CN115213764A - 一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于场效应晶体管制备技术领域，具体的说是一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法；通过设置设备箱、筒体、漏斗板、锥座、分流环板、挡杆、收集筐和打磨环；将冲切出来的引脚倒入漏斗板的内部，引脚被多个分流环板和挡杆阻挡而改变方向，使得引脚滑入导槽的内部，引脚顺着导槽滑入竖孔的内部，引脚向下滑动穿过多个打磨环，打磨环将引脚的外壁进行打磨，去除引脚表面的毛刺，打磨后的引脚落入收集筐的内部，便于工作人员对引脚进行批量打磨工作，降低了工作人员的工作量，提高了引脚的打磨效率。
Description
技术领域
本发明属于场效应晶体管制备技术领域，具体的说是一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法。
背景技术
金属氧化物半导体场效应晶体管是一种广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管，金氧半场效晶体管在结构上以一个金属—氧化物层—半导体的电容为核心，氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。
公开号为CN113649897A的一项中国专利公开了一种电子元器件引脚打磨装置，包括箱体、与所述箱体转动连接的门板、设与所述门板外侧的触摸屏，所述箱体内设有用于放置电子元器件且与所述箱体滑动配合的放置板，所述电子元器件的引脚突出于所述放置板端面设置，所述箱体底部设有第一电机，所述第一电机连接有第一丝杆，所述第一丝杆上设有相对设置的两个传动螺母，两个所述传动螺母朝向所述放置板的一侧均设有安装板，所述安装板朝向放置板的一侧设有用于打磨引脚的打磨轮，另一侧设有带动打磨轮转动的第二电机，所述打磨轮通过第一丝杆与传动螺母传动配合，实现相向或反向位移。该发明具有便于对元器件引脚进行打磨、打磨效率较高、不易出现报废件的优点。
金属氧化物半导体场效应晶体管的引脚由片状金属冲切而成，冲切生产出来的引脚边缘残留毛刺，毛刺影响金属氧化物半导体场效应晶体管的安装工作；上述的引脚打磨装置虽然避免了工作人员逐一的进行打磨工作，但是需要工作人员手动添加摆放引脚，在打磨完成后需要手动取下引脚，极大的增大了工作人员的工作量。
为此，本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法。
发明内容
为了弥补现有技术的不足，解决背景技术中所提出的至少一个技术问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，制备方法包括以下步骤：
A1：在半导体衬底上形成氧化硅介质层，在氧化硅介质层上形成掩膜层；
A2：在掩膜层上进行刻蚀，暴露出部分的氧化硅介质层；
A3：进行氩离子注入，改变暴露的氧化硅介质层的刻蚀速率；
A4：去除掩膜层，通过湿法刻蚀在氧化硅介质层中形成台阶，形成非对称栅介质层；
A5：非对称栅介质层表面形成栅极，并在栅极一侧，且靠近具有较大厚度的栅介质层的衬底内形成漏极，以及在栅极另一侧的衬底内形成源极；
A6：将冲切出来的引脚通过打磨装置进行打磨处理，将打磨完成后的引脚分别与栅极、漏极和源极进行焊接，并进行封装处理。
优选的，A6中所述打磨装置的打磨处理方法包括以下步骤：
B1：将冲切出来的引脚倒入漏斗板的内部，引脚滑到锥座的顶部，被多个分流环板和挡杆阻挡而改变方向，引脚顺着导槽滑入竖孔的内部；
B2：真空泵经过进风孔将竖孔内部的气体吸入收集腔内，使得竖孔产生向下的吸力，吸力拉动引脚向下滑动；
B3：引脚向下滑动穿过多个打磨环，打磨环将引脚的外壁进行打磨，去除引脚表面的毛刺，打磨后的引脚落入收集筐的内部；
B4：真空泵产生的气流将打磨环打磨引脚产生的碎屑吸入收集腔的内部，实现的对碎屑的收集工作。
优选的，所述打磨装置包括设备箱、筒体、漏斗板、锥座、分流环板、挡杆、收集筐和打磨环；所述设备箱的顶面固接有筒体，所述设备箱的顶面中部固接有锥座，所述锥座的外圈贯穿设备箱的顶壁，所述筒体的顶部内壁固接有漏斗板，所述漏斗板的底部内圈套在锥座的顶部外圈，所述锥座的外圈顶面固接有多个分流环板，所述分流环板的外壁与锥座的外壁均固接有多个挡杆，所述分流环板的外壁与锥座的外壁均开设有导槽，所述导槽与挡杆交替分布，所述锥座的外圈开设有多个竖孔，所述竖孔的顶端连通导槽的底端，所述竖孔的内壁镶嵌有多个打磨环，所述设备箱的内部底面滑动安装有收集筐；打磨环的内壁设置有多个凸起；工作时，将冲切出来的引脚倒入漏斗板的内部，引脚滑到锥座的顶部，被多个分流环板阻挡而分成多层，再被挡杆阻挡而改变方向，使得引脚滑入导槽的内部，引脚顺着导槽滑入竖孔的内部，引脚向下滑动穿过多个打磨环，打磨环将引脚的外壁进行打磨，去除引脚表面的毛刺，打磨后的引脚落入收集筐的内部，便于工作人员对引脚进行批量打磨工作，降低了工作人员的工作量，提高了引脚的打磨效率。
优选的，所述锥座的外圈顶面固接有环形挡板，所述环形挡板套在分流环板的外圈，所述环形挡板的顶部内圈套在漏斗板的底部外圈；通过设置的环形挡板对从漏斗板内部落下的引脚进行阻挡，使得落下的引脚均落在分流环板的顶部，从而降低了引脚落到筒体的内部外圈的概率。
优选的，所述锥座的内部顶侧开设有设备腔，所述锥座的内部底侧开设有收集腔，所述设备腔的内部底面固接有真空泵，所述设备腔的顶部外圈开设有多个出风孔，所述出风孔连通设备腔，所述真空泵的进风端管道连通收集腔，所述收集腔的外圈开设有多个进风孔，所述进风孔远离收集腔的一端连通竖孔，且进风孔连通竖孔的一端为倾斜向上；工作时，引脚顺着导槽滑入竖孔的内部后，真空泵将收集腔内部的空气排出，使得收集腔的内部产生负压，经过进风孔将竖孔内部的气体吸入收集腔内，使得竖孔产生向下的吸力，吸力拉动引脚向下滑动，提高了引脚穿过打磨环的速率，降低了引脚发生卡住堵塞的概率，同时，将打磨环打磨引脚产生的碎屑吸入收集腔的内部，实现的对碎屑的收集工作，提高了引脚的清洁程度。
优选的，所述竖孔的底端外圈环绕固接有多个弹性膜片，所述锥座的底面外圈固接有导向套，所述导向套的底部外圈套在收集筐的内圈；通过设置的弹性膜片，降低了竖孔底部的气体被吸入收集腔内部，进一步提高了引脚向下滑动的速率；工作时，引脚穿过弹性膜片落下，经过导向套的阻挡导向，使得引脚准确的落入收集筐的内部。
优选的，所述收集腔的底部栓接有收集盒，所述收集盒的顶面外圈固接有弹性环片，所述弹性环片的外壁与收集腔的内壁滑动配合，所述收集腔的顶部固接有多孔网板，所述多孔网板的底面外圈固接有滤布；通过弹性环片将收集盒与收集腔之间的缝隙进行密封；工作时，打磨碎屑伴随气流进入收集腔的内部，碎屑吸附到滤布的底面，当真空泵停止工作时，碎屑从滤布的底面掉落，碎屑落入收集盒的内部，从而便于工作人员的回收工作。
优选的，所述多孔网板滑动安装有多个滑杆，且滑杆滑动贯穿多孔网板，所述滑杆的顶端固接有圆板，所述滑杆的底端外圈固接有多个球头杆；球头杆为弧形杆的端头固接有圆球；工作时，打磨碎屑伴随气流进入收集腔的内部，碎屑吸附到滤布的底面，气流带动圆板向上移动，带动滑杆向上滑动，使得球头杆的底端脱离滤布；当真空泵停止工作时，滑杆、圆板和球头杆在自身的重力作用下向下滑动，使得球头杆的球头推动滤布撑开，从而提高了碎屑掉率速率。
优选的，所述锥座的顶端转动安装有转杆，且转杆转动贯穿设备腔的顶壁，所述转杆的底端固接有扇叶，所述转杆的顶端外圈固接有多个弧形拨杆；工作时，真空泵将收集腔内部的空气从出风孔排出时，气流经过扇叶时，推动扇叶旋转，带动转杆转动，使得弧形拨杆拨动漏斗板内部的引脚，使得引脚在漏斗板的内部转动，提高了引脚下落的速率。
本发明的有益效果如下：
1.本发明所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，通过设置设备箱、筒体、漏斗板、锥座、分流环板、挡杆、收集筐和打磨环；将冲切出来的引脚倒入漏斗板的内部，引脚被多个分流环板和挡杆阻挡而改变方向，使得引脚滑入导槽的内部，引脚顺着导槽滑入竖孔的内部，引脚向下滑动穿过多个打磨环，打磨环将引脚的外壁进行打磨，去除引脚表面的毛刺，打磨后的引脚落入收集筐的内部，便于工作人员对引脚进行批量打磨工作，降低了工作人员的工作量，提高了引脚的打磨效率。
2.本发明所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，通过设置真空泵；引脚顺着导槽滑入竖孔的内部后，真空泵经过进风孔将竖孔内部的气体吸入收集腔内，使得竖孔产生向下的吸力，吸力拉动引脚向下滑动，提高了引脚穿过打磨环的速率，降低了引脚发生卡住堵塞的概率，同时，将打磨环打磨引脚产生的碎屑吸入收集腔的内部，实现的对碎屑的收集工作，提高了引脚的清洁程度。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1是本发明实施例一的立体图；
图2是本发明实施例一的剖视图；
图3是图2中A处局部放大图；
图4是图2中B处局部放大图；
图5是图2中C处局部放大图；
图6是本发明实施例二的剖视图；
图7是本发明的制备方法流程图；
图8是本发明的打磨处理方法流程图；
图中：1、设备箱；2、筒体；3、漏斗板；4、锥座；5、分流环板；6、挡杆；7、收集筐；8、打磨环；9、导槽；10、竖孔；11、环形挡板；12、设备腔；13、收集腔；14、真空泵；15、出风孔；16、进风孔；17、弹性膜片；18、导向套；19、收集盒；20、弹性环片；21、多孔网板；22、滤布；23、滑杆；24、圆板；25、球头杆；26、转杆；27、扇叶；28、弧形拨杆；29、人字弹杆；30、风板；31、撞珠。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
实施例一
如图7所示，本发明实施例所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，制备方法包括以下步骤：
A1：在半导体衬底上形成氧化硅介质层，在氧化硅介质层上形成掩膜层；
A2：在掩膜层上进行刻蚀，暴露出部分的氧化硅介质层；
A3：进行氩离子注入，改变暴露的氧化硅介质层的刻蚀速率；
A4：去除掩膜层，通过湿法刻蚀在氧化硅介质层中形成台阶，形成非对称栅介质层；
A5：非对称栅介质层表面形成栅极，并在栅极一侧，且靠近具有较大厚度的栅介质层的衬底内形成漏极，以及在栅极另一侧的衬底内形成源极；
A6：将冲切出来的引脚通过打磨装置进行打磨处理，将打磨完成后的引脚分别与栅极、漏极和源极进行焊接，并进行封装处理。
如图8所示，A6中所述打磨装置的打磨处理方法包括以下步骤：
B1：将冲切出来的引脚倒入漏斗板3的内部，引脚滑到锥座4的顶部，被多个分流环板5和挡杆6阻挡而改变方向，引脚顺着导槽9滑入竖孔10的内部；
B2：真空泵14经过进风孔16将竖孔10内部的气体吸入收集腔13内，使得竖孔10产生向下的吸力，吸力拉动引脚向下滑动；
B3：引脚向下滑动穿过多个打磨环8，打磨环8将引脚的外壁进行打磨，去除引脚表面的毛刺，打磨后的引脚落入收集筐7的内部；
B4：真空泵14产生的气流将打磨环8打磨引脚产生的碎屑吸入收集腔13的内部，实现的对碎屑的收集工作。
如图1至图3所示，所述打磨装置包括设备箱1、筒体2、漏斗板3、锥座4、分流环板5、挡杆6、收集筐7和打磨环8；所述设备箱1的顶面固接有筒体2，所述设备箱1的顶面中部固接有锥座4，所述锥座4的外圈贯穿设备箱1的顶壁，所述筒体2的顶部内壁固接有漏斗板3，所述漏斗板3的底部内圈套在锥座4的顶部外圈，所述锥座4的外圈顶面固接有多个分流环板5，所述分流环板5的外壁与锥座4的外壁均固接有多个挡杆6，所述分流环板5的外壁与锥座4的外壁均开设有导槽9，所述导槽9与挡杆6交替分布，所述锥座4的外圈开设有多个竖孔10，所述竖孔10的顶端连通导槽9的底端，所述竖孔10的内壁镶嵌有多个打磨环8，所述设备箱1的内部底面滑动安装有收集筐7；打磨环8的内壁设置有多个凸起；工作时，将冲切出来的引脚倒入漏斗板3的内部，引脚滑到锥座4的顶部，被多个分流环板5阻挡而分成多层，再被挡杆6阻挡而改变方向，使得引脚滑入导槽9的内部，引脚顺着导槽9滑入竖孔10的内部，引脚向下滑动穿过多个打磨环8，打磨环8将引脚的外壁进行打磨，去除引脚表面的毛刺，打磨后的引脚落入收集筐7的内部，便于工作人员对引脚进行批量打磨工作，降低了工作人员的工作量，提高了引脚的打磨效率。
如图2所示，所述锥座4的外圈顶面固接有环形挡板11，所述环形挡板11套在分流环板5的外圈，所述环形挡板11的顶部内圈套在漏斗板3的底部外圈；通过设置的环形挡板11对从漏斗板3内部落下的引脚进行阻挡，使得落下的引脚均落在分流环板5的顶部，从而降低了引脚落到筒体2的内部外圈的概率。
如图2所示，所述锥座4的内部顶侧开设有设备腔12，所述锥座4的内部底侧开设有收集腔13，所述设备腔12的内部底面固接有真空泵14，所述设备腔12的顶部外圈开设有多个出风孔15，所述出风孔15连通设备腔12，所述真空泵14的进风端管道连通收集腔13，所述收集腔13的外圈开设有多个进风孔16，所述进风孔16远离收集腔13的一端连通竖孔10，且进风孔16连通竖孔10的一端为倾斜向上；工作时，引脚顺着导槽9滑入竖孔10的内部后，真空泵14将收集腔13内部的空气排出，使得收集腔13的内部产生负压，经过进风孔16将竖孔10内部的气体吸入收集腔13内，使得竖孔10产生向下的吸力，吸力拉动引脚向下滑动，提高了引脚穿过打磨环8的速率，降低了引脚发生卡住堵塞的概率，同时，将打磨环8打磨引脚产生的碎屑吸入收集腔13的内部，实现的对碎屑的收集工作，提高了引脚的清洁程度。
如图2和图4所示，所述竖孔10的底端外圈环绕固接有多个弹性膜片17，所述锥座4的底面外圈固接有导向套18，所述导向套18的底部外圈套在收集筐7的内圈；通过设置的弹性膜片17，降低了竖孔10底部的气体被吸入收集腔13内部，进一步提高了引脚向下滑动的速率；工作时，引脚穿过弹性膜片17落下，经过导向套18的阻挡导向，使得引脚准确的落入收集筐7的内部。
如图2和图5所示，所述收集腔13的底部栓接有收集盒19，所述收集盒19的顶面外圈固接有弹性环片20，所述弹性环片20的外壁与收集腔13的内壁滑动配合，所述收集腔13的顶部固接有多孔网板21，所述多孔网板21的底面外圈固接有滤布22；通过弹性环片20将收集盒19与收集腔13之间的缝隙进行密封；工作时，打磨碎屑伴随气流进入收集腔13的内部，碎屑吸附到滤布22的底面，当真空泵14停止工作时，碎屑从滤布22的底面掉落，碎屑落入收集盒19的内部，从而便于工作人员的回收工作。
如图5所示，所述多孔网板21滑动安装有多个滑杆23，且滑杆23滑动贯穿多孔网板21，所述滑杆23的顶端固接有圆板24，所述滑杆23的底端外圈固接有多个球头杆25；球头杆25为弧形杆的端头固接有圆球；工作时，打磨碎屑伴随气流进入收集腔13的内部，碎屑吸附到滤布22的底面，气流带动圆板24向上移动，带动滑杆23向上滑动，使得球头杆25的底端脱离滤布22；当真空泵14停止工作时，滑杆23、圆板24和球头杆25在自身的重力作用下向下滑动，使得球头杆25的球头推动滤布22撑开，从而提高了碎屑掉率速率。
如图2所示，所述锥座4的顶端转动安装有转杆26，且转杆26转动贯穿设备腔12的顶壁，所述转杆26的底端固接有扇叶27，所述转杆26的顶端外圈固接有多个弧形拨杆28；工作时，真空泵14将收集腔13内部的空气从出风孔15排出时，气流经过扇叶27时，推动扇叶27旋转，带动转杆26转动，使得弧形拨杆28拨动漏斗板3内部的引脚，使得引脚在漏斗板3的内部转动，提高了引脚下落的速率。
实施例二
如图6所示，对比实施例一，其中本发明的另一种实施方式为：所述筒体2的外壁开设有多个通孔，所述筒体2的内壁固接有多个人字弹杆29，所述人字弹杆29的两端分别靠近漏斗板3的底部与环形挡板11的顶部，所述人字弹杆29的靠近筒体2的内壁的一端固接有多个风板30，所述人字弹杆29的两端均固接有撞珠31；工作时，真空泵14将收集腔13内部的空气从出风孔15排出时，气流经过落下的引脚时，吹动引脚向外圈移动，提高了引脚进入导槽9的均匀性；同时，气流从筒体2的通孔排出时，气流吹动风板30抖动，使得人字弹杆29抖动，使得撞珠31撞击漏斗板3的底部与环形挡板11的顶部，从而提高了引脚下落的速率。
工作时：在半导体衬底上形成氧化硅介质层，在氧化硅介质层上形成掩膜层；在掩膜层上进行刻蚀，暴露出部分的氧化硅介质层；进行氩离子注入，改变暴露的氧化硅介质层的刻蚀速率；去除掩膜层，通过湿法刻蚀在氧化硅介质层中形成台阶，形成非对称栅介质层；非对称栅介质层表面形成栅极，并在栅极一侧，且靠近具有较大厚度的栅介质层的衬底内形成漏极，以及在栅极另一侧的衬底内形成源极；
将冲切出来的引脚倒入漏斗板3的内部，引脚滑到锥座4的顶部，被多个分流环板5阻挡而分成多层，再被挡杆6阻挡而改变方向，使得引脚滑入导槽9的内部，引脚顺着导槽9滑入竖孔10的内部；真空泵14将收集腔13内部的空气排出，使得收集腔13的内部产生负压，经过进风孔16将竖孔10内部的气体吸入收集腔13内，使得竖孔10产生向下的吸力，吸力拉动引脚向下滑动；引脚向下滑动穿过多个打磨环8，打磨环8将引脚的外壁进行打磨，去除引脚表面的毛刺，打磨后的引脚落入收集筐7的内部；
同时，将打磨环8打磨引脚产生的碎屑吸入收集腔13的内部，碎屑吸附到滤布22的底面；此时，气流带动圆板24向上移动，带动滑杆23向上滑动，使得球头杆25的底端脱离滤布22；气流经过扇叶27时，推动扇叶27旋转，带动转杆26转动，使得弧形拨杆28拨动漏斗板3内部的引脚，使得引脚在漏斗板3的内部转动，提高了引脚下落的速率；
当打磨完成后，关闭真空泵14，滑杆23、圆板24和球头杆25在自身的重力作用下向下滑动，使得球头杆25的球头推动滤布22撑开，碎屑从滤布22的底面掉落，碎屑落入收集盒19的内部，便于工作人员的回收工作；工作人员打开设备箱1，取出收集筐7，将打磨完成的引脚取出，将打磨完成后的引脚分别与栅极、漏极和源极进行焊接，并进行封装处理。
上述前、后、左、右、上、下均以说明书附图中的图1为基准，按照人物观察视角为标准，装置面对观察者的一面定义为前，观察者左侧定义为左，依次类推。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (10)
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于：制备方法包括以下步骤：
A1：在半导体衬底上形成氧化硅介质层，在氧化硅介质层上形成掩膜层；
A2：在掩膜层上进行刻蚀，暴露出部分的氧化硅介质层；
A3：进行氩离子注入，改变暴露的氧化硅介质层的刻蚀速率；
A4：去除掩膜层，通过湿法刻蚀在氧化硅介质层中形成台阶，形成非对称栅介质层；
A5：非对称栅介质层表面形成栅极，并在栅极一侧，且靠近具有较大厚度的栅介质层的衬底内形成漏极，以及在栅极另一侧的衬底内形成源极；
A6：将冲切出来的引脚通过打磨装置进行打磨处理，将打磨完成后的引脚分别与栅极、漏极和源极进行焊接，并进行封装处理。
2.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于：A6中所述打磨装置的打磨处理方法包括以下步骤：
B1：将冲切出来的引脚倒入漏斗板(3)的内部，引脚滑到锥座(4)的顶部，被多个分流环板(5)和挡杆(6)阻挡而改变方向，引脚顺着导槽(9)滑入竖孔(10)的内部；
B2：真空泵(14)经过进风孔(16)将竖孔(10)内部的气体吸入收集腔(13)内，使得竖孔(10)产生向下的吸力，吸力拉动引脚向下滑动；
B3：引脚向下滑动穿过多个打磨环(8)，打磨环(8)将引脚的外壁进行打磨，去除引脚表面的毛刺，打磨后的引脚落入收集筐(8)的内部；
B4：真空泵(14)产生的气流将打磨环(8)打磨引脚产生的碎屑吸入收集腔(13)的内部，实现的对碎屑的收集工作。
3.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述打磨装置包括设备箱(1)、筒体(2)、漏斗板(3)、锥座(4)、分流环板(5)、挡杆(6)、收集筐(7)和打磨环(8)；所述设备箱(1)的顶面固接有筒体(2)，所述设备箱(1)的顶面中部固接有锥座(4)，所述锥座(4)的外圈贯穿设备箱(1)的顶壁，所述筒体(2)的顶部内壁固接有漏斗板(3)，所述漏斗板(3)的底部内圈套在锥座(4)的顶部外圈，所述锥座(4)的外圈顶面固接有多个分流环板(5)，所述分流环板(5)的外壁与锥座(4)的外壁均固接有多个挡杆(6)，所述分流环板(5)的外壁与锥座(4)的外壁均开设有导槽(9)，所述导槽(9)与挡杆(6)交替分布，所述锥座(4)的外圈开设有多个竖孔(10)，所述竖孔(10)的顶端连通导槽(9)的底端，所述竖孔(10)的内壁镶嵌有多个打磨环(8)，所述设备箱(1)的内部底面滑动安装有收集筐(7)。
4.根据权利要求3所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述锥座(4)的外圈顶面固接有环形挡板(11)，所述环形挡板(11)套在分流环板(5)的外圈，所述环形挡板(11)的顶部内圈套在漏斗板(3)的底部外圈。
5.根据权利要求3所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述锥座(4)的内部顶侧开设有设备腔(12)，所述锥座(4)的内部底侧开设有收集腔(13)，所述设备腔(12)的内部底面固接有真空泵(14)，所述设备腔(12)的顶部外圈开设有多个出风孔(15)，所述出风孔(15)连通设备腔(12)，所述真空泵(14)的进风端管道连通收集腔(13)，所述收集腔(13)的外圈开设有多个进风孔(16)，所述进风孔(16)远离收集腔(13)的一端连通竖孔(10)，且进风孔(16)连通竖孔(10)的一端为倾斜向上。
6.根据权利要求5所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述竖孔(10)的底端外圈环绕固接有多个弹性膜片(17)，所述锥座(4)的底面外圈固接有导向套(18)，所述导向套(18)的底部外圈套在收集筐(7)的内圈。
7.根据权利要求5所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述收集腔(13)的底部栓接有收集盒(19)，所述收集盒(19)的顶面外圈固接有弹性环片(20)，所述弹性环片(20)的外壁与收集腔(13)的内壁滑动配合，所述收集腔(13)的顶部固接有多孔网板(21)，所述多孔网板(21)的底面外圈固接有滤布(22)。
8.根据权利要求7所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述多孔网板(21)滑动安装有多个滑杆(23)，且滑杆(23)滑动贯穿多孔网板(21)，所述滑杆(23)的顶端固接有圆板(24)，所述滑杆(23)的底端外圈固接有多个球头杆(25)。
9.根据权利要求5所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述锥座(4)的顶端转动安装有转杆(26)，且转杆(26)转动贯穿设备腔(12)的顶壁，所述转杆(26)的底端固接有扇叶(27)，所述转杆(26)的顶端外圈固接有多个弧形拨杆(28)。
10.根据权利要求5所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述筒体(2)的外壁开设有多个通孔，所述筒体(2)的内壁固接有多个人字弹杆(29)，所述人字弹杆(29)的两端分别靠近漏斗板(3)的底部与环形挡板(11)的顶部，所述人字弹杆(29)的靠近筒体(2)的内壁的一端固接有多个风板(30)，所述人字弹杆(29)的两端均固接有撞珠(31)。
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