CN115372686A - 充电芯片的检流电路以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种充电芯片的检流电路，用于检测电池的充电电流或放电电流，包括：状态判断模块、第一MOS管、第二MOS管、运算放大器、第三MOS管、检流电阻、第一单刀双掷开关以及第二单刀双掷开关；所述第一MOS管的第一极脚连接系统电压端，所述第一MOS管的第二极脚连接所述电池电压端；所述状态判断模块的输出端连接所述第一单刀双掷开关的控制端，以控制所述第一单刀双掷开关的切换，所述第一单刀双掷开关的第一端还连接所述第二MOS管的漏极，所述第一单刀双掷开关的第二端连接所述第二单刀双掷开关的第三端以及所述第一MOS管的第一极脚，所述第一单刀双掷开关的第三端连接所述第二单刀双掷开关的第二端以及所述第一MOS管的第二极脚。

Description

充电芯片的检流电路以及电子设备
技术领域
本发明涉及充电电池技术领域，尤其涉及一种充电芯片的检流电路以及电子设备。
背景技术
在充电芯片中，由于需要同时具有充电、放电这两个功能，同时充放电的电流很大，而且很多要求能够实现边充电边放电，这样导致整个系统的充/放电电流检测电路就很复杂了。
目前在各种各样的充电芯片里面，仅做到了可以通过检流电阻(RSNS)上的压降来实时检测充电电流，并没有做到对放电电流的检测；即使有对放电电流的检测，也需要，即必须要用两套电路才能实现对充电芯片充电和放电状态下的电流检测。但这种方案不仅浪费芯片的面积和成本，而且芯片的实现电路比较复杂。
发明内容
本发明提供一种充电芯片的检流电路以及电子设备，以解决同一个检流电阻仅能检测充电电流的问题。
根据本发明的第一方面，提供了一种充电芯片的检流电路，用于检测电池的充电电流或放电电流，包括：状态判断模块、第一MOS管、第二MOS管、运算放大器、第三MOS管、检流电阻、第一单刀双掷开关以及第二单刀双掷开关；其中，所述第一MOS管、第二MOS管、运算放大器、第三MOS管构成电流镜像电路，以使得流过所述第一MOS管上的第一电流与流过所述第二MOS管上的第二电流成正比；所述第一MOS管的第一极脚连接系统电压端，所述第一MOS管的第二极脚连接所述电池电压端；
所述状态判断模块的输出端连接所述第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关的控制端，以控制所述第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关的切换，所述第一单刀双掷开关的第一端还连接所述第二MOS管的漏极，所述第一单刀双掷开关的第二端连接所述第二单刀双掷开关的第三端以及所述第一MOS管的第一极脚，所述第一单刀双掷开关的第三端连接所述第二单刀双掷开关的第二端以及所述第一MOS管的第二极脚，所述第一MOS管的栅极连接所述第二MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极连接所述第三MOS管的源极以及所述运算放大器的反相输入端，所述运算放大器的同相输入端连接所述第二单刀双掷开关的第一端，所述运算放大器的输出端连接所述第三MOS管的栅极，所述第三MOS管的漏极连接所述检流电阻的第一端，所述检流电阻的第二端接地；
其中，所述状态判断模块用于：确定所述电池充电状态或放电状态，并根据所述电池的状态输出控制信号，以控制所述第一单刀双掷开关的第一端与其第二端或第三端导通连接，以及控制所述第二单刀双掷开关的第一端与其第二端或第三端导通连接，以用于分别形成充电电流检测电路与放电电流检测电路；
所述检流电阻用于：检测在所述充电检测电路/所述放电电流检测电路的状态下，所述检流电阻上流过的电流，以得到所述电池的充电电流/放电电流。
可选的，所述状态判断模块被配置为：
用于接收输入电压、所述电池电压端的电压以及所述系统电压端的电压；
当所述输入电压大于第一预设阈值，且所述系统电压端的电压大于所述电池电压端的电压与第二预设阈值的差时，确定所述电池进入充电状态；
其中，所述第一预设阈值表征为充电芯片的欠压保护点电压，所述第二预设阈值为正数且在5mv以下。
可选的，所述第一单刀双掷开关以及所述第二单刀双掷开关被配置为：
当确定所述充电芯片进入充电状态时，所述第一单刀双掷开关的第一端闭合连接至所述第一单刀双掷开关的第二端，使得所述第一MOS管的第一极脚连接所述第二MOS管的漏极；所述第二单刀双掷开关的第一端闭合连接至所述第二单刀双掷开关的第二端，使得所述第一MOS管的第二极脚连接所述运算放大器的同相输入端，以导通所述充电检测电路。
可选的，所述状态判断模块还被配置为：
当所述系统电压端的电压小于所述电池电压端的电压与第二预设阈值的差时，确定所述充电芯片进入放电状态。
可选的，所述第一单刀双掷开关以及所述第二单刀双掷开关还被配置为：
当确定所述充电芯片进入放电状态时，所述第一单刀双掷开关的第一端闭合连接至所述第一单刀双掷开关的第三端，使得所述第一MOS管的第二极脚连接所述第二MOS管的漏极；所述第二单刀双掷开关的第一端闭合连接至所述第二单刀双掷开关的第三端，使得所述第一MOS管的第一极脚连接所述运算放大器的同相输入端，以导通所述放电检测电路。
可选的，所述充电芯片的检流电路还包括ADC端口，所述ADC端口的第一端连接所述检流电阻的第一端，以检测所述检流电阻上的充电电流或所述放电电流，进而得到所述第二MOS管上的电流。
可选的，所述充电芯片的检流电路还包括外部处理器模块，所述外部处理器模块连接所述ADC端口；
所述外部处理器模块被配置为：利用库仑运算计算所述充电电流或所述放电电流得到所述电池的电量数据。
可选的，所述第一MOS管至所述第三MOS管为NMOS管或PMOS管。
可选的，所述第一MOS管的第一极脚以及所述第二极脚为源极或漏极；
若所述第一极脚为源极，则所述第二极脚为漏极；
若所述第一极脚为漏极，则所述第二极脚为源极。
可选的，所述第一MOS管的沟道宽度是所述第二MOS管的沟道宽度的XN倍，其中X、N为正整数。
可选的，所述充电电流IBAT＝ISNS*N；所述放电电流ISYS＝ISNS*XN；其中，ISNS为所述检流电阻上流过的电流，X、N为正整数。
根据本发明的第二方面，提供了一种电子设备，包括第一方面及其可选的所述的充电芯片的检流电路。
本发明提供的充电芯片的检流电路以及电子设备，通过所述第一单刀双掷开关以及所述第二单刀双掷开关的不同切换状态，将充电芯片的检流电路分为充电电流检测电路与放电电流检测电路，进一步的，在所述充电电流检测电路或所述放电电流检测电路导通时，检测所述检流电阻上的电流，进而实现同一个检流电阻对所述充电电流或所述放电电流的检测。
且在一种优选的实施方式中，本发明的第一MOS管的所述第一极脚以及所述第二极脚既可以作为源极也可以作为漏极，避免了在开关切换时给所述系统电压端VSYS到所述电池电压端VBAT的电源路径引入额外的导通电阻。
且在其他优选的实施方式中，本发明通过外接所述外部处理器模块，可利用库仑运算计算所述充电电流或所述放电电流，实现所述电池的电量数据的监测，且用单一充电芯片实现电池电量的库仑计算，避免昂贵的专用电量计芯片的使用，减少成本以及电路面积。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实例中现有技术的充电芯片的检流电路的结构示意图；
图2是本发明一实例中的充电芯片的检流电路的结构示意图。
附图标记说明：
1-状态判断模块；
N1-第一MOS管；
N2-第二MOS管；
P1-第三MOS管；
AMP-运算放大器；
RSNS-检流电阻；
SW1-第一单刀双掷开关；
SW2-第二单刀双掷开关；
VSYS-系统电压端；
VBAT-电池电压端；
ADC-ADC端口。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
在提出本申请前，申请人对充电芯片的检流电路进行了充分的研究，并基于研究提出了图1所示的充电芯片的检流电路，对于图1所示的充电芯片的检流电路，只能通过检流电阻RSNS上的压降来实时检测充电电流，并没有做到对放电电流的检测。
具体的，请参考图1，图1的充电芯片的检流电路包括：第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、运算放大器AMP、POS管P1、检流电阻RSNS、系统电压端VSYS以及电池电压端VBAT；其中，所述第一NMOS管N1的漏极连接所述第二NMOS管N2的漏极以及所述系统电压端VSYS，所述第一NMOS管N1的源极连接所述运算放大器AMP的同相输入端以及所述电池电压端，所述第一NMOS管N1的栅极连接所述第二NMOS管N2的栅极，所述第二NMOS管N2的源极连接所述运算放大器AMP的反相输入端以及所述POS管P1的源极，所述POS管P1的栅极连接所述运算放大器AMP的输出端，所述POS管P1的漏极连接所述检流电阻RSNS的第一端，所述检流电阻RSNS的第二端接地。
其中，所述系统电压端VSYS是充电芯片中接后端负载电路的管脚，所述电池电压端VBAT是充电芯片接电池的正极的管脚，VSYS和VBAT之间的所述第一NMOS管N1是充电芯片的电源路径，且所述第一NMOS管N1、所述第二NMOS管N2、所述运算放大器AMP和PMOS管P1构成电流镜像电路，具体的，其中所述第一NMOS管N1的沟道宽度是所述第二NMOS管N2的N倍(N是根据实际要求设计的比例关系)，即N2的漏源通道阻抗是N1的漏源通道阻抗的N倍。
以上方案中，所述运算放大器AMP和PMOS管P1构成负反馈电路，使得N1和N2的源极N1_S和N2_S的电压相等，又因为N1和N2的漏极N1_D和N2_D都接在VSYS上，从而确保N1和N2的漏源电压差相等，进而实现N1上流过的电流IBAT就是N2上流过的电流ISNS的N倍，并通过检测RSNS上的压降，即可得到ISNS的值，最后通过ISNS*N即可得到IBAT电流，最终实现了对电池充电的电流IBAT的检测。
可见，以上方案在电流镜像电路架构中，所述第一NMOS管N1的漏极N1_D是固定连接到所述第二NMOS管N2的漏极N2_D，所述第一NMOS管N1的源极N1_S是固定连接到所述运算放大器AMP的同相端，所以只能检测到VSYS到VBAT方向的充电电流IBAT，无法检测VBAT到VSYS方向的放电电流；由于没法通过检测外接的检流电阻RSNS上的压降来做放电时的库仑运算，进而以上方案不能用于做电池需要的充放电电量计功能，即无法判断电池的电量。
有鉴于此，本发明提出了一种新的充电芯片的检流电路，仅需增加两个单刀双掷开关就能实现充电电流和放电电流的检测。
关于本发明的方案，具体说明如下：
请参考图2，本发明提供了一种充电芯片的检流电路，用于检测电池的充电电流或放电电流，包括：状态判断模块1、第一MOS管N1、第二MOS管N2、运算放大器AMP、第三MOS管P1、检流电阻RSNS、第一单刀双掷开关SW1以及第二单刀双掷开关SW2；其中，所述第一MOS管N1、第二MOS管N2、运算放大器AMP、第三MOS管P1构成电流镜像电路，以使得流过所述第一MOS管N1上的第一电流与流过所述第二MOS管N2上的第二电流成正比；所述第一MOS管N1的第一极脚N1_DS连接系统电压端VSYS，所述第一MOS管N1的第二极脚N1_SD连接所述电池电压端VBAT；
所述状态判断模块1的输出端连接所述第一单刀双掷开关SW1和第二单刀双掷开关SW2的控制端，以控制所述第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关的切换，所述第一单刀双掷开关SW1的第一端还连接所述第二MOS管N2的漏极N2_D，所述第一单刀双掷开关SW1的第二端连接所述第二单刀双掷开关SW2的第三端以及所述第一MOS管N1的第一极脚N1_DS，所述第一单刀双掷开关SW1的第三端连接所述第二单刀双掷开关SW2的第二端以及所述第一MOS管N1的第二极脚N1_SD，所述第一MOS管N1的栅极连接所述第二MOS管N2的栅极，所述第二MOS管N2的源极连接所述第三MOS管P1的源极以及所述运算放大器AMP的反相输入端，所述运算放大器AMP的同相输入端连接所述第二单刀双掷开关SW2的第一端，所述运算放大器AMP的输出端连接所述第三MOS管P1的栅极，所述第三MOS管P1的漏极连接所述检流电阻RSNS的第一端，所述检流电阻RSNS的第二端接地；
其中，所述状态判断模块1用于：确定所述电池处于充电状态或放电状态，并根据所述电池的状态输出控制信号，以控制所述第一单刀双掷开关SW1的第一端与其第二端或第三端导通连接，以及控制所述第二单刀双掷开关SW2的第一端与其第二端或第三导通连接，以用于分别形成充电电流检测电路与放电电流检测电路。
所述检流电阻RSNS用于：检测在所述充电检测电路/所述放电电流检测电路的状态下，所述检流电阻RSNS上流过的电流，以得到所述电池的充电电流/放电电流。
所述运算放大器AMP用于：使得接在所述运算放大器AMP的同相端和反相端对应的两个NMOS的源极的电压相等。
所述电流镜像电路表征为利用两个工艺性能一样、沟道宽度成比例关系的NMOS的漏源电压差相等，进而实现主电流通道的电流(即N1上的电流)和检测通道的电流(即N2上的电流)跟沟道宽度成一样比例关系的电路。
一种优选的实施方式中，所述第一MOS管N1至所述第三MOS管P1为NMOS管或PMOS管。
另一种优选的实施方式中，所述第一MOS管N1的沟道宽度是所述第二MOS管N2的沟道宽度的XN倍，其中X、N为正整数。
具体的实施例中，所述第一MOS管N1与所述第二MOS管N2的沟道长度相等。
具体的，相较于所述芯片为充电状态时的所述第二MOS管N2的阻抗与所述第一MOS管N1的阻抗的比例结果，所述芯片为放电状态时，所述第二MOS管N2的阻抗与所述第一MOS管N1的阻抗的比例结果更大；例如，所述芯片为充电状态，比例结果为1：1000，其中，X＝1，N＝1000；所述芯片为放电状态，比例结果为1：5000，其中，X＝5，N＝1000。
其中，以上比例结果跟放电过流点电流有关，一般充电芯片的最大放电电流大于最大充电电流，放电检流比例参数高以避免实际应用中放电电流容易过流的问题。
关于充电电流以及放电电流的计算，具体的实施例中，所述充电电流IBAT＝ISNS*N；所述放电电流ISYS＝ISNS*XN；其中，ISNS为所述检流电阻RSNS上流过的电流，X、N为正整数。
以上方案中，通过所述第一单刀双掷开关SW1以及所述第二单刀双掷开关SW2的不同切换状态，将充电芯片的检流电路分为充电电流检测电路与放电电流检测电路，进一步的，在所述充电电流检测电路或所述放电电流检测电路导通时，检测所述检流电阻RSNS上的电流，进而实现单一芯片对所述充电电流或所述放电电流的检测，避免昂贵的专用电量计芯片的使用，减少成本以及电路面积。
关于状态判断模块1，请继续参考图2，一种优选的实施例中，所述状态判断模块1被配置为：
用于接收输入电压VIN、所述电池电压端VBAT的电压以及所述系统电压端VSYS的电压；
当所述输入电压VIN大于第一预设阈值，且所述系统电压端VSYS的电压大于所述电池电压端VBAT的电压与第二预设阈值的差时，确定所述电池进入充电状态；
其中，所述第一预设阈值表征为充电芯片的欠压保护点电压，所述第二预设阈值为正数且在5mv以下。
其他优选的实施例中，所述状态判断模块1还被配置为：
当所述系统电压端VSYS的电压小于所述电池电压端VBAT的电压与第二预设阈值的差时，确定所述充电芯片进入放电状态。
其中，所述欠压保护点电压表征为线路电压的最低临界电压。
一种举例中，所述欠压保护点电压为3.4V。
当然，本发明并不以此为限，所述欠压保护点电压其他值均在本发明的保护范围之内。
具体的实施例中，当输入电压VIN大于芯片欠压保护点电压(例如3.4V)，且系统电压端VSYS电压VSYS大于电池电压端VBAT电压VBAT-5mV，确定芯片进入充电状态。
其他的实施例中，当系统电压端VSYS电压VSYS小于电池电压端VBAT电压VBAT-5mV时，确定芯片进入放电状态。
以上方案中，所述第二预设阈值的取值为5mV；当然，本发明并不以此为限，其他取值均在本发明的保护范围之内，例如，若芯片内部比较器精度高，抗干扰能力强，所述第二预设阈值可以为1mV或更小。
关于第一单刀双掷开关SW1以及第二单刀双掷开关SW2，请继续参考图2，一种优选的实施方式中，所述第一单刀双掷开关SW1以及所述第二单刀双掷开关SW2被配置为：
当确定所述充电芯片进入充电状态时，所述第一单刀双掷开关SW1的第一端闭合连接至所述第一单刀双掷开关SW1的第二端，使得所述第一MOS管N1的第一极脚连接所述第二MOS管N2的漏极；所述第二单刀双掷开关SW2的第一端闭合连接至所述第二单刀双掷开关SW2的第二端，使得所述第一MOS管N1的第二极脚连接所述运算放大器AMP的同相输入端，以导通所述充电检测电路。
其他优选的实施例中，所述第一单刀双掷开关SW1以及所述第二单刀双掷开关SW2还被配置为：
当确定所述充电芯片进入放电状态时，所述第一单刀双掷开关SW1的第一端闭合连接至所述第一单刀双掷开关SW1的第三端，使得所述第一MOS管N1的第二极脚连接所述第二MOS管N2的漏极；所述第二单刀双掷开关SW2的第一端闭合连接至所述第二单刀双掷开关SW2的第三端，使得所述第一MOS管N1的第一极脚连接所述运算放大器AMP的同相输入端，以导通所述放电检测电路。
具体的实施例中，所述第一MOS管N1的第一极脚N1_DS以及所述第二极脚N1_SD为源极或漏极；
若所述第一极脚N1_DS为源极，则所述第二极脚N1_SD为漏极；
若所述第一极脚N1_DS为漏极，则所述第二极脚N1_SD为源极。
以上方案中，在设计和电路控制时会将所述第一MOS管N1做到漏极和源极功能可以互换，即所述第一极脚N1_DS和所述第二极脚N1_SD既可以做源极也可以做漏极，且始终把所述第一极脚N1_DS和系统电压端VSYS固定连接，所述第二极脚N1_SD和电池电压端VBAT固定连接，这样在电流镜像电路通过第一单刀双掷开关SW1和第二单刀双掷开关SW2做切换的时候不会因为开关切换给系统电压端VSYS到电池电压端VBAT的电源路径引入额外的导通电阻。
请继续参考图2，一种优选的实施方式中，所述充电芯片的检流电路还包括ADC端口，所述ADC端口的第一端连接所述检流电阻RSNS的第一端，以通过外部处理器模块内置的ADC检测所述检流电阻RSNS上的充电电流或所述放电电流，进而得到所述第二MOS管N2上的电流。
其他未图示的实施例中，所述充电芯片的检流电路还包括外部处理器模块，所述外部处理器模块内置ADC连接所述ADC端口；
所述外部处理器模块被配置为：利用库仑运算计算所述充电电流或所述放电电流得到所述电池的电量数据。
以上方案中，芯片在充电状态时，通过检测所述检流电阻RSNS上的压降可以推算出充电电流IBAT的值；芯片在放电状态时，通过检测所述检流电阻RSNS上的压降可以推算出放电电流ISYS的值，进而可以通过同一个所述检流电阻RSNS的压降检测同一个N1主通道的两个方向的电流。
进而充电芯片外接的外部处理器模块可以基于内置ADC检测到所述ADC端口的电池充电电流/放电电流做库仑运算来得到电池实时的电量数据。
本发明还提供了一种电子设备，包括以上所述的充电芯片的检流电路。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (12)

1.一种充电芯片的检流电路，用于检测电池的充电电流或放电电流，其特征在于，包括：状态判断模块、第一MOS管、第二MOS管、运算放大器、第三MOS管、检流电阻、第一单刀双掷开关以及第二单刀双掷开关；其中，所述第一MOS管、第二MOS管、运算放大器、第三MOS管构成电流镜像电路，以使得流过所述第一MOS管上的第一电流与流过所述第二MOS管上的第二电流成正比；所述第一MOS管的第一极脚连接系统电压端，所述第一MOS管的第二极脚连接所述电池电压端；
所述状态判断模块的输出端连接所述第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关的控制端，以控制所述第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关各自的切换，所述第一单刀双掷开关的第一端还连接所述第二MOS管的漏极，所述第一单刀双掷开关的第二端连接所述第二单刀双掷开关的第三端以及所述第一MOS管的第一极脚，所述第一单刀双掷开关的第三端连接所述第二单刀双掷开关的第二端以及所述第一MOS管的第二极脚，所述第一MOS管的栅极连接所述第二MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极连接所述第三MOS管的源极以及所述运算放大器的反相输入端，所述运算放大器的同相输入端连接所述第二单刀双掷开关的第一端，所述运算放大器的输出端连接所述第三MOS管的栅极，所述第三MOS管的漏极连接所述检流电阻的第一端，所述检流电阻的第二端接地；
其中，所述状态判断模块用于：确定所述电池处于充电状态或放电状态，并根据所述电池的状态输出控制信号，以控制所述第一单刀双掷开关的第一端与其第二端或第三端导通连接，以及控制所述第二单刀双掷开关的第一端与其第二端或第三端导通连接，以用于分别形成充电电流检测电路与放电电流检测电路；
所述检流电阻用于：检测在所述充电检测电路/所述放电电流检测电路的状态下，所述检流电阻上流过的电流，以得到所述电池的充电电流/放电电流。
2.根据权利要求1所述的充电芯片的检流电路，其特征在于，所述状态判断模块被配置为：
用于接收输入电压、所述电池电压端的电压以及所述系统电压端的电压；
当所述输入电压大于第一预设阈值，且所述系统电压端的电压大于所述电池电压端的电压与第二预设阈值的差时，确定所述电池进入充电状态；
其中，所述第一预设阈值表征为充电芯片的欠压保护点电压，所述第二预设阈值为正数且在5mv以下。
3.根据权利要求2所述的充电芯片的检流电路，其特征在于，所述第一单刀双掷开关以及所述第二单刀双掷开关被配置为：
当确定所述充电芯片进入充电状态时，所述第一单刀双掷开关的第一端闭合连接至所述第一单刀双掷开关的第二端，使得所述第一MOS管的第一极脚连接所述第二MOS管的漏极；所述第二单刀双掷开关的第一端闭合连接至所述第二单刀双掷开关的第二端，使得所述第一MOS管的第二极脚连接所述运算放大器的同相输入端，以导通所述充电检测电路。
4.根据权利要求2所述的充电芯片的检流电路，其特征在于，所述状态判断模块还被配置为：
当所述系统电压端的电压小于所述电池电压端的电压与第二预设阈值的差时，确定所述充电芯片进入放电状态。
5.根据权利要求4所述的充电芯片的检流电路，其特征在于，所述第一单刀双掷开关以及所述第二单刀双掷开关还被配置为：
当确定所述充电芯片进入放电状态时，所述第一单刀双掷开关的第一端闭合连接至所述第一单刀双掷开关的第三端，使得所述第一MOS管的第二极脚连接所述第二MOS管的漏极；所述第二单刀双掷开关的第一端闭合连接至所述第二单刀双掷开关的第三端，使得所述第一MOS管的第一极脚连接所述运算放大器的同相输入端，以导通所述放电检测电路。
6.根据权利要求1所述的充电芯片的检流电路，其特征在于，还包括ADC端口，所述ADC端口的第一端连接所述检流电阻的第一端，以检测所述检流电阻上的充电电流或所述放电电流，进而得到所述第二MOS管上的电流。
7.根据权利要求1所述的充电芯片的检流电路，其特征在于，还包括外部处理器模块，所述外部处理器模块连接所述ADC端口；
所述外部处理器模块被配置为：利用库仑运算计算所述充电电流或所述放电电流得到所述电池的电量数据。
8.根据权利要求1所述的充电芯片的检流电路，其特征在于，所述第一MOS管至所述第三MOS管为NMOS管或PMOS管。
9.根据权利要求1所述的充电芯片的检流电路，其特征在于，所述第一MOS管的第一极脚以及所述第二极脚为源极或漏极；
若所述第一极脚为源极，则所述第二极脚为漏极；
若所述第一极脚为漏极，则所述第二极脚为源极。
10.根据权利要求1所述的充电芯片的检流电路，其特征在于，所述第一MOS管的沟道宽度是所述第二MOS管的沟道宽度的XN倍，其中X、N为正整数。
11.根据权利要求10所述的充电芯片的检流电路，其特征在于，所述充电电流IBAT＝ISNS*N；所述放电电流ISYS＝ISNS*XN；其中，ISNS为所述检流电阻上流过的电流，X、N为正整数。
12.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至11任一项所述的充电芯片的检流电路。
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