CN115206775A - 锑化铟芯片杂质清理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种锑化铟芯片杂质清理方法，清理方法包括：S100，将锑化铟芯片固定在载片上；S200，采用光刻胶对锑化铟芯片上的表面器件进行覆盖保护；S300，采用腐蚀液对锑化铟芯片进行腐蚀；S400，采用第一清洗液对腐蚀后的锑化铟芯片进行清洗后进行干燥处理。根据本发明的锑化铟芯片杂质清理方法，经过腐蚀液对锑化铟芯片腐蚀后，锑化铟芯片增透膜及磨抛料可完全去除，并且表面光洁，可达到后续实验使用标准。而且，本方法操作简单、适用范围广。
Description
技术领域
本发明涉及红外探测器技术领域，尤其涉及一种锑化铟芯片杂质清理方法。
背景技术
锑化铟材料因具有电子迁移率高和禁带宽度窄等优良特性而广泛应用在中波红外探测领域。使用锑化铟所制的红外焦平面器件是红外探测体系的核心，锑化铟芯片通过铟柱和硅读出电路连接以实现电连通，由于该器件采用背照式入射，为提高光子吸收效率，通常需要进行背面减薄、抛光。当入射光照射到探测器时，其表面将发生反射，损耗了部分吸收层的光能量，这会降低探测器的响应率，与此同时还会在器件内部形成杂散光，对器件信号产生不利影响。为保证足够入射光能到达探测器，在背面减薄工艺完成后还需要镀一层薄膜材料，也即背面增透膜。
在实际工艺过程中，增透膜镀制完成后，有一些锑化铟芯片在显微镜下观察到有磨抛料的残余等异常情况，目前现有技术中，无法对镀膜后发现磨抛料的锑化铟芯片进行有效处理。
发明内容
本发明要解决的技术问题是如何对镀膜后发现磨抛料的锑化铟芯片进行有效处理，本发明提出一种锑化铟芯片杂质清理方法。
根据本发明实施例的锑化铟芯片杂质清理方法，包括：
S100，将锑化铟芯片固定在载片上；
S200，采用光刻胶对所述锑化铟芯片上的表面器件进行覆盖保护；
S300，采用腐蚀液对所述锑化铟芯片进行腐蚀；
S400，采用第一清洗液对腐蚀后的锑化铟芯片进行清洗后进行干燥处理。
根据本发明的一些实施例，所述清理方法还包括：
S500，对烘干后的所述锑化铟的表面采用光刻胶进行覆盖保护；
S600，将锑化铟芯片进行加热，以将所述锑化铟芯片与所述载片分离；
S700，采用负胶显影液去除分离后的所述锑化铟芯片上的光刻胶；
S800，采用第二清洗液清洗所述锑化铟芯片并进行干燥处理。
在本发明的一些实施例中，步骤S100中，采用蜡将所述锑化铟芯片粘接至所述载片上，并在所述锑化铟芯片的周边贴附陪条，所述载片为宝石片或陶瓷片。
根据本发明的一些实施例，步骤S200中，采用光刻胶覆盖所述锑化铟芯片的表面器件后固化时间不少于2小时。
在本发明的一些实施例中，步骤S300中，腐蚀液采用40％氢氟酸和纯水按1:1配比配置，腐蚀时间为50s-60s。
根据本发明的一些实施例，步骤S700中，采用负胶显影液浸泡所述锑化铟芯片25min-35min。
在本发明的一些实施例中，步骤S400中，采用氮气枪对所述锑化铟芯片进行干燥处理。
根据本发明的一些实施例，步骤S400中，第一清洗液为纯水。
在本发明的一些实施例中，步骤S800中，第二清洗液为丙酮和酒精。
根据本发明的一些实施例，所述锑化铟芯片的光敏元阵列为以下之一：128×128光敏元阵列、320×256光敏元阵列、1k×1k光敏元阵列。
根据本发明实施例的锑化铟芯片杂质清理方法，经过腐蚀液对锑化铟芯片腐蚀后，锑化铟芯片增透膜及磨抛料可完全去除，并且表面光洁，可达到后续实验使用标准。而且，本方法操作简单、适用范围广。
附图说明
图1为根据本发明实施例的锑化铟芯片杂质清理方法流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本发明进行详细说明如后。
本发明中说明书中对方法流程的描述及本发明说明书附图中流程图的步骤并非必须按步骤标号严格执行，方法步骤是可以改变执行顺序的。而且，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，和/或将一个步骤分解为多个步骤执行。
如图1所示，根据本发明实施例的锑化铟芯片杂质清理方法，包括：
S100，将锑化铟芯片固定在载片上；
在本发明的一些实施例中，步骤S100中，可以采用蜡将锑化铟芯片粘接至载片上，并在锑化铟芯片的周边贴附陪条，载片可以采用宝石片或陶瓷片。
S200，采用光刻胶对锑化铟芯片上的表面器件进行覆盖保护；
根据本发明的一些实施例，步骤S200中，采用光刻胶覆盖锑化铟芯片的表面器件后固化时间不少于2小时。
S300，采用腐蚀液对锑化铟芯片进行腐蚀；
在本发明的一些实施例中，步骤S300中，腐蚀液采用40％氢氟酸和纯水按1:1配比配置，腐蚀时间为50s-60s。
S400，采用第一清洗液对腐蚀后的锑化铟芯片进行清洗后进行干燥处理。
根据本发明的一些实施例，步骤S400中，第一清洗液可以采用纯水。在本发明的一些实施例中，步骤S400中，采用氮气枪对锑化铟芯片进行干燥处理。
如图1所示，根据本发明的一些实施例，清理方法还包括：
S500，对烘干后的锑化铟的表面采用光刻胶进行覆盖保护；
S600，将锑化铟芯片进行加热，以将锑化铟芯片与载片分离；
S700，采用负胶显影液去除分离后的锑化铟芯片上的光刻胶；
根据本发明的一些实施例，步骤S700中，采用负胶显影液浸泡锑化铟芯片25min-35min。
S800，采用第二清洗液清洗锑化铟芯片并进行干燥处理。
在本发明的一些实施例中，步骤S800中，第二清洗液为丙酮和酒精。
根据本发明的一些实施例，锑化铟芯片的光敏元阵列为以下之一：128×128光敏元阵列、320×256光敏元阵列、1k×1k光敏元阵列。
根据本发明实施例的锑化铟芯片杂质清理方法，经过腐蚀液对锑化铟芯片腐蚀后，锑化铟芯片增透膜及磨抛料可完全去除，并且表面光洁，可达到后续实验使用标准。而且，本方法操作简单、适用范围广。
下面参照详细描述根据本发明的锑化铟芯片杂质清理方法。值得理解的是，下述描述仅是示例性描述，而不应理解为对本发明的具体限制。
针对背增工艺过程中出现的锑化铟芯片镀制完增透膜后在显微镜下观察到有磨抛料的残余等现象，本发明提出了一种锑化铟芯片杂质清理方法，包括锑化铟增透膜腐蚀方法及后处理方法，该方法能够有效腐蚀锑化铟芯片增透膜，并且有利于后续处理。
本发明的锑化铟增透膜腐蚀方法及后处理方法主要包括：
A100，腐蚀方法；
将锑化铟芯片用蜡粘接在宝石片或者陶瓷片上，在锑化铟芯片四周贴上陪条，陪条尺寸根据锑化铟芯片大小设计，并用光刻胶保护电路焊盘以免受腐蚀液的侵蚀，光刻胶固化时间为2小时，配制腐蚀液对粘接好的锑化铟芯片表面进行腐蚀，腐蚀液的组成成分为浓度40％氢氟酸和纯水，其配比为1:1，腐蚀时间为50秒至1分钟，用纯水冲洗，氮气枪吹干。
A200，后处理方法；
将腐蚀好的锑化铟器件表面用光刻胶保护，固化时间为2小时；将其放置在加热台上，待蜡融化后取下陪条和芯片，用负胶显影液浸泡芯片30分钟，最后用丙酮和酒精喷洗芯片表面，氮气枪吹干。
下面以三个具体的实施例详细描述根据本发明的锑化铟芯片杂质清理方法。
实施例一：
本实施例应用于128×128光敏元阵列的InSb红外焦平面器件，将该器件用蜡粘接在宝石片上，在芯片四周贴上陪条，陪条尺寸根据芯片大小设计，并用光刻胶保护电路焊盘以免受腐蚀液的侵蚀，光刻胶固化时间为2小时，配制腐蚀液对粘接好的器件表面进行腐蚀，腐蚀液的组成成分为浓度40％氢氟酸和纯水，其配比为1:1，腐蚀时间为50秒至1分钟，用纯水冲洗，氮气枪吹干。将腐蚀好的锑化铟器件表面用光刻胶保护，固化时间为2小时；将其放置在加热台上，待蜡融化后取下陪条和芯片，用负胶显影液浸泡芯片30分钟，最后用丙酮和酒精喷洗芯片表面，氮气枪吹干。
实施例二：
本实施例应用于320×256光敏元阵列的InSb红外焦平面器件，将该器件用蜡粘接在陶瓷片上，在芯片四周贴上陪条，陪条尺寸根据芯片大小设计，并用光刻胶保护电路焊盘以免受腐蚀液的侵蚀，光刻胶固化时间为2小时，配制腐蚀液对粘接好的器件表面进行腐蚀，腐蚀液的组成成分为浓度40％氢氟酸和纯水，其配比为1:1，腐蚀时间为50秒至1分钟，用纯水冲洗，氮气枪吹干。将腐蚀好的锑化铟器件表面用光刻胶保护，固化时间为2小时；将其放置在加热台上，待蜡融化后取下陪条和芯片，用负胶显影液浸泡芯片30分钟，最后用丙酮和酒精喷洗芯片表面，氮气枪吹干。
实施例三：
本实施例应用于1k×1k光敏元阵列的InSb红外焦平面器件，将该器件用蜡粘接在陶瓷片上，在芯片四周贴上陪条，陪条尺寸根据芯片大小设计，并用光刻胶保护电路焊盘以免受腐蚀液的侵蚀，光刻胶固化时间为2小时，配制腐蚀液对粘接好的器件表面进行腐蚀，腐蚀液的组成成分为浓度40％氢氟酸和纯水，其配比为1:1，腐蚀时间为50秒至1分钟，用纯水冲洗，氮气枪吹干。将腐蚀好的锑化铟器件表面用光刻胶保护，固化时间为2小时；将其放置在加热台上，待蜡融化后取下陪条和芯片，用负胶显影液浸泡芯片30分钟，最后用丙酮和酒精喷洗芯片表面，氮气枪吹干。
综上所述，本发明提出的锑化铟芯片杂质清理方法，经过腐蚀液对锑化铟芯片腐蚀后，锑化铟芯片增透膜及磨抛料可完全去除，并且表面光洁，可达到后续实验使用标准。而且，本方法操作简单、适用范围广。
通过具体实施方式的说明，应当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图示仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
Claims (10)
1.一种锑化铟芯片杂质清理方法，其特征在于，包括：
S100，将锑化铟芯片固定在载片上；
S200，采用光刻胶对所述锑化铟芯片上的表面器件进行覆盖保护；
S300，采用腐蚀液对所述锑化铟芯片进行腐蚀；
S400，采用第一清洗液对腐蚀后的锑化铟芯片进行清洗后进行干燥处理。
2.根据权利要求1所述的锑化铟芯片杂质清理方法，其特征在于，所述清理方法还包括：
S500，对烘干后的所述锑化铟的表面采用光刻胶进行覆盖保护；
S600，将锑化铟芯片进行加热，以将所述锑化铟芯片与所述载片分离；
S700，采用负胶显影液去除分离后的所述锑化铟芯片上的光刻胶；
S800，采用第二清洗液清洗所述锑化铟芯片并进行干燥处理。
3.根据权利要求1所述的锑化铟芯片杂质清理方法，其特征在于，步骤S100中，采用蜡将所述锑化铟芯片粘接至所述载片上，并在所述锑化铟芯片的周边贴附陪条，所述载片为宝石片或陶瓷片。
4.根据权利要求1所述的锑化铟芯片杂质清理方法，其特征在于，步骤S200中，采用光刻胶覆盖所述锑化铟芯片的表面器件后固化时间不少于2小时。
5.根据权利要求1所述的锑化铟芯片杂质清理方法，其特征在于，步骤S300中，腐蚀液采用40％氢氟酸和纯水按1:1配比配置，腐蚀时间为50s-60s。
6.根据权利要求2所述的锑化铟芯片杂质清理方法，其特征在于，步骤S700中，采用负胶显影液浸泡所述锑化铟芯片25min-35min。
7.根据权利要求1所述的锑化铟芯片杂质清理方法，其特征在于，步骤S400中，采用氮气枪对所述锑化铟芯片进行干燥处理。
8.根据权利要求1所述的锑化铟芯片杂质清理方法，其特征在于，步骤S400中，第一清洗液为纯水。
9.根据权利要求2所述的锑化铟芯片杂质清理方法，其特征在于，步骤S800中，第二清洗液为丙酮和酒精。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的锑化铟芯片杂质清理方法，其特征在于，所述锑化铟芯片的光敏元阵列为以下之一：128×128光敏元阵列、320×256光敏元阵列、1k×1k光敏元阵列。
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