CN115250106A - 振动器件 - Google Patents
振动器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115250106A CN115250106A CN202210439036.4A CN202210439036A CN115250106A CN 115250106 A CN115250106 A CN 115250106A CN 202210439036 A CN202210439036 A CN 202210439036A CN 115250106 A CN115250106 A CN 115250106A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- vibration
- circuit
- heater
- vibration device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 95
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004965 Silica aerogel Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/08—Holders with means for regulating temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02102—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
- H03H9/0557—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the other elements being buried in the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
提供振动器件，输出高精度的振荡频率。振动器件具有：基板；设置于基板的加热器；设置于基板的温度传感器；具有与基板接合的接合部的振动元件；以及盖，其与基板接合以与基板一起收纳振动元件，接合部配置成在俯视时与加热器重叠。
Description
技术领域
本发明涉及振动器件。
背景技术
在专利文献1中公开了一种石英振子，其具有：底座基板，其具有凹部；IC基板，其固定于凹部的底面；石英片，其经由导电性粘接剂固定于IC基板的上表面；以及盖，其以封闭凹部开口的方式接合于底座基板。另外，在IC基板的上表面配置有用于检测石英片的温度的温度传感器、和用于加热石英片的加热器电路，以将石英振子的封装内的温度保持为恒定的方式进行控制。
专利文献1：日本特开2015-33065号公报
然而，专利文献1所记载的石英振子存在如下问题：由于连接石英片与IC基板的连接部与作为发热源的加热器电路分离，因此加热器电路的热无法高效地传递至石英片，难以进行迅速且准确的温度控制。
发明内容
振动器件具有：基板，其具有第1面和位于所述第1面的相反侧的第2面；加热器，其设置于所述基板的所述第1面侧；温度传感器，其设置于所述基板的所述第1面侧；振动元件，其配置于所述基板的所述第1面侧，具有与所述基板接合的第1接合部；盖，其与所述基板接合以与所述基板一起收纳所述振动元件；以及电路，其设置于所述第1面和所述第2面中的任意的面，基于所述温度传感器的输出，控制所述加热器，所述第1接合部配置成在从与所述第1面垂直的方向的俯视时与所述加热器重叠。
附图说明
图1是表示第1实施方式的振动器件的概略构造的俯视图。
图2是图1中的A-A线剖视图。
图3是表示振动器件的概略构造的俯视图。
图4是表示第2实施方式的振动器件的概略构造的俯视图。
图5是图4中的B-B线剖视图。
图6是表示第3实施方式的振动器件的概略构造的俯视图。
图7是图6中的C-C线剖视图。
图8是表示振动器件的概略构造的俯视图。
图9是表示第4实施方式的振动器件的概略构造的俯视图。
图10是图9中的D-D线剖视图。
图11是表示第5实施方式的振动器件的概略构造的俯视图。
图12是图11中的E-E线剖视图。
标号说明
1、1a、1b、1c、1d：振动器件；10：封装；11：基板；11a：第1面；11b：第2面；12：盖；13：接合部件；14：加热器；15：温度传感器；16：电路；16A：温度控制电路；16B：振荡电路；17：绝缘膜；18：绝缘膜；19：布线；20、20a、20b、20c：贯通孔；21：贯通电极；21a：第1贯通电极；21b：第2贯通电极；21c：第3贯通电极；22：外部端子；23、24：接合端子；25：导电性接合部件；26：绝热层；27：凹部；28：面；29：内部空间；30：振动元件；31：振动基板；32：激振电极；33：引线电极；34：电极端子；35：第1接合部；36：振动部；37：第2接合部；38：电极端子；40：绝缘层。
具体实施方式
1.第1实施方式
首先，关于第1实施方式的振动器件1，列举恒温槽型振荡器(OCXO)作为一例，参照图1、图2和图3进行说明。
另外，在图1中，为了方便说明振动器件1的内部结构，图示了卸下盖12后的状态。另外，在图3中，为了方便说明振动器件1的内部结构，图示了卸下盖12和振动元件30后的状态。另外，为了便于说明，在之后的各图中，图示了X轴、Y轴以及Z轴，作为相互垂直的3个轴。此外，将沿着X轴的方向称为“X方向”，将沿着Y轴的方向称为“Y方向”，将沿着Z轴的方向称为“Z方向”。另外，也将各轴的箭头侧称为“正侧”，将与箭头的相反侧称为“负侧”。另外，也将Z方向正侧称为“上”，将Z方向负侧称为“下”。
如图1和图2所示，振动器件1具有：封装10，其由作为底座的基板11和盖12构成；振动元件30，其收纳在封装10的内部空间29中；以及加热器14、温度传感器15和电路16，它们设置在基板11的第1面11a侧。
振动元件30位于基板11的第1面11a侧，并具有：振动基板31；激励电极32，其使振动基板31振动；电极端子34，其将振荡信号输出到外部，配置在振动基板31的基板11侧的面上；以及引线电极33，其从激励电极32向X方向负侧延伸，将激励电极32和电极端子34电连接。此外，振动基板31具有：振动部36，其配置有激励电极32并进行振动；第1接合部35，其位于振动部36的X方向负侧，与基板11接合。
振动元件30经由金属凸块或导电性粘接剂等导电性接合部件25而被接合在基板11的第1面11a上。另外，作为振动基板31，可使用AT切石英基板、SC切石英基板、BT切石英基板等。
封装10具有基板11和与基板11接合的盖12，在形成于基板11与盖12之间的内部空间29中收纳有振动元件30。
基板11是包含单晶硅的半导体基板，特别是在本实施方式中是硅基板。此外，作为基板11，没有特别限定，可以使用硅以外的半导体基板，例如锗、砷化镓、磷化镓、氮化镓、碳化硅等的半导体基板，也可以使用陶瓷基板那样的半导体基板以外的基板。
基板11为板状，具有配置有振动元件30的第1面11a和位于第1面11a的相反侧的第2面11b。另外，在基板11的除了与盖12接合的接合区域以外的表面，形成有绝缘膜17。另外，绝缘膜17能够通过对基板11进行热氧化而形成。
在基板11的第1面11a上配置有多个布线19，多个布线19将形成于绝缘膜18的加热器14以及温度传感器15与具有温度控制电路16A的电路16电连接，并将接合在绝缘膜18上的振动元件30与具有振荡电路16B的电路16电连接。此外，在绝缘膜17以及布线19上配置有形成加热器14、温度传感器15以及电路16的绝缘膜18。而且，如图2以及图3所示，在与加热器14重叠的位置处的绝缘膜18上，配置有经由导电性接合部件25来对振动元件30进行接合的接合端子23。具体而言，振动元件30向基板11的接合是指，通过导电性接合部件25，对设置在基板11上的接合端子23、和被设置在振动元件30的第1接合部35中与基板11对置的面上的电极端子34进行接合。
在本实施方式中，由于在从与第1面11a垂直的方向即Z方向进行俯视时，对振动元件30进行接合的接合端子23被配置在与加热器14重叠的位置处，因此能够将设置有电极端子34的振动元件30的第1接合部35配置为与加热器14重叠。因此，加热器14的热高效地传递到振动元件30，因此能够进行高精度的温度控制，能够提高振荡频率精度。
电路16具有：温度控制电路16A，其根据温度传感器15的输出，对加热器14进行控制；振荡电路16B，其对振动元件30的输出信号进行放大，并将放大后的信号反馈至振动元件30，由此使振动元件30振荡。
温度控制电路16A是用于根据从温度传感器15输出的温度信息来控制流过加热器14的电流量，从而将振动元件30保持为恒定温度的电路。例如，温度控制电路16A以如下方式进行控制：在根据温度传感器15的输出信号判定的当前温度低于所设定的基准温度的情况下，使期望的电流流过加热器14，在当前温度高于基准温度的情况下，不使电流流过加热器14。
另外，在本实施方式中，将电路16配置在第1面11a侧，但也可以配置在第2面11b侧。另外，也可以在电路16中具有温度补偿电路，该温度补偿电路根据从温度传感器15输出的温度信息，以使振荡电路16B的振荡信号的频率变动小于振动元件30自身的频率温度特性的方式进行温度补偿。
在基板11的第2面11b，形成有经由布线19等与设置于第1面11a侧的电路16电连接的多个外部端子22。
另外，在基板11上形成有在厚度方向上贯通基板11的一对贯通孔20。在贯通孔20内填充导电性材料而形成了贯通电极21。因此，外部端子22经由贯通电极21和布线19与电路16电连接，通过从外部端子22通电，从振荡电路16B向振动元件30的激励电极32施加电压，从而能够使振动元件30振荡。此外，能够将从振荡电路16B输出的振荡信号从外部端子22向外部输出。
盖12与基板11同样是硅基板。由此，基板11与盖12的线膨胀系数相等，抑制了由热膨胀引起的热应力的产生，成为具有优异的振动特性的振动器件1。此外，由于能够通过半导体工艺形成振动器件1，因此能够高精度地制造振动器件1，并且能够实现其小型化。但是，作为盖12，没有特别限定，也可以使用硅以外的半导体基板，例如锗、砷化镓、磷化镓、氮化镓、碳化硅等的半导体基板。另外，例如还能够使用可伐合金等的金属基板、玻璃基板等半导体基板以外的基板。
盖12具有在基板11侧开口、且在内部收纳振动元件30的有底的凹部27。而且，盖12在其下表面经由接合部件13与基板11接合。由此，盖12与基板11一起形成收纳振动元件30的内部空间29。此外，作为基板11与盖12的接合方法，也可以是不经由接合部件13而利用了基板11、盖12所包含的金属彼此的扩散的扩散接合等接合方法。
此外，内部空间29是气密的，是减压状态，优选是更接近真空的状态。由此，粘性阻力减小，振动元件30的振荡特性提高。但是，内部空间29的环境没有特别限定，例如可以是封入有氮或氩等惰性气体的环境，也可以不是减压状态而是大气压状态或加压状态。
如上所述，在本实施方式的振动器件1中，振动元件30的第1接合部35配置为在从Z方向俯视时与加热器14重叠，因此加热器14的热高效地传递到振动元件30。因此，能够高精度地对振动元件30进行温度控制，能够提高从振动器件1输出的振荡频率精度。
2.第2实施方式
接着，参照图4和图5说明第2实施方式的振动器件1a。另外，在图4中，为了方便说明振动器件1a的内部结构，图示了卸下盖12和振动元件30后的状态。
本实施方式的振动器件1a与第1实施方式的振动器件1相比，除了温度传感器15a的配置位置和加热器14a的形状不同以外，与第1实施方式的振动器件1相同。此外，以与上述第1实施方式的不同点为中心进行说明，对相同事项标注相同标号并省略其说明。
如图4和图5所示，振动器件1a在基板11的第1面11a侧具有振动元件30、加热器14a、温度传感器15a和电路16。
如图4所示，加热器14a在从Z方向俯视时呈包围温度传感器15a的图案形状。
在从Z方向俯视时，温度传感器15a位于基板11的大致中央，被加热器14a包围而配置。
通过设为这样的结构，能够进一步抑制振动元件30、加热器14a以及温度传感器15a之间的温度差，能够得到与第1实施方式的振动器件1同样的效果。
3.第3实施方式
接着，参照图6、图7和图8说明第3实施方式的振动器件1b。另外，在图6中，为了方便说明振动器件1b的内部结构，图示了卸下盖12后的状态。另外，在图8中，为了方便说明振动器件1b的内部结构，图示了卸下盖12和振动元件30b后的状态。
本实施方式的振动器件1b与第1实施方式的振动器件1相比，基板11的与振动元件30b的接合位置为3处，振动元件30b和加热器14b的形状、以及温度传感器15b的配置位置不同，除此以外，与第1实施方式的振动器件1相同。此外，以与上述第1实施方式的不同点为中心进行说明，对相同事项标注相同标号并省略其说明。
如图6和图7所示，振动器件1b在基板11的第1面11a侧具有振动元件30b、加热器14b、温度传感器15b和电路16。
振动元件30b具有第2接合部37，在从Z方向俯视时，第2接合部37隔着振动部36而被配置在与第1接合部35的相反侧，并以与加热器14b重叠的方式配置。设置于第2接合部37的与基板11对置的面的电极端子38与设置在基板11上的接合端子24经由导电性接合部件25而被接合。因此，振动元件30b在第1接合部35的2处和第2接合部37的1处共计3处与基板11接合。
如图8所示，加热器14b在从Z方向俯视时，呈包围用于接合振动元件30b的3个接合端子23、24的图案形状。
温度传感器15b配置于加热器14b的X方向负侧。
通过设为这样的结构，加热器14b的热从与基板11接合的第1接合部35的2处和隔着振动部36配置于与第1接合部35的相反侧的第2接合部37的1处传递，因此能够抑制振动元件30b内的温度不均。另外，由于在3处保持振动元件30b，因此能够提高针对落下冲击等的耐冲击性，能够得到与第1实施方式的振动器件1同样的效果。
4.第4实施方式
接着，参照图9和图10说明第4实施方式的振动器件1c。另外，在图9中，为了方便说明振动器件1c的内部结构，图示了卸下盖12后的状态。
本实施方式的振动器件1c与第1实施方式的振动器件1相比，电路16c配置于第2面11b侧，与加热器14电连接的第1贯通电极21a、与温度传感器15电连接的第2贯通电极21b以及与振动元件30电连接的第3贯通电极21c设置于基板11c，并设置有覆盖电路16c的绝缘层40，除此以外，与第1实施方式的振动器件1相同。此外，以与上述第1实施方式的不同点为中心进行说明，对相同事项标注相同标号并省略其说明。
如图9和图10所示，振动器件1c在构成封装10c的基板11c的第2面11b侧，设置有具有温度控制电路16A和振荡电路16B的电路16c。在电路16c上设置有覆盖电路16c的绝缘层40。另外，绝缘层40作为钝化膜发挥作用，可使用氮化硅、氧化硅以及聚酰亚胺这样的有机物材料等。
基板11c具有：第1贯通电极21a，其设置于贯通第1面11a和第2面11b的贯通孔20a，将加热器14与电路16c电连接；第2贯通电极21b，其设置于贯通第1面11a和第2面11b的贯通孔20b，将温度传感器15与电路16c电连接；以及第3贯通电极21c，其设置于贯通第1面11a和第2面11b的贯通孔20c，将振动元件30与电路16c电连接。
通过设为这样的结构，加热器14、温度传感器15以及振动元件30与电路16c之间的电连接变得容易。另外，不需要为了将加热器14、温度传感器15以及振动元件30与电路16c电连接而将布线从内部空间29内引绕到基板11c外。因此，能够更可靠地确保内部空间29的气密性。另外，通过利用绝缘层40覆盖电路16c，能够有效地抑制振动元件30的热经由基板11c释放到外部。因此，容易将振动元件30的温度保持为更恒定，并且能够降低加热器14的功耗，能够得到与第1实施方式的振动器件1相同的效果。
5.第5实施方式
接着，参照图11和图12说明第5实施方式的振动器件1d。另外，在图11中，为了方便说明振动器件1d的内部结构，图示了卸下盖12d后的状态。
本实施方式的振动器件1d与第1实施方式的振动器件1相比，除了在盖12d的对振动元件30进行收纳的一侧的面28上设置有绝热层26以外，与第1实施方式的振动器件1相同。此外，以与上述第1实施方式的不同点为中心进行说明，对相同事项标注相同标号并省略其说明。
如图11和图12所示，振动器件1d在构成封装10d的盖12d的对振动元件30进行收纳的一侧的面28上设置有绝热层26。另外，绝热层26由导热系数比基板11、盖12d低的材料构成。作为这样的绝热层26，可使用氧化硅、多孔质聚酰亚胺等多孔质树脂材料以及各种玻璃材料、二氧化硅气凝胶等无机多孔质材料等。
通过设为这种结构，能够通过绝热层26更容易地将振动元件30的温度保持为恒定，并且能够降低加热器14的消耗电力，从而能够得到与第1实施方式的振动器件1相同的效果。
Claims (7)
1.一种振动器件，其中，该振动器件具有：
基板，其具有第1面和位于所述第1面的相反侧的第2面；
加热器，其设置于所述基板的所述第1面侧；
温度传感器，其设置于所述基板的所述第1面侧；
振动元件，其配置于所述基板的所述第1面侧，具有与所述基板接合的第1接合部；
盖，其与所述基板接合以与所述基板一起收纳所述振动元件；以及
电路，其设置于所述第1面和所述第2面中的任意的面，基于所述温度传感器的输出，控制所述加热器，
所述第1接合部配置成在从与所述第1面垂直的方向的俯视时与所述加热器重叠。
2.根据权利要求1所述的振动器件，其中，
所述振动元件具有振动部、和与所述基板接合的第2接合部，
所述第2接合部在所述俯视时，隔着所述振动部配置在与所述第1接合部的相反侧，且配置成与所述加热器重叠。
3.根据权利要求1或2所述的振动器件，其中，
所述温度传感器在所述俯视时被所述加热器包围。
4.根据权利要求1或2所述的振动器件，其中，
所述电路设置于所述第2面，
所述基板具有：第1贯通电极，其贯通所述第1面和所述第2面，将所述加热器和所述电路电连接；以及第2贯通电极，其贯通所述第1面和所述第2面，将所述温度传感器和所述电路电连接。
5.根据权利要求4所述的振动器件，其中，
所述电路具有振荡电路，
所述基板具有第3贯通电极，所述第3贯通电极贯通所述第1面和所述第2面，将所述振动元件和所述电路电连接。
6.根据权利要求4所述的振动器件，其中，
该振动器件具有绝缘层，所述绝缘层设置于所述基板的所述第2面侧，覆盖所述电路。
7.根据权利要求1或2所述的振动器件，其中，
所述盖具有绝热层，所述绝热层配置在对所述振动元件进行收纳的一侧的面上。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021-074722 | 2021-04-27 | ||
| JP2021074722A JP2022168988A (ja) | 2021-04-27 | 2021-04-27 | 振動デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115250106A true CN115250106A (zh) | 2022-10-28 |
Family
ID=83693572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210439036.4A Pending CN115250106A (zh) | 2021-04-27 | 2022-04-25 | 振动器件 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220345106A1 (zh) |
| JP (1) | JP2022168988A (zh) |
| CN (1) | CN115250106A (zh) |
-
2021
- 2021-04-27 JP JP2021074722A patent/JP2022168988A/ja active Pending
-
2022
- 2022-04-25 CN CN202210439036.4A patent/CN115250106A/zh active Pending
- 2022-04-26 US US17/729,068 patent/US20220345106A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022168988A (ja) | 2022-11-09 |
| US20220345106A1 (en) | 2022-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10715058B2 (en) | Piezoelectric device and electronic apparatus | |
| JP5070954B2 (ja) | 表面実装型圧電振動デバイス | |
| WO2022025227A1 (ja) | 恒温槽型圧電発振器 | |
| US20220302894A1 (en) | Resonator device | |
| US11689184B2 (en) | Resonator device | |
| CN115250106A (zh) | 振动器件 | |
| US11245357B2 (en) | Vibration device | |
| WO2022050414A1 (ja) | 恒温槽型圧電発振器 | |
| US20220037579A1 (en) | Oscillator | |
| US11689183B2 (en) | Resonator device | |
| US11811363B2 (en) | Electronic component packages, electronic component, and oscillator | |
| WO2022149541A1 (ja) | 圧電振動デバイス | |
| US20220059752A1 (en) | Oscillator | |
| JP2022036480A (ja) | 発振器 | |
| WO2022181547A1 (ja) | 恒温槽型圧電発振器 | |
| JP2022030002A (ja) | 発振器 | |
| JP2022084161A (ja) | 振動デバイス | |
| CN117063391A (zh) | 恒温槽型压电振荡器 | |
| JP2022084162A (ja) | 発振器 | |
| JP2023002019A (ja) | 振動デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |