CN115378456B - 一种收发放大衰减多功能芯片 - Google Patents
一种收发放大衰减多功能芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115378456B CN115378456B CN202211306377.0A CN202211306377A CN115378456B CN 115378456 B CN115378456 B CN 115378456B CN 202211306377 A CN202211306377 A CN 202211306377A CN 115378456 B CN115378456 B CN 115378456B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resistor
- tube
- capacitor
- inductor
- microstrip line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 202
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 155
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 16
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/12—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of attenuating means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种收发放大衰减多功能芯片,属于集成电路技术领域,包括第一开关切换网络、接收低噪声驱动放大器、接收功率检测网络、发射高功率放大器、发射功率检测网络、均衡器、第二开关切换网络、三位衰减网络和第三开关切换网络。本发明的收发放大衰减多功能芯片具有高集成度,集均衡、收发放大、数控衰减、双通道切换和功率检测多种功能于一体。
Description
技术领域
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种收发放大衰减多功能芯片。
背景技术
在军用电子对抗领域,往往需要完成对信号的多种特殊处理,如果在一颗芯片上能同时集成多种功能,势必能大大提高军用电子设备的效率和降低成本。特别是随着现在芯片小型化趋势,对国产芯片集成度要求也越来越高。
收发放大芯片可以在一颗芯片上完成接收信号的放大并发射出较高的功率。而在收发公共通道中加入数控衰减器,可以很方便的进行接收和发射信号增益的控制,从而提供了较大的动态范围。在射频系统应用中,为了调节功率级,获得目标功率,有时需要在功率输出端口检测反映功率大小的电压;而且在多功能芯片中,由于功能模块较多,如果具有在放大器输出端直接检测出能反应功率大小的能力,这对后期的使用和失效分析也将具有一定的意义。
发明内容
本发明为了解决上述问题,提出了一种收发放大衰减多功能芯片。
本发明的技术方案是:一种收发放大衰减多功能芯片包括第一开关切换网络、接收低噪声驱动放大器、接收功率检测网络、发射高功率放大器、发射功率检测网络、均衡器、第二开关切换网络、三位衰减网络和第三开关切换网络;
第一开关切换网络的输出端、接收低噪声驱动放大器、第二开关切换网络、三位衰减网络和第三开关切换网络的输入端依次连接;第三开关切换网络的输出端、三位衰减网络、第二开关切换网络、均衡器、发射功率检测网络和第一开关切换网络的输入端依次连接;接收低噪声驱动放大器还与接收功率检测网络的输入端连接;发射高功率放大器还与发射功率检测网络的输入端连接;接收功率检测网络的输出端和输出电压端口Ptest1连接;发射功率检测网络的输出端和输出电压端口Ptest2连接;第一开关切换网络设置有收发放大衰减多功能芯片的接收输入端/发射输出端;第三开关切换网络设置有收发放大衰减多功能芯片的第一发射输入端/第一接收输出端和第二发射输入端/第二接收输出端。
本发明的有益效果是:
(1)本发明的收发放大衰减多功能芯片具有高集成度,集均衡、收发放大、数控衰减、双通道切换和功率检测多种功能于一体;
(2)本发明采用了三个开关切换网络,使芯片具有收发放大和双通道切换功能,通过采用一个非对称式单刀双掷开关(即第一开关切换网络)和一个对称式单刀双掷开关(即第二开关切换网络)完成收发放大通道切换;第三开关切换网络采用平衡式单刀双掷开关,使芯片具有高隔离度双通道切换功能,不同的通道可用以级联到不同的射频链路,从而满足不同的需求。
(3)本发明的接收通道具有低噪声、高增益和中功率输出特性,并具有较好的增益平坦度;发射通道具有高功率输出能力,同时也具有较好的增益平坦度,且结合谐波抑制匹配,放大器具有较高的效率;
(4)接收和发射公共通道加入了三位数控衰减器,分别为1dB、2dB和4dB,从而扩大了收发增益动态范围;收发放大电路输出端都加入了二极管功率检测单元,将检测到的功率通过一个功率检测网络反馈出相应的直流电压,便于获得目标功率,同时方便使用和失效分析。
进一步地,第一开关切换网络包括电阻Rs1、电阻Rs2、电阻Rs3、电阻Rs4、电阻Rs5、电阻Rs6、电容Cs1、电容C1、电容C21、微带线TLs1、微带线TLs2、微带线TLs3、开关管Ms1、开关管Ms2、开关管Ms3、开关管Ms4、开关管Ms5和开关管Ms6;
电容Cs1的一端作为第一开关切换网络的接收输入端/发射输出端,其另一端和微带线TLs1的一端连接;开关管Ms1的栅极和电阻Rs1的一端连接;开关管Ms1的源极分别与微带线TLs1的另一端和开关管Ms4的源极连接;开关管Ms1的漏极分别与开关管Ms2的漏极和微带线TLs2的一端连接;开关管Ms2的栅极和电阻Rs4的一端连接;开关管Ms2的源极和开关管Ms3的漏极连接;开关管Ms3的栅极和电阻Rs5的一端连接;微带线TLs2的另一端和电容C21的一端连接;电容C21的另一端作为第一开关切换网络的输入端;开关管Ms4的栅极和电阻Rs2的一端连接;开关管Ms4的漏极和开关管Ms5的源极连接;开关管Ms5的栅极和电阻Rs3的一端连接;开关管Ms5的漏极分别与微带线TLs3的一端和开关管Ms6的漏极连接;开关管Ms6的栅极和电阻Rs6的一端连接;开关管Ms3的源极和开关管Ms6的源极均接地;微带线TLs3的另一端和电容C1的一端连接;电容C1的另一端作为第一开关切换网络的输出端;电阻Rs1的另一端和电阻Rs6的另一端均与控制电压Vcon1连接;电阻Rs2的另一端、电阻Rs3的另一端、电阻Rs4的另一端和电阻Rs5的另一端均与控制电压Vcon2连接。
上述进一步方案的有益效果是:第一开关切换网络既能承受发射通道较大的电压摆幅和较高的功率容量,又兼顾了较低的差损,保证了接收通道较低的噪声。
进一步地,接收低噪声驱动放大器包括电阻R1、电阻R2、接地电阻R3、接地电阻R4、电阻R5、接地电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、接地电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电容C2、接地电容C3、电容C4、接地电容C5、接地电容C6、接地电容C7、电感L1、电感L2、场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3、场效应管M4、场效应管M5和场效应管M6;
场效应管M1的栅极作为接收低噪声驱动放大器的输入端,并分别与电阻R2的一端和接地电阻R3连接;场效应管M1的源极分别与场效应管M2的栅极和接地电阻R4连接;场效应管M1的漏极分别与电阻R1的一端、电感L1的一端、电容C2的一端、电容C4的一端和场效应管M2的漏极连接;场效应管M3的栅极分别与电容C4的另一端、电阻R7的一端和电阻R8的一端连接;场效应管M3的漏极和场效应管M6的源极连接;场效应管M4的栅极和电阻R8的另一端连接;场效应管M4的漏极和场效应管M5的源极连接;场效应管M5的栅极和电阻R13的一端连接;场效应管M5的漏极和电阻R14的一端连接;场效应管M6的栅极和电阻R12的一端连接;场效应管M6的漏极作为接收低噪声驱动放大器的输出端,并分别与电感L2的一端和电阻R14的另一端连接;电感L1的另一端分别与接地电容C3、电阻R5的一端、电阻R9的一端、接地电容C7、电感L2的另一端和电源电压VR1连接;电阻R7的另一端分别与电阻R5的另一端和接地电阻R6连接;电阻R9的另一端分别与接地电阻R10和电阻R11的一端连接;电阻R11的另一端分别与接地电容C5、电阻R12 的另一端、接地电容C6和电阻R13的另一端连接;电阻R1的另一端分别与电阻R2的另一端和电容C2另一端连接;场效应管M2的源极、场效应管M3的源极和场效应管M4的源极均接地。
上述进一步方案的有益效果是:
该接收通道放大器具有低噪声、高增益和中功率输出特性,并在宽带内具有较好的匹配和增益平坦度。接收通道低噪声驱动放大器第一级采用达林顿结合负反馈结构,达林顿结构放大倍数高且可拓展工作带宽,同时可实现较低的噪声,负反馈结构可改善增益平坦度。接收通道第二级采用一种双体共源共栅功率合成结构,该双体共源共栅功率合成结构不仅具有较高的功率和增益,还可以同时满足宽带匹配和较高的功率输出,且能有效降低功耗。
进一步地,接收功率检测网络包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、电阻Rj1、接地电阻Rj2和接地电容Cj1;
二极管D1的正极作为接收功率检测网络的输入端,并与电阻Rj1的一端连接;二极管D1的负极和二极管D2的正极连接;二极管D2的负极和二极管D3的正极连接;二极管D3的负极和二极管D4的正极连接;二极管D4的负极和二极管D5的正极连接;二极管D5的负极和二极管D6的正极连接;二极管D6的负极分别与电阻Rj1的一端的另一端、接地电阻Rj2、接地电容Cj1和输出电压端口Ptest1连接。
上述进一步方案的有益效果是:接收功率检测网络的射频输出功率经过整流滤波后得到输出电压,输出电压和输出功率一一对应,从而可以通过电压得到目标功率。
进一步地,发射高功率放大器包括电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电容C11、接地电容C12、接地电容C13、接地电容C14、电容C15、接地电容C16、电容C17、电容C18、接地电容C19、接地电容C20、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8、电感L9、电感L10、电感L11、电感L12、电感L13、电感L14、电感L15、电感L16、接地电感L17、电感L18、场效应管M7、场效应管M8、场效应管M9、场效应管M10和场效应管M11;
电容C11的一端作为发射高功率放大器的输入端,其另一端和电感L5的一端连接;场效应管M7的栅极分别与电感L5的另一端和电感L6的一端连接;场效应管M7的漏极分别与电容C15的一端和电感L7的一端连接;电感L6的另一端分别与接地电容C12和电源电压VG1连接;电感L7的另一端分别与接地电容C13和电源电压VT1连接;电容C15的另一端分别与电感L10的一端、接地电容C16、电感L8的一端和电感L9的一端连接;电感L8的另一端分别与接地电容C14和电源电压VG2连接;场效应管M8的栅极分别与电阻R20的一端、电感L10的另一端、电阻R20的另一端和场效应管M9的栅极连接;场效应管M8的漏极分别与电阻R21的一端、电感L12的一端、电阻R21的另一端和场效应管M9的漏极连接;场效应管M10的栅极分别与电阻R18的一端、电感L9的另一端、电阻R18的另一端和场效应管M11的栅极连接;场效应管M11的漏极分别与电阻R19的一端、电感L11的一端、电阻R19的另一端和场效应管M10的漏极连接;场效应管M7的源极、场效应管M8的源极、场效应管M9的源极、场效应管M10的源极、场效应管M11的源极均接地;电感L11的另一端分别与电容C17的一端和电感L13的一端连接;电容C17的另一端和接地电感L17连接;电感L13的另一端分别与电感L14的一端、接地电容C19、电感L15的一端和电感L16的一端连接;电感L15的另一端分别与接地电容C20和电源电压VT2连接;电感L16的另一端作为发射高功率放大器的输出端;电感L14的另一端分别与电感L12的另一端和电容C18的一端连接;电容C18的另一端和接地电感L18连接。
上述进一步方案的有益效果是:发射高功率放大器中前级采用一个共源晶体管用以提高链路增益并驱动末级,末级由四个晶体管两两功率合成后再进一步合成,因此可输出较高的功率,且结合谐波抑制匹配,放大器具有较高的效率。
进一步地,发射功率检测网络包括二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D11、二极管D12、电阻Rj3、接地电阻Rj4和接地电容Cj2;
二极管D7的正极作为发射功率检测网络的输入端,并与电阻Rj3的一端连接;二极管D7的负极和二极管D8的正极连接;二极管D8的负极和二极管D9的正极连接;二极管D9的负极和二极管D10的正极连接;二极管D10的负极和二极管D11的正极连接;二极管D11的负极和二极管D12的正极连接;二极管D12的负极分别与电阻Rj3的另一端、接地电阻Rj4、接地电容Cj2和输出电压端口Ptest2连接。
上述进一步方案的有益效果是:发射功率检测网络的射频输出功率经过整流滤波后得到输出电压,输出电压和输出功率一一对应,从而可以通过电压得到目标功率。
进一步地,均衡器包括电阻R15、电阻R16、电阻R17、电容C10、接地电感L3和接地电感L4;
电容C10的一端作为均衡器的输入端,并分别与电阻R15的一端和电阻R17的一端连接;电容C10的另一端作为均衡器的输出端,并分别与电阻R15的另一端和电阻R16的一端连接;电阻R17的另一端和接地电感L4连接;电阻R16的另一端和接地电感L3连接。
上述进一步方案的有益效果是:发射通道结合一个均衡器,可以减小带内增益波动,提高发射通道的增益平坦度。
进一步地,第二开关切换网络包括电阻Rs7、电阻Rs8、电阻Rs9、电阻Rs10、电容C8、电容C9、微带线TLS4、微带线TLS5、微带线TLS6、开关管Ms7、开关管Ms8、开关管Ms9和开关管Ms10;
电容C8的一端作为第二开关切换网络的第一输入端,其另一端和微带线TLs4的一端连接;开关管Ms7的栅极和电阻Rs7的一端连接;开关管Ms7的漏极分别与开关管Ms8的源极和微带线TLs5的一端连接;开关管Ms8的栅极和电阻Rs8的一端连接;开关管Ms8的漏极分别与开关管Ms9的源极和微带线TLs6的一端连接;微带线TLs5的另一端和电容C9的一端连接;电容C9的另一端作为第二开关网络的输出端;微带线TLs6的另一端和三位衰减网络连接;开关管Ms9的栅极和电阻Rs10的一端连接;开关管Ms9的漏极分别与微带线TLs4的另一端和开关管Ms10的漏极连接;开关管Ms10的栅极和电阻Rs9的一端连接;电阻Rs8的另一端和电阻Rs9的另一端均与控制电压Vcon1连接;电阻Rs7的另一端和电阻Rs10的另一端均与控制电压Vcon2连接;开关管Ms7的源极和开关管Ms10的源极均接地。
进一步地,三位衰减网络包括电阻Ra1、接地电阻Ra2、电阻Ra3、电阻Ra4、电阻Ra5、接地电阻Ra6、电阻Ra7、接地电阻Ra8、电阻Ra9、电阻Ra10、接地电阻Ra12、电阻Ra13、接地电阻Ra14、微带线TLa1、微带线TLa2、微带线TLa3、微带线TLa4、微带线TLa5、微带线TLa6、开关管Ma1、开关管Ma2、开关管Ma3、开关管Ma4、开关管Ma5、开关管Ma6和开关管Ma7;
开关管Ma1的漏极分别与微带线TLa1的一端和第二开关切换网络连接;开关管Ma1的栅极和电阻Ra1的一端连接;开关管Ma1的源极和接地电阻Ra2连接;开关管Ma2的栅极和电阻Ra4的一端连接;开关管Ma2的源极分别与微带线TLa2的一端和电阻Ra3的一端连接;开关管Ma2的漏极分别与微带线TLa3的一端和电阻Ra3的另一端连接;开关管Ma3的栅极和电阻Ra5的一端连接;开关管Ma3的源极和接地电阻Ra6连接;开关管Ma3的漏极分别与微带线TLa1的另一端和微带线TLa2的另一端连接;开关管Ma4的栅极和电阻Ra7的一端连接;开关管Ma4的源极和接地电阻Ra8连接;开关管Ma4的漏极分别与微带线TLa3的另一端和微带线TLa4的一端连接;开关管Ma5的栅极和电阻Ra10的一端连接;开关管Ma5的源极分别与微带线TLa5的一端和电阻Ra9的一端连接;开关管Ma5的漏极分别与微带线TLa6的一端和电阻Ra9的另一端连接;开关管Ma6的栅极和电阻Ra11的一端连接;开关管Ma6的源极和接地电阻Ra12连接;开关管Ma6的漏极分别与微带线TLa4的另一端和微带线TLa5的另一端连接;开关管Ma7的栅极和电阻Ra13的一端连接;开关管Ma7的源极和接地电阻Ra14连接;开关管Ma7的漏极分别与微带线TLa6的另一端和第三开关切换网络连接;电阻Ra1的另一端和控制电压VATcon1连接;电阻Ra4的另一端和控制电压VATcon3连接;电阻Ra5的另一端和电阻Ra7的另一端均与控制电压VATcon2连接;电阻Ra10的另一端和控制电压VATcon5连接;电阻Ra11的另一端和电阻Ra13的另一端均与控制电压VATcon4连接。
进一步地,第三开关切换网络包括电阻Rs10、电阻Rs11、电阻Rs12、电阻Rs13、电容Cs2、电容Cs3、微带线TLs7、微带线TLs8、微带线TLs9、开关管Ms10、开关管Ms11、开关管Ms12和开关管Ms13;
微带线TLs7的一端和三位衰减网络连接,其另一端分别与开关管Ms10的源极和开关管Ms12的源极连接;开关管Ms10的栅极和电阻Rs10的一端连接;开关管Ms10的漏极分别与开关管Ms11的漏极和微带线TLs9的一端连接;微带线TLs9的另一端和电容Cs3的一端连接;电容Cs3的另一端作为第三开关切换网络的第二发射输入端/第二接收输出端;开关管Ms11的栅极和电阻Rs11的一端连接;开关管Ms12的栅极和电阻Rs12的一端连接;开关管Ms12的漏极分别与开关管Ms13的漏极和微带线TLs8的一端连接;开关管Ms13的栅极和电阻Rs13的一端连接;微带线TLs8的另一端和电容Cs2的一端连接;电容Cs2的另一端作为第三开关切换网络的第一发射输入端/第一接收输出端;开关管Ms11的源极和开关管Ms13的源极接地;电阻Rs10的另一端和电阻Rs13的另一端均与控制电压Vcon3连接;电阻Rs11的另一端和电阻Rs12的另一端均与控制电压Vcon4连接。
上述进一步方案的有益效果是:接收和发射公共通道加入了三位数控衰减器,从而扩大了收发增益动态范围;第三开关切换网络采用平衡式单刀双掷开关,使芯片具有高隔离度双通道切换功能,不同通道可用以级联到不同的射频链路,从而满足不同的需求。
附图说明
图1所示为本发明实施例提供的一种收发放大衰减多功能芯片原理框图。
图2所示为本发明实施例提供的第一开关切换网络和发射功率检测网络的电路图;
图3为接收低噪声驱动放大器和发射高功率放大器的电路图;
图4为接收功率检测网络、均衡器、第二开关切换网络、三位衰减网络和第三开关切换网络的电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例作进一步的说明。
如图1所示,本发明提供了一种收发放大衰减多功能芯片,包括第一开关切换网络、接收低噪声驱动放大器、接收功率检测网络、发射高功率放大器、发射功率检测网络、均衡器、第二开关切换网络、三位衰减网络和第三开关切换网络;
第一开关切换网络的输出端、接收低噪声驱动放大器、第二开关切换网络、三位衰减网络和第三开关切换网络的输入端依次连接;第三开关切换网络的输出端、三位衰减网络、第二开关切换网络、均衡器、发射功率检测网络和第一开关切换网络的输入端依次连接;接收低噪声驱动放大器还与接收功率检测网络的输入端连接;发射高功率放大器还与发射功率检测网络的输入端连接;接收功率检测网络的输出端和输出电压端口Ptest1连接;发射功率检测网络的输出端和输出电压端口Ptest2连接;第一开关切换网络设置有收发放大衰减多功能芯片的接收输入端/发射输出端;第三开关切换网络设置有收发放大衰减多功能芯片的第一发射输入端/第一接收输出端和第二发射输入端/第二接收输出端。
在本发明实施例中,如图2所示,第一开关切换网络包括电阻Rs1、电阻Rs2、电阻Rs3、电阻Rs4、电阻Rs5、电阻Rs6、电容Cs1、电容C1、电容C21、微带线TLs1、微带线TLs2、微带线TLs3、开关管Ms1、开关管Ms2、开关管Ms3、开关管Ms4、开关管Ms5和开关管Ms6;
电容Cs1的一端作为第一开关切换网络的接收输入端/发射输出端,其另一端和微带线TLs1的一端连接;开关管Ms1的栅极和电阻Rs1的一端连接;开关管Ms1的源极分别与微带线TLs1的另一端和开关管Ms4的源极连接;开关管Ms1的漏极分别与开关管Ms2的漏极和微带线TLs2的一端连接;开关管Ms2的栅极和电阻Rs4的一端连接;开关管Ms2的源极和开关管Ms3的漏极连接;开关管Ms3的栅极和电阻Rs5的一端连接;微带线TLs2的另一端和电容C21的一端连接;电容C21的另一端作为第一开关切换网络的输入端;开关管Ms4的栅极和电阻Rs2的一端连接;开关管Ms4的漏极和开关管Ms5的源极连接;开关管Ms5的栅极和电阻Rs3的一端连接;开关管Ms5的漏极分别与微带线TLs3的一端和开关管Ms6的漏极连接;开关管Ms6的栅极和电阻Rs6的一端连接;开关管Ms3的源极和开关管Ms6的源极均接地;微带线TLs3的另一端和电容C1的一端连接;电容C1的另一端作为第一开关切换网络的输出端;电阻Rs1的另一端和电阻Rs6的另一端均与控制电压Vcon1连接;电阻Rs2的另一端、电阻Rs3的另一端、电阻Rs4的另一端和电阻Rs5的另一端均与控制电压Vcon2连接。
在本发明实施例中,如图3所示,接收低噪声驱动放大器包括电阻R1、电阻R2、接地电阻R3、接地电阻R4、电阻R5、接地电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、接地电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电容C2、接地电容C3、电容C4、接地电容C5、接地电容C6、接地电容C7、电感L1、电感L2、场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3、场效应管M4、场效应管M5和场效应管M6;
场效应管M1的栅极作为接收低噪声驱动放大器的输入端,并分别与电阻R2的一端和接地电阻R3连接;场效应管M1的源极分别与场效应管M2的栅极和接地电阻R4连接;场效应管M1的漏极分别与电阻R1的一端、电感L1的一端、电容C2的一端、电容C4的一端和场效应管M2的漏极连接;场效应管M3的栅极分别与电容C4的另一端、电阻R7的一端和电阻R8的一端连接;场效应管M3的漏极和场效应管M6的源极连接;场效应管M4的栅极和电阻R8的另一端连接;场效应管M4的漏极和场效应管M5的源极连接;场效应管M5的栅极和电阻R13的一端连接;场效应管M5的漏极和电阻R14的一端连接;场效应管M6的栅极和电阻R12的一端连接;场效应管M6的漏极作为接收低噪声驱动放大器的输出端,并分别与电感L2的一端和电阻R14的另一端连接;电感L1的另一端分别与接地电容C3、电阻R5的一端、电阻R9的一端、接地电容C7、电感L2的另一端和电源电压VR1连接;电阻R7的另一端分别与电阻R5的另一端和接地电阻R6连接;电阻R9的另一端分别与接地电阻R10和电阻R11的一端连接;电阻R11的另一端分别与接地电容C5、电阻R12 的另一端、接地电容C6和电阻R13的另一端连接;电阻R1的另一端分别与电阻R2的另一端和电容C2另一端连接;场效应管M2的源极、场效应管M3的源极和场效应管M4的源极均接地。
在本发明实施例中,如图4所示,接收功率检测网络包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、电阻Rj1、接地电阻Rj2和接地电容Cj1;
二极管D1的正极作为接收功率检测网络的输入端,并与电阻Rj1的一端连接;二极管D1的负极和二极管D2的正极连接;二极管D2的负极和二极管D3的正极连接;二极管D3的负极和二极管D4的正极连接;二极管D4的负极和二极管D5的正极连接;二极管D5的负极和二极管D6的正极连接;二极管D6的负极分别与电阻Rj1的一端的另一端、接地电阻Rj2、接地电容Cj1和输出电压端口Ptest1连接。
在本发明实施例中,如图3所示,发射高功率放大器包括电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电容C11、接地电容C12、接地电容C13、接地电容C14、电容C15、接地电容C16、电容C17、电容C18、接地电容C19、接地电容C20、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8、电感L9、电感L10、电感L11、电感L12、电感L13、电感L14、电感L15、电感L16、接地电感L17、电感L18、场效应管M7、场效应管M8、场效应管M9、场效应管M10和场效应管M11;
电容C11的一端作为发射高功率放大器的输入端,其另一端和电感L5的一端连接;场效应管M7的栅极分别与电感L5的另一端和电感L6的一端连接;场效应管M7的漏极分别与电容C15的一端和电感L7的一端连接;电感L6的另一端分别与接地电容C12和电源电压VG1连接;电感L7的另一端分别与接地电容C13和电源电压VT1连接;电容C15的另一端分别与电感L10的一端、接地电容C16、电感L8的一端和电感L9的一端连接;电感L8的另一端分别与接地电容C14和电源电压VG2连接;场效应管M8的栅极分别与电阻R20的一端、电感L10的另一端、电阻R20的另一端和场效应管M9的栅极连接;场效应管M8的漏极分别与电阻R21的一端、电感L12的一端、电阻R21的另一端和场效应管M9的漏极连接;场效应管M10的栅极分别与电阻R18的一端、电感L9的另一端、电阻R18的另一端和场效应管M11的栅极连接;场效应管M11的漏极分别与电阻R19的一端、电感L11的一端、电阻R19的另一端和场效应管M10的漏极连接;场效应管M7的源极、场效应管M8的源极、场效应管M9的源极、场效应管M10的源极、场效应管M11的源极均接地;电感L11的另一端分别与电容C17的一端和电感L13的一端连接;电容C17的另一端和接地电感L17连接;电感L13的另一端分别与电感L14的一端、接地电容C19、电感L15的一端和电感L16的一端连接;电感L15的另一端分别与接地电容C20和电源电压VT2连接;电感L16的另一端作为发射高功率放大器的输出端;电感L14的另一端分别与电感L12的另一端和电容C18的一端连接;电容C18的另一端和接地电感L18连接。
在本发明实施例中,如图2所示,发射功率检测网络包括二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D11、二极管D12、电阻Rj3、接地电阻Rj4和接地电容Cj2;
二极管D7的正极作为发射功率检测网络的输入端,并与电阻Rj3的一端连接;二极管D7的负极和二极管D8的正极连接;二极管D8的负极和二极管D9的正极连接;二极管D9的负极和二极管D10的正极连接;二极管D10的负极和二极管D11的正极连接;二极管D11的负极和二极管D12的正极连接;二极管D12的负极分别与电阻Rj3的另一端、接地电阻Rj4、接地电容Cj2和输出电压端口Ptest2连接。
在本发明实施例中,如图4所示,均衡器包括电阻R15、电阻R16、电阻R17、电容C10、接地电感L3和接地电感L4;
电容C10的一端作为均衡器的输入端,并分别与电阻R15的一端和电阻R17的一端连接;电容C10的另一端作为均衡器的输出端,并分别与电阻R15的另一端和电阻R16的一端连接;电阻R17的另一端和接地电感L4连接;电阻R16的另一端和接地电感L3连接。
在本发明实施例中,如图4所示,第二开关切换网络包括电阻Rs7、电阻Rs8、电阻Rs9、电阻Rs10、电容C8、电容C9、微带线TLS4、微带线TLS5、微带线TLS6、开关管Ms7、开关管Ms8、开关管Ms9和开关管Ms10;
电容C8的一端作为第二开关切换网络的第一输入端,其另一端和微带线TLs4的一端连接;开关管Ms7的栅极和电阻Rs7的一端连接;开关管Ms7的漏极分别与开关管Ms8的源极和微带线TLs5的一端连接;开关管Ms8的栅极和电阻Rs8的一端连接;开关管Ms8的漏极分别与开关管Ms9的源极和微带线TLs6的一端连接;微带线TLs5的另一端和电容C9的一端连接;电容C9的另一端作为第二开关网络的输出端;微带线TLs6的另一端和三位衰减网络连接;开关管Ms9的栅极和电阻Rs10的一端连接;开关管Ms9的漏极分别与微带线TLs4的另一端和开关管Ms10的漏极连接;开关管Ms10的栅极和电阻Rs9的一端连接;电阻Rs8的另一端和电阻Rs9的另一端均与控制电压Vcon1连接;电阻Rs7的另一端和电阻Rs10的另一端均与控制电压Vcon2连接;开关管Ms7的源极和开关管Ms10的源极均接地。
在本发明实施例中,如图4所示,三位衰减网络包括电阻Ra1、接地电阻Ra2、电阻Ra3、电阻Ra4、电阻Ra5、接地电阻Ra6、电阻Ra7、接地电阻Ra8、电阻Ra9、电阻Ra10、接地电阻Ra12、电阻Ra13、接地电阻Ra14、微带线TLa1、微带线TLa2、微带线TLa3、微带线TLa4、微带线TLa5、微带线TLa6、开关管Ma1、开关管Ma2、开关管Ma3、开关管Ma4、开关管Ma5、开关管Ma6和开关管Ma7;
开关管Ma1的漏极分别与微带线TLa1的一端和第二开关切换网络连接;开关管Ma1的栅极和电阻Ra1的一端连接;开关管Ma1的源极和接地电阻Ra2连接;开关管Ma2的栅极和电阻Ra4的一端连接;开关管Ma2的源极分别与微带线TLa2的一端和电阻Ra3的一端连接;开关管Ma2的漏极分别与微带线TLa3的一端和电阻Ra3的另一端连接;开关管Ma3的栅极和电阻Ra5的一端连接;开关管Ma3的源极和接地电阻Ra6连接;开关管Ma3的漏极分别与微带线TLa1的另一端和微带线TLa2的另一端连接;开关管Ma4的栅极和电阻Ra7的一端连接;开关管Ma4的源极和接地电阻Ra8连接;开关管Ma4的漏极分别与微带线TLa3的另一端和微带线TLa4的一端连接;开关管Ma5的栅极和电阻Ra10的一端连接;开关管Ma5的源极分别与微带线TLa5的一端和电阻Ra9的一端连接;开关管Ma5的漏极分别与微带线TLa6的一端和电阻Ra9的另一端连接;开关管Ma6的栅极和电阻Ra11的一端连接;开关管Ma6的源极和接地电阻Ra12连接;开关管Ma6的漏极分别与微带线TLa4的另一端和微带线TLa5的另一端连接;开关管Ma7的栅极和电阻Ra13的一端连接;开关管Ma7的源极和接地电阻Ra14连接;开关管Ma7的漏极分别与微带线TLa6的另一端和第三开关切换网络连接;电阻Ra1的另一端和控制电压VATcon1连接;电阻Ra4的另一端和控制电压VATcon3连接;电阻Ra5的另一端和电阻Ra7的另一端均与控制电压VATcon2连接;电阻Ra10的另一端和控制电压VATcon5连接;电阻Ra11的另一端和电阻Ra13的另一端均与控制电压VATcon4连接。
在本发明实施例中,如图4所示,第三开关切换网络包括电阻Rs10、电阻Rs11、电阻Rs12、电阻Rs13、电容Cs2、电容Cs3、微带线TLs7、微带线TLs8、微带线TLs9、开关管Ms10、开关管Ms11、开关管Ms12和开关管Ms13;
微带线TLs7的一端和三位衰减网络连接,其另一端分别与开关管Ms10的源极和开关管Ms12的源极连接;开关管Ms10的栅极和电阻Rs10的一端连接;开关管Ms10的漏极分别与开关管Ms11的漏极和微带线TLs9的一端连接;微带线TLs9的另一端和电容Cs3的一端连接;电容Cs3的另一端作为第三开关切换网络的第二发射输入端/第二接收输出端;开关管Ms11的栅极和电阻Rs11的一端连接;开关管Ms12的栅极和电阻Rs12的一端连接;开关管Ms12的漏极分别与开关管Ms13的漏极和微带线TLs8的一端连接;开关管Ms13的栅极和电阻Rs13的一端连接;微带线TLs8的另一端和电容Cs2的一端连接;电容Cs2的另一端作为第三开关切换网络的第一发射输入端/第一接收输出端;开关管Ms11的源极和开关管Ms13的源极接地;电阻Rs10的另一端和电阻Rs13的另一端均与控制电压Vcon3连接;电阻Rs11的另一端和电阻Rs12的另一端均与控制电压Vcon4连接。
下面结合图2-4对本发明的具体工作原理及过程进行介绍:
第一开关切换网络位于发射高功率放大器输出端和接收低噪声驱动放大器输入端,因此第一开关切换网络采用了非对称式单刀双掷开关,开关管采用串并结合形式,在发射支路采用了一个串管和两个并管,在接收支路采用了两个串管和一个并管,因此该第一开关网络既能承受较大的电压摆幅和较高的功率容量,也能在接收端具有较低的差损。微带线TLs1~TLs3为匹配传输线。该开关网络具有较好的带宽和良好的隔离度。发射支路串管Ms1和接收支路并管Ms6控制电压均为Vcon1,发射支路并管Ms2和Ms3和接收支路串管Ms4和Ms5控制电压均为Vcon2,电阻Rs1~Rs6均为馈电端大电阻。当某一支路工作时,该支路串管打开,并管关闭,同时另一支路串管关闭,并管打开。
第二开关切换网络位于发射高功率放大器输入端和接收低噪声驱动放大器输出端。该第二开关网络同样采用串并结合开关管,且两个支路均采用一个串联管和一个并联管,发射支路串管Ms8和接收支路并管Ms10控制电压为Vcon1,发射支路并管Ms7和接收支路串管Ms9控制电压为Vcon2,结合第一开关切换网络,完成对发射和接收通道的切换。
第三开关切换网络也采用串并结合开关管,且两个支路均采用一个串联管和一个并联管并完全对称,用以完成芯片的上下双通道切换,从而可以实现不同通道可用以级联到不同的射频链路。两个通道之间具有较好的隔离度,第一发射输入端/第一接收输出端以及第二发射输入端/第二接收输出端均具有优良的驻波。通道2串管Ms10和通道1并管Ms13控制电压为Vcon3,通道1串管Ms12和通道2并管Ms11控制电压为Vcon4。
接收通道低噪声驱动放大器具有低噪声、高增益和中功率输出特性,并在宽带内具有较好的匹配和增益平坦度。该接收低噪声驱动放大器第一级采用达林顿结构用以满足噪声匹配和提高增益,达林顿结构可以有很高的放大倍数且能很好的拓展带宽;该接收低噪声驱动放大器第二级采用一种双体共源共栅功率合成结构,即场效应管M3和场效应管M4的栅极通过一个平衡电阻R8相连,场效应管M5和场效应管M6的漏极通过平衡电阻R14相连,同时场效应管M3的漏极和场效应管M6的源级相连,场效应管M4的漏极和场效应管M5的源级相连,该结构可以在宽带内实现较高的功率匹配,且相对单管合成具有更高的增益,并可有效降低功耗,同时平衡电阻R8和R14可使电路的稳定性得到提高。
场效应管M1和场效应管M2的漏极通过电源电压VR1经电感L1供给,场效应管M1的栅端电压由其漏端电压经电阻R1、电阻R2和电阻R3分压获得,同时电阻R2和电容C2又组成了负反馈电路,有利于输入输出阻抗匹配和提高增益平坦度;场效应管M5和场效应管M6的漏压通过电源电压VR1经电感L2供给,场效应管M5和场效应管M6的栅端电压由电源电压通过电阻R9和电阻R10分压获得,电阻R11为栅极馈电端大电阻,场效应管M3和场效应管M4的栅端电压由电源电压通过电阻R5和电阻R6分压获得,电阻R7为栅极馈电端大电阻。
发射通道由一个均衡器和一个发射高功率放大器组成,使整个发射通道具有高功率输出特性且有较高的效率和较平坦的增益。均衡器用于提高发射通道增益的平坦度,通过调节均衡器中电容、电感和电阻的大小,可以调整均衡器的工作频段和均衡量。高功率放大器由五个放大管组成,放大器第一级采用一个共源放大管M7以提高增益并驱动末级,末级由四个大小相同的放大管组成,其中场效应管M8和场效应管M9以及场效应管M10和场效应管M11分别合成为一组先进行功率放大,且每组栅极和漏极间均加入了一个平衡电阻(电阻R18~R21)以提高稳定性,两组完全对称,各自完成最佳功率输出匹配后再两者进一步完成功率合成,采用的输出匹配同时对二次谐波也进行了抑制。所以,此结构能很大程度上提高放大器的功率输出能力,并具有较高的效率。
高功率放大器第一级放大管M7的栅压由电源电压VG1通过电感L6提供,场效应管M7的漏压由电源电压VT1通过电感L7提供,电容C15为隔直电容,电源电压VG2通过电感L8给末级的四个放大管提供栅压,电容C16、电感L9和电感L10是两级电路的LC级间匹配,电感L9和电感L10大小相等,电源电压VT2通过电感L15给末级的四个放大管提供漏压,同样,两组输出匹配也完全对称,包含电感L11~L14以及电感L17和L18,到地电容C17~C19,此输出匹配在满足最佳输出功率匹配下,也对二次谐波也进行了抑制,从而提高了放大器的效率。
接收功率检测网络位于接收低噪声驱动放大器和第二开关切换网络之间,发射功率检测网络位于发射高功率放大器和第一开关切换网络之间。接收功率检测网络/发射功率检测网络均为二极管检波电路,接收功率检测网络/发射功率检测网络的射频输出功率经过整流滤波后得到输出电压。输出电压和输出功率一一对应,从而可以通过电压得到目标功率。输出电压端口Ptest1和输出电压端口Ptest2分别输出接收和发射通道对应功率下的电压。二极管D1~D12为检波二极管,并联到地RC(电阻Rj2和电容Cj1,电阻Rj4和电容Cj2)是低频滤波网络。
三位衰减网络位于收发通道的公共通道,是三位数控衰减器,其由一个T型衰减器和两个∏型衰减器构成,可实现分别为1dB、2dB、4dB和全态7dB。T型衰减器由并联开关管Ma1和电阻Ra2构成,控制电压VATcon1控制衰减打开与关断;2dB和4dB衰减量均由∏型衰减器实现,控制电压VATcon3和VATcon5分别控制Ma2和Ma5两个串联开关管,控制电压VATcon2控制2dB衰减器的Ma3和Ma4两个并联开关管,控制电压VATcon4控制4dB衰减器的Ma6和Ma7两个并联开关管。
本领域的普通技术人员将会意识到,这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理,应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合,这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。
Claims (1)
1.一种收发放大衰减多功能芯片,其特征在于,包括第一开关切换网络、接收低噪声驱动放大器、接收功率检测网络、发射高功率放大器、发射功率检测网络、均衡器、第二开关切换网络、三位衰减网络和第三开关切换网络;
所述第一开关切换网络的输出端、接收低噪声驱动放大器、第二开关切换网络、三位衰减网络和第三开关切换网络的输入端依次连接;所述第三开关切换网络的输出端、三位衰减网络、第二开关切换网络、均衡器、发射功率检测网络和第一开关切换网络的输入端依次连接;所述接收低噪声驱动放大器还与接收功率检测网络的输入端连接;所述发射高功率放大器还与发射功率检测网络的输入端连接;所述接收功率检测网络的输出端和输出电压端口Ptest1连接;所述发射功率检测网络的输出端和输出电压端口Ptest2连接;所述第一开关切换网络设置有收发放大衰减多功能芯片的接收输入端/发射输出端;所述第三开关切换网络设置有收发放大衰减多功能芯片的第一发射输入端/第一接收输出端和第二发射输入端/第二接收输出端;
所述第一开关切换网络包括电阻Rs1、电阻Rs2、电阻Rs3、电阻Rs4、电阻Rs5、电阻Rs6、电容Cs1、电容C1、电容C21、微带线TLs1、微带线TLs2、微带线TLs3、开关管Ms1、开关管Ms2、开关管Ms3、开关管Ms4、开关管Ms5和开关管Ms6;
所述电容Cs1的一端作为第一开关切换网络的接收输入端/发射输出端,其另一端和微带线TLs1的一端连接;所述开关管Ms1的栅极和电阻Rs1的一端连接;所述开关管Ms1的源极分别与微带线TLs1的另一端和开关管Ms4的源极连接;所述开关管Ms1的漏极分别与开关管Ms2的漏极和微带线TLs2的一端连接;所述开关管Ms2的栅极和电阻Rs4的一端连接;所述开关管Ms2的源极和开关管Ms3的漏极连接;所述开关管Ms3的栅极和电阻Rs5的一端连接;所述微带线TLs2的另一端和电容C21的一端连接;所述电容C21的另一端作为第一开关切换网络的输入端;所述开关管Ms4的栅极和电阻Rs2的一端连接;所述开关管Ms4的漏极和开关管Ms5的源极连接;所述开关管Ms5的栅极和电阻Rs3的一端连接;所述开关管Ms5的漏极分别与微带线TLs3的一端和开关管Ms6的漏极连接;所述开关管Ms6的栅极和电阻Rs6的一端连接;所述开关管Ms3的源极和开关管Ms6的源极均接地;所述微带线TLs3的另一端和电容C1的一端连接;所述电容C1的另一端作为第一开关切换网络的输出端;所述电阻Rs1的另一端和电阻Rs6的另一端均与控制电压Vcon1连接;所述电阻Rs2的另一端、电阻Rs3的另一端、电阻Rs4的另一端和电阻Rs5的另一端均与控制电压Vcon2连接;
所述接收低噪声驱动放大器包括电阻R1、电阻R2、接地电阻R3、接地电阻R4、电阻R5、接地电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、接地电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电容C2、接地电容C3、电容C4、接地电容C5、接地电容C6、接地电容C7、电感L1、电感L2、场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3、场效应管M4、场效应管M5和场效应管M6;
所述场效应管M1的栅极作为接收低噪声驱动放大器的输入端,并分别与电阻R2的一端和接地电阻R3连接;所述场效应管M1的源极分别与场效应管M2的栅极和接地电阻R4连接;所述场效应管M1的漏极分别与电阻R1的一端、电感L1的一端、电容C2的一端、电容C4的一端和场效应管M2的漏极连接;所述场效应管M3的栅极分别与电容C4的另一端、电阻R7的一端和电阻R8的一端连接;所述场效应管M3的漏极和场效应管M6的源极连接;所述场效应管M4的栅极和电阻R8的另一端连接;所述场效应管M4的漏极和场效应管M5的源极连接;所述场效应管M5的栅极和电阻R13的一端连接;所述场效应管M5的漏极和电阻R14的一端连接;所述场效应管M6的栅极和电阻R12的一端连接;所述场效应管M6的漏极作为接收低噪声驱动放大器的输出端,并分别与电感L2的一端和电阻R14的另一端连接;所述电感L1的另一端分别与接地电容C3、电阻R5的一端、电阻R9的一端、接地电容C7、电感L2的另一端和电源电压VR1连接;所述电阻R7的另一端分别与电阻R5的另一端和接地电阻R6连接;所述电阻R9的另一端分别与接地电阻R10和电阻R11的一端连接;所述电阻R11的另一端分别与接地电容C5、电阻R12 的另一端、接地电容C6和电阻R13的另一端连接;所述电阻R1的另一端分别与电阻R2的另一端和电容C2另一端连接;所述场效应管M2的源极、场效应管M3的源极和场效应管M4的源极均接地;
所述接收功率检测网络包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、电阻Rj1、接地电阻Rj2和接地电容Cj1;
所述二极管D1的正极作为接收功率检测网络的输入端,并与电阻Rj1的一端连接;所述二极管D1的负极和二极管D2的正极连接;所述二极管D2的负极和二极管D3的正极连接;所述二极管D3的负极和二极管D4的正极连接;所述二极管D4的负极和二极管D5的正极连接;所述二极管D5的负极和二极管D6的正极连接;所述二极管D6的负极分别与电阻Rj1的一端的另一端、接地电阻Rj2、接地电容Cj1和输出电压端口Ptest1连接;
所述发射高功率放大器包括电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电容C11、接地电容C12、接地电容C13、接地电容C14、电容C15、接地电容C16、电容C17、电容C18、接地电容C19、接地电容C20、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8、电感L9、电感L10、电感L11、电感L12、电感L13、电感L14、电感L15、电感L16、接地电感L17、接地电感L18、场效应管M7、场效应管M8、场效应管M9、场效应管M10和场效应管M11;
所述电容C11的一端作为发射高功率放大器的输入端,其另一端和电感L5的一端连接;所述场效应管M7的栅极分别与电感L5的另一端和电感L6的一端连接;所述场效应管M7的漏极分别与电容C15的一端和电感L7的一端连接;所述电感L6的另一端分别与接地电容C12和电源电压VG1连接;所述电感L7的另一端分别与接地电容C13和电源电压VT1连接;所述电容C15的另一端分别与电感L10的一端、接地电容C16、电感L8的一端和电感L9的一端连接;所述电感L8的另一端分别与接地电容C14和电源电压VG2连接;所述场效应管M8的栅极分别与电阻R20的一端、电感L10的另一端、电阻R20的另一端和场效应管M9的栅极连接;所述场效应管M8的漏极分别与电阻R21的一端、电感L12的一端、电阻R21的另一端和场效应管M9的漏极连接;所述场效应管M10的栅极分别与电阻R18的一端、电感L9的另一端、电阻R18的另一端和场效应管M11的栅极连接;所述场效应管M11的漏极分别与电阻R19的一端、电感L11的一端、电阻R19的另一端和场效应管M10的漏极连接;所述场效应管M7的源极、场效应管M8的源极、场效应管M9的源极、场效应管M10的源极、场效应管M11的源极均接地;所述电感L11的另一端分别与电容C17的一端和电感L13的一端连接;所述电容C17的另一端和接地电感L17连接;所述电感L13的另一端分别与电感L14的一端、接地电容C19、电感L15的一端和电感L16的一端连接;所述电感L15的另一端分别与接地电容C20和电源电压VT2连接;所述电感L16的另一端作为发射高功率放大器的输出端;所述电感L14的另一端分别与电感L12的另一端和电容C18的一端连接;所述电容C18的另一端和接地电感L18连接;
所述发射功率检测网络包括二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D11、二极管D12、电阻Rj3、接地电阻Rj4和接地电容Cj2;
所述二极管D7的正极作为发射功率检测网络的输入端,并与电阻Rj3的一端连接;所述二极管D7的负极和二极管D8的正极连接;所述二极管D8的负极和二极管D9的正极连接;所述二极管D9的负极和二极管D10的正极连接;所述二极管D10的负极和二极管D11的正极连接;所述二极管D11的负极和二极管D12的正极连接;所述二极管D12的负极分别与电阻Rj3的另一端、接地电阻Rj4、接地电容Cj2和输出电压端口Ptest2连接;
所述均衡器包括电阻R15、电阻R16、电阻R17、电容C10、接地电感L3和接地电感L4;
所述电容C10的一端作为均衡器的输入端,并分别与电阻R15的一端和电阻R17的一端连接;所述电容C10的另一端作为均衡器的输出端,并分别与电阻R15的另一端和电阻R16的一端连接;所述电阻R17的另一端和接地电感L4连接;所述电阻R16的另一端和接地电感L3连接;
所述第二开关切换网络包括电阻Rs7、电阻Rs8、电阻Rs9、电阻Rs10、电容C8、电容C9、微带线TLS4、微带线TLS5、微带线TLS6、开关管Ms7、开关管Ms8、开关管Ms9和开关管Ms10;
所述电容C8的一端作为第二开关切换网络的第一输入端,其另一端和微带线TLs4的一端连接;所述开关管Ms7的栅极和电阻Rs7的一端连接;所述开关管Ms7的漏极分别与开关管Ms8的源极和微带线TLs5的一端连接;所述开关管Ms8的栅极和电阻Rs8的一端连接;所述开关管Ms8的漏极分别与开关管Ms9的源极和微带线TLs6的一端连接;所述微带线TLs5的另一端和电容C9的一端连接;所述电容C9的另一端作为第二开关网络的输出端;所述微带线TLs6的另一端和三位衰减网络连接;所述开关管Ms9的栅极和电阻Rs10的一端连接;所述开关管Ms9的漏极分别与微带线TLs4的另一端和开关管Ms10的漏极连接;所述开关管Ms10的栅极和电阻Rs9的一端连接;所述电阻Rs8的另一端和电阻Rs9的另一端均与控制电压Vcon1连接;所述电阻Rs7的另一端和电阻Rs10的另一端均与控制电压Vcon2连接;所述开关管Ms7的源极和开关管Ms10的源极均接地;
所述三位衰减网络包括电阻Ra1、接地电阻Ra2、电阻Ra3、电阻Ra4、电阻Ra5、接地电阻Ra6、电阻Ra7、接地电阻Ra8、电阻Ra9、电阻Ra10、接地电阻Ra12、电阻Ra13、接地电阻Ra14、微带线TLa1、微带线TLa2、微带线TLa3、微带线TLa4、微带线TLa5、微带线TLa6、开关管Ma1、开关管Ma2、开关管Ma3、开关管Ma4、开关管Ma5、开关管Ma6和开关管Ma7;
所述开关管Ma1的漏极分别与微带线TLa1的一端和第二开关切换网络连接;所述开关管Ma1的栅极和电阻Ra1的一端连接;所述开关管Ma1的源极和接地电阻Ra2连接;所述开关管Ma2的栅极和电阻Ra4的一端连接;所述开关管Ma2的源极分别与微带线TLa2的一端和电阻Ra3的一端连接;所述开关管Ma2的漏极分别与微带线TLa3的一端和电阻Ra3的另一端连接;所述开关管Ma3的栅极和电阻Ra5的一端连接;所述开关管Ma3的源极和接地电阻Ra6连接;所述开关管Ma3的漏极分别与微带线TLa1的另一端和微带线TLa2的另一端连接;所述开关管Ma4的栅极和电阻Ra7的一端连接;所述开关管Ma4的源极和接地电阻Ra8连接;所述开关管Ma4的漏极分别与微带线TLa3的另一端和微带线TLa4的一端连接;所述开关管Ma5的栅极和电阻Ra10的一端连接;所述开关管Ma5的源极分别与微带线TLa5的一端和电阻Ra9的一端连接;所述开关管Ma5的漏极分别与微带线TLa6的一端和电阻Ra9的另一端连接;所述开关管Ma6的栅极和电阻Ra11的一端连接;所述开关管Ma6的源极和接地电阻Ra12连接;所述开关管Ma6的漏极分别与微带线TLa4的另一端和微带线TLa5的另一端连接;所述开关管Ma7的栅极和电阻Ra13的一端连接;所述开关管Ma7的源极和接地电阻Ra14连接;所述开关管Ma7的漏极分别与微带线TLa6的另一端和第三开关切换网络连接;所述电阻Ra1的另一端和控制电压VATcon1连接;所述电阻Ra4的另一端和控制电压VATcon3连接;所述电阻Ra5的另一端和电阻Ra7的另一端均与控制电压VATcon2连接;所述电阻Ra10的另一端和控制电压VATcon5连接;所述电阻Ra11的另一端和电阻Ra13的另一端均与控制电压VATcon4连接;
所述第三开关切换网络包括电阻Rs10、电阻Rs11、电阻Rs12、电阻Rs13、电容Cs2、电容Cs3、微带线TLs7、微带线TLs8、微带线TLs9、开关管Ms10、开关管Ms11、开关管Ms12和开关管Ms13;
所述微带线TLs7的一端和三位衰减网络连接,其另一端分别与开关管Ms10的源极和开关管Ms12的源极连接;所述开关管Ms10的栅极和电阻Rs10的一端连接;所述开关管Ms10的漏极分别与开关管Ms11的漏极和微带线TLs9的一端连接;所述微带线TLs9的另一端和电容Cs3的一端连接;所述电容Cs3的另一端作为第三开关切换网络的第二发射输入端/第二接收输出端;所述开关管Ms11的栅极和电阻Rs11的一端连接;所述开关管Ms12的栅极和电阻Rs12的一端连接;所述开关管Ms12的漏极分别与开关管Ms13的漏极和微带线TLs8的一端连接;所述开关管Ms13的栅极和电阻Rs13的一端连接;所述微带线TLs8的另一端和电容Cs2的一端连接;所述电容Cs2的另一端作为第三开关切换网络的第一发射输入端/第一接收输出端;所述开关管Ms11的源极和开关管Ms13的源极接地;所述电阻Rs10的另一端和电阻Rs13的另一端均与控制电压Vcon3连接;所述电阻Rs11的另一端和电阻Rs12的另一端均与控制电压Vcon4连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211306377.0A CN115378456B (zh) | 2022-10-25 | 2022-10-25 | 一种收发放大衰减多功能芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211306377.0A CN115378456B (zh) | 2022-10-25 | 2022-10-25 | 一种收发放大衰减多功能芯片 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115378456A CN115378456A (zh) | 2022-11-22 |
CN115378456B true CN115378456B (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=84074250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211306377.0A Active CN115378456B (zh) | 2022-10-25 | 2022-10-25 | 一种收发放大衰减多功能芯片 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115378456B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116032227B (zh) * | 2023-01-10 | 2024-01-26 | 电子科技大学 | 一种双极化高功率收发多功能芯片 |
CN117081523A (zh) * | 2023-10-18 | 2023-11-17 | 四川益丰电子科技有限公司 | 一种宽带衰减低噪声放大多功能芯片 |
CN117318636B (zh) * | 2023-11-28 | 2024-02-27 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种高集成度双模放大器芯片 |
CN117579007B (zh) * | 2024-01-17 | 2024-04-09 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114866039A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-08-05 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种低功耗发射多功能芯片 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5672683B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2015-02-18 | ソニー株式会社 | 無線伝送システム、無線通信装置 |
CN103795123B (zh) * | 2014-02-19 | 2016-08-24 | 成都芝田高分子材料有限公司 | 一种基于超级电容器主动均衡的智能电池管理系统 |
CN112929050A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-06-08 | 成都泰格微电子研究所有限责任公司 | 一种多通道的射频收发芯片 |
CN114814731A (zh) * | 2022-01-28 | 2022-07-29 | 加特兰微电子科技(上海)有限公司 | 数据接口装置、及所适用的数据采集设备、传感器系统 |
CN114157321B (zh) * | 2022-02-09 | 2022-04-22 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种双通道收发多功能芯片 |
CN114567264B (zh) * | 2022-04-29 | 2022-08-16 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种三通道放大衰减滤波多功能芯片 |
CN114710138B (zh) * | 2022-06-08 | 2022-09-20 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种多通道放大衰减移相串口控制多功能芯片 |
CN114978074B (zh) * | 2022-07-25 | 2022-11-11 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种三通道收发放大芯片 |
-
2022
- 2022-10-25 CN CN202211306377.0A patent/CN115378456B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114866039A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-08-05 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种低功耗发射多功能芯片 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115378456A (zh) | 2022-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN115378456B (zh) | 一种收发放大衰减多功能芯片 | |
CN114567264B (zh) | 一种三通道放大衰减滤波多功能芯片 | |
CN114157321B (zh) | 一种双通道收发多功能芯片 | |
CN114978074B (zh) | 一种三通道收发放大芯片 | |
CN115632616B (zh) | 一种可自适应增益控制的低功耗驱放芯片 | |
CN107994875A (zh) | 基于复合电抗式lc滤波网络的超宽带堆叠功率放大器 | |
CN114567272B (zh) | 一种超宽带延时放大收发多功能芯片 | |
CN114172464B (zh) | 一种宽带谐波抑制放大器 | |
CN115632620B (zh) | 一种三通道放大滤波多功能芯片 | |
CN110719074A (zh) | 一种可调谐的宽带低噪声放大器 | |
US11251818B2 (en) | Radio frequency front-end architecture | |
CN109379053B (zh) | 可切换负载线的匹配电路、负载线切换方法及功率放大器 | |
CN201584972U (zh) | 大动态范围低噪声光接收模块 | |
US20230062918A1 (en) | Interstage matching circuit and push-pull power amplifier circuit | |
CN115940990A (zh) | 一种超宽带收发多功能芯片 | |
US11942908B2 (en) | Architecture of radio frequency front-end | |
CN1395363A (zh) | 变增益的单端到差分的射频低噪声放大器 | |
CN116032227B (zh) | 一种双极化高功率收发多功能芯片 | |
US11646801B1 (en) | Analog front-end module of ultra-wideband optical receiver | |
US20220393654A1 (en) | Biasing solution for push-pull power amplifier for low loadline and high common mode rejection ratio background | |
CN207732732U (zh) | 基于复合电抗式lc滤波网络的超宽带堆叠功率放大器 | |
CN202395733U (zh) | 射频宽带跳频预选滤波器 | |
CN117579007B (zh) | 一种超宽带超宽动态范围放大衰减多功能芯片 | |
CN111030622A (zh) | 一种二维分布式高增益行波功率放大器 | |
CN117318636B (zh) | 一种高集成度双模放大器芯片 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |