CN115241342B - 发光芯片、显示面板以及显示面板的制作方法 - Google Patents

发光芯片、显示面板以及显示面板的制作方法 Download PDF

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Abstract

本公开涉及一种发光芯片和显示面板，以及显示面板的制作方法。发光芯片包括第一半导体层、第二半导体层及设于第一半导体层和第二半导体层之间的发光层；第二半导体层呈球缺型，发光层和第一半导体层位于第二半导体层的底平面；其中，发光芯片还包括第一电极和第二电极；第一电极位于第一半导体层远离发光层的一侧，并与第一半导体层导电连接；第二电极位于第二半导体层的底平面，并与第二半导体层的底平面导电连接；第二电极绝缘环绕在第一半导体层、发光层及第一电极的外侧；第一电极和第二电极远离第二半导体层的表面处于同一水平面上。本方案的发光芯片和显示面板，以及显示面板的制作方法提高了发光芯片的转移效率。

Description

发光芯片、显示面板以及显示面板的制作方法
技术领域
本公开属于显示技术领域，具体涉及一种发光芯片、显示面板以及显示面板的制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展，Mini LED(次毫米发光二极管)和Micro LED(微米发光二极管)显示装置开始应用，不同于液晶显示屏采用两块基板夹液晶层的结构，此显示装置仅有一块显示基板，其上包含成千上万颗LED芯片。因此，如何高效准确的将LED芯片转移到目标基板上，成为目前的一大难题。
其中，传统LED芯片均为长方体或圆柱体结构，长方形或圆柱体的LED芯片由于带有直边或转折角，在流体力的作用下方向不易调整，使得LED芯片在到达目标基板位置时并不能准确对位，难以实现巨量精准转移，影响装配效率。
发明内容
本公开的目的在于提供一种发光芯片、显示面板以及显示面板的制作方法，提高了发光芯片的转移效率。
本公开第一方面公开了一种发光芯片，包括第一半导体层、第二半导体层及设于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层；其特征在于，
所述第二半导体层呈球缺型，所述发光层和所述第一半导体层位于所述第二半导体层的底平面；其中，
所述发光芯片还包括第一电极和第二电极；所述第一电极位于所述第一半导体层远离所述发光层的一侧，并与所述第一半导体层导电连接；所述第二电极位于所述第二半导体层的底平面，并与所述第二半导体层的底平面导电连接；
所述第二电极绝缘环绕在所述第一半导体层、所述发光层及所述第一电极的外侧；
所述第一电极和所述第二电极远离所述第二半导体层的表面处于同一水平面上。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第二电极包括导电连接部和电极部；
所述导电连接部绝缘环绕在所述第一半导体层和所述发光层的外侧，且所述导电连接部连接所述第二半导体层和所述电极部；
所述电极部绝缘环绕在所述第一电极的外侧，且所述电极部和所述第一电极远离所述第二半导体层的表面处于同一水平面上；
其中，所述电极部在所述第二半导体层上的正投影与所述第一半导体层在所述第二半导体层的正投影相交叠，且所述电极部与所述第一半导体层绝缘设置。
在本公开的一种示例性实施例中，所述发光芯片还包括保护图案层，所述保护图案层包括第一保护部和第二保护部，所述第一保护部环绕设置所述导电连接部的外侧，所述第一保护部远离所述导电连接部的外侧面为曲面，且所述第一保护部的曲面与所述第二半导体层的曲面位于同一球面上；
所述第二保护部位于在所述电极部与所述第一电极之间，所述第二保护部和所述第一保护部远离所述第二半导体层的表面处于同一水平面上，且相比于所述电极部和所述第一电极远离所述第二半导体层的表面更靠近所述第二半导体层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述发光层的边缘与所述第一半导体层的边缘相对齐；
所述发光层的边缘与所述第二半导体层的边缘之间各处间距相等；
所述第一电极的边缘与所述电极部的内边缘之间各处间距相等；
所述第一电极的边缘与所述发光层的边缘之间各处间距相等；
所述导电连接部的外边缘与所述第二半导体层的边缘之间各处间距相等。
本公开第二方面公开了一种显示面板，包括驱动背板及多个上述的发光芯片；
所述驱动背板包括多组驱动电极组，所述驱动电极组与所述发光芯片一一对应设置，所述驱动电极组包括相互绝缘设置的第一驱动电极和第二驱动电极；
所述第一电极远离所述第二半导体层的表面与所述第一驱动电极相接触；
所述第二电极远离所述第二半导体层的表面与所述第二驱动电极相接触。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电极在所述驱动背板上的正投影完全位于所述第一驱动电极内；
所述第二电极在所述驱动背板上的正投影的至少部分位于所述第二驱动电极内。
本公开第三方面公开了一种显示面板的制作方法，包括:
制作多个如上述的发光芯片；
提供转移基板，所述转移基板上设置有多个与所述发光芯片中第二半导体层的形状相匹配的凹槽；
将所述发光芯片一一对应固定在所述凹槽中；
翻转所述转移基板，以使所述发光芯片的第一电极和第二电极朝向驱动背板；
将所述第一电极和所述第二电极分别与所述驱动背板的第一驱动电极和第二驱动电极对位连接；
剥离所述转移基板。
在本公开的一种示例性实施例中，所述凹槽的底部设有呈贯穿状的气孔；
其中，将所述发光芯片一一对应固定在所述凹槽中，包括：
将多个所述发光芯片散落在所述转移基板中具有所述凹槽的面上；
对所述转移基板施加震动或者利用柔性推动件推动各所述发光芯片，以使得每个所述发光芯片移动至一个所述凹槽内；
对装配有所述发光芯片的转移基板进行图像采集；
在采集到的图像的光影亮暗以及形状满足预设条件时，
通过所述气孔向所述发光芯片施加负压力，以使所述发光芯片固定在所述转移基板上。
在本公开的一种示例性实施例中，所述凹槽的半径与所述发光芯片的半径之比为1至1.2；
相邻所述凹槽之间的间距与所述凹槽的直径之比小于1.5；
所述凹槽的槽口处设有弧形倒角，所述弧形倒角的半径与所述凹槽的半径之比为0.1至0.25。
在本公开的一种示例性实施例中，所述发光芯片的制作方法包括：
在衬底上依次形成第二半导体薄膜、发光薄膜及第一半导体薄膜；
对所述第一半导体薄膜和所述发光薄膜进行图案化处理，以形成多个间隔设置的中间部分，所述中间部分包括第一半导体层和位于所述第一半导体层和所述第二半导体薄膜之间的发光层；
形成覆盖各所述中间部分的绝缘层，相邻所述中间部分的绝缘层相互断开以露出所述第二半导体薄膜的表面，且各所述绝缘层具有配合孔，所述配合孔位于所述第一半导体层远离所述发光层的一侧，且所述配合孔露出所述第一半导体层的表面；
形成多个电极组，所述电极组与所述中间部分一一对应设置，所述电极组包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述配合孔处并与所述第一半导体层接触，所述第二电极包括导电连接部和电极部，所述导电连接部通过所述绝缘层绝缘环绕在所述第一半导体层和所述发光层的外侧，且所述导电连接部连接所述第二半导体薄膜和所述电极部，所述电极部通过所述绝缘层与所述第一半导体层绝缘设置并绝缘环绕在所述第一电极的外侧，且所述电极部和所述第一电极远离所述第二半导体薄膜的表面处于同一水平面上；
形成保护图案层，所述保护图案层包括第一保护部和第二保护部，所述第一保护部环绕设置所述导电连接部的外侧，所述第二保护部位于在所述电极部与所述第一电极之间，所述第一保护部和所述第二保护部远离所述第二半导体薄膜的表面处于同一水平面上，且相比于所述电极部和所述第一电极远离所述第二半导体层的表面更靠近所述第二半导体层；
剥离所述衬底，并对所述第二半导体薄膜和所述第一保护部远离所述导电连接部的外侧面进行图案化处理，形成与所述中间部分一一对应且呈球缺型的第二半导体层，且使所述第一保护部的所述外侧面呈曲面，所述第一保护部的曲面与所述第二半导体层的曲面位于同一球面上。
本公开方案具有以下有益效果：
在本公开实施例中，第二半导体层呈球缺型，且发光层和第一半导体层均位于第二半导体层的底平面，同时，第一电极位于第一半导体层远离发光层的一侧，第二电极位于第二半导体层的底平面环绕在第一半导体层、发光层及第一电极的外侧，进而使得发光芯片整体可看作呈球缺形。由于呈球缺形的发光芯片的至少部分外表面为球面，因此，能够方便发光芯片在转移时实现平顺的位置调整，以此代替长方形或圆柱体的发光芯片，提供发光芯片的转移效率。并且，第二半导体层呈球缺型，因此，当发光芯片从第二半导体层出光时，球面作为出光面有利于减少发光芯片内部的全反射，因此可以提升光提取效率。最后，第一电极和第二电极远离第二半导体层的表面处于同一水平面上，能够方便第一电极和第二电极与驱动背板连接。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本公开实施例一所述的发光芯片的剖面结构示意图；
图2示出了本公开实施例二所述的发光芯片装配在驱动背板上的剖面结构示意图；
图3示出了本公开实施例三所述的显示面板的制作方法中步骤S10和S11的结构示意图；
图4示出了本公开实施例三所述的显示面板的制作方法中步骤S12的结构示意图；
图5示出了本公开实施例三所述的显示面板的制作方法中步骤S13的结构示意图；
图6示出了本公开实施例三所述的显示面板的制作方法中步骤S14的结构示意图；
图7示出了本公开实施例三所述的显示面板的制作方法中步骤S15的结构示意图；
图8示出了本公开实施例三所述的显示面板的制作方法中步骤S16的结构示意图；
图9示出了本公开实施例三所述的显示面板的制作方法中步骤S20-21的结构示意图；
图10示出了本公开实施例三所述的显示面板的制作方法中步骤S22的结构示意图；
图11示出了本公开实施例三所述的显示面板的制作方法中步骤S23的结构示意图。
附图标记说明：
10、发光芯片；101、配合孔；11、第一半导体薄膜；11a、第一半导体层；12、第二半导体薄膜；12a、第二半导体层；13、发光薄膜；13a、发光层；14、绝缘层；141、第一绝缘部；142、第二绝缘部；15、保护图案层；151、第一保护部；152、第二保护部；16、第一电极；17、第二电极；171、导电连接部；172、电极部；20、驱动背板；21、驱动电极组；211、第一驱动电极；212、第二驱动电极；22、驱动线路；30、衬底；40、转移基板；401、凹槽；402、气孔。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。
此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本公开的各方面。
下面结合附图和具体实施例对本公开作进一步详述。在此需要说明的是，下面所描述的本公开各个实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本公开，而不能理解为对本公开的限制。
实施例一
如图1所示，本公开实施例一提供了一种发光芯片10。其中，发光芯片10例如为Min i LED(次毫米发光二极管)或者M i croLED(微米发光二极管)。
在本实施例中，发光芯片10包括第一半导体层11a、第二半导体层12a及设于第一半导体层11a和第二半导体层12a之间的发光层13a。
举例而言，第一半导体层11a可称空穴型半导体层，是以带正电的空穴导电为主的半导体层，而第二半导体层12a可为自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体层。
示例的，第一半导体层11a例如由P型掺杂氮化镓(P-GaN)形成；第二半导体层12a例如由N型掺杂氮化镓(N-GaN)形成；发光层13a例如由多量子阱(MQW)形成。
其中，第二半导体层12a呈球缺型，发光层13a和第一半导体层11a位于第二半导体层12a的底平面。
在本实施例中，发光芯片10还包括第一电极16和第二电极17，第一电极16导电连接于第一半导体层11a远离发光层13a的一侧，并与第一半导体层11a导电连接；第二电极17位于第二半导体层12a的底平面，并与第二半导体层12a的底平面导电连接。
示例的，第二电极17绝缘环绕在第一半导体层11a、发光层13a及第一电极16的外侧。
在本实施例中，第二半导体层12a呈球缺型，其具有底平面和曲面，此曲面为球面的部分，其中，底平面设置用于与驱动背板20(如图2所示)的驱动电极进行连接的第一电极16和第二电极17，其曲面为出光面，通过将第二半导体层12a的出光面设计为曲面可增大出光面积，从而提高出光效果，继而提高发光效果。
其中，第一电极16和第二电极17远离第二半导体层12a的表面处于同一水平面上，这样设计能够使得发光芯片10在转移到驱动背板20的表面上后，提升发光芯片10与驱动背板20的结合强度。并且，第一电极16和第二电极17同一水平面设置，能够使得发光芯片10在设置在驱动背板20上后不易发生倾斜，便于与驱动背板20进行连接，另外，还可缓解连接不牢固而导致发光芯片10无法点亮的情况，提高显示效果。
可选地，第一电极16与第二电极17由金、锰、镉、或者铝等金属材料形成。
在本实施例中，第一电极16例如呈圆形；第二电极17可为封闭式的环状形，可选地，第二电极17为圆环形。
应理解的是，第一电极16与第二电极17的形状分别为圆形和圆环形，由于圆环形状的任意位置与驱动背板20上的驱动线路22均可实现导通，因此，能够使得驱动背板20上的驱动线路22制作工艺简单，且对设置在驱动线路22上的第一驱动电极211与第二驱动电极212的形状兼容性更强，同时，可以不用考虑转移过程中发光芯片10放置角度会对第二电极17与第二驱动电极212的连接造成影响，降低了转移的难度。
在本实施例中，第二电极17包括导电连接部171和电极部172，连接部与电极部172可看成L型连接。
示例的，导电连接部171绝缘环绕在第一半导体层11a和发光层13a的外侧，且导电连接部171连接第二半导体层12a和电极部172；而电极部172绝缘环绕在第一电极16的外侧，且电极部172和第一电极16远离第二半导体层12a的表面处于同一水平面上。其中，电极部172在第二半导体层12a上的正投影与第一半导体层11a在第二半导体层12a的正投影相交叠，且电极部172与第一半导体层11a绝缘设置。
更具体地，发光芯片10还包括绝缘层14，绝缘层14包括第一绝缘部141和第二绝缘部142。
示例的，第一绝缘部141具有配合孔101，配合孔101位于第一半导体层11a远离发光层13a的一侧，且配合孔101露出第一半导体层11a的表面，第一电极16位于此配合孔101处并与第一半导体层11a相接触，以实现导电连接。
示例的，第二绝缘部142绝缘环绕在第一半导体层11a和发光层13a的外侧，以使得导电连接部171与发光层13a和第一半导体层11a绝缘设置，此第二绝缘部142与第一绝缘部141呈L型连接。在本实施例中，发光芯片10还可包括保护图案层15，保护图案层15包括第一保护部151和第二保护部152，第一保护部151环绕导电连接部171的外侧设置，第二保护部152位于在电极部172与第一电极16之间。
其中，第一保护部151远离导电连接部171的外侧面为曲面，且第一保护部151的曲面与第二半导体层12a的曲面位于同一球面上，以使得发光芯片10整体可看做为球缺形结构，曲面更平滑，便于与转移基板的凹槽相配合，降低转移难度。
进一步地，第一保护部151和第二保护部152远离第二半导体层12a的表面处于同一水平面上，且相比于电极部172和第一电极16远离第二半导体层12a的表面更靠近第一半导体层11a，也就是说，电极部172和第一电极16远离第二半导体层12a的表面相比于第一保护部151和第二保护部152远离第二半导体层12a的表面凸出设置，便于与驱动背板20进行绑定。
在本实施例中，发光层13a的边缘与第一半导体层11a的边缘相对齐；发光层13a的边缘与第二半导体层12a的边缘之间的各处间距相等；第一电极16的边缘与电极部172的内边缘之间各处间距相等；第一电极16的边缘与发光层13a的边缘之间各处间距相等；导电连接部171的外边缘与第二半导体层12a的边缘之间各处间距相等，这样设计可以进一步保证出光均匀性。
基于此，在本公开的实施例中的发光层13a和第一半导体层11a均位于第二半导体层12a的底平面，同时，第一电极16位于第一半导体层11a远离发光层13a的一侧，第二电极17位于第二半导体层12a的底平面环绕在第一半导体层11a、发光层13a及第一电极16的外侧，进而使得发光芯片10整体可看作呈球缺形。由于呈球缺形的发光芯片10的至少部分外表面为球面，因此，能够方便发光芯片10在转移时实现平顺的位置调整，以此代替长方形或圆柱体的发光芯片10，提供发光芯片10的转移效率。并且，第二半导体层12a呈球缺型，因此，当发光芯片10从第二半导体层12a出光时，球面作为出光面有利于减少发光芯片10内部的全反射，因此可以提升光提取效率。其次，第一电极16和第二电极17远离第二半导体层12a的表面处于同一水平面上，能够方便第一电极16和第二电极17与驱动背板20连接。
此外，第二电极17为圆形，由于圆环形状的任意位置与驱动背板20上的驱动线路22均可实现导通，因此，能够使得驱动背板20上的驱动线路22制作工艺简单，且对设置在驱动线路22上的第二驱动电极212的形状兼容性更强，同时，可以不用考虑转移过程中发光芯片10的放置角度会对第二电极17与第二驱动电极212的连接造成影响，降低了转移的难度。
实施例二
如图2所示，本公开实施例二还提供一种显示面板，包括实施例一中的发光芯片10。
在本实施例中，显示面板包括驱动背板20及多个上述的发光芯片10。多个发光芯片10呈阵列设置在驱动背板20上，且显示面板的显示子像素内至少对应设置一个发光芯片10。
其中，驱动背板20包括多组驱动电极组21，驱动电极组21与发光芯片10一一对应设置，驱动电极组21包括相互绝缘设置的第一驱动电极211和第二驱动电极212。
示例的，第一电极16远离第二半导体层12a的表面与第一驱动电极211相接触；第二电极17远离第二半导体层12a的表面与第二驱动电极212相接触。
在本实施例中，第一电极16在驱动背板20上的正投影完全位于第一驱动电极211内；第二电极17在驱动背板20上的正投影的至少部分位于第二驱动电极212内，以能够保证连接平稳性。
示例的，第一驱动电极211在驱动背板20上的正投影的面积与第一电极16在驱动背板20上的正投影的宽度之比为1.1-1.4；第二驱动电极212在驱动背板20上的正投影的宽度与第二电极17在驱动背板20上的正投影的宽度之比为1.1-1.4。进而保证发光芯片10与驱动背板20上的第一驱动电极211和第二驱动电极212之间具有足够的重叠面积，从而提升驱动背板20的整体连接稳定性。
关于显示面板中的发光芯片10请参照实施例一，此处不再赘述。
实施例三
如图3至图11所示，本公开实施例三提供了一种显示面板的制作方法，用于制作实施例二中的显示面板。
如图3至图8所示：
S1:制作发光芯片10；此步骤S1具体包括以下步骤：
S10：提供衬底30，此衬底可由蓝宝石材料制成。
S11：在衬底30上依次生长第二半导体薄膜12、发光薄膜13及第一半导体薄膜11，如图3所示；举例而言，第二半导体薄膜12、发光薄膜13及第一半导体薄膜11可通过MOCVD进行磊晶生长而成。
示例的，第一半导体薄膜11例如由P型掺杂氮化镓(P-GaN)形成；第二半导体薄膜12例如由N型掺杂氮化镓(N-GaN)形成；发光薄膜13例如有多量子阱(MQW)形成。
应理解的是，第二半导体薄膜12提供的电子和第一半导体薄膜11提供的空穴迁移到发光层13a中能够进行复合发光。
步骤S12：根据设计的单个发光芯片10的大小，对第一半导体薄膜11和发光薄膜13进行图案化处理，以形成多个间隔设置的中间部分。具体地，可以先对第一半导体薄膜11和第二半导体薄膜12进行曝光形成图形，再进行I CP刻蚀(刻蚀气体氯气和氯化硼C l2/BC l3)。其中，中间部分包括第一半导体层11a和位于第一半导体层11a和第二半导体薄膜12之间的发光层13a，如图4所示。
步骤S13：形成覆盖各中间部分的绝缘层14；具体地，采用气相沉积(CVD)法在第二半导体薄膜12上沉积绝缘薄膜，并对其进行图案化处理，以形成覆盖各中间部分的绝缘层14，相邻中间部分的绝缘层14相互断开以露出第二半导体薄膜12的表面。其中，绝缘层14例如为氧化硅材料制成。
其中，如图5所示，第一绝缘部141包括第一绝缘部141和第二绝缘部142，各第一绝缘部141具有配合孔101，配合孔101位于第一半导体层11a远离发光层13a的一侧，且配合孔101露出第一半导体层11a的表面。第二绝缘部142环绕发光层13a和第一半导体层11a的外侧设置。
步骤S14：形成多个电极组；具体地，蒸镀由金、锰、镉、或者铝等金属材料形成的整面的金属层，对金属层进行图形化处理以形成多个电极组。电极组与中间部分一一对应设置，电极组包括第一电极16和第二电极17，第一电极16位于配合孔101处并与第一半导体层11a接触，第二电极17包括导电连接部171和电极部172，导电连接部171通过第二绝缘部142绝缘环绕在第一半导体层11a和发光层13a的外侧，且导电连接部171连接第二半导体薄膜12和电极部172，电极部172通过第一绝缘部141与第一半导体层11a绝缘设置并绝缘环绕在第一电极16的外侧，且电极部172和第一电极16远离第二半导体薄膜12的表面位于同一平面上，如图6所示。
步骤S15：形成保护图案层15；具体地，采用气相沉积(CVD)法沉积氧化硅材料并对其进行图案化处理以制成保护图案层15。结合图1和图7所示，保护图案层15包括第一保护部151和第二保护部152，第一保护部151环绕所述导电连接部171的外侧设置的外侧，第二保护部152填充在电极部172与第一电极16之间，第一保护部151、第二保护部152、电极部172和第一电极16远离第二半导体薄膜12的表面处于同一水平面上。且相比于电极部172和第一电极16远离第二半导体薄膜12的表面更靠近第一半导体层11a。
步骤S16：剥离衬底30，并对第二半导体薄膜12和第一保护部151远离导电连接部171的外侧面进行图案化处理，形成与中间部分一一对应且呈球缺型的第二半导体层12a，且使第一保护部151的外侧面呈曲面，第一保护部151的曲面与第二半导体层12a的曲面位于同一球面上，如图8所示。
如图9至图11所示：
S2:将发光芯片10转移至驱动背板20上，此步骤S2具体包括以下步骤：
步骤S20：提供转移基板40，转移基板40上设置有多个与发光芯片10的形状相匹配的凹槽401。
示例的，凹槽401的半径可设计成发光芯片10半径的1-1.2倍；凹槽401深度可设计成凹槽401半径的0.6-1.1倍，相邻两凹槽401的间距需小于1.5倍凹槽401的直径；且转移基板40的凹槽401的槽口外缘位置设置有倒圆边，倒圆边的半径可设计成0.1-1.25倍凹槽401的半径；进而有利于发光芯片10在转移基板40上的自动落位，避免已落位的发光芯片10在振动过程中跳出凹槽401，同时能够保证发光芯片10的位置精度。
示例的，凹槽401的底部设有至少一个呈贯穿状的气孔402；进而实现对凹槽401内部进行吸附外力的加载。其中，至少一个气孔402与发光芯片10的中心对应设置，其它气孔402环绕与发光芯片10的中心对应设置的气孔402设置，且气孔402半径设计为凹槽401半径的0.05-0.1倍。
步骤S21：将发光芯片10一一对应固定在凹槽401中。
可选地，可以将超出一次可转移数量的1.2-1.5倍的发光芯片10均匀散落在转移基板40的表面，然后对转移基板40施加平面内的轻微震动，以使得发光芯片10震动至凹槽401内。或者，也可以在转移基板40一侧放置发光芯片10，通过柔性推动件(辊杆或者推杆)将发光芯片10从一侧移到另一侧,从而实现发光芯片10掉落到转移基板40的凹槽401内。
进一步地，为了保证发光芯片10能够直接转移到驱动背板20的目标位置进行连接，需要确认发光芯片10在转移基板40上的姿态。
示例的，可以通过相机对装配有发光芯片10的转移基板40进行图像采集，基于发光芯片10不同姿态所呈现的光影亮暗形状的差异，来判断发光芯片10姿态是否满足转移要求。当采集到的图像的光影亮暗以及形状满足预设条件时，继续下一步骤；当采集到的图像的光影亮暗以及形状不满足预设条件时，可对转移基板40表面进行二次震动或者辊杆推移，直至确认发光芯片10的姿态满足转移要求为止。
进一步地，对通过气孔402向转移基板40施加负压吸附，以使得发光芯片10固定在转移基板40上。
步骤S22：翻转转移基板40，以使发光芯片10的第一电极16和第二电极17朝向驱动背板20；具体地，通过转移基板40上四角设置的对位标记与驱动背板20上的对位标记进行对位，然后下移转移基板40，以使得第一电极16和第二电极17分别与驱动背板20的第一驱动电极211和第二驱动电极212对位连接。
步骤S23：剥离转移基板40；具体地，可以通过气孔402向对转移基板40再施加正压吸附，便于剥离转移基板40。
基于此，本公开实施例中的显示面板在生产制造过程中，解决了发光芯片10转移效率低的问题。具体为：通过将发光芯片10近视设计成球缺结构，同时对转移基板40进行结构匹配设计，在一定外力的作用下，将发光芯片10吸取到转移基板40上的目标位置，然后一次性将多个发光芯片10转移到驱动背板20的目标位置，提高了生产效率。
关于本实施例中的显示面板中的发光芯片10请参照实施例一，此处不再赘述。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“装配”、“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示例地”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本公开的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本公开的限制，本领域的普通技术人员在本公开的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，故但凡依本公开的权利要求和说明书所做的变化或修饰，皆应属于本公开专利涵盖的范围之内。

Claims (3)

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括:
在衬底上依次形成第二半导体薄膜、发光薄膜及第一半导体薄膜；
对所述第一半导体薄膜和所述发光薄膜进行图案化处理，以形成多个间隔设置的中间部分，所述中间部分包括第一半导体层和位于所述第一半导体层和所述第二半导体薄膜之间的发光层；
形成覆盖各所述中间部分的绝缘层，相邻所述中间部分的绝缘层相互断开以露出所述第二半导体薄膜的表面，且各所述绝缘层具有配合孔，所述配合孔位于所述第一半导体层远离所述发光层的一侧，且所述配合孔露出所述第一半导体层的表面；
形成多个电极组，所述电极组与所述中间部分一一对应设置，所述电极组包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述配合孔处并与所述第一半导体层接触，所述第二电极包括导电连接部和电极部，所述导电连接部通过所述绝缘层绝缘环绕在所述第一半导体层和所述发光层的外侧，且所述导电连接部连接所述第二半导体薄膜和所述电极部，所述电极部通过所述绝缘层与所述第一半导体层绝缘设置并绝缘环绕在所述第一电极的外侧，且所述电极部和所述第一电极远离所述第二半导体薄膜的表面处于同一水平面上；
形成保护图案层，所述保护图案层包括第一保护部和第二保护部，所述第一保护部环绕设置所述导电连接部的外侧，所述第二保护部位于所述电极部与所述第一电极之间，所述第一保护部和所述第二保护部远离所述第二半导体薄膜的表面处于同一水平面上，且相比于所述电极部和所述第一电极远离所述第二半导体薄膜的表面更靠近所述第一半导体层；
剥离所述衬底，并对所述第二半导体薄膜和所述第一保护部远离所述导电连接部的外侧面进行图案化处理，形成与所述中间部分一一对应且呈球缺型的第二半导体层，且使所述第一保护部的所述外侧面呈曲面，所述第一保护部的曲面与所述第二半导体层的曲面位于同一球面上，以形成发光芯片；
提供转移基板，所述转移基板上设置有多个与所述发光芯片中第二半导体层的形状相匹配的凹槽；
将所述发光芯片一一对应固定在所述凹槽中；
翻转所述转移基板，以使所述发光芯片的第一电极和第二电极朝向驱动背板；
将所述第一电极和所述第二电极分别与所述驱动背板的第一驱动电极和第二驱动电极对位连接；
剥离所述转移基板。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述凹槽的底部设有呈贯穿状的气孔；
其中，将所述发光芯片一一对应固定在所述凹槽中，包括：
将多个所述发光芯片散落在所述转移基板中具有所述凹槽的面上；
对所述转移基板施加震动或者利用柔性推动件推动各所述发光芯片，以使得每个所述发光芯片移动至一个所述凹槽内；
对装配有所述发光芯片的转移基板进行图像采集；
在采集到的图像的光影亮暗以及形状满足预设条件时，通过所述气孔向所述发光芯片施加负压力，以使所述发光芯片固定在所述转移基板上。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述凹槽的半径与所述发光芯片的半
径之比为1至1.2；
相邻所述凹槽之间的间距与所述凹槽的直径之比小于1.5；
所述凹槽的槽口处设有弧形倒角，所述弧形倒角的半径与所述凹槽的半径之比为0.1至0.25。
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