CN115276585A - 一种共模滤波器及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种共模滤波器及电子设备，共模滤波器包括介质层以及位于介质层中的第一绕组和第二绕组，第一绕组包括层叠设置的第一线圈和第二线圈，第一线圈和第二线圈电连接，第二绕组包括层叠设置的第三线圈和第四线圈，第三线圈和第四线圈电连接，第三线圈位于第一线圈和第二线圈之间，第二线圈位于第三线圈和第四线圈之间。第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈中，至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线之间具有预设的距离，这样有效的减小绕组层间的分布电容，使共模滤波器具有较低的模态转换损耗，提升共模滤波器的平衡性和模态转换性能，从而保证传输质量，避免了传输乱码等现象的发生。

Description

一种共模滤波器及电子设备

技术领域

本申请涉及通信技术领域，特别涉及一种共模滤波器及电子设备。

背景技术

移动终端设备中，广泛采用MIPI(Mobile Industry Processoer Interference：移动设备行业处理器接口)D-PHY和C-PHY协议作为连接主IC芯片与多媒体器件(LCD、Camera)等的数据传输标准，D-PHY标准中，采用两根差分线传输高速信号的方式。而为降低终端设备中如天线等的共模信号的辐射干扰，共模滤波器可以滤除共模噪声，使差模高速信号不致引起失真。随着高速信号接口的进一步高速化，对共模滤波器的平衡性需求逐渐增大，以避免更多的共模噪声转换成差模噪声叠加到差分信号上，而极大恶化信号的传输质量。

目前，传统的共模滤波器采用分层绕线的方式，具体的，包括有多层介质层、第一绕组线圈和第二绕组线圈，其中第一绕组线圈包括形成于第一介质层上的第一线圈和形成于第二介质层上的第二线圈，第二绕组线圈包括形成于第三介质层上的第二线圈和形成于第四介质层上的第三线圈，其中，第三线圈位于第一线圈和第二线圈之间，第二线圈位于第三线圈和第四线圈之间，第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈均在竖直的方向上正对设置，即第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈的中心线重合，相邻两线圈中，其中一线圈位于另一线圈的正上方或正下方。第一线圈和第二线圈电连接，第三线圈和第四线圈电连接。第一线圈和第三线圈耦合形成一滤波单元，第二线圈和第四线圈耦合形成一滤波单元，两滤波单元串联，达到去除共模噪声的作用。

然而，上述的共模滤波器第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈正对设置，会导致不同电位差绕组之间分布电容的增加，增大滤波器的模态转换损耗，降低共模滤波器的平衡性，影响信号传输质量。

发明内容

本申请提供一种共模滤波器及电子设备，解决了现有的共模滤波器模态转换损耗较大导致平衡性降低而影响信号传输质量的问题。

本申请的第一方面提供一种共模滤波器，包括：介质层，位于介质层中的第一绕组和第二绕组；

所述第一绕组包括层叠设置的第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和所述第二线圈电连接，所述第二绕组包括层叠设置的第三线圈和第四线圈，所述第三线圈和所述第四线圈电连接，所述第三线圈位于所述第一线圈和所述第二线圈之间，所述第二线圈位于所述第三线圈和所述第四线圈之间，且相邻两个线圈之间均具有所述介质层；

所述第一线圈、所述第二线圈、所述第三线圈和所述第四线圈中，至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线之间具有预设的距离，其中，线圈的中心线沿着所述介质层的高度方向延伸且经过所述线圈的绕线中心，也就是说，至少一个线圈的中心线和相邻线圈的中心线不重合，而是至少部分错位使两者之间具有一定的预设距离。

这样使至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线相对偏移，至少一个线圈中的每一匝与相邻线圈中对应的每一匝的位置不正对，而是相对偏移设置，能够有效的减小第一绕组和第二绕组层间的分布电容，使共模滤波器具有较低的模态转换损耗，更高的共模抑制带宽，提升共模滤波器的平衡性和模态转换性能。

在一种可能的实现方式中，所述至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线在第一方向上具有预设的第一偏移距离，所述第一方向与所述介质层的宽度方向平行。也即在第一方向上，第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈中至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线之间具有第一偏移距离，从而使相邻两线圈的中心线不重合而相互偏移，实现两线圈之间的偏移设置。

在一种可能的实现方式中，所述至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线在第二方向上具有预设的第二偏移距离，所述第二方向与所述介质层的高度方向、所述第一方向均垂直。也即在第二方向上，第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈中至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线之间具有第二偏移距离，从而使相邻两线圈的中心线不重合相互偏移，以实现线圈之间的偏移设置。

在一种可能的实现方式中，所述第三线圈的中心线与所述第一线圈的中心线之间具有预设的距离，所述第四线圈的中心线与所述第二线圈的中心线之间具有预设的距离；

且所述第一线圈的中心线与所述第二线圈的中心线重合，所述第三线圈的中心线与所述第四线圈的中心线重合。这样可以在保证线圈的偏移设置不影响共模滤波器其他性能的基础上，更好的提升共模滤波器的模态转换性能和平衡性，保证共模滤波器的性能。

在一种可能的实现方式中，所述第三线圈的中心线与所述第一线圈的中心线之间具有预设的距离，所述第二线圈的中心线与所述第四线圈的中心线之间具有预设的距离；

且所述第二线圈的中心线与所述第三线圈的中心线重合，所述第一线圈的中心线与所述第四线圈的中心线重合。

在一种可能的实现方式中，所述第一线圈、所述第二线圈、所述第三线圈和所述第四线圈均包括至少两匝，且相邻两匝之间的距离均相等；

所述第一偏移距离和所述第二偏移距离均等于所述相邻两匝之间的距离的一半。这样可以保证第一绕组和第二绕组能够获得同样的耦合，进一步提升共模滤波器的平衡性和模态转换性能。

在一种可能的实现方式中，所述第三线圈绕线中心与所述第二线圈绕线中心之间具有预设的拉远距离，所述拉远距离大于所述第三线圈绕线中心与所述第一线圈绕线中心、所述第二线圈绕线中心与所述第四线圈绕线中心之间的距离。也即拉远了第三线圈与第二线圈之间的距离，使其具有相对较大的拉远距离，这样可以减小绕组之间的耦合对平衡性的影响，减少特性阻抗波动和分布电容，以及第三线圈、第二线圈与铁氧体弱耦合导致阻抗跌落的影响，提升共模滤波器的插入损耗、回波损耗及平衡性能。

在一种可能的实现方式中，所述第一线圈和所述第三线圈的长度相等；

所述第二线圈和所述第四线圈的长度相等。这样可以实现第一绕组与第二绕组之间信号传输的零时延差，进一步有效的降低信号在共模滤波器上的模式转换损耗，提升共模滤波器的模态转换性能和平衡性。

在一种可能的实现方式中，还包括：第一衬底和第二衬底，所述介质层位于所述第一衬底和所述第二衬底之间，所述第一线圈靠近所述第一衬底设置，所述第四线圈靠近所述第二衬底设置；

所述第一衬底包括第一部分和第二部分，其中，所述第一线圈的进线端子和所述第三线圈的进线端子中至少一个的端部在所述第一衬底上的投影位于所述第二部分内，所述第一部分的成型材质为磁性材料，所述第二部分的成型材质为非磁性材料。这样就可以避免磁性材料对进线端子阻抗的影响，降低进线端子处的阻抗，使得绕组阻抗趋于一致，从而降低共模滤波器的回波损耗，进一步提升共模滤波器的平衡性能。

在一种可能的实现方式中，所述第二衬底包括第三部分和第四部分，其中，所述第二线圈的出线端子和所述第四线圈的出线端子中至少一个的端部在所述第二衬底上的投影位于所述第四部分内，所述第三部分的成型材质为磁性材料，所述第四部分的成型材质为非磁性材料。这样可以避免磁性材料对出线端子阻抗的影响，降低出线端子处的阻抗，使得绕组阻抗趋于一致，从而降低共模滤波器的回波损耗，进一步提升平衡性能。

在一种可能的实现方式中，还包括位于介质层两侧的第一电极端子和第二电极端子，所述第一电极端子与所述第一线圈的进线端子电连接，所述第二线圈的出线端子与所述第二电极端子电连接，所述第一电极端子和所述第二电极端子的两端均分别搭接在所述第一衬底和所述第二衬底上；

还包括位于介质层两侧的第三电极端子和第四电极端子，所述第三电极端子与所述第三线圈的进线端子电连接，所述第四线圈的出线端子与所述第四电极端子电连接，所述第三电极端子和所述第四电极端子的两端均分别搭接在所述第一衬底和所述第二衬底上。

在一种可能的实现方式中，还包括第一过孔和第二过孔；所述第一线圈为由外至内绕设形成，所述第二线圈为由内至外绕设形成，所述第一线圈的出线端子与所述第二线圈的进线端子通过所述第一过孔连接；

所述第三线圈为由外至内绕设形成，所述第四线圈为由内至外绕设形成，所述第三线圈的出线端子与所述第四线圈的进线端子通过所述第二过孔连接。

本申请的第二方面提供一种电子设备，至少包括上述任一所述的滤波器。这样由于该滤波器中至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线之间具有预设的距离，使至少一个线圈中的每一匝与相邻线圈中对应的每一匝的位置不正对，而是相对偏移设置，能够有效的减小第一绕组和第二绕组层间的分布电容，使共模滤波器具有较低的模态转换损耗，更高的共模抑制带宽，提升共模滤波器的平衡性和模态转换性能，有效的提升了电子设备的传输质量，避免了传输乱码等现象的发生，提升电子设备的性能。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种共模滤波器的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种共模滤波器的侧视结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种共模滤波器的俯视结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种共模滤波器的透视结构示意图；

图5为图3中沿A-A剖面的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的一种共模滤波器中绕组的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的一种共模滤波器中绕组的俯视结构示意图；

图7a为本申请实施例提供的一种第一线圈的结构示意图；

图7b为本申请实施例提供的一种第三线圈的结构示意图；

图7c为本申请实施例提供的一种第二线圈的结构示意图；

图7d为本申请实施例提供的一种第四线圈的结构示意图；

图8为现有的一种共模滤波器中绕组的剖面结构示意图；

图9为图7中的绕组沿B-B剖面的结构示意图；

图10为本申请实施例提供的另一种绕组沿如图7中B-B剖面的结构示意图；

图11为本申请实施例提供的又一种绕组沿如图7中B-B剖面的结构示意图；

图12为本申请实施例提供的一种共模滤波器内部的部分透视结构示意图；

图13为本申请实施例提供的一种共模滤波器内部的侧视结构示意图；

图14为本申请实施例提供的一种共模滤波器的差模插入损耗特性表征图；

图15为本申请实施例提供的一种共模滤波器的共模插入损耗特性表征图；

图16为本申请实施例提供的一种共模滤波器的模态转换损耗特性表征图；

图17为本申请实施例提供的一种共模滤波器的回波损耗特性表征图。

附图标记说明：

100-共模滤波器； 10-第一衬底； 10a-第一部分；

10b-第二部分； 20-第二衬底； 20a-第三部分；

20b-第四部分； 30-第一绕组； 31-第一线圈；

32-第二线圈； 33-第一电极端子； 34-第二电极端子；

40-第二绕组； 41-第三线圈； 42-第四线圈；

43-第三电极端子； 44-第四电极端子； 50-介质层；

51-第一过孔； 52-第二过孔。

具体实施方式

本申请的实施方式部分使用的术语仅用于对本申请的具体实施例进行解释，而非旨在限定本申请。

电子设备中，多媒体器件如显示面板、摄像头等与电路板上芯片之间的数据传输，或者，设备与外界传输使用的USB接口等，多采用两根差分线的方式实现高速信号的传输。而电子设备中的天线等所用的共模信号，会耦合至高速接口并通过模态转换叠加到高速信号上，使高速传输信号引发误码，如导致使用摄像头时产生花纹，不清晰等，或者是，设备显示模组出现花屏、花纹等导致显示不清晰等问题。

因此，为保证信号的传输质量，在电子设备中通常会设置共模滤波器，如在电路板上实现芯片与多媒体器件间连接的数据接口处可以设置有共模滤波器，以去除在数据传输中的共模噪声，而对必要的差模信号具有小的阻抗，从而使信号不会失真。

而随着高速信号接口的进一步高速化，如在4G、5G等高频高速的应用场景下，共模噪声的频率逐渐升高，对共模滤波器的模态转换性能，也即平衡性能需求逐渐增大。其中，模态转换性能越好，共模噪声与差模信号之间的转换效率越低，器件的平衡性能越好，共模滤波器具有更好的滤波性能。

其中，共模滤波器主要通过线圈之间的耦合来实现滤波，传统的共模滤波器主要采用分层绕线的方案，如在第一介质层中形成第一线圈，第二介质层中形成第二线圈，第一线圈和第二线圈连接。第三介质层中形成第三线圈，第四介质层中形成第四线圈，第三线圈和第四线圈连接，其中，第三线圈位于第一线圈和第二线圈之间，第二线圈位于第三线圈和第四线圈之间，且第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈正对设置，也即，第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈的中心线(沿着介质层高度方向延伸并经过绕线中心)重合，第三线圈的每匝线圈对应的位于第一线圈中每匝线圈正下方，第二线圈的每匝线圈对应的位于第三线圈中每匝线圈的正下方，第四线圈的每匝线圈对应的位于第二线圈中每匝线圈的正下方。第一线圈和第三线圈耦合形成一滤波单元，第二线圈和第四线圈耦合形成一滤波单元，两滤波单元串联，达到去除共模噪声的作用。

上述的共模滤波器，由于各线圈之间正对设置的方式，会导致不同点位差绕组之间分布电容增加，增大滤波器的模态转换损耗，降低其模态转换性能，导致共模滤波器的平衡性降低，影响信号传输质量。

基于上述问题，本申请实施例提供一种共模滤波器及电子设备，该电子设备可以包括但不限于为手机、平板电脑、笔记本电脑、超级移动个人计算机(ultra-mobilepersonal computer，UMPC)、手持计算机、对讲机、上网本、POS机、个人数字助理(personaldigital assistant，PDA)、可穿戴设备、智能电视、虚拟现实设备等包括有共模滤波器的固定终端或移动终端。

其中，共模滤波器可以设置在电子设备的电路板上，并通过焊接连接等方式，实现与电路板之间的电连接。

以下结合附图，对本申请实施例提供的共模滤波器详细的说明。

图1为本申请实施例提供的一种共模滤波器的结构示意图，图2为本申请实施例提供的一种共模滤波器的侧视结构示意图，图3为本申请实施例提供的一种共模滤波器的俯视结构示意图，图4为本申请实施例提供的一种共模滤波器的透视结构示意图，图5为图3中沿A-A剖面的结构示意图。

参见图1和图2所示，该共模滤波器100包括第一衬底10、第二衬底20和介质层50，介质层50位于第一衬底10和第二衬底20之间，如介质层50可以位于第二衬底20上，第一衬底10位于介质层50上。其中，介质层50的成型材质可以包括绝缘介质材料，具体的，可以是陶瓷介电材料、聚酰亚胺(Polyimide；PI)等。第一衬底10和第二衬底20的成型材质可以均包括磁性基材，如铁氧体等，或者，也可以包括非磁性基材，如玻璃、陶瓷介质、聚酰亚胺介质等。

结合图3所示，该共模滤波器100还包括分别位于介质层两侧的第一电极端子33和第二电极端子34，以及分别位于介质层两侧的第三电极端子43和第四电极端子44，第一电极端子33和第二电极端子34可以相对设置，第三电极端子43和第四电极端子44可以相对设置，第一电极端子33和第三电极端子43位于介质层50的同一侧，第二电极端子34和第四电极端子44位于介质层50的同一侧。第一电极端子33、第二电极端子34、第三电极端子43和第四电极端子44的两端均分别搭接在第一衬底10和第二衬底20上。

第一电极端子33、第二电极端子34、第三电极端子43以及第四电极端子44可以与电子设备的电路板电连接。在介质层50中可以设置有第一绕组30和第二绕组40，第一电极端子33和第二电极端子34可以分别与第一绕组30的进线端和出线端连接，从而通过第一电极端子33和第二电极端子34实现第一绕组30的电连接。相应的，第三电极端子43和第四电极端子44可以分别与第二绕组40的进线端和出线端连接，从而通过第三电极端子43和第四电极端子44实现第二绕组40的电连接。

应当理解的是，在介质层50中可以设置有两个及两个以上的第一绕组30和第二绕组40，本申请实施例以及附图中，以介质层50中分别设置有一第一绕组30和一第二绕组40为例进行说明。

具体的，参见图4和图5所示，第一绕组30可以包括第一线圈31和第二线圈32，第一线圈31和第二线圈32层叠设置，且第一线圈31和第二线圈32电连接，第二绕组40可以包括第三线圈41和第四线圈42，第三线圈41和第四线圈42层叠设置，且第三线圈41和第四线圈42电连接，其中，第三线圈41位于第一线圈31和第二线圈32之间，第二线圈32位于第三线圈41和第四线圈42之间，且相邻的两个线圈之间均具有介质层50。

其中，参见图4，介质层的高度方向与图中的z方向平行，介质层的高度方向还与线圈的层叠方向相互平行。介质层的宽度方向与图中的x方向平行，介质层的长度方向与图中的y方向平行。

第一线圈31可以靠近第一衬底10设置，第四线圈42可以靠近第二衬底20设置，也就是说，沿着层叠方向，或沿着图中的z方向，结合图5所示，以第一线圈31在介质层50中形成L1层为例，从上至下，则第三线圈41在介质层50中形成L2层，第二线圈32在介质层50中形成L3层，第四线圈42在介质层50中形成L4层，这样第一线圈31和第三线圈41在层叠方向上发生耦合形成一滤波单元，第二线圈32和第四线圈42在层叠方向上发生耦合形成一滤波单元，两滤波单元串联，实现了共模滤波器100的滤波功能。

图6为本申请实施例提供的一种共模滤波器中绕组的结构示意图，图7为本申请实施例提供的一种共模滤波器中绕组的俯视结构示意图，图7a为本申请实施例提供的一种第一线圈的结构示意图，图7b为本申请实施例提供的一种第三线圈的结构示意图，图7c为本申请实施例提供的一种第二线圈的结构示意图，图7d为本申请实施例提供的一种第四线圈的结构示意图。

继续参见图5所示，介质层50中具有第一过孔51和第二过孔52，结合图6和图7所示，第一电极端子33与第一线圈31电连接，第一线圈31的出线端子31a通过第一过孔51与第二线圈32电连接，第二线圈32与第二电极端子34电连接，实现第一绕组30的电连接。

相应的，第三电极端子43与第三线圈41电连接，第三线圈41的出线端子41a通过第二过孔52与第四线圈42电连接，第四线圈42与第四电极端子44电连接，实现第二绕组40的电连接。

其中，参见图7a至图7d所示，在第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42叠加形成绕组时，结合图6所示，从上到下为例，第一线圈31形成L1层，第三线圈41位于第一线圈31下方形成L2层，第二线圈32位于第三线圈41下方形成L3层，第四线圈42位于第二线圈32下方形成L4层。

本申请实施例中，以第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42均包括至少两匝，即以至少绕设有两圈为例，四个线圈中，相邻两匝之间的距离均相等，也即在绕设过程中，相邻两匝之间的间距相等，以第一线圈31为例，相邻两匝之间的间距指的是第一匝的中心位置与第二匝的中心位置之间的距离。

其中，参见图7a所示，第一线圈31为线圈由外至内绕设形成的，第一线圈31的一端具有进线端子31b，第一线圈31的另一端具有出线端子31a。参见图7c所示，第二线圈32为线圈由内至外绕设形成的，第二线圈32的一端具有进线端子32a，第二线圈32的另一端具有出线端子32b。第一过孔51位于第一线圈31和第二线圈32的内圈。

结合图6和图7所示，第一线圈31的进线端子31b可以与第一电极端子33电连接，第一线圈31的出线端子31a与第二线圈32的进线端子32a通过第一过孔51电连接，第二线圈32的出线端子32b可以与第二电极端子34电连接，从而实现第一线圈31和第二线圈32的电连接。

参见图7b所示，第三线圈41为线圈由外至内绕设形成的，第三线圈41的一端具有进线端子41b，第三线圈41的另一端具有出线端子41a。参见图7d所示，第四线圈42为线圈由内至外绕设形成的，第四线圈42的一端具有进线端子42a，第四线圈42的另一端具有出线端子42b。第二过孔52位于第三线圈41和第四线圈42的内圈。

结合图7所示，第三线圈41的进线端子41b可以与第三电极端子43电连接，第三线圈41的出线端子41a通过第二过孔52与第四线圈42的进线端子42a电连接，第四线圈42的出线端子42b可以与第四电极端子44电连接，从而实现第三线圈41和第四线圈42的电连接。

其中，第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41以及第四线圈42的宽度可根据实际需求选择设定，如本申请实施例中，线圈宽度可以为0.02mm。结合图5和图7所示，形成的共模滤波器100的长(L)、宽(W)以及高(H)可以分别为0.85mm、0.65mm以及0.35mm。需要说明的是，本申请实施例涉及的数值为近似值，受制造工艺的影响，可能会存在一定范围的误差，这部分误差本领域技术人员可以认为忽略不计。

图8为现有的一种共模滤波器中绕组的剖面结构示意图。

参见图8所示，现有的共模滤波器中，第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42层叠，以第一线圈31形成L1层，位于其下方的第三线圈41形成L2层，位于第三线圈41下方的第二线圈32形成L3层，位于第二线圈32下方的第四线圈42形成L4层。同时第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42对位设置。

第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42的绕线中心正对设置，其中，线圈的绕线中心指线圈绕线所环绕的中心，以经过线圈绕线中心并沿着该线圈所在介质层高度方向延伸的直线为线圈的中心线，也就是说，第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42的中心线是相互重合的。参照图3所示，以第一电极端子33、第二电极端子34、第三电极端子43和第四电极端子44组成的矩形的中心为共模滤波器件的中心，以经过该中心并沿着介质层高度方向延伸的直线为器件的中心线，现有的共模滤波器中，第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42的中心线与器件的中心线相重合。

也就是说，第一线圈31的每一匝与第二线圈32对应的每一匝、第三线圈41中对应的每一匝以及第四线圈42中对应的每一匝的位置正对。如第一线圈31的第一匝311、第三线圈41的第一匝411、第二线圈32的第一匝321以及第四线圈42的第一匝421均正对设置。

换句话说，第三线圈41的第一匝411位于第一线圈31的第一匝311的正下方，第二线圈32的第一匝321位于第三线圈41的第一匝411的正下方，第四线圈42的第一匝421位于第二线圈32的第一匝321的正下方，相应的可推导至其他匝的设置。

层叠的线圈每匝对位设置的方式，会产生较大的绕组间分布电容，导致对高频噪声的抑制作用较差，增大滤波器的模态转换损耗，从而降低滤波器的平衡性，不利于信号传输质量。

图9为图7中的绕组沿B-B剖面的结构示意图，图10为本申请实施例提供的另一种绕组沿如图7中B-B剖面的结构示意图，图11为本申请实施例提供的又一种绕组沿如图7中B-B剖面的结构示意图。

本申请实施例中，第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42中，至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线之间具有预设的距离，其中，线圈的中心线沿着介质层的高度方向延伸且经过线圈的绕线中心，因此，各线圈的中心线相互平行，相邻两线圈的中心线之间的距离指两平行线之间的距离。

也就是说，至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线不重合，而是至少部分错位使两者之间具有一定的预设距离。这样就会使第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42中至少一个线圈相对相邻的线圈发生偏移，至少一个线圈中的每一匝与相邻线圈中对应的每一匝的位置并不正对，以线圈的第一匝为例，至少一个线圈的第一匝与相邻线圈的第一匝不处于正对的位置，不处于正下方或正上方，而是发生相对偏移而错开。

具体的，结合图7和图9所示，以第三线圈41的中心线与第一线圈31的中心线之间具有预设的距离为例，第三线圈41的第一匝411并不位于第一线圈31的第一匝311的正下方，而是位于斜下方，如相当于，在第三线圈41的中心线和第一线圈31的中心线相重合设置的基础上，将第三线圈41可以沿着图9中x方向相对第一线圈31偏移，从而使第三线圈41的中心线与第一线圈31的中心线之间形成预设的距离，从而实现第三线圈41和第一线圈31的偏移错位，相应的可推导至其他匝的设置。

这样使至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线之间具有预设的距离，就能够使至少一个线圈中的每一匝与相邻线圈中对应的每一匝的位置不正对，而是相对偏移设置，能够有效的减小第一绕组30和第二绕组40层间的分布电容，使共模滤波器100具有较低的模态转换损耗，更高的共模抑制带宽，提升共模滤波器100的平衡性和模态转换性能。

其中，至少一个线圈的中心线可以与相邻线圈的中心线在第一方向上具有预设的第一偏移距离，也即在第一方向上，第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42中至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线在之间具有预设的第一偏移距离，从而使两线圈的中心线不重合而相互偏移，实现两线圈之间的偏移设置。

结合图4所示，第一方向与介质层的宽度方向平行，如图4和图7中的x方向，以线圈绕设成矩形形状时为例，第一方向也可以与矩形线圈的宽度方向平行，图7中与介质层高度方向平行的方向(z方向)为垂直于纸面的方向。

使至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线在第一方向，即x方向上具有预设的第一偏移距离，可以是在两线圈的中心线重合设置的基础上，将至少一个线圈在x方向上偏移预设的第一偏移距离。

具体的，以图9中，在x方向上，第三线圈41的中心线与第一线圈31的中心线之间具有预设的第一偏移距离为例，这样第三线圈41的每一匝与第一线圈31中对应的每一匝就不处于正对的位置，而是在x方向上具有预设的第一偏移距离，即第三线圈41的每一匝在第一平面上的投影与第一线圈31中对应的每一匝在第一平面上的投影，两投影之间在x方向上具有第一偏移距离(第三线圈41的第一匝411与第一线圈31的第一匝311中心之间的距离，即图中的距离l)，其中，第一平面为于介质层所在平面平行的平面。如第一线圈31的第一匝311与第三线圈41的第一匝411不处于正对的位置，相应的可推导至其他匝的设置，这样也就使第三线圈41相对于第一线圈31偏移设置。

其中，需要说明的是，在x方向上具有预设的第一偏移距离，可以是+x，也可以是-x，也即在两线圈中心线重合设置的基础上，至少一个线圈可以相对相邻线圈朝向左或朝向右移动，从而使相邻两线圈的中心线之间具有预设的第一偏移距离。

至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线在第二方向上还可以具有预设的第二偏移距离，也就是说，在第二方向上，第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42中至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线之间具有预设的第二偏移距离，从而使两线圈的中心线不重合而是相互偏移设置，以实现线圈之间的偏移设置。

其中，第二方向与介质层的高度方向、第一方向均垂直，则第二方向与介质层的长度方向平行，如图7中的y方向，以线圈绕设成矩形形状为例，第二方向也与矩形线圈的长度方向平行。

使至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线在第二方向，即y方向上具有预设的第二偏移距离，可以是在两线圈的中心线重合设置的基础上，将至少一个线圈在y方向上偏移了预设的第二偏移距离。

如以在y方向上，第三线圈41的中心线与第一线圈31的中心线之间具有预设的第二偏移距离为例，这样第三线圈41的每一匝与第一线圈31中对应的每一匝就不处于正对的位置，而是在y方向上具有预设的第二偏移距离，即第三线圈41的每一匝在第一平面上的投影与第一线圈31中对应的每一匝在第一平面上的投影，两投影之间在y方向上具有第二偏移距离。如使第三线圈41的第一匝411与第一线圈31的第一匝311不处于正对的位置，相应的可推导至其他匝的设置，也就使第三线圈41相对于第一线圈31偏移设置。

其中，需要说明的是，在y方向上具有预设的第二偏移距离，可以是+y，也可以是-y，也即至少一个线圈可以相对相邻线圈朝向上或朝向下移动，从而使相邻两线圈的中心线之间具有预设的第二偏移距离。

其中，第一线圈31和第三线圈41的长度可以相等，第二线圈32和第四线圈42的长度可以相等。这样可以实现第一绕组30与第二绕组40之间信号传输的零时延差，进一步有效的降低信号在共模滤波器100上的模式转换损耗，提升共模滤波器100的模态转换性能和平衡性。

可以使相邻两线圈的中心线之间在第一方向上具有预设的第一偏移距离，实现两线圈之间的偏移设置。或者，也可以使相邻两线圈的中心线之间在第二方向上具有预设的第二偏移距离，实现两线圈之间的偏移设置。

或者，也可以使相邻两线圈的中心线之间同时在第一方向和第二方向上具有预设的第一偏移距离和第二偏移距离，来实现两线圈之间的偏移设置，这样有助于提高线圈之间的偏移分布设置，有助于进一步减小绕组层间的分布电容，降低模态转换损耗，提升共模滤波器100的平衡性和模态转换性能。

其中，需要说明的是，使相邻两线圈中心线之间具有预设的距离以使两个线圈相对偏移时，可以是第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42中任一线圈相对于相邻的线圈发生偏移。或者也可以是任意两个或多个线圈同时相对于相邻的线圈发生偏移。另外，当相邻的线圈有两个时，如第三线圈41与第一线圈31和第二线圈32均相邻，可以只相对于其中一个线圈偏移设置，与另外一线圈对位设置，或者，也可以相对于两个相邻的线圈均偏移设置。

具体的，参见图10所示，在一种可能的实施方式中，第三线圈41的中心线与第一线圈31的中心线之间具有预设的距离，即第三线圈41的中心线和第一线圈31的中心线偏移错位设置，使第三线圈41可以相对于第一线圈31偏移。

第四线圈42的中心线与第二线圈32的中心线之间具有预设的距离，即第四线圈42的中心线和第二线圈32的中心线相互偏移错位，使第四线圈42相对于第二线圈32偏移设置。

而且，第一线圈31的中心线与第二线圈32的中心线重合设置，使第一线圈31与第二线圈32对位设置。第三线圈41的中心线与第四线圈42的中心线重合设置，使第三线圈41和第四线圈42对位设置。也即四层线圈层中，线圈间隔一层发生偏移，这样可以在保证线圈的偏移设置不影响共模滤波器100其他性能的基础上，更好的提升共模滤波器100的模态转换性能和平衡性，保证共模滤波器100的性能。

以各线圈的第一匝为例，第三线圈41的第一匝411与第一线圈31的第一匝311并不处于正对的位置，第三线圈41的第一匝411位于第一线圈31第一匝311的斜下方。第二线圈32的第一匝321与第四线圈42的第一匝421并不处于正对的位置，第四线圈42的第一匝421位于第二线圈32的第一匝321斜下方。

而第一线圈31的第一匝311与第二线圈32的第一匝321正对，第二线圈32的第一匝321位于第一线圈31的第一匝311的正下方，第三线圈41的第一匝411与第四线圈42的第一匝421正对，第四线圈42的第一匝421位于第三线圈41的第一匝411的正下方。以此类推至线圈其他匝。

参见图11所示，在可能的另一种实施方式中，第三线圈41的中心线与第一线圈31的中心线之间具有预设的距离，即第三线圈41的中心线和第一线圈31的中心线相互偏移错位设置，使第三线圈41可以相对于第一线圈31偏移设置。

第二线圈32的中心线与第四线圈42的中心线之间具有预设的距离，即第二线圈32的中心线和第四线圈42的中心线相互偏移错位设置，使第二线圈32可以相对于第四线圈42偏移设置。

而第二线圈32的中心线与第三线圈41的中心线重合设置，使第二线圈32与第三线圈41对位设置。第一线圈31的中心线与第四线圈42的中心线重合设置，使第一线圈31与第四线圈42对位设置。这样的设置方式也可以保证不影响共模滤波器100的其他性能，相对有效的提升共模滤波的模态转换性能的平衡性，从而保证共模滤波器100的性能。

其中，需要说明的是，相邻两线圈中心线之间的预设距离，也即第一中心线和第二中心线在第一方向上的第一偏移距离和/或第一投影和第二投影在第二方向上的第二偏移距离，与共模滤波器100的性能指标(如差模插入损耗Sdd21、共模插入损耗Scc21以及模态转换损耗Sdc21等)具有密切的关系，可根据实际需求选择设定。

具体的，第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42由线圈至少绕设两匝形成，相邻两匝之间的距离固定且相等。第一偏移距离和第二偏移距离可以均等于相邻两匝之间的距离的一半。

以两线圈中心线在x方向具有预设的第一偏移距离为例，使第一偏移距离为相邻两匝之间的距离的一半，这样就会使相对偏移的两个线圈中，其中一线圈中任一匝的中心位置，与其中另一线圈中相邻两匝之间的中心位置正对，也即其中一个线圈中任一匝的中心位置位于其中另一线圈中相邻两匝之间的中心位置的正下方或正上方，这样可以保证第一绕组30和第二绕组40能够获得同样的耦合，进一步提升共模滤波器100的平衡性和模态转换性能。

以图10和图11中线圈的偏移设置方式为例，如第三线圈41的中心线与第一线圈31的中心线之间具有第一偏移距离，第三线圈41的第一匝411的中心位置，位于第一线圈31中相邻的第一匝311和第二匝312之间的中心位置的正下方。即第三线圈41的第一匝411投影至第一线圈31所在的平面上时，第一匝411的中心位于第一线圈31的第一匝311和第二匝312之间的中心位置处，相应的可推导至其他匝。

相应的，如图10中，第四线圈42的中心线与第二线圈32的中心线之间具有第一偏移距离，第四线圈42的第一匝421的中心位置，位于第二线圈32中相邻的第一匝321和第二匝322之间的中心位置的正下方。

如图11中，第二线圈32的中心线与第四线圈42的中心线在第一方向之间具有第一偏移距离，第二线圈32的第一匝321的中心位置，位于第四线圈42中相邻的第一匝421和第二匝422之间的中心位置的正下方，相应的可推导至其他匝。

其中，需要说明的是，偏移设置的两线圈中，其中一线圈中任一匝的位置可以与另一线圈中任意相邻的两匝间的中心位置相对应，如第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42包括有多匝时，参照图11所示，以第二线圈32相对于第四线圈42偏移设置，第二线圈32的第一匝321的中心位置，也可以位于第四线圈42中相邻的第二匝422和第三匝423之间的中心位置的正下方。

继续结合图10和图11所示，可以使第三线圈41绕线中心与第二线圈32绕线中心之间具有预设的拉远距离d，该预设的拉远距离大于第三线圈41绕线中心与第一线圈31绕线中心之间的距离，也大于第二线圈32绕线中心与第四线圈42绕线中心之间的距离。其中，第一线圈31、第二线圈32、第三线圈41和第四线圈42均为平面线圈，且相互平行，也就是说，绕线中心之间的距离也可以是线圈所在平面之间的距离。

也即与现有的绕组中线圈层叠设置相比，拉远了第三线圈41与第二线圈32之间的距离，使其具有相对较大的拉远距离，这样可以减小绕组之间的耦合对平衡性的影响，减少特性阻抗波动和分布电容，并有助于降低第三线圈41、第二线圈32与磁性衬底(如铁氧体)弱耦合导致阻抗跌落的影响，提升共模滤波器100的插入损耗、回波损耗及平衡性能。

其中，需要说明的是，由于第三线圈41与第二线圈32之间的拉远距离会对整个共模滤波器100的各项性能指标影响很大，如使共模感量相应减小，削弱低频干扰抑制能力等，因此第三线圈41与第二线圈32之间的拉远距离可根据共模滤波器100的抑制能力需求、以及高度需求和平衡性等需要选择设定。

图12为本申请实施例提供的一种共模滤波器内部的部分透视结构示意图，图13为本申请实施例提供的一种共模滤波器内部的侧视结构示意图。

参照图12所示，在线圈层叠形成第一绕组30和第二绕组40后，第一线圈31的进线端子31b和第三线圈41的进线端子41b位于同一侧，相对于第一绕组30和第二绕组40中线圈的耦合而言，第一线圈31的进线端子31b与第三线圈41的进线端子41b之间呈弱耦合结构，相应的，第二线圈32的出线端子32b与第四线圈42的出线端子42b之间也呈弱耦合结构。

当第一衬底10和第二衬底20的成型材质为磁性材料时，由于磁性材料的影响，会使进线端和出线端阻抗变大，导致阻抗不连续，从而造成共模滤波器100回波损耗的恶化，影响共模滤波器100的平衡性能。

因此，参见图12所示，使第一衬底10包括第一部分10a和第二部分10b，其中，第一线圈31的进线端子31b和第三线圈41的进线端子41b中至少一个的端部在第一衬底10上的投影位于第二部分内，第二部分10b的成型材质为非磁性材料。

也就是说第一衬底10上，与第一线圈31的进线端子31b和第三线圈41的进线端子41b中至少一个的端部正对的位置处为非磁性材料，这样就可以避免磁性材料对进线端子阻抗的影响，降低进线端子处的阻抗，使得绕组阻抗趋于一致，从而降低共模滤波器100的回波损耗，进一步提升共模滤波器100的平衡性能。

具体的，可以首先使用磁性材料形成第一衬底10，然后将第一衬底10上，与第一线圈31的进线端子31b和/或第三线圈41的进线端子41b的端部正对的位置处切除，然后在切除部位填充非磁性材料，形成第二部分10b。

其中，应当理解的是，当第一线圈31的进线端子31b和第三线圈41的进线端子41b的端部在第一衬底10上的投影均位于第二部分10b内时，共模滤波器100具有更低的回波损耗，更优的平衡性能。此时，如图9中所示，可以使第一衬底10靠近第一线圈31进线端子31b和第三线圈41进线端子41b端部的一端全部切除填充非磁性材料，形成第二部分10b。

相应的，结合图13所示，第二衬底20可以包括第三部分20a和第四部分20b，其中第二线圈32的出线端子32b和第四线圈42的出线端子42b中至少一个的端部在第二衬底20上的投影位于第四部分20b内，第四部分20b的成型材质为非磁性材料。

也就是说，与第三线圈41的出线端子32b和第四线圈42的出线端子42b中至少一个端部正对的位置处为非磁性材料，可以避免磁性材料对出线端子阻抗的影响，降低出线端子处的阻抗，使得绕组阻抗趋于一致，从而降低共模滤波器100的回波损耗，进一步提升平衡性能。

第二衬底20的具体成型方式可参照第一衬底10，在使用磁性材料形成第二衬底20后，将与出线端子正对的位置处切除并填充非磁性材质，形成第四部分20b。其中，如图12中所示，可以使第二衬底20靠近出线端子端部的一端全部切除填充非磁性材料，以使两出线端子在第二衬底20上的投影均位于第四部分20b内，进一步降低共模滤波器100的回波损耗。

其中，第二部分10b和第四部分20b的成型材质为非磁性材料，具体的，可以为非磁性的绝缘介质材料，如玻璃，陶瓷介质、PI薄膜介质等，第二部分10b和第四部分20b的成型材料可以与介质层50的成型材料相同。

以下结合附图对本申请实施例提供的一种共模滤波器的模拟应用特性详细说明。

图14为本申请实施例提供的一种共模滤波器的差模插入损耗特性表征图，图15为本申请实施例提供的一种共模滤波器的共模插入损耗特性表征图，图16为本申请实施例提供的一种共模滤波器的模态转换损耗特性表征图，图17为本申请实施例提供的一种共模滤波器的回波损耗特性表征图。

其中，在共模滤波器100的应用性能模拟中，使信号从共模滤波器100的输入端口进入共模滤波器100内，并从共模滤波器100的输出端口输出信号，根据输入与输出的信号能量来衡量共模滤波器100的差模插入损耗(Sdd21)、共模插入损耗(Scc21)、模态转换损耗(Sdc21)以及回波损耗(Sdd11)等性能。

具体的，Sdd21：差模插入损耗S参数，表征从输出端口出来的差模信号能量与从输入端口进去的差模信号能量的比值，因此，Sdd21越接近0dB，表明共模滤波器100具有小的差模插入损耗。

参见图14所示，本申请实施例提供的共模滤波器100，其差模插入损耗曲线很接近0dB，说明该共模滤波器100具有较低的差模插入损耗。

Scc21：共模插入损耗S参数，表征从输出端口出来的共模噪声能量与从输入端口进去的共模噪声能量的比值，Scc21越小，表面共模滤波器100的噪声抑制能力越强，且在频段越宽处越好，表明共模滤波器100的抑制带宽大。

参见图15所示，本申请实施例提供的共模滤波器100，其在频段较宽处值越小，说明该共模滤波器100具有较大的抑制带宽，以及较强的噪声抑制能力。

Sdc21：模态转换损耗S参数，表征从输入端口进去的差模信号能量有多少转换成共模噪声能量从输出端口出来，Sdc21越小，表明共模滤波器100的模态转换效率越低，模态转换损耗越低，共模滤波器100具有更好的模态转换性能和平衡性能。

参见图16所示，本申请实施例提供的共模滤波器100，其Sdc21较小，说明该共模滤波器100具有较低的模态转换效率，具有高的模态转换性能和平衡性能。

Sdd11：回波损耗S参数，表征从输入端口进入的差模信号能量有多少被反射回输入端口出来，Sdd11越小，表面共模滤波器100具有较小的回波损耗。

参见图17所示，本申请实施例提供的共模滤波器100，其Sdd11值相对较小，该共模滤波器100具有较低的回波损耗。

在本申请实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应作广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。

术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请实施例的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请实施例进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例各实施例技术方案的范围。

Claims (13)

1.一种共模滤波器，其特征在于，包括：介质层(50)，位于介质层(50)中的第一绕组(30)和第二绕组(40)；

所述第一绕组(30)包括层叠设置的第一线圈(31)和第二线圈(32)，所述第一线圈(31)和所述第二线圈(32)电连接，所述第二绕组(40)包括层叠设置的第三线圈(41)和第四线圈(42)，所述第三线圈(41)和所述第四线圈(42)电连接，所述第三线圈(41)位于所述第一线圈(31)和所述第二线圈(32)之间，所述第二线圈(32)位于所述第三线圈(41)和所述第四线圈(42)之间，且相邻两个线圈之间均具有所述介质层(50)；

所述第一线圈(31)、所述第二线圈(32)、所述第三线圈(41)和所述第四线圈(42)中，至少一个线圈的中心线与相邻线圈的中心线之间具有预设的距离，其中，线圈的中心线沿着所述介质层的高度方向延伸且经过所述线圈的绕线中心。

2.根据权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于，所述至少一个线圈的中心线与所述相邻线圈的中心线在第一方向上具有预设的第一偏移距离，所述第一方向与所述介质层的宽度方向平行。

3.根据权利要求2所述的共模滤波器，其特征在于，所述至少一个线圈的中心线与所述相邻线圈的中心线在第二方向上具有预设的第二偏移距离，所述第二方向与所述第一方向、所述介质层的高度方向均垂直。

4.根据权利要求1-3任一所述的共模滤波器，其特征在于，所述第三线圈(41)的中心线与所述第一线圈(31)的中心线之间具有预设的距离，所述第四线圈(42)的中心线与所述第二线圈(32)的中心线之间具有预设的距离；

且所述第一线圈(31)的中心线与所述第二线圈(32)的中心线重合，所述第三线圈(41)的中心线与所述第四线圈(42)的中心线重合。

5.根据权利要求1-3任一所述的共模滤波器，其特征在于，所述第三线圈(41)的中心线与所述第一线圈(31)的中心线之间具有预设的距离，所述第二线圈(32)的中心线与所述第四线圈(42)的中心线之间具有预设的距离；

且所述第二线圈(32)的中心线与所述第三线圈(41)的中心线重合，所述第一线圈(31)的中心线与所述第四线圈(42)的中心线重合。

6.根据权利要求3所述的共模滤波器，其特征在于，所述第一线圈(31)、所述第二线圈(32)、所述第三线圈(41)和所述第四线圈(42)均包括至少两匝，且相邻两匝之间的距离均相等；

所述第一偏移距离和所述第二偏移距离均等于所述相邻两匝之间的距离的一半。

7.根据权利要求1-6任一所述的共模滤波器，其特征在于，所述第三线圈(41)绕线中心与所述第二线圈(32)绕线中心之间具有预设的拉远距离，所述拉远距离大于所述第三线圈(41)绕线中心与所述第一线圈(31)绕线中心、所述第二线圈(32)绕线中心与所述第四线圈(42)绕线中心之间的距离。

8.根据权利要求1-7任一所述的共模滤波器，其特征在于，所述第一线圈(31)和所述第三线圈(41)的长度相等；

所述第二线圈(32)和所述第四线圈(42)的长度相等。

9.根据权利要求1-8任一所述的共模滤波器，其特征在于，还包括：第一衬底(10)和第二衬底(20)，所述介质层(50)位于所述第一衬底(10)和所述第二衬底(20)之间，所述第一线圈(31)靠近所述第一衬底(10)设置，所述第四线圈(42)靠近所述第二衬底(20)设置；

所述第一衬底(10)包括第一部分(10a)和第二部分(10b)，其中，所述第一线圈(31)的进线端子(31b)和所述第三线圈(41)的进线端子(41b)中至少一个的端部在所述第一衬底(10)上的投影位于所述第二部分(10b)内，所述第一部分(10a)的成型材质为磁性材料，所述第二部分(10b)的成型材质为非磁性材料。

10.根据权利要求9所述的共模滤波器，其特征在于，所述第二衬底(20)包括第三部分(20a)和第四部分(20b)，其中，所述第二线圈(32)的出线端子(32b)和所述第四线圈(42)的出线端子(42b)中至少一个的端部在所述第二衬底(20)上的投影位于所述第四部分(20b)内，所述第三部分(20a)的成型材质为磁性材料，所述第四部分(20b)的成型材质为非磁性材料。

11.根据权利要求9或10所述的共模滤波器，其特征在于，还包括位于介质层(50)两侧的第一电极端子(33)和第二电极端子(34)，所述第一电极端子(33)与所述第一线圈(31)的进线端子(31b)电连接，所述第二线圈(32)的出线端子(32b)与所述第二电极端子(34)电连接，所述第一电极端子(33)和所述第二电极端子(34)的两端均分别搭接在所述第一衬底(10)和所述第二衬底(20)上；

还包括位于介质层(50)两侧的第三电极端子(43)和第四电极端子(44)，所述第三电极端子(43)与所述第三线圈(41)的进线端子(41b)电连接，所述第四线圈(42)的出线端子(42b)与所述第四电极端子(44)电连接，所述第三电极端子(43)和所述第四电极端子(44)的两端均分别搭接在所述第一衬底(10)和所述第二衬底(20)上。

12.根据权利要求9-11任一所述的共模滤波器，其特征在于，还包括第一过孔(51)和第二过孔(52)；所述第一线圈(31)为由外至内绕设形成，所述第二线圈(32)为由内至外绕设形成，所述第一线圈(31)的出线端子(31a)与所述第二线圈(32)的进线端子(32a)通过所述第一过孔(51)连接；

所述第三线圈(41)为由外至内绕设形成，所述第四线圈(42)为由内至外绕设形成，所述第三线圈(41)的出线端子(41a)与所述第四线圈(42)的进线端子(42a)通过所述第二过孔(52)连接。

13.一种电子设备，其特征在于，至少包括电路板和上述权利要求1-12任一所述的共模滤波器(100)，所述共模滤波器(100)与所述电路板电连接。

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