CN115274430B - 一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法 - Google Patents

一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115274430B
CN115274430B CN202210850227.XA CN202210850227A CN115274430B CN 115274430 B CN115274430 B CN 115274430B CN 202210850227 A CN202210850227 A CN 202210850227A CN 115274430 B CN115274430 B CN 115274430B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon wafer
cooling
station
reaction
placing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210850227.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN115274430A (zh
Inventor
丁桃宝
杨涛
黄鹏飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Jinyuda Semiconductor Co ltd
Original Assignee
Jiangsu Jinyuda Semiconductor Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Jinyuda Semiconductor Co ltd filed Critical Jiangsu Jinyuda Semiconductor Co ltd
Priority to CN202210850227.XA priority Critical patent/CN115274430B/zh
Publication of CN115274430A publication Critical patent/CN115274430A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115274430B publication Critical patent/CN115274430B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明公开了一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法，该方法包括以下步骤：S1、设备的前期准备；S2、将片盒内的硅片逐片送入到反应平台的所有容纳凹槽中；S3、反应平台继续旋转一个角度将第N反应工位上的硅片送至上料工位等待出料；S4、环形夹取机械手夹取已经反应好的硅片移送至冷却装置上冷却；S5、吸附机械手将片盒内的硅片送至缓存工位上；S6、硅片冷却完成后，换位板上升支撑已冷却的硅片旋转切换工位；S7、换位板下降使新的硅片放置在冷却装置上；S8、再将冷却装置上的硅片夹取到反应腔室，将缓存工位上的硅片放回至片盒内；S9、完成所有硅片的自动化学气相沉积；该方法简化工艺步骤，有效提高生产效率，保证硅片的生产质量。

Description

一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法
技术领域
本发明涉及一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法，适用于半导体生产制造的领域。
背景技术
目前的化学气相沉积工艺步骤比较成熟，常用在半导体制造领域中，表面沉积经常被用在硅片的表面处理工艺中，其利用化学气相沉积的方法使硅片与气体发生化学反应，在硅片表面沉积出氧化层，减少或消除硅片表面的反射光，增加透光量，进而提高硅片的光电转换效率；目前，化学气相沉积设备包括工作台，所述工作台上设有用于进行硅片化学气相沉积的反应腔室，所述反应腔室上设有方便机械手伸入放置硅片的进料口，反应腔室内设置有反应平台，反应平台上设置有多个工作工位，反应平台的中心设置有可旋转可升降的旋转台，旋转台上设置有若干对支撑杆，每个工作工位上均对应一对支撑杆，并且工作工位上设置有方便支撑杆沉下的沉槽，而目前的硅片的机械手为常规的板状机械手，该机械手可以升降和偏转，从而方便将硅片送入到任意位置，机械手的执行端为一个真空吸附板，当真空吸附板与硅片的底部接触后通过负压就能吸取硅片进行转移，而在进行气相沉积时，硅片通过机械手送入到反应腔室内，此时旋转台上升，硅片被支撑杆支撑，之后旋转台旋转一个工位后将硅片放置在第一个工位上进行第一步反应，当反应完成后，旋转台上升支撑第一个工位上的硅片，同时方便接收第二片硅片，当第二个硅片接收好以后，旋转台旋转一个工位后下降，此时第一工位上的硅片进入到第二工位，同时第一工位上又有新的硅片，旋转台下降后，支撑杆沉入到沉槽内，硅片可以平整的放置在反应平台上。当硅片经过多次工艺步骤后，旋转台上的支撑杆支撑反应后的硅片，机械手将反应后的硅片取出后，再送入新的硅片；然而上述的结构和工艺步骤繁琐，并且硅片在进行化学气相沉积时，会产生大量热量，硅片再由机械手直接取出放置于片盒内，片盒也会过热导致工人无法移动，并且片盒内设有容纳硅片的容纳凹槽只能支撑硅片边缘位置，此时硅片温度过高，无法整体支撑会产生热变形，这样可能会导致成品率低，另外上述的硅片在频繁的转移工位时需要将硅片顶升、下降，这样会使硅片进入不同工位时可能产生位置偏差，也会影响化学气相沉积的质量。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法，该方法能使硅片上料时快速可靠同时还能夹持硅片进行冷却，简化工艺步骤，有效提高生产效率，保证硅片的生产质量。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法，该硅片换位上料冷却方法包括以下步骤：
S1、设备的前期准备，提供一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却装置，包括工作台，所述工作台上设有用于进行硅片化学气相沉积的反应腔室，所述反应腔室上设有方便机械手伸入放置硅片的进料口，所述工作台上还设有若干个用于存放硅片的片盒，所述反应腔室内包括反应平台和反应罩壳，所述反应平台旋转安装于工作台上且位于反应罩壳内，所述进料口设在反应罩壳上，所述反应平台圆周均匀分布有若干个方便放置硅片的容纳凹槽，所述工作台下方设有用于驱动反应平台旋转的平台旋转动力装置，所述反应平台靠近进料口处设有上料工位，所述反应腔室和片盒之间设有用于夹持硅片的环形夹取机械手和放置硅片并能切换硅片位置的换位装置，所述环形夹取机械手执行端设有夹持圆环，所述夹持圆环下方圆周分布有若干个夹持凸块，所述容纳凹槽四周设有与夹持凸块对应的避让凹槽，所述夹持固定部位下方设有用于驱动夹持凸块径向伸缩的伸缩动力装置；
所述换位装置包括旋转安装于工作台上的换位板，所述换位板的下端安装有传动杆，所述传动杆贯穿工作台与升降旋转动力装置连接，所述升降旋转动力装置通过传动杆驱动换位板的升降和旋转，所述换位板的上板面分别开设有用于放置硅片的第一放置通槽和第二放置通槽，所述第一放置通槽和第二放置通槽分别处于缓存工位和冷却工位，所述升降旋转动力装置驱动换位板旋转和升降，所述换位板旋转时第一放置通槽和第二放置通槽在缓存工位和冷却工位之间相互切换，所述冷却工位处还设置有用于放置硅片并进行冷却的冷却装置；所述环形夹取机械手在上料工位和冷却工位之间移动；
所述工作台上位于缓存工位和片盒之间还设置有用于吸附硅片的吸附机械手；所述换位板上设置有用于避让吸附机械手的第一避让缺口和第二避让缺口，所述第一避让缺口和第二避让缺口分别与第一放置通槽和第二放置通槽连通；
S2、将片盒内的硅片逐片送入到反应平台的所有容纳凹槽中，包括以下分步骤；
S21、吸附机械手移动至片盒处，吸附片盒内的一张硅片后移动至处于缓存工位并将硅片放置在换位板的第一放置通槽内，吸附机械手复位；
S22、升降旋转动力装置驱动换位板上升后旋转，使第一放置通槽内的硅片处于冷却工位上并且第二放置通槽处于缓存工位上；而后换位板下降将硅片放置在冷却装置上；
S23、环形夹取机械手移动到冷却工位将冷却装置上的硅片夹取后从进料口伸入到反应腔室，环形夹取机械手下降将硅片放置在反应平台的上料工位上的容纳凹槽后复位，在环形夹取机械手夹取了冷却装置上的硅片后，换位板复位并高于冷却装置；
S24、反应平台旋转一个角度，使新的容纳凹槽处于上料工位上；
S25、重复步骤S21至S24多次，反应平台间歇旋转将空的容纳凹槽逐个移动到上料工位；同时将放置了硅片的容纳凹槽逐步送第一反应工位、第二反应工位，…，第N反应工位上进行分步反应；
S3、当第N反应工位上的硅片反应完成后，反应平台继续旋转一个角度将第N反应工位上的硅片送至上料工位等待出料，并将第N-1反应工位上硅片移送到第N反应工位上；
S4、环形夹取机械手伸入到反应腔室内将上料工位上的已经反应好的硅片夹取并移送至冷却装置上冷却，此时换位板的高度低于冷却装置；
S5、等待一个化学气相沉积反应周期，在该反应周期内，第N反应工位上新的硅片进行最后一步化学气相沉积，同时，吸附机械手将片盒内的硅片送至缓存工位上的第一放置通槽或第二放置通槽上；
S6、硅片在冷却工位上冷却完成后，换位板上升支撑已冷却的硅片旋转切换工位；
S7、换位板下降使新的硅片放置在冷却装置上；
S8、环形夹取机械手移动到冷却工位将冷却装置上的硅片夹取后从进料口伸入到反应腔室，吸附机械手将缓存工位上的硅片放回至片盒内；
S9、重复步骤S3至S8，完成所有硅片的自动化学气相沉积。
作为一种优选的方案，所述环形夹取机械手从容纳凹槽内夹取硅片的方式包括以下步骤：
D1、夹持圆环伸入到容纳凹槽的正上方，伸缩动力装置驱动夹持凸块收缩，使夹持凸块围城的区域大于硅片的直径，每个夹持凸块均与容纳凹槽的避让凹槽一一对应；
D2、环形夹取机械手驱动夹持圆环下降，使夹持凸块位于避让凹槽内；
D3、伸缩动力装置驱动夹持凸块伸出，夹持凸块从外侧伸入到硅片的底部并夹持硅片边缘；
D4、环形夹取机械手驱动夹持圆环上升并从进料口移出。
3.如权利要求2所述的一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法，其特征在于：所述冷却装置包括冷却座，所述冷却座上设有用于放置硅片的冷却平台，所述冷却座上圆周分布有方便夹持凸块升降移动时滑动凹槽，所述冷却座的冷却形式为水冷：所述冷却座内设置有用于流通冷却介质的冷却盘管，所述冷却盘管与冷却介质循环管路系统连通，冷却液不断流过冷却平台就能带走硅片热量。
作为一种优选的方案，所述换位板工位切换的旋转角度为180°；所述第一避让缺口和第二避让缺口设置在换位板不同侧。
作为一种优选的方案，将片盒上放片槽按照同一方向进行一一编号，放片槽上的硅片也对应进行一一编号；步骤S2中，吸附机械手按照放片槽编号的大小将片盒中的硅片逐片取出；步骤S8中，吸附机械手将缓存工位上的已反应的硅片原路放回至片盒中的放片槽内。
采用了上述技术方案后，本发明的效果是：由于化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法，该硅片换位上料冷却方法包括以下步骤：
S1、设备的前期准备，提供一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却装置，包括工作台，所述工作台上设有用于进行硅片化学气相沉积的反应腔室，所述反应腔室上设有方便机械手伸入放置硅片的进料口，所述工作台上还设有若干个用于存放硅片的片盒，所述反应腔室内包括反应平台和反应罩壳，所述反应平台旋转安装于工作台上且位于反应罩壳内，所述进料口设在反应罩壳上，所述反应平台圆周均匀分布有若干个方便放置硅片的容纳凹槽，所述工作台下方设有用于驱动反应平台旋转的平台旋转动力装置，所述反应平台靠近进料口处设有上料工位，所述反应腔室和片盒之间设有用于夹持硅片的环形夹取机械手和放置硅片并能切换硅片位置的换位装置，所述环形夹取机械手执行端设有夹持圆环，所述夹持圆环下方圆周分布有若干个夹持凸块，所述容纳凹槽四周设有与夹持凸块对应的避让凹槽，所述夹持固定部位下方设有用于驱动夹持凸块径向伸缩的伸缩动力装置；
所述换位装置包括旋转安装于工作台上的换位板，所述换位板的下端安装有传动杆，所述传动杆贯穿工作台与升降旋转动力装置连接，所述升降旋转动力装置通过传动杆驱动换位板的升降和旋转，所述换位板的上板面分别开设有用于放置硅片的第一放置通槽和第二放置通槽，所述第一放置通槽和第二放置通槽分别处于缓存工位和冷却工位，所述升降旋转动力装置驱动换位板旋转和升降，所述换位板旋转时第一放置通槽和第二放置通槽在缓存工位和冷却工位之间相互切换，所述冷却工位处还设置有用于放置硅片并进行冷却的冷却装置；所述环形夹取机械手在上料工位和冷却工位之间移动；
所述工作台上位于缓存工位和片盒之间还设置有用于吸附硅片的吸附机械手；所述换位板上设置有用于避让吸附机械手的第一避让缺口和第二避让缺口，所述第一避让缺口和第二避让缺口分别与第一放置通槽和第二放置通槽连通；
S2、将片盒内的硅片逐片送入到反应平台的所有容纳凹槽中，包括以下分步骤；
S21、吸附机械手移动至片盒处，吸附片盒内的一张硅片后移动至处于缓存工位并将硅片放置在换位板的第一放置通槽内，吸附机械手复位；
S22、升降旋转动力装置驱动换位板上升后旋转，使第一放置通槽内的硅片处于冷却工位上并且第二放置通槽处于缓存工位上；而后换位板下降将硅片放置在冷却装置上；
S23、环形夹取机械手移动到冷却工位将冷却装置上的硅片夹取后从进料口伸入到反应腔室，环形夹取机械手下降将硅片放置在反应平台的上料工位上的容纳凹槽后复位，在环形夹取机械手夹取了冷却装置上的硅片后，换位板复位并高于冷却装置；
S24、反应平台旋转一个角度，使新的容纳凹槽处于上料工位上；
S25、重复步骤S21至S24多次，反应平台间歇旋转将空的容纳凹槽逐个移动到上料工位；同时将放置了硅片的容纳凹槽逐步送第一反应工位、第二反应工位，…，第N反应工位上进行分步反应；
S3、当第N反应工位上的硅片反应完成后，反应平台继续旋转一个角度将第N反应工位上的硅片送至上料工位等待出料，并将第N-1反应工位上硅片移送到第N反应工位上；
S4、环形夹取机械手伸入到反应腔室内将上料工位上的已经反应好的硅片夹取并移送至冷却装置上冷却，此时换位板的高度低于冷却装置；
S5、等待一个化学气相沉积反应周期，在该反应周期内，第N反应工位上新的硅片进行最后一步化学气相沉积，同时，吸附机械手将片盒内的硅片送至缓存工位上的第一放置通槽或第二放置通槽上；
S6、硅片在冷却工位上冷却完成后，换位板上升支撑已冷却的硅片旋转切换工位；
S7、换位板下降使新的硅片放置在冷却装置上；
S8、环形夹取机械手移动到冷却工位将冷却装置上的硅片夹取后从进料口伸入到反应腔室，吸附机械手将缓存工位上的硅片放回至片盒内；
S9、重复步骤S3至S8，完成所有硅片的自动化学气相沉积；
该方法中，通过换位板的旋转能使第一放置通槽和第二放置通槽不断换位，环形夹取机械手夹取冷却工位上的硅片放置于容纳凹槽内直至反应平台内的容纳凹槽放置满，提高上料效率；完成化学气相沉积后，通过环形夹取机械手夹持反应平台上的硅片放置于冷却装置上进行冷却降温，同时缓存工位通过吸附机械手进行上料，待完成冷却后，旋转换位板，缓存工位上取走冷却完成的硅片，再放置新的硅片，同时冷却工位上将硅片夹持放入容纳凹槽内，再夹持完成加工的硅片放置于冷却座上，进行冷却的同时也能上料，节省了冷却时间，保证了硅片的生产质量，提高了硅片的生产效率。
又由于所述环形夹取机械手从容纳凹槽内夹取硅片的方式包括以下步骤：
D1、夹持圆环伸入到容纳凹槽的正上方，伸缩动力装置驱动夹持凸块收缩，使夹持凸块围城的区域大于硅片的直径，每个夹持凸块均与容纳凹槽的避让凹槽一一对应；
D2、环形夹取机械手驱动夹持圆环下降，使夹持凸块位于避让凹槽内；
D3、伸缩动力装置驱动夹持凸块伸出，夹持凸块从外侧伸入到硅片的底部并夹持硅片边缘；
D4、环形夹取机械手驱动夹持圆环上升并从进料口移出。
又由于所述冷却装置包括冷却座，所述冷却座上设有用于放置硅片的冷却平台，所述冷却座上圆周分布有方便夹持凸块升降移动时滑动凹槽，所述冷却座的冷却形式为水冷：所述冷却座内设置有用于流通冷却介质的冷却盘管，所述冷却盘管与冷却介质循环管路系统连通，冷却液不断流过冷却平台就能带走硅片热量；对硅片进行有效的降温，同时滑动凹槽也能有效避免夹持凸块与冷却座发生碰撞，进一步的提高装置安全性。
又由于所述换位板工位切换的旋转角度为180°；所述第一避让缺口和第二避让缺口设置在换位板不同侧，通过第一避让缺口和第二避让缺口能有效避免碰撞的发生，保证装置的生产安全。
又由于将片盒上放片槽按照同一方向进行一一编号，放片槽上的硅片也对应进行一一编号；步骤S2中，吸附机械手按照放片槽编号的大小将片盒中的硅片逐片取出；步骤S8中，吸附机械手将缓存工位上的已反应的硅片原路放回至片盒中的放片槽内；这样能准确记录取出多少硅片并且能有序放置，不会出现漏放或重叠放置，保证了生产的有序性。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明实施例的立体图；
图2是本发明实施例的俯视图；
图3是本发明实施例的升降旋转动力装置结构示意图；
图4是本发明实施例夹持圆环部分的结构示意图；
图5是本发明实施例夹持凸块的剖视图；
图6是本发明实施例换位板的结构示意图；
附图中：1、工作台；2、反应平台；3、反应罩壳；4、进料口；5、步进电机；6、容纳凹槽；7、避让凹槽；8、上料工位；9、冷却工位； 10、缓存工位；11、冷却座；111、冷却平台；12、滑动凹槽；13、换位板；131、第一避让缺口；132、第二避让缺口；14、第一放置通槽；15、第二放置通槽；16、传动杆；17、上板；18、中间板；19、下板；20、轴承；21、伺服电机；22、主动轮；23、从动轮；24、同步带；25、直线气缸；26、容纳罩壳；27、吸附机械手；28、片托；281、吸附孔； 29、环形夹取机械手；30、夹持圆环；31、夹持凸块；311、底部支撑板部；312、侧壁支撑板部；32、导向斜面；33、限位板；34、缸体；341、前腔室；342、后腔室；35、活塞；36、活塞杆；37、压缩弹簧； 38、进气孔；39、气路分配腔；40、片盒；41、定位凹槽。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明作进一步的详细描述。
如图1至图5所示，一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却装置，包括工作台1，所述工作台1上设有用于进行硅片化学气相沉积的反应腔室，所述反应腔室上设有方便机械手伸入放置硅片的进料口4，所述工作台1上还设有若干个用于存放硅片的片盒40，其特征在于：
所述反应腔室内包括反应平台2和反应罩壳3，所述反应平台2旋转安装于工作台1上且位于反应罩壳3内，所述进料口4设在反应罩壳 3上，所述反应平台2圆周均匀分布有若干个方便放置硅片的容纳凹槽 6，所述工作台1下方设有用于驱动反应平台2旋转的平台旋转动力装置，所述反应平台2靠近进料口4处设有上料工位8，所述反应腔室和片盒40之间设有用于夹持硅片的环形夹取机械手29和放置硅片并能切换硅片位置的换位装置，所述环形夹取机械手29执行端设有夹持圆环 30，所述夹持圆环30下方圆周分布有若干个夹持凸块31，所述容纳凹槽6四周设有与夹持凸块31对应的避让凹槽7，所述夹持固定部位下方设有用于驱动夹持凸块31径向伸缩的伸缩动力装置；
所述换位装置包括旋转安装于工作台1上的换位板13，所述换位板 13的下端安装有传动杆16，所述传动杆16贯穿工作台1与升降旋转动力装置连接，所述升降旋转动力装置通过传动杆16驱动换位板13的升降和旋转，所述换位板13的上板面分别开设有用于放置硅片的第一放置通槽14和第二放置通槽15，所述第一放置通槽14和第二放置通槽 15分别处于缓存工位10和冷却工位9，所述升降旋转动力装置驱动换位板13旋转和升降，所述换位板13旋转时第一放置通槽14和第二放置通槽15在缓存工位10和冷却工位9之间相互切换，所述冷却工位9 处还设置有用于放置硅片并进行冷却的冷却装置；所述环形夹取机械手 29在上料工位8和冷却工位9之间移动；
所述工作台1上位于缓存工位10和片盒40之间还设置有用于吸附硅片的吸附机械手27；所述换位板13上设置有用于避让吸附机械手27 的第一避让缺口131和第二避让缺口132，所述第一避让缺口131和第二避让缺口132分别与第一放置通槽14和第二放置通槽15连通。
在本实施例中，所述第一放置通槽14和第二放置通槽15结构相同且为台阶形，所述第一放置通槽14包括支撑硅片底部边缘的支撑面和防止硅片移动的定位面，所述第一放置通槽14和第二放置通槽15尺寸均大于冷却装置尺寸；在放置硅片时，支撑面支撑硅片边缘位置，定位面限定硅片，防止硅片发生晃动，这样等下次移动硅片时也能准确吸取，且在第一放置通槽14或第二放置通槽15下降过程中使硅片底部准确与冷却座11贴合，保证硅片不发生热变形，有效提高定位准确性。
在本实施例中，所述环形夹取机械手29在冷却工位9和上料工位8 之间夹持移动，所述吸附机械手27在缓存工位10和片盒40之间吸附移动，所述吸附机械手27和环形夹取机械手29采用一套升降偏转动力装置；这样使两个不同的机械手负责相应的区域，进行加工时不会发生两个机械手之间碰撞等问题且能有效提高生产效率。
进一步的，所述吸附机械手27执行端设有方便吸附夹取硅片的吸附装置，所述吸附装置包括固定安装于吸附机械手27执行端托举硅片片托28，所述片托28上设有若干个吸附孔281，所述吸附孔281连通真空动力装置吸附硅片；由于硅片只需从片盒40内取出放置到缓存工位10上的第一放置通槽14或第二放置通槽15，因此吸附机械手27吸附夹取硅片就非常方便快捷，通过片托28托举硅片起到支撑作用，再由吸附孔281通过真空动力装置对托举的硅片进行进一步的固定，这样就吸附夹取硅片移动，上下料方便，提高效率；在冷却工位9上，硅片需要处于冷却装置上方，因此换位板13需要下降至低于冷却装置，冷却完成后，换位板13还需顶起硅片，这样在缓存工位10一侧，吸附机械手27与换位板13会发生碰撞，并且在缓存工位10放置硅片时，吸附机械手27吸附硅片后由上而下放置，通过第一避让缺口131和第二避让缺口132能有效避免碰撞的发生，保证装置的生产安全。
如图4所示，所述夹持凸块31包括一个支撑硅片底部的底部支撑板部311和夹持硅片边缘的侧壁支撑板部312，所述伸缩动力装置的动力端与所述侧壁支撑板部312连接；所述侧壁支撑板部312的内侧设置有导向斜面32；夹持圆环30与硅片均为圆形，方便夹持凸块31进行夹持，再通过伸缩动力装置驱动底部支撑板部311和侧壁支撑板部312，这样当进行上料时就能快速进行定位夹持，在放置于容纳凹槽6上时，通过避让凹槽7与夹持凸块31进行进一步的定位，夹持凸块31刚好落入避让凹槽7内，这样能大大简化步骤，加快放置和夹取；导向斜面32 能形成一定的倾斜角度，由于硅片从冷却装置夹起时上会出现一定的偏差，通过导向斜面32形成了一个由大到小的导向区域，这样硅片就能落在底部支撑板部311且侧壁支撑板部312准确夹持，保证放置硅片的准确性；目前，所述吸附机械手27和环形夹取机械手29的升降转动部分以及升降偏转动力装置部分为现有装置，因此不在文中作详细描述。
如图5所示，所述伸缩动力装置包括小型气缸，所述小型气缸固定安装在夹持圆环30下方，所述小型气缸包括缸体34、活塞35和活塞杆 36，所述活塞35活动安装于缸体34内将缸体34分隔成前腔室341和后腔室342，所述活塞杆36贯穿缸体34的前端并与所述活塞35的前端连接，所述后腔室342内设置有预压缩于活塞35的尾端与缸体34之间的压缩弹簧37，所述缸体34上设置有与所述前腔室341连通的进气孔 38，该进气孔38与气路系统连通；当需要夹持凸块31伸出进行夹持硅片时，气路系统停止供气，前腔室341内压力消失，后腔室342内的压缩弹簧37释放压力，推动活塞35和活塞杆36伸出；当需要夹持凸块 31缩回进行硅片的放置时，气路系统开始供气，气体从进气孔38内进入前腔室341内，前腔室341内压力逐渐变大，当前腔室341内压力大于后腔室342内压缩弹簧37的压力，活塞35和活塞杆36缩回，压缩弹簧37被压缩，有效提高夹持效率。
如图4所示，所述夹持圆环30上设置有环形的气路分配腔39，该气路分配腔39均与所述缸体34上的进气孔38连通，所述气路分配腔 39与气路系统连通；通入气体后能同步驱动夹持凸块31伸出或缩回，使硅片夹持或放置时准确可靠，提高夹持稳定性。
在本实施例中，所述底部支撑板部311向外侧延伸并设置有限位板 33，该限位板33与所述缸体34的尾部限位配合；所述限位板33能限定夹持凸块31最大伸缩范围，限位板33与缸体34的尾部接触后，限位板33迫使底部支撑板部311无法继续伸出，底部支撑板部311与侧壁支撑板部312连接在一起，侧壁支撑板部312也无法继续移动，使夹持凸块31伸出的长度相同，使硅片定位准确，保证夹持准确性。
在本实施例中，所述工作台1底部固定有容纳平台旋转动力装置、升降旋转动力装置和升降偏转动力装置的容纳罩壳26，所述容纳罩壳 26能起到有效保护作用；所述平台旋转动力装置包括步进电机5，所述步进电机5在驱动反应平台2旋转的过程当中精准控制启停，这样就能使每次偏转容纳凹槽6都能准确处于上料工位8，方便每次放置硅片时与机械手进行准确的定位；容纳凹槽6在反应平台2偏转过程中也能有效限定硅片位置，使硅片不会发生偏移，节省时间，提高上料效率。
进一步的，所述容纳升降旋转动力装置的容纳罩壳26内升降滑动安装有升降座，所述传动杆16的下段转动安装于所述升降座上，所述升降旋转动力装置包括控制传动杆16旋转的旋转动力装置和驱动传动杆16升降的升降动力装置，所述旋转动力装置固定于升降座上，所述旋转动力装置与传动杆16之间通过同步带24传动，所述升降动力装置固定于容纳罩壳26内，升降动力装置的动力端与升降座连接控制升降座的升降。
如图3所示，所述旋转动力装置包括伺服电机21，所述伺服电机 21输出轴上固定有主动轮22，所述传动杆16上连接有从动轮23，所述主动轮22和从动轮23之间通过同步带24啮合传动，所述伺服电机21 固定安装于升降座上；所述伺服电机21固定安装于升降座上，所述伺服电机21能准确控制速度，位置精度非常准确，且由于主动轮22和从动轮23之间通过同步带24啮合传动，传动带上设有等距分布的带齿，主动路和从动轮23上设有与之啮合的齿槽，这样能够有效减少打滑保证了传动时的效率，提高装置精确性。
所述升降动力装置包括直线气缸25，所述直线气缸25固定安装于容纳罩壳26底部，所述升降座包括上板17、中间板18和下板19，所述上板17、中间板18和下板19构成了矩形框架结构，所述直线气缸 25的导杆与下板19连接，伺服电机21固定安装于中间板18上，所述上板17上固定有轴承20，所述传动杆16通过所述轴承20转动安装于上板17上；通过上板17上的轴承20与传动杆16连接，这样传动杆16 在旋转的同时不会影响自身的升降，这样通过直线气缸25驱动下板19 上升，再带动中间板18和上板17上升，这样就能使伺服电机21与传动轴同步上升，完成升降旋动的操作，使装置结构紧凑。
如图3所示，所述冷却装置包括冷却座11，所述冷却座11上设有用于放置硅片的冷却平台111，所述冷却座11上圆周分布有方便夹持凸块31升降移动时滑动凹槽12，滑动凹槽12能避免夹持凸块31夹持硅片时与冷却座11发生碰撞，提高装置安全性，进一步，所述冷却座11 内设置有用于流通冷却介质的冷却盘管，所述冷却盘管与冷却介质循环管路系统连通，通过循环管路系统使冷却介质在冷却盘管内不断循环能带走处于冷却平台111上硅片的热量，达到硅片的降温效果，使得硅片不会发生热变形，保证生产质量。
在本实施例中，所述工作台1上还设有用于放置若干片盒40的定位凹槽41；所述工作台1上设三个片盒40，因此对应有三个定位凹槽 41，当片盒40内的硅片都加工完成后，需要将片盒40整体取走，放置新的片盒40，通过定位凹槽41能快速确定新的片盒40的位置，省去了定位的繁琐，保证机械手夹持时能准确伸入片盒40内。
本发明的工作原理：首先吸附机械手27夹取片盒40内的硅片放置于处于缓存工位10第一放置通槽14上，接着直线气缸25驱动传动杆16带动换位板13上升再由伺服电机21驱动换位板13转动使第一放置通槽14到达冷却工位9上，第二放置通槽15到达缓存工位10上，换位板13下降将硅片放置在冷却座11上，环形夹取机械手29移动到冷却工位9通过夹持凸块31对准滑动凹槽12，下降至夹持凸块31低于硅片伸出夹持凸块31将冷却座11上的硅片夹取后从进料口4伸入到反应腔室内，环形夹取机械手29下降，夹持凸块31落入避让凹槽7内，缩回夹持凸块31，硅片就落在反应平台2的上料工位8上的容纳凹槽6，环形夹取机械手29复位，换位板13上升高于冷却座11并旋转，反应平台2旋转一个角度，环形夹取机械手29重复夹持使新的容纳凹槽6 处于上料工位8上，反应平台2间歇旋转将空的容纳凹槽6逐个移动到上料工位8；同时将放置了硅片的容纳凹槽6在反应腔室内逐步进行化学气相沉积，
完成后，步进电机5驱动反应平台2上的其中一个容纳凹槽6至上料工位8等待出料，环形夹取机械手29伸入到反应腔室内将上料工位8 上的已经反应好的硅片夹取并移送至冷却座11上冷却，等待一个化学气相沉积反应周期，同时在该反应周期内，吸附机械手27将片盒40内的硅片送至缓存工位10上的第一放置通槽14或第二放置通槽15上，硅片在冷却工位9上冷却完成后，换位板13上升支撑已冷却的硅片旋转切换工位，接着换位板13下降使新的硅片放置在冷却座11上，环形夹取机械手29移动到冷却工位9将冷却座11上的硅片夹取后从进料口 4伸入到反应腔室内放置硅片，吸附机械手27将缓存工位10上的硅片放回至片盒40内，此时反应平台2驱动接下来的容纳凹槽6到达上料工位8，环形夹取机械手29夹持硅片放置于冷却座11上，吸附机械手 27再吸取新的硅片放置于缓存工位10上的第一放置通槽14或第二放置通槽15，冷却完成后反应平台2再旋转一个角度，重复上述操作，完成所有硅片的自动化学气相沉积。
另外本发明实施例还公开了一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法，该硅片换位上料冷却方法包括以下步骤：
S1、设备的前期准备，提供一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却装置，包括工作台1，所述工作台1上设有用于进行硅片化学气相沉积的反应腔室，所述反应腔室上设有方便机械手伸入放置硅片的进料口4，所述工作台1上还设有若干个用于存放硅片的片盒40，所述反应腔室内包括反应平台2和反应罩壳3，所述反应平台2旋转安装于工作台1上且位于反应罩壳3内，所述进料口4设在反应罩壳3上，所述反应平台2圆周均匀分布有若干个方便放置硅片的容纳凹槽6，所述工作台1下方设有用于驱动反应平台2旋转的平台旋转动力装置，所述反应平台2靠近进料口4处设有上料工位8，所述反应腔室和片盒40之间设有用于夹持硅片的环形夹取机械手29和放置硅片并能切换硅片位置的换位装置，所述环形夹取机械手29执行端设有夹持圆环30，所述夹持圆环30下方圆周分布有若干个夹持凸块31，所述容纳凹槽6四周设有与夹持凸块31对应的避让凹槽7，所述夹持固定部位下方设有用于驱动夹持凸块31径向伸缩的伸缩动力装置；
所述换位装置包括旋转安装于工作台1上的换位板13，所述换位板 13的下端安装有传动杆16，所述传动杆16贯穿工作台1与升降旋转动力装置连接，所述升降旋转动力装置通过传动杆16驱动换位板13的升降和旋转，所述换位板13的上板面分别开设有用于放置硅片的第一放置通槽14和第二放置通槽15，所述第一放置通槽14和第二放置通槽 15分别处于缓存工位10和冷却工位9，所述升降旋转动力装置驱动换位板13旋转和升降，所述换位板13旋转时第一放置通槽14和第二放置通槽15在缓存工位10和冷却工位9之间相互切换，所述冷却工位9 处还设置有用于放置硅片并进行冷却的冷却装置；所述环形夹取机械手 29在上料工位8和冷却工位9之间移动；
所述工作台1上位于缓存工位10和片盒40之间还设置有用于吸附硅片的吸附机械手27；所述换位板13上设置有用于避让吸附机械手27 的第一避让缺口131和第二避让缺口132，所述第一避让缺口131和第二避让缺口132分别与第一放置通槽14和第二放置通槽15连通。
S2、将片盒40内的硅片逐片送入到反应平台2的所有容纳凹槽6 中，包括以下分步骤；
S21、吸附机械手27移动至片盒40处，吸附片盒40内的一张硅片后移动至处于缓存工位10并将硅片放置在换位板13的第一放置通槽14 内，吸附机械手27复位；
S22、升降旋转动力装置驱动换位板13上升后旋转，使第一放置通槽14内的硅片处于冷却工位9上并且第二放置通槽15处于缓存工位10 上；而后换位板13下降将硅片放置在冷却装置上；
S23、环形夹取机械手29移动到冷却工位9将冷却装置上的硅片夹取后从进料口4伸入到反应腔室，环形夹取机械手29下降将硅片放置在反应平台2的上料工位8上的容纳凹槽6后复位，在环形夹取机械手 29夹取了冷却装置上的硅片后，换位板13复位并高于冷却装置；
S24、反应平台2旋转一个角度，使新的容纳凹槽6处于上料工位8 上；
S25、重复步骤S21至S24多次，反应平台2间歇旋转将空的容纳凹槽6逐个移动到上料工位8；同时将放置了硅片的容纳凹槽6逐步送第一反应工位、第二反应工位，…，第N反应工位上进行分步反应；
S3、当第N反应工位上的硅片反应完成后，反应平台2继续旋转一个角度将第N反应工位上的硅片送至上料工位8等待出料，并将第N-1 反应工位上硅片移送到第N反应工位上；
S4、环形夹取机械手29伸入到反应腔室内将上料工位8上的已经反应好的硅片夹取并移送至冷却装置上冷却，此时换位板13的高度低于冷却装置；
S5、等待一个化学气相沉积反应周期，在该反应周期内，第N反应工位上新的硅片进行最后一步化学气相沉积，同时，吸附机械手27将片盒40内的硅片送至缓存工位10上的第一放置通槽14或第二放置通槽15上；
S6、硅片在冷却工位9上冷却完成后，换位板13上升支撑已冷却的硅片旋转切换工位；
S7、换位板13下降使新的硅片放置在冷却装置上；
S8、环形夹取机械手29移动到冷却工位9将冷却装置上的硅片夹取后从进料口4伸入到反应腔室，吸附机械手27将缓存工位10上的硅片放回至片盒40内；
S9、重复步骤S3至S8，完成所有硅片的自动化学气相沉积。
优选的，所述环形夹取机械手29从容纳凹槽6内夹取硅片的方式包括以下步骤：
D1、夹持圆环30伸入到容纳凹槽6的正上方，伸缩动力装置驱动夹持凸块31收缩，使夹持凸块31围城的区域大于硅片的直径，每个夹持凸块31均与容纳凹槽6的避让凹槽7一一对应；
D2、环形夹取机械手29驱动夹持圆环30下降，使夹持凸块31位于避让凹槽7内；
D3、伸缩动力装置驱动夹持凸块31伸出，夹持凸块31从外侧伸入到硅片的底部并夹持硅片边缘；
D4、环形夹取机械手29驱动夹持圆环30上升并从进料口4移出；
容纳凹槽6在反应平台2转动过程中有效限定硅片位置，使硅片不会发生偏移，因此能准确驱动反应平台2上的容纳凹槽6到达上料工位8，方便环形夹取机械手29的夹持，节省时间，提高上料效率。
优选的，所述冷却装置包括冷却座11，所述冷却座11上设有用于放置硅片的冷却平台111，所述冷却座11上圆周分布有方便夹持凸块31 升降移动时滑动凹槽12，所述冷却座11的冷却形式为水冷：所述冷却座11内设置有用于流通冷却介质的冷却盘管，所述冷却盘管与冷却介质循环管路系统连通，冷却液不断流过冷却平台111就能带走硅片热量，对硅片进行有效的降温，同时滑动凹槽12也能有效避免夹持凸块31与冷却座11发生碰撞，进一步的提高装置安全性。
优选的，所述换位板13工位切换的旋转角度为180°；所述第一避让缺口131和第二避让缺口132设置在换位板13不同侧，当换位板13 切换工位升降时，通过第一避让缺口131和第二避让缺口132能有效避免碰撞的发生，保证装置的生产安全。
优选的，将片盒40上放片槽按照同一方向进行一一编号，放片槽上的硅片也对应进行一一编号；步骤S2中，吸附机械手27按照放片槽编号的大小将片盒40中的硅片逐片取出；步骤S8中，吸附机械手27 将缓存工位10上的已反应的硅片原路放回至片盒40中的放片槽内；通过吸附机械手27进行逐一吸取，且方便统计与容纳凹槽6对应的数量，在加工完成硅片后也能进行有序放置，不会出现漏放或重放等问题，使生产有序。
以上所述实施例仅是对本发明的优选实施方式的描述，不作为对本发明范围的限定，在不脱离本发明设计精神的基础上，对本发明技术方案作出的各种变形和改造，均应落入本发明的权利要求书确定的保护范围内。

Claims (5)

1.一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法，其特征在于：该硅片换位上料冷却方法包括以下步骤：
S1、设备的前期准备，提供一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却装置，包括工作台，所述工作台上设有用于进行硅片化学气相沉积的反应腔室，所述反应腔室上设有方便机械手伸入放置硅片的进料口，所述工作台上还设有若干个用于存放硅片的片盒，所述反应腔室内包括反应平台和反应罩壳，所述反应平台旋转安装于工作台上且位于反应罩壳内，所述进料口设在反应罩壳上，所述反应平台圆周均匀分布有若干个方便放置硅片的容纳凹槽，所述工作台下方设有用于驱动反应平台旋转的平台旋转动力装置，所述反应平台靠近进料口处设有上料工位，所述反应腔室和片盒之间设有用于夹持硅片的环形夹取机械手和放置硅片并能切换硅片位置的换位装置，所述环形夹取机械手执行端设有夹持圆环，所述夹持圆环下方圆周分布有若干个夹持凸块，所述容纳凹槽四周设有与夹持凸块对应的避让凹槽，所述夹持圆环的下方设有用于驱动夹持凸块径向伸缩的伸缩动力装置；
所述换位装置包括旋转安装于工作台上的换位板，所述换位板的下端安装有传动杆，所述传动杆贯穿工作台与升降旋转动力装置连接，所述升降旋转动力装置通过传动杆驱动换位板的升降和旋转，所述换位板的上板面分别开设有用于放置硅片的第一放置通槽和第二放置通槽，所述第一放置通槽和第二放置通槽分别处于缓存工位和冷却工位，所述升降旋转动力装置驱动换位板旋转和升降，所述换位板旋转时第一放置通槽和第二放置通槽在缓存工位和冷却工位之间相互切换，所述冷却工位处还设置有用于放置硅片并进行冷却的冷却装置；所述环形夹取机械手在上料工位和冷却工位之间移动；
所述工作台上位于缓存工位和片盒之间还设置有用于吸附硅片的吸附机械手；所述换位板上设置有用于避让吸附机械手的第一避让缺口和第二避让缺口，所述第一避让缺口和第二避让缺口分别与第一放置通槽和第二放置通槽连通；
S2、将片盒内的硅片逐片送入到反应平台的所有容纳凹槽中，包括以下分步骤；
S21、吸附机械手移动至片盒处，吸附片盒内的一张硅片后移动至处于缓存工位并将硅片放置在换位板的第一放置通槽内，吸附机械手复位；
S22、升降旋转动力装置驱动换位板上升后旋转，使第一放置通槽内的硅片处于冷却工位上并且第二放置通槽处于缓存工位上；而后换位板下降将硅片放置在冷却装置上；
S23、环形夹取机械手移动到冷却工位将冷却装置上的硅片夹取后从进料口伸入到反应腔室，环形夹取机械手下降将硅片放置在反应平台的上料工位上的容纳凹槽后复位，在环形夹取机械手夹取了冷却装置上的硅片后，换位板复位并高于冷却装置；
S24、反应平台旋转一个角度，使新的容纳凹槽处于上料工位上；
S25、重复步骤S21至S24多次，反应平台间歇旋转将空的容纳凹槽逐个移动到上料工位；同时将放置了硅片的容纳凹槽逐步送第一反应工位、第二反应工位，…，第N反应工位上进行分步反应；
S3、当第N反应工位上的硅片反应完成后，反应平台继续旋转一个角度将第N反应工位上的硅片送至上料工位等待出料，并将第N-1反应工位上硅片移送到第N反应工位上；
S4、环形夹取机械手伸入到反应腔室内将上料工位上的已经反应好的硅片夹取并移送至冷却装置上冷却，此时换位板的高度低于冷却装置；
S5、等待一个化学气相沉积反应周期，在该反应周期内，第N反应工位上新的硅片进行最后一步化学气相沉积，同时，吸附机械手将片盒内的硅片送至缓存工位上的第一放置通槽或第二放置通槽上；
S6、硅片在冷却工位上冷却完成后，换位板上升支撑已冷却的硅片旋转切换工位；
S7、换位板下降使新的硅片放置在冷却装置上；
S8、环形夹取机械手移动到冷却工位将冷却装置上的硅片夹取后从进料口伸入到反应腔室，吸附机械手将缓存工位上的硅片放回至片盒内；
S9、重复步骤S3至S8，完成所有硅片的自动化学气相沉积。
2.如权利要求1所述的一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法，其特征在于：所述环形夹取机械手从容纳凹槽内夹取硅片的方式包括以下步骤：
D1、夹持圆环伸入到容纳凹槽的正上方，伸缩动力装置驱动夹持凸块收缩，使夹持凸块围城的区域大于硅片的直径，每个夹持凸块均与容纳凹槽的避让凹槽一一对应；
D2、环形夹取机械手驱动夹持圆环下降，使夹持凸块位于避让凹槽内；
D3、伸缩动力装置驱动夹持凸块伸出，夹持凸块从外侧伸入到硅片的底部并夹持硅片边缘；
D4、环形夹取机械手驱动夹持圆环上升并从进料口移出。
3.如权利要求2所述的一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法，其特征在于：所述冷却装置包括冷却座，所述冷却座上设有用于放置硅片的冷却平台，所述冷却座上圆周分布有方便夹持凸块升降移动时滑动凹槽，所述冷却座的冷却形式为水冷：所述冷却座内设置有用于流通冷却介质的冷却盘管，所述冷却盘管与冷却介质循环管路系统连通，冷却液不断流过冷却平台就能带走硅片热量。
4.如权利要求3所述的一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法，其特征在于：所述换位板工位切换的旋转角度为180°；所述第一避让缺口和第二避让缺口设置在换位板不同侧。
5.如权利要求4所述的一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法，其特征在于：将片盒上放片槽按照同一方向进行一一编号，放片槽上的硅片也对应进行一一编号；步骤S2中，吸附机械手按照放片槽编号的大小将片盒中的硅片逐片取出；步骤S8中，吸附机械手将缓存工位上的已反应的硅片原路放回至片盒中的放片槽内。
CN202210850227.XA 2022-07-19 2022-07-19 一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法 Active CN115274430B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210850227.XA CN115274430B (zh) 2022-07-19 2022-07-19 一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210850227.XA CN115274430B (zh) 2022-07-19 2022-07-19 一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115274430A CN115274430A (zh) 2022-11-01
CN115274430B true CN115274430B (zh) 2024-04-30

Family

ID=83768649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210850227.XA Active CN115274430B (zh) 2022-07-19 2022-07-19 一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115274430B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160043486A (ko) * 2014-10-13 2016-04-21 주식회사 테스 유기금속화학기상증착장치
CN109545717A (zh) * 2018-11-26 2019-03-29 金瑞泓科技(衢州)有限公司 一种硅片贴片机
CN114161245A (zh) * 2021-11-19 2022-03-11 万华化学集团电子材料有限公司 一种硅片减薄装置和用于单晶硅片的减薄加工工艺
CN114335253A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 湖南红太阳光电科技有限公司 一种硅片取放装置及取放方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160043486A (ko) * 2014-10-13 2016-04-21 주식회사 테스 유기금속화학기상증착장치
CN109545717A (zh) * 2018-11-26 2019-03-29 金瑞泓科技(衢州)有限公司 一种硅片贴片机
CN114161245A (zh) * 2021-11-19 2022-03-11 万华化学集团电子材料有限公司 一种硅片减薄装置和用于单晶硅片的减薄加工工艺
CN114335253A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 湖南红太阳光电科技有限公司 一种硅片取放装置及取放方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN115274430A (zh) 2022-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4997292B2 (ja) 一方の面にドーピングされるウエハ、特にソーラウエハのスタックの形成方法、及びプロセスボートに複数のウエハバッチを積み込むハンドリングシステム
TW201526148A (zh) 製程腔室以及半導體加工裝置
US6799586B2 (en) Substrate processing method
CN106558526B (zh) 一种自带晶圆寻边传感器的机械手
JP2007318134A (ja) 半導体移送装備（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｍａｔｅｒｉａｌｈａｎｄｌｉｎｇｓｙｓｔｅｍ）
CN109319492B (zh) 一种pvd镀膜上下料系统
CN217361537U (zh) 一种晶圆用定位装置
CN114203861B (zh) 一种太阳能光伏电池低压水平热处理多功能系统
CN115274430B (zh) 一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法
CN109051764B (zh) 上下料装置及移印设备
CN218039109U (zh) 一种硅片的冷却换位装置
CN218115588U (zh) 一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却装置
CN111731854A (zh) 一种上下料装置及其自动上料方法
CN109368177B (zh) 一种pvd镀膜上下料除尘系统
CN218385148U (zh) 多片晶圆上下料装置
CN217531277U (zh) 一种陶瓷注浆生产线的上下料装置
CN115418630A (zh) 一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却装置
CN217973395U (zh) 化学气相沉积设备的硅片进出料冷却装置
CN115258681A (zh) 晶圆搬运方法、机械手及划片机
CN112614802B (zh) 一种用于cmp清洗单元搬运晶圆的机械手及方法
CN115181964A (zh) 化学气相沉积设备的硅片进出料冷却装置
CN116422650B (zh) 一种等离子清洗设备
CN220509990U (zh) 一种晶圆自动化换料篮设备
US4873447A (en) Wafer transport apparatus for ion implantation apparatus
CN213878055U (zh) 一种晶片传输腔及晶片沉积系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant