CN115287634A - 外延波长良率提升方法、系统、可读存储介质及计算机 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种外延波长良率提升方法、系统、可读存储介质及计算机,该方法包括:将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域;将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集,并将各所述点集按照各所述加热丝区域的覆盖范围进行分配得到多个目标加热丝区域;计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长,并根据各点集均值波长与目标波长得到波长差;获取各所述目标加热丝区域内的外延片两炉次波长以及两设定温度,并根据两炉次波长以及两设定温度计算出斜率;添加波长系数,并根据波长系数、波长差以及斜率分别对各所述目标加热丝区域进行温度调整,以提升各所述目标加热丝区域所产出的外延片的波长良率。

Description

外延波长良率提升方法、系统、可读存储介质及计算机
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种外延波长良率提升方法、系统、可读存储介质及计算机。
背景技术
随着半导体行业的飞速发展和人们生活水平的提高,发光二极管作为一种固态半导体二极管发光器件,被广泛用于指示灯、显示屏等照明领域中。
目前,LED外延晶圆通常是通过金属有机化合物化学气相沉淀获得,其一般是将外延晶圆衬底放入石墨承载盘上,连同石墨承载盘一起被放入MOCVD设备的反应室内进行反应,通常石墨载盘的盘面设置两圈或两圈以上用于放置外延晶片的圆槽,加热系统通常使用铼和钨作为加热丝,加热丝也会分成两个或者两个以上区域,每个加热区域可单独调整且相互不接触,加热丝位于石墨载盘底部,现有技术中,通过石墨载盘上每圈外延片产出之后的波长与目标波长的差异,调整对应位于石墨载盘底部的每个区域加热丝温度,使生长出的外延片的波长更趋近于目标波长。
由于石墨载盘的底部每区域加热丝的覆盖范围与石墨载盘的每圈圆槽的覆盖范围不一致,导致部分石墨载盘的圆槽分布在两个加热丝区域上,圆槽的受热温度受两个区域的加热丝影响,不同区域的加热丝加热效率是存在差异的,而为了使圆槽内的外延片受热均匀,这需要技术人员通过分析每圈外延片的波长图谱与该圈圆槽底部的加热丝区域来调整不同加热丝区域的温度,而人为是无法精确判断加热丝区域覆盖的圆槽范围,这都会导致调整每个区域的加热丝温度时会存在偏差,产出外延片的波长与目标波长存在偏差,造成波长良率损失,另外,在实际的工业生产中,产能是巨大的,如果每一个炉次都需要人为的通过分析产出片源的波长图谱去调整每圈的加热区域,这将会大大的增加了人力成本。
发明内容
基于此,本发明的目的是提供一种外延波长良率提升方法、系统、可读存储介质及计算机,以至少解决上述相关技术中的不足。
本发明提出一种外延波长良率提升方法,包括:
将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域,每个所述加热丝区域相互隔离、且温度单独控制;
将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集,并将各所述点集按照各所述加热丝区域的覆盖范围进行分配,以得到多个目标加热丝区域;
计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长,并根据各所述目标加热丝区域的点集均值波长与目标波长计算出各所述目标加热丝区域的波长差;
获取各所述目标加热丝区域内的外延片的第一炉次波长、第二炉次波长以及对应的第一设定温度和第二设定温度,并根据所述第一炉次波长、第二炉次波长、第一设定温度以及第二设定温度计算出各所述目标加热丝区域的斜率;
添加波长系数,并根据所述波长系数、各所述目标加热丝区域的波长差以及各所述目标加热丝区域的斜率分别对各所述目标加热丝区域进行温度调整,以提升各所述目标加热丝区域所产出的外延片的波长良率。
进一步的,将各所述点集按照各所述加热丝区域的覆盖范围进行分配,以得到多个目标加热丝区域的步骤包括:
获取各所述加热丝区域的覆盖位置以及各所述点集的坐标位置;
基于各所述加热丝区域的覆盖位置以及各所述点集的坐标位置对各所述点集进行分配,以得到多个目标加热丝区域。
进一步的,计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长的步骤包括:
获取各所述目标加热丝区域中的所有点集的独立波长,并根据各所述目标加热丝区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长。
进一步的,各所述目标加热丝区域的斜率的计算公式为:
Figure BDA0003803510720000021
式中,fx表示目标加热丝区域的斜率,WDX1表示目标加热丝区域内的外延片的第一炉次波长,WDX2表示目标加热丝区域内的外延片的第二炉次波长,TX1表示第一设定温度,TX2表示第二设定温度。
进一步的,对各所述目标加热丝区域进行温度调整的计算公式为:
ΔTx=Dx*fx*K;
式中,ΔTx表示目标加热丝区域的调整温度,Dx表示目标加热丝区域的波长差,fx表示目标加热丝区域的斜率,K表示波长系数。
本发明还提出一种外延波长良率提升系统,包括:
加热丝划分模块,用于将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域,每个所述加热丝区域相互隔离、且温度单独控制;
外延片划分模块,用于将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集,并将各所述点集按照各所述加热丝区域的覆盖范围进行分配,以得到多个目标加热丝区域;
波长差计算模块,用于计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长,并根据各所述目标加热丝区域的点集均值波长与目标波长计算出各所述目标加热丝区域的波长差;
斜率计算模块,用于获取各所述目标加热丝区域内的外延片的第一炉次波长、第二炉次波长以及对应的第一设定温度和第二设定温度,并根据所述第一炉次波长、第二炉次波长、第一设定温度以及第二设定温度计算出各所述目标加热丝区域的斜率;
波长良率提升模块,用于添加波长系数,并根据所述波长系数、各所述目标加热丝区域的波长差以及各所述目标加热丝区域的斜率分别对各所述目标加热丝区域进行温度调整,以提升各所述目标加热丝区域所产出的外延片的波长良率。
进一步的,所述外延片划分模块包括:
位置获取单元,用于获取各所述加热丝区域的覆盖位置以及各所述点集的坐标位置;
外延片划分单元,用于基于各所述加热丝区域的覆盖位置以及各所述点集的坐标位置对各所述点集进行分配,以得到多个目标加热丝区域。
进一步的,所述波长差计算模块包括:
波长差计算单元,用于获取各所述目标加热丝区域中的所有点集的独立波长,并根据各所述目标加热丝区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长。
本发明还提出一种可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现上述的外延波长良率提升方法。
本发明还提出一种计算机,包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的外延波长良率提升方法。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:将外延片按点集方式划分到各个加热丝区域,不需要人为区分析波长图谱,减少人为主观因素的影响,大幅度的降低人员温度调整的时间,降低人力成本,并且各加热丝温度与对应区域内的点集波长关联性更强,使温度调整更精确;通过添加波长系数,可以有效地防止因部分点集波长异常而导致的加热丝温度调整过大导致产出波长偏差的问题出现,以更为精确的数据展示出各加热丝区域覆盖范围产出的波长,有效的减少人员分析波长图谱的时间,减少人力成本;可获得更具代表性、准确性的各加热丝区域的波长与温度斜率,有效的提高下一炉次的波长命中率。
附图说明
图1为本发明第一实施例中外延波长良率提升方法的流程图;
图2为现有技术中加热丝区域和载盘圆槽的分布示意图;
图3为图1中步骤S102的详细流程图;
图4为本发明第一实施例中单片外延片的分散为多个点集的示意图;
图5为本发明第一实施例中外延片各点集的波长;
图6为本发明第一实施例中外延片划分至多个加热丝区域n1、n2的示意图;
图7为本发明第一实施例中外延片划分至多个加热丝区域n2、n3的示意图;
图8为图1中步骤S103的详细流程图;
图9为本发明第二实施例中外延波长良率提升系统的结构框图;
图10为本发明第三实施例中计算机的结构框图。
主要元件符号说明:
存储器 10 外延片划分模块 12
处理器 20 波长差计算模块 13
计算机程序 30 斜率计算模块 14
加热丝划分模块 11 波长良率提升模块 15
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固设于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例一
请参阅图1,所示为本发明第一实施例中的外延波长良率提升方法,所述方法具体包括步骤S101至S105:
S101,将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域,每个所述加热丝区域相互隔离、且温度单独控制;
需要说明的是,请参阅图2,由图2可以看出,现有的石墨承载盘的内圈圆槽和外圈圆槽是覆盖在两个加热丝区域的,当其内部放置外延片时,单片外延片所产出的波长会受到两个加热丝区域的温度影响。
在具体实施时,将石墨承载盘上的加热丝划分成多个加热丝区域,在本实施例中,该加热丝区域的数量X≥2,每个加热丝区域相互隔离、且温度单独控制,在本实施例中,加热丝可以选用钨、铼等材料。
可以理解的,划分单独温控的加热丝区域,能够使得加热丝区域的温度控制更加精准。
S102,将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集,并将各所述点集按照各所述加热丝区域的覆盖范围进行分配,以得到多个目标加热丝区域;
进一步的,请参阅图3,所述步骤S102具体包括步骤S1021~S1022:
S1021,获取各所述加热丝区域的覆盖位置以及各所述点集的坐标位置;
S1022,基于各所述加热丝区域的覆盖位置以及各所述点集的坐标位置对各所述点集进行分配,以得到多个目标加热丝区域。
进一步的,将每炉次的石墨陈承载盘上的y个片源在量测时,将每片外延片划分为N个点集(如图4所示),在本实施例中,N≥X,每个点集都含有具体的坐标位置以及对应的独立波长WDN(如图5所示),获取上述的各加热丝区域的覆盖位置,根据各点集的坐标位置和各加热丝区域的覆盖位置将各点集进行分配,每个加热丝区域中均会获得一部分点集nx(如图6至图7所示),满足:n1+n2+…+nn=y*N,进而得到多个目标加热丝区域。
可以理解的,通过划分各单独控温的加热丝区域,将所有的外延片点集按照加热丝覆盖区域重新划分,每个加热丝区域都包含一部分点集,该部分点集的均值波长与对应的区域的加热丝温度线性相关性更强,使后续产出波长更趋近于目标波长。
S103,计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长,并根据各所述目标加热丝区域的点集均值波长与目标波长计算出各所述目标加热丝区域的波长差;
进一步的,请参阅图8,所述步骤S103中计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长的步骤具体包括步骤S1031:
S1031,获取各所述目标加热丝区域中的所有点集的独立波长,并根据各所述目标加热丝区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长。
在具体实施时,上述的所有点集中每个点集都含有独立波长WDN,根据该目标加热丝区域内的点集的独立波长WDN计算出该目标加热丝区域的点集均值波长WDx,将该目标加热丝区域的点集均值波长WDx与目标波长WD进行对比,进而得到该目标加热丝区域的波长差Dx。
可以理解的,利用上述步骤能够得到所有的目标加热丝区域的波长差,该目标波长WD为用户所需的外延片的最佳波长,通过计算出波长差Dx来达到对波长的优化,进而以更为精确的数据展示出各加热丝区域覆盖范围产出的波长,有效的减少人员分析波长图谱的时间,减少人力成本。
S104,获取各所述目标加热丝区域内的外延片的第一炉次波长、第二炉次波长以及对应的第一设定温度和第二设定温度,并根据所述第一炉次波长、第二炉次波长、第一设定温度以及第二设定温度计算出各所述目标加热丝区域的斜率;
进一步的,获取上述的目标加热丝区域的外延片进行两次炉次的波长和两次炉次所对应的设定温度,并根据两次炉次的波长和两次炉次的温度计算出该目标加热丝区域的斜率,该斜率的计算公式如下:
Figure BDA0003803510720000071
式中,fx表示目标加热丝区域的斜率,WDX1表示目标加热丝区域内的外延片的第一炉次波长,WDX2表示目标加热丝区域内的外延片的第二炉次波长,TX1表示第一设定温度,TX2表示第二设定温度。
可以理解的,利用上述步骤能够得到所有的目标加热丝区域的斜率,通过获取更具代表性、准确性的各加热丝区域的波长与温度斜率,有效的提高下一炉次的波长命中率。
S105,添加波长系数,并根据所述波长系数、各所述目标加热丝区域的波长差以及各所述目标加热丝区域的斜率分别对各所述目标加热丝区域进行温度调整,以提升各所述目标加热丝区域所产出的外延片的波长良率。
在具体实施时,添加一个波长系数,并根据上述的目标加热丝区域的波长差选用其对应的波长系数,并根据该目标加热丝区域的波长系数、波长差以及对应的斜率对该目标加热丝区域进行温度调整;
具体的,当某个目标加热丝区域的波长差不大于第一阈值(在本实施例中,该第一阈值为1nm)时,波长系数的范围为第一范围(在本实施例中,该第一范围为0.8~1.0);
当某个目标加热丝区域的波长差不大于第二阈值(在本实施例中,该第二阈值为2nm)时,波长系数的范围为第二范围(在本实施例中,该第一范围为0.6~0.8);
当某个目标加热丝区域的波长差不大于第三阈值(在本实施例中,该第三阈值为3nm)时,波长系数的范围为第三范围(在本实施例中,该第一范围为0.4~0.6);
当某个目标加热丝区域的波长差大于第四阈值(在本实施例中,该第四阈值为3nm)时,波长系数的范围为第四范围(在本实施例中,该第四范围为0.1~0.4);
根据上述得到的该目标加热丝区域的波长系数、波长差以及斜率,利用下式计算出温度调整数值:
ΔTx=Dx*fx*K;
式中,ΔTx表示目标加热丝区域的调整温度,Dx表示目标加热丝区域的波长差,fx表示目标加热丝区域的斜率,K表示波长系数。
可以理解的,通过添加波长系数,可避免因个别点集波长异常偏长或偏短导致的其加热丝区域的均值波长WDx异常偏长或偏短后温度调整偏差过大的问题。
综上,本发明上述实施例当中的外延波长良率提升方法,将外延片按点集方式划分到各个加热丝区域,不需要人为区分析波长图谱,减少人为主观因素的影响,大幅度的降低人员温度调整的时间,降低人力成本,并且各加热丝温度与对应区域内的点集波长关联性更强,使温度调整更精确;通过添加波长系数,可以有效地防止因部分点集波长异常而导致的加热丝温度调整过大导致产出波长偏差的问题出现,以更为精确的数据展示出各加热丝区域覆盖范围产出的波长,有效的减少人员分析波长图谱的时间,减少人力成本;可获得更具代表性、准确性的各加热丝区域的波长与温度斜率,有效的提高下一炉次的波长命中率。
实施例二
本发明另一方面还提出一种外延波长良率提升系统,请查阅图9,所示为本发明第二实施例中的外延波长良率提升系统,包括:
加热丝划分模块11,用于将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域,每个所述加热丝区域相互隔离、且温度单独控制;
外延片划分模块12,用于将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集,并将各所述点集按照各所述加热丝区域的覆盖范围进行分配,以得到多个目标加热丝区域;
进一步的,所述外延片划分模块12包括:
位置获取单元,用于获取各所述加热丝区域的覆盖位置以及各所述点集的坐标位置;
外延片划分单元,用于基于各所述加热丝区域的覆盖位置以及各所述点集的坐标位置对各所述点集进行分配,以得到多个目标加热丝区域。
波长差计算模块13,用于计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长,并根据各所述目标加热丝区域的点集均值波长与目标波长计算出各所述目标加热丝区域的波长差;
进一步的,所述波长差计算模块13包括:
波长差计算单元,用于获取各所述目标加热丝区域中的所有点集的独立波长,并根据各所述目标加热丝区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长。
斜率计算模块14,用于获取各所述目标加热丝区域内的外延片的第一炉次波长、第二炉次波长以及对应的第一设定温度和第二设定温度,并根据所述第一炉次波长、第二炉次波长、第一设定温度以及第二设定温度计算出各所述目标加热丝区域的斜率;
波长良率提升模块15,用于添加波长系数,并根据所述波长系数、各所述目标加热丝区域的波长差以及各所述目标加热丝区域的斜率分别对各所述目标加热丝区域进行温度调整,以提升各所述目标加热丝区域所产出的外延片的波长良率。
上述各模块、单元被执行时所实现的功能或操作步骤与上述方法实施例大体相同,在此不再赘述。
本发明实施例所提供的外延波长良率提升系统,其实现原理及产生的技术效果和前述方法实施例相同,为简要描述,装置实施例部分未提及之处,可参考前述方法实施例中相应内容。
实施例三
本发明还提出一种计算机,请参阅图10,所示为本发明第三实施例中的计算机,包括存储器10、处理器20以及存储在所述存储器10上并可在所述处理器20上运行的计算机程序30,所述处理器20执行所述计算机程序30时实现上述的外延波长良率提升方法。
其中,存储器10至少包括一种类型的可读存储介质,所述可读存储介质包括闪存、硬盘、多媒体卡、卡型存储器(例如,SD或DX存储器等)、磁性存储器、磁盘、光盘等。存储器10在一些实施例中可以是计算机的内部存储单元,例如该计算机的硬盘。存储器10在另一些实施例中也可以是外部存储装置,例如插接式硬盘,智能存储卡(Smart Media Card,SMC),安全数字(Secure Digital,SD)卡,闪存卡(Flash Card)等。进一步地,存储器10还可以既包括计算机的内部存储单元也包括外部存储装置。存储器10不仅可以用于存储安装于计算机的应用软件及各类数据,还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
其中,处理器20在一些实施例中可以是电子控制单元(Electronic ControlUnit,简称ECU,又称行车电脑)、中央处理器(Central Processing Unit,CPU)、控制器、微控制器、微处理器或其他数据处理芯片,用于运行存储器10中存储的程序代码或处理数据,例如执行访问限制程序等。
需要指出的是,图10示出的结构并不构成对计算机的限定,在其它实施例当中,该计算机可以包括比图示更少或者更多的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。
本发明实施例还提出一种可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现如上述的外延波长良率提升方法。
本领域技术人员可以理解,在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤,例如,可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表,可以具体实现在任何计算机可读存储介质中,以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用,或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言,“计算机可读存储介质”可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。
计算机可读存储介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下:具有一个或多个布线的电连接部(电子装置),便携式计算机盘盒(磁装置),随机存取存储器(RAM),只读存储器(ROM),可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器),光纤装置,以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外,计算机可读存储介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的可读存储介质,因为可以例如通过对纸或其他可读存储介质进行光学扫描,接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序,然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解,本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中,多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如,如果用硬件来实现,和在另一实施方式中一样,可用本领域公知的下列技术中的任一项或它们的组合来实现:具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路,具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路,可编程门阵列(PGA),现场可编程门阵列(FPGA)等。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种外延波长良率提升方法,其特征在于,包括:
将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域,每个所述加热丝区域相互隔离、且温度单独控制;
将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集,并将各所述点集按照各所述加热丝区域的覆盖范围进行分配,以得到多个目标加热丝区域;
计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长,并根据各所述目标加热丝区域的点集均值波长与目标波长计算出各所述目标加热丝区域的波长差;
获取各所述目标加热丝区域内的外延片的第一炉次波长、第二炉次波长以及对应的第一设定温度和第二设定温度,并根据所述第一炉次波长、第二炉次波长、第一设定温度以及第二设定温度计算出各所述目标加热丝区域的斜率;
添加波长系数,并根据所述波长系数、各所述目标加热丝区域的波长差以及各所述目标加热丝区域的斜率分别对各所述目标加热丝区域进行温度调整,以提升各所述目标加热丝区域所产出的外延片的波长良率。
2.根据权利要求1所述的外延波长良率提升方法,其特征在于,将各所述点集按照各所述加热丝区域的覆盖范围进行分配,以得到多个目标加热丝区域的步骤包括:
获取各所述加热丝区域的覆盖位置以及各所述点集的坐标位置;
基于各所述加热丝区域的覆盖位置以及各所述点集的坐标位置对各所述点集进行分配,以得到多个目标加热丝区域。
3.根据权利要求1所述的外延波长良率提升方法,其特征在于,计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长的步骤包括:
获取各所述目标加热丝区域中的所有点集的独立波长,并根据各所述目标加热丝区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长。
4.根据权利要求1所述的外延波长良率提升方法,其特征在于,各所述目标加热丝区域的斜率的计算公式为:
Figure FDA0003803510710000021
式中,fx表示目标加热丝区域的斜率,WDx1表示目标加热丝区域内的外延片的第一炉次波长,WDX2表示目标加热丝区域内的外延片的第二炉次波长,TX1表示第一设定温度,TX2表示第二设定温度。
5.根据权利要求1所述的外延波长良率提升方法,其特征在于,对各所述目标加热丝区域进行温度调整的计算公式为:
ΔTx=Dx*fx*K;
式中,ΔTx表示目标加热丝区域的调整温度,Dx表示目标加热丝区域的波长差,fx表示目标加热丝区域的斜率,K表示波长系数。
6.一种外延波长良率提升系统,其特征在于,包括:
加热丝划分模块,用于将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域,每个所述加热丝区域相互隔离、且温度单独控制;
外延片划分模块,用于将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集,并将各所述点集按照各所述加热丝区域的覆盖范围进行分配,以得到多个目标加热丝区域;
波长差计算模块,用于计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长,并根据各所述目标加热丝区域的点集均值波长与目标波长计算出各所述目标加热丝区域的波长差;
斜率计算模块,用于获取各所述目标加热丝区域内的外延片的第一炉次波长、第二炉次波长以及对应的第一设定温度和第二设定温度,并根据所述第一炉次波长、第二炉次波长、第一设定温度以及第二设定温度计算出各所述目标加热丝区域的斜率;
波长良率提升模块,用于添加波长系数,并根据所述波长系数、各所述目标加热丝区域的波长差以及各所述目标加热丝区域的斜率分别对各所述目标加热丝区域进行温度调整,以提升各所述目标加热丝区域所产出的外延片的波长良率。
7.根据权利要求6所述的外延波长良率提升系统,其特征在于,所述外延片划分模块包括:
位置获取单元,用于获取各所述加热丝区域的覆盖位置以及各所述点集的坐标位置;
外延片划分单元,用于基于各所述加热丝区域的覆盖位置以及各所述点集的坐标位置对各所述点集进行分配,以得到多个目标加热丝区域。
8.根据权利要求6所述的外延波长良率提升系统,其特征在于,所述波长差计算模块包括:
波长差计算单元,用于获取各所述目标加热丝区域中的所有点集的独立波长,并根据各所述目标加热丝区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标加热丝区域的点集均值波长。
9.一种可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5任一所述的外延波长良率提升方法。
10.一种计算机,包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至5任一所述的外延波长良率提升方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116497443A (zh) * 2023-06-29 2023-07-28 江西兆驰半导体有限公司 一种外延片波长良率的调整方法及系统、外延片

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004288723A (ja) * 2003-03-19 2004-10-14 Seiko Epson Corp 半導体レーザー、半導体レーザーアレイ、および半導体レーザーの製造方法
CN103526190A (zh) * 2013-10-14 2014-01-22 中国科学院半导体研究所 用于mocvd系统中控制外延片发光波长及均匀性的装置与方法
CN110246780A (zh) * 2019-04-24 2019-09-17 华灿光电(苏州)有限公司 发光二极管外延片的生长方法
CN110435051A (zh) * 2019-08-29 2019-11-12 山东双一科技股份有限公司 提高温度均匀性的叶片模具的电加热方法、装置及模具
CN110656322A (zh) * 2019-09-11 2020-01-07 厦门三安光电有限公司 连续生长外延片的方法、装置、设备及存储介质

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004288723A (ja) * 2003-03-19 2004-10-14 Seiko Epson Corp 半導体レーザー、半導体レーザーアレイ、および半導体レーザーの製造方法
CN103526190A (zh) * 2013-10-14 2014-01-22 中国科学院半导体研究所 用于mocvd系统中控制外延片发光波长及均匀性的装置与方法
CN110246780A (zh) * 2019-04-24 2019-09-17 华灿光电(苏州)有限公司 发光二极管外延片的生长方法
CN110435051A (zh) * 2019-08-29 2019-11-12 山东双一科技股份有限公司 提高温度均匀性的叶片模具的电加热方法、装置及模具
CN110656322A (zh) * 2019-09-11 2020-01-07 厦门三安光电有限公司 连续生长外延片的方法、装置、设备及存储介质

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116497443A (zh) * 2023-06-29 2023-07-28 江西兆驰半导体有限公司 一种外延片波长良率的调整方法及系统、外延片
CN116497443B (zh) * 2023-06-29 2023-09-05 江西兆驰半导体有限公司 一种外延片波长良率的调整方法及系统、外延片

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