CN115249734A - Oled显示器及构造oled显示器的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种有机发光器件(OLED)显示器。OLED显示器包括薄膜晶体管(TFT)基板，该TFT基板具有多个TFT和控制多个TFT的多条数据线。OLED显示器还包括设置在TFT基板上的导电屏蔽层和设置在导电屏蔽层上的OLED层。OLED层包括由多个TFT驱动的多个OLED。OLED层还包括配置在OLED层之上的触摸面板层。所述导电屏蔽层被配置为降低所述TFT基板与所述触摸面板层之间的噪声耦合。

Description

OLED显示器及构造OLED显示器的方法
技术领域
本公开一般涉及触摸敏感显示器，特别涉及一种具有屏蔽层触摸敏感显示器，以减少从显示器相关的装置到触摸传感器的噪声耦合。
背景技术
在传统的触摸敏感显示器(例如，用于智能手机、平板电脑等的触摸屏)中，数千个像素，其中每个像素可以包括多个子像素(例如，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素)，可以跨显示器的两个水平维度分布。在许多示例中，每个子像素可以包括有机发光器件(OLED)，尽管在其他实现中可以使用其他类型的光源。在许多情况下，每个OLED可以由驱动晶体管驱动，可能与其他晶体管结合。这些晶体管可以位于OLED之下的基板中，并且可以由指示每个OLED要发射的光量以及发射的时间的许多数据和/或控制线控制。这些数据和控制线通常在晶体管所在的基板内布线。在一些示例中，所述晶体管可以包括薄膜晶体管(TFT)。
为了实现显示器的触摸灵敏度功能，多个触摸传感器可以位于OLED的上方的显示器的层中。传感器可以配置成网格或其他二维图案，使得用户在显示器上触摸的特定位置可以被解释为使用该显示器的设备的用户输入。
为了使显示器变薄(例如，在具有方便的形状因素的用户设备(如手持设备)中采用)，以上提到的显示器的各层可以被定位成足够靠近彼此，使得附近层的部件可以在其间表现出显著的电容耦合。随着当前的产品趋势是创建逐渐更薄的设备和相关显示器，这种电容耦合增加，可能导致在这些层之间耦合的电噪声，因此可能导致设备的电气操作中的故障。
发明内容
本公开涉及在其内采用屏蔽层的触摸敏感显示设备(例如，OLED显示器)。
根据本公开的一个方面，OLED显示器可以包括薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管包括多个TFT和控制该多个TFT的多条数据线。OLED还可包括设置在TFT基板上的导电屏蔽层、设置在导电屏蔽层上的OLED层和设置在OLED层上的触摸面板层。OLED层可包括由多个TFT驱动的多个OLED。导电屏蔽层可被配置为减少TFT基板与触摸面板层之间的噪声耦合。
在第一方面的实施方式中，导电屏蔽层可以保持为直流(DC)偏置电压。在第一方面的另一实施例中，所述导电屏蔽层可与所述多条数据线中的至少一条电容耦合。
在第一方面的又一个实施方式中，该多个OLED可以包括至少一个阴极，该阴极承载来自该多个OLED的返回电流。在此实施例中，所述至少一个阴极可包含耦合所述多个OLED中的多个OLED的单个导电层。进一步，在一些示例中，至少一个阴极可与导电屏蔽层电容耦合。而且，在这样的实施例中，所述至少一个阴极可具有第一电阻率，且所述导电屏蔽层可具有低于所述第一电阻率的第二电阻率。另外，在此实施例中，所述至少一个阴极和所述导电屏蔽层可保持为第一DC电压。
在第一方面的又一个实施方式中，该OLED层可以进一步包括一个封装层，该封装层被配置在该至少一个阴极之上，并且该触摸面板层可以被沉积在该封装层之上。在一些示例中，封装层可以包括薄膜封装(TFE)层。
在第一方面的另一个实施方式中，该触摸面板层可以包括至少一个触摸面板电极，并且该至少一个触摸面板电极可以与该至少一个阴极电容耦合。在这种实施方式中，至少一个触摸面板电极可在触摸面板层内形成跨两个维度的图案。
在第一方面的另一个实施方式中，该导电屏蔽层可以包括平行于该TFT基板延伸的多条迹线。在这种实施方式中，所述多条迹线中的每条迹线被垂直地定位在所述多条数据线中的至少一条的至少一部分上方并与所述多条数据线中的至少一条的至少一部分对齐。
根据本公开内容的第二方面，构造OLED显示器的方法可以包括在薄膜晶体管(TFT)基板上形成导电屏蔽层。TFT基板可包括多个TFT和控制多个TFT的多条数据线。该方法还可包括在导电屏蔽层之上形成OLED层并且形成设置在OLED层之上的触摸面板层。OLED可以包括由多个TFT驱动的多个OLED。导电屏蔽层可被配置为减少TFT基板与触摸面板层之间的噪声耦合。
在第二方面的一个实施方式中，形成该OLED层可以包括形成至少一个阴极到所述多个OLED以承载来自所述多个OLED的返回电流；以及所述导电屏蔽层电容性地耦合至所述至少一个阴极。进一步，在此实施例中，所述方法可进一步包含将所述导电屏蔽层连接至直流(DC)偏置电压源。该方法可以进一步包括将该至少一个阴极连接至该DC偏置电压源。
在第二方面的另一个实施方式中，该导电屏蔽层可与该多条数据线电容耦合。在此实施例中，形成所述导电屏蔽层包括形成平行于所述TFT基板延伸的多条迹线；以及所述多条迹线中的每条迹线被垂直地定位在所述多条数据线中的至少一条数据线的至少一部分之上并与所述多条数据线中的至少一条数据线的至少一部分对齐。
附图说明
结合附图，从以下详细描述中最好地理解实施例的各方面。不同特征不是按比例绘制的。为了清楚起见，可以任意增大或减小不同特征的尺寸。
图1是现有技术OLED显示器的一部分的示意性模型。
图2是根据本公开的示例实施方式的包括导电屏蔽层的OLED显示器的一部分的横截面图。
图3是根据本公开的示例实施方式的包括导电屏蔽层的OLED显示器的一部分的示意性模型。
图4是根据本公开的另一个示例实施方式的包括导电屏蔽层的OLED显示器的一部分的示意性模型。
图5是根据本公开的示例实施方式的构造包括导电屏蔽层的OLED显示器的方法的流程图。
具体实施方式
以下描述包含与本公开中的实施例有关的具体信息。附图及其附图说明仅涉及实施例。然而，本公开并不仅限于这些实施例。本领域技术人员将想到本公开的其他变形和实施方式。除非另外指出，否则附图中相同或相应的元件可以由相同或相应的附图标记表示。而且，附图和图示通常不按比例绘制，并且不旨在对应于实际的相对尺寸。
为了一致性和易于理解的目的，相似的特征可以由示例图中的标号来标识(尽管在一些示例中未示出)。然而，在不同实施方式的特征可以在其他方面不同，且因此不应局限于附图中所示出的。
使用短语“在一个实施方式中”或“在一些实施方式中”可以分别指代相同或不同实施方式中的一个或多个。术语“耦合”被定义为连接，无论是直接地还是间接地通过介入部件，且不一定限于物理连接。术语“包括”是指“包括但不必限于”，具体地表示在如此描述的组合、组、系列和等效物中开放式地包含或隶属。
此外，以下公开中所描述的以下段落、(子)-项目符号、点、动作、行为、术语、替代方案、示例、或权利要求中的任意两个或更多个逻辑地、合理地和适当地组合以形成具体方法。以下公开中描述的任何句子、段落、(子)-项目符号、点、动作、行为、术语或权利要求被独立地和分别地实施以形成特定方法。例如，“根据”、“更具体地”、“优选地”、“在一个实施例中”、“在一个实施方式中”、“在一个替代方案中”等的依赖关系在以下公开中仅是指不限制特定方法的一个可能的例子。
出于解释和非限制的目的，阐述了例如功能实体、技术、协议、标准具体细节以便提供对所描述技术的理解。在其他例子中，省略对众所周知的方法、技术、系统、架构的详细描述，使得不会以不必要的细节模糊描述。
而且，虽然在以下描述和所附权利要求书中采用了某些方向性参考(例如，顶部、底部、向上、向下、高度、宽度等)，但是此类参考用于提供关于不同元件相对于彼此的定位和尺寸的指导，且不旨在将不同实施例的取向限制于在此明确讨论的那些取向。
以下描述的OLED显示器的不同实施例可以减少或抑制该显示器的两个或更多个部分之间的电噪声的耦合。在至少一些实施例中，导电屏蔽层可以结合在显示器内以将显示器的触摸传感器与显示器中的潜在电噪声源电隔离。
图1是现有技术的OLED显示器100的一部分的示意性模型。如图1所示，OLED显示器100可包括多个晶体管(例如，TFT)，其驱动发光器件(例如，OLED)在特定时间段内发射所需的强度的光。OLED显示器100可包括配置成多行和多列的网格或阵列的多个OLED，以生成用于观看的图像。更具体地，OLED可被配置为像素阵列，其中每个像素可能包括多个子像素(例如，每个子像素用于发射由对应的OLED发出的红光、绿光或蓝光)。然而，在图1中描绘了单个OLED以简化对OLED显示器100的讨论。
由OLED发射的光的量或强度可以通过驱动晶体管TD从第一电源电压VDD通过该OLED的电流的量来控制。进而，该电流的量可以通过跨驱动晶体管TD的栅极端子和第二端子的特定电压电位来确定。在图1中，该电压可以由存储电容器CS存储，该存储电容器CS可通过开关晶体管TS充电，开关晶体管TS将存储电容器CS的一个板暂时连接到数据线106，该数据线106在特定时间期间提供与OLED的期望照度相关的电压电平。接着，可以通过扫描信号108控制(例如，接通和关闭)开关晶体管TS。虽然图1的示意图模型示出了除了驱动晶体管TD之外的单个开关晶体管TS，但其他例子可能包括额外的开关晶体管和/或接收数据和控制信号从而向OLED提供电流以发光的其他组件。
在一些示例中，每列OLED可由该列的相同数据线106驱动，并且每行OLED可通过该行的相同扫描信号108来控制。因此，每个扫描信号108可以同时将电压从所有数据线106传输到由该扫描信号108服务的行中的对应的OLED。当每个数据线106在每行中服务对应OLED时，数据线106在分配给每行OLED的每个时间段潜在地改变电压，并且因此可表示可能对OLED显示器100的其他部分产生不利影响的电噪声的重要潜在源，如下所述。另外，周期性地改变电压的其他信号(例如，扫描信号108)也可为电噪声的源。
在至少一些实施例中，如图1所示，多个晶体管TD和TS、数据线106、扫描线108等可在OLED显示器100内形成TFT层或基底。位于TFT基板上方的可以是OLED层，其包括由相应驱动晶体管TD驱动的OLED。如图1所示，每个OLED的阳极可连接至相应驱动晶体管TD的端子，并且每个OLED的阴极可电连接至具有比第一电源电压VDD更低的电压的第二电源电压VSS。进一步，在一些实施例中，由于每个OLED的阴极可以连接到相同的第二电源电压VSS，所以多个OLED的阴极可以通过单个阴极104耦合到第二电源电压VSS。在一些示例中，单个阴极104可用于OLED显示器100的全部或基本上所有OLED，且被形成为连续的导电材料片或层。
在图1中还示出，位于该OLED层之上方的可以是触摸面板层(例如，处于“外嵌式”配置)，该触摸面板层可以包括与电荷积分器103耦合的至少一个触摸电极102。在一些示例中，电荷积分器103可被配置为检测与触摸电极102相关的电容的变化，该变化可指示用户手指、触笔等接近触摸电极102。在图1的示例中，电荷积分器103可包括具有电容器和开关(例如，晶体管)的运算放大器。然而，另一类型的电荷积分器103或本文未讨论的另一类型的电路可配置为使用触摸电极102来检测用户或触笔的接近程度。
为了使在整个OLED显示器100上检测到接近的位置的相对精细的分辨率，多个触摸电极102可以分布在OLED显示器100上。例如，多个触摸电极102可配置为沿着OLED显示器100内的两个方向延伸的导电线，例如以基本延伸穿过整个OLED显示器100的矩形或对角(例如，菱形)图案。
如图1所示，触摸面板层的一个或多个触摸电极102、OLED层的一个或多个OLED阴极104和TFT基板的数据线106可形成作为寄生电容操作的紧密间隔的平行导体。进一步，在一些示例中，在OLED阴极104通常被配置为连续或接近连续的导电片的情况下，数据线106与一个或多个OLED阴极104之间以及一个或多个OLED阴极104与一个或多个触摸电极102之间的电容耦合可能是显著的。在图1中，这些电容被描述为数据线106与一个或多个OLED阴极104之间的第一寄生电容CP1以及一个或多个OLED阴极104与一个或多个触摸电极102之间的第二寄生电容CP2。
如图1的示意性模型所示，由于一个或多个触摸电极102、一个或多个OLED阴极104和数据线106中的每一个为导体，每个这样的导体在其对应的OLED显示器100的层内沿其长度可具有一些小但可测量的电阻(例如，小于1欧姆)。该电阻与寄生电容CP1和CP2结合可能导致在一个或多个导体中引起电噪声。更具体来说，在一些示例中，TFT基板的数据线106中的电压变化可导致第一寄生电容CP1两端的电压变化，进而改变存储在通过第一寄生电容CP1电容耦合的两个导体(例如，数据线106和OLED阴极104)上的电荷量。为了促进OLED阴极104处电荷的这种变化，电流可暂时在OLED阴极104中流动。该电流由于流过OLED阴极104所具有的小电阻，可导致在沿OLED阴极104的一个或多个点处产生来自第二电源VSS的临时电压变化(例如，电噪声)。
此外，如在图1中的OLED显示器100的示意性模型中可以看出，OLED阴极104中的电压变化可能导致第二寄生电容CP2的电压变化，这进而可以改变存储在由第二寄生电容CP2电容耦合的两个导体(例如，OLED阴极104和触摸电极102)上的电荷量。为了促进在触摸电极102处的这种电荷变化，电流可暂时在触摸电极102中流动。该电流通过流过触摸电极102所具有的小电阻可导致在触摸电极102处的临时电压变化，从而产生电噪声。此噪声可能不利地影响电荷积分器103或可结合触摸电极102使用的另一接近检测电路的接近检测功能。例如，该耦合噪声可能会产生假阳性或阴性的接近事件。
图2是根据本公开的示例实施方式的包括导电屏蔽层230的OLED显示器200的一部分的横截面图。虽然图2提供了OLED显示器200的一个实施例的特定部分的视图，但是其他实施例在下文提出的权利要求范围内可能显得有些不同。而且，虽然下文讨论了OLED显示器200的各个层，但是其他层或子层可以结合在OLED显示器200内，如各个绝缘层或介电层或子层，但是为了简化讨论，在此不进一步描述这些组件。
如图2所示，OLED显示器200可具有可包括多个TFT 204的TFT基板201。TFT基板201还可包括底基板202(例如，由玻璃或其他结构稳定的材料制成)，多个薄膜层可沉积在底基板202上以形成多个TFT204。在一些实施例中，TFT基板201也可包括多条数据线206(例如，用于指示所需的OLED亮度水平的数据的信号线)。在图2的示例中，在具有多个TFT 204的连接点处示出了数据线206。
位于或设置在TFT基板201上方的可以是导电屏蔽层230。在此特定示例中，导电屏蔽层230可包含位于数据线206上方且(大体上)与数据线206对准的多条导电迹线232或线，从而可能形成网格。在其他实施例中，导电屏蔽层230可以是更连续的，从而覆盖TFT基板201的更多区域。此外，在一些实施例中，导电迹线232可与特定直流(DC)偏置电压连接。
位于导电屏蔽层230上方的可以是包括多个OLED 211的OLED层210。在一个实施方式中，图1中所示的每个OLED 211可以是与OLED显示器200的像素的相应颜色(例如，红色、绿色或蓝色)相关联的子像素。每个OLED 211可包括阳极212，该阳极212通过经由导电屏蔽层230的连接耦合至驱动TFT 204(例如，用作图1的驱动晶体管TD)的端子。每个OLED 211还可以包括从OLED 211发射所需发热光的发射层214。此外，OLED211可包括阴极216，阴极216与阳极212结合使用以在驱动TFT204的控制下使电流通过发射层214。如图2所示,虽然每个OLED 211具有相应的单独的阳极212，但是所有或一些子集的OLED 211可共享单个阴极216。此外，在一些实施例中，作为OLED层210的一部分，OLED211可被诸如薄膜封装(TFE)层218之类的封装层覆盖，以保护OLED211免受水和其他环境影响。
OLED 200还可以包括触摸面板层220，该触摸面板层可以包括设置在OLED层210顶部上的多个触摸传感器电极222(例如，各自作为图1的触摸电极102)。虽然在图2中描绘了单层触摸传感器电极222，但是在其他示例中可以采用两个或多个这样的层。在一些实施方式中，触摸传感器电极222可耦合至一个或多个触摸感测电路(例如，图1的电荷积分器103)。在一些示例中，附加的保护层(例如，在图2中未示出的玻璃)可以设置在触摸面板层220之上。如下文更详细描述，导电屏蔽层230可减少从TFT基板201耦合到触摸面板层220中的电噪声的量。
图3是根据本公开的示例实施方式的包括导电屏蔽层(例如，作为图2的导电屏蔽层230)的OLED显示器300的一部分的示意性模型。OLED显示器300的其他部件类似于图1的OLED显示器100的那些相应部件。在图3中，位于数据线106和OLED阴极104之间的是导电屏蔽302(例如，作为图2的导电迹线232)。在一些实施例中，导电屏蔽302可与数据线106对准，并(直接)位于数据线106上方。进一步，单个导电屏蔽302可位于OLED显示器300的多条数据线106中的每一条上方，或每个单独的导电屏蔽302可被设定大小且定位于多条数据线106上方。在其他示例中，导电屏蔽302可表示与一个或多条迹线相对的单个导电片，以基本上覆盖OLED显示器300的所有数据线106。进一步，在一些实施例中，导电屏蔽302还可以被定位在驱动一个或多个TFT，诸如开关晶体管TS的其他控制信号(例如，扫描信号、发射信号等等)之上。在每种情况下，每个导电屏蔽302可以连接到DC偏置电压VBIAS(例如，以减小沿着导电屏蔽302可能发生的电压变化量)。
因此，代替耦合数据线106和OLED阴极104的寄生电容CP1，如图1所示，OLED显示器300的导电屏蔽302可以通过寄生电容CP3电容耦合至数据线106。进一步，导电屏蔽302也可以通过寄生电容CP4电容耦合至OLED阴极104。如上所述，可从基本上形成紧密间隔的导电板的数据线106、导电屏蔽302和OLED阴极104发生此电容耦合。此外，导电屏蔽302可以类似于数据线106和触摸电极102的方式沿导电屏蔽302的长度具有一些小但可测量的电阻(例如，小于1欧姆)，如上文参考图1所述。
根据图3的示意性模型，导电屏蔽302可以用于减少数据线106与OLED阴极104之间的电噪声耦合，从而减少注入触摸电极102中的电噪声的量。更具体来说，数据线106的电压的改变(例如，当从一行的OLED的数据电压转变到下一行的对应OLED的数据电压时)可能导致寄生电容CP3两侧上的电荷的改变(例如，在数据线106和导电屏蔽302处)。电荷的这种改变可能导致电流在导电屏蔽302中流动，同时由于电流流过导电屏蔽302的小电阻，导电屏蔽302处的电压也会随之变化。
通过寄生电容CP4，在导电屏蔽302与OLED阴极104之间也可能发生噪声耦合效应，其中导电屏蔽302处的电压变化可能导致在OLED阴极104中表示电噪声的电压变化。然而，通过引入导电屏蔽302形式的附加导电层，与OLED显示器100相比，本实施例可减少OLED显示器300中的数据线106与OLED阴极104之间的整体噪声耦合。例如，导电屏蔽302的整体定位和配置可导致寄生电容CP4小于寄生电容CP3，从而导致传递到OLED阴极104的整体电噪声更少。
此外，鉴于与数据线106或OLED阴极104相比，导电屏蔽302可能具有更少的设计约束，导电屏蔽302可以被配置或调整成进一步减少从数据线106耦合至OLED阴极104的噪声量。例如，导电屏蔽302可被形成为使得其电阻率(例如，以欧姆米为单位)小于OLED阴极104的电阻率。在一些实施例中，这种电阻率差异可导致OLED显示器300的导电屏蔽302的电压相对于施加在图1的OLED显示器100的OLED阴极104上的电压的变化更小，从而导致在OLED显示器300的OLED阴极104中感应的电流更小。
此外，在一些实施例中，可以做出对用于导电屏蔽302的偏置电压VBIAS的选择，以便减少在OLED阴极104中感应的电流的量。图4是根据本公开的另一示例性实施方式的包括导电屏蔽302的OLED显示器400的一部分的示意性模型。在OLED显示器400中，导电屏蔽302连接到与OLED阴极104基本上相同的电压源(例如，第二电源电压VSS)。因此，在该示例中，导电屏蔽302上的电压的局部变化可能导致寄生电容CP4间相对小的电压变化，从而与导电屏蔽302连接到不同于VSS的其他DC电压电平的其他配置相比，在OLED阴极104中产生相对小的电流和相关的电压变化。
图5是根据本公开的示例实施方式的构造包括导电屏蔽层(例如，图2的导电屏蔽层230)的OLED显示器(例如，OLED显示器200)的方法500的流程图。如下所述，方法500假定OLED显示器的各个层是自下而上形成的，因为这些层被描绘在OLED显示器200中。创建和组合不同层的其他顺序可以在其他示例中实现。
在方法500中，在操作502，可以在TFT基板(例如，图2的TFT基板201)上形成导电屏蔽层。TFT基板可包括多个TFT(例如，图2的TFT 204)和控制TFT的多条数据线(例如，图2的数据线206)。进而，在一些实施例中，可以通过在机械稳定的基板(例如，图2的基板202)上沉积各种薄膜层以(例如，图2的基板202)形成TFT基板。如上所述，导电屏蔽层可包括平行于TFT基板延伸的单个导电片。在其他示例中，导电屏蔽层可包括平行于TFT基板延伸的多个导电迹线(例如，图2的导电迹线232)，其可在TFT基板上形成网络或网格。进一步，导电迹线可垂直地设置在与TFT基板的TFT耦合的至少一些数据线和/或其他控制信号上，且与至少一些数据线和/或其他控制信号平行对齐。作为结果，导电屏蔽层可与至少一些数据线和/或其他控制信号电容耦合。此外，导电屏蔽层可以连接到DC偏置电压源。
同样，在方法500中，在操作504时，可以在导电屏蔽层之上形成OLED层(例如，图2的OLED层210)。OLED层可包括由TFT基板的多个TFT驱动的多个OLED(例如，图2的OLED211)。如图2所示，每个OLED可由用作与相应的驱动TFT连接的阳极(例如，图2的阳极212)的层以及发射层(例如，图2的发射层214)形成。每个阳极可以从其对应的驱动TFT向相关联的OLED提供电流。此外，单个阴极(例如，阴极216)或多个阴极可形成于OLED的前述层的绝大部分或其某部分之上，以将返回电流从OLED传送至电源电压(例如，电源电压VSS)。在一些实施例中，导电屏蔽层的DC偏置电压可以是耦合到一个或多个OLED阴极的相同电源电压。在一些实施例中，附加的封装层(例如，图2的TFE层218)可以保护下面的OLED并且提供可以在其上形成附加结构的平面。
在方法500的操作506，可以在OLED层之上形成触摸面板层(例如，图2的触摸面板层220)。在不同实施例中，如上所述，导电屏蔽层可以被配置成减小TFT基板与触摸面板层之间的电噪声耦合。在一些实施方式中，触摸面板层可包括一层或多层触摸传感器电极(例如，图2的触摸传感器电极222)。此外，在一些实施例中，触摸传感器电极可形成矩形或菱形网格图案以促进手指、触笔等的接近检测。在一些示例中，其他层，诸如玻璃层或其他保护层可形成在触摸面板层之上。
本发明的实施例可应用于许多显示装置，以允许此类装置有利地薄(例如，减少专用于显示器的装置空间的量)，同时减少或基本上消除从各个显示元件到负责提供触摸屏功能的触摸电极的电噪声的耦合。此类触敏装置的示例包含移动电话、个人数字助理(PDA)、平板电脑及膝上型计算机，及需要薄、触敏、高分辨率显示器的类似装置。
从以上讨论中，显而易见的是，在不背离本公开的概念的范围的情况下，可以利用各种技术来实现本公开的概念。此外，虽然已经具体参考某些实施方式描述了概念，但是本领域技术人员可以认识到，在不脱离那些概念的范围的情况下，可以在形式和细节上做出改变。这样，本公开在所有方面都被认为是说明性的而不是限制性的。还应当理解的是，虽然本公开不限于以上描述的具体实施方式，但在不脱离本公开的范围的情况下，许多重排、修改和替换是可能的。

Claims (20)

1.一种OLED显示器，其特征在于，其包括：
TFT基板，其包括：
多个TFT；以及
多条数据线，其控制所述多个TFT；
导电屏蔽层，其设置在所述TFT基板上；
OLED层，其设置在所述导电屏蔽层之上，所述OLED层包括由所述多个TFT驱动的多个TFT；以及
触摸面板层，其设置在所述OLED层之上，
所述导电屏蔽层配置为降低所述TFT基板与所述触摸面板层之间的噪声耦合。
2.根据权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述导电屏蔽层被保持为DC偏置电压。
3.根据权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述导电屏蔽层与所述多条数据线中的至少一条电容耦合。
4.根据权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述多个OLED包括承载来自所述多个OLED的返回电流的至少一个阴极。
5.根据权利要求4所述的OLED显示器，其特征在于，所述至少一个阴极包括耦合所述多个OLED中的多个OLED的单个导电层。
6.根据权利要求4所述的OLED显示器，其特征在于，所述至少一个阴极与所述导电屏蔽层电容耦合。
7.根据权利要求4所述的OLED显示器，其特征在于，
所述至少一个阴极具有第一电阻率；以及
所述导电屏蔽层具有低于所述第一电阻率的第二电阻率。
8.根据权利要求4所述的OLED显示器，其特征在于，所述至少一个阴极和所述导电屏蔽层被保持为第一直流电压。
9.根据权利要求4所述的OLED显示器，其特征在于，
所述OLED层进一步包括设置在所述至少一个阴极上的封装层；以及
所述触摸面板层被沉积在所述封装层之上。
10.根据权利要求9所述的OLED显示器，其特征在于，所述封装层包括薄膜封装层。
11.根据权利要求4所述的OLED显示器，其特征在于，
所述触摸面板层包括至少一个触摸面板电极；以及
所述至少一个触摸面板电极与所述至少一个阴极电容耦合。
12.根据权利要求11所述的OLED显示器，其特征在于，所述至少一个触摸面板电极在所述触摸面板层内形成跨两个维度的图案。
13.根据权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述导电屏蔽层包括平行于所述TFT基板延伸的多条迹线。
14.根据权利要求13所述的OLED显示器，其特征在于，所述多条迹线中的每条迹线被垂直地定位在所述多条数据线中的至少一条的至少一部分上方并与所述多条数据线中的至少一条的至少一部分对齐。
15.一种构造OLED显示器的方法，其特征在于，所述方法包括：
在TFT基板上形成导电屏蔽层，所述TFT基板包括：
多个TFT；以及
多条数据线，控制所述多个TFT；
在所述导电屏蔽层之上形成OLED层，所述OLED层包括由所述多个TFT驱动的多个OLED；以及
在所述OLED层之上形成触摸面板层，所述导电屏蔽层被配置为降低所述TFT基板与所述触摸面板层之间的噪声耦合。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，
形成所述OLED层包括形成至少一个阴极到所述多个OLED，以承载来自所述多个OLED的返回电流；以及
所述导电屏蔽层电容性耦合至所述至少一个阴极。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述导电屏蔽层连接至DC偏置电压源。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述至少一个阴极连接至所述DC偏置电压源。
19.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述导电屏蔽层与所述多条数据线电容耦合。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，
形成所述导电屏蔽层包括形成平行于所述TFT基板延伸的多条迹线；以及
所述多条迹线中的每条迹线被垂直地定位在所述多条数据线中的至少一条数据线的至少一部分之上并与所述多条数据线中的至少一条数据线的至少一部分对齐。
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