CN115274191A - 隔离探头端头 - Google Patents

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CN115274191A CN202210465790.5A CN202210465790A CN115274191A CN 115274191 A CN115274191 A CN 115274191A CN 202210465790 A CN202210465790 A CN 202210465790A CN 115274191 A CN115274191 A CN 115274191A
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J·A·巴特莱特
A·W·鲁西内克
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Abstract

一种用于具有三同轴电缆的隔离探头的探头端头具有：在所述电缆的一个端部处的导电探头端头接口；信号导体，其穿过所述电缆的长度并且电连接到所述导电探头端头接口；参考导体，其沿着所述电缆的所述长度围绕所述信号导体；屏蔽导体，其至少沿着所述电缆的所述长度围绕所述参考导体，所述屏蔽导体和所述参考导体在所述探头端头的端部处电连接；第一绝缘体，其沿着所述电缆的所述长度在所述信号导体和所述参考导体之间；第二绝缘体，其沿着所述电缆的所述长度在所述参考导体和所述屏蔽导体之间；以及高导磁率材料，其在所述屏蔽导体内部。还公开了制造用于具有三同轴电缆的隔离探头的方法以及三同轴电缆。

Description

隔离探头端头
相关申请
本公开要求2021年4月29日提交的名称为“TRIAXIAL ISOLATED PROBE TIP”的美国临时专利申请No. 63/181,922的权益，该申请的全部内容结合到本文中。
技术领域
本公开涉及测试和测量系统，并且更具体地涉及测试和测量探头。
背景技术
测试和测量系统通常包括测试和测量仪器，例如示波器以及测试和测量探头。探头通常用于物理地连接到被测装置（DUT）上的一个或多个测试点，并且将来自测试点的感兴趣的信号耦合到测试和测量仪器的输入。隔离探头（例如Tektronix公司的IsoVuTM探头）使用电流的，例如光学的或RF隔离，以使探头的参考电压与示波器的参考电压分开，示波器的参考电压通常是接地。这使得诸如功率设计者的用户能够在存在大共模电压的情况下准确地解析高带宽、高电压差分信号。使用隔离探头的示例应用可以包括开关模式电源设计、用于宽带隙GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）器件的功率FET（场效应晶体管）设计/分析、反相器设计、电机驱动设计、BCI（体沟道注入）或ESD（静电放电）测量、以及分流器测量等等。隔离探头抑制共模电压的能力通过探头的共模抑制比（CMRR）来测量。
隔离探头通常包括传感器头部分以及从传感器头延伸到DUT上的测试点的探头端头。隔离探头端头通常具有CMRR的退化，其与它们的长度相关。这是因为共模信号电流在参考或隔离的“接地”编织物的整个长度上行进，这可能导致在高频处的相当大的损耗。这在信号导体和参考导体之间的传感器头的入口处产生电压差，从而导致不良的CMRR性能。
因此，用于隔离探头的常规端头通常被设计为长度相对较短。例如，用于Tektronix的IsoVuTM隔离探头的当前可用的探头端头不包含电缆长度长于6英寸的选项。短的长度非常有助于保持优异的CMRR性能，但是使得难以使用这些探头端头进行必须通过狭窄范围的测量，例如到达环境室内以在扩展的温度额定值下测试DUT。IsoVuTM探头端头通常包括具有中心导体和参考编织物的同轴电缆，它们各自通过一系列铁素体馈电，如美国专利No. 10,302,676中所述，该专利的全部内容通过引用结合到本公开中。
所公开的设备和方法的实施例解决了现有技术中的缺点。
附图说明
图1示出了常规三同轴电缆的一部分的示意图。
图2示出了具有三同轴电缆的探头端头的实施例的一部分的示意图。
图3示出了具有三同轴电缆的探头端头的实施例的一部分的示意图。
图4-13示出了制造三同轴电缆探头端头的方法。
具体实施方式
本文的实施例涉及一种三同轴电缆，其中，共模电流沿着远离参考导体的路径行进。这减小了通过参考导体（有时称为地或参考编织物）的电流。对于高频信号，即在20 kHz到300 GHz的射频范围内的那些信号，这可能引起甚至更多的问题。减小通过参考编织物的电流增加了共模抑制比（CMRR），这导致对仪器测量信号的更高精度测量。
图1示出了常规三同轴电缆的一部分的示意图。如本文所使用的，术语“同轴”或“同轴的”指的是由如下构成的电缆：中心或信号导体被绝缘体围绕，该绝缘体进而被第二或参考导体围绕。第二导体通常包括编织物。术语“三同轴”或“三同轴的”是指这样的电缆，其具有第二绝缘体以及第三或屏蔽导体，通常也包括编织物。本讨论将这些部件称为沿着电缆的轴线在电缆的长度上穿过或延伸。本文使用的术语“绝缘体”包括提供电绝缘的材料，包括电介质，其可以由于所施加的电场而变得极化。
在图1中，三同轴电缆10具有被第一绝缘体14围绕的信号导体12。参考导体16围绕第一绝缘体，在本讨论中，可以将参考导体16称为地、参考或内导体。第二绝缘体18围绕参考导体，进而被第三或屏蔽导体20围绕。外套或护套22可以包住这些部件以形成电缆。中心导体12下方的电缆的下层与上层匹配，因为这是电缆的长度的侧视图。
如上所述，当隔离的测试和测量装置中的探头端头使用同轴电缆时，测量受到影响，因为流过同轴电缆的参考导体的共模电流产生与在信号和参考导体之间进行的差分测量串联的电压降。三同轴电缆有时用于在单独的屏蔽导体中路由共模电流，但是这通常需要测试和测量装置中的差分输入级，使得参考导体不形成共模电流流动的次级路径。
通常，用于隔离探头的大多数常规端头使用标准同轴电缆，其具有长度短于6英寸的两个导体。该短的长度有助于通过最小化参考导体的长度并因此最小化参考导体的电阻来保持良好的CMRR性能。然而，短的长度使得难以使用这些产品进行必须通过窄范围的测量，例如到达环境室内以在扩展温度下测试DUT。在常规同轴电缆隔离探头端头上，在参考导体外部将存在铁素体。三同轴方法增加了另外的屏蔽导体以及在屏蔽导体外部的另外的铁素体。CMRR的改进可以允许开发更长的端头。
本文的实施例使用插入在三同轴电缆的参考和屏蔽导体之间的高导磁率材料，例如铁素体。这增加了参考导体中的相对于屏蔽部的共模阻抗，从而将共模电流推到屏蔽导体。该技术可以与屏蔽部外部的高导磁率材料的使用相结合，以最小化总的共模电流，同时将所留下的共模电流引导到屏蔽部中而不是参考部中。高导磁率材料可以包括具有高导磁率、低电导率并且有损耗的材料。导磁率是材料响应于所施加的磁场而获得的磁化的度量。出于本讨论的目的，具有“高导磁率”的材料具有高于μ0（自由空间的导磁率）一个或多个数量级的导磁率。
图2示出了探头端头的实施例，其使用在屏蔽导体内部具有高导磁率材料的三同轴电缆。实质上，围绕信号导体和参考导体的高导磁率材料（而不是屏蔽导体）形成平衡-不平衡变换器（balun），平衡-不平衡变换器是在平衡信号和不平衡信号之间转换的装置。平衡-不平衡变换器防止屏蔽导体的电阻中的共模下降影响从信号导体到参考导体的差分信号。
使用没有屏蔽导体的标准同轴设计的类似长度的产品通常在500 MHz处呈现小于20 dB的CMRR性能。本文的实施例（其使用具有内部高导磁率材料的屏蔽导体）在500 MHz处提供大约50 dB的CMRR性能。图2示出了这种设计的实施例。
三同轴电缆30具有信号导体32、第一绝缘体34、参考导体36、第二绝缘体38和屏蔽导体40，可选地封装在外套42中。高导磁率材料44（在这种情况下为铁素体）位于屏蔽导体和第二绝缘体之间。应当注意，高导磁率材料可位于电缆中的多于一个位置。更可能的是，它们将位于电缆所连接的测试和测量装置附近，并且位于另一端附近在探头端头接口48旁边。注意，该视图是侧视图，并且导体和绝缘体至少穿过电缆的长度。在一个实施例中，屏蔽导体穿过电缆的长度并延伸超过电缆的端部。信号导体32下方的电缆的下层与上层匹配，因为这是电缆长度的截面侧视图。
在测试和测量装置端部处，信号导体连接到印刷电路板50上的电缆引入线（cablelaunch）58。金属或其它导电圆柱形外壳52围住PCB 50。焊料或其它材料54将导电圆柱形外壳52连接到参考导体36。类似地，焊料56经过第二绝缘体38终止的点将屏蔽导体40连接到参考导体36。更多的高导磁率材料46可位于外套外部或屏蔽导体外部，以增加阻抗并进而最小化被测电路的共模负载。以这种方式，高导磁率材料46对抗整个电缆中的共模电流流动，但是随着高导磁率材料44进一步对抗参考导体中的共模电流流动，确实在流动的任何共模电流中的大部分沿着屏蔽导体40行进。
在替代实施例中，三同轴电缆可以通过如图3所示的共模扼流圈（choke）而电连接。共模扼流圈通常包括磁芯形式的高导磁率材料，该磁芯被容纳在具有连接点的壳体内。信号导体32和参考导体36连接到扼流圈41上的引脚或其它连接点，信号导体32连接到连接点1，并且参考导体36连接到连接点2。在扼流圈的另一侧，参考输出35连接到连接点3，并且探头端头33的信号输出导体将连接到连接点4。信号通过扼流圈从信号导体32流到输出导体33。
三同轴电缆的屏蔽导体40将连接到导电外壳52，从而实际上使屏蔽导体延伸超过电缆的长度。高导磁率材料位于屏蔽导体内部。参考输出35连接到外壳52，从而将屏蔽导体连接到参考导体，类似于图2所示的实施例。应当注意，该示例示出了在图2的实施例的PCB端处的共模扼流圈，但是共模扼流圈可以位于电缆的任一端，或者位于两端。
图4-13示出了制造具有内部高导磁率材料的三同轴电缆的方法。术语“制造”可以包括修改现有的三同轴电缆或者从头开始制造三同轴电缆。为了简单起见，图2的三同轴电缆的许多部件在下面的图中没有被指出，但是仍然是电缆的一部分。通常，该过程涉及以某种方式访问屏蔽导体，这可以包括解开或剥离屏蔽导体。这将允许在屏蔽导体下方插入高导磁率材料。在替代方法中，内部参考编织物和屏蔽导体之间的第二绝缘体可以用粒状铁素体或其它高导磁率材料在绝缘体/电介质中制造。
图4示出了电缆，从电缆的每一端的一部分移除了外套/外部绝缘体42的一部分。这暴露了屏蔽导体40。外部高导磁率材料46位于屏蔽导体和/或外部绝缘体42的外部。图5示出了第二绝缘体38上的内部高导磁率材料44。
图6示出了围绕内部高导磁率材料44缠绕的屏蔽导体40。屏蔽导体可以围绕内部高导磁率材料本身缠绕。替代地，可以将较大直径的编织物焊接到屏蔽导体，以围住高导磁率材料。然后，将原始屏蔽导体或者现在充当屏蔽导体的较大直径编织物焊接到参考导体36，以形成根据实施例的电缆。
在另一实施例中，屏蔽导体可以被扩展以提供允许用以插入高导磁率材料的通路。在图7中，其也可以用于其它实施例，抗磨损材料60被施加到屏蔽编织物上，使得它在扩展时不会磨损。抗磨损材料可以包括诸如橡胶粘合剂的材料，橡胶粘合剂是具有良好的粘合性能但也易于移除的材料。
在图8中，电缆的端部的大部分（包括抗磨损材料60）被修剪，如虚线所示。这允许访问屏蔽导体的端部和外部绝缘体（如果使用了的话）。在图9中，屏蔽导体40被扩展以允许用以插入高导磁率材料44的通路。这可以包括使用某种非吸收材料作为楔形物62以扩展屏蔽部40，例如塑料或Teflon®。替代地，如图10所示，如果高导磁率材料被构造成允许扩展，则可以不需要楔形物。
如图11和12所示，高导磁率材料44可以在屏蔽导体40下方滑动，以到达其最终位置，如图12所示。最后，如图13所示，抗磨损材料60被移除，并且电缆被连接到PCB 52。
以这种方式，共模电流耦合到电缆的屏蔽导体。这允许来自DUT的信号的返回路径通过，而没有影响DUT信号的测量的干扰。实施例提供了对现有电缆的修改，或者开发了具有集成的高导磁率材料的新电缆。
本公开的各方面可以在特别创建的硬件上、在固件、数字信号处理器上、或在包括根据编程指令操作的处理器的专门编程的通用计算机上操作。本文所使用的术语控制器或处理器旨在包括微处理器、微计算机、专用集成电路（ASIC）和专用硬件控制器。本公开的一个或多个方面可以被实现在计算机可用数据和计算机可执行指令中，例如被实现在由一个或多个计算机（包括监测模块）或其他装置执行的一个或多个程序模块中。通常，程序模块包括例程、程序、对象、组件、数据结构等，其在由计算机或其他装置中的处理器执行时进行特定任务或实现特定抽象数据类型。计算机可执行指令可以被存储在非暂时性计算机可读介质上，例如硬盘、光盘、可移动存储介质、固态存储器、随机存取存储器（RAM）等。如本领域技术人员将会认识到的，程序模块的功能可以在各种方面中根据期望进行组合或分配。此外，功能可以全部或部分地以固件或硬件等同物来实现，例如集成电路、FPGA等。特定数据结构可用于更有效地实现本公开的一个或多个方面，并且这样的数据结构被构想为在本文描述的计算机可执行指令和计算机可用数据的范围内。
在一些情况下，所公开的方面可以以硬件、固件、软件或其任意组合来实现。所公开的方面还可以被实现为由一个或多个非暂时性计算机可读介质承载或存储在其上的指令，其可以由一个或多个处理器读取和执行。这样的指令可以被称为计算机程序产品。如本文所讨论的，计算机可读介质是指可由计算装置访问的任何介质。作为示例而非限制，计算机可读介质可包括计算机存储介质和通信介质。
计算机存储介质是指可用于存储计算机可读信息的任何介质。作为示例而非限制，计算机存储介质可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、闪存或其它存储器技术、光盘只读存储器（CD-ROM）、数字视频盘（DVD）或其它光盘存储设备、磁带盒、磁带、磁盘存储设备或其它磁存储装置、以及以任何技术实现的任何其它易失性或非易失性、可移除或不可移除的介质。计算机存储介质排除信号本身和信号传输的暂时形式。
通信介质是指可用于计算机可读信息的通信的任何介质。作为示例而非限制，通信介质可包括同轴电缆、光纤缆线、空气或适于电、光、射频（RF）、红外、声或其它类型信号的通信的任何其它介质。
另外，本书面描述参考了特定特征。应当理解，本说明书中的公开内容包括这些特定特征的所有可能的组合。例如，在特定方面的上下文中公开了特定特征的情况下，该特征也可以在可能的程度上在其他方面的上下文中使用。
此外，当在本申请中提及具有两个或更多个限定的步骤或操作的方法时，该限定的步骤或操作可以以任何顺序进行或同时进行，除非上下文排除了那些可能性。
示例
下面提供所公开的技术的说明性示例。所述技术的实施例可以包括以下描述的示例中的一个或多个以及任何组合。
示例1是一种用于具有三同轴电缆的隔离探头的探头端头，包括：在所述电缆的一个端部处的导电探头端头接口；信号导体，所述信号导体穿过所述电缆的长度并且电连接到所述导电探头端头接口；参考导体，所述参考导体沿着所述电缆的所述长度围绕所述信号导体；屏蔽导体，所述屏蔽导体至少沿着所述电缆的所述长度围绕所述参考导体，所述屏蔽导体和所述参考导体在所述探头端头的端部处电连接；第一绝缘体，所述第一绝缘体沿着所述电缆的所述长度在所述信号导体和所述参考导体之间；第二绝缘体，所述第二绝缘体沿着所述电缆的所述长度在所述参考导体和所述屏蔽导体之间；以及高导磁率材料，所述高导磁率材料在所述屏蔽导体内部。
示例2是示例1的探头端头，其中，所述高导磁率材料包括在所述电缆的一个或两个端部处的共模扼流圈，并且所述屏蔽导体还包括容纳所述共模扼流圈的导电外壳。
示例3是示例1或2的探头端头，还包括在所述屏蔽导体外部的高导磁率材料。
示例4是示例1至3中任一项的探头端头，还包括印刷电路板，所述印刷电路板连接到所述电缆的与所述导电探头端头接口相对的端部。
示例5是示例4的探头端头，其中，所述印刷电路板包括共模扼流圈。
示例6是示例1至5中任一项的探头端头，其中，所述高导磁率材料包括铁素体。
示例7是示例1至6中任一项的探头端头，其中，所述屏蔽导体内的所述高导磁率材料位于所述屏蔽导体和所述参考导体之间。
示例8是示例1至7中任一项的探头端头，其中，在所述屏蔽导体内部的所述高导磁率材料被集成到所述第二绝缘体的材料中。
示例9是一种制造用于具有三同轴电缆的隔离探头的端头的方法，包括：访问所述三同轴电缆的屏蔽导体；在所述屏蔽导体和所述三同轴电缆中的参考导体之间插入高导磁率材料；以及将所述屏蔽导体电连接到所述参考导体。
示例10是示例9的制造方法，还包括将高导磁率材料放置在所述屏蔽导体外部。
示例11是示例9和10中任一项的制造方法，其中，访问所述屏蔽导体包括在所述电缆的端部处解开所述屏蔽导体，并且在将所述屏蔽导体电连接到所述参考导体之前将所述屏蔽导体缠绕在所述高导磁率材料上。
示例12是示例9至11中任一项的制造方法，其中，访问所述屏蔽导体包括移除所述屏蔽导体的在所述电缆的端部处的一部分，并且所述方法还包括：在所述电缆的每一端部处放置直径比所述屏蔽导体更大的编织物以保持所述高导磁率材料；以及将所述较大直径的编织物焊接到所述屏蔽导体。
示例13是示例9至12中任一项的制造方法，其中：访问所述屏蔽导体包括：用抗磨损材料涂覆所述电缆的端部；修剪所述防磨损材料；以及在所述电缆的端部中形成开口，所述开口使所述屏蔽导体暴露；插入所述高导磁率材料包括使所述高导磁率材料滑动到所述开口中以抵靠所述屏蔽导体；以及移除所述抗磨损材料。
示例14是示例13的方法，其中，形成开口包括使用除了所述高导磁率材料之外的材料制成的楔形物来扩展所述屏蔽导体。
示例15是一种三同轴电缆，包括：信号导体，所述信号导体穿过所述电缆的长度；参考导体，所述参考导体沿着所述电缆的所述长度围绕所述信号导体；屏蔽导体，所述屏蔽导体沿着所述电缆的所述长度围绕所述参考导体，所述屏蔽导体和所述参考导体在所述电缆的端部处电连接；第一绝缘体，所述第一绝缘体沿着所述电缆的所述长度在所述信号导体和所述参考导体之间；第二绝缘体，所述第二绝缘体沿着所述电缆的所述长度在所述参考导体和所述屏蔽导体之间；以及高导磁率材料，所述高导磁率材料在所述屏蔽导体内部。
示例16是示例15的电缆，还包括在屏蔽导体外部的高导磁率材料。
示例17是示例15或16的电缆，其中，所述高导磁率材料包括在所述电缆的一个或两个端部处的共模扼流圈，所述电缆还包括电连接到所述屏蔽导体的导电金属外壳。
示例18是示例15至17中任一项的电缆，其中，所述高导磁率材料包括铁素体。
示例19是示例15至18中任一项的电缆，其中，在所述屏蔽导体内部的所述高导磁率材料位于所述屏蔽导体和所述参考导体之间。
示例20是示例15至19中任一项的电缆，其中，在所述屏蔽导体内部的所述高导磁率材料被集成到第二绝缘体的材料中。
在说明书（包括权利要求、摘要和附图）中公开的所有特征以及在所公开的任何方法或过程中的所有步骤可以以任何组合方式组合，除了其中至少一些这样的特征和/或步骤是相互排斥的组合。除非另外明确说明，否则说明书（包括权利要求、摘要和附图）中公开的每个特征可以由用于相同、等同或类似目的替代特征来替换。
尽管为了说明的目的已经示出和描述了具体实施例，但是将理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下可以进行各种修改。因此，本发明不应被限制，除非由所附权利要求书限制。

Claims (20)

1.一种用于具有三同轴电缆的隔离探头的探头端头，包括：
在所述电缆的一个端部处的导电探头端头接口；
信号导体，所述信号导体穿过所述电缆的长度并且电连接到所述导电探头端头接口；
参考导体，所述参考导体沿着所述电缆的所述长度围绕所述信号导体；
屏蔽导体，所述屏蔽导体至少沿着所述电缆的所述长度围绕所述参考导体，所述屏蔽导体和所述参考导体在所述探头端头的端部处电连接；
第一绝缘体，所述第一绝缘体沿着所述电缆的所述长度在所述信号导体和所述参考导体之间；
第二绝缘体，所述第二绝缘体沿着所述电缆的所述长度在所述参考导体和所述屏蔽导体之间；以及
高导磁率材料，所述高导磁率材料在所述屏蔽导体内部。
2.如权利要求1所述的探头端头，其中，所述高导磁率材料包括在所述电缆的一个或两个端部处的共模扼流圈，并且所述屏蔽导体还包括容纳所述共模扼流圈的导电外壳。
3.如权利要求1所述的探头端头，还包括在所述屏蔽导体外部的高导磁率材料。
4.如权利要求1所述的探头端头，还包括印刷电路板，所述印刷电路板连接到所述电缆的与所述导电探头端头接口相对的端部。
5.如权利要求4所述的探头端头，其中，所述印刷电路板包括共模扼流圈。
6.如权利要求1所述的探头端头，其中，所述高导磁率材料包括铁素体。
7.如权利要求1所述的探头端头，其中，所述屏蔽导体内的所述高导磁率材料位于所述屏蔽导体和所述参考导体之间。
8.如权利要求1所述的探头端头，其中，在所述屏蔽导体内部的所述高导磁率材料被集成到所述第二绝缘体的材料中。
9.一种制造用于具有三同轴电缆的隔离探头的端头的方法，包括：
访问所述三同轴电缆的屏蔽导体；
在所述屏蔽导体和所述三同轴电缆中的参考导体之间插入高导磁率材料；以及
将所述屏蔽导体电连接到所述参考导体。
10.如权利要求9所述的制造方法，还包括将高导磁率材料放置在所述屏蔽导体外部。
11.如权利要求9所述的制造方法，其中，访问所述屏蔽导体包括在所述电缆的端部处解开所述屏蔽导体，并且在将所述屏蔽导体电连接到所述参考导体之前将所述屏蔽导体缠绕在所述高导磁率材料上。
12. 如权利要求9所述的制造方法，其中，访问所述屏蔽导体包括移除所述屏蔽导体的在所述电缆的端部处的一部分，并且所述方法还包括：
在所述电缆的每一端部处放置直径比所述屏蔽导体更大的编织物以保持所述高导磁率材料；以及
将所述较大直径的编织物焊接到所述屏蔽导体。
13.如权利要求9所述的制造方法，其中：
访问所述屏蔽导体包括：
用抗磨损材料涂覆所述电缆的端部；
修剪所述防磨损材料；以及
在所述电缆的端部中形成开口，所述开口使所述屏蔽导体暴露；
插入所述高导磁率材料包括使所述高导磁率材料滑动到所述开口中以抵靠所述屏蔽导体；以及
移除所述抗磨损材料。
14.如权利要求13所述的方法，其中，形成开口包括使用除了所述高导磁率材料之外的材料制成的楔形物来扩展所述屏蔽导体。
15.一种三同轴电缆，包括：
信号导体，所述信号导体穿过所述电缆的长度；
参考导体，所述参考导体沿着所述电缆的所述长度围绕所述信号导体；
屏蔽导体，所述屏蔽导体沿着所述电缆的所述长度围绕所述参考导体，所述屏蔽导体和所述参考导体在所述电缆的端部处电连接；
第一绝缘体，所述第一绝缘体沿着所述电缆的所述长度在所述信号导体和所述参考导体之间；
第二绝缘体，所述第二绝缘体沿着所述电缆的所述长度在所述参考导体和所述屏蔽导体之间；以及
高导磁率材料，所述高导磁率材料在所述屏蔽导体内部。
16.如权利要求15所述的电缆，还包括在屏蔽导体外部的高导磁率材料。
17.如权利要求15所述的电缆，其中，所述高导磁率材料包括在所述电缆的一个或两个端部处的共模扼流圈，所述电缆还包括电连接到所述屏蔽导体的导电金属外壳。
18.如权利要求15所述的电缆，其中，所述高导磁率材料包括铁素体。
19.如权利要求15所述的电缆，其中，在所述屏蔽导体内部的所述高导磁率材料位于所述屏蔽导体和所述参考导体之间。
20.如权利要求15所述的电缆，其中，在所述屏蔽导体内部的所述高导磁率材料被集成到第二绝缘体的材料中。
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