CN115282485A - 一种射频美容仪的目标式阵列射频电极头 - Google Patents

一种射频美容仪的目标式阵列射频电极头 Download PDF

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郎恂
何冰冰
张榆锋
张梅
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Abstract

本发明提供一种射频美容仪的目标式阵列射频电极头,属于射频美容技术领域,目标式阵列射频电极头包括:电极头外壳,工作时与目标皮肤接触;电极头外壳上开设有同心的第一圆环及第二圆环;第二圆环的外直径小于第一圆环的内直径;多个正电极,均匀设置在第一圆环内,用于向目标皮肤发射射频信号;多个负电极,均匀设置在第二圆环内,用于向目标皮肤发射射频信号;控制单元,分别与各正电极及各负电极连接,用于根据用户选择的工作模式,控制各正电极及各负电极的通断,以调整不同工作模式下发射射频信号的正电极与负电极间的极距,进而精准控制射频能量的作用深度,保证美容仪既能有最好的抗皱紧致提拉美容效果,又能完全规避被烫伤的风险。

Description

一种射频美容仪的目标式阵列射频电极头
技术领域
本发明涉及射频美容领域,特别是涉及一种射频美容仪的目标式阵列射频电极头。
背景技术
传统家用射频美容仪电极头的排布方式主要遵从于美观设计或者品牌形象化设计,并无实际的技术性考虑,故调节射频深度作用范围的方法仅限于射频频率的设定改变,虽然理论上调整设备所发射出的射频能量的频率可以改变射频能量的作用深度,但是由于人体皮肤的结构复杂,表皮层、基底层、真皮层的不同,决定了单单改变射频频率的方式不能够精确控制射频作用深度,理论上的深度变化在皮肤上导致作用位置不精确,使理论上的作用深度有偏差,导致美容仪使用效果不明显或存在安全隐患,且不具备在使用过程中调整射频作用靶点(如眼皮,额头,脸颊等)深度的能力。
发明内容
本发明的目的是提供一种射频美容仪的目标式阵列射频电极头,可精准控制射频能量的作用深度。
为实现上述目的,本发明提供了如下方案:
一种射频美容仪的目标式阵列射频电极头,包括:
电极头外壳,工作时与目标皮肤接触;所述电极头外壳上开设有同心的第一圆环及第二圆环;所述第二圆环的外直径小于所述第一圆环的内直径;
多个正电极,均匀设置在所述第一圆环内,用于向目标皮肤发射射频信号;
多个负电极,均匀设置在所述第二圆环内,用于向目标皮肤发射射频信号;
控制单元,分别与各正电极及各负电极连接,用于根据用户选择的工作模式,控制各正电极及各负电极的通断,以调整不同工作模式下发射射频信号的正电极与负电极间的极距。
可选地,所述工作模式包括脸颊模式、眼周模式及额头模式;
所述控制单元包括:
微处理器,用于在用户选择的工作模式为脸颊模式时,产生深频率控制信号,在用户选择的工作模式为额头模式时,产生中频率控制信号,在用户选择的工作模式为眼周模式时,产生浅频率控制信号;
电极切换部件,分别与所述微处理器、各正电极及各负电极连接,用于根据所述深频率控制信号、所述中频率控制信号或所述浅频率控制信号,控制各正电极及各负电极的通断;所述深频率控制信号下发射射频信号的正电极与负电极间的极距为d1,所述中频率控制信号下发射射频信号的正电极与负电极间的极距为d2,所述浅频率控制信号下发射射频信号的正电极与负电极间的极距为d3;d1>d2>d3
可选地,所述微处理器还与各正电极及各负电极连接;
所述微处理器还用于根据所述深频率控制信号、所述中频率控制信号或所述浅频率控制信号,控制各正电极及各负电极发射的射频信号的频率;所述深频率控制信号下正电极与负电极发射的射频信号的频率为f1,所述中频率控制信号下正电极与负电极发射的射频信号的频率为f2,所述浅频率控制信号下正电极与负电极发射的射频信号的频率为f3;f1>f2>f3
可选地,所述控制单元还包括:
平面变压器,与所述电极切换部件连接,用于对各正电极及各负电极发射的射频信号进行升压。
可选地,所述正电极的数量为12个。
可选地,所述负电极的数量为4个。
根据本发明提供的具体实施例,本发明公开了以下技术效果:在电极头外壳上开设同心的第一圆环及第二圆环,且第二圆环的外直径小于第一圆环的内直径,多个正电极均匀设置在第一圆环内,多个负电极均匀设置在第二圆环内,通过控制单元根据用户选择的工作模式控制各正电极及各负电极的通断,以调整不同工作模式下发射射频信号的正电极与负电极间的极距,进而精准控制射频能量的作用深度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明射频美容仪的目标式阵列射频电极头的结构示意图;
图2为目标式阵列射频电极头的使用过程的流程图;
图3为在脸颊处使用美容仪的示意图;
图4为脸颊模式下各电极的通断及射频频率的示意图;
图5为额头处使用美容仪的示意图;
图6为额头模式下各电极的通断及射频频率的示意图;
图7为在眼周处使用美容仪的示意图;
图8为眼周模式下各电极的通断及射频频率的示意图。
符号说明:
第一圆环-1,第二圆环-2,正电极-3,负电极-4,控制单元-5,微处理器-51,电极切换部件-52,平面变压器-53。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种射频美容仪的目标式阵列射频电极头,通过设置圆形点阵式的射频电极头,并根据用户选择的工作模式控制各正电极及各负电极的通断,可以精确分层,使能量到达皮肤最精确的层级,优先加热最需要的层级,保证美容仪既能有最好的抗皱紧致提拉美容效果,又能完全规避被烫伤的风险。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
多极射频指超越双极射频正负极一一对应的工作模式。多极射频中,每一个电极分别和相邻的异性电极产生电磁场,同时每个电极的极性都在不断变化中,以产生均匀的能量分布。同时单独调节射频频率可以从理论上控制射频的穿透深度。低频射频技术的一个显著特征是穿透深度为两个电极之间间距的一半,在不改变设频频率的情况下,可以根据射频作用深度的需求来改变电极之间的间距,从而达到调整射频作用深度的目的。本发明采用多级射频的方式实现射频美容。
如图1所示,本发明射频美容仪的目标式阵列射频电极头包括:电极头外壳、多个正电极3、多个负电极4及控制单元5。
其中,电极头外壳工作时与目标皮肤接触。所述电极头外壳上开设有同心的第一圆环1及第二圆环2。所述第二圆环2的外直径小于所述第一圆环1的内直径。
多个正电极3均匀设置在所述第一圆环1内。各正电极3用于向目标皮肤发射射频信号。在本实施例中,所述正电极3的数量为12个。
多个负电极4均匀设置在所述第二圆环2内。各负电极4用于向目标皮肤发射射频信号。在本实施例中,所述负电极4的数量为4个。各正电极及各负电极均与电源连接。
控制单元5分别与各正电极3及各负电极4连接,控制单元5用于根据用户选择的工作模式,控制各正电极3及各负电极4的通断,以调整不同工作模式下发射射频信号的正电极3与负电极4间的极距。具体地,工作模式包括脸颊模式、眼周模式及额头模式。
射频电极之间的间距是决定射频能量作用深度的关键因素之一,在射频频率不变的情况下,射频能量的作用靶点往往是电极间距的二分之一,因此本发明通过合理设置射频电极的分布,达成极与极之间特殊的间距设计,构成点阵状的电极头,再通过美容仪使用过程中针对面部不同位置的设定,接通、断开、调整特定电极,以改变射频能量的作用深度。
正电极3与相邻的负电极4为一对电极,本发明通过调整激发的不同间距的电极对以及调整射频频率,变换射频的作用深度,解决了单一调整射频频率导致射频能量作用深度不够精确的问题。
具体地,所述控制单元5包括:微处理器51及电极切换部件52。
其中,微处理器51用于在用户选择的工作模式为脸颊模式时,产生深频率控制信号,在用户选择的工作模式为额头模式时,产生中频率控制信号,在用户选择的工作模式为眼周模式时,产生浅频率控制信号。
电极切换部件52分别与所述微处理器51、各正电极3及各负电极4连接,电极切换部件52用于根据所述深频率控制信号、所述中频率控制信号或所述浅频率控制信号,控制各正电极3及各负电极4的通断。
其中,深频率控制信号下发射射频信号的正电极3与负电极4间的极距为d1。中频率控制信号下发射射频信号的正电极3与负电极4间的极距为d2。浅频率控制信号下发射射频信号的正电极3与负电极4间的极距为d3。d1>d2>d3
作为一种具体地实施方式,电极切换部件52为电极切换开关。
为了进一步使射频能量聚焦于最理想的作用深度,所述微处理器51还与各正电极3及各负电极4连接。所述微处理器51还用于根据所述深频率控制信号、所述中频率控制信号或所述浅频率控制信号,控制各正电极3及各负电极4发射的射频信号的频率。
其中,深频率控制信号下正电极3与负电极4发射的射频信号的频率为f1。中频率控制信号下正电极3与负电极4发射的射频信号的频率为f2。浅频率控制信号下正电极3与负电极4发射的射频信号的频率为f3。f1>f2>f3
本发明结合射频频率调整功能,在单单调整电极间距不能使射频能量精确聚焦的情况下,通过射频频率的动态调整,可以使过深或者过浅的射频能量聚焦于最理想的作用深度。
进一步地,所述控制单元5还包括平面变压器53。所述平面变压器53与电极切换部件52及微处理器51连接,所述平面变压器53用于对各正电极3及各负电极4发射的射频信号进行升压。
本发明在家用射频美容仪中配置多对电极及微处理器,根据设置好的各面部部位射频的作用深度范围,激活不同的电极对,调整至适配的射频频率,保证美容仪在脸部不同部位如额头、脸颊或眼周时,作用至最合理的皮肤深度,保证美容仪能有最好的抗皱紧致提拉美容效果,合理控制电极的激活状态,在延长电池续航的同时规避使用风险,避免被烫伤,同时节约成本,可以在家用小型射频美容仪上使用。
为了更好的理解本发明的方案,如图2所示,下面结合目标式阵列射频电极头的使用过程进一步进行说明。
步骤1:用户启动美容仪,美容仪内部微处理器控制仪器自检。
步骤2:通过仪器自检后,用户在脸部、额头、眼周三种工作模式中选择当前使用模式。
步骤3:如果用户选择脸颊模式,即脸部护理,如图3所示,则微处理器控制电极切换开关启动穿透深度为深的电极对。脸颊模式下电极正负极的分配情况如图4所示,内圈2个电极作为负极工作,外圈4个电极作为正极工作,未分配正负极的电极不启动。正负电极对之间的间距为d1
美容仪工作时,微处理器控制射频发射模块,发射穿透深度为深的射频信号(信号频率为f1),该信号经过平面变压器后升压后,再经过选通的正负电极发出,使射频能量聚焦于皮下d1/2的深度。由于脸颊皮肤阻抗大,射频能量的聚焦位置x1<d1/2。
步骤4:如果用户选择额头模式,即额头护理,如图5所示,则微处理器控制电极切换开关启动穿透深度为中的电极对。额头模式下电极正负极的分配情况如图6,内圈4个电极作为负极工作,外圈8个电极作为正极工作,未分配正负极的电极不启动。正负电极对之间的间距为d2
美容仪工作时,微处理器控制射频发射模块,发射穿透深度为浅的射频信号(信号频率为f2),该信号经过平面变压器后升压后,再经过选通的正负电极发出,使射频能量聚焦于皮下d2/2的深度。由于额头皮肤阻抗小于脸部皮肤阻抗,射频能量聚焦位置x2<d2/2,且d1>d2
步骤5:如果用户选择眼周模式,即眼周护理,如图7所示,则微处理器控制电极切换开关启动穿透深度为浅的电极对。眼周模式下电极正负极的分配情况如图8,内圈4个电极作为负极工作,外圈4个电极作为正极工作,未分配正负极的电极不启动。正负电极对之间的间距为d3
美容仪工作时,微处理器控制射频发射模块,发射穿透深度为中的射频信号(信号频率为f3),该信号经过平面变压器后升压后,再经过选通的正负电极发出,使射频能量聚焦于皮下d3/2的深度。由于眼周皮肤阻抗小,射频能量聚焦位置x3>d3/2,且d1>d2>d3
其中,三种射频信号的频率大小关系为:f1>f2>f3
步骤6:用户完成全面部所有位置区域的治疗。
步骤7:美容仪关机,结束。
本发明使用圆形点阵式射频电极头,完全覆盖了皮肤理疗、治疗、脂肪消融、胶原蛋白加热所需射频作用的范围,结合射频频率的调整,可以精确分层,使能量到达皮肤最精确的层级,优先加热最需要的层级。通过调整激发的电极组以及调整射频的射频频率变换射频作用深度,解决了单一调整设频频率导致射频能量作用深度不够精确的问题。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (6)

1.一种射频美容仪的目标式阵列射频电极头,其特征在于,所述射频美容仪的目标式阵列射频电极头包括:
电极头外壳,工作时与目标皮肤接触;所述电极头外壳上开设有同心的第一圆环及第二圆环;所述第二圆环的外直径小于所述第一圆环的内直径;
多个正电极,均匀设置在所述第一圆环内,用于向目标皮肤发射射频信号;
多个负电极,均匀设置在所述第二圆环内,用于向目标皮肤发射射频信号;
控制单元,分别与各正电极及各负电极连接,用于根据用户选择的工作模式,控制各正电极及各负电极的通断,以调整不同工作模式下发射射频信号的正电极与负电极间的极距。
2.根据权利要求1所述的射频美容仪的目标式阵列射频电极头,其特征在于,所述工作模式包括脸颊模式、眼周模式及额头模式;
所述控制单元包括:
微处理器,用于在用户选择的工作模式为脸颊模式时,产生深频率控制信号,在用户选择的工作模式为额头模式时,产生中频率控制信号,在用户选择的工作模式为眼周模式时,产生浅频率控制信号;
电极切换部件,分别与所述微处理器、各正电极及各负电极连接,用于根据所述深频率控制信号、所述中频率控制信号或所述浅频率控制信号,控制各正电极及各负电极的通断;所述深频率控制信号下发射射频信号的正电极与负电极间的极距为d1,所述中频率控制信号下发射射频信号的正电极与负电极间的极距为d2,所述浅频率控制信号下发射射频信号的正电极与负电极间的极距为d3;d1>d2>d3
3.根据权利要求2所述的射频美容仪的目标式阵列射频电极头,其特征在于,所述微处理器还与各正电极及各负电极连接;
所述微处理器还用于根据所述深频率控制信号、所述中频率控制信号或所述浅频率控制信号,控制各正电极及各负电极发射的射频信号的频率;所述深频率控制信号下正电极与负电极发射的射频信号的频率为f1,所述中频率控制信号下正电极与负电极发射的射频信号的频率为f2,所述浅频率控制信号下正电极与负电极发射的射频信号的频率为f3;f1>f2>f3
4.根据权利要求2所述的射频美容仪的目标式阵列射频电极头,其特征在于,所述控制单元还包括:
平面变压器,与所述电极切换部件连接,用于对各正电极及各负电极发射的射频信号进行升压。
5.根据权利要求1所述的射频美容仪的目标式阵列射频电极头,其特征在于,所述正电极的数量为12个。
6.根据权利要求1所述的射频美容仪的目标式阵列射频电极头,其特征在于,所述负电极的数量为4个。
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