CN115377659A - 天线及可折叠电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种天线及可折叠电子设备，可折叠电子设备包括转轴、第一主体和第二主体，天线包括第一辐射体和第二辐射体，第一辐射体设置在第一主体内，第二辐射体设置在第二主体内，第一辐射体和第二辐射体均在转轴处接地，第一辐射体通过第一馈电点输入电信号，第二辐射体通过第二馈电点输入电信号，第一馈电点和第二馈电点通过射频连接线连接，第一辐射体上设置有第一缝隙，第二辐射体上设置有第二缝隙；通过设置第一馈电点和第二馈电点的位置，及控制电信号到达第一馈电点和第二馈电点的相位差，可构造高效率、低SAR值的天线。本申请实施例提供一种天线及可折叠电子设备，可以实现天线的高效率和低SAR值。

Description

天线及可折叠电子设备

技术领域

本申请涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种天线及可折叠电子设备。

背景技术

随着无线通信技术的不断发展，在人们日常生活中出现了越来越多的电子设备，如手 机、耳机、平板电脑、可穿戴式设备或者数据卡等。电子设备在进行正常通信时，会产生 电磁辐射，而强度过大的电磁辐射可能会对人体健康造成影响。因此，各个国家和地区对 电子设备的头电磁波吸收率(head specific absorption rate，head SAR)和人体电磁波吸收 率(body specific absorption rate，body SAR)等一般具有比较严格的规定。对于可折叠电 子设备的天线设计，由于需要考虑展开状态和折叠状态下天线的效率和SAR值，天线设计 难度很高。

发明内容

本申请实施例提供一种天线及可折叠电子设备，可以实现天线的高效率和低SAR值。

本申请实施例一方面提供一种天线，应用于可折叠电子设备，可折叠电子设备包括转 轴以及设置在转轴两侧的第一主体和第二主体，天线包括馈源、第一辐射体、第二辐射体、 第一馈电点、第二馈电点和射频连接线；

第一辐射体设置在第一主体内，第二辐射体设置在第二主体内，第一辐射体的靠近转 轴的一端接地，第二辐射体的靠近转轴的一端接地，第一辐射体通过第一馈电点馈入电信 号，第二辐射体通过第二馈电点馈入电信号，第一馈电点和第二馈电点通过射频连接线连 接，第一辐射体上设置有第一缝隙，第二辐射体上设置有第二缝隙；

第一馈电点和第二馈电点的位置与第一馈电点和第二馈电点的电信号的相位设置为：

第一馈电点和第二馈电点均设置在第一缝隙和第二缝隙之间，第一馈电点和第二馈电点的电信号的相位反相；或者，

第一馈电点设置在第一缝隙的远离第二缝隙的一侧，第二馈电点设置在第二缝隙的远离第一缝隙的一侧，第一馈电点和第二馈电点的电信号的相位反相；或者，

第一馈电点设置在第一缝隙和第二缝隙之间，第二馈电点设置在第二缝隙的远离第一缝隙的一侧，或者第一馈电点设置在第一缝隙的远离第二缝隙的一侧，第二馈电 点设置在第一缝隙和第二缝隙之间，第一馈电点和第二馈电点的电信号的相位同相。

本申请实施例提供一种天线，利用可折叠电子设备的两个主体上的空间分别设置辐射 体，两个辐射体通过射频连接线连接构成分布式天线，通过控制馈源馈入两侧辐射体信号 的相位差，实现展开状态下转轴两侧的至少部分辐射体上呈现对称分布的电流，折叠状态 下两个辐射体构成相邻的平行辐射体，且至少部分平行辐射体上的电流同向分布，从而可 以实现天线的高效率和低SAR值。

在一种可能的实施方式中，天线还包括移相器，移相器连接在第一馈电点和第二馈电 点之间。

通过在射频连接线上增加移相器等能够对波的相位进行调节的装置，也可以控制电信 号到达第一馈电点和第二馈电点的相位差。

在一种可能的实施方式中，移相器设置在第一主体内或者第二主体内。

移相器可以设置在第一主体或者第二主体内，以提高位置排布的灵活性。

在一种可能的实施方式中，第一辐射体和第二辐射体相对于转轴呈轴对称设置，第一 缝隙和第二缝隙相对于转轴呈轴对称设置。在达到天线效率要求的同时，不影响可折叠电 子设备的整体外观。

第一辐射体和第二辐射体相对于转轴呈轴对称设置时，有利于在电子设备呈展开状态 时构造以转轴为中心的线天线的共模模式，在电子设备呈折叠状态时使相邻且在电子设备 厚度方向上的电流同向分布，以提高天线的效率并降低天线的SAR值。

在一种可能的实施方式中，第一辐射体上还设置有第三缝隙，第二辐射体上还设置有 第四缝隙，第三缝隙位于第一缝隙的背离第二辐射体的一侧，第四缝隙位于第二缝隙的背 离第一辐射体的一侧；第一馈电点、第二馈电点均设置在第三缝隙和第四缝隙之间。

位于第三缝隙和第四缝隙之间第一辐射体和第二辐射体，构成本申请实施例提供的天 线的辐射体，以限制天线辐射体的长度。

在一种可能的实施方式中，射频连接线包括线缆或柔性电路板。

线缆、柔性电路板等射频连接线，均可以通过控制长度以控制电信号到达第一馈电点 和第二馈电点的相位差。

在一种可能的实施方式中，可折叠电子设备处于展开状态时，第一辐射体和第二辐射 体的延伸方向垂直于转轴的延伸方向，第一辐射体和第二辐射体之间的间距小于转轴的宽 度；可折叠电子设备处于折叠状态时，第一辐射体和第二辐射体的延伸方向一致，且第一 辐射体和第二辐射体在可折叠电子设备的厚度方向上重合。

在电子设备处于展开状态时，第一辐射体和第二辐射体相对于转轴呈轴对称分布，且 第一辐射体和第二辐射体之间的间距小于转轴的宽度，不仅有利于构造以转轴为中心的线 天线的共模模式，而且可以合理利用电子设备的空间来布置天线。

在一种可能的实施方式中，可折叠电子设备处于展开状态时，第一辐射体和第二辐射 体上的电流呈反向分布；可折叠电子设备处于折叠状态时，第一辐射体和第二辐射体上的 电流呈同向分布。

展开状态下，上述电流分布可以构成线天线的共模模式，以提高天线的效率并降低SAR 值，折叠状态下，同向分布的电流干扰较小，可以保证天线的高效率和低SAR值。

在一种可能的实施方式中，第一辐射体和转轴电连接以通过转轴接地，第二辐射体和 转轴电连接以通过转轴接地。

第一辐射体和第二辐射体通过转轴接地，可以简化天线的接地结构，提高天线的空间 布置的紧凑性。

在一种可能的实施方式中，第一辐射体和地板之间具有间隙，第一辐射体和地板之间 电连接构造出槽，第二辐射体和地板之间具有间隙，第二辐射体和地板之间电连接构造出 槽。

对第一辐射体馈入电信号，第一辐射体和地可以视为形成了槽天线；对第二辐射体馈 入电信号，第二辐射体和地可以视为形成了槽天线。

在一种可能的实施方式中，第一辐射体上设置有调谐开关，两个调谐开关分别设置在 第一缝隙的两侧，第二辐射体上设置有调谐开关，两个调谐开关分别设置在第二缝隙的两 侧。

设置调谐开关可以用来调节第一辐射体和第二辐射体各自的第一谐振、第二谐振的谐 振频率。

本申请实施例另一方面提供一种可折叠电子设备，包括转轴、设置在转轴两侧的第一 主体和第二主体以及如上实施例提供的天线。

本申请实施例提供的可折叠电子设备，通过在转轴两侧分别设置辐射体构成分布式天 线，将两侧辐射体通过射频连接线连接，并控制电信号到达两侧辐射体的相位差，以使得 可折叠电子设备处于展开状态时，可以形成线天线的共模模式，电子设备处于折叠状态时， 由于第一主体和第二主体上相邻的至少部分平行辐射枝节的电流方向基本一致，因此使得 可折叠电子设备在展开状态和折叠状态下均可以实现高效率和低SAR值。

在一种可能的实施方式中，电子设备包括金属边框，位于转轴两侧的金属边框分别形 成第一辐射体和第二辐射体。

利用转轴两侧的金属边框作为天线的辐射体，使得天线的结构简单，易于实现。

在一种可能的实施方式中，位于电子设备顶部的顶边框或者位于电子设备底部的底边 框的部分长度形成第一辐射体和第二辐射体。

利用电子设备的顶边框或者底边框作为天线的辐射体，有利于轴对称结构的实现，从 而可以使可折叠电子设备在展开状态和折叠状态下均可以实现高效率和低SAR值。

本申请实施例再一方面还提供一种天线，包括馈源、第一辐射体、第二辐射体和第三 辐射体，第一辐射体、第二辐射体和第三辐射体在同一直线上延伸，第三辐射体位于第一 辐射体和第二辐射体之间，且第三辐射体的长度小于第一辐射体和第二辐射体的长度；

第一辐射体通过第一馈电点馈入电信号，第二辐射体通过第二馈电点馈入电信号，第 一馈电点和第二馈电点通过射频连接线连接，第三辐射体接地，到达第一馈电点和第二馈 电点的电信号的相位同相。

本申请实施例提供的天线，第一辐射体和第二辐射体设置在第三辐射体的两侧，控制 电信号到达第一辐射体和第二辐射体的相位差为同相位，可以形成线天线的共模，实现高 效率、宽频、低SAR值的效果。

在一种可能的实施方式中，第一辐射体和第二辐射体相对于第三辐射体呈轴对称设置， 第一馈电点和第二馈电点的位置相对于第三辐射体呈轴对称设置；第一辐射体的接地点位 于第一馈电点的面向第三辐射体的一侧，第二辐射体的接地点位于第二馈电点的面向第三 辐射体的一侧。

设置第一辐射体和第二辐射体相对于第三辐射体呈轴对称设置，以构造以第三辐射体 为中心的线天线的共模模式，可以降低天线的SAR值。

在一种可能的实施方式中，第三辐射体连接有调谐电感，第三辐射体产生的谐振的效 率低于第一辐射体和第二辐射体产生的谐振的效率。

通过设置调谐电感，以降低第三辐射体产生的谐振的效率，从而可以避免第三辐射体 影响到第一辐射体和第二辐射体的谐振，避免对构造线天线的共模模式产生影响。

本申请实施例又一方面还提供一种天线，包括馈源及在同一直线上延伸的第一辐射体 和第二辐射体，第一辐射体通过第一馈电点馈入电信号，第二辐射体通过第二馈电点馈入 电信号，第一辐射体和第二辐射体的长度相同且呈左右排列，第一馈电点在第一辐射体上 的位置与第二馈电点在第二辐射体上的位置相同，第一馈电点和第二馈电点通过射频连接 线连接，到达第一馈电点和第二馈电点的电信号的相位反相。

本申请实施例提供的天线，第一辐射体和第二辐射体的结构相同，呈左右排列设置， 控制电信号到达第一辐射体和第二辐射体的相位差为反相位，可以形成线天线的共模，实 现高效率、宽频、低SAR值的效果。

在一种可能的实施方式中，第一辐射体的接地点位于第一馈电点的面向第二辐射体的 一侧，第二辐射体的接地点位于第二馈电点的背向第一辐射体的一侧。

第一辐射体和第二辐射体上的接地点均设置各自的馈电点的同一侧，以使第一辐射体 和第二辐射体的结构相同，呈左右排列设置。

本申请实施例另一方面还提供一种电子设备，包括如上实施例提供的天线。

本申请实施例提供的电子设备，通过在非可折叠电子设备上构造对称的辐射体结构， 并通过控制电信号到达两个辐射体上的相位差，以实现线天线的共模，从而实现天线的高 效率和低SAR值。

本申请实施例提供的天线及可折叠电子设备，利用可折叠电子设备的两个主体上的空 间分别设置辐射体，两个辐射体通过射频连接线连接构成分布式天线，通过控制馈源馈入 两侧辐射体信号的相位差，实现展开状态下电流在转轴两侧的辐射体上呈现反向分布，构 造出线天线的共模模式，而折叠状态下两个辐射体构成相邻的平行辐射体，且平行辐射体 上的电流同向分布，从而可以实现天线的高效率和低SAR值。另外，相比于在可折叠电子 设备的两个主体上各自设置天线来说，本申请实施例设置分布式天线，可以得到更多的谐 振模式和带宽。

附图说明

图1a为本申请一实施例提供的槽天线的共模模式示意图；

图1b为本申请一实施例提供的槽天线的差模模式示意图；

图1c为本申请一实施例提供的线天线的共模模式示意图；

图1d为本申请一实施例提供的线天线的差模模式示意图；

图2为本申请一实施例提供的处于展开状态和处于折叠状态的可折叠电子设备的结构 示意图；

图3为本申请一实施例提供的天线的结构示意图；

图4a为本申请一实施例提供的一种天线的结构示意图；

图4b为本申请一实施例提供的另一种天线的结构示意图；

图4c为本申请一实施例提供的再一种天线的结构示意图；

图5为本申请一实施例提供的天线的结构示意图；

图6为本申请一实施例提供的第一天线和第二天线的回波损耗系数曲线图；

图7为本申请一实施例提供的第一天线和第二天线的效率曲线图；

图8a-8d为第一天线的示意性热点图；

图9a-9d为第二天线的示意性热点图；

图10a-10f为不同相位下处于第一谐振频率的天线的示意性热点图；

图11a-11f为不同相位下处于第二谐振频率的天线的示意性热点图；

图12a-图12f为不同相位下天线的电流分布图；

图13为展开状态和折叠状态下天线的电流分布对比图；

图14为处于折叠状态的电子设备的天线的辐射效率的对比图；

图15为处于折叠状态的电子设备的天线的系统效率的对比图；

图16为本申请一实施例提供的天线的另一种结构示意图；

图17为第一天线和第二天线的回波损耗系数曲线图；

图18为第一天线和第二天线的效率曲线图；

图19a-图19d为第二天线的示意性热点图；

图20a-图20f为不同相位下处于第一谐振频率的天线的示意性热点图；

图21a-图21f为不同相位下处于第二谐振频率的天线的示意性热点图；

图22a-图22f为不同相位下天线的电流分布图；

图23为本申请一实施例提供的天线的又一种结构示意图；

图24为第一天线和第二天线的回波损耗系数曲线图；

图25为第一天线和第二天线的效率曲线图；

图26a-图26d为第一天线的示意性热点图；

图27a-图27f为不同相位下处于第一谐振频率的天线的示意性热点图；

图28a-图28f为不同相位下处于第二谐振频率的天线的示意性热点图；

图29a-图29f为不同相位下天线的电流分布图；

图30为本申请一实施例提供的一种线天线的结构示意图；

图31为图30提供的天线对应的回波损耗系数曲线图；

图32为图30提供的天线的效率曲线图；

图33a-图33b为图30提供的天线的电流分布图；

图34a-图34d为第一天线的示意性热点图；

图35为本申请一实施例提供的一种天线的结构示意图；

图36为图35提供的天线在不同相位下的辐射效率曲线图；

图37为图35提供的天线在不同相位下的系统效率曲线图；

图38a-图38b为同相位下天线的电流分布图；

图39a-图39d为同相位下天线的示意性热点图；

图40为本申请一实施例提供的天线的简化结构示意图；

图41为本申请一实施例提供的另一种天线的结构示意图；

图42为图41提供的天线在不同相位下的辐射效率曲线图；

图43为图41提供的天线在不同相位下的系统效率曲线图；

图44a-图44b为同相位下天线的电流分布图；

图45a-图45d为同相位下天线的示意性热点图；

图46a-图46b为反相位下天线的电流分布图；

图47a-图47d为反相位下天线的示意性热点图；

图48为本申请一实施例提供的天线的简化结构示意图；

图49为本申请一实施例提供的另一种应用于可折叠电子设备的天线的结构示意图。

附图标记说明：

100-电子设备；11a-第一主体；11b-第二主体；12-转轴；13-地板；21-第一辐射体；211- 第一缝隙；212-第三缝隙；22-第二辐射体；221-第二缝隙；222-第四缝隙；23-馈源；24- 射频连接线；25-第三辐射体；F1-第一馈电点；F2-第二馈电点；SW1、SW2、SW3、SW4- 调谐开关；31-电路板；32-辐射体；33-馈源；34-馈电线。

具体实施方式

以下，对本申请实施例中提及的专业术语进行解释说明，以便于本领域技术人员理解。

天线回波损耗：可以理解为经过天线电路反射回天线端口的信号功率与天线端口发射 功率的比值。反射回来的信号越小，说明通过天线向空间辐射出去的信号越大，天线的辐 射效率越大。反射回来的信号越大，说明通过天线向空间辐射出去的信号越小，天线的辐 射效率越小。天线回波损耗可以用S11参数来表示，S11参数通常为负数。S11参数越小， 表示天线回波损耗越小，天线的系统效率越高；S11参数越大，表示天线回波损耗越大，天线的系统效率越低。

天线隔离度：是指一个天线发射信号，通过另一个天线接收的信号与该发射天线信号 的比值。隔离度是用来衡量天线互耦程度大小的物理量。假定两个天线构成一个双端口网 络，那么两个天线之间的隔离度就是天线之间的S21、S12。天线隔离度可以用S21、S12参数表示。S21、S12参数通常为负数。S21、S12参数越小，表示天线之间的隔离度越大， 天线互耦程度越小；S21、S12参数越大，表示天线之间的隔离度越小，天线互耦程度越大。 天线的隔离度取决于天线辐射方向图、天线的空间距离、天线增益等。天线的隔离度小于 -13dB时，可以认为天线之间具有良好的隔离度。

天线系统效率：指天线向空间辐射出去的功率(即有效地转换电磁波部分的功率)和 天线的输入功率之比。

天线辐射效率：指天线向空间辐射出去的功率(即有效地转换电磁波部分的功率)和 输入到天线的有功功率之比。其中，输入到天线的有功功率＝天线的输入功率-损耗功率； 损耗功率主要包括回波损耗功率和金属的欧姆损耗功率和/或介质损耗功率。

槽天线(slot antenna，也称为缝隙天线)的共模(Common Mode，CM)模式：

图1a为本申请一实施例提供的槽天线的共模模式示意图。参考图1a所示，槽天线可 以通过在辐射体上设置镂空的槽或缝隙而形成，或者可以是，辐射体与地(例如地板/电路 板31)合围出槽或缝隙而形成，例如辐射体与地的结构构造出该槽或缝隙，和/或辐射体与地之间电连接形成该槽或缝隙，或者例如，该槽或缝隙可通过在地板上开槽形成。在一个实施例中，缝隙的一侧即辐射体32上设置有开口，开口处连接馈源33。在另一实施例 中，还可以在距开口处一段预设长度范围内连接馈源33。辐射体32的开口处或开口附近 可以采用反对称馈电(anti-symmetrical feed)，反对称馈电可以理解为，馈电单元33的正 负两极分别连接在开口的两端，馈电单元33的正负极输出的信号幅度相同，相位相反， 例如相位相差180°±10°。此时，电流在开口两侧的辐射体上呈现非对称分布，例如图 1a中的同向分布。应可理解，本申请中提到的“同向分布”的电流，并不是指电流的方向 为纯粹的、单一的相同方向，而是示意性地指示电流在一段辐射体或多段辐射体上基本朝 着共同的方向，例如电流都是从辐射体的一侧流向另一侧。基于电流在开口两侧的辐射体 上呈现非对称分布，或者，基于电流在缝隙周围的导体上围绕缝隙呈同向分布的槽天线模 式，可以称为槽天线的CM模式。

槽天线的差模(Differential Mode，DM)模式：

图1b为本申请一实施例提供的槽天线的差模模式示意图。在一个实施例中，缝隙的 中间位置处连接馈源33，辐射体32的中间位置可以采用对称馈电(symmetrical feed)，对 称馈电可以理解为馈电单元33的一端连接辐射体，另外一端接地，其中，馈电单元33与辐射体连接点(馈电点)位于辐射体的中间位置。本申请中提到的辐射体的“中间位置” 包括辐射体中心，例如可以是几何结构的中点，或者，电长度的中点(或上述中点附近一 定范围内的区域)。在一个实施例中，馈电单元33与辐射体的连接处覆盖上述辐射体中心。 此时，在缝隙周围的导体上，电流围绕缝隙分布，且在缝隙的中间位置两侧呈对称分布， 例如图中的辐射体32上两侧电流呈反向分布。应可理解，本申请中提到的“反向分布” 的电流，并不是指电流的方向为纯粹的、单一的相反方向，而是示意性的指示电流在一段 辐射体或多段辐射体上基本朝着相反的方向，例如电流从辐射体上的一处分别流向辐射体 的相对两侧。基于电流在馈源33与辐射体32的连接处两侧呈现对称分布，或者，基于电 流围绕缝隙呈现对称分布的槽天线模式，可以称为槽天线的DM模式。

应理解，对于槽天线的辐射体，可以理解为产生辐射的金属结构件(例如包括地板的 一部分)，可以包括开口，如图1a所示，或者，也可以为完整的环形，如图1b所示，可以 根据实际的设计或生产需要进行调整。例如，对于槽天线的CM模式，也可以如图1b所 示采用完整的环形辐射体，例如，在缝隙一侧上的辐射体的中间位置设置两个馈电点并采 用反对称馈电的方式，(例如在原本设置开口位置的两端分别馈入幅度相同、相位相反的 信号)，也可以获得与图1a所示天线结构类似的效果。相应地，对于槽天线的DM模式， 也可以如图1a所示采用包括开口的辐射体，例如，在开口位置的两端采用对称馈电的方式， (例如在开口两侧的辐射体的两端分别馈入同一馈源信号)，也可以获得与图1b所示天线 结构类似的效果。

应理解，实际应用中，槽天线的馈电点的位置不受限制，需要根据实际的工作频段的 需求来设计馈电点的位置，图1a和图1b馈电点的位置仅为示意。对于一个槽天线，其可能会同时产生CM模式的谐振和DM模式的谐振，调整馈电点的位置，可以影响到两个谐 振的特征。

需要补充说明的是，对于槽天线，还可以根据电场的分布来定义它的模式。槽天线中， 电场分布在缝隙内，由缝隙的一侧指向另一侧。电场在缝隙的中间位置两侧呈现反向分布， 构成槽天线的CM模式；电场在缝隙的中间位置两侧呈现同向分布，构成槽天线的DM模 式。

线天线(wire antenna)的共模模式：图1c为本申请一实施例提供的线天线的共模模 式示意图。参考图1c所示，在一个实施例中，线天线的辐射体32通过馈电线34连接到馈源33，馈电线34与辐射体32的连接位置可以位于辐射体32的中间位置，辐射体32上的 电流在中间位置的两侧呈现对称分布，例如图中的反向分布。基于电流在辐射体32与馈 电线34连接处的两侧呈现对称分布的线天线模式，可以称为线天线的CM模式。

线天线的差模模式：图1d为本申请一实施例提供的线天线的差模模式示意图。参考 图1d所示，线天线的辐射体32通过馈电线34连接到馈源33，馈电线34与辐射体32的 连接位置可以位于辐射体32的中间位置，辐射体32上的电流在中间位置的两侧呈现非对 称分布，例如图中的同向分布。基于电流在辐射体32与馈电线34连接处的两侧呈现非对 称分布的线天线模式，可以称为线天线的DM模式。

应理解，对于线天线的辐射体32，可以理解为产生辐射的金属结构件，其两端为开放 端，馈电点位于辐射体32上的位置不受限制，馈电点可以如图1c和图1d中设置在辐射体32上的中间位置，也可以设置在靠近中间位置的区域或者其它位置，馈电点的位置需要根据实际的工作频段的需求来设计。线天线的辐射体32的数量可以是一件，如图1c所示， 或者，也可以是两件，如图1d所示，可以根据实际的设计或生产需要进行调整。例如， 对于线天线的CM模式，也可以如图1d所示采用两个辐射体，两个辐射体的两端相对设 置并间隔一缝隙，也可以获得与图1c所示天线结构类似的效果。相应地，对于线天线的 DM模式，也可以如图1c所示采用一个辐射体，例如，在辐射体的中间位置设置两个馈电 点并采用反对称馈电的方式(例如在该辐射体上对称的两个馈电点如分别馈入幅度相同、 相位相反的信号)，也可以获得与图1d所示天线结构类似的效果。示例性地，线天线还可 以包括T型线天线，T型线天线指的是辐射体上设置有常接地点的线天线，该常接地点相 当于并入了一个电感，即结构不一定需要设置接地，可以通过并入电感来实现同样的效果。

需要补充说明的是，实际应用中，对于一个线天线，其可能会同时产生CM模式的谐振和DM模式的谐振，调整馈电点的位置，可以影响到两个谐振的特征。

随着人们生活水平的不断提高，手机等电子设备的屏幕显示效果越来越得到重视，为 了在较小体积的电子设备上实现较大的屏幕面积，电子设备可以采用折叠式结构。可折叠 电子设备可以具有两个主体，两个主体可以绕转轴相对旋转并折叠，以使可折叠电子设备 具有展开和折叠两种状态。可折叠电子设备的天线设计难度较高，一方面，在折叠状态下， 可折叠电子设备相对于常规电子设备来说缺少一条可以利用的侧边，即天线的布置空间受 到限制；另一方面，展开状态和折叠状态之间切换会导致天线的状态发生改变，从而导致 天线性能发生很大的变化，例如从展开状态到折叠状态时天线性能会发生下降。

在一种相关技术中，可折叠电子设备的两个主体上可以分别设置主辐射体和备用寄生 枝节，可折叠电子设备处于展开状态下时，备用寄生枝节远离主辐射体，主辐射体实现天 线功能，可折叠电子设备处于折叠状态下时，主辐射体和备用寄生枝节靠近，两者通过耦 合辐射实现天线功能。这种设计没有很好的利用处于展开状态的可折叠电子设备的空间， 且展开状态下的天线性能可能下降。

在另一种相关技术中，可折叠电子设备的两个主体上可以分别设置主辐射体和副辐射 体，主辐射体和副辐射体通过射频连接线连接，可折叠电子设备处于展开状态下时，射频 连接线连接主辐射体和副辐射体使其共同辐射实现天线功能，可折叠电子设备处于折叠状 态下时，主辐射体和副辐射体靠近，射频连接线可以断开连接以使副辐射体作为主辐射体 的耦合寄生，并和主辐射体共同辐射实现天线功能。这种设计在可折叠电子设备处于展开 状态时很好的利用了空间，但是折叠状态下通过耦合馈电可能导致天线的效率下降，和/ 或导致比吸收率(Specific Absorption Rate，SAR)值升高。

需要说明的是，天线的SAR值是一项法规，欧洲共同体(European Conformity，CE)和美国联邦通信委员会(Federal Communications Commission，FCC)等组织均对电子设备的天线SAR值具有严格的规定。SAR值的规定会直接影响用户实际使用电子设备时的无 线性能，有些天线的形式有比较高的SAR值，实际使用时为不超出规定，设备有功率回退， 这样会导致无线性能的下降，直接影响用户的实际体验。因此，如何在电子设备的辐射体 结构尺寸和空间有限的情况下，通过优化天线设计，在得到较高的天线性能的同时，又获 得更低的SAR值，减少功率回退，是目前电子设备的天线设计的当务之急。

基于上述问题，本申请实施例提供一种天线和可折叠电子设备，利用可折叠电子设备 的两个主体上的空间分别设置辐射体，两个辐射体通过射频连接线连接构成分布式天线， 通过控制馈源馈入两侧辐射体信号的相位差，实现展开状态下电流在转轴两侧的辐射体上 呈现对称分布，折叠状态下两个辐射体构成相邻的平行辐射体，且平行辐射体上的电流同 向分布，从而可以实现天线的高效率和低SAR值。

实施例一

本申请实施例提供一种可折叠电子设备，包括但不限于手机、平板电脑、笔记本电脑、 显示器、车载装置等具有显示屏的终端设备。本申请实施例对上述可折叠电子设备的具体 形式不做具体限制。可折叠电子设备的折叠次数可以为一次、两次或更多，为了方便理解， 本申请实施例以一次折叠的可折叠手机来具体介绍可折叠电子设备的具体结构。

图2为本申请一实施例提供的处于展开状态和处于折叠状态的可折叠电子设备的结构 示意图。参考图2所示，可折叠电子设备100包括第一主体11a和第二主体11b，第一主体11a和第二主体11b可以绕着两者之间的转轴12进行旋转，从而使第一主体11a和第二 主体11b的远离转轴12的一端相对靠近或者相对远离。

本申请实施例中，可定义电子设备100的具有柔性屏的一面为正面，与柔性屏相对的 另一面为背面。可折叠电子设备100可以采用内折式的折叠结构，即电子设备100朝着具有柔性屏的一侧折叠，第一主体11a和第二主体11b中的至少一个按照图中的箭头指向进行旋转，折叠后柔性屏位于电子设备100的内部。不难理解，可折叠电子设备100也可以 采用外折式的折叠结构，即电子设备100朝着背面折叠，折叠后柔性屏位于电子设备100 的外部。

第一主体11a和第二主体11b的实现形式可以包括电子设备100的中框、后壳、中板等结构。第一主体11a和第二主体11b可以采用金属、塑胶、陶瓷、玻璃等结构，具有较 高的结构强度，用来支撑柔性屏。第一主体11a和第二主体11b上还可以连接主板、电池、 摄像模组等结构，为了便于说明，本申请实施例中，以主板设置在第一主体11a内，左侧 的第一主体11a作为主屏，右侧的第二主体11b作为副屏为例。

另外，为了便于说明，以处于展开状态下的电子设备100为例，用户在观看显示面时， 转轴12位于左侧主屏和右侧副屏的中部，显示面的上侧和下侧可以分别定义为电子设备 100的顶部和底部，位于显示面的上、下、左、右的四个边框，分别可以定位为顶边框、 底边框、左边框和右边框。不难理解，转轴12和左边框、右边框平行设置，和顶边框、 底边框垂直设置，顶边框可以包括位于转轴12左右两侧的两段，底边框可以包括位于转 轴12两侧的两端。

以下参考附图和具体的实施例对本申请提供的天线做详细的说明。

图3为本申请一实施例提供的天线的结构示意图，可以视作图1中电子设备100底部 的局部结构示意图。参考图3所示，本申请实施例提供的天线可以包括馈源23、射频连接线24、设置在第一主体11a内的第一辐射体21和设置在第二主体11b内的第二辐射体22。

其中，馈源23用来为第一辐射体21和第二辐射体22馈电，馈源23的位置不做具体限制，例如可以设置在第一主体11a或者第二主体11b内。本申请实施例中，馈源23可以 设置在第一主体11a内，与第一主体11a的主板电连接。

本申请对第一辐射体21和第二辐射体22的制作工艺不做限定。例如，第一辐射体21 和第二辐射体22可以采用电子设备的金属边框制作而成，也可以采用柔性电路板(flexible printed circuit，FPC)制作而成，也可以采用激光镭射制作而成，还可以采用喷涂工艺制作 而成。为了便于说明，本申请实施例的各个附图中以第一辐射体21和第二辐射体22采用 电子设备100的金属边框制作来进行示意。

第一辐射体21和第二辐射体22的长度及具体位置在本申请实施例中不做具体限制， 第一辐射体21和第二辐射体22可以设置在电子设备100的底边框或顶边框上，且第一辐 射体21可以延伸至左边框上，第二辐射体22可以延伸至右边框上。为了便于说明，以下附图中，以第一辐射体21和第二辐射体22设置在电子设备100的底边框上为例。

应理解，电子设备100中的主板上设置有接地区域，电子设备100的中框、中板及转轴12均做接地处理。在一种可能的实施例中，第一辐射体21的两端、第二辐射体22的 两端均可以通过地板13接地。在另一种可能的实施例中，第一辐射体21、第二辐射体22 和转轴12在底边框的延伸方向上至少有部分长度重叠，第一辐射体21的靠近转轴12的 一端可以通过转轴12接地，而另一端可以通过地板13接地，第二辐射体22的靠近转轴 12的一端可以通过转轴12接地，而另一端可以通过地板13接地。利用转轴12实现第一 辐射体21和第二辐射体22的接地，可以提高结构的紧凑性，提高空间的利用率。在一种 可能的实施例中，转轴12的宽度可以处于20mm-50mm的范围内，例如小于30mm，第一 辐射体21和第二辐射体22的间距可以小于30mm。

应理解，第一辐射体21和地板13之间具有间隙，且第一辐射体21的两端接地，即第一 辐射体21和地之间电连接构造出槽，对第一辐射体21馈入电信号，第一辐射体21和地可以 视为形成了槽天线；同理，第二辐射体22和地板13之间具有间隙，且第二辐射体21的两端 接地，即第二辐射体22和地之间电连接构造出槽，对第二辐射体22馈入电信号，第二辐射 体22和地可以视为形成了槽天线。本申请实施例对第一辐射体21和地板13之间、第二辐射 体22和地板13之间的间隙宽度不做具体限制，示例性地，该间隙宽度可以小于2mm。

第一辐射体21上可以设置第一缝隙211，第二辐射体22上可以设置第二缝隙221，第一 缝隙211和第二缝隙221可以通过在金属边框上设置断缝并在断缝内填充绝缘的塑料材质 而形成。对具有第一缝隙211的第一辐射体21馈入电信号后，第一辐射体21的被第一缝隙 211分隔的两段辐射体可以分别作为主馈枝节和耦合寄生枝节，并分别形成槽天线的CM模 式和槽天线的DM模式，第二辐射体22同理，不再赘述。

本申请实施例中，第一辐射体21可以通过第一馈电点F1接收馈源23输入的电信号，第 二辐射体22可以通过第二馈电点F2接收馈源23输入的电信号，第一馈电点F1和第二馈电点 F2可以通过射频连接线24连接，以使第一辐射体21和第二辐射体22构成一个分布式天线。 可折叠电子设备100在展开状态和折叠状态之间切换时，第一辐射体21和第二辐射体22始 终通过射频连接线24连接，作为一个整体的天线使用。此时，第一辐射体21和第二辐射体 22上的电流分布，会受到电信号到达第一馈电点F1和第二馈电点F2的信号相位差的影响， 而并不能单独视作槽天线。其中，第一馈电点F1的位置，如图中第一辐射体21上的虚线框 圈出的区域所示，可以设置在第一缝隙211的左侧或右侧，第二馈电点F2的位置，如图中 第二辐射体22上的虚线框圈出的区域所示，可以设置在第二缝隙221的左侧或右侧。不难 理解，以缝隙221的左侧和右侧来设计第一馈电点F1和第二馈电点F2的位置，具有四种基 本的组合形式，从而至少形成三种不同结构的天线。

图4a为本申请一实施例提供的一种天线的结构示意图。参考图4a所示，第一种形式下， 第一馈电点F1可以设置在第一缝隙211的面向第二缝隙221的一侧，即第一缝隙211的右侧， 第二馈电点F2可以设置在第二缝隙221的面向第一缝隙211的一侧，即第二缝隙221的左侧。 电子设备100处于展开状态时，第一馈电点F1连接的处于第一缝隙211和转轴12之间的辐射 体构成主馈枝节，第一缝隙211的另一侧的辐射体构成耦合寄生枝节；第二馈电点F2连接 的处于第二缝隙221和转轴12之间的辐射体构成主馈枝节，第二缝隙221的另一侧的辐射体 构成耦合寄生枝节。第一辐射体21的主馈枝节的末端开口方向为向左，第二辐射体22的主 馈枝节的末端开口方向为向右，两个主馈枝节的末端开口方向相反。

图4b为本申请一实施例提供的另一种天线的结构示意图。参考图4b所示，第二种形式 下，第一馈电点F1可以设置在第一缝隙211的背离第二缝隙221的一侧，即第一缝隙211的 左侧，第二馈电点F2可以设置在第二缝隙221的面向第一缝隙211的一侧，即第二缝隙221 的左侧。此时，第一辐射体21的主馈枝节的末端开口方向为向右，第二辐射体22的主馈枝 节的末端开口方向为向右，两个主馈枝节的末端开口方向相同。

第三种形式下，第一馈电点F1可以设置在第一缝隙211的面向第二缝隙221的一侧，即 第一缝隙211的右侧，第二馈电点F2可以设置在第二缝隙221的背离第一缝隙211的一侧， 即第二缝隙221的右侧。此时，第一辐射体21的主馈枝节的末端开口方向为向左，第二辐 射体22的主馈枝节的末端开口方向为向左，两个主馈枝节的末端开口方向相同。不难理解， 第三种形式下的天线结构和第二种形式的天线结构可以视为相同，因此下文中本申请实施 例仅以第二种形式下的天线结构为例做具体说明。

图4c为本申请一实施例提供的再一种天线的结构示意图。第一馈电点F1可以设置在第 一缝隙211的背离第二缝隙221的一侧，即第一缝隙211的左侧，第二馈电点F2可以设置在 第二缝隙221的背离第一缝隙211的一侧，即第二缝隙221的右侧。第一辐射体21的主馈枝 节的末端开口方向为向右，第二辐射体22的主馈枝节的末端开口方向为向左，两个主馈枝 节的末端开口方向相对。

在电子设备处于展开状态时，第一辐射体21和第二辐射体22作为分布式的天线，在电 子设备处于折叠状态时，第一辐射体21和第二辐射体22平行且接近设置。不难理解，电子 设备折叠后，第一主体11a和第二主体11b可能没有完全贴合，在接近转轴12的一侧可能具 有间隙，因此电子设备折叠后，第一辐射体21和第二辐射体22可以呈较小的夹角，而非呈 严格的平行设置，并且，第一辐射体21和第二辐射体22在电子设备的厚度方向上，也可能 并非完全重合，而是存在一定的误差。应可理解，本申请中提到的“平行”，并不是指第一辐射体21和第二辐射体22的延伸方向为严格的互相平行，而是允许第一辐射体21和第二辐射体22呈较小的夹角，例如小于5°，可以视为基本平行。

本申请实施例的构思在于，通过控制电信号到达第一辐射体21和第二辐射体22的相位 差，使得电子设备处于展开状态时，电流在转轴两侧的辐射体上呈现对称分布，同时使得 电子设备处于折叠状态时，平行的第一辐射体21和第二辐射体22上的电流方向保持一致， 以实现高效率、低SAR的效果。应理解，第一辐射体21和第二辐射体22上的电流方向保持 一致，并不是指电流的方向为纯粹地、单一地方向相同，而是示意性地指示电流在两段辐 射体上基本朝着共同的方向，例如电流都是从辐射体的一侧流向另一侧。

以下，以图4a、图4b、图4c这三种天线结构作为三种场景，并结合更加具体的实施例，对通过控制电信号到达第一辐射体21和第二辐射体22的相位差，来降低天线的SAR 值的原理和效果做具体的说明。

场景一

图5为本申请一实施例提供的天线的结构示意图。参考图5所示，本申请实施例中，可以设置位于转轴12两侧的金属边框分别作为第一辐射体21和第二辐射体22，金属边框的内表面和电子设备的中框之间填充有绝缘的塑料介质。在一个实施例中，该介质的相对介电常数为3.0，正切损耗角为0.01。

位于第一主体11a内的金属边框上设置有第一缝隙211和第三缝隙212，第三缝隙212 和转轴12之间的金属边框可以视为第一辐射体21，第一缝隙211将第一辐射体21分为两 个枝节；位于第二主体11b内的金属边框上设置有第二缝隙221和第四缝隙222，第四缝隙222和转轴12之间的金属边框可以视为第二辐射体22，第二缝隙221将第二辐射体22 分为两个枝节。

第一辐射体21的靠近转轴12的一端通过转轴12接地，第二辐射体22的靠近转轴12的一端通过转轴12接地，第一馈电点F1为第一缝隙211右侧的枝节馈电，第二馈电点F2 为第二缝隙221左侧的枝节馈电，即第一辐射体21的主馈枝节的末端开口方向为向左， 第二辐射体22的主馈枝节的末端开口方向为向右，两个主馈枝节的末端开口方向相反。

其中，在一种具体的实施例中，电子设备处于展开状态时，转轴12的宽度可以设置为30mm，第一缝隙211、第三缝隙213、第二缝隙221、第四缝隙222的宽度可以为1.5mm。

另外，第一辐射体21的主馈枝节和耦合寄生枝节上还可以分别设置调谐开关SW1、SW3，第二辐射体22的主馈枝节和耦合寄生枝节上还可以分别设置调谐开关SW2、SW4， 以调节谐振频率，对于调谐开关的具体结构和工作原理，本申请实施例不做具体描述。

在电子设备处于展开状态时，如果不采用射频连接线连接第一辐射体21和第二辐射 体22，而是单独对第一辐射体21馈入电信号，第一辐射体21和地可以构成第一天线，该第一天线为槽天线，同理，单独对第二辐射体22馈入电信号，第二辐射体22和地可以构 成第二天线，该第二天线为槽天线。

图6为本申请一实施例提供的第一天线和第二天线的回波损耗系数曲线图，S11和S22 分别代表第一天线和第二天线的回波损耗特性，S12代表第一天线和第二天线的隔离度。 图7为本申请一实施例提供的第一天线和第二天线的效率曲线图，E1和E2分别代表第一 天线和第二天线的系统效率，R1和R2分别代表第一天线和第二天线的辐射效率。参考图6和图7所示，对第一天线和第二天线各自馈入电信号时，第一天线和第二天线的性能相当，均产生两个谐振，且两个天线的两个中心谐振频率重合，第一谐振频率为1.83GHz， 第二谐振频率为2.61GHz。并且，第一天线和第二天线的隔离度小于-13dB，第一天线和第 二天线之间具有良好的隔离度。

仿真第一天线和第二天线在电子设备的背面(Bottomside)和底面(Backside)的5mm body SAR值(按照10g平均)，并按照-5dB效率归一化，可以得到第一天线的SAR值结 果如表1，第二天线的SAR值结果如表2。需要补充说明的是，本申请的SAR值的仿真面 是根据辐射体设置的位置而设置的，辐射体设置在电子设备的底边框上，因此仿真背面和 底面，若辐射体设置在电子设备的顶边框上，则可以仿真背面和顶面。

表1

表2

本申请实施例中，可以认为归一化SAR高于1.0W/Kg时，属于高SAR。参考表1和 表2可知，第一天线和第二天线的SAR值较高，尤其是第一天线在谐振频率为2.61GHz 时归一化SAR值可以达到1.70W/Kg，属于高SAR。

图8a-图8d为第一天线的示意性热点图，其中图8a和图8b为第一谐振，图8c和图8d为第二谐振，图8a和图8c为背面，图8b和图8d为底面。参考图8a-图8d所示，对于 第一天线，第一谐振的热点集中在主馈枝节处，第二谐振的热点集中在耦合寄生枝节处， 且第二谐振的热点更高。

图9a-9d为第二天线的示意性热点图，其中图9a和图9b为第一谐振，图9c和图9d为第二谐振，图9a和图9c为背面，图9b和图9d为底面。参考图9a-图9d所示，对于第 二天线，第一谐振的热点在背面较分散，在底面集中在主馈枝节处，第二谐振的热点在背 面集中在主馈枝节处，在底面很分散。

需要说明的是，热点图中，线条勾勒出了电子设备的局部结构，整体背景为黑色，接 近椭圆形的颜色泛白的区域所围绕的为热点较集中区域。该区域泛白的程度越低或中心的 颜色越浅，则代表热点集中程度越低；该区域泛白的程度越高或中心的颜色越深，则代表 热点集中程度越高。

本申请实施例中，第一天线和第二天线可以通过射频连接线24连接起来以作为分布 式天线，其中，馈源23设置在第一主体11a上，馈源23通过第一馈电点F1为第一辐射体21输入电信号，通过射频连接线24和第二馈电点F2为第二辐射体22输入电信号，两个 电信号等功率分配。应理解，第一辐射体21和第二辐射体22通过同一个馈源23馈入电 信号，两个电信号的幅值相同或者在一定误差范围内接近相同，可以认为是等功率分配。

其中，射频连接线24可以为电缆Cable线或者柔性电路板FPC等形式。通过控制射频连接线24的长度可以控制电信号到达第一馈电点F1和第二馈电点F2的相位差。

在另一种可能的实施方式中，通过在射频连接线24上增加移相器等能够对波的相位 进行调节的装置，也可以控制电信号到达第一馈电点F1和第二馈电点F2的相位差。移相器的位置不做具体限制，例如可以设置在第一主体11a或者第二主体11b内。

控制电信号到达第一辐射体21和第二辐射体22相位差，以分别仿真不同相位差下天 线的SAR值和热点分布，示例性地，相位差可以具有同相位、相差90°、反相位这三种 情况，可以得到天线的SAR值结果分别如表3a、表3b和表3c。

需要说明的是，本申请实施例中提供的“同相位”、“相位相差90°”、“反相位”并非对相位差的数值的固定，实际上，可以将相位差限定在一个范围内，例如“同相位”时相 位差的范围可以为0±10°，“相位相差90°”时相位差的范围可以为90°±10°，“反相 位”时相位差的范围可以为180°±10°。

表3a同相位

表3b相位相差90°

表3c反相位

参考表3a-表3c可以得到，在仿真效率上，整体上，反相位的效率高于相位相差90°的效率高于同相位的效率。在SAR值上，对于第一谐振来说，同相位下的归一化SAR值 属于高SAR，相位相差90°下SAR值较低，反相位下SAR值低于1W/Kg，属于低SAR。 对于第二谐振来说，三种相位下，SAR值均低于1W/Kg，属于低SAR。由于第一谐振可 以视为槽天线的CM模式，SAR值较高，本申请的目的主要是为了降低第一谐振的SAR 值，因此，整体上，反相位下的SAR值低于相位相差90°下的SAR值低于同相位下的SAR 值，尤其是对于第一谐振来说。

对比该分布式天线的SAR值和上述各自馈入电信号的单天线的SAR值，可以发现，在到达第一辐射体21和第二辐射体22的电信号为同相位时，分布式天线的第一谐振SAR 值比单天线的高。在到达第一辐射体21和第二辐射体22的电信号为反相位时，分布式天 线的SAR值明显低于单天线，因此，设置分布式天线并控制到达第一辐射体21和第二辐 射体22的电信号的相位差，可以达到降低SAR值的目的。

图10a-10f为不同相位下处于第一谐振频率的天线的示意性热点图，其中图10a-图10c 为背面，图10d-图10f为底面，图10a和图10d为同相位，图10b和图10e为相位相差90°， 图10c和图10f为反相位。参考图10a-图10f可知，第一谐振下，从同相位至反相位，天线的背面和底面热点是逐渐分散的，即SAR值是逐渐降低的。

图11a-11f为不同相位下处于第二谐振频率的天线的示意性热点图，其中图11a-图11c 为背面，图11d-图11f为底面，图11a和图11d为同相位，图11b和图11e为相位相差90°， 图11c和图11f为反相位。参考图11a-图11f可知，第二谐振下，从同相位至反相位，天线的背面和底面热点始终是分散的，因为辐射枝节分散在两端，因此SAR值始终较低。

图12a-图12f为不同相位下天线的电流分布图，其中图12a和图12b为同相位，图12c 和图12d为相位相差90°，图12e和图12f为反相位，图12a、图12c、图12e为第一谐振， 图12b、图12d、图12f为第二谐振。参考图12a所示，第一辐射体21上的电流同向分布， 可以视为槽天线的CM模式，第二辐射体22上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM 模式。而第一辐射体21和第二辐射体22上的电流同向分布，可以视为线天线的DM模式。 也即，第一谐振下，当到达第一辐射体和第二辐射体的电信号为同相位时，单侧的槽天线 的共模模式，在分布式天线中可以转换为以转轴12为中心的线天线的差模模式。

参考图12b所示，第一辐射体21上的电流反向分布，可以视为槽天线的DM模式， 第二辐射体22上的电流反向分布，可以视为槽天线的DM模式。而第一辐射体21和第二 辐射体22上的电流同向分布，可以视为线天线的DM模式。以电流较强的主馈枝节来看， 第一辐射体21的主馈枝节和第二辐射体22的主馈枝节上的电流同向分布，可以视为线天 线的DM模式。也即，第二谐振下，当到达第一辐射体和第二辐射体的电信号为同相位时， 单侧的槽天线的差模模式，在分布式天线中可以转换为以转轴12为中心的线天线的差模 模式。

参考图12c所示，第一辐射体21上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM模式， 第二辐射体22上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM模式。而第一辐射体21和第二 辐射体22上的电流同向分布，可以视为线天线的DM模式。参考图12d所示，第一辐射 体21上的电流反向分布，可以视为槽天线的DM模式，第二辐射体22上的电流反向分布， 可以视为槽天线的DM模式。而第一辐射体21和第二辐射体22上的电流同向分布，可以 视为线天线的DM模式。也即，当到达第一辐射体和第二辐射体的电信号相差90°时，单 侧的槽天线的共模模式和差模模式，在分布式天线中可以转换为以转轴12为中心的线天 线的差模模式。相比于图12a和图12b的方案，天线的差模或共模的模式相同，不同之处 在于两侧电流的幅值。

参考图12e所示，第一辐射体21上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM模式， 第二辐射体22上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM模式。而第一辐射体21和第二 辐射体22上的电流反向分布，可以视为线天线的CM模式。也即，第一谐振下，当到达 第一辐射体和第二辐射体的电信号为反相位时，单侧的槽天线的共模模式，在分布式天线 中可以转换为以转轴12为中心的线天线的共模模式。参考图12f所示，第一辐射体21的 主馈枝节的电流和第二辐射体22的主馈枝节的电流反向分布，也即，第二谐振下，当到 达第一辐射体和第二辐射体的电信号为反相位时，单侧的槽天线的差模模式，在分布式天 线中可以转换为以转轴12为中心的线天线的共模模式。

需补充说明的是，“以转轴为中心”指的是，以转轴12为界，转轴12两侧的电流呈同向或反向分布，同时，本申请实施例中，第一辐射体21和第二辐射体22的结构可以视 作以转轴为轴对称，该轴对称包括缝隙、接地点、馈电点的位置的对称。

总之，处于展开状态下的电子设备，当第一辐射体和第二辐射体的主馈枝节末端开口 方向相反，通过控制电信号到达第一辐射体和第二辐射体的相位差为反相位，可以形成线 天线的共模模式，可以得到高性能、宽频、低SAR的分布式天线。需要理解，系统效率处于-5dB以上的谐振频率的范围越大，即带宽越宽，对于本申请实施例来说，高效同时带来了宽频的效果。

图13为展开状态和折叠状态下天线的电流分布对比图，图13是以图12e为例。参考图13所示，展开状态下，当分布式天线的电流可以构成以转轴12为轴的轴对称分布时， 折叠后，第一辐射体21和第二辐射体22呈平行且相邻设置，第一辐射体21和第二辐射 体22上的电流分布为同向，从而，辐射枝节相互之间的影响最小，可以使得折叠状态下 天线具有优秀的效率。

图14为处于折叠状态的电子设备的天线的辐射效率的对比图，图15为处于折叠状态 的电子设备的天线的系统效率的对比图，其中，C1代表同相位，C2代表相位相差90°， C3代表反相位。参考图14和图15所示，相位相差90°下和反相位下天线的辐射效率相差 不大，均明显大于同相位下天线的辐射效率；反相位下天线的系统效率，高于相位相差90° 和同相位下的系统效率。因此，第一辐射体21和第二辐射体22的主馈枝节末端开口方向 相反时，通过控制电信号到达第一辐射体21和第二辐射体22的相位差为反相位，可以使 折叠状态下天线具有优秀的效率。

第一辐射体21和第二辐射体22的主馈枝节末端开口方向相反时，控制电信号到达第 一辐射体21和第二辐射体22的相位差为反相位，仿真折叠状态下电子设备的背面和底面 的5mm body SAR值，并按照-5dB效率归一化，可以得到天线的SAR值结果如表4a。仿 真折叠状态下仅使用第一主体11a上的第一天线的背面和底面的5mm body SAR值，并按 照-5dB效率归一化，可以得到天线的SAR值结果如表4b。

表4a

表4b

对比表4a和表4b可知，折叠状态下，本申请实施例提供的分布式天线的SAR值，整体上低于仅使用第一主体上的单天线的SAR值。

综上所述，本申请实施例提供一种应用于可折叠电子设备的天线，设置在第一主体上 的第一辐射体和设置在第二主体上的第二辐射体构成分布式天线，第一辐射体和第二辐射 体的主馈枝节末端开口方向相反时，控制电信号到达第一辐射体和第二辐射体的相位差为 反相位，使得电子设备处于展开状态时，可以形成线天线的共模模式，实现高效率、宽频、 低SAR值的效果；同时，电子设备处于折叠状态时，由于第一主体和第二主体上相邻的平 行辐射枝节的电流方向保持一致，因此可以实现高效率和低SAR值。

场景二

图16为天线的另一种结构示意图。参考图16所示，本申请实施例中，第一辐射体21、 第二辐射体22及四个缝隙的设置可以参考场景一中图5的结构，在此不再赘述。

本申请实施例中，第一馈电点F1为第一缝隙211左侧的枝节馈电，第二馈电点F2为第二缝隙221左侧的枝节馈电，即第一辐射体21的主馈枝节的末端开口方向为向右，第 二辐射体22的主馈枝节的末端开口方向为向右，两个主馈枝节的末端开口方向相同。

在电子设备处于展开状态时，如果不采用射频连接线连接第一辐射体21和第二辐射 体22，而是单独对第一辐射体21馈入电信号，第一辐射体21和地可以构成第一天线，该第一天线为槽天线，同理，单独对第二辐射体22馈入电信号，第二辐射体22和地可以构 成第二天线，该第二天线为槽天线。

图17为第一天线和第二天线的回波损耗系数曲线图，S11和S22分别代表第一天线和 第二天线的回波损耗特性，S12代表第一天线和第二天线的隔离度。图18为第一天线和第 二天线的效率曲线图，E1和E2分别代表第一天线和第二天线的系统效率，R1和R2分别代表第一天线和第二天线的辐射效率。参考图17和图18所示，对第一天线和第二天线各 自馈入电信号时，第一天线和第二天线的性能相当，均产生两个谐振，且两个天线的两个 中心谐振频率重合，第一谐振频率为1.83GHz，第二谐振频率为2.61GHz。并且，第一天 线和第二天线的隔离度小于-13dB，第一天线和第二天线之间具有良好的隔离度。

仿真第一天线和第二天线在电子设备的背面和底面的5mm body SAR值，并按照-5dB 效率归一化，可以得到第一天线的SAR值结果如表5，第二天线的SAR值结果如表6。

表5

表6

参考表5和表6可知，第一天线和第二天线的SAR值较高，尤其是第一天线在谐振频率为2.61GHz时归一化SAR值可以达到1.70W/Kg，属于高SAR。

第一天线的热点图可以参考图8a-图8d所示，第一谐振的热点集中在主馈枝节处，第 二谐振的热点集中在耦合寄生枝节处，且第二谐振的热点更高。

图19a-图19d为第二天线的示意性热点图，其中图19a和图19b为第一谐振，图19c和图19d为第二谐振，图19a和图19c为背面，图19b和图19d为底面。参考图19a-图19d 所示，对于第二天线，第一谐振的热点在背面较分散，在底面集中在主馈枝节处，第二谐 振的热点在背面集中在主馈枝节处，在底面很分散。

本申请实施例中，馈源23、射频连接线24的设置可以参考场景一中的结构，在此不再赘述。

控制电信号到达第一辐射体21和第二辐射体22的相位差，以分别仿真不同相位差下 天线的SAR值和热点分布，示例性地，相位差可以具有同相位、相差90°、反相位这三 种情况，可以得到天线的SAR值结果分别如表7a、表7b和表7c。

表7a同相位

表7b相位相差90°

表7c反相位

参考表7a-表7c可以得到，在仿真效率上，整体上，同相位的效率高于相位相差90°的效率高于反相位的效率。在SAR值上，对于第一谐振来说，同相位的SAR值低于相位 相差90°的SAR值低于反相位的SAR值，对于第二谐振来说，同相位下，归一化SAR 值均低于1W/Kg，属于低SAR。

对比该分布式天线的SAR值和上述各自馈入电信号的单天线的SAR值，可以发现，在到达第一辐射体和第二辐射体的电信号为反相位时，分布式天线的第一谐振SAR值比单天线的高。在到达第一辐射体和第二辐射体的电信号为同相位时，分布式天线的SAR值明显低于单天线，因此，设置分布式天线并控制到达第一辐射体和第二辐射体的电信号的相位差，可以达到降低SAR值的目的。

图20a-图20f为不同相位下处于第一谐振频率的天线的示意性热点图，其中图20a-图 20c为背面，图20d-图20e为底面，图20a和图20d为同相位，图20b和图20e为相位相差90°，图20c和图20f为反相位。参考图20a-图20f可知，第一谐振下，从同相位至反 相位，天线的背面和底面热点是逐渐集中的，即SAR值是逐渐升高的。

图21a-图21f为不同相位下处于第二谐振频率的天线的示意性热点图，其中图21a-图 21c为背面，图21d-图21f为底面，图21a和图21d为同相位，图21b和图21e为相位相差90°，图21c和图21f为反相位。参考图21a-图21f可知，第二谐振下，热点偏向集中 在第一辐射体21上，第二辐射体22上也存在电流分布，第一辐射体21上的热点集中区 域和第二射体22上的热点集中区域之间相隔了第一辐射体21的一个辐射枝节，因此SAR 值相对较低。

图22a-图22f为不同相位下天线的电流分布图，其中图22a-图22b为同相位，图22c- 图22d为相位相差90°，图22e-图22f为反相位，图22a、图22c、图22e为第一谐振，图22b、图22d、图22f为第二谐振。需要说明的是，由于转轴两侧的两个辐射体的结构不完 全对称，因此第一辐射体21和第二辐射体22上的电流分布不均匀，图中较粗的线条表示 电流分布更多。在根据电流分布判断天线的CM或者DM模式时，可以电流分布较多的枝 节为主。

参考图22a所示，第一辐射体21上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM模式， 第二辐射体22上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM模式。第一辐射体21上电流较 强的耦合寄生枝节和第二辐射体22上电流较强的耦合寄生枝节上的电流呈反向分布，可 以视为线天线的CM模式。也即，第一谐振下，当到达第一辐射体21和第二辐射体22的 电信号为同相位时，单侧的槽天线的共模模式，在分布式天线中可以转换为以转轴22为 中心的线天线的共模模式。

参考图22b所示，第一辐射体21上的电流反向分布，可以视为槽天线的DM模式， 第二辐射体22上的电流反向分布，可以视为槽天线的DM模式。第一辐射体21上电流较 强的主馈枝节和第二辐射体22上电流较强的主馈枝节上的电流呈反向分布，可以视为线 天线的CM模式。也即，第二谐振下，当到达第一辐射体21和第二辐射体22的电信号为 同相位时，单侧的槽天线的差模模式，在分布式天线中可以转换为线天线的共模模式。

参考图22c所示，第一辐射体21上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM模式， 第二辐射体22上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM模式。第一辐射体21和第二辐 射体22上的电流同向分布，可以视为线天线的DM模式。参考图22d所示，第一辐射体 21上的电流反向分布，可以视为槽天线的DM模式，第二辐射体22上的电流反向分布， 可以视为槽天线的DM模式。第二辐射体22的主馈枝节上的电流较强，第一辐射体21上 的主馈枝节的电流和第二辐射体22的主馈枝节上的电流为同向分布，可以视为线天线的 DM模式。也即，当到达第一辐射体21和第二辐射体22的电信号相差90°时，单侧的槽 天线的共模模式和差模模式，在分布式天线中可以转换为线天线的差模模式。相比于图22e 和图22f的方案，不同之处在于两侧电流的幅值。

参考图22e所示，第一辐射体21上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM模式， 第二辐射体22上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM模式。第一辐射体21上的电流 和第二辐射体22上的电流同向分布，可以视为线天线的DM模式。也即，第一谐振下， 当到达第一辐射体21和第二辐射体22的电信号为反相位时，单侧的槽天线的共模模式， 在分布式天线中可以转换为以转轴12为中心的线天线的差模模式。参考图22f所示，第一 辐射体21上的电流反向分布，可以视为槽天线的DM模式，第二辐射体22上的电流反向 分布，可以视为槽天线的DM模式。第一辐射体21上电流较强的主馈枝节和第二辐射体 22上电流较强的主馈枝节上的电流呈同向分布，可以构成线天线的DM模式。也即，第二 谐振下，当到达第一辐射体21和第二辐射体22的电信号为反相位时，单侧的槽天线的差 模模式，在分布式天线中可以转换为线天线的差模模式。

总之，处于展开状态下的电子设备，当第一辐射体21和第二辐射体22的主馈枝节末 端开口方向相同，通过控制电信号到达第一辐射体21和第二辐射体22的相位差为同相位， 可以使电子设备处于展开状态时，分布式天线的第一谐振电流以转轴为轴对称反向分布， 所以当电子设备处于折叠状态时，第一主体和第二主体上相邻的平行辐射枝节的电流分布 为同向；电子设备处于展开状态时，第二谐振电流形成以转轴为轴对称同向分布，虽然电 流分布不均匀，但是当电子设备处于折叠状态时，第一主体和第二主体上相邻的平行辐射 枝节的电流分布整体上体现为同向。从而，可以得到高性能、低SAR的天线。

场景三

图23为本申请一实施例提供的天线的又一种结构示意图。参考图23所示，本申请实 施例中，第一辐射体21、第二辐射体22及四个缝隙的设置可以参考场景一中图5的结构，在此不再赘述。

本申请实施例中，第一馈电点F1为第一缝隙211左侧的枝节馈电，第二馈电点F2为第二缝隙221右侧的枝节馈电，即第一辐射体21的主馈枝节的末端开口方向为向右，第 二辐射体22的主馈枝节的末端开口方向为向左，两个主馈枝节的末端开口方向相对。

在电子设备处于展开状态时，如果不采用射频连接线连接第一辐射体21和第二辐射 体22，而是单独对第一辐射体21馈入电信号，第一辐射体21和地可以构成第一天线，该第一天线为槽天线，同理，单独对第二辐射体22馈入电信号，第二辐射体22和地可以构 成第二天线，该第二天线为槽天线。

图24为第一天线和第二天线的回波损耗系数曲线图，S11和S22分别代表第一天线和 第二天线的回波损耗特性，S12代表第一天线和第二天线的隔离度。图25为第一天线和第 二天线的效率曲线图，E1和E2分别代表第一天线和第二天线的系统效率，R1和R2分别代表第一天线和第二天线的辐射效率。参考图24和图25所示，对第一天线和第二天线各 自馈入电信号时，第一天线和第二天线的性能相当，均产生两个谐振，且两个天线的两个 中心谐振频率重合，第一谐振频率为1.86GHz，第二谐振频率为2.6GHz。并且，第一天线 和第二天线的隔离度小于-13dB，第一天线和第二天线之间具有良好的隔离度。

仿真第一天线和第二天线在电子设备的背面和底面的5mm body SAR值，并按照-5dB 效率归一化，可以得到第一天线的SAR值结果如表8，第二天线的SAR值结果如表9。

表8

表9

参考表8和表9可知，第一天线和第二天线的SAR值较高，尤其是第一天线在谐振频率为1.86GHz时归一化SAR值可以达到1.20W/Kg，属于高SAR。

图26a-图26d为第一天线的示意性热点图，其中图26a和图26b为第一谐振，图26c和图26d为第二谐振，图26a和图26c为背面，图26b和图26d为底面。参考图26a-图26d 所示，对于第一天线，第一谐振的热点集中在主馈枝节处，第二谐振的热点集中在耦合寄 生枝节处，且第一谐振的热点更高。

第二天线的热点图可以参考图19a-图19d所示，第一谐振的热点在背面较分散，偏向 集中在主馈枝节处，在底面集中在耦合寄生枝节处，第二谐振的热点在背面集中在耦合寄 生枝节处，在底面很分散。

本申请实施例中，馈源23、射频连接线24的设置可以参考场景一中的结构，在此不再赘述。

控制电信号到达第一辐射体21和第二辐射体22的相位差，以分别仿真不同相位差下 天线的SAR值和热点分布，示例性地，相位差可以具有同相位、相差90°、反相位这三 种情况，可以得到天线的SAR值结果分别如表10a、表10b和表10c。

表10a同相位

表10b相位相差90°

表10c反相位

参考表10a-表10c可以得到，在仿真效率上，整体上，反相位的效率高于相位相差90° 的效率高于同相位的效率。在SAR值上，对于第一谐振来说，相位相差90°下和反相位下，归一化SAR值均低于1W/Kg，属于低SAR，同相位下归一化SAR值较高；对于第 二谐振来说，反相位的SAR值整体低于相位相差90°的SAR值低于同相位的SAR值。 整体上，反相位的SAR值整体低于相位相差90°的SAR值低于同相位的SAR值，尤其 是对于第二谐振来说。需要说明的是，场景一和场景二中，降SAR效果都主要体现在第一 谐振上，而本场景中降SAR效果主要体现在第二谐振上，这是由于场景三中辐射枝节的结 构不同，第二谐振的系统效率更高。

图27a-图27f为不同相位下处于第一谐振频率的天线的示意性热点图，其中图27a-图 27c为背面，图27d-图27f为底面，图27a和图27d为同相位，图27b和图27e为相位相差90°，图27c和图27f为反相位。参考图27a-图27f可知，第一谐振下，从同相位至反 相位，背面的热点始终是分散的，底面的热点是逐渐分散的，因此SAR是降低的。

图28a-图28f为不同相位下处于第二谐振频率的天线的示意性热点图，其中图28a-图 28c为背面，图28d-图28f为底面，图28a和图28d为同相位，图28b和图28e为相位相差90°，图28c和图28f为反相位。参考图28a-图28f可知，第二谐振下，从同相位至反 相位，背面和底面的热点均是逐渐分散的，因此SAR值是降低的。

图29a-图29f为不同相位下天线的电流分布图，其中，图29a-图29b为同相位，图29c- 图29d为相位相差90°，图29e-图29f为反相位，图29a、图29c、图29e为第一谐振，图29b、图29d、图29f为第二谐振。参考图29a所示，第一辐射体21上的电流同向分布， 可以视为槽天线的CM模式，第二辐射体22上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM 模式。第一辐射体21和第二辐射体22上的电流同向分布，可以视为线天线的DM模式。 也即，第一谐振下，当到达第一辐射体21和第二辐射体22的电信号为同相位时，单侧的 槽天线的共模模式，在分布式天线中可以转换为以转轴12为中心的线天线的差模模式。

参考图29b所示，第一辐射体21上的电流反向分布，可以视为槽天线的DM模式， 第二辐射体22上的电流反向分布，可以视为槽天线的DM模式。第一辐射体21的主馈枝 节上的电流和第二辐射体22的主馈枝节上的电流同向分布，可以视为槽天线的DM模式。 也即，第二谐振下，当到达第一辐射体21和第二辐射体22的电信号为同相位时，单侧的 槽天线的差模模式，在分布式天线中可以转换为以转轴12为中心的线天线的差模模式。

参考图29c所示，第一辐射体21上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM模式， 第二辐射体22上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM模式。第一辐射体21和第二辐 射体22上的电流同向分布，可以视为线天线的DM模式。参考图29d所示，第一辐射体 21上的电流反向分布，可以视为槽天线的DM模式，第二辐射体22上的电流反向分布， 可以视为槽天线的DM模式。第一辐射体21的主馈枝节上的电流和第二辐射体22的主馈 枝节上的电流同向分布，可以视为槽天线的DM模式。也即，当到达第一辐射体21和第 二辐射体22的电信号相差90°时，单侧的槽天线的共模模式和差模模式，在分布式天线 中可以转换为以转轴12为中心的线天线的差模模式。相比于图29a和图29b的方案，不同 之处在于两侧电流的幅值不同。

参考图29e所示，第一辐射体21上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM模式， 第二辐射体22上的电流同向分布，可以视为槽天线的CM模式。第一辐射体21和第二辐 射体22上的电流反向分布，可以视为线天线的CM模式。也即，第一谐振下，当到达第 一辐射体和第二辐射体的电信号为反相位时，单侧的槽天线的共模模式，在分布式天线中 可以转换为以转轴12为中心的线天线的共模模式。参考图29f所示，第一辐射体21上的 电流反向分布，可以视为槽天线的DM模式，第二辐射体22上的电流反向分布，可以视 为槽天线的DM模式。第一辐射体21的主馈枝节上的电流和第二辐射体22的主馈枝节上 的电流反向分布，可以视为线天线的CM模式。也即，第二谐振下，当到达第一辐射体和 第二辐射体的电信号为反相位时，单侧的槽天线的差模模式，在分布式天线中可以转换为 以转轴12为中心的线天线的共模模式。

综上所述，本申请实施例提供一种应用于可折叠电子设备的天线，设置在第一主体上 的第一辐射体和设置在第二主体上的第二辐射体构成分布式天线，第一辐射体和第二辐射 体的主馈枝节末端开口方向相对时，控制电信号到达第一辐射体和第二辐射体的相位差为 反相位，使得电子设备处于展开状态时，可以形成线天线的共模模式，实现高效率、宽频、 低SAR值的效果；同时，电子设备处于折叠状态时，由于第一主体和第二主体上相邻的平 行辐射枝节的电流方向保持一致，因此可以实现高效率和低SAR值。

需要说明的是，上述三个场景中，可折叠电子设备上的第一辐射体和第二辐射体可以 呈轴对称结构，以实现较佳的效率和较低的SAR值。但是，实际上，不要求第一辐射体和 第二辐射体均呈严格的轴对称结构，也不要求第一辐射体和第二辐射体单侧的谐振完全重 合，两侧辐射体均满足由主馈枝节和耦合寄生枝节构成，通过控制到达两侧辐射体的相位 差，可以使单侧天线的槽天线差模和共模构成线天线的共模，以实现天线的高效率和低 SAR值，即落入本申请实施例的保护范围中。

另外，本申请实施例提供的天线的谐振频率不限于上述实施例中涉及的1.8GHz和2.6GHz，通过改变第一辐射体、第二辐射体的电长度、改变缝隙的位置以及设置调谐元件，可以改变天线的谐振频率，使本申请实施例提供的天线，适用于不同频段。本申请实施例提供的天线，不限于设置两个辐射体作为分布式天线，实际上可以有更多个辐射体，一在适用一次折叠的可折叠电子设备外，还可以适用于两次及以上折叠次数的可折叠电子设备。

上述本申请实施例提供的天线应用于可折叠电子设备中，通过转轴两侧的辐射体构造 对称结构，实现线天线的共模模式，从而实现天线的高效率和低SAR值。在此基础上，本 申请还提供一些实施例，通过在其它非可折叠电子设备上构造对称的天线结构和控制相位 差，以实现线天线的共模，从而实现天线的高效率和低SAR值。其中，其它非可折叠电子 设备例如可以为手机、平板电脑等。

以下，以平板电脑为例，参考具体的附图和实施例，对本申请提供的另一种天线结构 做具体的描述。

实施例二

图30为本申请一实施例提供的一种线天线的结构示意图。参考图30所示，该线天线 可以包括第一辐射体21、第一馈源23和第一馈电点F1，该线天线可以是T型线天线，即辐射体上设置有常接地点的线天线。其中第一辐射体21可以设置在电子设备的边缘或者靠近电子设备的边缘设置，由柔性电路板制作而成，或者采用激光镭射制作而成，或者采用喷涂工艺制作而成。主板或者地板(图中填充区域)设置在电子设备内部，与第一辐射 体21具有一定间隙，第一辐射体21可以通过金属弹片等方式与主板(电连接，从而实现 天线的馈电和接地。

第一馈电点F1和接地点的位置，在本申请实施例提供的线天线中不做具体限制。在 一种具体的实施例中，第一辐射体21的长度可以为28mm，接地点位于第一辐射体21的右半段，且与第一辐射体21的右侧端部的距离为9mm。

对第一天线馈入电信号，可以模拟第一天线的谐振频率。图31为图30提供的天线对 应的回波损耗系数曲线图，图32为图30提供的天线的效率曲线图，其中实线代表系统效率，虚线代表辐射效率。参考图31和图32所示，该线天线可以产生两个谐振，第一谐振 频率为1.91GHz，第二谐振频率为3.58GHz。

图33a-图33b为图30提供的天线的电流分布图，图33a为第一谐振，图33b为第二谐振，其中实线指的是辐射体上的电流，虚线指的是主板上的电流。参考图33a所示，该天 线处于第一谐振时，电流在第一辐射体21上呈反向分布，即第一谐振为线天线的共模模 式。参考图33b所示，该天线处于第二谐振时，电流在第一辐射体21上呈同向分布，即 第二谐振为线天线的差模模式。

以第一天线设置在电子设备的靠近底边框的位置作为示例，仿真第一天线在电子设备 的背面和底面的5mm body SAR值，并按照-5dB效率归一化，可以得到第一天线的SAR值结果如表11。

表11

参考表11可知，第一天线在谐振频率为3.58GHz时归一化SAR值可以达到2.25W/Kg， 属于高SAR。

图34a-图34d为第一天线的示意性热点图，其中图34a和图34b为第一谐振，图34c和图34d为第二谐振，图34a和图34c为背面，图34b和图34d为底面。参考图34a-图34d 所示，第一谐振的背面热点更集中，第二谐振的底面热点更集中，且第二谐振相比于第一 谐振的热点更集中。

为了降低上述线天线的SAR值，本申请实施例可以通过增加设置第二辐射体构造轴对 称的结构，并控制电信号到达第一辐射体和第二辐射体的相位差，以实现高效率、低SAR 值的天线。

以下，在图30提供的线天线的基础上，通过场景四和场景五来构造两种不同的天线， 并结合附图对本申请实施例提供的天线的结构做具体的说明。

场景四

图35为本申请一实施例提供的一种天线的结构示意图。参考图35所示，天线可以包 括馈源24、第一辐射体21、第二辐射体22和第三辐射体25，第一辐射体21和第二辐射 体22分别设置在第三辐射体25的左右两侧，第一辐射体21通过第一馈电点F1输入电信 号，第二辐射体22通过第二馈电点F2输入电信号，第一馈电点F1和第二馈电点F2通过 射频连接线24连接，第三辐射体25接地。

其中，第一辐射体21和第二辐射体22可以相对于第三辐射体25呈轴对称设置，第一馈电点F1和第二馈电点F2也可以呈对称设置。第一辐射体21的接地点可以位于第一 馈电点F1的面向第三辐射体25的一侧，第二辐射体22的接地点可以位于第二馈电点F2 的面向第三辐射体25的一侧。

第一辐射体21和第二辐射体22的长度在本申请实施例中不做具体限制，例如可以大 于20mm，第三辐射体25的长度小于第一辐射体21和第二辐射体22的长度，第三辐射体25的长度过大时，其产生的谐振可能会对第一辐射体21和第二辐射体22的谐振产生影响，长度过小时则第一辐射体21和第二辐射体22之间可能会耦合影响到天线性能，在一种可能的实例中，第三辐射体25的长度可以处于5mm-10mm之间。第一辐射体21和第二辐射 体22上的馈电点和接地点的位置在本申请实施例中不做具体限制。

在一种具体的实施例中，第一辐射体21和第二辐射体22的长度可以为28mm，第一辐射体21和第二辐射体22之间的距离为8mm，第三辐射体25的长度可以为6mm。第三 辐射体25上可以串接25nH的电感再接地，第三辐射体25会产生新的谐振，可以利用该 电感调谐，使该谐振效率低于上述第一谐振，与主要的谐振效率不相容。第一辐射体21 的接地点与第一辐射体21的右侧端部的距离可以为9mm，第二辐射体22的接地点与第二 辐射体22的左侧端部的距离可以为9mm。

通过控制射频连接线24的长度或者在射频连接线24上连接移相器可以控制电信号到 达第一馈电点F1和第二馈电点F2的相位差。控制电信号达到第一辐射体21和第二辐射 体22的相位差，以分别仿真不同相位差下天线的SAR值和热点分布，示例性地，相位差可以具有同相位、相差90°、反相位这三种情况，可以得到天线在不同相位下的效率。

图36为图35提供的天线在不同相位下的辐射效率曲线图，图37为图35提供的天线在不同相位下的系统效率曲线图，C1代表同相位，C2代表相位相差90°，C3代表反相 位。参考图36和图37所示，同相位下和相位相差90°下，天线的辐射效率均比较高，而 反相位下天线的辐射效率较低；同相位下天线的系统效率高于相位相差90°和反相位下天 线的系统效率。因此，在电信号到达第一辐射体21和第二辐射体22为同相位时，天线的 性能最佳。

图38a-图38b为同相位下天线的电流分布图，其中图38a为第一谐振，图38b为第二谐振。参考图38a所示，同相位下，处于第一谐振的天线，第一辐射体21上的电流呈反向 分布，第二辐射体22上的电流呈反向分布，电流在第一辐射体21和第二辐射体22上整 体呈反向分布。参考图38b所示，同相位下，处于第二谐振的天线，电流在第一辐射体21 和第二辐射体22上呈反向分布。根据电流流向不难得到，同相位下，无论是第一谐振还 是第二谐振，均构成了以第三辐射体25为轴的对称分布结构，形成了线天线的共模模式。

仿真该天线在电子设备的背面和底面的5mm body SAR值，并按照-5dB效率归一化， 可以得到天线的SAR值结果如表12。

表12

参考表12并对比表11可知，在同相位的分布式线天线下，第一谐振的背面和底面SAR 值下降较明显，第二谐振的背面SAR值维持不变，而底面SAR值下降较明显。

图39a-图39d为同相位下天线的示意性热点图，其中图39阿和图39b为第一谐振，图39c和图39d为第二谐振，图39a和图39c为背面，图39b和图39d为底面。参考图39a- 图39b所示，第一谐振的热点在背面和底面均是分散的，第二谐振的背面热点移动到第三 辐射体所在的中部位置，而底面热点分散，因此整体上SAR值较低。

图40为本申请一实施例提供的天线的简化结构示意图。参考图40可知，本申请实施例 提供的天线，包括第一辐射体21、第二辐射体22和第三辐射体25，第三辐射体25位于第一 辐射体21和第二辐射体22之间，且第三辐射体25的长度小于第一辐射体21和第二辐射体22 的长度；第一辐射体21通过第一馈电点F1输入电信号，第二辐射体22通过第二馈电点F2输 入电信号，第一馈电点F1和第二馈电点F2通过射频连接线24连接，第三辐射体25接地，到 达第一馈电点F1和第二馈电点F2的电信号的相位同相。

需要说明的是，第一辐射体21和所述第二辐射体22可以相对于所述第三辐射体25呈轴 对称设置，第一馈电点F1和第二馈电点F2的位置相对第三辐射体25呈轴对称设置，以构造 处线天线的共模。但是，实际上，不要求第一辐射体和第二辐射体呈严格的轴对称结构， 在第一辐射体和第二辐射体接近轴对称结构时，也可以实现接近线天线共模的低SAR值效 果。

需要说明的是，该天线中接地点的位置可以不做具体限制。接地点可以如上具体实施 方式中，设置在第一馈电点F1的右侧和第二馈电点F2的左侧，或者，接地点也可以通过匹 配上的并电感到地体现。

综上所述，本申请实施例提供一种应用于电子设备的天线，第一辐射体和第二辐射体 设置在第三辐射体的两侧并呈对称分布，控制电信号到达第一辐射体和第二辐射体的相位 差为同相位，可以形成线天线的共模模式，实现高效率、宽频、低SAR值的效果。

场景五

图41为本申请一实施例提供的另一种天线的结构示意图。参考图41所示，天线可以 包括第一辐射体21和第二辐射体22，第一辐射体21和第二辐射体22的结构相同，呈左右排列分布。第一辐射体21通过第一馈电点F1输入电信号，第二辐射体22通过第二馈 电点F2输入电信号，第一馈电点F1和第二馈电点F2通过射频连接线24连接。

第一辐射体21和第二辐射体22的长度在本申请实施例中不做具体限制，例如可以大 于20mm。第一辐射体21和第二辐射体22之间的距离过大时，不利于电子设备上天线的紧凑性排布，而距离过小时，第一辐射体21和第二辐射体22之间可能会耦合影响到天线 性能，在一种可能的实例中，第一辐射体21和第二辐射体22之间的距离可以处于 6mm-12mm之间。第一辐射体21和第二辐射体22上的馈电点和接地点的位置在本申请实 施例中不做具体限制。

在一种具体的实施例中，第一辐射体21和第二辐射体22的长度可以为28mm，第一辐射体21和第二辐射体22之间的距离为8mm，第一辐射体21的接地点与第一辐射体21 的右侧端部的距离可以为9mm，第二辐射体22的接地点与第二辐射体22的左侧端部的距 离可以为9mm。

通过控制射频连接线24的长度或者在射频连接线24上连接移相器可以控制电信号到 达第一馈电点F1和第二馈电点F2的相位差。控制电信号到达第一辐射体21和第二辐射 体22的相位差，以分别仿真不同相位差下天线的SAR值和热点分布，示例性地，相位差可以具有同相位、相差90°、反相位这三种情况，可以得到天线在不同相位下的效率。

图42为图41提供的天线在不同相位下的辐射效率曲线图，图43为图41提供的天线在不同相位下的系统效率曲线图，C1代表同相位，C2代表相位相差90°，C3代表反相 位。参考图42和图43所示，在电信号到达第一辐射体21和第二辐射体22为同相位时， 天线的系统效率最高，但是同相位和反相位下，系统效率相差在1dB左右，相差较小。

图44a-图44b为同相位下天线的电流分布图，其中图44a为第一谐振，图44b为第二谐振。参考图44a所示，同相位下，处于第一谐振的天线，第一辐射体21上的电流呈反向 分布，第二辐射体22上的电流呈反向分布，第一辐射体21和第二辐射体22上的电流整 体上呈反向分布，可以视为形成了线天线的共模模式。参考图44b所示，同相位下，处于 第二谐振的天线，电流在第一辐射体21和第二辐射体22呈同向分布，可以视为形成了线 天线的差模模式。

需要说明的是，图中虚线箭头代表主板上的感应电流，未画出箭头的位置代表该位置 处电流较弱，图中箭头仅示意电流的分布，箭头的长短不代表电流的强弱。

仿真该天线在电子设备的背面和底面的5mm body SAR值，并按照-5dB效率归一化， 可以得到天线的SAR值结果如表13。

表13

图45a-图45d为同相位下天线的示意性热点图，其中图45a和图45b为第一谐振，图45c和图45d为第二谐振，图45a和图45c为背面，图45b和图45d为底面。参考图45a- 图45d所示，第一谐振的热点在背面和底面较为分散的，第二谐振的背面热点非常集中。

图46a-图46b为反相位下天线的电流分布图，其中图46a为第一谐振，图46b为第二谐振。参考图46a所示，反相位下，处于第一谐振的天线，电流在第一辐射体21和第二辐 射体22上反向分布，可以视为形成了线天线的共模模式。参考图46b所示，反相位下， 处于第二谐振的天线，电流在第一辐射体21和第二辐射体22上反向分布，可以视为形成 了线天线的共模模式。

仿真该天线的背面和底面的5mm body SAR值，并按照-5dB效率归一化，可以得到天 线的SAR值结果如表14。

表14

参考表14并对比表13可知，反相位下第二谐振的SAR值明显低于同相位下第二谐振 的SAR值，相差3dB以上。

图47a-图47d为反相位下天线的示意性热点图，其中图47a和图47b为第一谐振，图47c和图47d为第二谐振，图47a和图47c为背面，图47b和图47d为底面。参考图47a- 图47b所示，第一谐振的热点在背面比较集中，在底面较为分散，第二谐振的背面热点和 底壁热点均非常分散，SAR值较低。

总体上，尽管同相位下天线的系统效率高于反相位下天线的系统效率，但是，同相位 下天线的SAR值远高于反相位下天线的SAR值，系统效率相差较低可以接受，而SAR值 相差3dB无法接受，两相比较下，选择SAR值较低的反相位。即，第一辐射体21和第二 辐射体22呈排列设置时，可以控制电信号到达第一辐射体和第二辐射体的相位差为反相 位，以降低天线SAR值。

图48为本申请一实施例提供的天线的简化结构示意图。参考图48可知，本申请实施 例提供的天线，包括第一辐射体21和第二辐射体22，第一辐射体21通过第一馈电点F1输入电信号，第二辐射体22通过第二馈电点F2输入电信号，第一馈电点F1和第二馈电 点F2通过射频连接线24连接，到达第一馈电点F1和第二馈电点F2的电信号的相位反相。

需要说明的是，第一辐射体21和所述第二辐射体22的结构可以相同并呈左右排列设置， 第一馈电点F1相对于第一辐射体21的位置与第二馈电点F2相对于第二辐射体22的位置可 以相同。

需要说明的是，该天线中接地点的位置可以不做具体限制。接地点可以如上具体实施 方式中，设置在第一馈电点F1的右侧和第二馈电点F2的右侧，或者，接地点也可以通过匹 配上的并电感到地体现。

综上所述，本申请实施例提供一种应用于电子设备的天线，第一辐射体和第二辐射体 的结构相同，呈左右排列设置，控制电信号到达第一辐射体和第二辐射体的相位差为反相 位，可以形成线天线的共模，实现高效率、宽频、低SAR值的效果。

本申请实施例提供的天线，应用于电子设备，设置第一辐射体和第二辐射体，通过设 置第一辐射体和第二辐射体呈轴对称结构，并控制到达第一辐射体和第二辐射体的电信号 为同相位，或者设置第一辐射体和第二辐射体呈左右排列，并控制到达第一辐射体和第二 辐射体的电信号为反相位，从而可以降低天线的SAR值。

应当说明的是，以上各实施例中，参考各个附图可知，馈源23接地，即馈电形式采用的是对称馈电，对称馈电可以理解为馈源的一端连接辐射体，另一端接地。在另一种可能的实施方式中，图49为本申请一实施例提供的天线结构示意图，参考图49所示，馈源 23可以不接地，馈电形式可以采用反对称馈电(anti-symmetrical feed)，反对称馈电可以理解为，馈源的正负两级分别连接在辐射体的两端，馈源的正负两级输出的信号幅度相同，相位相反，例如相位相差180°±10°。采用反对称馈电时，信号源到达第一辐射体21和 第二辐射体22的相位差需要相应进行调整，在此不做具体展开。

综上所述，本申请实施例提供的天线和可折叠电子设备，利用可折叠电子设备的两个 主体上的空间分别设置辐射体，两个辐射体通过射频连接线连接构成分布式天线，通过控 制馈源馈入两侧辐射体信号的相位差，实现展开状态下电流在转轴两侧的辐射体上呈现反 向分布，构造出线天线的共模模式，而折叠状态下两个辐射体构成相邻的平行辐射体，且 平行辐射体上的电流同向分布，从而可以实现天线的高效率和低SAR值。另外，相比于在 可折叠电子设备的两个主体上各自设置天线来说，本申请实施例设置分布式天线，可以得 到更多的谐振模式和带宽。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请实施例的技术方案，而非对其限制； 尽管参照前述各实施例对本申请实施例进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理 解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技 术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施 例技术方案的范围。

Claims (20)

1.一种天线，其特征在于，应用于可折叠电子设备，所述可折叠电子设备包括转轴以及设置在所述转轴两侧的第一主体和第二主体，所述天线包括馈源、第一辐射体、第二辐射体、第一馈电点、第二馈电点和射频连接线；

所述第一辐射体设置在所述第一主体内，所述第二辐射体设置在所述第二主体内，所述第一辐射体的靠近所述转轴的一端接地，所述第二辐射体的靠近所述转轴的一端接地，所述第一辐射体通过所述第一馈电点馈入电信号，所述第二辐射体通过所述第二馈电点馈入电信号，所述第一馈电点和所述第二馈电点通过所述射频连接线连接，所述第一辐射体上设置有第一缝隙，所述第二辐射体上设置有第二缝隙；

所述第一馈电点和所述第二馈电点的位置与所述第一馈电点和所述第二馈电点的电信号的相位设置为：

所述第一馈电点和所述第二馈电点均设置在所述第一缝隙和所述第二缝隙之间，所述第一馈电点和所述第二馈电点的电信号的相位反相；或者，

所述第一馈电点设置在所述第一缝隙的远离所述第二缝隙的一侧，所述第二馈电点设置在所述第二缝隙的远离所述第一缝隙的一侧，所述第一馈电点和所述第二馈电点的电信号的相位反相；或者，

所述第一馈电点设置在所述第一缝隙和所述第二缝隙之间，所述第二馈电点设置在所述第二缝隙的远离所述第一缝隙的一侧，或者所述第一馈电点设置在所述第一缝隙的远离所述第二缝隙的一侧，所述第二馈电点设置在所述第一缝隙和所述第二缝隙之间，所述第一馈电点和所述第二馈电点的电信号的相位同相。

2.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述天线还包括移相器，所述移相器连接在所述第一馈电点和所述第二馈电点之间。

3.根据权利要求2所述的天线，其特征在于，所述移相器设置在所述第一主体内或者所述第二主体内。

4.根据权利要求1-3任一项所述的天线，其特征在于，所述第一辐射体和所述第二辐射体相对于所述转轴呈轴对称设置，所述第一缝隙和所述第二缝隙相对于所述转轴呈轴对称设置。

5.根据权利要求1-4任一项所述的天线，其特征在于，所述第一辐射体上还设置有第三缝隙，所述第二辐射体上还设置有第四缝隙，所述第三缝隙位于所述第一缝隙的背离所述第二辐射体的一侧，所述第四缝隙位于所述第二缝隙的背离所述第一辐射体的一侧；所述第一馈电点、所述第二馈电点均设置在所述第三缝隙和所述第四缝隙之间。

6.根据权利要求1-5任一项所述的天线，其特征在于，所述射频连接线包括线缆或柔性电路板。

7.根据权利要求1-6任一项所述的天线，其特征在于，所述可折叠电子设备处于展开状态时，所述第一辐射体和所述第二辐射体的延伸方向垂直于所述转轴的延伸方向，所述第一辐射体和所述第二辐射体之间的间距小于所述转轴的宽度；所述可折叠电子设备处于折叠状态时，所述第一辐射体和所述第二辐射体的延伸方向一致，且所述第一辐射体和所述第二辐射体在所述可折叠电子设备的厚度方向上重合。

8.根据权利要求7所述的天线，其特征在于，所述可折叠电子设备处于展开状态时，所述第一辐射体和所述第二辐射体上的电流呈反向分布；所述可折叠电子设备处于折叠状态时，所述第一辐射体和所述第二辐射体上的电流呈同向分布。

9.根据权利要求7所述的天线，其特征在于，所述第一辐射体和所述转轴电连接以通过所述转轴接地，所述第二辐射体和所述转轴电连接以通过所述转轴接地。

10.根据权利要求1-9任一项所述的天线，其特征在于，所述第一辐射体和地板之间具有间隙，所述第一辐射体和地板之间电连接构造出槽，所述第二辐射体和地板之间具有间隙，所述第二辐射体和地板之间电连接构造出槽。

11.根据权利要求1-10任一项所述的天线，其特征在于，所述第一辐射体上设置有调谐开关，两个调谐开关分别设置在所述第一缝隙的两侧，所述第二辐射体上设置有调谐开关，两个调谐开关分别设置在所述第二缝隙的两侧。

12.一种可折叠电子设备，其特征在于，包括转轴、设置在转轴两侧的第一主体和第二主体以及权利要求1-11任一项所述的天线。

13.根据权利要求12所述的可折叠电子设备，其特征在于，所述电子设备包括金属边框，位于所述转轴两侧的所述金属边框分别形成所述第一辐射体和所述第二辐射体。

14.根据权利要求13所述的可折叠电子设备，其特征在于，位于所述电子设备顶部的顶边框或者位于所述电子设备底部的底边框的部分长度形成所述第一辐射体和所述第二辐射体。

15.一种天线，其特征在于，包括馈源、第一辐射体、第二辐射体和第三辐射体，所述第一辐射体、第二辐射体和第三辐射体在同一直线上延伸，所述第三辐射体位于所述第一辐射体和所述第二辐射体之间，且所述第三辐射体的长度小于所述第一辐射体和所述第二辐射体的长度；

所述第一辐射体通过第一馈电点馈入电信号，所述第二辐射体通过第二馈电点馈入电信号，所述第一馈电点和所述第二馈电点通过射频连接线连接，所述第三辐射体接地，到达所述第一馈电点和所述第二馈电点的电信号的相位同相。

16.根据权利要求15所述的天线，其特征在于，所述第一辐射体和所述第二辐射体相对于所述第三辐射体呈轴对称设置，所述第一馈电点和所述第二馈电点的位置相对于所述第三辐射体呈轴对称设置；所述第一辐射体的接地点位于所述第一馈电点的面向所述第三辐射体的一侧，所述第二辐射体的接地点位于所述第二馈电点的面向所述第三辐射体的一侧。

17.根据权利要求15所述的天线，其特征在于，所述第三辐射体连接有调谐电感，所述第三辐射体产生的谐振的效率低于所述第一辐射体和所述第二辐射体产生的谐振的效率。

18.一种天线，其特征在于，包括馈源及在同一直线上延伸的第一辐射体和第二辐射体，所述第一辐射体通过第一馈电点馈入电信号，所述第二辐射体通过第二馈电点馈入电信号，所述第一辐射体和所述第二辐射体的长度相同且呈左右排列，所述第一馈电点在所述第一辐射体上的位置与所述第二馈电点在所述第二辐射体上的位置相同，所述第一馈电点和所述第二馈电点通过射频连接线连接，到达所述第一馈电点和所述第二馈电点的电信号的相位反相。

19.根据权利要求18所述的天线，其特征在于，所述第一辐射体的接地点位于所述第一馈电点的面向所述第二辐射体的一侧，所述第二辐射体的接地点位于所述第二馈电点的背向所述第一辐射体的一侧。

20.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求15-19任一项所述的天线。

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