CN115207230A - 发光元件 - Google Patents

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贾允硕
文智永
李海明
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Abstract

公开一种发光元件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及中间层，夹设于所述第一电极与所述第二电极之间且包括发光层，其中，所述第一电极具有‑5.5eV至‑6.1eV的功函数值，所述中间层包括掺杂有非铅系钙钛矿化合物的层。

Description

发光元件
技术领域
本发明涉及一种发光元件以及包括该发光元件的电子装置。
背景技术
发光元件(light emitting device)作为自发光型元件，相比现有的元件，不仅视角广、对比度优异，而且响应时间快，辉度特性、驱动电压特性以及响应速度特性优异。
所述发光元件可以具有如下结构：在基板上部布置有第一电极，在所述第一电极上部依次形成有空穴传输区域(hole transport region)、发光层、电子传输区域(electron transport region)以及第二电极。从所述第一电极注入的空穴经由空穴传输区域移动到发光层，从第二电极注入的电子经由电子传输区域移动到发光层。诸如所述空穴和电子之类的载流子在发光层区域再结合而生成光。
发明内容
本发明的目的在于提供一种通过包括掺杂有非铅系钙钛矿化合物的层而使效率以及寿命得到提高的发光元件等。
根据一侧面，提供一种发光元件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及中间层，夹设于所述第一电极与所述第二电极之间且包括发光层，其中，所述第一电极具有-5.5eV至-6.1eV的功函数值，所述中间层包括掺杂有非铅系钙钛矿化合物的层。
根据另一侧面，提供一种包括所述发光元件的电子装置。
根据一实现例的发光元件通过包括掺杂有非铅系钙钛矿化合物的层而显示出效率和寿命得到提高的结果。
附图说明
图1是示意性地示出根据一实现例的发光元件的结构的图。
图2是根据本发明的一实现例的发光装置的剖面图。
图3是根据本发明的另一实现例的发光装置的剖面图。
【附图标记的说明】
10：发光元件
110：第一电极
130：中间层
150：第二电极
具体实施方式
根据一侧面的发光元件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及中间层，夹设于所述第一电极与所述第二电极之间且包括发光层，其中，所述第一电极具有-5.5eV至-6.1eV的功函数值，所述中间层包括掺杂有非铅系钙钛矿化合物的层。
根据一实现例，所述第一电极可以是阳极，所述第二电极可以是阴极，所述发光元件还可以包括：空穴传输区域，布置在所述第一电极与所述发光层之间，并且包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或者其任意组合。
根据一实现例，所述第一电极可以是阳极，所述第二电极可以是阴极，所述发光元件还可以包括：电子传输区域，布置在所述第二电极与所述发光层之间，并且包括空穴阻挡层，电子传输层、电子注入层或者其任意组合。
根据一实现例，所述非铅系钙钛矿化合物的价带(valence band)的能级可以是-5.5eV至-6.3eV。所述非铅系钙钛矿化合物的价带(valence band)的能级具有上述范围的值，从而可以使来自具有-5.5eV至-6.1eV的功函数值的第一电极的电荷流入变得顺利。例如，所述第一电极可以是阳极。例如，所述电荷可以是空穴。
根据一实现例，所述非铅系钙钛矿化合物的介电常数可以是30F/m以上。例如，所述非铅系钙钛矿化合物的介电常数可以为30F/m至40F/m。具有高介电常数的所述非铅系钙钛矿化合物具有铁电特性。因此，在电场(electric field)下会向掺杂有非铅系钙钛矿化合物的所述层以及其周边层发生能带弯曲(band-bending)。作为其结果，会在层间形成足够薄的能垒，电荷的隧穿(tunneling)增加，从而能够实现有效的电荷移动。这有助于提高元件稳定性和效率。此外，非铅系钙钛矿化合物与以往的有机物相比相对低廉。
作为一实现例，所述空穴传输区域可以包括掺杂有非铅系钙钛矿化合物的所述层。例如，所述空穴注入层和/或空穴传输层可以包括掺杂有非铅系钙钛矿化合物的所述层。例如，掺杂有非铅系钙钛矿化合物的所述层可以为一个单一层或两个以上的多层。
例如，所述第一电极和掺杂有非铅系钙钛矿化合物的所述层可以物理地接触(physically contact)。所述非铅系钙钛矿化合物的价带(valence band)的能级为-5.5eV至-6.3eV，第一电极的功函数值为-5.5eV至-6.1eV，从而形成低能垒，因此电荷的累积(accumulation)少，从而可以最小化在界面处的劣化。
并且，与以往的有机物相比，非铅系钙钛矿化合物相对不受氧、水分的影响，因此大气保管稳定性优异，并且可以进行热沉积。
根据一实现例，所述第一电极可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或其任意组合。例如，所述第一电极可以是氧化铟锡(ITO)，所述非铅系钙钛矿化合物可以是具有30F/m至40F/m的介电常数的化合物。
根据一实现例，所述非铅系钙钛矿化合物可以由以下化学式1表示。
<化学式1>
AaZ
在所述化学式1中，A是碱金属的阳离子，Z是阴离子，a表示1、2或者3的整数。
非铅系钙钛矿化合物整体上为中性，因此阳离子的总电荷与阴离子电荷之和为0。
根据一实现例，所述a可以是3，Z可以是B2X5 -3；所述a可以是2，Z可以是BX3 -2；或者所述a可以是1，Z可以是B2X3 -1，
所述B可以是Cu、Ag或者其任意组合，X可以是F、Cl、Br、I或者其任意组合。
根据一实现例，所述a可以是3，Z可以是BX5 -3；所述a可以是2，Z可以是BX4 -2；或者所述a可以是1，Z可以是B2X5 -1。
所述B可以是Mn、Tl、Zn、Ni、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或者其任意组合，X可以是F、Cl、Br、I或者其任意组合。
根据一实现例，所述a可以是3，Z可以是BX6 -3；或者所述a可以是2，Z可以是BX5 -2。
所述B可以是In、Sb、Bi、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或者其任意组合，X可以是F、Cl、Br、I或者其任意组合。
根据一实现例，所述碱金属可以是Li、Na、K、Rb、Cs、Fr或者其任意组合。
根据一实现例，所述第一电极可以是阳极，所述第二电极可以是阴极，所述中间层可以包括空穴注入层以及空穴传输层，
所述空穴注入层可以包括掺杂有所述非铅系钙钛矿化合物的所述层，
所述空穴注入层以及所述空穴传输层可以包括相同的化合物。
假设所述相同的化合物为Y，则例如，根据本发明的一实现例的发光元件可以包括第一电极/空穴注入层(Y+掺杂有非铅系钙钛矿化合物)/空穴传输层(Y)的结构。
根据一实现例，掺杂有非铅系钙钛矿化合物的所述层的厚度可以是
Figure BDA0003407535550000041
至
Figure BDA0003407535550000042
例如，掺杂有非铅系钙钛矿化合物的所述层的厚度可以为
Figure BDA0003407535550000043
至
Figure BDA0003407535550000044
例如，掺杂有非铅系钙钛矿化合物的所述层的厚度可以为
Figure BDA0003407535550000045
至
Figure BDA0003407535550000046
在掺杂有非铅系钙钛矿化合物的所述层的厚度属于上述范围的情形下，电荷的注入性能可能是最佳的。
根据一实现例，在掺杂有非铅系钙钛矿化合物的所述层中，非铅系钙钛矿化合物的掺杂浓度可以为1％至99％(重量)。例如，所述掺杂浓度可以为1％至40％(重量)。例如，所述掺杂浓度可以是1％至10％(重量)。在掺杂浓度属于上述范围的情形下，电荷的注入性能可以是最佳的。
所述非铅系钙钛矿化合物可以使用LiF、NaF、KF、RbF、CsF、BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、YbF2、YbF3、SmF2、SmF3、EuF2、EuF3、TmF2、TmF3、CuF、TlF、AgF、CdF2、HgF2、SnF2、BiF3、ZnF2、MnF2、FeF2、GeF2、CoF2、NiF2、AlF3、ThF4、UF3、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、BeCl2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2,YbCl2、YbCl3、SmCl2、SmCl3、EuCl2、EuCl3、TmCl2、TmCl3、CuCl、TlCl、AgCl、CdCl2、HgCl2、SnCl2、BiCl3、ZnCl2、MnCl2、FeCl2、GeCl2、CoCl2、NiCl2、AlCl3、ThCl4、UCl3、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、BeBr2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、YbBr2、YbBr3、SmBr2、SmBr3、EuBr2、EuBr3、TmBr2、TmBr3、CuBr、TlBr、AgBr、CdBr2、HgBr2、SnBr2、BiBr3、ZnBr2、MnBr2、FeBr2、GeBr2、CoBr2、NiBr2、AlBr3、ThBr4、UBr3、LiI、NaI、KI、RbI、CsI、BeI2、MgI2、CaI2、SrI2、BaI2、YbI2、YbI3、SmI2、SmI3、EuI2、EuI3、TmI2、TmI3、CuI、TlI、AgI、CdI2、HgI2、SnI2、BiI3、ZnI2、MnI2、FeI2、GeI2、CoI2、NiI2、AlI3、ThI4、UI3或者其任意组合而制造。由于非铅系钙钛矿化合物的制造方法是公知的，因此省略具体的内容。
根据另一侧面的电子装置包括所述发光元件。
根据一实现例，所述电子装置还可以包括薄膜晶体管，
所述薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，
所述发光元件的第一电极可以与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极中的至少一个电连接。
根据一实现例，所述电子装置还可以包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏光层或者其任意组合。
在本说明书中，“中间层”是指在所述发光元件中布置于第一电极与第二电极之间的单一层和/或多个层中的所有层的术语。
[关于图1的说明]
图1示意性地示出了根据本发明的一实现例的发光元件10的剖面图。所述发光元件10包括第一电极110、中间层130以及第二电极150。
以下，参照图1说明根据本发明的一实现例的发光元件10的结构和制造方法则如下。
[第一电极110]
在图1的第一电极110的下部或者第二电极150的上部可以额外布置有基板。可以使用玻璃基板或者塑料基板作为所述基板。或者，所述基板可以是柔性基板，例如，可以包括诸如聚酰亚胺(polyimide)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：polyethyleneterephthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphtalate)、聚芳酯(PAR：polyarylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)或者其任意组合等具有优异的耐热性和耐久性的塑料。
所述第一电极110例如可以通过在所述基板上部利用沉积法或者溅射法等提供第一电极用物质而形成。在所述第一电极110为阳极的情形下，可以利用易于注入空穴的高功函数的物质作为第一电极用物质。
所述第一电极110可以是反射型电极、半透射型电极或者透射型电极。为了形成作为透射型电极的第一电极110，可以利用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或者其任意组合作为第一电极用物质。
所述第一电极110可以具有由单一层构成(consist of)的单层结构或者具有包括多个层的多层结构。例如，所述第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
[中间层130]
在所述第一电极110上部布置有中间层130。所述中间层130包括发光层。
所述中间层130还可以包括：空穴传输区域(hole transport region)，布置在所述第一电极110与所述发光层之间；以及电子传输区域(electron transport region)，布置在所述发光层与所述第二电极150之间。
除了各种有机物以外，所述中间层130还可以包括诸如有机金属化合物等的含金属化合物、诸如量子点等的无机物等。
此外，所述中间层130可以包括：i)依次层叠在所述第一电极110与所述第二电极150之间的两个以上的发光层；以及ii)布置在所述两个发光层之间的电荷生成层(chargegeneration layer)。在所述中间层130包括如上所述的发光层以及电荷生成层的情形下，所述发光元件10可以是串式(tandem)发光元件。
[中间层130中的空穴传输区域]
所述空穴传输区域可以具有：i)单层结构，由利用单一物质构成(consist of)的单一层构成(consist of)；ii)单层结构，由包括多个彼此不同的物质的单一层构成(consist of)；或者iii)多层结构，包括包含多个彼此不同的物质的多个层。
所述空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层或者其任意组合。
例如，所述空穴传输区域可以具有从第一电极110依次层叠的空穴注入层/空穴传输层、空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层、空穴注入层/发光辅助层、空穴传输层/发光辅助层或者空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的多层结构。
所述空穴传输区域可以包括由下述化学式201表示的化合物、由下述化学式202表示的化合物或者其任意组合(any combination thereof)。
<化学式201>
Figure BDA0003407535550000071
<化学式202>
Figure BDA0003407535550000072
在所述化学式201以及化学式202中，
L201至L204可以彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
L205为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C20亚烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C20亚烯基、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
xa1至xa4彼此独立地为0至5的整数中的一个，
xa5是1至10的整数中的一个，
R201至R204以及Q201彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
R201和R202可以选择性地(optionally)通过单键、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C5亚烷基或者被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C5亚烯基而彼此连接，从而形成被至少一个R10a取代或未被取代的C8-C60多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，参照下述化合物HT16等)，
R203和R204可以选择性地(optionally)通过单键、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C5亚烷基或者被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C5亚烯基彼此连接，从而形成被至少一个R10a取代或未被取代的C8-C60多环基团，na1可以是1至4的整数中的一个。
例如，所述化学式201和所述化学式202中的每一个可以包括由下述化学式CY201至化学式CY217表示的组中的至少一个。
Figure BDA0003407535550000081
在所述化学式CY201至化学式CY217中，关于R10b以及R10c的说明分别参照本说明书中关于R10a的说明，环CY201至环CY204彼此独立地为C3-C20碳环基团或者C1-C20杂环基团，所述化学式CY201至化学式CY217中的至少一个氢可以被如本说明书中记载的R10a取代或未被取代。
根据一实现例，所述化学式CY201至化学式CY217中的环CY201至环CY204可以彼此独立地为苯基团、萘基团、菲基团或者蒽基团。
根据另一实现例，所述化学式201和所述化学式202中的每一个可以包括由所述化学式CY201至化学式CY203表示的基团中的至少一个。
根据又一实现例，所述化学式201可以分别包括由所述化学式CY201至化学式CY203表示的基团中的至少一个以及由所述化学式CY204至化学式CY217表示的基团中的至少一个。
根据又一实现例，所述化学式201中的xa1可以是1，R201可以是由所述化学式CY201至化学式CY203中的一个表示的基团，xa2可以是0，R202可以是由所述化学式CY204至化学式CY207中的一个表示的基团。
根据又一实现例，所述化学式201和所述化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式CY201至化学式CY203表示的基团。
根据又一实现例，所述化学式201和所述化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式CY201至化学式CY203表示的基团，并且可以包括由所述化学式CY204至化学式CY217表示的基团中的至少一个。
作为又一例，所述化学式201和所述化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式CY201至化学式CY217表示的基团。
例如，所述空穴传输区域可以包括下述化合物HT1至化合物HT46中的一个、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD(Spiro-TPD)、螺-NPB(Spiro-NPB)、被甲基化的-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA：4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA：Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS：Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate))、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA：Polyaniline/Camphor sulfonic acid)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS：Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate))或者其任意组合。
Figure BDA0003407535550000091
Figure BDA0003407535550000101
Figure BDA0003407535550000111
Figure BDA0003407535550000121
Figure BDA0003407535550000131
所述空穴传输区域的厚度可以是大约
Figure BDA0003407535550000132
至大约
Figure BDA0003407535550000133
例如，可以为大约
Figure BDA0003407535550000134
至大约
Figure BDA0003407535550000135
如果所述空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层或者其任意组合，则所述空穴注入层的厚度可以为大约
Figure BDA0003407535550000136
至大约
Figure BDA0003407535550000137
例如，为大约
Figure BDA0003407535550000138
至大约
Figure BDA0003407535550000139
所述空穴传输层的厚度可以为大约
Figure BDA00034075355500001310
至大约
Figure BDA00034075355500001311
例如，大约
Figure BDA00034075355500001312
至大约
Figure BDA00034075355500001313
在所述空穴传输区域、空穴注入层以及空穴传输层的厚度满足如前所述的范围的情形下，可以在不使驱动电压实质性地上升的情况下得到令人满意的程度的空穴传输特性。
所述发光辅助层是起到补偿根据从发光层发出的光的波长的光学共振距离而增加光发出效率的作用的层，所述电子阻挡层是起到防止电子从发光层泄漏(leakage)到空穴传输区域的作用的层。上述的可以包括于空穴传输区域的物质可以包括于发光辅助层和电子阻挡层。
例如，所述空穴注入层和/或空穴传输层可以包括掺杂有非铅系钙钛矿化合物的所述层。例如，掺杂有非铅系钙钛矿化合物的所述层可以为空穴注入层。
[中间层130中的发光层]
在所述发光元件10为全彩色发光元件的情形下，发光层可以按照独立的子像素被图案化为红色发光层、绿色发光层和/或蓝色发光层。或者，所述发光层可以具有红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层中的两个以上的层接触或者相隔而堆叠的结构，或者具有红色发光物质、绿色发光物质以及蓝色发光物质中的两种以上的物质不区分层而混合的结构，从而发出白色光。
所述发光层可以包括主体和掺杂剂。所述掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或者其任意组合。
相对于100重量份的主体，所述发光层中掺杂剂的含量可以为大约0.01重量份至大约15重量份。
或者，所述发光层可以包括量子点。
此外，所述发光层可以包括延迟荧光物质。所述延迟荧光物质可以起到发光层中的主体或掺杂剂的作用。
所述发光层的厚度可以是大约
Figure BDA0003407535550000141
至大约
Figure BDA0003407535550000142
例如，可以为大约
Figure BDA0003407535550000143
至大约
Figure BDA0003407535550000144
在所述发光层的厚度满足如前所述的范围的情形下，可以在不使驱动电压实质性地上升的情况下表现出优秀的发光特性。
[主体]
所述主体可以包括由下述化学式301表示的化合物。
<化学式301>
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21
在所述化学式301中，
Ar301以及L301彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
xb11为1、2或者3，
xb1为0至5的整数中的一个，
R301为氢、重氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60烯基、被至少一个R10a取代或未被取代的C2-C60炔基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60烷氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(＝O)(Q301)、-S(＝O)2(Q301)或者-P(＝O)(Q301)(Q302)，
xb21为1至5的整数中的一个，
对Q301至Q303的说明分别参照本说明书中针对Q11的说明。
例如，在所述化学式301中xb11为2以上的情形下，两个以上的Ar301可以通过单键而彼此连接。
作为另一例，所述主体可以包括由下述化学式301-1表示的化合物、由下述化学式301-2表示的化合物或者其任意组合。
<化学式301-1>
Figure BDA0003407535550000151
<化学式301-2>
Figure BDA0003407535550000152
在所述化学式301-1至化学式301-2中，
环A301至环A304彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
X301为O、S、N-[(L304)xb4-R304]、C(R304)(R305)或者Si(R304)(R305)，
xb22以及xb23彼此独立地为0、1或者2，
针对L301、xb1以及R301的说明分别参照本说明书的记载，
针对L302至L304的说明彼此独立地参照针对所述L301的说明，
针对xb2至xb4的说明彼此独立地参照针对所述xb1的说明，
针对R302至R305以及R311至R314的说明分别参照针对所述R301的说明。
作为又一例，所述主体可以包括碱土金属配合物、后过渡金属配合物或者其任意组合。例如，所述主体可以包括Be配合物(例如，下述化合物H55)、Mg配合物、Zn配合物或者其任意组合。
作为又一例，所述主体可以包括下述化合物H1至化合物H124中的一个、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN：9,10-Di(2-naphthyl)anthracene)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN：2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN：9,10-di-(2-naphthyl)-2-t-butyl-anthracene)、4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯(CBP：4,4′-bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP：1,3-di-9-carbazolylbenzene)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP：1,3,5-tri(carbazol-9-yl)benzene)或者其任意组合。
Figure BDA0003407535550000161
Figure BDA0003407535550000171
Figure BDA0003407535550000181
Figure BDA0003407535550000191
Figure BDA0003407535550000201
Figure BDA0003407535550000211
Figure BDA0003407535550000221
[磷光掺杂剂]
所述磷光掺杂剂可以包括至少一种过渡金属作为中心金属。
所述磷光掺杂剂可以包括单齿(monodentate)配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
所述磷光掺杂剂可以是电中性(neutral)的。
例如，所述磷光掺杂剂可以包括由下述化学式401表示的有机金属化合物。
<化学式401>
M(L401)xc1(L402)xc2
<化学式402>
Figure BDA0003407535550000222
在所述化学式401和化学式402中，
M为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或者铥(Tm))，
L401为由所述化学式402表示的配体，xc1为1、2或3，在xc1为2以上的情形下，两个以上的L401彼此相同或者相异，
L402为有机配体，xc2为0、1、2、3或4，在xc2为2以上的情形下，两个以上的L402彼此相同或者相异，
X401以及X402彼此独立地为氮或碳，
环A401和环A402彼此独立地为C3-C60碳环基团或者C1-C60杂环基团，
T401为单键、-O-、-S-、-C(＝O)-、-N(Q411)-、-C(Q411)(Q412)-、-C(Q411)＝C(Q412)-、-C(Q411)＝或者＝C＝，
X403和X404彼此独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q413)、B(Q413)、P(Q413)、C(Q413)(Q414)或者Si(Q413)(Q414)，
对所述Q411至Q414的说明分别参照本说明书中关于Q11的说明，
R401和R402彼此独立地为氢、重氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C20烷基、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C20烷氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团、-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)或者-P(＝O)(Q401)(Q402)，
对所述Q401至Q403的说明分别参照本说明书中关于Q11的说明，
xc11和xc12彼此独立地为0至10的整数中的一个，
所述化学式402中的*和*'分别为与所述化学式401中的M的结合位。
例如，在所述化学式402中，i)X401可以为氮，X402可以为碳，或者ii)X401和X402可以均为氮。
作为另一例，在所述化学式402中，在xc1为2以上的情形下，两个以上的L401中的两个环A401可以选择性地(optionally)通过作为连接基的T402彼此连接，或者两个环A401可以选择性地通过作为连接基的T403彼此连接(参照下述化合物PD1至化合物PD4以及化合物PD7)。对所述T402以及T403的说明分别参照本说明书中对T401的说明。
在所述化学式401中，L402可以为任意的有机配体。例如，所述L402可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN基团、磷基团(例如，磷化氢(phosphine)基团、亚磷酸酯(phosphite)基团等)或者其任意组合。
所述磷光掺杂剂例如可以包括下述化合物PD1至化合物PD25中的一个，或者其任意组合。
Figure BDA0003407535550000241
[荧光掺杂剂]
所述荧光掺杂剂可以包括含胺基团化合物、含苯乙烯基团化合物或者其任意组合。
例如，所述荧光掺杂剂可以包括由下述化学式501表示的化合物。
<化学式501>
Figure BDA0003407535550000251
在所述化学式501中，
Ar501、L501至L503、R501以及R502彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
xd1至xd3彼此独立地为0、1、2或者3，
xd4可以为1、2、3、4、5或者6。
例如，在所述化学式501中，Ar501可以包括三个以上的单环基团彼此缩合的缩合环基团(例如，蒽基团、
Figure BDA0003407535550000253
基团、芘基团等)。
作为另一例，所述化学式501中的xd4可以为2。
例如，所述荧光掺杂剂可以包括下述化合物FD1至化合物FD36中的一个、DPVBi、DPAVBi或者其任意组合。
Figure BDA0003407535550000252
Figure BDA0003407535550000261
Figure BDA0003407535550000271
[延迟荧光物质]
所述发光层可以包括延迟荧光物质。
在本说明书中，延迟荧光物质可以选自可以通过延迟荧光发出原理发出延迟荧光的任意的化合物中。
包括于所述发光层的延迟荧光物质可以根据包括于所述发光层的其他物质的种类而起到主体或掺杂剂的作用。
根据一实现例，所述延迟荧光物质的三重态能级(eV)与所述延迟荧光物质的单重态能级(eV)之间的差异可以为0eV以上且0.5eV以下。所述延迟荧光物质的三重态能级(eV)与所述延迟荧光物质的单重态能级(eV)之间的差异满足如上所述的范围，据此可以有效地实现所述延迟荧光物质中从三重态状态到单重态状态的反向能量转移(up-conversion)，从而可以提高所述发光元件10的发光效率等。
例如，所述延迟荧光物质可以包括：i)包括至少一个电子给体(例如，诸如咔唑基团之类的富π电子的C3-C60环基团(πelectron-rich C3-C60 cyclic group)等)以及至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基团、贫π电子的含氮C1-C60环基团(πelectron-deficientnitrogen-containing C1-C60 cyclic group)等)的物质；ii)包括包含共用硼(B)而缩合的两个以上的环基团的C8-C60多环基团的物质等。
所述延迟荧光物质的示例可以包括下述化合物DF1至化合物DF9中的至少一个。
Figure BDA0003407535550000291
[量子点]
所述发光层可以包括量子点。
在本说明书中，量子点表示半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸而能够发出多种发光波长的光的任意的物质。
例如，所述量子点的直径可以为大约1nm至10nm。
所述量子点可以通过湿法化学工艺、有机金属化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或者与此类似的工艺等而合成。
所述湿法化学工艺是在混合有机溶剂和前体物质之后使量子点颗粒晶体生长的方法。在所述晶体生长时，有机溶剂起到自然地配位于量子点晶体表面的分散剂的作用，并且调节所述晶体的生长，因此，相比有机金属化学气相沉积(MOCVD，Metal OrganicChemical Vapor Deposition)或者分子束外延(MBE，Molecular Beam Epitaxy)等气相沉积法更加容易，并且可以通过低成本的工艺控制量子点颗粒的生长。
所述量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物、或者其任意组合。
所述II-VI族半导体化合物的示例可以包括以下化合物或者其任意组合：二元化合物，诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS等；三元化合物，诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS等；四元化合物，诸如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe等。
所述III-V族半导体化合物的示例可以包括以下化合物或者其任意组合：二元化合物，诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb等；三元化合物，诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb等；四元化合物，诸如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlNP、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb等。另外，所述III-V族半导体化合物可以进一步包括II族元素。进一步包括II族元素的III-V族半导体化合物的示例可以包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。
所述III-VI族半导体化合物的示例可以包括以下化合物或者其任意组合：二元化合物，诸如GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、InSe、In2S3、In2Se3、InTe等；三元化合物，诸如InGaS3、InGaSe3等。
所述I-III-VI族半导体化合物的示例可以包括以下化合物或者其任意组合：三元化合物，诸如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2等。
所述IV-VI族半导体化合物的示例可以包括以下化合物或者其任意组合：二元化合物，诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等；三元化合物，诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe等；四元化合物，诸如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe等。
所述IV族元素或者化合物可以包括以下化合物或者其任意组合：单一元素，诸如Si、Ge等；二元化合物，诸如SiC、SiGe等。
包括于诸如所述二元化合物、三元化合物以及四元化合物等的多元化合物的各个元素可以以均匀的浓度或者不均匀的浓度存在于颗粒内。
此外，所述量子点可以具有包括于该量子点的各个元素的浓度均匀的单一结构或者核-壳的双重结构。例如，所述核所包括的物质与所述壳所包括的物质可以彼此不同。
所述量子点的壳可以起到用于防止所述核的化学变性而维持半导体特性的保护层作用和/或用于对量子点赋予电泳特性的充电层(charging layer)的作用。所述壳可以为单层或者多层。核与壳的界面可以具有存在于壳的元素的浓度越靠近中心越低的浓度梯度(gradient)。
所述量子点的壳的示例可以有金属、准金属或者非金属的氧化物、半导体化合物或者其组合等。所述金属、准金属或者非金属的氧化物的示例可以包括以下化合物或者其任意组合：二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO等；三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4等。所述半导体化合物的示例可以包括如本说明书中记载的II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或者其任意组合。例如，所述半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或者其任意组合。
量子点可以具有大约45nm以下，具体为大约40nm以下，更加具体为大约30nm以下的发光波长光谱的半宽度(FWHM：full width of half maximum)，在此范围下可以提高颜色纯度或者颜色再现性。并且，通过这样的量子点发出的光向全方位发射，因此可以提高光学视角。
并且，具体地，量子点的形态可以是球型、金字塔型、多分支型(multi-arm)或者立方体(cubic)的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板等的形态。
由于可以通过调节所述量子点的尺寸而调节能带间隙，因此可以从量子点发光层获得多种波段的光。据此，可以通过使用彼此不同的尺寸的量子点而实现发出多种波长的光的发光元件。具体地，所述量子点的尺寸可以以发出红色光、绿色光和/或蓝色光的方式进行选择。并且，所述量子点的尺寸可以以使多种颜色的光结合而发出白色光的方式构成。
[中间层130中的电子传输区域]
所述电子传输区域可以具有：i)单层结构，由利用单一物质构成(consist of)的单一层构成(consist of)；ii)单层结构，由包括多个彼此不同的物质的单一层构成(consist of)；或者iii)多层结构，包括包含多个彼此不同的物质的多个层。
所述电子传输区域可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或者其任意组合。
例如，所述电子传输区域可以具有从发光层依次层叠的电子传输层/电子注入层或者空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层等的结构。
所述电子传输区域(例如，所述电子传输区域中的空穴阻挡层或者电子传输层)可以包含包括至少一个贫π电子的含氮C1-C60环基团(πelectron-deficient nitrogen-containing C1-C60 cyclic group)的非含金属(metal-free)化合物。
例如，所述电子传输区域可以包括由下述化学式601表示的化合物。
<化学式601>
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21
在所述化学式601中，
Ar601以及L601彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团，
xe11为1、2或者3，
xe1为0、1、2、3、4或者5，
R601为被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团、被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)或者-P(＝O)(Q601)(Q602)，
关于所述Q601至Q603的说明分别参照本说明书中关于Q11的说明，
xe21为1、2、3、4或者5，
所述Ar601、L601以及R601中的至少一个可以彼此独立地为被至少一个R10a取代或未被取代的贫π电子的含氮C1-C60环基团。
例如，所述化学式601中，在xe11为2以上的情形下，两个以上的Ar601可以通过单键而彼此连接。
作为另一例，所述化学式601中，Ar601可以是被取代或未被取代的蒽基团。
作为又一例，所述电子传输区域可以包括由下述化学式601-1表示的化合物。
<化学式601-1>
Figure BDA0003407535550000331
在所述化学式601-1中，
X614为N或C(R614)，X615为N或C(R615)，X616为N或C(R616)，并且X614至X616中的至少一个是N，
关于L611至L613的说明分别参照关于所述L601的说明，
关于xe611至xe613的说明分别参照关于所述xe1的说明，
关于R611至R613的说明分别参照关于所述R601的说明，
R614至R616可以彼此独立地为氢、重氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、被至少一个R10a取代或未被取代的C3-C60碳环基团或者被至少一个R10a取代或未被取代的C1-C60杂环基团。
例如，在所述化学式601和化学式601-1中，xe1和xe611至xe613可以彼此独立地为0、1或者2。
所述电子传输区域可以包括下述化合物ET1至ET45中的一个、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP：2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen：4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline)、Alq3、BAlq、TAZ、NTAZ或者其任意组合。
Figure BDA0003407535550000341
Figure BDA0003407535550000351
Figure BDA0003407535550000361
所述电子传输区域的厚度可以为大约
Figure BDA0003407535550000362
至大约
Figure BDA0003407535550000363
例如，可以为大约
Figure BDA0003407535550000364
至大约
Figure BDA0003407535550000365
在所述电子传输区域包括空穴阻挡层、电子传输层或者其任意组合的情形下，空穴阻挡层或电子传输层的厚度可以彼此独立地为大约
Figure BDA0003407535550000366
至大约
Figure BDA0003407535550000367
例如，可以为大约
Figure BDA0003407535550000368
至大约
Figure BDA0003407535550000369
所述电子传输层的厚度可以为大约
Figure BDA00034075355500003610
至大约
Figure BDA00034075355500003611
例如，可以为大约
Figure BDA00034075355500003612
至大约
Figure BDA00034075355500003613
在所述空穴阻挡层和/或电子传输层的厚度满足如上所述的范围的情形下，可以在不使驱动电压实质性地上升的情况下获得令人满意的电子传输特性。
所述电子传输区域(例如，所述电子传输区域中的电子传输层)除了如上所述的物质之外还可以包括含金属物质。
所述含金属物质可以包括碱金属配合物、碱土金属配合物或者其任意组合。所述碱金属配合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或者Cs离子，所述碱土金属配合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或者Ba离子。与所述碱金属配合物和碱土金属配合物的金属离子配位的配体可以彼此独立地包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或者其任意组合。
例如，所述含金属物质可以包括Li配合物。所述Li配合物例如可以包括下述化合物ET-D1(LiQ)或ET-D2。
Figure BDA0003407535550000371
所述电子传输区域可以包括使来自第二电极150的电子注入变得容易的电子注入层。所述电子注入层可以与所述第二电极150直接(directly)接触。
所述电子注入层可以具有：i)单层结构，由利用单一物质构成(consist of)的单一层构成(consist of)；ii)单层结构，由包括多个彼此不同的物质的单一层构成(consistof)；或者iii)多层结构，包括包含多个彼此不同的物质的多个层。
所述电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土类金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土类金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土类金属配合物或者其任意组合。
所述碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或者其任意组合。所述碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或者其任意组合。所述稀土类金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或者其任意组合。
所述含碱金属化合物、含碱土金属化合物以及所述含稀土类金属化合物可以包括所述碱金属、所述碱土金属以及稀土类金属中的每一个的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物等)、碲化物或者其任意组合。
所述含碱金属化合物可以包括以下化合物或者其任意组合：碱金属氧化物，诸如Li2O、Cs2O、K2O等；碱金属卤化物，诸如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI、KI等。所述含碱土金属化合物可以包括诸如BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(x是满足0<x<1的实数)、BaxCa1-xO(x是满足0<x<1的实数)等碱土金属化合物。所述含稀土类金属化合物可以包括YbF3、ScF3、Sc2O3、Y2O3、Ce2O3、GdF3、TbF3、YbI3、ScI3、TbI3或者其任意组合。或者，所述含稀土类金属化合物可以包括镧系金属碲化物。所述镧系金属碲化物的示例可以包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La2Te3、Ce2Te3、Pr2Te3、Nd2Te3、Pm2Te3、Sm2Te3、Eu2Te3、Gd2Te3、Tb2Te3、Dy2Te3、Ho2Te3、Er2Te3、Tm2Te3、Yb2Te3、Lu2Te3等。
所述碱金属配合物、碱土金属配合物以及稀土类金属配合物可以包括：i)如上所述的碱金属、碱土金属和稀土类金属的离子中的一个；以及ii)与所述金属离子结合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或者其任意组合。
所述电子注入层可以仅由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土类金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土类金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土类金属配合物或者其任意组合构成，或者还可以包括有机物(例如，由所述化学式601表示的化合物)。
根据一实现例，所述电子注入层可以i)由含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)构成(consist of)，或者ii)由a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；以及b)碱金属、碱土金属、稀土类金属或者其任意组合构成。例如，所述电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层等。
在所述电子注入层还包括有机物的情形下，所述碱金属、碱土金属、稀土类金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土类金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土类金属配合物或者其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包括所述有机物的基质。
所述电子注入层的厚度可以为大约
Figure BDA0003407535550000381
至大约
Figure BDA0003407535550000382
例如，可以为大约
Figure BDA0003407535550000383
至大约
Figure BDA0003407535550000384
在所述电子注入层的厚度满足前述范围的情形下，可以在不使驱动电压实质性地上升的情况下获得令人满意的电子注入特性。
[第二电极150]
在如上所述的中间层130上部布置有第二电极150。所述第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极(cathode)，此时，可以使用具有低的功函数的金属、合金、导电性化合物或者其任意组合作为所述第二电极150用物质。
所述第二电极150可以包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或者其任意组合。所述第二电极150可以为透射型电极、半透射型电极或者反射型电极。
所述第二电极150可以具有作为单一层的单层结构或者具有多个层的多层结构。
[封盖层]
在第一电极110的外侧可以布置有第一封盖层，且/或者在第二电极150的外层可以布置有第二封盖层。具体地，所述发光元件10可以具有：第一封盖层、第一电极110、中间层130以及第二电极150依次层叠的结构；第一电极110、中间层130、第二电极150以及第二封盖层依次层叠的结构；或者第一封盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150以及第二封盖层依次层叠的结构。
发光元件10的中间层130中从发光层生成的光可以经过作为半透射型电极或者透射型电极的第一电极110以及第一封盖层而被提取到外部，发光元件10的中间层130中从发光层生成的光可以经过作为半透射型电极或者透射型电极的第二电极150及第二封盖层而被提取到外部。
所述第一封盖层以及第二封盖层可以根据相长干涉的原理而起到提高外部发光效率的作用。因此可以提高所述发光元件10的光提取效率，从而提高所述发光元件10的发光效率。
所述第一封盖层以及第二封盖层可以分别包括具有1.6以上的折射率(在589nm)的物质。
所述第一封盖层和第二封盖层可以彼此独立地为包括有机物的有机封盖层、包括无机物的无机封盖层或者包括有机物和无机物的有机-无机复合封盖层。
所述第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可以彼此独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基团化合物、卟吩衍生物(porphine derivatives)、酞菁衍生物(phthalocyanine derivatives)、萘酞菁衍生物(naphthalocyanine derivatives)、碱金属配合物、碱土金属配合物或者其任意组合。所述碳环化合物、杂环化合物以及含胺基团化合物可以选择性地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或者其任意组合的取代基取代。根据一实现例，所述第一封盖层以及第二封盖层中的至少一个可以彼此独立地包括含胺基团化合物。
例如，所述第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可以彼此独立地包括由所述化学式201表示的化合物、由所述化学式202表示的化合物或者其任意组合。
根据又一实现例，所述第一覆盖层和所述第二覆盖层中的至少一个可以彼此独立地包括所述化合物HT28至HT33中的一个、下述化合物CP1至CP6中的一个、β-NPB或者其任意化合物。
Figure BDA0003407535550000401
[电子装置]
所述发光元件可以包括于各种电子装置。例如，包括所述发光元件的电子装置可以是发光装置、认证装置等。
所述电子装置(例如，发光装置)除了所述发光元件以外还可以包括i)滤色器、ii)颜色转换层或者iii)滤色器和颜色转换层。所述滤色器和/或颜色转换层可以布置在从发光元件发出的光的至少一个行进方向上。例如，从所述发光元件发出的光可以是蓝色光。针对所述发光元件的说明参照上述内容。根据一实现例，所述颜色转换层可以包括量子点。所述量子点例如可以是如本说明书中记载的量子点。
所述电子装置可以包括第一基板。所述第一基板可以包括多个子像素区域，所述滤色器可以包括与所述多个子像素区域中的每一个对应的多个滤色器区域，所述颜色转换层可以包括与所述多个子像素区域中的每一个对应的多个颜色转换区域。
像素限定膜布置在所述多个子像素区域之间而限定每个子像素区域。
所述滤色器还可以包括多个滤色器区域以及布置在多个滤色器区域之间的遮光图案，所述颜色转换层还可以包括多个颜色转换区域以及布置在多个颜色转换区域之间的遮光图案。
所述多个滤色器区域(或者多个颜色转换区域)包括：第一区域，发出第一色光；第二区域，发出第二色光；和/或第三区域，发出第三色光，其中，所述第一色光、所述第二色光和/或所述第三色光可以具有彼此不同的最大发光波长。例如，所述第一色光可以是红色光，所述第二色光可以是绿色光，所述第三色光可以是蓝色光。例如，所述多个滤色器区域(或者多个颜色转换区域)可以包括量子点。具体地，所述第一区域可以包括红色量子点，所述第二区域可以包括绿色量子点，所述第三区域可以不包括量子点。针对量子点的说明参照本说明书中记载的内容。所述第一区域、所述第二区域和/或所述第三区域分别还可以包括散射体。
例如，所述发光元件可以发出第一光，所述第一区域可以吸收所述第一光而发出第1-1色光，所述第二区域可以吸收所述第一光而发出第2-1色光，所述第三区域可以吸收所述第一光而发出第3-1色光。此时，所述第1-1色光、所述第2-1色光以及所述第3-1色光可以具有彼此不同的最大发光波长。具体地，所述第一光可以是蓝色光，所述第1-1色光可以是红色光，所述第2-1色光可以是绿色光，所述第3-1色光可以是蓝色光。
所述电子装置除了如上所述的发光元件以外还可以包括薄膜晶体管。所述薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极以及活性层，所述源电极和所述漏电极中的任意一个可以电连接到所述发光元件的第一电极和第二电极中的任意一个。
所述薄膜晶体管还可以包括栅电极、栅极绝缘膜等。
所述活性层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。
所述电子装置还可以包括密封发光元件的密封部。所述密封部可以布置在所述滤色器和/或颜色转换层与所述发光元件之间。所述密封部使来自所述发光元件的光能够被提取到外部的同时阻断外部气体及水分渗透到所述发光元件。所述密封部可以是包括透明玻璃基板或者塑料基板的密封基板。所述密封部可以是包括一层以上的有机层和/或无机层的薄膜封装层。在所述密封部为薄膜封装层的情形下，所述电子装置可以是柔性的。
在所述密封部上，除了所述滤色器和/或颜色转换层以外，还可以根据所述电子装置的用途而额外布置有多种功能层。所述功能层的示例可以包括触摸屏层、偏光层等。所述触摸屏层可以是压敏式触摸屏层、电容式触摸屏层或者红外线式触摸屏层。所述认证装置例如可以是利用生物体(例如，指尖、瞳孔等)的生物体信息认证个人的生物体认证装置。
所述认证装置除了如上所述的发光元件以外还可以包括生物信息收集单元。
所述电子装置可以应用为各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动型个人计算机)、便携电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗设备(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉动波测量装置、心电图显示设备、超声诊断装置、内视镜用显示装置)、鱼群探测器、各种测量设备、仪表类(例如，车辆、飞机、船舶的仪表类)、投影仪等。
[针对图2及图3的说明]
图2是根据本发明的一实现例的发光装置的剖面图。
图2的发光装置包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光元件以及密封发光元件的封装部300。
所述基板100可以是柔性基板、玻璃基板或者金属基板。在所述基板100上可以布置有缓冲层210。所述缓冲层210可以防止杂质通过基板100渗透，并且可以起到在基板100的上部提供平坦的表面的作用。
在所述缓冲层210上可以布置有薄膜晶体管(TFT)。所述薄膜晶体管(TFT)可以包括活性层220、栅电极240、源电极260以及漏电极270。
所述活性层220可以包括诸如硅或者多晶硅等的无机半导体、有机半导体或者氧化物半导体，并且包括源极区域、漏极区域以及沟道区域。
在所述活性层220的上部可以布置有用于使活性层220与栅电极240绝缘的栅极绝缘膜230，在栅极绝缘膜230上部可以布置有栅电极240。
在所述栅电极240的上部可以布置有层间绝缘膜250。所述层间绝缘膜250布置在栅电极240与源电极260之间以及栅电极240与漏电极270之间，从而起到使它们绝缘的作用。
在所述层间绝缘膜250上可以布置有源电极260和漏电极270。层间绝缘膜250和栅极绝缘膜230可以形成为暴露活性层220的源极区域和漏极区域，并且源电极260和漏电极270可以布置为与这种活性层220的暴露的源极区域和漏极区域接触。
这种薄膜晶体管(TFT)可以电连接于发光元件而驱动发光元件，并且被钝化层280覆盖而受到保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或者其组合。在钝化层280上配备有发光元件。所述发光元件包括第一电极110、中间层130以及第二电极150。
所述第一电极110可以布置在钝化层280上。钝化层280可以布置为暴露漏电极270的预定区域而不覆盖整个漏电极270，并且第一电极110可以布置为与暴露的漏电极270连接。
在所述第一电极110上可以布置有包括绝缘物的像素限定膜290。像素限定膜290可以暴露第一电极110的预定区域，在暴露的区域可以形成有中间层130。像素限定膜290可以是聚酰亚胺系或者聚丙烯酸系的有机膜。虽然未在图2示出，但中间层130中的一部分以上的层可以延伸到像素限定膜290的上部而布置为公共层的形态。
在所述中间层130上可以布置有第二电极150，并且在第二电极150上可以额外形成有封盖层170。封盖层170可以形成为覆盖第二电极150。
在所述封盖层170上可以布置有封装部300。封装部300可以布置在发光元件上而起到使发光元件免受水分或者氧气的影响的作用。封装部300可以包括：无机膜，包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、铟锡氧化物、铟锌氧化物或者其任意组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸系树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧系树脂(例如，脂肪烃缩水甘油醚(AGE：aliphatic glycidyl ether)等)或者其任意组合；或者无机膜和有机膜的组合。
图3是根据本发明的另一实现例的发光装置的剖面图。
除了在封装部300上部额外布置有遮光图案500以及功能性区域400这一点以外，图3的发光装置是与图2的发光装置相同的发光装置。所述功能性区域400可以是i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。根据一实现例，包括于图3的发光装置的发光元件可以是串式发光元件。
[制造方法]
包括于所述空穴传输区域的各层、发光层以及包括于电子传输区域的各层分别可以利用真空沉积法、旋涂法、铸造法、朗缪尔-布洛节塔(LB：Langmuir-Blodgett)法、喷墨印刷法、激光印刷法、激光热转印法(LITI：Laser Induced ThermalImaging)等多种方法而形成在预定区域。
在通过真空沉积法而分别形成包括于所述空穴传输区域的各层、发光层以及包括于电子传输区域的各层的情形下，沉积条件例如可以在大约100℃至大约500℃的沉积温度，且大约10-8托至10-3托的真空度以及大约
Figure BDA0003407535550000442
/秒至大约
Figure BDA0003407535550000443
/秒的沉积速度范围内，考虑待包括于希望形成的层的材料以及希望形成的层的结构而选择。
在借由旋涂法分别形成包括于所述空穴传输区域的各层、发光层以及包括于电子传输区域的各层的情形下，可以在涂覆条件为例如大约2000rpm至大约5000rpm的涂覆速度以及大约80℃至200℃的热处理温度范围内，考虑想要形成的层所包括的材料以及想要形成的层的结构而进行选择。
[术语的定义]
本说明书中，C3-C60碳环基团表示仅利用碳作为成环原子构成的碳原子数为3至60的环基团，C1-C60杂环基团表示除了碳以外，还包括杂原子作为成环原子的碳原子数为1至60的环基团。所述C3-C60碳环基团和C1-C60杂环基团分别可以是由一个环构成的单环基团或者两个以上的环彼此缩合的多环基团。例如，所述C1-C60杂环基团的成环原子数可以是3至61。
本说明书中，环基团包括所述C3-C60碳环基团以及C1-C60杂环基团两者。
本说明书中，富π电子的C3-C60环基团(πelectron-rich C3-C60 cyclic group)表示不包括*-N＝*'的碳原子数为3至60的环基团作为成环部分，贫π电子的含氮C1-C60环基团(πelectron-deficient nitrogen-containing C1-C60 cyclic group)表示包括*-N＝*'的碳原子数为1至60的杂环基团作为成环部分。
例如，
所述C3-C60碳环基团可以是：i)基团T1；或者ii)两个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、
Figure BDA0003407535550000441
基团、苝基团、戊芬基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蒄基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或者茚并蒽基团)，
C1-C60杂环基团可以为：i)基团T2；ii)两个以上的基团T2彼此缩合的缩合环基团；或者iii)一个以上的基团T2和一个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二并苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
所述富π电子的C3-C60环基团可以为：i)基团T1；ii)两个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团；iii)基团T3；iv)两个以上的基团T3彼此缩合的缩合环基团；或者v)一个以上的基团T3和一个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，所述C3-C60碳环基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯(borole)基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二并苯并噻吩基团等)，
所述贫π电子的含氮C1-C60环基团可以为：i)基团T4；ii)两个以上的基团T4彼此缩合的缩合环基团；iii)一个以上的基团T4和一个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团；iv)一个以上的基团T4和一个以上的基团T3彼此缩合的缩合环基团；或者v)一个以上的基团T4、一个以上的基团T1以及一个以上的基团T3彼此缩合的缩合环基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
所述基团T1是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷(adamantane)基团、降冰片烷(norbornane)(或者，双环[2.2.1]庚烷(bicyclo[2.2.1]heptane))基团、降冰片烯(norbornene)基团、双环[1.1.1]戊烷(bicyclo[1.1.1]pentane)基团、双环[2.1.1]己烷(bicyclo[2.1.1]hexane)、双环[2.2.2]辛烷基团或者苯基团，
所述基团T2是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯(borole)基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑(isoxazole)基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂嘧啶基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或者二氢哒嗪基团，
所述基团T3是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或者硼杂环戊二烯(borole)基团，
所述基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑(isoxazole)基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂嘧啶基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或者四嗪基团。
本说明书中，对环基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、富π电子的C3-C60环基团或者贫π电子的含氮C1-C60环基团这样的术语而言，其根据相应术语被使用的化学式的结构而可以是缩合到任意的环基团的基团、单价基团或者多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。例如，“苯基团”可以是苯并基团、苯基、亚苯基等，本领域技术人员可以根据包括“苯基团”的化学式的结构而容易地理解。
例如，单价C3-C60碳环基团以及单价C1-C60杂环基团的示例可以包括C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基团以及单价非芳香缩合杂多环基团，二价C3-C60碳环基团以及二价C1-C60杂环基团的示例可以包括C3-C10亚环烷基、C1-C10亚杂环烷基、C3-C10亚环烯基、C1-C10亚杂环烯基、C6-C60亚芳基、C1-C60亚杂芳基、二价非芳香缩合多环基团以及二价非芳香缩合杂多环基团。
本说明书中，C1-C60烷基表示碳原子数为1至60的直链或支链的脂肪族烃单价(monovalent)基团，其具体示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基、叔癸基等。本说明书中，C1-C60亚烷基表示与所述C1-C60烷基具有相同结构的二价(divalent)基团。
本说明书中，C2-C60烯基表示在C2-C60烷基的中间或末端包括一个以上的碳-碳双键的单价烃基团，其具体示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基等。本说明书中，C2-C60亚烯基表示与所述C2-C60烯基具有相同结构的二价基团。
本说明书中，C2-C60炔基表示在C2-C60烷基的中间或末端包括一个以上的碳-碳三键的单价烃基团，其具体示例包括乙炔基和丙炔基等。本说明书中，C2-C60亚炔基表示与所述C2-C60炔基具有相同结构的二价基团。
本说明书中，C1-C60烷氧基表示具有-OA101(此处，A101为所述C1-C60烷基)的化学式的单价基团，其具体示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基等。
本说明书中，C3-C10环烷基表示碳原子数为3至10的单价饱和烃环基团，其具体示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基(adamantanyl)、降冰片烷基(norbornanyl)(或者双环[2.2.1]庚基(bicyclo[2.2.1]heptyl))、双环[1.1.1]戊基(bicyclo[1.1.1]pentyl)、双环[2.1.1]己基(bicyclo[2.1.1]hexyl)、双环[2.2.2]辛基等。本说明书中，C3-C10亚环烷基表示与所述C3-C10环烷基具有相同的结构的二价基团。
本说明书中，C1-C10杂环烷基表示除了碳原子之外，还包括至少一个杂原子作为成环原子的碳原子数为1至10的单价环基团，其具体示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基(1,2,3,4-oxatriazolidinyl)、四氢呋喃基(tetrahydrofuranyl)和四氢噻吩基等。本说明书中，C1-C10亚杂环烷基表示与所述C1-C10杂环烷基具有相同结构的二价基团。
本说明书中，C3-C10环烯基为碳原子数为3至10的单价环基团，其表示在环内具有至少一个碳-碳双键，但不具有芳香族性(aromaticity)的基团，其具体示例包括环戊烯基、环己烯基以及环庚烯基等。本说明书中C3-C10亚环烯基表示与所述C3-C10环烯基具有相同结构的二价基团。
本说明书中，C1-C10杂环烯基表示除了碳原子之外，还包括至少一个杂原子作为成环原子的碳原子数为1至10的单价环基团，在环内具有至少一个双键。所述C1-C10杂环烯基的具体示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基等。本说明书中，C1-C10亚杂环烯基表示与所述C1-C10杂环烯基具有相同结构的二价基团。
本说明书中，C6-C60芳基表示具有碳原子数为6至60的碳环芳香体系的单价(monovalent)基团，C6-C60亚芳基表示具有碳原子数为6至60的碳环芳香体系的二价(divalent)基团。所述C6-C60芳基的具体示例包括苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
Figure BDA0003407535550000481
基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基等。在所述C6-C60芳基和C6-C60亚芳基包括两个以上的环的情形下，所述两个以上的环可以彼此缩合。
本说明书中，C1-C60杂芳基表示除了碳原子以外，还包括至少一个杂原子作为成环原子且具有碳原子数为1至60的杂环芳香体系的单价基团，C1-C60亚杂芳基表示除了碳原子以外，还包括至少一个杂原子作为成环原子且具有碳原子数为1至60的杂环芳香体系的二价基团。所述C1-C60杂芳基的具体示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、萘啶基等。在所述C1-C60杂芳基和C1-C60亚杂芳基包括两个以上的环的情形下，两个以上的环可以彼此缩合。
本说明书中，单价非芳香缩合多环基团(non-aromatic condensed polycyclicgroup)表示两个以上的环彼此缩合，且作为成环原子仅包括碳原子，且整个分子具有非芳香性(non-aromaticity)的单价基团(例如，具有8至60的碳原子数)。所述单价非芳香缩合多环基团的具体示例包括茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基、茚并蒽基等。本说明书中，二价非芳香缩合多环基团表示具有与所述单价非芳香缩合多环基团具有相同结构的二价基团。
本说明书中，单价非芳香缩合杂多环基团(non-aromatic condensedheteropolycyclic group)表示两个以上的环彼此缩合，并且除了碳原子以外还包括至少一个杂原子作为成环原子，且整个分子具有非芳香性的单价基团(例如，具有1至60的碳原子数)。所述单价非芳香缩合杂多环基团的具体示例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二并苯并噻吩基等。本说明书中，二价非芳香缩合杂多环基团表示与所述单价非芳香缩合杂多环基团具有相同结构的二价基团。
本说明书中，C6-C60芳氧基表示-OA102(其中，A102为所述C6-C60芳基)，所述C6-C60芳硫基(arylthio)表示-SA103(其中，A103为所述C6-C60芳基)。
在本说明书中，C7-C60芳烷基指-A104A105(其中，A104为C1-C54亚烷基，A105为C6-C59芳基)，在本说明书中，C2-C60杂芳烷基指-A106A107(其中，A106为C1-C59亚烷基，A107为C1-C59杂芳基)。
本说明书中，“R10a”可以为：
重氢(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或者硝基；
被重氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C2-C60杂芳烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或者上述基团的任意组合取代或未被取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或者C1-C60烷氧基；
被重氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C2-C60杂芳烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或者上述基团的任意组合取代或未被取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C2-C60杂芳烷基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或者-P(＝O)(Q31)(Q32)。
本说明书中，Q11至Q13、Q21至Q23以及Q31至Q33可以彼此独立地为：氢；重氢；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；被重氢、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或者其任意组合取代或未被取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团；C7-C60芳烷基或者C2-C60杂芳烷基。
本说明书中的杂原子表示除了碳原子以外的任意原子。所述杂原子的示例包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或者其任意组合。
在本说明书中，第三行过渡金属(third-row transition metal)包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)或者金(Au)等。
本说明书中，“Ph”表示苯基，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基、“tert-Bu”或者“But”表示叔丁基，“OMe”表示甲氧基。
本说明书中，“联苯基”表示“被苯基取代的苯基”。所述“联苯基”属于取代基为“C6-C60芳基”的“被取代的苯基”。
本说明书中，“三联苯基”表示“被联苯基取代的苯基”。所述“三联苯基”属于取代基为“被C6-C60芳基取代的C6-C60芳基”的“被取代的苯基”。
在取代基的定义中，最大碳原子数为示例性的。例如，在C1-C60烷基中，最大碳原子数为60是示例性的，对烷基的定义也同样适用于C1-C20烷基。其他情形也是相同的。
本说明书中，除非另外定义，否则*和*'表示在对应的化学式中与相邻原子的结合位。
以下，例举实施例而更加具体地说明根据本发明的一实现例的化合物和发光元件。
[实施例]
发光元件的制造
比较例1
对于阳极而言，将康宁(corning)15Ω/cm2
Figure BDA0003407535550000511
的ITO玻璃基板切割为50mm×50mm×0.7mm的大小，使用异丙醇和纯水分别超声清洗5分钟之后，用紫外线照射30分钟，暴露于臭氧进行清洗，并将所述玻璃基板设置于真空沉积装置。
在所述基板上部将HT1和p-掺杂剂HAT-CN(重量5％)以
Figure BDA0003407535550000512
的厚度真空沉积而形成了空穴注入层。接着，将HT1以
Figure BDA0003407535550000513
的厚度真空沉积而形成了空穴传输层。
在所述空穴传输层上将化合物100作为主体，将荧光掺杂剂化合物200作为掺杂剂而以97：3的重量比同时沉积而形成了
Figure BDA0003407535550000514
厚度的发光层。
在所述发光层上将T2T以
Figure BDA0003407535550000515
的厚度真空沉积而形成了空穴阻挡层。
在所述空穴阻挡层上将5：5的重量比的TPM-TAZ和LiQ以
Figure BDA0003407535550000516
的厚度沉积而形成了电子传输层。
通过在所述电子传输层上部将Yb以
Figure BDA0003407535550000517
的厚度真空沉积，接着将AgMg以
Figure BDA0003407535550000518
的厚度真空沉积而形成了阴极，并沉积CPL形成了
Figure BDA0003407535550000519
厚度的封盖层，由此制造了发光元件。
Figure BDA0003407535550000521
比较例2
除了仅使用Cs3Cu2I5替代HT1和p-掺杂剂HAT-CN(重量5％)作为空穴注入层之外，与比较例1相同地制造了发光元件。
实施例1
除了使用HT1和Cs3Cu2I5(重量5％)作为空穴注入层之外，以与比较例1相同地制造了发光元件。
ITO的功函数值为-5.9eV，Cs3Cu2I5的价带能级为-6.0eV。
Cs3Cu2I5的介电常数为32.5F/m。
为了评价在比较例1、比较例2以及实施例1中制造的发光元件的发光特性，测量了在电流密度为10mA/cm2时的电压、效率、寿命等。
使用滨松光电子公司的测量装置C9920-2-12测量了发光元件的效率等。
在表1示出了结果。
【表1】
Figure BDA0003407535550000531
(ΔV表示500小时后的电压变化)
参考所述表1，可知根据本发明的一实现例的实施例1的发光元件相比比较例1、比较例2的发光元件更加优秀。

Claims (10)

1.一种发光元件，包括：
第一电极；
第二电极，与所述第一电极对向；以及
中间层，夹设于所述第一电极与所述第二电极之间且包括发光层，
其中，所述第一电极具有-5.5eV至-6.1eV的功函数值，
所述中间层包括掺杂有非铅系钙钛矿化合物的层。
2.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述第一电极是阳极，
所述第二电极是阴极，
所述发光元件还包括：电子传输区域，布置在所述第二电极与所述发光层之间，并且包括空穴阻挡层，电子传输层、电子注入层或者其任意组合。
3.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述非铅系钙钛矿化合物的介电常数为30F/m以上。
4.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述第一电极包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡、氧化锌或者其任意组合。
5.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述非铅系钙钛矿化合物由以下化学式1表示：
<化学式1>
AaZ，
在所述化学式1中，所述A是碱金属的阳离子，
所述Z是阴离子，
所述a表示1、2或者3的整数。
6.如权利要求5所述的发光元件，其中，
所述a是3，所述Z是B2X5 -3，
所述a是2，所述Z是BX3 -2，或者
所述a是1，所述Z是B2X3 -1，
所述B是Cu、Ag或者其任意组合，所述X是F、Cl、Br、I或者其任意组合。
7.如权利要求5所述的发光元件，其中，
所述a是3，所述Z是BX5 -3，
所述a是2，所述Z是BX4 -2，或者
所述a是1，所述Z是B2X5 -1，
所述B是Mn、Tl、Zn、Ni、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或者其任意组合，所述X是F、Cl、Br、I或者其任意组合。
8.如权利要求5所述的发光元件，其中，
所述a是3，所述Z是BX6 -3，或者
所述a是2，所述Z是BX5 -2，
所述B是In、Sb、Bi、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或者其任意组合，所述X是F、Cl、Br、I或者其任意组合。
9.如权利要求5所述的发光元件，其中，
所述碱金属是Li、Na、K、Rb、Cs、Fr或者其任意组合。
10.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述第一电极是阳极，
所述第二电极是阴极，
所述中间层包括空穴注入层以及空穴传输层，
所述空穴注入层包括掺杂有所述非铅系钙钛矿化合物的所述层，
所述空穴注入层以及所述空穴传输层包括相同的化合物。
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