CN115378277A - 一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路，包括低压侧供电电路、低压侧驱动电路、高频驱动电路、低压推动磁隔离电源电路和高压侧驱动电路；低压侧供电电路为低压侧驱动电路、高频驱动电路以及低压推动磁隔离电源电路提供隔离电源；低压侧驱动电路将输入的低压开关信号进行功率放大，驱动功率器件；高频驱动电路产生的PWM信号驱动低压推动磁隔离电源电路产生具有高压隔离性能的电源；低压推动磁隔离电源电路为高压侧驱动电路提供能量；高压侧驱动电路将输入的高压侧开关信号进行放大，用于驱动高压侧功率器件。本发明具有内部隔离高压供电，节省一个外部隔离电源，降低客户的BOM成本并减小产品体积。

Description

一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路。
背景技术
随着新能源汽车的普及，续航里程成为主要关注点之一，所以新能源汽车的电池电压平台超过800V；另外随着开关电源功率密度的提升以及第三代半导体的迅速发展，其开关频率也在逐步提升。
鉴于以上技术的发展趋势，原有的半导体700V工艺平台已经不满满足耐压高频的需求，且原有的自举电路的半桥驱动方案和全桥驱动由于高频的作用，其自举二极管本身的容性会带来较大的损耗，无法满足需求；另外电容隔离由于无法传输功率，所以在整体应用中无法实现高压侧驱动的供电，这就需要单独的隔离电源进行供电，造成体积偏大，无法实现高功率密度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路，以解决背景技术中的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路，包括低压侧供电电路、低压侧驱动电路、高频驱动电路、低压推动磁隔离电源电路和高压侧驱动电路；
所述低压侧供电电路与所述低压侧驱动电路、所述高频驱动电路以及所述低压推动磁隔离电源电路连接，并提供隔离电源；
所述低压侧驱动电路将输入的低压开关信号进行功率放大，用于驱动外部的功率器件；
所述高频驱动电路产生PWM信号驱动所述低压推动磁隔离电源电路，使其产生具有高压隔离性能的电源；
所述低压推动磁隔离电源电路的输出为所述高压侧驱动电路提供能量；
所述高压侧驱动电路将输入的高压侧开关信号进行放大，用于驱动外部的高压侧功率器件。
在一种实施方式中，所述低压推动磁隔离电源电路包括开关电路、磁隔离电路和整流稳压电路；所述开关电路的内部开关管的漏端与所述磁隔离电路连接，在开关管进行高频开关时向所述磁隔离电路的次级传递能量；所述磁隔离电路与所述整流稳压电路连接，提供稳定的直流输出，为所述高压侧驱动电路提供隔离电源。
在一种实施方式中，所述开关电路包括开关管Q1和开关管Q2，开关管Q1的栅端和开关管Q2的栅端与所述高频驱动电路连接；开关管Q1的漏端和开关管Q2的漏端分别与所述磁隔离电路连接。
在一种实施方式中，所述磁隔离电路包括4个绕组NP1、NP2、NS1和NS2，4个绕组构成耦合变压器，将能量从输入端传递到输出端；所述绕组NP1的同名端与开关管Q1的漏端连接，所述绕组NP2的异名端与开关管Q2的漏端连接，所述绕组NP1的异名端与所述绕组NP2的同名端连接，并连接至输入VIN。
在一种实施方式中，所述整流稳压电路包括肖特基二极管D1和D2、电容C3和稳压管Z1；
所述肖特基二极管D1的阳极连接所述绕组NS1的同名端，阴极与所述电容C3的第一端和所述稳压管Z1的阴极连接；
所述肖特基二极管D2的阳极与所述绕组NS2的异名端连接，阴极与所述电容C3的第一端和所述稳压管Z1的阴极连接，输出端VOUT用于给所述高压侧驱动供电。
在一种实施方式中，所述提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路的应用电路包括数字单元MCU、主芯片U1、信号隔离器Isolator、电容C1-C2、开关管QU和QD、以及电感L；
所述主芯片U1包含VHC端口、GNDH端口、PWMH端口、VIN端口、PWML端口、GND端口、GNDL端口、DRVL端口、GNDH端口和DRVH端口，所述数字单元MCU包括端口PWMH和端口PWML；
所述数字单元MCU的端口PWMH与所述隔离器Isolator连接，经过隔离与所述主芯片U1的PWMH端口连接；所述VHC端口连接电容C1的正端，稳定内部隔离电源；所述VIN端口通过所述电容C2接地，为内部低压单元提供稳定电压；所述主芯片U1的PWML端口与所述数字单元MCU的端口PWML连接；所述GND端口接地；所述GNDL端口与开关管QD的源端连接；所述DRVL端口与开关管QD的栅端连接，用于驱动所述开关管QD；所述GNDH端口与开关管QU的源端连接；所述DRVH端口与开关管QU的栅端连接，用于驱动高压侧开关管；所述开关管QU的漏端与高压系统HV连接，所述开关管QD的漏端与所述电感L连接。
在一种实施方式中，所述低压侧供电电路、所述低压侧驱动电路、所述高频驱动电路、所述低压推动磁隔离电源电路和所述高压侧驱动电路能够合成采用封装或者电路设计的方式在一个芯片中，或者位于若干个芯片中。
在一种实施方式中，所述外部的功率器件包括氮化镓、碳化硅以及普通的硅基MOS。
本发明提供的一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路，具有以下有益效果：
(1)不采用自举驱动方式，可以实现更高电压，更高频率的电源架构；
(2)采用磁隔离技术，可以提供隔离电源为高压侧驱动供电；磁隔离技术比光耦和电容隔离技术更加可靠，无老化；
(3)无需外部的隔离电源，降低了整机的体积，节省空间，降低成本；
(4)采用延迟匹配技术，实现10ns级别的传输延迟，驱动波形不失真，实现高频化。
附图说明
图1是本发明提供的一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路的原理示意图；
图2是本发明提供的一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路中低压推动磁隔离电源电路的结构框图；
图3是本发明提供的一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路的具体电路结构示意图；
图4是本发明提供的一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路的延迟匹配示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明提供一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路，其结构如图1所示，包括低压侧供电电路100、低压侧驱动电路200、高频驱动电路300、低压推动磁隔离电源电路400和高压侧驱动电路500。所述低压侧供电电路100与低压侧驱动电路200、高频驱动电路300以及低压推动磁隔离电源电路400连接，并提供隔离电源；所述低压侧驱动电路200将输入的低压开关信号进行功率放大，用于驱动外部的功率器件；所述高频驱动电路300的输出端与所述低压推动磁隔离电源电路400的输入端连接，产生PWM信号驱动所述低压推动磁隔离电源电路400，使所述低压推动磁隔离电源电路400产生具有高压隔离性能的电源；所述低压推动磁隔离电源电路400与所述高压侧驱动电路500连接，所述低压推动磁隔离电源电路400的输出为所述高压侧驱动电路500提供能量；所述高压侧驱动电路500将输入的高压侧开关信号进行放大，用于驱动外部的高压侧功率器件。所述高频驱动电路的频率越高，则需要的外面的磁心和变压器越小，但考虑到电磁兼容和主回路开关频率问题，产生高压隔离性能电源的高频驱动电路的频率可调。
如图2所示为所述低压推动磁隔离电源电路400的内部结构示意图，包括开关电路401、磁隔离电路402和整流稳压电路403；所述开关电路401的内部开关管(即NMOS管Q1和Q2)的栅端与所述高频驱动电路300连接，所述开关电路401的内部开关管(即NMOS管Q1和Q2)的漏端与所述磁隔离电路402连接；所述磁隔离电路402与所述整流稳压电路403连接，提供稳定的直流输出，并为所述高压侧驱动电路500提供所需的电压电流。请继续参阅图2，所述开关电路包括开关管Q1和开关管Q2，开关管Q1的栅端和开关管Q2的栅端与所述高频驱动电路连接；开关管Q1的漏端和开关管Q2的漏端分别与所述磁隔离电路连接。所述磁隔离电路包括4个绕组NP1、NP2、NS1和NS2，4个绕组构成耦合变压器，将能量从输入端传递到输出端；所述绕组NP1的同名端与开关管Q1的漏端连接，所述绕组NP2的异名端与开关管Q2的漏端连接，所述绕组NP1的异名端与所述绕组NP2的同名端连接，并连接至输入VIN。所述整流稳压电路包括肖特基二极管D1和D2、电容C3和稳压管Z1；所述肖特基二极管D1的阳极连接所述绕组NS1的同名端，阴极与所述电容C3的第一端和所述稳压管Z1的阴极连接；所述肖特基二极管D2的阳极与所述绕组NS2的异名端连接，阴极与所述电容C1的第二端和稳压管Z1的阳极连接，输出端VOUT用于给所述高压侧驱动供电。
本发明的一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路主要技术路径是将高低压侧的开关电路进行隔离驱动，并实现内部自供电，无需外部高压隔离电源。此技术路径的直接优点是无需采用自举驱动，可以实现更高的工作频率，降低自举二极管带来的反向回复损耗；另外无需采用外部高压隔离电源，降低了系统体积，系统工作更加可靠。
如图3所示为所述一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路的应用电路，所述应用电路即为所述提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路应用时外围的结构，包括数字单元MCU、主芯片U1、信号隔离器Isolator、电容C1-C2、开关管QU和QD、以及电感L。所述主芯片U1包含VHC端口、GNDH端口、PWMH端口、VIN端口、PWML端口、GND端口、GNDL端口、DRVL端口、GNDH端口和DRVH端口，所述数字单元MCU包括端口PWMH和端口PWML；所述数字单元MCU的端口PWMH与所述隔离器Isolator连接，经过隔离与所述主芯片U1的PWMH端口连接，所述VHC端口连接电容C1的正端，稳定内部隔离电源，所述VIN端口通过所述电容C2接地，为内部低压单元提供稳定电压，所述主芯片U1的PWML端口与所述数字单元MCU的端口PWML连接，所述GND端口接地，所述GNDL端口与开关管QD的源端连接，所述DRVL端口与开关管QD的栅端连接，用于驱动所述开关管QD，所述GNDH端口与开关管QU的源端连接，所述DRVH端口与开关管QU的栅端连接，用于驱动高压侧开关管，所述开关管QU的漏端与高压系统HV连接，所述开关管QD的漏端与所述电感L连接。
本发明提供的一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路，采用延迟匹配技术，保证了驱动信号的准确性。请参阅图4，采用高压隔离自供电技术，实现内部高压侧驱动的自供电，节省外部隔离电源，缩小体积；同时由于高频无法采用电容自举的方式，本发明采用磁隔离技术，无需采用自举电路，降低自举二极管的反向恢复带来的损耗，提高了开关频率，提高系统可靠性并减少了体积。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (8)

1.一种提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路，其特征在于，包括低压侧供电电路、低压侧驱动电路、高频驱动电路、低压推动磁隔离电源电路和高压侧驱动电路；
所述低压侧供电电路与所述低压侧驱动电路、所述高频驱动电路以及所述低压推动磁隔离电源电路连接，并提供隔离电源；
所述低压侧驱动电路将输入的低压开关信号进行功率放大，用于驱动外部的功率器件；
所述高频驱动电路产生PWM信号驱动所述低压推动磁隔离电源电路，使其产生具有高压隔离性能的电源；
所述低压推动磁隔离电源电路的输出为所述高压侧驱动电路提供能量；
所述高压侧驱动电路将输入的高压侧开关信号进行放大，用于驱动外部的高压侧功率器件。
2.如权利要求1所述的提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路，其特征在于，所述低压推动磁隔离电源电路包括开关电路、磁隔离电路和整流稳压电路；所述开关电路的内部开关管的漏端与所述磁隔离电路连接，在开关管进行高频开关时向所述磁隔离电路的次级传递能量；所述磁隔离电路与所述整流稳压电路连接，提供稳定的直流输出，为所述高压侧驱动电路提供隔离电源。
3.如权利要求2所述的提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路，其特征在于，所述开关电路包括开关管Q1和开关管Q2，开关管Q1的栅端和开关管Q2的栅端与所述高频驱动电路连接；开关管Q1的漏端和开关管Q2的漏端分别与所述磁隔离电路连接。
4.如权利要求3所述的提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路，其特征在于，所述磁隔离电路包括4个绕组NP1、NP2、NS1和NS2，4个绕组构成耦合变压器，将能量从输入端传递到输出端；所述绕组NP1的同名端与开关管Q1的漏端连接，所述绕组NP2的异名端与开关管Q2的漏端连接，所述绕组NP1的异名端与所述绕组NP2的同名端连接，并连接至输入VIN。
5.如权利要求4所述的提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路，其特征在于，所述整流稳压电路包括肖特基二极管D1和D2、电容C3和稳压管Z1；
所述肖特基二极管D1的阳极连接所述绕组NS1的同名端，阴极与所述电容C3的第一端和所述稳压管Z1的阴极连接；
所述肖特基二极管D2的阳极与所述绕组NS2的异名端连接，阴极与所述电容C3的第一端和所述稳压管Z1的阴极连接，输出端VOUT用于给所述高压侧驱动供电。
6.如权利要求5所述的提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路，其特征在于，所述提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路的应用电路包括数字单元MCU、主芯片U1、信号隔离器Isolator、电容C1-C2、开关管QU和QD、以及电感L；
所述主芯片U1包含VHC端口、GNDH端口、PWMH端口、VIN端口、PWML端口、GND端口、GNDL端口、DRVL端口、GNDH端口和DRVH端口，所述数字单元MCU包括端口PWMH和端口PWML；
所述数字单元MCU的端口PWMH与所述隔离器Isolator连接，经过隔离与所述主芯片U1的PWMH端口连接；所述VHC端口连接电容C1的正端，稳定内部隔离电源；所述VIN端口通过所述电容C2接地，为内部低压单元提供稳定电压；所述主芯片U1的PWML端口与所述数字单元MCU的端口PWML连接；所述GND端口接地；所述GNDL端口与开关管QD的源端连接；所述DRVL端口与开关管QD的栅端连接，用于驱动所述开关管QD；所述GNDH端口与开关管QU的源端连接；所述DRVH端口与开关管QU的栅端连接，用于驱动高压侧开关管；所述开关管QU的漏端与高压系统HV连接，所述开关管QD的漏端与所述电感L连接。
7.如权利要求1所述的提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路，其特征在于，所述低压侧供电电路、所述低压侧驱动电路、所述高频驱动电路、所述低压推动磁隔离电源电路和所述高压侧驱动电路能够合成采用封装或者电路设计的方式在一个芯片中，或者位于若干个芯片中。
8.如权利要求1所述的提供隔离电源并带有低压侧高频驱动的集成电路，其特征在于，所述外部的功率器件包括氮化镓、碳化硅、IGBT以及普通的硅基MOS。
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