CN115364530B - 一种多晶硅渣浆沉降装置及回收系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种多晶硅渣浆沉降装置,包括沉降罐和沉降机构。沉降罐开设有进料法兰口、出料法兰口和出清液法兰口。进料法兰口位于沉降罐的侧壁上,供渣浆进料。出料法兰口位于沉降罐的罐底上,供沉降分离的硅粉出料。出清液法兰口位于沉降罐的侧壁上,且其位置高于进料法兰口,供分离硅粉后的清液流出。沉降机构设置于沉降罐内部,并位于进料法兰口和出清液法兰口之间,沉降机构具有多条上下贯通的流道,流道倾斜设置,用于供渣浆流通并将渣浆的液流分隔为多个薄层,使每个渣浆薄层中的硅粉沿着倾斜的流道壁聚集沉降,并落到沉降罐底部,以分离出硅粉。因此,本多晶硅渣浆沉降装置能够使渣浆中的硅粉快速沉降,以提高清液与硅粉的分离效率。

Description

一种多晶硅渣浆沉降装置及回收系统
技术领域
本发明具体涉及一种多晶硅渣浆沉降装置及回收系统。
背景技术
多晶硅渣浆通常为精馏装置或冷氢化装置得到的混合物浆料,主要由氯硅烷、高沸物、三氯化铝和硅粉等组成。多晶硅渣浆作为多晶硅生产中不可避免的副产物,由于其对环境具有高危害性,且氯硅烷、高沸物、硅粉等具有一定的回收价值,使得多晶硅渣浆的回收利用对整个多晶硅生产工艺具有非常重要的意义。
传统的多晶硅渣浆处理工艺流程是:将渣浆送入沉降装置沉淀,待硅粉和清液分层后,清液被排出沉降装置进入后续装置进行氯硅烷和高沸物的回收,而硅粉沉淀料则排入干燥机,通过干燥机分离其中的四氯化硅和少量的三氯氢硅,处理后的干燥硅粉通入硅粉收集罐进行存储。
现有的渣浆沉降装置在生产中存在以下不足:
1、现有的渣浆沉降装置需要在装满渣浆后静置沉降,待硅粉完全沉降后将硅粉和清液排出,再进行下一罐的进料及沉降分离,属于间断生产,由于单个沉降装置沉降时间较长,因此需要安装多套沉降装置及配套干燥机、仪表等才能满足生产需求;
2、现有的渣浆沉降装置为防止硅粉在罐内聚集结块,一般配有搅拌器连续搅拌,但在实际生产中,沉降罐内搅拌装置无法搅拌的死区和出料管口处,由于渣浆沉降罐的间断操作,该处硅粉不流动,导致硅粉长时间聚集,容易结块堵住管口。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足,提供一种多晶硅渣浆沉降装置及回收系统,能够有效地使得渣浆中的硅粉快速沉降,以提高清液与硅粉的分离效率,并实现渣浆的连续进料和清液、硅粉的连续出料。
根据本发明第一方面的实施例,提供一种多晶硅渣浆沉降装置,包括:沉降罐和沉降机构,所述沉降罐开设有进料法兰口、出料法兰口和出清液法兰口,所述进料法兰口位于所述沉降罐的侧壁上,用于供渣浆进料,所述出料法兰口位于所述沉降罐的罐底上,用于供沉降分离的硅粉出料,所述出清液法兰口位于所述沉降罐的侧壁上,且其位置高于所述进料法兰口,用于供分离硅粉后的清液流出,所述沉降机构设置于所述沉降罐内部,并位于进料法兰口和出清液法兰口之间,所述沉降机构具有多条上下贯通的流道,所述流道倾斜设置,用于供渣浆流通并将渣浆的液流分隔为多个薄层,使每个渣浆薄层中的硅粉沿着倾斜的流道壁聚集沉降,并落到沉降罐底部,以分离出硅粉。
优选的,所述沉降机构包括支撑件和斜板斜管单元,所述支撑件安装于所述沉降罐内,形状呈栅格状,斜板斜管单元放置于所述支撑件上,包括多个平行设置的斜板/斜管,相邻的斜板/斜管固定连接,以分隔出多条所述流道,用于供渣浆流通。
优选的,所述斜板/斜管的倾斜角α为斜板或斜管的延伸方向与竖直方向之间的夹角,所述倾斜角α的取值范围为30°-75°。
优选的,还包括进料缓冲机构,所述进料缓冲机构安装于所述沉降罐的内壁上,所述进料缓冲机构包括底板、侧挡板和顶板,所述底板和所述顶板水平设置并分别与所述沉降罐的内壁固定连接,所述侧挡板竖直设置,其上下两端分别与所述底板和所述顶板固定连接,所述侧挡板正对所述进料法兰口,用于阻挡并减缓从进料法兰口流入的渣浆的流速,所述底板、侧挡板、顶板以及所述沉降罐的内壁围合,以形成缓冲通道,所述缓冲通道的两侧具有出口,用于供经过缓冲后的渣浆流入沉降罐内。
优选的,所述底板上开设有第一排液孔。
优选的,还包括清液溢流机构,所述清液溢流机构安装于所述沉降罐的内壁,并位于所述沉降机构的上方,所述清液溢流机构包括安装环,所述安装环沿水平方向延伸,所述安装环的外侧固定于所述沉降罐的内壁,所述安装环的内侧固定有溢流堰,所述溢流堰呈环形并向上延伸,且所述溢流堰与所述出清液法兰口处于同一高度,所述溢流堰与所述安装环密封安装,以使溢流堰、安装环和沉降罐的内壁围合成清液流道,用于供清液流动至出清液法兰口,并从出清液法兰口流出。
优选的,所述溢流堰的上端开设有若干缺口,若干所述缺口沿所述溢流堰的周向排列布置,所述缺口用于供清液均匀流出至清液流道。
优选的,所述安装环上开设有若干第二排液孔,若干所述第二排液孔沿所述安装环的环向均匀设置。
优选的,还包括搅拌机构,用于打散结块的硅粉,所述搅拌机构包括动力单元、传动轴和桨叶,所述桨叶位于所述沉降罐的内并处于底部,所述动力单元设于所述沉降罐的外部,其通过传动轴连接于所述桨叶,以带动所述桨叶转动。
根据本发明第二方面的实施例,还提供一种回收系统,用于回收多晶硅渣浆中的氯硅烷、高沸物和硅粉,包括精馏装置、分离罐和干燥机,还包括上述的多晶硅渣浆沉降装置,所述精馏装置与所述多晶硅渣浆沉降装置的进料法兰口连通,用于向所述多晶硅渣浆沉降装置输送多晶硅渣浆,所述分离罐与所述出清液法兰口连通,用于接收多晶硅渣浆沉降装置中的所述清液,并分离出所述清液中的氯硅烷和高沸物,以对氯硅烷和高沸物进行回收,所述干燥机与所述出料法兰口连通,用于接收多晶硅渣浆沉降装置中沉降分离的硅粉,并对所述硅粉进行干燥处理,以回收干燥硅粉。
本发明的多晶硅渣浆沉降装置通过沉降机构实现硅粉快速沉降。沉降机构具有多条上下贯通的流道,流道倾斜设置,并能够将渣浆的液流分隔为多个薄层。每个渣浆薄层中的硅粉沿着倾斜的流道壁聚集沉降,并落到沉降罐底部,以快速沉降分离硅粉。因此,本多晶硅渣浆沉降装置能够有效地使得渣浆中的硅粉快速沉降,以提高清液与硅粉的分离效率,并实现渣浆的连续进料和清液、硅粉的连续出料。
附图说明
图1是本发明一些实施例中的沉降罐的结构示意图;
图2是本发明一些实施例中的沉降罐的内部结构示意图;
图3是图2中A处的局部放大图;
图4是本发明一些实施例中的进料缓冲机构的结构示意图;
图5a是本发明一些实施例中的沉降机构的支撑件的剖面结构示意图;
图5b是本发明一些实施例中的沉降机构的支撑件的俯视图;
图6是图2中B处的局部放大图;
图7a是本发明一些实施例中采用斜板组成的斜板斜管单元的结构示意图;
图7b是本发明一些实施例中采用斜管组成的斜板斜管单元的结构示意图;
图8是图2中C处的局部放大图;
图9是本发明一些实施例中的清液溢流机构的结构示意图。
图中:1-沉降罐、2-进料法兰口、3-出料法兰口、4-出清液法兰口、5-出气法兰口、6-搅拌机构、601-动力单元、602-传动轴、603-桨叶、7-进料缓冲机构、701-底板、702-侧挡板、703-顶板、704-第一排液孔、8-沉降机构、801-支撑件、802-斜板斜管单元、9-清液溢流机构、901-安装环、902-溢流堰、903-第二排液孔。
具体实施方式
下面将结合本发明中的附图,对发明中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”“上游”、“下游”等指示方位或位置关系是基于附图所示的方位或者位置关系,仅是为了便于和简化描述,而并不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须设有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或者暗示相对重要性。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”、“设置”、“安装”、“固定”等应做广义理解,例如可以是固定连接也可以是可拆卸地连接,或者一体地连接;可以是直接相连,也可以是通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例1
请参阅图1和图2,本发明公开一种多晶硅渣浆沉降装置,包括沉降罐1和沉降机构8。
其中,沉降罐1开设有进料法兰口2、出料法兰口3和出清液法兰口4。进料法兰口2位于沉降罐1的侧壁上,用于供多晶硅渣浆进料。出料法兰口3位于沉降罐1的罐底,用于供沉降分离的硅粉出料。出清液法兰口4位于沉降罐1的侧壁上,且其位置高于进料法兰口2,用于供分离硅粉后的清液流出。
需要说明的是,工作人员在使用本多晶硅渣浆沉降装置时,需要先打开进料法兰口2和出清液法兰口4,使得多晶硅渣浆从进料法兰口2流入沉降罐1内,并关闭出料法兰口3,以避免渣浆直接从出料法兰口3流出。待到渣浆流入足够多,以至于清液已经开始从出清液法兰口4溢出时,经过沉降分离出来的硅粉会聚集在沉降罐1底部的出料法兰口3处,此时,工作人员再打开出料法兰口3,使硅粉从出料法兰口3流出。同时,工作人员需要调节进料法兰口2、出清液法兰口4和出料法兰口3的开度,使得进入沉降罐1内的渣浆的流量与出清液流量以及出硅粉流量保持动态平衡。此时,沉降罐1的进料和出料达到平衡,本装置的启动阶段结束,进入平稳运行的阶段。在平稳运行的阶段,沉降罐1的底部不断有硅粉沉淀,且硅粉通过出料法兰口3排出,沉淀的硅粉与排出的硅粉基本保持动态平衡。而且,清液不断地通过上端的出清液口排出,以使沉降罐1内的液位基本维持不变。
进一步地,沉降机构8设置于沉降罐1内部,并位于进料法兰口2和出清液法兰口4之间,用于加快渣浆中硅粉的沉降。在启动阶段,随着渣浆从进料法兰口2流入沉降罐1中,沉降罐1中的渣浆的液面越来越高,最终,渣浆没过沉降机构8。沉降机构8具有多条上下贯通的流道,流道倾斜设置。渣浆从沉降机构8的下侧进入流道中,流道用于供渣浆流通,并将渣浆的液流分隔为多个薄层,使每个渣浆薄层中的硅粉沿着倾斜的流道壁聚集沉降,并落到沉降罐1底部,以分离出硅粉。渣浆中的硅粉等固体杂质沉降分离后,清液从流道的上侧的出口流出,并通过出清液法兰口4流出沉降罐1。
进一步地,根据浅池理论可知,沉淀效果与沉降深度有关,沉降深度越大,硅粉等固体物质沉淀到沉降罐1的底部需要的时间越长。沉降机构8通过设置多条倾斜的流道,将渣浆的液流分隔为多个薄层,这样每个薄层的沉降深度就相对较小,能够很快地沉降至流道壁上,然后,硅粉再沿着倾斜的流道壁聚集沉降,从而能够更快地落到沉降罐1的底部。
因此,本多晶硅渣浆沉降装置能够有效地使得渣浆快速沉降的效果,以提高清液与硅粉的分离效率,并实现渣浆的连续进料和清液、硅粉的连续出料。
请参阅图6,在本实施例中,沉降机构8包括支撑件801和斜板斜管单元802,支撑件801安装于沉降罐1内。斜板斜管单元802放置于支撑件801上,斜板斜管单元802可以直接靠重力来压在支撑件801上。如图5a和图5b所示,支撑件801的边沿与沉降罐1的内壁固定连接。支撑件801的形状呈栅格状,以避免阻挡多晶硅渣浆的流动。
进一步地,如图7a所示,斜板斜管单元802由多块平行设置的斜板组成,相邻两块斜板固定连接,以分隔出多条流道。具体地,每块斜板的一侧设置有多条加强筋,另一侧为平面。斜板的加强筋与下一斜板的平面固定连接,以分隔形成许多截面为矩形的流道。多块斜板连接形成一体后,工作人员再将斜板斜管单元802整体修整成为适配于沉降罐1的内壁形状的圆柱形,以便于将斜板斜管单元802放入沉降罐1中。斜板可以由塑料制成,例如:聚氯乙烯等。当斜管由塑料制成时,相邻的斜管之间通过胶水粘接。当然,斜板还可以由金属材料制成,例如:不锈钢等。当斜管由金属材料制成时,相邻的斜管之间通过焊接的方式固定连接。
如图6所示,斜板的倾斜角α为延伸方向与竖直方向之间的夹角,倾斜角α的取值范围为30°-75°。可以理解的是,流道的延伸方向与竖直方向之间的夹角与斜板的倾斜角α保持一致。优选地,倾斜角α为60°。通过选择合适的倾斜角角度,能够使得斜板斜管单元802的流道中的通过介质维持较小的雷诺数。流体的雷诺数越小,流体流动越稳定。具体地,渣浆通过斜板斜管单元802的流道时,渣浆流体的雷诺数小于1000。此时,渣浆的流体形成层流。当渣浆流体处于层流状态时,渣浆流体的流动平缓且稳定。因此,渣浆中的硅粉更容易沉降至倾斜的流道壁,并沿着倾斜的流道壁聚集沉降,落到沉降罐1底部。
在另外一些实施例中,如图7b所示,斜板斜管单元802还可以由多个平行设置的的斜管拼接形成,斜管的横截面呈六边形,相邻的斜管固定连接。斜管可以由塑料制成,例如:聚氯乙烯等。当斜管由塑料制成时,相邻的斜管之间通过胶水粘接。斜管还可以由金属材料制成,例如:不锈钢等。当斜管由金属材料制成时,相邻的斜管之间通过焊接的方式固定连接。具体地,每个斜管中均形成一条倾斜的流道,流道的横截面呈六边形。多个斜管连接成一体后,工作人员再将斜管单元整体修整成为适配于沉降罐1的内壁形状的圆柱形,以便于将斜板斜管单元802放入沉降罐1中。斜管的倾斜角α的取值范围为30°-75°。优选地,倾斜角α为60°。
请参阅图3和图4,当多晶硅渣浆直接从进料法兰口2流入沉降罐1中,渣浆液流会搅动沉降罐1内的液体,甚至引起紊流,影响沉降机构8的过滤效果。为了避免进料时,多晶硅渣浆的液流引起紊流,本多晶硅渣浆沉降装置还包括进料缓冲机构7。进料缓冲机构7安装于沉降罐1的内壁上。进料缓冲机构7包括底板701、侧挡板702和顶板703。底板701和顶板703水平设置并分别与沉降罐1的内壁固定连接,侧挡板702竖直设置,其上下两端分别与底板701和顶板703固定连接。侧挡板702正对进料法兰口2,用于阻挡并减缓从进料法兰口2流入的渣浆的流速。底板701、侧挡板702、顶板703以及沉降罐1的内壁围合,以形成缓冲通道,缓冲通道的两侧具有出口,经过缓冲后的渣浆通过缓冲通道的两个出口流入沉降罐1内。通过设置进料缓冲机构7,能够有效地避免进料的渣浆液流的流速过大而引起紊流。
进一步地,在进料缓冲机构7的底板701上开设有第一排液孔704。第一排液孔704的数量不超过3个,并且第一排液孔704的直径不小于10mm。第一排液孔704能够保证在设备检维修,需要排干沉降罐1内的液体时,缓冲通道中不会残余和聚集渣浆液体。
请继续参阅图2,当渣浆从沉降罐1左侧底部的进料法兰口2进入时,清液会从右侧上部的出清液法兰口4流出,在没有人为干涉的情况下,液体会以最小压降路线或最短路径路线直接从进料法兰口2流到出清液法兰口4,导致罐内出现流体短路。当出现流体短路时,部分斜板斜管单元802的流道无渣浆流体通过,而流体均从少数几个流道通过,进而导致少数的几个流道中渣浆流体的流速变大,雷诺数上升,流道内形成紊流,硅粉等物料无法得到有效的分离。为了避免罐内的渣浆流体短路,本多晶硅渣浆沉降装置还包括清液溢流机构9,清液溢流机构9安装于沉降罐1的内壁,并位于沉降机构8的上方。
具体地,如图8和图9所示,清液溢流机构9包括安装环901,安装环901沿水平方向延伸,安装环901的外侧固定于沉降罐1的内壁,安装环901的内侧固定有溢流堰902。溢流堰902呈环形并向上延伸,且溢流堰902与出清液法兰口4处于同一高度。溢流堰902能够避免流体直接从进料法兰口2流至出清液法兰口4,以避免罐内流体出现短路现象。
进一步地,溢流堰902的上端开设有若干缺口,若干缺口沿溢流堰902的周向排列布置,缺口用于供清液均匀流出。溢流堰902与安装环901密封安装,以使溢流堰902、安装环901和沉降罐1的内壁围合成清液流道,用于供清液流动至出清液法兰口4,并从出清液法兰口4流出。经过沉降机构8沉淀过滤后的清液流体从溢流堰902上端的缺口溢流至清液流道,然后,清液沿着清液流道流动至从出清液法兰口4流出。
具体地,该缺口呈三角形。当然,可以理解的是,该缺口还可以呈半圆形等。
更进一步地,在清液溢流机构9的安装环901上开设有若干第二排液孔903。若干第二排液孔903沿安装环901的环向均匀设置,第二排液孔903的数量不少于4个,而且第二排液孔903的直径不小于10mm。第二排液孔903可保证在设备检维修,并需要排干沉降罐1内的液体时,清液流道中不会聚集液体。
请继续参阅图2,本多晶硅渣浆沉降装置还包括搅拌机构6,用于搅动沉积在沉降罐1底部的硅粉,避免硅粉结块。具体地,搅拌机构6包括动力单元601、传动轴602和桨叶603。动力单元601设于沉降罐1的外部,其通过传动轴602连接于桨叶603,以带动桨叶603转动。桨叶603位于沉降罐1内并处于底部,用于缓慢转动以打散结块的硅粉,以便于硅粉通过出料法兰口3。
进一步地,在沉降罐1的顶部还开设有出气法兰口5,用于供多晶硅渣浆沉降时产生的气体排出。
实施例2
请参阅图1和图2,本发明还公开一种回收系统,用于回收多晶硅渣浆中的氯硅烷、高沸物和硅粉,包括精馏装置、分离罐和干燥机,还包括实施例1中的多晶硅渣浆沉降装置。
其中,精馏装置与多晶硅渣浆沉降装置的进料法兰口2连通,用于向多晶硅渣浆沉降装置输送多晶硅渣浆。分离罐与出清液法兰口4连通,用于接收多晶硅渣浆沉降装置中的清液,并分离出清液中的氯硅烷和高沸物,以进行氯硅烷和高沸物的回收。干燥机与出料法兰口3连通,用于接收多晶硅渣浆沉降装置中沉降分离的硅粉,并对硅粉进行干燥处理,以回收干燥硅粉。
因此,本回收系统能够有效地分离多晶硅渣浆中的硅粉和清液,然后,再回收干燥硅粉、氯硅烷和高沸物。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种多晶硅渣浆沉降装置,其特征在于,包括:沉降罐(1)和沉降机构(8),
所述沉降罐(1)开设有进料法兰口(2)、出料法兰口(3)和出清液法兰口(4),所述进料法兰口(2)位于所述沉降罐(1)的侧壁上,用于供渣浆进料,
所述出料法兰口(3)位于所述沉降罐(1)的罐底上,用于供沉降分离的硅粉出料,
所述出清液法兰口(4)位于所述沉降罐(1)的侧壁上,且其位置高于所述进料法兰口(2),用于供分离硅粉后的清液流出,
所述沉降机构(8)设置于所述沉降罐(1)内部,并位于进料法兰口(2)和出清液法兰口(4)之间,所述沉降机构(8)具有多条上下贯通的流道,所述流道倾斜设置,用于供渣浆流通并将渣浆的液流分隔为多个薄层,使每个渣浆薄层中的硅粉沿着倾斜的流道壁聚集沉降,并落到沉降罐(1)底部,以分离出硅粉;
所述流道设定为其中通过的渣浆流体的雷诺数小于1000;
本装置还包括进料缓冲机构(7),所述进料缓冲机构(7)安装于所述沉降罐(1)的内壁上,所述进料缓冲机构(7)包括底板(701)、侧挡板(702)和顶板(703),所述底板(701)和所述顶板(703)水平设置并分别与所述沉降罐(1)的内壁固定连接,所述侧挡板(702)竖直设置,其上下两端分别与所述底板(701)和所述顶板(703)固定连接,所述侧挡板(702)正对所述进料法兰口(2),用于阻挡并减缓从进料法兰口(2)流入的渣浆的流速,所述底板(701)、侧挡板(702)、顶板(703)以及所述沉降罐(1)的内壁围合,以形成缓冲通道,所述缓冲通道的两侧具有出口,用于供经过缓冲后的渣浆流入沉降罐(1)内;
本装置还包括清液溢流机构(9),所述清液溢流机构(9)安装于所述沉降罐(1)的内壁,并位于所述沉降机构(8)的上方,所述清液溢流机构(9)包括安装环(901),所述安装环(901)沿水平方向延伸,所述安装环(901)的外侧固定于所述沉降罐(1)的内壁,所述安装环(901)的内侧固定有溢流堰(902),所述溢流堰(902)呈环形并向上延伸,且所述溢流堰(902)与所述出清液法兰口(4)处于同一高度,所述溢流堰(902)与所述安装环(901)密封安装,以使溢流堰(902)、安装环(901)和沉降罐(1)的内壁围合成清液流道,用于供清液流动至出清液法兰口(4),并从出清液法兰口(4)流出;
所述溢流堰(902)的上端开设有若干缺口,若干所述缺口沿所述溢流堰(902)的周向排列布置,所述缺口用于供清液均匀流出至清液流道。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述沉降机构(8)包括支撑件(801)和斜板斜管单元(802),
所述支撑件(801)安装于所述沉降罐(1)内,形状呈栅格状,
斜板斜管单元(802)放置于所述支撑件(801)上,包括多个平行设置的斜板/斜管,相邻的斜板/斜管固定连接,以分隔出多条所述流道,用于供渣浆流通。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述斜板/斜管的倾斜角α为斜板或斜管的延伸方向与竖直方向之间的夹角,所述倾斜角α的取值范围为30°-75°。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述底板(701)上开设有第一排液孔(704)。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述安装环(901)上开设有若干第二排液孔(903),若干所述第二排液孔(903)沿所述安装环(901)的环向均匀设置。
6.根据权利要求1-5任一项所述的装置,其特征在于,还包括搅拌机构(6),用于打散结块的硅粉,
所述搅拌机构(6)包括动力单元(601)、传动轴(602)和桨叶(603),
所述桨叶(603)位于所述沉降罐(1)内并处于底部,
所述动力单元(601)设于所述沉降罐的外部,其通过传动轴(602)连接于所述桨叶(603),以带动所述桨叶(603)转动。
7.一种回收系统,用于回收多晶硅渣浆中的氯硅烷、高沸物和硅粉,包括精馏装置、分离罐和干燥机,其特征在于,还包括权利要求1-6任一项所述的多晶硅渣浆沉降装置,
所述精馏装置与所述多晶硅渣浆沉降装置的进料法兰口(2)连通,用于向所述多晶硅渣浆沉降装置输送多晶硅渣浆,
所述分离罐与所述出清液法兰口(4)连通,用于接收多晶硅渣浆沉降装置中的所述清液,并分离出所述清液中的氯硅烷和高沸物,以对氯硅烷和高沸物进行回收,
所述干燥机与所述出料法兰口(3)连通,用于接收多晶硅渣浆沉降装置中沉降分离的硅粉,并对所述硅粉进行干燥处理,以回收干燥硅粉。
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