CN115223900B - 真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法，涉及半导体的技术领域。本发明提供的真空吸附式加热器包括：具有支撑面的加热盘，加热盘设有贯穿支撑面的通气口，支撑面设有多个间隔分布的凸起；加热盘的底部具有能够安装加热件的仓体，仓体开设有供气体通过的气道，且气道与通气口连通。本发明提供的真空吸附式加热器缓解了现有技术中晶圆均匀加热效果较差的技术问题。

Description

真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法。

背景技术

在某些应用中，已经观察到传统的半导体生产工艺表现出沉积膜的厚度不均匀性，从而降低了质量和产量。这种厚度不均匀性被认为至少部分是由于上述工艺中涉及晶圆的不均匀热分布。晶圆的不均匀热分布至少部分地归因于真空吸盘加热器和晶圆之间的不均匀热传递。

因此，提供一种晶圆能够均匀受热的真空吸附式陶瓷加热器及晶圆处理设备成为本领域技术人员所要解决的重要技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法，以缓解现有技术中晶圆均匀加热效果较差的技术问题。

第一方面，本发明提供的真空吸附式加热器，包括：具有支撑面的加热盘，所述加热盘设有贯穿所述支撑面的通气口，所述支撑面设有多个间隔分布的凸起；

所述加热盘的底部具有能够安装加热件的仓体，所述仓体开设有供气体通过的气道，且所述气道与所述通气口连通。

可选地，多个所述凸起均匀分布于所述支撑面。

可选地，所述凸起的直径在1.5-2.5mm之间，高度小于等于0.1mm。

可选地，所述凸起的直径为2mm，高度为0.1mm；

任意相邻的两个所述凸起之间的间距为5mm。

可选地，所述支撑面开设有与所述通气口连通的通气槽。

可选地，所述通气槽包括通气直槽和通气环槽；

多条所述通气直槽以所述加热盘的轴线为中心呈放射布置，多条所述通气环槽的圆心均与所述加热盘的轴线重合，并均与所述通气直槽连通。

可选地，所述通气直槽和所述通气环槽两者的槽宽在0.5-1.0mm之间，槽深小于等于0.5mm。

本发明提供的加热盘的支撑面上设有多个间隔分布的凸起，晶圆被吸附于加热盘上时，在凸起的支撑作用下，晶圆的背面与支撑面之间形成用于气体流动的流动空间。在处理晶圆的过程中，可通过通气口向流动空间内通入保护气体，保护气体在流动空间内流动，使流动空间内的热量分布均匀，从而使晶圆受热均匀。

第二方面，本发明提供的晶圆吸附机构包括：能抽气和充气的调压组件和上述的真空吸附式加热器；

所述调压组件通过管路与所述真空吸附式加热器中的气道连通。

可选地，所述调压组件包括真空泵、通入惰性气体的充气泵、控制所述真空泵与所述气道通断的开关阀、控制所述充气泵与所述气道通断的充气阀和控制所述气道与腔室通断的排气阀；

所述真空泵和所述充气泵并联接入所述气道，所述开关阀设置在所述真空泵与所述气道之间，所述充气阀设置在所述充气泵与所述气道之间，所述气道通过连通管道与腔室连通，所述排气阀设于所述连通管道；

所述充气泵与所述气道之间设置有压力控制器。

可选地，所述开关阀与所述气道之间设置有压力传感器和流量控制器。

可选地，所述晶圆吸附机构包括多个所述真空吸附式加热器，每个所述真空吸附式加热器中所述气道均与所述调压组件连通，每个所述加热器与所述调压组件之间设有控制阀。

可选地，所述晶圆吸附机构还包括连接座，所述连接座可拆卸的设置在所述加热器的仓体上。

具体的，在工作时，先将加热盘加热至设定温度，然后将晶圆放置在加热盘的上表面，然后向晶圆处理设备的反应腔室内通入反应气体，并使反应腔室内的压力稳定在设定范围内，然后通过调压组件将晶圆吸附在加热盘的上表面，然后再通过调压组件向加热盘充气，使得气体经过气道从加热盘的上表面吹向晶圆的下表面，即，朝向加热盘的一面，并且使得晶圆的下表面与上表面之间形成负压差，使得晶圆依然能够吸附在加热盘的上表面，并且气体能够吹向晶圆的下表面，通过这样的设置，能够使得加热盘通过热传导、对流和热辐射三种热传递方式对晶圆进行加热，从而使得晶圆能够均匀加热，进而使得晶圆上的沉积膜的厚度更加均匀。

第三方面，本发明提供的晶圆处理设备包括机架和上述的晶圆吸附机构；

所述晶圆吸附机构设置在机架上。

本发明实施例提供了一种晶圆处理设备，包括机架的真空吸附式陶瓷加热器；真空吸附式陶瓷加热器设置在机架上。晶圆处理设备与现有技术相比具有上述的优势，此处不再赘述。

第四方面，本发明提供的晶圆处理方法包括：

加热盘升温到450-550℃，将晶圆放置在加热盘，腔室内压力控制在20-600Torr;

启动真空泵，将晶圆的背面抽至本底负压状态；

充气泵向晶圆背面和加热盘的支撑面之间通入气体，控制吸附压力小于腔室内的压力，压降大于或等于10Torr;

将腔室内的压力和晶圆背面的压力均控制在稳定值，晶圆表面温度稳定后，进行薄膜沉积。

可选地，充气泵向晶圆背面和加热盘的支撑面之间通入气体包括：

腔室内压力上升过程中，当腔室内压力超过100Torr时，打开开关阀和控制阀，真空泵抽取晶圆背面的气体；腔室内的压力稳定时，打开充气阀，充气泵向晶圆的背面通入气体，压力差使晶圆被吸附在加热盘上。

可选地，压力控制器检测晶圆背面的压力，压力控制器根据检测的压力值控制入气体的流量。

可选地，薄膜沉淀后，腔体内压力不变，关闭开关阀和充气阀，同时打开排气阀，腔室内的气体进入晶圆背面，稳定后晶圆上下表面压力相同，失去吸附能力。

本发明提供的晶圆处理方法向晶圆的背面通入气体，气体在流动空间内流动，使流动空间内的热量分布均匀，能够使得加热盘通过热传导、对流和热辐射三种热传递方式对晶圆进行加热，从而使得晶圆能够均匀加热，进而使得晶圆上的沉积膜的厚度更加均匀。此外，通过向晶圆的背面的通入气体，通过控制通入的气体的流量，使晶圆下方的压力稳定，从而使晶圆上下两侧的压差稳定，防止因压力不稳定而造成晶圆上下跳动。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的晶圆吸附机构的示意图；

图2为本发明实施例提供的真空吸附式加热器的示意图；

图3为本发明实施例提供的真空吸附式加热器的剖视图。

图标：

100-加热盘；101-仓体；102-气道；110-凸起；120-通气直槽；130-通气环槽；

200-加热件；

300-连接座；

400-调压组件；410-控制阀；420-开关阀；430-充气阀；440-压力控制器；450-压力传感器；460-流量控制器；470-排气阀。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面通过具体的实施例并结合附图对本发明做进一步的详细描述。

具有支撑面的加热盘100，加热盘100设有贯穿支撑面的通气口，支撑面设有多个间隔分布的凸起110；加热盘100的底部具有能够安装加热件200的仓体101，仓体101开设有供气体通过的气道102，且气道102与通气口连通。

具体地，加热盘100呈圆形，并且加热盘100由耐高温材料制成，例如陶瓷。加热盘100可知设置两个、三个或四个等通气口，本实施例中，加热盘100设有两个通气孔，两个通气口均沿加热盘100的轴向贯穿加热盘100。仓体101内设有两个气道102，两个气道102与两个通气口一一对应地连通，两个气道102远离通气口的一端连通，并通过一根夹头套管与外部连通。

仓体101内设有加热件200，加热件200包括加热棒和温度传感器，加热棒和温度传感器均设置在仓体101内，加热棒可以对加热盘100整体加热。并且流经气道102的气体也同样会吸热，然后吹拂在加热盘100上。

需要指出的是，加热盘100和仓体101为一体式结构，可以降低气体泄露的几率。

本发明实施例提供的加热盘100的支撑面上设有多个间隔分布的凸起110，晶圆被吸附于加热盘100上时，在凸起110的支撑作用下，晶圆的背面与支撑面之间形成用于气体流动的流动空间。在处理晶圆的过程中，可通过通气口向流动空间内通入保护气体，保护气体在流动空间内流动，使流动空间内的热量分布均匀，从而使晶圆受热均匀。

多个凸起110可任意间隔分布于支撑面或者均匀分布于支撑面，本实施例中，多个凸起110均匀分布于支撑面。具体地，多个凸起110分布为多行，多行凸起110沿加热盘100的第一径向均匀间隔分布，每行中的多个凸起110沿加热盘100的第二径向均匀间隔分布，第一径向与第二径向相互垂直。多个凸起110均匀分布于支撑面，使晶圆受到的支撑力均匀，并且形成供气体流动的空间均匀，有利于气体在加热盘100与晶圆的背面之间均匀流动。

本实施例的可选方案中，凸起110的直径在1.5-2.5mm之间，高度小于或等于0.1mm。

本实施例的可选方案中，凸起110的直径为2mm，高度为0.1mm；任意相邻的两个凸起110之间的间距为5mm。

具体的，凸起110的直径可以设置为1.5mm，高度设置为0.05mm，任意相邻的两个凸起110之间的间距为5mm，且多个凸起110均匀分布在加热盘100的上表面。

或者，凸起110的直径可以设置为2mm，高度设置为0.1mm，任意相邻的两个凸起110之间的间距为5mm，且多个凸起110均匀分布在加热盘100的上表面。

或者，凸起110的直径可以设置为2.5mm，高度设置为0.1mm，任意相邻的两个凸起110之间的间距为5mm，且多个凸起110均匀分布在加热盘100的上表面。

另外，本领域技术人员可以根据实际需求，自行设置凸起110的直径和高度，在此不再进行赘述。

需要指出的是，通过凸起110的设置，能够使得晶圆与加热盘100的上表面之间形成间隙空间，在生产过程中，通过充气泵向加热盘100上的气道102充气的空气能够从此间隙空间吹向晶圆，从而通过对流的热传递方式对晶圆进行加热。

支撑面开设有与通气口连通的通气槽，晶圆与加热盘100之间的气体通过通气槽流动至通气口，然后通过通气口进入起到被真空泵抽走。

参见图1、图2和图3所示，本实施例的可选方案中，通气槽包括通气直槽120和通气环槽130；多条通气直槽120以加热盘100的轴线为中心呈放射布置，多条通气环槽130的圆心均与加热盘100的轴线重合，并均与通气直槽120连通。

加热盘100的上表面开设有多条通气直槽120和多条通气环槽130，多条通气直槽120以加热盘100的轴线为中心呈放射布置，多个通气环槽130的圆心均与加热盘100的轴线重合，并且通气直槽120与通气环槽130相互连通，通过通气直槽120和通气环槽130两者的设置，能够引导从气道102吹向晶圆的气体能够快速向晶圆的边缘移动。

本实施例的可选方案中，通气直槽120和通气环槽130两者的槽宽在0.5-1.0mm之间，槽深小于或等于0.5mm。

具体的，通气直槽120和通气环槽130两者的槽宽可以设置为0.5mm，槽深设置为0.5mm。

或者，通气直槽120和通气环槽130两者的槽宽可以设置为0.7mm，槽深设置为0.4mm。

或者，通气直槽120和通气环槽130两者的槽宽可以设置为1mm，槽深设置为0.5mm。

需要指出的是，本领域技术人员根据实际情况自行调整通气直槽120和通气环槽130两者的槽宽和槽深，在此不再进行赘述。

参见图1、图2和图3所示，本实施例提供了一种晶圆吸附机构，包括能够抽气充气的调压组件400和上述的真空吸附式加热器；调压组件400通过管路与真空吸附式加热器中的气道102连通。

具体的，在工作时，先通过设置在仓体101内的加热件200将加热盘100加热至设定温度，然后将晶圆放置在加热盘100的上表面，然后向晶圆处理设备的反应腔室内通入反应气体，并使反应腔室内的压力稳定在设定范围内，然后通过调压组件400将晶圆吸附在加热盘100的上表面，然后再通过调压组件400向加热盘100充气，使得气体经过气道102从加热盘100的上表面吹向晶圆的下表面，即，朝向加热盘100的一面，并且使得晶圆的下表面与上表面之间形成负压差，使得晶圆依然能够吸附在加热盘100的上表面，并且气体能够吹向晶圆的下表面，通过这样的设置，能够使得加热盘100通过热传导、对流和热辐射三种热传递方式对晶圆进行加热，从而使得晶圆能够均匀加热，进而使得晶圆上的沉积膜的厚度更加均匀。

参见图1、图2和图3所示，本实施例的可选方案中，调压组件400包括真空泵、通入惰性气体的充气泵、控制真空泵与气道102通断的开关阀420、控制充气泵与气道102通断的充气阀430和控制气道102与腔室通断的排气阀470；真空泵和充气泵并联接入气道102，开关阀420设置在真空泵与气道102之间，充气阀430设置在充气泵与气道102之间，气道102通过连通管道与腔室连通，排气阀470设于连通管道。充气泵与气道102之间设置有压力控制器440，控制器的上下游均设有一个充气阀430，以提高安全性。

具体的，在生产过程中，将晶圆落在加热盘100上，然后向反应腔室内通气，使得反应腔室内的压力稳定在600Torr，并且在反应腔室内的压力上升过程中超过100Torr时，打开开关阀420，使得真空泵抽走晶圆的下表面的气体，使得晶圆的下表面压力降低到20Torr以下，并且在反应腔室内的压力稳定后，晶圆的上表面压力为600Torr，然后打开充气阀430，通过充气泵向气道内充气，使得晶圆的下表面压力达到550Torr，此时依然能够使晶圆吸附在加热盘100上，然后对晶圆进行工艺沉积。沉积完成后，关闭开关阀420和充气阀430。压力控制器440具有检测压力和控制流量的功能，充气过程中，压力控制器440根据检测到的气道102内的压力值，控制通入气体的流量，使晶圆下方的压力稳定，从而使晶圆上下两侧的压差稳定，防止因压力不稳定而造成晶圆上下跳动。

需要指出的是，上述的压力值，本领域技术人员可以根据具体工艺、材质等区别，自行设置。

参见图1、图2和图3所示，本实施例的可选方案中，开关阀420与气道102之间设置有压力传感器450和流量控制器460。

具体的，流量控制器460能够控制通过的气体流量，防止因流量过大而使晶圆的背面形成负压的速度过快。在抽气过程中，未开启压力控制器440时，压力传感器450能够检测晶圆下表面的压力，为操作提供数据依据。

晶圆吸附机构包括多个真空吸附式加热器，每个真空吸附式加热器中气道102均与调压组件400连通，每个加热器与调压组件400之间设有控制阀410。

具体地，多个真空吸附式加热器中的气道102与一个总管道连通，从而实现加热盘100与总管道的连通，每个加热盘100与总管道连通的管路上设有控制阀410，用于控制加热盘100与总管道的通断，真空泵和充气泵并联，并与总管道连通。

晶圆吸附机构包括多个真空吸附式加热器，能够实现一个真空泵同时对多个真空吸附式加热器进行抽气，以及一个充气泵同时向多个真空吸附式加热器通入气体，提高生产效率；此外，每个加热盘100与总管道连通的管路上设有控制阀410，能单独控制每个真空吸附式加热器与总管道的通断，根据生产需要选择需使用的真空吸附式加热器。

晶圆吸附机构还包括连接座300，连接座300可拆卸的设置在仓体101上。如图2所示，连接座300呈环形，并套设于仓体101的外周。由陶瓷材料制成的加热盘100无法直接与其他连接结构连接，在仓体101的外部设置连接座300，连接座300与相应的支撑结构连接，从而实现加热盘100的安装。

本发明实施例提供的晶圆处理设备，包括机架的真空吸附式陶瓷加热器；真空吸附式陶瓷加热器设置在机架上。

具体的，本实施例提供的晶圆处理设备与现有技术相比具有上述真空吸附式陶瓷加热器的优势，在此不再进行赘述。

本发明实施例提供的晶圆处理方法包括：

加热盘100升温到450-550℃，将晶圆放置在加热盘100，腔室内压力控制在20-600Torr;

启动真空泵，将晶圆的背面抽至本底负压状态；

充气泵向晶圆背面和加热盘100的支撑面之间通入气体，具体控制在10-550Torr，控制吸附压力小于腔室内的压力，压降大于或等于10Torr;

将腔室内的压力和晶圆背面的压力均控制在稳定值，具体将腔室内的压力控制在600Torr，晶圆背面的压力控制在550Torr，在压降的作用下，晶圆受力不发生移动，同时能与支撑面上的凸起110均匀接触，晶圆表面温度均匀。晶圆表面温度稳定后，进行薄膜沉积。

本发明实施例提供的晶圆处理方法向晶圆的背面通入气体，气体在流动空间内流动，使流动空间内的热量分布均匀，能够使得加热盘100通过热传导、对流和热辐射三种热传递方式对晶圆进行加热，从而使得晶圆能够均匀加热，进而使得晶圆上的沉积膜的厚度更加均匀。此外，通过向晶圆的背面的通入气体，通过控制通入的气体的流量，使晶圆下方的压力稳定，从而使晶圆上下两侧的压差稳定，防止因压力不稳定而造成晶圆上下跳动。

可选地，充气泵向晶圆背面和加热盘100的支撑面之间通入气体包括：

腔室内压力上升过程中，当腔室内压力超过100Torr时，打开开关阀420和控制阀410，真空泵抽取晶圆背面的气体；腔室内的压力稳定时，打开充气阀430，充气泵向晶圆的背面通入气体，压力差使晶圆被吸附在加热盘100上。

具体地，将晶圆落在加热盘100上，然后向反应腔室内通气，使得反应腔室内的压力稳定在600Torr，并且在反应腔室内的压力上升过程中超过100Torr时，打开开关阀420，使得真空泵抽走晶圆的下表面的气体，使得晶圆的下表面压力降低到20Torr以下，并且在反应腔室内的压力稳定后，晶圆的上表面压力为600Torr，然后打开充气阀430，通过充气泵向起到内充气，使得晶圆的下表面压力达到550Torr，此时依然能够使晶圆吸附在加热盘100上，然后对晶圆进行工艺沉积。沉积完成后，关闭控制阀410、开关阀420和充气阀430。

可选地，压力控制器440检测晶圆背面的压力，压力控制器440根据检测的压力值控制入气体的流量。实现晶圆背面压力的自动控制。

可选地，薄膜沉淀后，腔体内压力不变，关闭控制阀410、开关阀420和充气阀430，同时打开排气阀470，腔室内的气体进入晶圆背面，稳定后晶圆上下表面压力相同，失去吸附能力。

卸下晶圆后，腔体抽到真空状态，并恢复到关闭状态，然后传出晶圆。传出晶圆后进行清洗工艺。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的范围。

Claims (15)

1.一种晶圆吸附机构，其特征在于，包括：能抽气和充气的调压组件（400）以及真空吸附式加热器；真空吸附式加热器包括具有支撑面的加热盘（100），所述加热盘（100）设有贯穿所述支撑面的通气口，所述支撑面设有多个间隔分布的凸起（110）；

所述加热盘（100）的底部具有能够安装加热件（200）的仓体（101），所述仓体（101）开设有供气体通过的气道（102），且所述气道（102）与所述通气口连通；

所述调压组件（400）通过管路与所述真空吸附式加热器中的气道（102）连通；

所述调压组件（400）包括真空泵、通入惰性气体的充气泵、控制所述真空泵与所述气道（102）通断的开关阀（420）、控制所述充气泵与所述气道（102）通断的充气阀（430）和控制所述气道（102）与腔室通断的排气阀（470）；

所述真空泵和所述充气泵并联接入所述气道（102），所述开关阀（420）设置在所述真空泵与所述气道（102）之间，所述充气阀（430）设置在所述充气泵与所述气道（102）之间，所述气道（102）通过连通管道与腔室连通，所述排气阀（470）设于所述连通管道；

所述充气泵与所述气道（102）之间设置有压力控制器（440）。

2.根据权利要求1所述的晶圆吸附机构，其特征在于，所述开关阀（420）与所述气道（102）之间设置有压力传感器（450）和流量控制器（460）。

3.根据权利要求1所述的晶圆吸附机构，其特征在于，所述晶圆吸附机构包括多个所述真空吸附式加热器，每个所述真空吸附式加热器中的气道（102）均与所述调压组件（400）连通，每个所述加热器与所述调压组件（400）之间设有控制阀（410）。

4.根据权利要求1所述的晶圆吸附机构，其特征在于，所述晶圆吸附机构还包括连接座（300），所述连接座（300）可拆卸的设置在所述加热器的仓体（101）上。

5.根据权利要求1所述的晶圆吸附机构，其特征在于，多个所述凸起（110）均匀分布于所述支撑面。

6.根据权利要求5所述的晶圆吸附机构，其特征在于，所述凸起（110）的直径在1.5-2.5mm之间，高度小于等于0.1mm。

7.根据权利要求6所述的晶圆吸附机构，其特征在于，所述凸起（110）的直径为2mm，高度为0.1mm；

任意相邻的两个所述凸起（110）之间的间距为5mm。

8.根据权利要求1所述的晶圆吸附机构，其特征在于，所述支撑面开设有与所述通气口连通的通气槽。

9.根据权利要求8所述的晶圆吸附机构，其特征在于，所述通气槽包括通气直槽（120）和通气环槽（130）；

多条所述通气直槽（120）以所述加热盘（100）的轴线为中心呈放射布置，多条所述通气环槽（130）的圆心均与所述加热盘（100）的轴线重合，并均与所述通气直槽（120）连通。

10.根据权利要求9所述的晶圆吸附机构，其特征在于，所述通气直槽（120）和所述通气环槽（130）两者的槽宽在0.5-1.0mm之间，槽深小于等于0.5mm。

11.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括机架和权利要求1-10任一项所述的晶圆吸附机构；

所述晶圆吸附机构设置在机架上。

12.一种晶圆处理方法，其特征在于，应用权利要求11所述的晶圆处理设备，包括：

加热盘（100）升温到450-550℃，将晶圆放置在加热盘（100），腔室内压力控制在20-600Torr;

启动真空泵，将晶圆的背面抽至本底负压状态；

充气泵向晶圆背面和加热盘（100）的支撑面之间通入气体，控制吸附压力小于腔室内的压力，压降大于或等于10Torr;

将腔室内的压力和晶圆背面的压力均控制在稳定值，晶圆表面温度稳定后，进行薄膜沉积。

13.根据权利要求12所述的晶圆处理方法，其特征在于，充气泵向晶圆背面和加热盘（100）的支撑面之间通入气体包括：

腔室内压力上升过程中，当腔室内压力超过100Torr时，打开开关阀（420）和控制阀（410），真空泵抽取晶圆背面的气体；腔室内的压力稳定时，打开充气阀（430），充气泵向晶圆的背面通入气体，压力差使晶圆被吸附在加热盘（100）上。

14.根据权利要求13所述的晶圆处理方法，其特征在于，压力控制器（440）检测晶圆背面的压力，压力控制器（440）根据检测的压力值控制入气体的流量。

15.根据权利要求13所述的晶圆处理方法，其特征在于，薄膜沉淀后，腔体内压力不变，关闭控制阀（410）、开关阀（420）和充气阀（430），同时打开排气阀（470），腔室内的气体进入晶圆背面，稳定后晶圆上下表面压力相同，失去吸附能力。

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