CN115268231A - 用于监控光刻机台焦点位置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种监控光刻机台焦点位置的方法，所述方法包括：于晶圆上形成具有第一套刻标识及第二套刻标识的前层图形，其中，所述第一套刻标识及所述第二套刻标识紧邻设置，且二者均具有间隔设置的重复图案；于所述前层图形上形成具有所述第一套刻标识及所述第二套刻标识的当层图形；获取所述第一套刻标识的第一套刻精度量测值及所述第二套刻标识的第二套刻精度量测值；根据所述第一套刻精度量测值及所述第二套刻精度量测值得到光刻机台焦点位置的偏移值。通过本发明解决以现有的方法无法简便、准确、快速地监控光刻机台焦点位置的问题。

Description

用于监控光刻机台焦点位置的方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种用于监控光刻机台焦点位置的方法。
背景技术
光刻机台焦点位置的确定和保持是光刻机日常维护的重要环节，是保证晶圆代工厂光刻区域作业产品正常流通的先决条件，因此，光刻机焦点位置的测量是首先要解决的问题。
现有的测量光刻机台焦点位置的方法包括基本的EFM(Focus-Energy-Matrix)方法、基于Alignment系统的FOCAL test以及LVT test(Leveling Verification Test)。FEM方法是光刻工艺工程师日常确认机台焦点的常用方法，具体过程为：人为地改变晶圆上每个曝光shot的焦点和能量，通过量测每个shot内特定图形的尺寸(CD)和形貌(profile)来确定最佳的焦点位置。FOCAL test通过结合特殊设计的Alignment标识，将机台焦点位置的变化转化为Alignment标识线宽的变化，从而改变光刻机的Alignment系统读取出的Alignment标识的位置，从而建立了Alignment标识的位置与机台焦点位置的关系，以此来完成机台焦点位置的确认。LVT test需通过特殊设计的掩膜版改变入射光的传播路径，从而将z方向上焦点位置的变化转换为套刻精度量测标识在x和y方向上的偏移，并通过套刻标识的偏移量来确定焦点位置的偏移量。
然而，以上三种方法均存在缺点，FEM方法需要引入人为的判断因素，无法完全客观、准确的反映机台焦点位置的变化。FOCAL test方法需要借助机台的Alignment系统，从而导致整体的量测时间过长，而且，利用该方法进行量测时需要机台停机，从而影响线上产品流通。LVT test方法需要使用特殊设计的光罩，而特殊设计的光罩的使用会增加整体测试的复杂度和成本。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种监控光刻机台焦点位置的方法，用于解决以现有的方法无法简便、准确、快速地监控光刻机台焦点位置的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种监控光刻机台焦点位置的方法，所述方法包括；
于晶圆上形成具有第一套刻标识及第二套刻标识的前层图形，其中，所述第一套刻标识及所述第二套刻标识紧邻设置，且二者均具有间隔设置的重复图案；
于所述前层图形上形成具有所述第一套刻标识及所述第二套刻标识的当层图形；
获取所述第一套刻标识的第一套刻精度量测值及所述第二套刻标识的第二套刻精度量测值；
根据所述第一套刻精度量测值及所述第二套刻精度量测值得到光刻机台焦点位置的偏移值。
可选地，根据所述第一套刻精度量测值及所述第二套刻精度量测值得到所述光刻机焦点位置的偏移值的方法包括：
利用所述第一套刻精度量测值减去所述第二套刻精度量测值得到套刻偏差值；
通过实验建模得到所述套刻精度偏差值与焦点位置的所述偏移值之间的关系曲线。
可选地，利用离轴单极照明作为照明光源，且所述离轴单极照明的离轴程度值的取值范围为0.5～1。
可选地，根据光刻机数值孔径及所述离轴程度值来确定所述照明光源入射方向与主光轴的夹角，所述夹角的计算公式为：
Figure BDA0003766957510000021
其中，θ表示所述夹角，NA表示所述光刻机数值孔径，σ表示所述离轴程度值。
可选地，所述第一套刻标识具有第一周期，且所述第一周期为所述重复图案的特征尺寸与相邻两个所述重复图案之间的间距值之和；所述第二套刻标识具有第二周期，且所述第二周期为所述重复图案的特征尺寸与相邻两个所述重复图案之间的间距值之和。
可选地，根据所述照射光源的波长及所述夹角来确定所述第一周期及所述第二周期；其中，所述第一周期的计算公式为：
Figure BDA0003766957510000022
所述第二周期的计算公式为：
Figure BDA0003766957510000023
其中，p1表示所述第一周期，p2表示所述第二周期，λ表示所述照射光源的波长，θ表示所述夹角。
可选地，于所述晶圆上形成所述前层图形时，通过光刻工艺及刻蚀工艺将所述第一套刻标识及所述第二套刻标识同时形成于晶圆上。
可选地，于所述前层图形上形成所述当层图形时，通过光刻工艺将所述第一套刻标识及所述第二套刻标识同时形成于所述前层图形上。
可选地，所述第一套刻标识与所述第二套刻标识之间的间距小于等于200μm。
可选地，所述第一套刻标识中的所述重复图案沿x方向间隔排列或沿y方向间隔排列；所述第二套刻标识中的所述重复图案沿x方向间隔排列或沿y方向间隔排列，且所述第二套刻标识中所述重复图案的排列方式与所述第一套刻标识中所述重复图案的排列方式相同。
如上所述，本发明的监控光刻机台焦点位置的方法，通过两种套刻标识(第一套刻标识及第二套刻标识)的设计及曝光照明光源的设计，达到将焦点位置的量测转换为光刻套刻精度的量测的目的，建立套刻精度与焦点位置的关系，且通过定期量测套刻精度以确认机台焦点位置是否发生变化。通过上述方法能够简便、快速、准确的监控光刻机台焦点位置的变化，并及时反馈给光刻区域线上流通的产品，保证产品晶圆的正常流通。
附图说明
图1显示为现有的FOCAL test基本原理示意图。
图2显示为现有的LVT test基本原理示意图。
图3显示为本发明的监控光刻机台焦点位置的方法的流程图。
图4显示为本发明的套刻标识的设计示意图。
图5显示为本发明照明设计示意图。
图6显示为本发明所提供方法的量测原理示意图。
附图标号说明
11 第一套刻标识
12 第二套刻标识
20 前层图形
30 当层图形
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图6。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
如图3所示，本实施例提供了一种监控光刻机台焦点位置的方法，所述方法包括：
于晶圆上形成具有第一套刻标识11及第二套刻标识12的前层图形20，其中，所述第一套刻标识11及所述第二套刻标识12紧邻设置，且二者均具有间隔设置的重复图案；
于所述前层图形20上形成具有所述第一套刻标识11及所述第二套刻标识12的当层图形30；
获取所述第一套刻标识11的第一套刻量精度量测值OVLX1及所述第二套刻标识12的第二套刻量精度量测值OVLX2；
根据所述第一套刻量精度量测值OVLX1及所述第二套刻量精度量测值OVLX2得到光刻机台焦点位置的偏移值。
具体的，于所述晶圆上形成所述前层图形20时，通过光刻工艺及刻蚀工艺将所述第一套刻标识11及所述第二套刻标识12同时形成于晶圆上。
具体的，于所述前层图形20上形成所述当层图形30时，通过光刻工艺将所述第一套刻标识11及所述第二套刻标识12同时形成于所述前层图形20上。
具体的，所述第一套刻标识11与所述第二套刻标识12之间的间距小于等于200μm。
具体的，所述第一套刻标识11中的所述重复图案沿x方向间隔排列或沿y方向间隔排列；所述第二套刻标识12中的所述重复图案沿x方向间隔排列或沿y方向间隔排列，且所述第二套刻标识12中所述重复图案的排列方式与所述第一套刻标识11中所述重复图案的排列方式相同。
如图4所示，本实施例中，所述重复图案为线条，所述第一套刻标识11及所述第二套刻标识12均是由密集线条组成。x方向间隔排列的密集线条用于x方向套刻精度的量测，y方向间隔排列的密集线条用于y方向套刻精度量测。
具体的，利用离轴单极照明作为照明光源，且所述离轴单极照明的离轴程度值的取值范围为0.5～1。
如图5所示，本实施例中，离轴单极照明包括x方向的离轴单极照明及y方向的离轴单极照明。当所述第一套刻标识11及所述第二套刻标识12的所述重复图案沿x方向间隔排列时选用x方向的离轴单极照明；当所述第一套刻标识11及所述第二套刻标识12的所述重复图案沿y方向间隔排列时选用y方向的离轴单极照明。而且，所述离轴单极照明的离轴程度值可根据需要进行选择，可选地，所述离轴程度值包括0.5、0.6、0.7、0.8或0.9。
具体的，根据所述第一套刻量精度量测值OVLX1及所述第二套刻量精度量测值OVLX2得到所述光刻机焦点位置的偏移值的方法包括：
利用所述第一套刻量精度量测值OVLX1减去所述第二套刻量精度量测值OVLX2得到套刻偏差值；
通过实验建模得到所述套刻精度偏差值与焦点位置的所述偏移值之间的关系曲线。
如图6所示，本实施例中，所述第一套刻标识11的重复图案及所述第二套刻标识12的重复图案均沿x方向间隔排布。根据光学成像的基本原理可知，所述第一套刻量精度量测值OVLX1与当层图形30中的所述第一套刻标识11相对于前层图形20中的所述第一套刻标识11在x方向上的偏移值及在z方向上相对于最佳聚焦点位置的偏移值相关，而第二套刻量精度量测值OVLX2与当层图形30中的第二套刻标识12相对于前层图形20中所述第二套刻标识12在x方向上的偏移值相关，因此，所述套刻偏差值仅与当层图形30中所述第一套刻标识11相对于最佳聚焦点位置的偏移值相关，在通过实验建模得到所述关系曲线的情况下，获取所述套刻偏差值即可得到所述光刻机台焦点的偏移值，从而能够通过监控所述套刻偏差值来实现对所述光刻机台焦点位置的监控。
具体的，根据光刻机数值孔径及所述离轴程度值来确定所述照明光源入射方向与主光轴的夹角，所述夹角的计算公式为：
Figure BDA0003766957510000051
其中，θ表示所述夹角，NA表示所述光刻机数值孔径，σ表示所述离轴程度值。
具体的，所述第一套刻标识11具有第一周期，且所述第一周期为所述重复图案的特征尺寸与相邻两个所述重复图案之间的间距值之和；所述第二套刻标识12具有第二周期，且所述第二周期为所述重复图案的特征尺寸与相邻两个所述重复图案之间的间距值之和。
具体的，根据所述照射光源的波长及所述夹角来确定所述第一周期及所述第二周期；其中，所述第一周期的计算公式为：
Figure BDA0003766957510000052
所述第二周期的计算公式为：
Figure BDA0003766957510000053
其中，p1表示所述第一周期，p2表示所述第二周期，λ表示所述照射光源的波长，θ表示所述夹角。
下面结合具体的实验过程对本实施例所提供的监控光刻机台焦点位置的方法进行进一步地详细说明：
1)选取所述离轴程度值σ为0.6，所述光刻机数值孔径NA为1.35的x方向的离轴单极照明作为照明光源，并计算得到所述照明光源的入射角θ为12.14°；
2)根据所述第一周期的计算公式得到所述第一套刻标识11的第一周期为919nm，根据所述第二周期的计算公式得到所述第二套刻标识12的第二周期为469nm，其中，所述第一套刻标识11的密集线条及所述第二套刻标识12的密集线条均沿x方向间隔设置；
3)通过光刻工艺及刻蚀工艺将具有所述第一套刻标识11及所述第二套刻标识12的前层图形20形成于晶圆上；
4)通过光刻工艺将具有所述第一套刻标识11及所述第二套刻标识12的当层图形30形成于所述前层图形20上；
5)通过测量获取所述第一套刻量精度量测值OVLX1及所述第二套刻量精度量测值OVLX2，将二者相减得到所述套刻偏差值ΔOVLX；
多次重复步骤3～5以得到所述套刻偏差值ΔOVLX随时间的波动曲线。
由于所述套刻偏差值与所述光刻机台焦点位置的偏移值之间具有存在一定的关系(也即是存在所述关系曲线)，因此，通过对所述波动曲线的监控即可实现对所述光刻机台焦点位置的监控。
综上所述，本发明的监控光刻机台焦点位置的方法，通过两种套刻标识(第一套刻标识及第二套刻标识)的设计及曝光照明光源的设计，达到将焦点位置的量测转换为光刻套刻精度的量测的目的，建立套刻精度与焦点位置的关系，且通过定期量测套刻精度以确认机台焦点位置是否发生变化。通过上述方法能够简便、快速、准确的监控光刻机台焦点位置的变化，并及时反馈给光刻区域线上流通的产品，保证产品晶圆的正常流通。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种监控光刻机台焦点位置的方法，其特征在于，所述方法包括：
于晶圆上形成具有第一套刻标识及第二套刻标识的前层图形，其中，所述第一套刻标识及所述第二套刻标识紧邻设置，且二者均具有间隔设置的重复图案；
于所述前层图形上形成具有所述第一套刻标识及所述第二套刻标识的当层图形；
获取所述第一套刻标识的第一套刻精度量测值及所述第二套刻标识的第二套刻精度量测值；
根据所述第一套刻精度量测值及所述第二套刻精度量测值得到光刻机台焦点位置的偏移值。
2.根据权利要求1所述的监控光刻机台焦点位置的方法，其特征在于，根据所述第一套刻精度量测值及所述第二套刻精度量测值得到所述光刻机焦点位置的偏移值的方法包括：
利用所述第一套刻精度量测值减去所述第二套刻精度量测值得到套刻偏差值；
通过实验建模得到所述套刻精度偏差值与焦点位置的所述偏移值之间的关系曲线。
3.根据权利要求1或2所述的监控光刻机台焦点位置的方法，其特征在于，利用离轴单极照明作为照明光源，且所述离轴单极照明的离轴程度值的取值范围为0.5～1。
4.根据权利要求3所述的监控光刻机台焦点位置的方法，其特征在于，根据光刻机数值孔径及所述离轴程度值来确定所述照明光源入射方向与主光轴的夹角，所述夹角的计算公式为：
Figure FDA0003766957500000011
其中，θ表示所述夹角，NA表示所述光刻机数值孔径，σ表示所述离轴程度值。
5.根据权利要求4所述的监控光刻机台焦点位置的方法，其特征在于，所述第一套刻标识具有第一周期，且所述第一周期为所述重复图案的特征尺寸与相邻两个所述重复图案之间的间距值之和；所述第二套刻标识具有第二周期，且所述第二周期为所述重复图案的特征尺寸与相邻两个所述重复图案之间的间距值之和。
6.根据权利要求5所述的监控光刻机台焦点位置的方法，其特征在于，根据所述照射光源的波长及所述夹角来确定所述第一周期及所述第二周期；其中，所述第一周期的计算公式为：
Figure FDA0003766957500000012
所述第二周期的计算公式为：
Figure FDA0003766957500000021
其中，p1表示所述第一周期，p2表示所述第二周期，λ表示所述照射光源的波长，θ表示所述夹角。
7.根据权利要求1所述的监控光刻机台焦点位置的方法，其特征在于，于所述晶圆上形成所述前层图形时，通过光刻工艺及刻蚀工艺将所述第一套刻标识及所述第二套刻标识同时形成于晶圆上。
8.根据权利要求7所述的监控光刻机台焦点位置的方法，其特征在于，于所述前层图形上形成所述当层图形时，通过光刻工艺将所述第一套刻标识及所述第二套刻标识同时形成于所述前层图形上。
9.根据权利要求1所述的监控光刻机台焦点位置的方法，其特征在于，所述第一套刻标识与所述第二套刻标识之间的间距小于等于200μm。
10.根据权利要求1所述的监控光刻机台焦点位置的方法，其特征在于，所述第一套刻标识中的所述重复图案沿x方向间隔排列或沿y方向间隔排列；所述第二套刻标识中的所述重复图案沿x方向间隔排列或沿y方向间隔排列，且所述第二套刻标识中所述重复图案的排列方式与所述第一套刻标识中所述重复图案的排列方式相同。
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