위해, 이하의 상세한 설명과 첨부 도면을 참조한다.
도 1은 본 발명의 여러 실시예에 따른 보호 회로의 회로도를 도시하는 도면;
도 2는 본 발명의 여러 실시예에 따른 도 1의 보호 회로를 사용하는 시스템의 회로도를 도시하는 도면;
도 3은 본 발명의 여러 실시예에 따른 도 1 및 도 2의 동작 측면을 도시하는 그래프.
이 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 도면에 있는 요소들은 간략함과 명료함을 위해 도시된 것이라는 것을 이해할 수 있을 것이다. 특정 액션 및/또는 단계들이 특정 발생 순서로 설명되거나 도시되었을 수 있으나 이 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 이 순서에 대한 특정 사항은 반드시 실제 요구되는 것은 아니라는 것을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에 사용된 용어와 표현은 특정 의미들이 본 명세서에 달리 제시된 것을 제외하고는 대응하는 각 해당 분야에서 이 용어와 표현에 따르는 일상적인 의미를 가지는 것으로 더 이해된다.
미리 결정된 임계값을 초과하는 전류에 도달하는 시간에 고전압 전압 DC-DC 컨버터 중 임의의 하나 이상의 채널의 동작을 중지시키는 접근법이 본 명세서에 설명된다. 특히, 이 채널들 중 임의의 것에 의해 사용되는 드라이버 트랜지스터가 비활성화되어, 트랜지스터가 과전류 상태에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. 트랜지스터가 과전류 상태에서 살아 남는 것을 보장하는 고정된 타임아웃(time out) 동안 트랜지스터는 오프(off) 상태로 유지된다.
이들 실시예 중 많은 실시예에서, 메인 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 미리 결정된 임계값을 초과하는 시기에 대한 결정이 이루어진다. 전류가 미리 결정된 임계값을 초과하는 경우, 트랜지스터는 비활성화된다. 트랜지스터가 비활성화되면 메인 스위치를 통해 흐르는 전류를 제한하여 전력 소비를 상당히 감소시키는데 효과적이다. 전류가 제한되면 과전류 상태에서 트랜지스터에 손상이 일어나는 것을 방지하는데 효과적이다. 트랜지스터는 타임아웃 회로가 DC-DC 컨버터를 리셋할 때까지 비활성화된 상태에 유지된다. 트랜지스터가 비활성화된 상태에 유지되면 메인 스위치의 듀티 사이클(타임온(time on))과 동작 주파수를 상당히 감소시켜서 전력 소비를 감소시키는데 추가적으로 효과적이다.
다른 측면에서, 과전류 상태는 DC-DC 컨버터 회로에서 결함 있는 인덕터에 의해 유발될 수 있다. 이 과전류 상태를 검출하는 하나의 방식은 트랜지스터를 통해 흐르는 전류에 비례하는 전압과 기준 전압을 비교하는 것에 의한다. 이 비교는 비교기로 배열된 전자 회로를 사용하여 이루어진다. 비교기의 출력을 사용하여 채널 메모리 래치를 리셋하고 메인 스위치를 비활성화한다. 래치의 출력은 또한 마이크로제어기에 결함 상태를 표시하는 것으로 사용될 수 있다.
일부 측면에서, DC-DC 컨버터는 차량에 있는 디바이스를 구동한다. 일부 예에서, 디바이스는 연료 분사 장치이다. 디바이스의 다른 예도 가능하다.
이제 도 1 및 도 2를 참조하면, DC-DC 컨버터(100) 내에 배치된 보호 회로(102)의 일 예가 설명된다. 보호 회로(102)는 제1 저항기(104)(R1999), 제2 저항기(105)(R2000), 연산 증폭기(106)(U3), 제1 커패시터(C1)(107), 제3 저항기(111)(2001), 제2 연산 증폭기(U2)(108), 제1 NAND 게이트(109) 및 제2 NAND 게이트(110)를 포함한다. NAND 게이트(109 및 110)는 래치로 배열된다.
DC-DC 컨버터(100)는 입력 회로(120), 출력 회로(130), 드라이버 회로(140), 타임오프(timeoff) 회로(150), 전류 피드백 회로(160), 채널 메모리(170), 트랜지스터(190), NAND 게이트(192), 바이폴러 트랜지스터(93), 저항기(194) 및 커패시터(195)를 구비한다.
입력 회로(120)는 배터리(122), 커패시터(124), 저항기(126) 및 인덕터(128)를 포함한다. 출력 회로(130)는 커패시터(132), 스위치(134) 및 부하(136)를 포함한다. 부하(136)는 일 예에서 차량 액세서리일 수 있다. 다른 예에서, 부하는 연료 인젝터일 수 있다. 다른 예도 가능하다.
드라이버 회로(140)는 제1 트랜지스터(141), 제2 트랜지스터(142), 제3 트랜지스터(143), 커패시터(144) 및 저항기(145, 146 및 147)를 포함한다. 타임오프 회로(150)는 연산 증폭기(151), 저항기(152) 및 커패시터(153 및 154)를 포함한다.
전류 피드백 회로(160)는 저항기(161, 162 및 163), 커패시터(164 및 165), 및 연산 증폭기(166)를 포함한다. 채널 메모리(170)는 NAND 게이트(171, 172, 173 및 174)를 포함한다.
트랜지스터(190)는 인버터로 연결되고, NAND 게이트(192), 보호 회로(102), 입력 회로(120) 및 출력 회로(180)에 결합된다.
도 1 및 도 2의 회로의 동작의 일부 측면에서, 배터리(122)는 전압과 전류를 생성한다. 전류가 인덕터(128)를 통해 흘러 이 인덕터에 저장된다. 트랜지스터(143)가 폐쇄될 때 인덕터(128)로부터 전류가 드라이버 회로(140)로 가고, 이 전류는 분로 저항기(161)로 흘러 전류 피드백 회로(160) 내 노드(167)에 전압을 생성한다. 이 전압이 미리 결정된 값을 초과할 때, 전류 피드백 회로(160) 내 연산 증폭기(166)의 출력은 낮은 논리 값으로 변한다.
연산 증폭기(166)의 출력 값이 낮으면 채널 메모리(170) 내 래치가 리셋된다. 특히, NAND 게이트(172)의 출력은 높은 논리 레벨로 변하고, 그 다음 NAND 게이트(173)의 출력은 낮은 논리 레벨로 변하고, 그 다음 NAND 게이트(174)의 다른 입력이 높은 논리 레벨(인에이블 입력)로 설정된 경우 이 NAND 게이트(174)의 출력은 높은 논리 레벨로 변한다.
NAND 게이트(174)로부터 이 높은 논리 레벨은 드라이버 회로(140)로 다시 전달된다. 이것은 트랜지스터(142)를 활성화시킨다. 트랜지스터(142)가 활성화되면 드라이버 트랜지스터(143)가 턴오프된다. 그 결과, 인덕터(128)로부터 전류 피드백 회로(160)로 경로를 통해 더 이상 전류가 흐르지 않는다. 대신, 이 전류는 출력(130)으로 나간다.
인덕터(128)가 이 인덕터의 출력에 0 전류, 네거티브(negative)의 전압을 가지면(이 상태는 "스윙 백(swing back)"이라고 지칭됨), 다이오드(193)는 순방향 바이어스되고, 이것으로 커패시터(153)가 방전된다.
이 예에서 보호 회로(102)는 여러 스테이지를 구비하도록 구성되고 제1 스테이지 내 증폭기(106)는 일 예에서 비-반전 증폭기로 구성된 LM2903 비교기일 수 있다. V분로는 드라이버 트랜지스터(143)를 통한 코스인 DC/DC 컨버터의 전류 센싱 분로에 연결된다. 이 스테이지는 분로의 전압을 약 11배로 증폭한다. 다른 증폭들도 가능하다.
이 예에서 보호 회로의 제2 스테이지는 비교기(108)이고, 증폭된 V분로가 2.5V 기준 전압의 임계값을 가로지를 때 출력은 0V로 되고 그렇지 않은 경우 5V에 유지된다. 다른 값도 가능하다.
보호 회로(102)의 제3 스테이지는 2개의 고속 스위칭 NAND 게이트(NAND 게이트(109 및 110))에 의해 이루어진 S-R 래치이다. 비교기(108)의 출력이 0V가 될 때 래치는 리셋되어 출력(Q 및
Figure 112015102858958-pat00001
)이 논리 상태를 스위칭하게 한다.
Figure 112015102858958-pat00002
는 본 명세서에서 "Q의 네거티브(negative)"라고도 지칭된다.
Q는 통상적으로 높은 상태에 있는 반면,
Figure 112015102858958-pat00003
는 낮은 상태에 있다. 과전류 상태가 검출된 경우, Q는 낮은 상태가 되고,
Figure 112015102858958-pat00004
는 높은 상태가 된다. Q는 트랜지스터(190)(일 예로 "스윙 백" 검출을 활성화/ 비활성화하는 NMOS임)에 연결된다. Q가 높은 상태에 있을 때, 트랜지스터(190)는 폐쇄되고 "스윙 백" 검출이 활성화되어서 DC/DC 컨버터(100)는 정상적으로 동작한다. Q가 낮을 때 트랜지스터(190)는 개방되어서 " 스윙 백" 검출을 비활성화한다. 이것은 도 2의 회로의 동작 주파수를 최소값으로 효과적으로 차단(cut)한다. 따라서, 이것은 타임오프 회로(150)의 RC 네트워크(커패시터(153)와 저항기(152))의 전압이 임계값(예를 들어, 2.5 볼트)을 초과하는 한, 드라이버 회로(140)가 오프로 유지되게 한다.
Figure 112015102858958-pat00005
는 트랜지스터(197)(예를 들어, 디지털 NPN)에 연결되고, 채널 메모리(170)의 래치를 리셋하여, 드라이버 트랜지스터(143)를 턴오프할 수 있다. 이것은 트랜지스터(143)와 인덕터(128)를 통해 이동할 수 있는 최대 전류를 효과적으로 제한한다. 마지막으로 DC/DC 컨버터 회로의 타임아웃 비교기가 0V로 변할 때, 채널 메모리(170) 내 래치가 다시 설정되고, 모든 것이 그 다음 사이클을 위해 준비된다.
종국적으로, 타임아웃 회로(150)는 0 출력을 가지는 것으로 변한다. 이것은 메모리 회로(170) 내 래치를 설정하여 새로운 동작 사이클이 개시된다.
마지막으로 타임오프 비교기(151)의 출력이 0V로 변할 때, 보호 회로(102) 내 래치(NAND 게이트(110))가 다시 설정되고, DC-DC 컨버터(100)의 모든 컴포넌트가 그 다음 사이클을 위해 준비된다.
이제 도 3을 참조하면, 본 접근법을 적용하는 예들이 설명된다. 도 3의 예는 2개의 회로(즉, 채널)를 사용하고 여기서 각 채널은 도 2의 회로를 구비한다. (인덕터(128)로부터) 제1 채널의 제1 전류(302)는 결함 없는 인덕터의 적절한 거동이다. 그러나, 제2 인덕터는 결함이 있고 전류 파형(304)을 생성한다. 이것은 보호 회로(102)의 동작으로 인해 임계값(308)과 파형(306)을 비교하는 것에 의해 제한된다. 보호 회로(102)가 존재하지 않는 경우, 전류 파형(304)이 과전류를 나타낼 수 있고 트랜지스터(143)는 손상되거나 또는 파괴될 수 있다. 파형(306)은 비-네거티브 증폭기(non negative amplifier)(106)의 출력을 도시한다. 파형(310)은 파형(304)의 일부이고, 비록 결함 있는 코일의 전류가 0 암페어로 떨어지더라도 트랜지스터가 오프로 유지되는 시간을 나타낸다.
본 발명을 수행하기 위해 본 발명자에 알려진 최상의 형태를 포함하는 본 발명의 바람직한 실시예가 본 명세서에 설명된다. 도시된 실시예는 단지 예시를 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안되는 것으로 이해된다.

Claims (19)

  1. DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하는 방법으로서,
    상기 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 미리 결정된 임계값을 초과할 때를 결정하는 단계, 및 상기 전류가 상기 미리 결정된 임계값을 초과할 때 상기 트랜지스터를 비활성화하는 단계로서, 상기 트랜지스터가 비활성화되면 상기 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 상당히 제한하는데 효과적이고, 상기 전류가 제한되면 과전류 상태에서 상기 트랜지스터에 손상이 일어나는 것을 방지하는데 효과적이며, 상기 결정하는 단계는 상기 트랜지스터를 통하여 흐르는 전류에 대응하는 전압을 기준 전압과 비교하는 단계 및 상기 비교하는 단계에 응답하여 제 1래치를 리셋하는 단계를 포함하고, 상기 비활성화하는 단계는 상기 제 1래치가 리셋되는 것에 응답하여 제 2래치를 리셋하는 단계를 포함하는, 상기 결정하는 단계 및 상기 비활성화하는 단계;
    타임오프(time off) 회로가 상기 DC-DC 컨버터 회로를 리셋할 때까지 상기 트랜지스터를 비활성화된 상태에 유지하는 단계로서, 상기 유지하는 단계는 상기 트랜지스터의 동작의 주파수와 듀티 사이클을 감소시켜 스위칭 전력 손실로 인해 상기 트랜지스터에 손상이 일어나는 것을 추가적으로 방지하는데 추가적으로 효과적고, 상기 유지하는 단계는 상기 타임오프 회로의 RC 회로의 전하에 대응하는 전압을 제 2기준 전압과 비교하는 단계, 및 상기 RC회로의 전하에 대응하는 상기 전압과 상기 제 2기준 전압의 비교에 응답하여 상기 제 1래치와 제 2래치를 세팅하는 단계를 포함하고, 상기 제 2래치는 상기 트랜지스터가 활성화된 상태로 되돌아가게 하도록 세팅되는, 상기 유지하는 단계를 포함하는, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 DC-DC 컨버터는 차량에 있는 디바이스를 구동하는, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 디바이스는 연료 분사 장치인, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터를 통하여 흐르는 전류에 대응하는 상기 전압을 상기 기준 전압과 비교하는 단계는 비교기를 이용하여 상기 트랜지스터를 통하여 흐르는 전류에 대응하는 상기 전압을 상기 기준 전압과 비교하는 단계를 포함하고,
    상기 유지하는 단계는 상기 제 1래치와 상기 제 2래치가 리셋되는 것에 이어서 상기 RC 회로의 전하에 대응하는 상기 전압을 비교하는 단계, 및 상기 RC 회로의 전하에 대응하는 상기 전압이 상기 제 2기준 전압 아래로 내려올 때 상기 제 1래치와 상기 제 2래치를 세팅하는 단계를 포함하는, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 결함 상태 표시를 제어기에 송신하는 단계를 더 포함하는, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 과전류 상태는 상기 DC-DC 컨버터 회로 내 결함 있는 인덕터에 의해 유발되는, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터를 비활성화하는 단계는 채널 메모리 래치를 리셋하는 단계를 포함하는, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하는 방법.
  8. DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하도록 구성된 장치로서,
    상기 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 미리 결정된 임계값을 초과할 때를 결정하는 보호 회로로서, 상기 보호 회로는 상기 전류가 상기 미리 결정된 임계값을 초과할 때 상기 트랜지스터를 비활성화시키도록 구성되고, 상기 트랜지스터가 비활성화되면 상기 DC-DC 컨버터 회로의 전류와 동작 주파수 중 하나 이상을 상당히 감소시키는데 효과적이며, 상기 트랜지스터가 비활성화되면 상기 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 제한되고, 상기 전류가 제한되면 과전류 상태에서 상기 트랜지스터에 손상이 일어나는 것을 방지하는데 효과적이며, 상기 보호 회로는 상기 트랜지스터의 전류에 대응하는 값에 결합되는 제 1입력과 미리 결정된 기준 전압에 결합되는 제 2 입력을 갖는 비교기, 및 상기 비교기의 출력에 결합되는 제 1입력 및 제 2입력을 갖는 래치를 포함하는, 보호회로;
    타임오프 회로로서, 적어도 하나의 커패시터와 서로에 대하여 병렬로 연결된 적어도 하나의 저항을 갖는 RC 네트워크, 및 상기 RC 네트워크에 결합된 제 1입력, 미리 결정된 기준 전압에 결합되는 제 2입력 및 출력을 갖는 비교기를 포함하는, 타임오프 회로; 및
    상기 타임오프 회로의 상기 비교기의 출력에 결합되는 제 1입력, 상기 보호 회로의 상기 래치의 출력에 결합되는 제 2입력 및 상기 트랜지스터의 제어 터미널에 결합되는 출력을 포함하는 채널 메모리 래치 회로를 포함하되,
    상기 트랜지스터는 상기 채널 메모리 래치 회로에 의해 비활성화된 상태에서 유지되고, 상기 채널 메모리 래치 회로의 상기 출력은 상기 RC 네트워크의 상기 적어도 하나의 커패시터를 충전하기 위하여 상기 타임오프 회로에 추가로 결합되고,
    상기 트랜지스터는 상기 타임오프 회로가 상기 채널 메모리 래치 회로와 상기 보호회로의 래치를 상기 트랜지스터의 비활성화 이후의 시간 기간에 세팅할 때까지 상기 채널 메모리 래치 회로에 의해 상기 비활성화된 상태에서 유지되고,
    상기 시간 기간은 상기 RC 네트워크에 대응하는 RC 지연에 근거하고, 상기 트랜지스터의 비활성화는 과전류 상태에서 상기 트랜지스터에 손상이 일어나는 것을 방지하는데 추가적으로 효과적인, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하도록 구성된 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 DC-DC 컨버터는 차량에 있는 디바이스를 구동하는, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하도록 구성된 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 디바이스는 연료 분사 장치인, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하도록 구성된 장치.
  11. 삭제
  12. 제8항에 있어서, 상기 채널 메모리 래치 회로의 상기 출력은 결함 상태를 나타내고 제어기에 송신되는, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하도록 구성된 장치.
  13. 제8항에 있어서, 상기 과전류 상태는 상기 DC-DC 컨버터 회로 내 결함 있는 인덕터에 의해 유발되는, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하도록 구성된 장치.
  14. 제8항에 있어서, 상기 트랜지스터가 비활성화되면 상기 채널 메모리 래치 회로를 리셋하는데 효과적인, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하도록 구성된 장치.
  15. 제 8항에 있어서, 상기 트랜지스터와 기준점 사이에 결합되는 센스 저항을 더 포함하되, 상기 센스 저항과 상기 트랜지스터 사이의 노드가 상기 보호 회로의 증폭기의 입력에 결합되는, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하도록 구성된 장치.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 센스 저항과 상기 트랜지스터 사이의 상기 노드에 결합되는 입력, 제 2 입력, 및 상기 채널 메모리 래치 회로의 상기 제 2입력에 결합되는 출력을 갖는 증폭기 회로를 포함하는 전류 피드백 회로를 더 포함하는, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하도록 구성된 장치.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 보호 회로의 상기 래치의 출력에 결합되는 제어 터미널, 기준 전압에 결합되는 제 1도전 터미널, 및 상기 채널 메모리 래치 회로의 상기 제 2입력에 결합되는 제 2도전 터미널을 갖는 제 3트랜지스터를 더 포함하는, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하도록 구성된 장치.
  18. 제 8항에 있어서, 상기 DC-DC 컨버터 회로는 배터리를 갖는 입력 회로 및 부하를 구비한 출력 회로를 포함하고,
    상기 장치는, 상기 입력 회로와 상기 출력 회로의 사이에 결합되어 상기 보호 회로의 상기 래치의 출력에 결합되는 제어 터미널을 구비한 제 2트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 제 2트랜지스터는 상기 트랜지스터가 비활성화될 때 소정 시간 동안 상기 보호 회로에 의해 비활성화되고, 상기 제 2트랜지스터는 상기 타임 오프 회로의 상기 RC 네트워크의 상기 적어도 하나의 커패시터가 방전하도록 비활성화되는, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하도록 구성된 장치.
  19. 제 8항에 있어서, 상기 보호 회로의 상기 래치와 상기 채널 메모리 래치 회로의 각각은 S-R 래치를 포함하는, DC-DC 컨버터 회로에 사용되는 트랜지스터에 전류 과부하를 방지하도록 구성된 장치.


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