CN115296628B - 一种集成微波功率源 - Google Patents

一种集成微波功率源 Download PDF

Info

Publication number
CN115296628B
CN115296628B CN202211230824.9A CN202211230824A CN115296628B CN 115296628 B CN115296628 B CN 115296628B CN 202211230824 A CN202211230824 A CN 202211230824A CN 115296628 B CN115296628 B CN 115296628B
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal
phase
frequency
output
matching network
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202211230824.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115296628A (zh
Inventor
孙义
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangzhou Lianxing Technology Co ltd
Original Assignee
Guangzhou Lianxing Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangzhou Lianxing Technology Co ltd filed Critical Guangzhou Lianxing Technology Co ltd
Priority to CN202211230824.9A priority Critical patent/CN115296628B/zh
Publication of CN115296628A publication Critical patent/CN115296628A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115296628B publication Critical patent/CN115296628B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/213—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08—Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08—Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • H03L7/093—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal using special filtering or amplification characteristics in the loop
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08—Details of the phase-locked loop
    • H03L7/099—Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/16—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/18—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using a frequency divider or counter in the loop
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种集成微波功率源，属于功率源技术领域，包括依次连接的硅基高功率信号源、功率放大器和输出匹配网络；硅基高功率信号源用于接收频率控制信号，并输出微波振荡信号，控制微波振荡信号的输出频率；功率放大器用于对微波振荡信号进行放大，并传输至输出匹配网络；输出匹配网络用于输出放大后的微波振荡信号。本发明提出了一种采用专用集成芯片的高效率、低成本且高集成度的微波功率源，硅基高功率信号源和氮化镓功率放大器均采用塑封集成为独立器件，省略了中间推动级器件，大大降低成本，提高了集成度，减小了链路体积。

Description

一种集成微波功率源
技术领域
本发明属于功率源技术领域，具体涉及一种集成微波功率源。
背景技术
微波能量源越来越多的应用于消费类或者医药类电子产品中，利用微波良好的透射能力可以实现快速且均匀的加热。便携式设备是一种典型的应用场景，该应用的频段一般是以2.45GHz为中心无需许可证的ISM频段，输出功率一般为12～25W（41～44dBm）量级。消费类应用由于用量巨大，对微波能量源提出了低成本要求；便携式实用场景要求微波能量源体积更小且集成度更高；由于采用电池供电，同时由于体积受限，散热条件差，要求能量源的耗散功率尽可能小，效率尽可能高。现有“信号源+Gain Block+末级PA”的级联链路，首先整体效率比较低，用目前商用器件只能实现70～73%的效率；其次三个部分采用3个独立的通用集成电路器件，则物料成本高，体积大，生产成本也高；而如果进行芯片化集成，则涉及到Si、GaAs/InGaP和GaN三种半导体材料的工艺，集成难度大，成本高。
发明内容
本发明为了解决以上问题，提出了一种集成微波功率源。
本发明的技术方案是：一种集成微波功率源包括依次连接的硅基高功率信号源、功率放大器和输出匹配网络；
硅基高功率信号源用于接收频率控制信号，并输出微波振荡信号，控制微波振荡信号的输出频率和功率；
功率放大器用于对微波振荡信号进行放大，并传输至输出匹配网络；
输出匹配网络用于输出放大后的微波振荡信号；
硅基高功率信号源包括参考晶振、锁相环、压控振荡器、二分配器和硅基功率放大器；
参考晶振的两端均与锁相环连接；锁相环的第一输入端作为硅基高功率信号源的频率控制输入端，其第二输入端和二分配器的第一输出端连接，其输出端和压控振荡器的输入端连接；压控振荡器的输出端和二分配器的输入端连接；二分配器的第二输出端和硅基功率放大器的输入端连接；硅基功率放大器的输出端作为硅基高功率信号源的输出端；
参考晶振用于将参考信号输入至锁相环；锁相环用于对频率控制信号和参考信号进行处理，输出电压信号；压控振荡器用于根据电压信号的不同电压产生对应的振荡频率，输出锁相振荡源；二分配器用于将锁相振荡源分为两路，其中一路传输至锁相环，另一路传输至硅基功率放大器；硅基功率放大器用于放大锁相振荡源，并输出微波振荡信号至功率放大器；
锁相环包括分频器、鉴相器和环路滤波器；
参考晶振的两端均与鉴相器连接；分频器的第一输入端作为锁相环的第一输入端，其第二输入端作为锁相环的第二输入端，其输出端和鉴相器的输入端连接；鉴相器的输出端和环路滤波器的输入端连接；环路滤波器的输出端作为锁相环的输出端；
分频器用于接收频率控制信号的频率设定值，并根据频率设定值对二分配器输出的锁相振荡源进行分频，将分频得到的射频信号传输至鉴相器；所述鉴相器用于对参考晶振输入的参考信号频率和分频后的射频信号频率进行频率和相位比较，并将比较结果传输至环路滤波器；所述环路滤波器用于根据对参考信号和分频后的反馈射频信号的比较结果进行滤波，输出电压信号。
进一步地，功率放大器包括输入匹配网络、第一晶体管、级间匹配网络、第二晶体管和输出金丝键合线；
输入匹配网络的输入端作为功率放大器的输入端，其输出端和第一晶体管的栅极连接；第一晶体管的漏极和级间匹配网络的输入端连接；级间匹配网络的输出端和第二晶体管的栅极连接；第二晶体管的漏极和输出金丝键合线的输入端连接；金丝键合线的输出端作为功率放大器的输出端。
进一步地，输入匹配网络用于将微波振荡信号传输至第一晶体管；
第一晶体管用于对微波振荡信号进行第一级放大，并传输至级间匹配网络；
级间匹配网络用于将进行第一级放大后的微波振荡信号传输至第二晶体管；
第二晶体管用于对进行第一级放大后的微波振荡信号进行第二级放大；
输出金丝键合线用于将进行第二级放大后的微波振荡信号传输至输出匹配网络。
进一步地，输出匹配网络采用印刷电路版工艺的微带线。
进一步地，第一晶体管和第二晶体管均采用氮化镓工艺的高电子迁移率晶体管。
本发明的有益效果是：
（1）本发明提出了一种采用专用集成芯片的高效率、低成本且高集成度的微波功率源，传统增益链路中用GaAs／InGaP实现的Gain Block推动级器件，分别用硅基放大单元和氮化镓放大单元实现，并分别集成到硅基信号源内部和氮化镓功率放大器内部，然后二者均采用塑封集成为独立器件，省略了中间推动级器件，大大降低成本，提高了集成度，减小了链路体积；
（2）本发明的氮化镓功率放大器内部采用两级放大，两级均都采用氮化镓工艺的晶体管，实现最高效率，并且末级匹配电路外置，减小塑封的介质损耗和集总参数电容电感等器件带来的损耗，避免了大批量生产时由电容电感等器件的精度误差引起的功率源总体性能的离散性。这种配置提高微波源链路的整体效率，且本发明采用集成电路工艺实现微波功率源，产品一致性好，生产简单。
附图说明
图1为集成微波功率源的结构图；
图2为硅基高功率信号源的一种结构图；
图3为硅基高功率信号源的另一种结构图；
图4为功率放大器的结构图；
图5为输出匹配网络的结构图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例作进一步的说明。
如图1所示，本发明提供了一种集成微波功率源，包括依次连接的硅基高功率信号源、功率放大器和输出匹配网络；
硅基高功率信号源用于接收频率控制信号，并输出微波振荡信号，控制微波振荡信号的输出频率和功率；
功率放大器用于对微波振荡信号进行放大，并传输至输出匹配网络；
输出匹配网络用于输出放大后的微波振荡信号。
硅基高功率信号源封装为一个独立集成电路，接收外部频率控制信号，控制输出微波振荡信号的频率；该硅基高功率信号源的输出信号达到10-15dBm，通过端口送至功率放大器。功率放大器将输入信号放大后输出，该信号再经过输出匹配网络实现41-44dBm的输出功率。
在本发明实施例中，如图2所示，硅基高功率信号源全部由硅基半导体实现，包括参考晶振、锁相环、压控振荡器、二分配器和硅基功率放大器；
参考晶振的两端均与锁相环连接；锁相环的第一输入端作为硅基高功率信号源的输入端，其第二输入端和二分配器的第一输出端连接，其输出端和压控振荡器的输入端连接；压控振荡器的输出端和二分配器的输入端连接；二分配器的第二输出端和硅基功率放大器的输入端连接；硅基功率放大器的输出端作为硅基高功率信号源的输出端。
硅基功率放大器输出的低功率信号的一部分放大至10-15dBm的较高功率等级。
在本发明实施例中，参考晶振用于将参考信号输入至锁相环；锁相环用于对频率控制信号和参考信号进行处理，输出电压信号；压控振荡器用于根据电压信号的不同电压产生对应的振荡频率，输出锁相振荡源；二分配器用于将锁相振荡源分为两路，其中一路传输至锁相环，另一路传输至硅基功率放大器；硅基功率放大器用于放大锁相振荡源，并输出微波振荡信号至功率放大器。
锁相环和压控振荡器采用传统的硅基CMOS工艺实现，与二分配器和硅基功率放大器共同采用硅基混合工艺集成在一个芯片内，一次流片实现。硅基高功率信号源采用塑封封装为一个芯片。本实施例采用单集成芯片实现了10dBm以上的频率可调且功率可调的信号源，为后级提供足够的推动功率，从而可以简化整个链路设计。硅基混合工艺一次流片，塑封封装大大降低了器件成本，提高了电路集成度，减小了体积。
在本发明实施例中，如图2所示，锁相环包括分频器、鉴相器和环路滤波器；
参考晶振的两端均与鉴相器连接；分频器的第一输入端作为锁相环的第一输入端，其第二输入端作为锁相环的第二输入端，其输出端和鉴相器的输入端连接；鉴相器的输出端和环路滤波器的输入端连接；环路滤波器的输出端作为锁相环的输出端。
在本发明实施例中，分频器用于接收频率控制信号的频率设定值，并根据频率设定值对二分配器输出的锁相振荡源进行分频，将分频得到的射频信号传输至鉴相器；所述鉴相器用于对参考晶振输入的参考信号频率和分频后的射频信号频率进行频率和相位比较，并将比较结果传输至环路滤波器；所述环路滤波器用于根据对参考信号和分频后的反馈射频信号的比较结果进行滤波，输出电压信号。
本发明还提供了硅基高功率信号源的另一种结构，如图3所示，与上述结构不同之处在于，去掉了锁相环和二分配器，仅保留压控振荡器和硅基功率放大器。压控振荡器的控制电压输入端与硅基高功率信号源的频率控制端连接，由硅基高功率信号源的频率控制端处输入的电压直接控制压控振荡器的输出信号频率。压控振荡器的输出直接输入至硅基功率放大器，经硅基功率放大器放大至10-15dBm后输出。硅基功率放大器的输出端级连接硅基高功率信号源的输出端口。本实施例用于对频率精度要求不高的情况，可进一步降低芯片成本。
在本发明实施例中，如图4所示，功率放大器包括输入匹配网络、第一晶体管、级间匹配网络、第二晶体管和输出金丝键合线；
输入匹配网络的输入端作为功率放大器的输入端，其输出端和第一晶体管的栅极连接；第一晶体管的漏极和级间匹配网络的输入端连接；级间匹配网络的输出端和第二晶体管的栅极连接；第二晶体管的漏极和输出金丝键合线的输入端连接；金丝键合线的输出端作为功率放大器的输出端。
在本发明实施例中，输入匹配网络用于将微波振荡信号传输至第一晶体管；
第一晶体管用于对微波振荡信号进行第一级放大，并传输至级间匹配网络；
级间匹配网络用于将进行第一级放大后的微波振荡信号传输至第二晶体管；
第二晶体管用于对进行第一级放大后的微波振荡信号进行第二级放大；
输出金丝键合线用于将进行第二级放大后的微波振荡信号传输至输出匹配网络。
在本发明实施例中，如图5所示，输出匹配网络采用印刷电路版工艺（PCB）的微带线。匹配网络不含有任何电容、电感等集总参数器件。
在本发明实施例中，第一晶体管和第二晶体管均采用氮化镓工艺的高电子迁移率晶体管，并塑封成为一个器件。硅基高功率信号源采用硅基半导体工艺芯片，塑封成为一个器件。
在本发明实施例中，输入匹配网络将外部输入信源阻抗变换后，形成于第一晶体管的栅极匹配的阻抗，将输入信号功率馈送至第一晶体管的栅极。第一晶体管采用单指栅宽的最小GaN HEMT单元，其饱和输出能力为32dBm(1.5W)；本实施例中第一晶体管工作于共源组态，偏置在AB类，增益约18dB，输出功率在27-29dBm量级。第一晶体管的输出功率由漏极传输至级间匹配网络。
该级间匹配网络将第二晶体管的栅极输入阻抗匹配至第二晶体管所需的负载阻抗，从而将第二晶体管的输出功率最大地输送至第二晶体管的栅极。
第二晶体管采用GaN工艺实现，采用共源电路组态；该第二晶体管的漏极通过输出金丝键合线直接连接至功率放大器的输出引脚。输出金丝键合线以及连接于输出引脚的输出匹配网络共同作用，将负载阻抗进行变换，使该第二晶体管工作于高效率的E类状态。该第二晶体管将栅极输入的功率放大至40-44dBm,并且具有80%-82%的漏极效率。
本实施例的第一晶体管和第二晶体管安装于塑封内部基板或底板上，该基板位于该功率放大器芯片底部，采用嵌铜工艺，达到最佳的散热效果。
输入匹配电路和级间匹配电路采用位于内部基板上的微带线实现，具有更低的功率损耗。为减小体积，这两部分电路也可以用IPD方式实现。功率放大器 2采用塑封封装工艺，封装为一个芯片，封装成本低。本实施例中第二晶体管的输出通过金丝键合线直接连接于输出引脚，而不是在芯片内部设计大功率的输出匹配电路，可以有效减小塑封介质内射频传输路径的长度，降低塑封材料带来的功率损耗，有利于提高效率。
本实施例的输出匹配网络配置在安装硅基高功率信号源和功率放大器的印刷电路板（PCB）上，即在功率放大器 的芯片外部，一方面避免了该功率放大器塑封介质的损耗，另一方面该输出匹配网络完全采用PCB工艺的微带结构实现，避免实用集总电感和电容，因此具有更高的Q值和更低的损耗，有利于电路效率的提升。同时由于PCB工艺的加工精度高，电路的一致性好，与采用集总匹配元件的方案相比，本发明的技术方案具有更好的成品率、一致性和可生产性，从而降低生产成本。本发明相对于采用GaAs/InGaP做为中间推动级的传统三器件方案，最终实现整体链路的效率有2～3%的改善。

Claims (5)

1.一种集成微波功率源，其特征在于，包括依次连接的硅基高功率信号源、功率放大器和输出匹配网络；
所述硅基高功率信号源用于接收频率控制信号，并输出微波振荡信号，控制微波振荡信号的输出频率和功率；
所述功率放大器用于对微波振荡信号进行放大，并传输至输出匹配网络；
所述输出匹配网络用于输出放大后的微波振荡信号；
所述硅基高功率信号源包括参考晶振、锁相环、压控振荡器、二分配器和硅基功率放大器；
所述参考晶振的两端均与锁相环连接；所述锁相环的第一输入端作为硅基高功率信号源的频率控制输入端，其第二输入端和二分配器的第一输出端连接，其输出端和压控振荡器的输入端连接；所述压控振荡器的输出端和二分配器的输入端连接；所述二分配器的第二输出端和硅基功率放大器的输入端连接；所述硅基功率放大器的输出端作为硅基高功率信号源的输出端；
所述参考晶振用于将参考信号输入至锁相环；所述锁相环用于对频率控制信号和参考信号进行处理，输出电压信号；所述压控振荡器用于根据电压信号的不同电压产生对应的振荡频率，输出锁相振荡源；所述二分配器用于将锁相振荡源分为两路，其中一路传输至锁相环，另一路传输至硅基功率放大器；所述硅基功率放大器用于放大锁相振荡源，并输出微波振荡信号至功率放大器；
所述锁相环包括分频器、鉴相器和环路滤波器；
所述参考晶振的两端均与鉴相器连接；所述分频器的第一输入端作为锁相环的第一输入端，其第二输入端作为锁相环的第二输入端，其输出端和鉴相器的输入端连接；所述鉴相器的输出端和环路滤波器的输入端连接；所述环路滤波器的输出端作为锁相环的输出端；
所述分频器用于接收频率控制信号的频率设定值，并根据频率设定值对二分配器输出的锁相振荡源进行分频，将分频得到的射频信号传输至鉴相器；所述鉴相器用于对参考晶振输入的参考信号频率和分频后的射频信号频率进行频率和相位比较，并将比较结果传输至环路滤波器；所述环路滤波器用于根据对参考信号和分频后的反馈射频信号的比较结果进行滤波，输出电压信号。
2.根据权利要求1所述的集成微波功率源，其特征在于，所述功率放大器包括输入匹配网络、第一晶体管、级间匹配网络、第二晶体管和输出金丝键合线；
所述输入匹配网络的输入端作为功率放大器的输入端，其输出端和第一晶体管的栅极连接；所述第一晶体管的漏极和级间匹配网络的输入端连接；所述级间匹配网络的输出端和第二晶体管的栅极连接；所述第二晶体管的漏极和输出金丝键合线的输入端连接；所述金丝键合线的输出端作为功率放大器的输出端。
3.根据权利要求2所述的集成微波功率源，其特征在于，所述输入匹配网络用于将微波振荡信号传输至第一晶体管；
所述第一晶体管用于对微波振荡信号进行第一级放大，并传输至级间匹配网络；
所述级间匹配网络用于将进行第一级放大后的微波振荡信号传输至第二晶体管；
所述第二晶体管用于对进行第一级放大后的微波振荡信号进行第二级放大；
所述输出金丝键合线用于将进行第二级放大后的微波振荡信号传输至输出匹配网络。
4.根据权利要求1所述的集成微波功率源，其特征在于，所述输出匹配网络采用印刷电路版工艺的微带线。
5.根据权利要求2所述的集成微波功率源，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管均采用氮化镓工艺的高电子迁移率晶体管。
CN202211230824.9A 2022-10-10 2022-10-10 一种集成微波功率源 Active CN115296628B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211230824.9A CN115296628B (zh) 2022-10-10 2022-10-10 一种集成微波功率源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211230824.9A CN115296628B (zh) 2022-10-10 2022-10-10 一种集成微波功率源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115296628A CN115296628A (zh) 2022-11-04
CN115296628B true CN115296628B (zh) 2022-12-06

Family

ID=83819418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211230824.9A Active CN115296628B (zh) 2022-10-10 2022-10-10 一种集成微波功率源

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115296628B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009301747A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Panasonic Corp 大電力高周波出力装置
CN101622784A (zh) * 2007-01-31 2010-01-06 麦德托尼克公司 用于无线遥测的斩波稳定仪表放大器
US10998909B1 (en) * 2019-09-12 2021-05-04 Dialog Semiconductor B.V. Sensing device comprising a phase locked loop circuit
CN113839619A (zh) * 2021-08-15 2021-12-24 杭州电子科技大学 一种高功率、高效率的片上硅基双模太赫兹信号源结构

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8102205B2 (en) * 2009-08-04 2012-01-24 Qualcomm, Incorporated Amplifier module with multiple operating modes
US8072272B2 (en) * 2009-08-19 2011-12-06 Qualcomm, Incorporated Digital tunable inter-stage matching circuit
US9048284B2 (en) * 2012-06-28 2015-06-02 Skyworks Solutions, Inc. Integrated RF front end system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101622784A (zh) * 2007-01-31 2010-01-06 麦德托尼克公司 用于无线遥测的斩波稳定仪表放大器
JP2009301747A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Panasonic Corp 大電力高周波出力装置
US10998909B1 (en) * 2019-09-12 2021-05-04 Dialog Semiconductor B.V. Sensing device comprising a phase locked loop circuit
CN113839619A (zh) * 2021-08-15 2021-12-24 杭州电子科技大学 一种高功率、高效率的片上硅基双模太赫兹信号源结构

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"硅基毫米波雷达芯片研究现状与发展";贾海昆;《电子与信息学报》;20210115;第42卷(第1期);正文第173-190页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN115296628A (zh) 2022-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101467346B (zh) 杜赫功率放大器
EP2195921B1 (en) Integrated doherty amplifier
US10171053B2 (en) Apparatus and methods for power amplifiers with an injection-locked oscillator driver stage
CN101595636B (zh) Rf放大装置
US11522499B2 (en) Integrated multiple-path power amplifier
US11018629B2 (en) Integrated multiple-path power amplifier
US11444586B2 (en) RF amplifiers with input-side fractional harmonic resonator circuits
CN104753476A (zh) 多模多频功率放大器
US10742174B2 (en) Broadband power transistor devices and amplifiers with input-side harmonic termination circuits and methods of manufacture
US11705872B2 (en) Broadband power transistor devices and amplifiers with output T-match and harmonic termination circuits and methods of manufacture thereof
Jeon et al. A cascode feedback bias technique for linear CMOS power amplifiers in a multistage cascode topology
CN111277226A (zh) 具有管芯上组合节点结构的一体成型的多路径功率放大器
WO2006006119A1 (en) Integrated doherty type amplifier arrangement with integrated feedback
US11705870B2 (en) Integrally-formed splitter for multiple-path power amplifiers and methods of manufacture thereof
US11223336B2 (en) Power amplifier integrated circuit with integrated shunt-l circuit at amplifier output
WO2021219004A1 (zh) 多级Doherty功率放大器装置
CN115296628B (zh) 一种集成微波功率源
CN115514325A (zh) 一种l波段单片集成功率放大器
US20110250861A1 (en) Highly integrated, high frequency, high power operation mmic
EP4372984A1 (en) Power amplifier devices with in-package matching circuits that provide pseudo inverse class f operation
Hoffmann et al. A 4 GHz Digital Class-E Outphasing PA
WO2024092499A1 (zh) 多赫蒂放大器及其输出网络、多赫蒂放大器的设计方法
Liu et al. A high-power GaAs amplifier with coupled bonding-wires-based harmonic control output matching network
Sajedin et al. A compelet design procedure of an X-band MMIC Class-J Power Amplifier
Conlon et al. GaN wide band power integrated circuits

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant