CN115291074A - 一种igbt芯片焊料层故障的在线监测方法 - Google Patents
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Abstract
一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法,先建立IGBT模块三维仿真模型,然后根据芯片焊接层的故障类型以及严重程度对三维仿真模型进行故障模拟,随后通过仿真计算得到IGBT模块的健康因子,健康因子包括IGBT模块最大温度、最小温度、集电极与发射极的压降差,汇总在不同故障类型和故障严重程度下得到的健康因子,建立健康因子‑故障类型‑故障严重程度三维数据集,通过分类算法建立故障分类诊断模型、通过拟合算法建立故障严重程度评估模型,最后代入实测的IGBT模块健康因子得到实际故障类型和故障严重程度。本方法能够对IGBT芯片焊接层故障进行故障分类以及对故障程度进行评估。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法。
背景技术
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)以其输入阻抗高、控制电路简单、载流密度大、开关速度快、饱和压降低等优点,已成为了现代电力电子领域的代表性器件。由于IGBT模块的载流密度和电压水平正在不断的提高以及IGBT模块各层材料的热膨胀系数不同,加之不可避免的工艺缺陷,长期工作后IGBT模块的焊料层易产生不同程度的空洞、裂纹、脱落等热问题,严重影响IGBT的工作可靠性和整体寿命。
IGBT芯片焊接层故障分类和故障程度诊断问题的难点在于IGBT模块是封装不透明结构,且IGBT的工作环境大多比较复杂,不允许随便中止工作拆卸检查,因此如何在不影响IGBT正常工作、不拆开IGBT封装结构的前提下,对IGBT的焊接层进行故障分类及故障程度进行评估显得尤为重要。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的上述问题,提供一种能够实现故障分类及故障程度评估的IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法。
为实现以上目的,本发明提供了以下技术方案:
一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法,所述在线监测方法依次按照以下步骤进行:
S1、建立IGBT模块的三维仿真模型;
S2、先根据芯片焊接层的故障类型以及故障严重程度对三维仿真模型进行故障模拟,再对经故障模拟后的三维仿真模型进行条件加载,通过电磁场-温度场耦合计算得到IGBT模块的健康因子;
其中,所述故障类型为芯片焊接层出现空洞、裂纹或脱落,所述故障严重程度为空洞率、裂纹率或脱落度,所述健康因子包括IGBT模块的最大温度、最小温度、集电极与发射极的压降差;
S3、先汇总芯片焊接层处于不同故障类型和故障严重程度下的健康因子,并建立健康因子-故障类型-故障严重程度三维数据集,然后根据该三维数据集通过分类算法建立故障分类诊断模型、通过拟合算法建立故障严重程度评估模型;
S4、将由实时采集得到的IGBT模块健康因子代入到故障分类诊断模型和故障严重程度评估模型中,得到IGBT模块焊料层的实际故障类型和实际故障严重程度。
步骤S3中,在分类算法中以三维数据集中的健康因子作为输入数据、故障类型作为输出数据,建立IGBT芯片焊接层的故障分类诊断模型,在拟合算法中以三维数据集中的健康因子作为输入数据、故障严重程度作为输出数据进行数据拟合,建立IGBT芯片焊接层的故障严重程度评估模型。
步骤S2中,所述电磁场-温度场耦合计算步骤具体为:先计算得到IGBT模块工作稳定时温升分布和电势分布,再根据温升分布和电势分布得到IGBT模块的最大温度、最小温度、集电极与发射极的压降差,其中,所述温升分布和电势分布根据以下公式计算得到:
q0=h(Text-T);
上式中,为散度算子,为电流密度,Qj,v为自由电荷,σ为介电常数,为电场,j为电流密度,ω为角速度,为电位移场,为外部电流,V为电势分布,为热流密度,k为导热系数,为温度分布,ρ为密度,Cp为恒压热容,为三维仿真模型部分在物质框架内运动时由平移运动子节点定义的速度场,Q为热流,n为法面向量,q0为边界热通量,h为传热系数,Text为内部温度,T为外部温度。
步骤S2中,先在三维仿真模型的芯片焊料层中部开设圆柱形空洞,以模拟芯片焊料层出现空洞故障,然后令圆柱形空洞高度与芯片焊料层厚度相等,逐渐增大圆柱形空洞的半径从而逐渐增大空洞率,以模拟空洞故障程度逐渐增大,直至三维仿真模型中器件最高温度超过最高规定温度,所述空洞率的表达式为:
空洞率=圆柱形空洞的上表面积/芯片焊料层未出现空洞时的上表面积。
步骤S2中,先通过在三维仿真模型中部开设长方体形空洞,以模拟芯片焊料层出现裂纹故障,然后令长方体形空洞的宽度与芯片焊料层宽度相等、高度为芯片焊料层厚度的0.1-0.3倍,逐渐增大长方体形空洞的长度从而逐渐增大裂纹率,以模拟裂纹故障程度逐渐增大,直至三维仿真模型中器件最高温度超过最高规定温度,所述裂纹率的表达式为:
裂纹率=长方体形空洞的长度/芯片焊料层未出现裂纹时的长度。
步骤S2中,先在三维仿真模型的芯片焊料层中部设置圆柱体,并以该圆柱体部分作为芯片焊接层发生脱落故障后的脱落剩余部分,然后令圆柱体的高度与芯片焊料层厚度相等,通过逐渐减小圆柱体的半径从而逐渐增大脱落度,以模拟脱落故障程度逐渐增大,直至三维仿真模型中器件最高温度超过最高规定温度,所述脱落度的表达式为:
脱落度=(芯片焊料层未出现脱落时的上表面积-脱落剩余部分的上表面积)/芯片焊料层未出现脱落时的上表面积。
所述分类算法为BP神经网络,采用BP神经网络建立故障分类诊断模型的过程为:先搭建三层神经网络拓扑模型,所述三层神经网络拓扑模型中的输入层、隐含层、输出层各设置为一层,所述输出层节点数设置为3、输出层节点数设置为1、隐藏层节点设置为3,然后将三维数据集划分为训练集和测试集,通过数据训练和测试以及不断调整训练集和测试集划分比例以获得诊断精度最高的BP神经网络模型,该BP神经网络模型即为故障分类诊断模型。
所述拟合算法为MATLAB中的FITNET函数拟合神经网络,采用FITNET函数拟合神经网络建立故障严重程度评估模型的过程为:先搭建四层神经网络拓扑结构模型,所述神经网络拓扑模型中输入层、隐含层、输出层各设置为一层、两层、一层,所述两层隐藏层节点数分别为20、10,然后将三维数据集中的数据乱序排列后按8:2比例划分为训练集和测试集,通过数据训练和测试得到FITNET函数拟合神经网络模型,该FITNET函数拟合神经网络模型即为故障严重程度评估模型。
所述步骤一具体为:先对IGBT模块进行简化,再在COMSOL Multiphysics仿真软件中根据简化后IGBT模块的尺寸和制作材料建立IGBT模块的三维仿真模型。
所述简化步骤为:选取IGBT模块中的一个IGBT单元作为仿真建模对象,仿真建模时忽略散发热量极小的反并联二极管、IGBT模块栅极、驱动器流经栅极、栅极键合线。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
本发明一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法中,先建立IGBT模块的三维仿真模型,然后根据芯片焊接层的故障类型以及故障严重程度对三维仿真模型进行故障模拟,对经故障模拟后的三维仿真模型进行条件加载,通过电磁场-温度场耦合计算得到IGBT模块的健康因子,随后汇总芯片焊接层处于不同故障类型和故障严重程度下的健康因子,并建立健康因子-故障类型-故障严重程度三维数据集,根据该三维数据集通过分类算法建立故障分类诊断模型、通过拟合算法建立故障严重程度评估模型,将由实时采集得到的IGBT模块健康因子代入到故障分类诊断模型和故障严重程度评估模型中,得到IGBT模块焊料层的实际故障类型和实际故障严重程度,故障类型为芯片焊接层出现空洞、裂纹或脱落,故障严重程度为空洞率、裂纹率或脱落度,健康因子包括IGBT模块的最大温度、最小温度、集电极与发射极的压降差,该方法针对IGBT模块中由于热问题极易发生的芯片焊接层疲劳故障,先通过电热耦合有限元数据分析得到IGBT模块中芯片焊接层发生不同类型、不同程度的故障时的健康因子,然后采用分类算法解析芯片焊接层的不同故障类型与健康因子的映射关系,以及采用拟合算法解析芯片焊接层的不同故障程度与健康因子的映射关系,最后将实际采集的健康因子代入映射关系中,达到对IGBT芯片焊接层故障进行故障分类和对芯片焊接层故障程度进行评估的目的,从而实现对IGBT模块健康状态的在线监测,及时更换故障严重的IGBT模块,避免因IGBT模块故障停工对整个系统造成重大损失。
附图说明
图1为本发明的流程图。
具体实施方式
下面结合说明书附图和具体实施例对本发明作进一步的说明。
参见图1,一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法的具体实施步骤如下:
S1、建立IGBT模块的三维仿真模型
选取换流阀常用的IGBT模块(型号为5SNA0800N330100)中的一个IGBT单元作为仿真建模对象,根据瑞士ABB公司给出的该型号IGBT模块的尺寸和制作材料在COMSOLMultiphysics仿真软件中建立该型号IGBT模块的三维仿真模型,仿真建模时忽略散发热量极小的反并联二极管、IGBT模块栅极、驱动器流经栅极、栅极键合线;
S2、故障模拟
根据芯片焊接层的故障类型以及故障严重程度对由步骤S1得到的三维仿真模型进行故障模拟,所述故障类型为空洞、裂纹或脱落;
其中,模拟空洞故障的具体过程为:在三维仿真模型的芯片焊料层中部挖去一个圆柱形空洞,该圆柱形空洞的高度与芯片焊料层的厚度相等(该型号IGBT模块芯片焊料层厚度为0.1mm),用于模拟芯片焊料层出现空洞故障,逐渐增大圆柱形空洞的半径,用于模拟空洞故障程度逐渐严重,直至三维仿真模型中器件最高温度超过最高安全运行温度(该型号IGBT模块最高安全运行温度为150℃),所述空洞率的表达式为:空洞率=圆柱形空洞的上表面积/芯片焊料层未出现空洞时的上表面积,空洞率越大表示空洞故障越严重;
模拟裂纹故障的具体过程为:在三维仿真模型中部挖出一个长方体形空洞,用于模拟芯片焊料层出现裂纹故障,该长方体形空洞的宽度与芯片焊料层的宽度相等(该型号IGBT模块芯片焊料层宽度为14mm)、高度为芯片焊料层厚度的0.2倍,逐渐增大长方体形空洞的长度,用于模拟裂纹故障程度逐渐严重,直至三维仿真模型中器件最高温度超过最高安全运行温度,所述裂纹率的表达式为:裂纹率=长方体形空洞的长度/芯片焊料层未出现裂纹时的长度,裂纹率越大表示表示裂纹故障越严重;
模拟脱落故障的具体过程为:在三维仿真模型的芯片焊料层中部设置圆柱体,该圆柱体的高度与芯片焊料层厚度相等,用于模拟芯片焊接层发生脱落故障后的脱落剩余部分,逐渐减小圆柱体的半径,用于模拟脱落故障程度逐渐严重,直至三维仿真模型中器件最高温度超过最高规定温度,所述脱落度的表达式为:脱落度=(芯片焊料层未出现脱落时的上表面积-脱落剩余部分的上表面积)/芯片焊料层未出现脱落时的上表面积,脱落度越大表示脱落故障越严重;
S3、对芯片焊接层处于不同故障类型及故障程度下的健康因子进行仿真计算
先根据实际工况对经故障模拟的三维仿真模型进行仿真条件加载,然后通过电磁场-温度场耦合计算得到IGBT模块的健康因子,所述健康因子包括IGBT模块工作稳定时的最大温度、最小温度、集电极与发射极的压降差,所述电磁场-温度场耦合计算步骤具体为:先计算得到IGBT模块工作稳定时温升分布和电势分布,再根据温升分布和电势分布得到IGBT模块的最大温度、最小温度、集电极与发射极的压降差,其中,所述温升分布和电势分布根据以下电热耦合公式计算得到:
q0=h(Text-T);
上式中,为散度算子,为电流密度,Qj,v为自由电荷,σ为介电常数,为电场,j为电流密度,ω为角速度,为电位移场,为外部电流,V为电势分布,为热流密度,k为导热系数,为温度分布,ρ为密度,Cp为恒压热容,为三维仿真模型部分在物质框架内运动时由平移运动子节点定义的速度场,Q为热流,n为法面向量,q0为边界热通量,h为传热系数,Text为内部温度,T为外部温度;
S4、先汇总芯片焊接层处于不同故障类型和故障程度下的健康因子,并建立健康因子-故障类型-故障严重程度三维数据集,然后在BP神经网络中以三维数据集中的健康因子作为输入数据、故障类型作为输出数据,建立IGBT芯片焊接层的故障分类诊断模型,并在MATLAB的FITNET函数拟合神经网络中以三维数据集中的健康因子作为输入数据、故障严重程度作为输出数据进行数据拟合,建立IGBT芯片焊接层的故障严重程度评估模型;
其中,采用BP神经网络建立故障分类诊断模型的具体过程为:先搭建三层神经网络拓扑模型,所述三层神经网络拓扑模型中的输入层、隐含层、输出层各设置为一层,所述输出层节点数设置为3、输出层节点数设置为1、隐藏层节点设置为3,然后将三维数据集划分为训练集和测试集,通过数据训练和测试以及不断调整训练集和测试集划分比例以获得诊断精度最高的BP神经网络模型,该BP神经网络模型即为故障分类诊断模型;
采用FITNET函数拟合神经网络建立故障严重程度评估模型的具体过程为:先搭建四层神经网络拓扑结构模型,所述神经网络拓扑模型中输入层、隐含层、输出层各设置为一层、两层、一层,所述两层隐藏层节点数分别为20、10,然后将三维数据集中的数据乱序排列后按8:2比例划分为训练集和测试集,通过数据训练和测试得到FITNET函数拟合神经网络模型,该FITNET函数拟合神经网络模型即为故障严重程度评估模型;
S5、随机抽取34个同型号IGBT模块作为测试例,先通过温度传感器实时采集得到测试例工作稳定时的最大温度和最小温度,通过实时监测得到测试例的集电极与发射极两端压降差,将最大温度、最小温度、集电极与发射极两端压降差作为34个测试例的健康因子,然后将这34个测试例的健康因子分别代入到由步骤S4得到的故障分类诊断模型和故障严重程度评估模型中进行评估,评估结果为有15个测试例存在芯片焊接层故障,评估结果见表1,剩余19个测试例推测存在其他故障或者为健康状态:
表1 15个测试例中芯片焊接层故障类型和故障程度
由表1可见,本发明所述的IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法能够对IGBT模块芯片焊接层的故障类型进行准确分类以及对芯片焊接层的故障程度进行评估。
Claims (10)
1.一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法,其特征在于:
所述在线监测方法依次按照以下步骤进行:
S1、建立IGBT模块的三维仿真模型;
S2、先根据芯片焊接层的故障类型以及故障严重程度对三维仿真模型进行故障模拟,再对经故障模拟后的三维仿真模型进行条件加载,通过电磁场-温度场耦合计算得到IGBT模块的健康因子;
其中,所述故障类型为芯片焊接层出现空洞、裂纹或脱落,所述故障严重程度为空洞率、裂纹率或脱落度,所述健康因子包括IGBT模块的最大温度、最小温度、集电极与发射极的压降差;
S3、先汇总芯片焊接层处于不同故障类型和故障严重程度下的健康因子,并建立健康因子-故障类型-故障严重程度三维数据集,然后根据该三维数据集通过分类算法建立故障分类诊断模型、通过拟合算法建立故障严重程度评估模型;
S4、将由实时采集得到的IGBT模块健康因子代入到故障分类诊断模型和故障严重程度评估模型中,得到IGBT模块焊料层的实际故障类型和实际故障严重程度。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法,其特征在于:
步骤S3中,在分类算法中以三维数据集中的健康因子作为输入数据、故障类型作为输出数据,建立IGBT芯片焊接层的故障分类诊断模型,在拟合算法中以三维数据集中的健康因子作为输入数据、故障严重程度作为输出数据进行数据拟合,建立IGBT芯片焊接层的故障严重程度评估模型。
3.根据权利要求1或2所述的一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法,其特征在于:
步骤S2中,所述电磁场-温度场耦合计算步骤具体为:先计算得到IGBT模块工作稳定时温升分布和电势分布,再根据温升分布和电势分布得到IGBT模块的最大温度、最小温度、集电极与发射极的压降差,其中,所述温升分布和电势分布根据以下公式计算得到:
q0=h(Text-T);
4.根据权利要求1或2所述的一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法,其特征在于:
步骤S2中,先在三维仿真模型的芯片焊料层中部开设圆柱形空洞,以模拟芯片焊料层出现空洞故障,然后令圆柱形空洞高度与芯片焊料层厚度相等,逐渐增大圆柱形空洞的半径从而逐渐增大空洞率,以模拟空洞故障程度逐渐增大,直至三维仿真模型中器件最高温度超过最高规定温度,所述空洞率的表达式为:
空洞率=圆柱形空洞的上表面积/芯片焊料层未出现空洞时的上表面积。
5.根据权利要求1或2所述的一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法,其特征在于:
步骤S2中,先通过在三维仿真模型中部开设长方体形空洞,以模拟芯片焊料层出现裂纹故障,然后令长方体形空洞的宽度与芯片焊料层宽度相等、高度为芯片焊料层厚度的0.1-0.3倍,逐渐增大长方体形空洞的长度从而逐渐增大裂纹率,以模拟裂纹故障程度逐渐增大,直至三维仿真模型中器件最高温度超过最高规定温度,所述裂纹率的表达式为:
裂纹率=长方体形空洞的长度/芯片焊料层未出现裂纹时的长度。
6.根据权利要求1或2所述的一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法,其特征在于:
步骤S2中,先在三维仿真模型的芯片焊料层中部设置圆柱体,并以该圆柱体部分作为芯片焊接层发生脱落故障后的脱落剩余部分,然后令圆柱体的高度与芯片焊料层厚度相等,通过逐渐减小圆柱体的半径从而逐渐增大脱落度,以模拟脱落故障程度逐渐增大,直至三维仿真模型中器件最高温度超过最高规定温度,所述脱落度的表达式为:
脱落度=(芯片焊料层未出现脱落时的上表面积-脱落剩余部分的上表面积)/芯片焊料层未出现脱落时的上表面积。
7.根据权利要求2所述的一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法,其特征在于:
所述分类算法为BP神经网络,采用BP神经网络建立故障分类诊断模型的过程为:先搭建三层神经网络拓扑模型,所述三层神经网络拓扑模型中的输入层、隐含层、输出层各设置为一层,所述输出层节点数设置为3、输出层节点数设置为1、隐藏层节点设置为3,然后将三维数据集划分为训练集和测试集,通过数据训练和测试以及不断调整训练集和测试集划分比例以获得诊断精度最高的BP神经网络模型,该BP神经网络模型即为故障分类诊断模型。
8.根据权利要求2所述的一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法,其特征在于:
所述拟合算法为MATLAB中的FITNET函数拟合神经网络,采用FITNET函数拟合神经网络建立故障严重程度评估模型的过程为:先搭建四层神经网络拓扑结构模型,所述神经网络拓扑模型中输入层、隐含层、输出层各设置为一层、两层、一层,所述两层隐藏层节点数分别为20、10,然后将三维数据集中的数据乱序排列后按8:2比例划分为训练集和测试集,通过数据训练和测试得到FITNET函数拟合神经网络模型,该FITNET函数拟合神经网络模型即为故障严重程度评估模型。
9.根据权利要求1或2所述的一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法,其特征在于:
所述步骤一具体为:先对IGBT模块进行简化,再在COMSOL Multiphysics仿真软件中根据简化后IGBT模块的尺寸和制作材料建立IGBT模块的三维仿真模型。
10.根据权利要求9所述的一种IGBT芯片焊料层故障的在线监测方法,其特征在于:
所述简化步骤为:选取IGBT模块中的一个IGBT单元作为仿真建模对象,仿真建模时忽略散发热量极小的反并联二极管、IGBT模块栅极、驱动器流经栅极、栅极键合线。
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CN116933608A (zh) * | 2023-09-15 | 2023-10-24 | 深圳市正和兴电子有限公司 | 一种存储类芯片的管理方法、系统及存储介质 |
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2022
- 2022-08-15 CN CN202210973862.7A patent/CN115291074A/zh active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN116933608A (zh) * | 2023-09-15 | 2023-10-24 | 深圳市正和兴电子有限公司 | 一种存储类芯片的管理方法、系统及存储介质 |
CN116933608B (zh) * | 2023-09-15 | 2023-12-22 | 深圳市正和兴电子有限公司 | 一种存储类芯片的管理方法、系统及存储介质 |
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