CN115267972B - 一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器 - Google Patents

一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器 Download PDF

Info

Publication number
CN115267972B
CN115267972B CN202210992500.2A CN202210992500A CN115267972B CN 115267972 B CN115267972 B CN 115267972B CN 202210992500 A CN202210992500 A CN 202210992500A CN 115267972 B CN115267972 B CN 115267972B
Authority
CN
China
Prior art keywords
core layer
silicon dioxide
polymer
waveguide core
waveguide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210992500.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115267972A (zh
Inventor
孙小强
岳建波
王曼卓
刘庭瑜
刘崧岳
吴远大
张大明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jilin University
Original Assignee
Jilin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jilin University filed Critical Jilin University
Priority to CN202210992500.2A priority Critical patent/CN115267972B/zh
Publication of CN115267972A publication Critical patent/CN115267972A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115267972B publication Critical patent/CN115267972B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/14—Mode converters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12133—Functions
    • G02B2006/12152—Mode converter

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器，属于二氧化硅波导集成光学技术领域。从下至上依次由硅衬底、低折射率二氧化硅下包层、聚合物/二氧化硅复合芯层和低折射率二氧化硅上包层组成；聚合物/二氧化硅复合芯层为聚合物波导芯层和高折射率二氧化硅波导芯层组成的复合结构，高折射率二氧化硅波导芯层由掩埋于聚合物波导芯层中的高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1、高折射率二氧化硅锥型过渡波导芯层Core2和高折射率二氧化硅窄直波导芯层Core3顺次构成。本发明通过聚合物波导增大波导模场面积，增强单模光纤模场与二氧化硅波导模场的模式匹配，提高光耦合效率，从而降低单模光纤与二氧化硅波导的耦合损耗。

Description

一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器
技术领域
本发明属于二氧化硅波导集成光学技术领域，具体涉及一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器。
背景技术
随着光通讯、光计算和人工智能对数据带宽需求的不断增长，集成光子器件受到广泛关注。近年来，基于CMOS工艺平台的集成光芯片尺寸不断减小，集成度不断提高，功能性得到有效增强，已应用于半导体激光器、光滤波器、波长转换器、光逻辑门、光延时器、光调制器/光开关和光学传感器等方向。
但上述应用通常要求光学器件与光纤连接，以发送或接收光信号。因此实现光纤到光学器件的低损耗耦合连接对集成光器件性能及应用具有重要意义。与片上二氧化硅光波导尺寸相比，典型商用单模光纤的纤芯直径约为8μm，片上高折射率差二氧化硅光波导模斑直径约为4μm，SOI型硅波导的模斑尺寸约为0.5μm左右，光纤模场和波导模场间存在失配问题，连接时会造成较大的耦合损耗。因此，需要优化波导结构，实现光纤与波导之间的模场匹配，以减少光学耦合损耗。
目前，在光纤与波导间的耦合形式有两种，即光栅垂直耦合和波导端面耦合。光栅垂直耦合方式具有较好的灵活性，可以在芯片上任意位置进行耦合，但光栅耦合对于波长较敏感，偏振相关性强。端面耦合可使波导的模场增大，或使光纤模场变小，从而使光纤与波导模场尺寸匹配。端面耦合对于波长相对不敏感，偏振相关性较小，耦合效率高，且易于封装，因此端面耦合在集成光芯片封装中起着重要作用。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器，用于实现单模光纤与波导之间的互连。聚合物材料具有制作工艺简单灵活，折射率可调和吸收损耗低等优点，利用聚合物/二氧化硅复合芯层结构，可实现光纤模式至波导模式的低损耗过渡连接。
本发明所述的一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器，如图1和图2所示，从下至上依次由硅衬底(1)、低折射率二氧化硅下包层(2)、聚合物/二氧化硅复合芯层和低折射率二氧化硅上包层(3)组成；低折射率二氧化硅下包层(2)和低折射率二氧化硅上包层(3)的折射率相同，均为1.445；聚合物/二氧化硅复合芯层为聚合物波导芯层(5)和高折射率二氧化硅波导芯层(4)组成的复合结构，聚合物波导芯层(5)为直波导结构，高折射率二氧化硅波导芯层(4)由掩埋于聚合物波导芯层(5)中的高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1、高折射率二氧化硅锥型过渡波导芯层Core2和高折射率二氧化硅窄直波导芯层Core3顺次构成，如图3所示。高折射率二氧化硅波导芯层(4)为掺锗的二氧化硅，其折射率为1.486；聚合物波导芯层(5)为紫外光固化聚合物材料FPU12，其折射率为1.472，该材料具有良好的物理、化学稳定性，可承受后续SiO2上包层沉积等工艺的影响；沿光耦合输入方向，聚合物波导芯层(5)的中心对称轴与高折射率二氧化硅波导芯层(4)的中心对称轴相互重合；单模光纤输出的信号光通过聚合物波导芯层(5)进入高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1，再经二氧化硅锥型过渡段波导芯层Core2后由二氧化硅窄直波导芯层Core3输出，模场面积沿光传播方向逐渐变小。即利用聚合物波导芯层(5)的模场面积与单模光纤模场匹配的特性，首先实现单模光纤与聚合物波导芯层(5)的高效耦合，再通过聚合物波导芯层(5)与二氧化硅波导模场的模式匹配，实现聚合物波导内光信号至二氧化硅芯层(4)的低损耗传输，利用聚合物波导作为过渡区，降低单模光纤与二氧化硅波导由于模场失配导致的耦合损耗，提高光耦合效率。
如图2所示，光纤中的信号光首先由单模光纤耦合至聚合物波导芯层(5)中，因单模光纤的直径为8μm，因此选择聚合物波导芯层(5)的宽度W1＝8μm，使光纤模场大小与波导模场大小匹配，从而提高耦合效率。沿光耦合输入方向，聚合物波导芯层(5)的长L1＝86μm，以实现输入光信号的稳定传输。高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1的宽度W2＝5μm，长度L2＝30μm，高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1左右侧面与聚合物波导芯层(5)左右侧面的距离Gap2＝1.5μm，以使聚合物波导芯层(5)中的光模场耦合至高折射率二氧化硅波导芯层(4)中；锥型二氧化硅过渡波导芯层Core2的宽度由W2＝5μm线性渐变为W3＝3.5μm，长度L3＝28μm，可有效压缩二氧化硅波导所支持光场尺寸，使其逐渐过渡至输出端高折射率二氧化硅窄直波导芯层Core3中；高折射率二氧化硅窄直波导芯层Core3的宽度W3＝3.5μm，长度L4＝20μm。
如图3所示，沿光耦合输入方向，单模光纤中的信号光首先耦合至聚合物波导芯层(5)中，为与单模光纤芯径匹配，选择聚合物波导芯层(5)的高度H1＝8μm，以提高耦合效率；高折射率二氧化硅波导芯层(4)的高度H2＝3.5μm，支持单模光信号传输；高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1上下侧面与聚合物波导芯层(5)上下侧面的距离Gap1＝2.25μm；器件总长度为L1+L3+L4＝134μm。
模斑转换器的模场传输情况如图4所示，从图中可以清晰的看到来自单模光纤的输入光信号，经过聚合物/二氧化硅复合芯层结构传输，模场逐渐被耦合至二氧化硅直波导中，无明显光泄露导致的损耗。
图5为输出端高折射率二氧化硅窄直波导芯层Core3中模场分布，可见单模光纤中信号光被成功耦合至高度和宽度均为3.5μm的二氧化硅直波导中。
本发明所述聚合物/二氧化硅复合芯层结构模斑转换器传输光波长与传输损耗间关系如图6所示，在1.52～1.62μm波长范围内，本发明所述模斑转换器产生的耦合损耗最小为0.191dB，最大为0.201dB。
附图说明
图1是本发明所述的聚合物/二氧化硅复合芯层结构模斑转换器的三维结构视图；
图2是本发明所述聚合物/二氧化硅复合芯层结构模斑转换器顶视图；
图3是本发明所述聚合物/二氧化硅复合芯层结构模斑转换器侧视图；
图4是本发明所述聚合物/二氧化硅复合芯层结构模斑转换器模场传输图；
图5是本发明所述聚合物/二氧化硅复合芯层结构模斑转换器输出光模场图；
图6是本发明所述聚合物/二氧化硅复合芯层结构模斑转换器传输光波长与传输损耗间关系曲线；
图7是本发明所述聚合物/二氧化硅复合芯层结构模斑转换器制备工艺流程。
具体实施方式
下面通过具体的实施方式结合附图对本发明做进一步详细说明
实施例1
1、确定聚合物波导芯层(5)的宽度W1，高度H1，以及输出端二氧化硅窄直波导芯层Core3的宽度W3和高度H2。实施例选用纤芯直径为8μm的单模光纤，为了匹配单模光纤的模场分布，本实施例设计的聚合物波导芯层(5)的宽度W1＝8μm，H1＝8μm，因为选用的高折射率二氧化硅波导芯层(4)的折射率为1.486，在其单模条件下，选取W3＝3.5μm，H2＝3.5μm。
2、确定聚合物波导芯层(5)的长度L1以及被物芯层(5)掩埋的二氧化硅直波导芯层Core1的长度L2和宽度W2。为了能够使光纤中的光场能够在聚合物波导芯层(5)中稳定传输，同时能够以最大效率耦合进二氧化硅波导(4)中，通过时域有限差分法(Finite-Difference Time-Domain，FDTD)计算，聚合物波导芯层(5)的长度L1＝86μm时，效果最好，同时当W2＝5μm，L2＝30μm时，聚合物波导芯层中的光能以最大效率耦合进二氧化硅波导中。
3、确定锥型二氧化硅波导芯层Core2的长度L3和输出端二氧化硅波导芯层Core3的长度L4。为了高效压缩二氧化硅波导所支持光场尺寸，使其逐渐过渡至输出端二氧化硅直波导芯层Core3中，同时考虑到器件尺寸问题，通过时域有限差分法，最终计算的锥型二氧化硅波导芯层Core2的长度L3＝28μm，输出端二氧化硅波导长度L4＝20μm。
4、图6显示了光纤与聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器耦合效率随着信号光波长变化，结果表明，在1520nm～1620nm波长范围内，所述聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器的耦合损耗小于0.201dB，耦合损耗变化范围0.191dB～0.201dB；在信号光波长为1550nm时，耦合损耗为0.195dB，可满足波长不敏感要求。
实施例2
图7所述本发明制备方式具体实施步骤如下：
1)清洗硅衬底(1)：选用单晶硅片作为衬底，用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗硅衬底，去除硅衬底表面杂质；
2)热氧化生长低折射率二氧化硅下包层(2)：在1000℃条件下，利用湿法热氧化方法，在清洗干净的硅衬底上生长一层二氧化硅薄膜作为下包层，通过控制水汽流量、衬底温度和反应时间，使低折射率二氧化硅下包层的厚度H3保持在15μm；
3)沉积高折射率二氧化硅波导芯层：利用等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)沉积掺锗(Ge)的高折射率二氧化硅，控制反应气体GeCl4、SiH4和N2O流量分别为32sccm、20sccm和40sccm，射频功率为50W，衬底温度200℃，控制反应时间形成H2＝3.5μm的高折射率二氧化硅波导芯层；
4)生长多晶硅掩膜层：以SiH4和H2作为反应气体，采用热丝CVD法，在生长气压1Pa、衬底温度200℃、稀释比V(H2)/(V(SiH4)+V(H2))为98.4％条件下，通过控制反应时间，在高折射率二氧化硅波导芯层表面生长一层1μm厚的多晶硅层作为高折射率二氧化硅波导芯层的刻蚀掩膜层；
5)光刻、多晶硅刻蚀形成波导掩膜图形：在步骤4)所形成多晶硅层表面旋涂光刻胶AZ1500，i线(365nm)紫外光刻、显影后，将掩膜板上与需要制备的二氧化硅波导芯层结构相同的波导图形转移至光刻胶表面，利用反应离子刻蚀(RIE)方法，去除无光刻胶保护部分的多晶硅层，曝光、显影去除光刻胶后，得到与需要制备的二氧化硅波导芯层结构相同的多晶硅掩膜层；
6)刻蚀形成二氧化硅波导：利用步骤5)所述的反应离子刻蚀(RIE)方法，控制SF6、CHF3和O2气体流量比，利用氟离子的化学腐蚀和物理轰击作用，去除无多晶硅掩膜保护部分的高折射率二氧化硅波导芯层；
7)再次生长多晶硅掩膜层：利用步骤4)所述方法，以SiH4和H2作为反应气体，采用热丝CVD法，在生长气压1Pa、衬底温度200℃、稀释比V(H2)/(V(SiH4)+V(H2))为98.4％条件下，通过控制反应时间，在高折射率二氧化硅波导芯层表面生长一层2μm厚的多晶硅层作为高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1的刻蚀掩膜层；
8)光刻、多晶硅刻蚀形成波导掩膜图形：在步骤7)所形成多晶硅层表面旋涂光刻胶AZ1500，i线(365nm)紫外光刻、显影后，将掩膜板上的波导图形转移至光刻胶表面，利用反应离子刻蚀(RIE)方法，去除无光刻胶保护部分的多晶硅层，曝光、显影去除光刻胶后，得到与波导形结构相同的多晶硅掩膜层；该多晶硅掩膜层由两部分构成，一部分为与高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1相同尺寸的结构，另一部分长度为高折射率二氧化硅锥型过渡波导芯层Core2和高折射率二氧化硅窄直波导芯层Core3长度之和、宽度为整个模斑转换器宽度的结构；
9)SiO2下包层刻蚀：控制SF6、CHF3和O2气体流量为10：1：1，使氟离子沿±y方向对二氧化硅下包层的横向刻蚀速率大于沿-z方向的纵向刻蚀速率，从而部分去除高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1下方的低折射率二氧化硅下包层，形成长度为L1、宽度为W1、深度为(H1-H2)/2的低折射率二氧化硅凹槽，该凹槽上面的高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1悬空；
10)去除多晶硅掩膜层：利用质量分数15％的KOH水溶液去除多晶硅掩膜层；
11)光刻形成聚合物二氧化硅复合波导：在步骤10)得到的高折射率二氧化硅宽芯层表面旋涂紫外光敏聚合物FPU12，使之完全填充步骤9)所述的低折射率二氧化硅凹槽，并包覆高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1，利用i线(365nm)紫外光刻将与聚合物波导芯层(5)结构互补的掩膜板图形转移至FPU12，湿法显影去除未曝光部分的聚合物FPU12，从而形成高度H1和宽度W1均为8μm、长度为L1的聚合物波导芯层(5)；
12)沉积SiO2上包层(3)：利用PECVD方法在步骤11)所获得器件结构表面沉积低折射率二氧化硅作为上包层，通过调整气体流量、反应物比例、射频功率和时间，控制二氧化硅上包层薄膜厚度，再采用化学机械抛光的方法，使SiO2上包层厚度H4为20μm，即整体二氧化硅包层的厚度为H3+H4＝35μm。

Claims (2)

1.一种基于聚合物-二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器，其特征在于：从下至上依次由硅衬底（1）、低折射率二氧化硅下包层（2）、聚合物-二氧化硅复合芯层和低折射率二氧化硅上包层（3）组成；聚合物-二氧化硅复合芯层为聚合物波导芯层（5）和高折射率二氧化硅波导芯层（4）组成的复合结构，聚合物波导芯层（5）为直波导结构，高折射率二氧化硅波导芯层（4）由高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1、高折射率二氧化硅锥型过渡波导芯层Core2和高折射率二氧化硅窄直波导芯层Core3顺次构成，其中高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1掩埋于聚合物波导芯层（5）中；沿光耦合输入方向，聚合物波导芯层（5）的中心对称轴与高折射率二氧化硅波导芯层（4）的中心对称轴相互重合；沿光耦合输入方向，聚合物波导芯层（5）的宽度W1=8μm，高度H1=8μm，长度L1=86μm；高折射率二氧化硅波导芯层（4）的高度H2=3.5μm，高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1的宽度W2=5μm，长度L2=30μm；高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1左右侧面与聚合物波导芯层（5）左右侧面的距离Gap2=1.5μm，高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1上下侧面与聚合物波导芯层（5）上下侧面的距离Gap1=2.25μm；锥型二氧化硅过渡波导芯层Core2的宽度由W2=5μm线性渐变为W3=3.5μm，长度L3=28μm；高折射率二氧化硅窄直波导芯层Core3的宽度W3=3.5μm，长度L4=20μm。
2.如权利要求1所述的一种基于聚合物-二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器，其特征在于：高折射率二氧化硅波导芯层（4）为掺锗的二氧化硅，其折射率为1.486；聚合物波导芯层（5）为紫外光固化聚合物材料FPU12，其折射率为1.472。
CN202210992500.2A 2022-08-18 2022-08-18 一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器 Active CN115267972B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210992500.2A CN115267972B (zh) 2022-08-18 2022-08-18 一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210992500.2A CN115267972B (zh) 2022-08-18 2022-08-18 一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115267972A CN115267972A (zh) 2022-11-01
CN115267972B true CN115267972B (zh) 2023-07-18

Family

ID=83752093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210992500.2A Active CN115267972B (zh) 2022-08-18 2022-08-18 一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115267972B (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114384632A (zh) * 2022-01-18 2022-04-22 北京邮电大学 一种基于阵列波导光栅和波导型探测器的模斑转换器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6870987B2 (en) * 2002-08-20 2005-03-22 Lnl Technologies, Inc. Embedded mode converter
US20080044126A1 (en) * 2003-08-04 2008-02-21 Raffaella Costa Integrated Optical Waveguide Structure with Low Coupling Losses to an External Optical Field
TWI443395B (zh) * 2011-06-24 2014-07-01 Univ Nat Central Structure of low - loss optical coupling interface
KR20130112548A (ko) * 2012-04-04 2013-10-14 한국전자통신연구원 모드 크기 변환기 및 그의 제조방법
CN203241564U (zh) * 2013-05-30 2013-10-16 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 光纤波导模斑转换器及光耦合器
US9348092B1 (en) * 2014-11-10 2016-05-24 Tyco Electronics Corporation Mode size converters for reducing a modal profile of incoming light
CN105789366B (zh) * 2016-03-16 2017-07-28 中国科学院半导体研究所 一种硅基混合集成雪崩光电探测器
JP7163502B2 (ja) * 2018-12-13 2022-10-31 中国科学院半▲導▼体研究所 光結合構造、システム及び光結合構造の製造方法
CN111522096B (zh) * 2020-03-31 2022-07-19 长春理工大学 硅波导与氧化硅波导模式转换器的制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114384632A (zh) * 2022-01-18 2022-04-22 北京邮电大学 一种基于阵列波导光栅和波导型探测器的模斑转换器

Also Published As

Publication number Publication date
CN115267972A (zh) 2022-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7251406B2 (en) Optical waveguide termination with vertical and horizontal mode shaping
US6571039B1 (en) Optical waveguide having a weakly-confining waveguide section and a strongly-confining waveguide section optically coupled by a tapered neck
TWI417589B (zh) 矽光子晶片與光纖間有效率耦合之方法及設備
US8412007B2 (en) 3-D waveguide coupling device capable of two-step coupling and manufacture method thereof
JP2005538426A (ja) 埋め込みモードコンバータ
JP2017500602A (ja) 光集積化チップ用の光導波路エッジカプラのための装置および方法
WO2020232792A1 (zh) 基于超表面结构的超紧凑硅波导模式转换器件
CN111522096B (zh) 硅波导与氧化硅波导模式转换器的制备方法
WO2003050580A1 (en) Optical waveguide termination with vertical and horizontal mode shaping
CN112782805A (zh) 一种基于亚波长光栅的lnoi模斑转换器和制备方法
CN213517647U (zh) 硅基光斑模场转化器
WO2022135095A1 (zh) 端面耦合器及其制造方法
Takei Amorphous silicon photonics
CN111273398B (zh) 一种高耦合效率的m型波导光栅耦合器的设计方法
CN114296182B (zh) 一种基于硅基光波导的三维光交叉器及其制备方法
CN106371173B (zh) 十字缝隙波导的交叉波导结构及其制备方法
CN113917613B (zh) 一种硅波导端面耦合结构及其制备方法
CN113253386B (zh) 一种高效宽带光栅耦合器
CN115437062A (zh) 一种基于梯度折射率倒脊形波导的边缘耦合器
CN115267972B (zh) 一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器
CN112946824A (zh) 一种基于硅基光波导的三维模式分离/复用器及其制备方法
CN112415652A (zh) 一种波导光栅耦合器阵列
CN114995010B (zh) 一种基于相变材料的硅基三维波导模式光开关
CN214954215U (zh) 一种凸型自增强聚焦耦合光栅耦合器
WO2022126813A1 (zh) 一种基于y分支对称结构的硅基马赫曾德尔干涉仪

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant