CN115327865A - 一种加工透明衬底的光刻工艺 - Google Patents

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CN115327865A CN202211119620.8A CN202211119620A CN115327865A CN 115327865 A CN115327865 A CN 115327865A CN 202211119620 A CN202211119620 A CN 202211119620A CN 115327865 A CN115327865 A CN 115327865A
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Abstract

本发明提供了一种加工透明衬底的光刻工艺，包括：在透明衬底的正面镀设环状结构的增反膜，所述增反膜的宽度大于或等于光刻机探测器的探测精度；所述增反膜被配置为能够反射所述工作波段的光线；基于光刻机对所述透明衬底的正面有效区域进行光刻加工，所述正面有效区域为所述透明衬底的正面中除所述增反膜之外的区域。通过本发明实施例提供的加工透明衬底的光刻工艺，在透明衬底的正面镀设环状结构的增反膜，该增反膜能够反射光刻机工作波段的光线，使得设有增反膜的透明衬底被放入光刻机后，能够被光刻机探测器识别到，进而能够实现对透明衬底进行光刻加工；工艺简单，且透明衬底背面没有其它金属膜，不会污染光刻机。

Description

一种加工透明衬底的光刻工艺
技术领域
本发明涉及光刻工艺技术领域，具体而言，涉及一种加工透明衬底的光刻工艺。
背景技术
在利用光刻机生产制造高精度产品(如芯片、超透镜等)时，需要光刻机的探测器(如光学传感器)能够探测到衬底(也可称为晶圆)。但大部分衬底是透明的，光刻机的探测器不能识别出衬底。例如，近红外及可见光波段的超透镜大多数选用石英基衬底，而DUV(Deep Ultraviolet Lithography，深紫外曝光)光刻机对石英基衬底无法识别(因为石英基衬底对光刻机探测器的工作波段透明)，从而会导致曝光失败。
目前一般采用以下两种技术方案避免无法识别衬底的问题。
方案①：通过在衬底和外延工艺中调整平坦度、翘曲度、导角等参数，与光刻机匹配。
方案②：采用背面蒸镀金属的办法实现光学传感器的识别能力。
发明人发现上述方案至少存在以下问题：
对于方案①：需要反复验证适用于特定型号光刻机的平坦度、翘曲度、导角，需要投入大量的时间、人力和物力，开发周期较长，不能解决眼前的问题，严重影响加工的制造日程，开发成本太高。
对于方案②：背面金属衬底进入机台可能在设备托盘上产生金属粒子残留，从而转移到其他产品上，进而影响整个产品的设备线，导致金属离子容易污染半导体生产线，因此绝大多数量产线禁止直接使用背面金属的衬底进入。
发明内容
为解决上述问题，本发明实施例的目的在于提供一种加工透明衬底的光刻工艺。
本发明实施例提供了一种加工透明衬底的光刻工艺，包括：
在透明衬底的正面镀设环状结构的增反膜，所述增反膜的宽度大于或等于光刻机探测器的探测精度；所述透明衬底指的是选用的衬底在所述光刻机探测器的工作波段透明，所述增反膜被配置为能够反射所述光刻机探测器的工作波段的光线；
基于光刻机对所述透明衬底的正面有效区域进行光刻加工，所述正面有效区域为所述透明衬底的正面中除所述增反膜之外的区域。
在一种可能的实现方式中，所述增反膜位于所述透明衬底的边缘位置，所述正面有效区域为所述透明衬底的正面中被所述增反膜包围的区域。
在一种可能的实现方式中，所述增反膜的边缘与所述透明衬底的边缘对齐。
在一种可能的实现方式中，所述增反膜为连续的环状结构；或者，
所述增反膜为具有缺口的环状结构，所述缺口的周向长度小于所述光刻机探测器的探测范围。
在一种可能的实现方式中，所述在透明衬底的正面镀设环状结构的增反膜，包括：
在所述透明衬底的正面镀设增反膜层；
在所述增反膜层表面涂覆光刻胶；
对所述光刻胶进行曝光，曝光出环状结构的光刻胶；
对所述增反膜层进行刻蚀；
去除所述环状结构的光刻胶。
在一种可能的实现方式中，所述在透明衬底的正面镀设环状结构的增反膜，包括：
在所述透明衬底的正面设置掩膜版，所述透明衬底的正面中未被所述掩膜版覆盖的区域为环状；
在设有所述掩膜版的所述透明衬底的正面镀设增反膜层；
去除所述掩膜版。
在一种可能的实现方式中，所述掩膜版为封闭形状；所述掩膜版的尺寸小于所述透明衬底的尺寸，且所述掩膜版的边缘与所述透明衬底的边缘之间的间距大于或等于所述光刻机探测器的探测精度；
或者，所述掩膜版具有环状空缺；所述环状空缺的外边缘的尺寸小于或等于所述透明衬底的边缘的尺寸，且所述环状空缺的宽度大于或等于所述光刻机探测器的探测精度。
在一种可能的实现方式中，在所述基于光刻机对所述透明衬底的正面有效区域进行光刻加工之后，该光刻工艺还包括：
去除所述增反膜。
在一种可能的实现方式中，所述增反膜的厚度大于50nm；
所述增反膜的宽度w满足：1mm<w<5mm。
在一种可能的实现方式中，所述增反膜为金属材质或反射膜系。
在一种可能的实现方式中，所述金属包括：铝、钛、金、铜、铬中的至少一种。
在一种可能的实现方式中，所述透明衬底为石英基衬底。
本发明实施例提供的方案中，在透明衬底的正面镀设环状结构的增反膜，该增反膜能够反射光刻机探测器工作波段的光线，使得设有增反膜的透明衬底被放入光刻机后，能够被光刻机探测器识别到，进而能够实现对透明衬底进行光刻加工。在透明衬底的正面镀设增反膜，工艺简单，成本低且易实现，可以方便地实现对透明衬底的识别。该增反膜为环状结构，其只占用透明衬底的少部分区域，基本不影响光刻机对透明衬底进行加工；并且，增反膜位于透明衬底的正面，其不会污染光刻机，例如，金属材质的增反膜也不存在金属离子污染的问题。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本发明实施例所提供的加工透明衬底的光刻工艺的一种流程图；
图2示出了本发明实施例所提供的具有增反膜的透明衬底的轴测示意图；
图3示出了本发明实施例所提供的具有增反膜的透明衬底的俯视示意图及侧视截面示意图；
图4示出了本发明实施例所提供的另一种具有增反膜的透明衬底的俯视示意图；
图5示出了本发明实施例所提供的再一种具有增反膜的透明衬底的俯视示意图；
图6示出了本发明实施例所提供的在透明衬底镀设增反膜的一种流程示意图；
图7示出了本发明实施例所提供的在透明衬底镀设增反膜的另一种流程示意图；
图8示出了本发明实施例所提供的掩膜版的一种结构示意图；
图9A示出了本发明实施例所提供的光刻工艺中，在光刻加工后的结构示意图；
图9B示出了本发明实施例所提供的光刻工艺中，在去除增反膜后的结构示意图。
图标：
10-透明衬底、20-增反膜、21-缺口、200-增反膜层、300-光刻胶、30-环状结构的光刻胶、400-掩膜版、401-环状空缺、500-超透镜。
具体实施方式
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本发明实施例提供一种加工透明衬底的光刻工艺，可以实现在透明衬底上进行光刻。参见图1所示，该光刻工艺包括：
步骤S101：在透明衬底的正面镀设环状结构的增反膜，该增反膜的宽度大于或等于光刻机探测器的探测精度；透明衬底指的是选用的衬底在光刻机探测器的工作波段透明，增反膜被配置为能够反射光刻机探测器的工作波段的光线。
本发明实施例中，参见图2和图3所示，图2示出了透明衬底镀设增反膜后的轴测示意图；图3示出了透明衬底镀设增反膜后的俯视图以及A-A剖视图，图3中，上半部分表示俯视图，下半部分表示A-A剖视图。
其中，透明衬底10为光刻工艺中所选用的衬底，且该透明衬底10在光刻机探测器的工作波段透明，即，该透明衬底10对该工作波段的光线的透过率较高，例如该透过率大于某个阈值(例如，该阈值可以为80％、90％、95％等)；其中，光刻机探测器一般工作在红外波段，相应地，该工作波段可以为红外波段。一般情况下，光刻工艺中会选用石英材料的衬底，即该透明衬底10可以为石英基衬底，该石英基衬底一般在光刻机探测器的工作波段是透明的，并且，石英基衬底对可见光、紫外光等也是透明的。
本发明实施例中，在该透明衬底10的一面镀设环状结构的增反膜20，且该透明衬底10镀设有该增反膜20的一面为后续光刻机会对其进行光刻加工的一面；本实施例中，将透明衬底10镀设有该增反膜20的一面称为该透明衬底10的正面，该“正面”即为需要被光刻加工的一面。例如，该透明衬底10的正面为光刻机在加工该透明衬底10时，朝向光刻机紫外光源的一面。
该增反膜20为环状结构；本发明实施例中，“环状结构”指的是中部中空的框架结构，例如，该环状结构具体可以为圆环状结构，也可以为方环状结构，本实施例对此不做限定；由于用于光刻机的透明衬底10一般为圆形，图2、图3等以该环状结构为圆环状结构为例示出。并且，该增反膜20的宽度大于或等于光刻机探测器的探测精度。其中，增反膜20的宽度指的是该增反膜20在径向上的宽度；如图3所示，该增反膜20的宽度可用图3中的w表示。为保证该增反膜20能够被光刻机的探测器(如光学传感器)探测到，需要保证该增反膜20的宽度w不小于该探测器的探测精度；可选地，该增反膜20的宽度大于或等于光刻机探测器的探测精度的2倍。例如，该探测器的探测精度为±0.1mm，则该增反膜20的宽度w可以不小于0.1mm，或者不小于0.2mm。
本发明实施例中，与透明衬底10不同的是，该增反膜20对光刻机探测器的工作波段的光线不透明，其能够反射该工作波段的光线，从而可以将入射至该增反膜20的光线反射至光刻机探测器，使得光刻机探测器能够探测到该增反膜20。
可选地，该增反膜20采用金属材质。例如，该金属包括：铝、钛、金、铜、铬中的至少一种。或者，该增反膜20也可以采用反射膜系，例如，以多层有机膜或无机膜形成能够反射该工作波段光线的反射膜系。其中，金属材质工艺更简单，可以优先采用金属材质的增反膜20。
本发明实施例中，以金属材质制作该增反膜20，可以方便地在该透明衬底10上镀设增反膜20，例如，可以以蒸镀金属的方式在透明衬底10的正面蒸镀环状结构的增反膜20；并且，由于该增反膜20位于透明衬底10的正面，即使将具有金属材质增反膜20的透明衬底10放入至光刻机中，位于正面的金属材质的增反膜20也不会接触到光刻机的托盘，可以避免金属离子污染。
步骤S102：基于光刻机对透明衬底的正面有效区域进行光刻加工，该正面有效区域为透明衬底的正面中除增反膜之外的区域。
本发明实施例中，在上述步骤S101之后，可以将设有增反膜20的透明衬底10放入光刻机中，通过识别该增反膜20实现对透明衬底10的识别。具体地，由于该增反膜20能够反射工作波段的光线，从而可以将光线反射至光刻机探测器，使得探测器能够探测到该增反膜20，进而能够间接识别出透明衬底10的存在。由于透明衬底10正面存在增反膜20，该增反膜20对应的区域不能被光刻机加工，即光刻机所能够光刻加工的区域为透明衬底10的正面中除增反膜20之外的区域，为方便描述，本实施例将透明衬底10的正面中除增反膜20之外的区域称为“正面有效区域”，即光刻机可以对该正面有效区域进行光刻加工，例如，在该正面有效区域加工制作芯片、超透镜等。
其中，为了尽量避免增反膜20占用较多的区域，该增反膜20的宽度不宜过大。例如，该增反膜20的宽度w满足：1mm<w<5mm。此外，为保证增反膜20的反射效果，该增反膜20的厚度不宜过小，例如，该增反膜20的厚度大于50nm；可选地，该增反膜20的厚度大于100nm。其中，该增反膜20的厚度指的是增反膜20在轴向上的厚度，具体可参见图3所示，图3中的d即表示增反膜20的厚度。
本发明实施例提供的加工透明衬底的光刻工艺，在透明衬底10的正面镀设环状结构的增反膜20，该增反膜20能够反射光刻机探测器工作波段的光线，使得设有增反膜20的透明衬底10被放入光刻机后，能够被光刻机探测器识别到，进而能够实现对透明衬底10进行光刻加工。在透明衬底10的正面镀设增反膜20，工艺简单，成本低且易实现，可以方便地实现对透明衬底10的识别。该增反膜20为环状结构，其只占用透明衬底10的少部分区域，基本不影响光刻机对透明衬底10进行加工；并且，增反膜20位于透明衬底10的正面，其不会污染光刻机，例如，金属材质的增反膜20也不存在金属离子污染的问题。
可选地，如图2和图3所示，该增反膜20位于透明衬底10的边缘位置，该正面有效区域具体为透明衬底10的正面中被增反膜20包围的区域。
本发明实施例中，可以将增反膜20设置在透明衬底10的边缘位置，即增反膜20与透明衬底10的边缘之间的间距小于一定的阈值(例如3mm、1mm、0.5mm等)，使得该透明衬底10正面的大部分区域被增反膜20包围，此时可以将透明衬底10的正面中被增反膜20包围的连通区域作为正面有效区域，光刻机只需要对该连通区域进行光刻加工即可，可以进一步降低增反膜20对光刻加工过程的影响。
进一步可选地，参见图4所示，该增反膜20的边缘与透明衬底10的边缘对齐，即增反膜20位于该透明衬底10的最外围；以图4所示为例，若圆形的透明衬底10的半径为R，则该增反膜20的外环半径也为R，相应地，其内环半径为R-w。通过将增反膜20设置于该透明衬底10的最外围，可以最大程度减少该透明衬底10正面的无效区域，能够提高透明衬底10的利用率。
可选地，参见图2至图4所示，该增反膜20为连续的环状结构，即该增反膜20不存在间断的部位，其是连续的整体环状结构。
或者，参见图5所示，该增反膜20为具有缺口21的环状结构，缺口21的周向长度小于光刻机探测器的探测范围。本发明实施例中，可以允许该环状结构存在缺口21；如图5所示，该增反膜20具有一个缺口21，其类似于卡环结构。其中，该缺口21不能过大，以避免出现探测器探测不到的问题。具体地，该缺口21的周向长度小于光刻机探测器的探测范围。其中，该缺口21的周向长度指的是在周向方向上的长度，或者说，该缺口21的周向长度为在该缺口21处两侧增反膜20之间的间距；如图5所示，该缺口21的周向长度为a。本发明实施例中，探测器的探测范围指的是该探测器能够探测到的范围，其与探测精度不同，一般情况下，探测范围大于探测精度。该缺口21的周向长度小于光刻机探测器的探测范围，使得探测器在探测至该缺口21所在位置时，也可以识别出该缺口21至少一侧的增反膜20，即探测器仍然可以识别到增反膜20。
可选地，可以利用光刻工艺在该透明衬底10上镀设增反膜20。具体地，参见图6所示，上述步骤S101“在透明衬底的正面镀设环状结构的增反膜”包括：
步骤S601：准备透明衬底10。
步骤S602：在透明衬底10的正面镀设增反膜层200。
如图6所示，该透明衬底10朝上的一面为正面，该增反膜层200可以为金属材质，可以采用蒸镀的方式在透明衬底10的正面镀设一层增反膜层200，该增反膜层200为层状结构。
步骤S603：在增反膜层200表面涂覆光刻胶300。
其中，可以采用旋涂的方式在增反膜层200远离该透明衬底10的一侧涂覆一层光刻胶300；如图6所示，该光刻胶300为层状结构。
步骤S604：对光刻胶300进行曝光，曝光出环状结构的光刻胶30。
本发明实施例中，由于存在增反膜层200，故光刻机可以识别到该透明衬底10，进而能够对光刻胶300进行曝光；并且，该增反膜层200位于透明衬底10的正面，其也不会污染光刻机。通过对层状结构的光刻胶300按需曝光后，即可得到所需的环状结构的光刻胶30。图6示出的结构是与透明衬底10中轴线共面的截面图，其只示出了光刻胶30的两部分截面。
步骤S605：对增反膜层200进行刻蚀。
例如，可以利用刻蚀气体对增反膜层200进行刻蚀，得到与环状结构的光刻胶30相匹配的增反膜20，该增反膜20也为环状结构。
步骤S606：去除环状结构的光刻胶30。
本发明实施例中，在去除环状结构的光刻胶30后，即可得到在透明衬底10的正面设有增反膜20的结构，且该增反膜20为环状结构。
或者，可选地，也可采用掩膜版工艺制作出环状结构的增反膜20。参见图7所示，上述步骤S101“在透明衬底10的正面镀设环状结构的增反膜20”包括：
步骤S701：选取掩膜版400。
本发明实施例中，掩膜版400用于遮挡透明衬底10中不需要镀设增反膜20的区域。
其中，该掩膜版400可以为封闭形状，即该掩膜版400所对应的区域为单连通区域；如图7所示，该掩膜版400为圆形形状；图7每一步骤所对应的结构中，上半部分表示俯视图，下半部分表示侧视的截面图。本发明实施例中，若该掩膜版400为封闭形状，则可以实现在透明衬底10的最外围设置增透膜30(如图4所示)，在这种情况下，该掩膜版400的尺寸需要小于透明衬底10的尺寸，使得透明衬底10可以完全覆盖该掩膜版400，或者说，该掩膜版400不会覆盖透明衬底10的边缘；并且，该掩膜版400的边缘与透明衬底10的边缘之间的间距大于或等于光刻机探测器的探测精度，以使得该掩膜版400所不能覆盖的透明衬底10的边缘区域足够宽，从而可以形成足够宽的增反膜20。其中，该掩膜版400的边缘与透明衬底10的边缘之间的间距即对应增反膜20的宽度w。
或者，可选地，参见图8所示，该掩膜版400具有环状空缺401；该环状空缺401的外边缘的尺寸小于或等于透明衬底10的边缘的尺寸，且环状空缺401的宽度大于或等于光刻机探测器的探测精度。具体地，本发明实施例中，该环状空缺401的形状与增反膜20的形状相一致，该环状空缺401的宽度即为增反膜20的宽度w；并且，该环状空缺401的外边缘的尺寸小于或等于透明衬底10的边缘的尺寸，以使得该透明衬底10能够完全覆盖该环状空缺401。例如，以图8所示形状为例，图8上半部分为具有环状空缺401的掩膜版400，下半部分为透明衬底10；若透明衬底10的半径为R，环状空缺401为圆环状，其内边缘的半径(即内环半径)为r1、外边缘的半径(即外环半径)为r2，则r2≤R，且r2-r1＝w。
需要说明的是，若该环状空缺401的外边缘的尺寸(如图8中的外环半径r2)大于该透明衬底10的边缘的尺寸(如图8中的半径R)，则在镀设增透膜的过程中，该环状空缺401外侧的掩膜版(如图8中环状部分对应的掩膜版)可以不起作用，其本质上仍然是利用封闭形状的掩膜版(如图8中圆形部分对应的掩膜版)实现镀设增反膜20。
步骤S702：在透明衬底10的正面设置掩膜版400，透明衬底10的正面中未被掩膜版400覆盖的区域为环状。
本发明实施例中，通过选取形状合适的掩膜版400，在将该掩膜版400设置在透明衬底10的正面时，透明衬底10正面的部分区域可以不被掩膜版400覆盖，且未被掩膜版400覆盖的区域为环状。如图7所示，可以选取比透明衬底10尺寸更小的掩膜版400，且二者同轴设置，此时，该透明衬底10最外围的区域未被该掩膜版400覆盖，且该区域的形状为环状。
步骤S703：在设有掩膜版400的透明衬底10的正面镀设增反膜层200。
本发明实施例中，与上述步骤S602相似，可以采用蒸镀等方式在透明衬底10的正面镀设增反膜层200。如图7所示，由于透明衬底10的正面已经设置了掩膜版400，故镀设的增反膜层200并不在同一平面，部分增反膜层200在该掩膜版400的表面，另一部分增反膜层200在该透明衬底10的正面，且位于透明衬底10正面的增反膜层200为环状结构。
步骤S704：去除掩膜版400。
在镀设增反膜层200后，即可去除该掩膜版400，并且能够同步去除掩膜版400表面的增反膜层200，最终只在透明衬底10的正面留有部分增反膜层200，且该增反膜层200为环状结构，本发明实施例将该环状结构的增反膜层200作为所需的增反膜20，从而实现在透明衬底10的正面镀设环状结构增反膜20的效果。图7以掩膜版400为单连通区域的封闭形状为例示出，对于具有环状空缺401的掩膜版400，其工艺流程与此相似，此处不做赘述。
可选地，在上述步骤S102之后，即可得到在该透明衬底10正面加工制作出的产品，例如芯片、超透镜等；其中，可以在不去除增反膜20的情况下，最终制作得到所需的产品。或者，在上述步骤S102之后，也可以进一步包括：去除增反膜20的步骤。
本发明实施例中，由于透明衬底10正面可能加工有多个产品，在去除增反膜20后，方便切割出所需的产品。以生产制作超透镜为例，如图9A所示，图9A示出了在光刻加工后所得到的结构示意图，通过光刻机在该透明衬底10正面制作有多个超透镜500，之后，在未去除增反膜20的情况下，可以直接切割出每个超透镜500；或者，为避免增反膜20的影响，也可以去除该增反膜20，图9B为去除增反膜20后的结构示意图，该结构主要包含透明衬底10和位于正面的超透镜500，能够与更多的切割工艺兼容。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换的技术方案，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种加工透明衬底的光刻工艺，其特征在于，包括：
在透明衬底的正面镀设环状结构的增反膜，所述增反膜的宽度大于或等于光刻机探测器的探测精度；所述透明衬底指的是选用的衬底在所述光刻机探测器的工作波段透明，所述增反膜被配置为能够反射所述光刻机探测器的工作波段的光线；
基于光刻机对所述透明衬底的正面有效区域进行光刻加工，所述正面有效区域为所述透明衬底的正面中除所述增反膜之外的区域。
2.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于，所述增反膜位于所述透明衬底的边缘位置，所述正面有效区域为所述透明衬底的正面中被所述增反膜包围的区域。
3.根据权利要求2所述的光刻工艺，其特征在于，所述增反膜的边缘与所述透明衬底的边缘对齐。
4.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于，
所述增反膜为连续的环状结构；或者，
所述增反膜为具有缺口的环状结构，所述缺口的周向长度小于所述光刻机探测器的探测范围。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的光刻工艺，其特征在于，所述在透明衬底的正面镀设环状结构的增反膜，包括：
在所述透明衬底的正面镀设增反膜层；
在所述增反膜层表面涂覆光刻胶；
对所述光刻胶进行曝光，曝光出环状结构的光刻胶；
对所述增反膜层进行刻蚀；
去除所述环状结构的光刻胶。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的光刻工艺，其特征在于，所述在透明衬底的正面镀设环状结构的增反膜，包括：
在所述透明衬底的正面设置掩膜版，所述透明衬底的正面中未被所述掩膜版覆盖的区域为环状；
在设有所述掩膜版的所述透明衬底的正面镀设增反膜层；
去除所述掩膜版。
7.根据权利要求6所述的光刻工艺，其特征在于，
所述掩膜版为封闭形状；所述掩膜版的尺寸小于所述透明衬底的尺寸，且所述掩膜版的边缘与所述透明衬底的边缘之间的间距大于或等于所述光刻机探测器的探测精度；
或者，所述掩膜版具有环状空缺；所述环状空缺的外边缘的尺寸小于或等于所述透明衬底的边缘的尺寸，且所述环状空缺的宽度大于或等于所述光刻机探测器的探测精度。
8.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于，在所述基于光刻机对所述透明衬底的正面有效区域进行光刻加工之后，还包括：
去除所述增反膜。
9.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于，
所述增反膜的厚度大于50nm；
所述增反膜的宽度w满足：1mm<w<5mm。
10.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于，所述增反膜为金属材质或反射膜系。
11.根据权利要求10所述的光刻工艺，其特征在于，所述金属包括：铝、钛、金、铜、铬中的至少一种。
12.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于，所述透明衬底为石英基衬底。
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US11988844B2 (en) 2017-08-31 2024-05-21 Metalenz, Inc. Transmissive metasurface lens integration

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11988844B2 (en) 2017-08-31 2024-05-21 Metalenz, Inc. Transmissive metasurface lens integration
US11978752B2 (en) 2019-07-26 2024-05-07 Metalenz, Inc. Aperture-metasurface and hybrid refractive-metasurface imaging systems
US11927769B2 (en) 2022-03-31 2024-03-12 Metalenz, Inc. Polarization sorting metasurface microlens array device

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