CN115202164A - 一种干法去胶设备 - Google Patents
一种干法去胶设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115202164A CN115202164A CN202210598516.5A CN202210598516A CN115202164A CN 115202164 A CN115202164 A CN 115202164A CN 202210598516 A CN202210598516 A CN 202210598516A CN 115202164 A CN115202164 A CN 115202164A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cooling
- chamber
- cavity
- reaction
- wafer box
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明供了一种干法去胶设备,包括:反应室,具有反应腔,反应腔内设有用于放置圆晶及加热去胶的反应台;片盒室,具有片盒腔,片盒腔内设有用于存放和冷却圆晶的承载台;传送室,具有传送腔,传送腔内设有传送装置,传送装置用于将片盒腔内的圆晶传送至反应腔内,以及将反应腔内去胶的圆晶传送至片盒腔内;冷却装置,冷却装置连接传送装置用于冷却传送装置。将冷却装置连接片盒室,使得片盒室具有冷却功能,在片盒室内,能堆放、冷却圆晶,片盒室的功能多样化。干法去胶设备的传送过程仅有包括圆晶上料至反应室的上料传送和圆晶下料至片盒室的下料传送,上料和下料传送均两点传送,传送步骤少,传送过程简单,能够有效地减少工艺周期。
Description
技术领域
本发明涉及圆晶去胶设备领域,尤其涉及一种干法去胶设备。
背景技术
在圆晶的干法等离子体去胶工艺中,将晶圆放置于反应室中,并通入氧气。等离子体场把氧气激发到高能状态,从而将光刻胶氧化为气体,之后由真空泵从反应室吸走。等离子体光刻胶去除的主要优点是消除了液体槽和对化学品的操作,去胶操作简单、去胶效率高、表面干净光洁、无划痕、成本低、环保。
干法去胶设备都设计有一个冷却腔,晶圆去胶完成后,机械手会传到冷却腔进行冷却(持续时间约60S-180S),冷却完成才传到片盒,这种冷却设备存在工艺周期长的问题。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的之一在于提供一种干法去胶设备,以解决现有技术中圆晶在干法去胶设备的工艺周期长的技术问题。
本发明的目的之一采用如下技术方案实现:一种干法去胶设备,所述干法去胶设备包括:
反应室,具有反应腔,所述反应腔内设有用于放置圆晶及加热去胶的反应台;
片盒室,具有片盒腔,所述片盒腔内设有用于存放和冷却圆晶的承载台;
传送室,具有传送腔,所述传送腔内设有传送装置,所述传送装置用于将所述片盒腔内的圆晶传送至所述反应腔内,以及将所述反应腔内去胶的圆晶传送至所述片盒腔内;
冷却装置,所述冷却装置连接所述传送装置用于冷却所述传送装置。
可选地,所述传送装置包括移动装置和执行元件,所述执行元件设置于所述移动装置上;
所述冷却装置与所述执行元件连接以冷却所述执行元件。
可选地,所述执行元件内设有可供冷却流动的第二冷却回路;
所述冷却装置包括动力元件和可供冷却液流动的冷却管路,所述动力元件与所述冷却管路连接,所述冷却管路连通所述第二冷却回路;
所述第二冷却回路与所述冷却管路连通时,所述动力元件驱动所述冷却液在所述第二冷却回路和所述冷却管路中循环流动。
可选地,所述冷却装置还包括第二流量计和第二流量开关,所述第二流量计连接所述第二冷却回路用于测量所述第二冷却回路中的冷却液流量,所述第二流量开关连接所述第二冷却回路用于控制所述第二冷却回路中的冷却液流量。
可选地,所述传送装置上设有一组执行组,执行组包括两个轮换执行的所述执行元件。
可选地,所述移动装置包括X轴移动组件、Y轴移动组件、Z轴移动组件和旋转组件,所述Y轴移动组件设置于所述X轴移动组件上,所述Z轴移动组件设置于所述Y轴移动组件上,所述旋转组件设置于所述Z轴移动组件上;
所述执行元件设置于所述旋转组件上;
所述X轴移动组件、Y轴移动组件和Z轴移动组件带动所述旋转组件沿X轴、Y轴及Z轴移动。
可选地,所述片盒室上设有第一冷却回路;
所述冷却装置包括动力元件和可供冷却液流动的冷却管路,所述动力元件与所述冷却管路连接,所述冷却管路连通所述第一冷却回路;
所述第一冷却回路与所述冷却管路连通时,所述动力元件驱动所述冷却液在所述第一冷却回路和所述冷却管路中循环流动。
可选地,所述反应室的数量为至少两个,各所述反应腔内设有两个并排设置的反应台。
可选地,所述反应室和所述片盒室围绕所述传送室的周围布置。
可选地,所述传送室设有隔热层。
相比现有技术,本发明的有益效果在于:
本发明的干法去胶设备中,将冷却装置连接片盒室,使得片盒室具有冷却功能,在片盒室内,能堆放圆晶,同时也能够对圆晶进行冷却,片盒室的功能多样化。干法去胶设备的传送过程仅有包括圆晶上料至反应室的上料传送和圆晶下料至片盒室的下料传送,而且上料和下料传送均两点传送,传送步骤少,传送过程简单,能够有效地减少工艺周期。
附图说明
图1为本发明其中一实施例中干法去胶设备的示意图;
图2为本发明其中一实施例中干法去胶设备的冷却示意图。
图中:
1、反应室;11、反应台;
2、片盒室;21、承载台;22、第一冷却回路;
3、传送室;
4、冷却装置;41、动力元件;42、冷却管路;43、第一流量计;44、第一流量开关;45、第二流量计;46、第二流量开关;
5、传送装置;51、移动装置;52、执行元件;53、第二冷却回路。
具体实施方式
下面,结合附图1、附图2以及具体实施方式,对本发明做进一步描述,需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
在本发明提供了一种干法去胶设备,如图1、图2所示,干法去胶设备包括反应室1、片盒室2、传送室3和冷却装置4。反应室1具有反应腔,反应腔内设有用于放置圆晶及加热去胶的反应台11。片盒室2具有片盒腔,片盒腔内设有用于存放和冷却圆晶的承载台21。传送室3具有传送腔,传送腔内设有传送装置5,传送装置5用于将片盒腔内的圆晶传送至反应腔内,以及将反应腔内去胶的圆晶传送至片盒腔内。冷却装置4连接片盒室2用于冷却片盒室2。本实施例中,将冷却装置4连接片盒室2,使得片盒室2具有冷却功能,在片盒室2内,能堆放圆晶,同时也能够对圆晶进行冷却,片盒室2的功能多样化。干法去胶设备的传送过程仅有包括圆晶上料至反应室1的上料传送和圆晶下料至片盒室2的下料传送,而且上料和下料传送均两点传送,传送步骤少,传送过程简单,能够有效地减少工艺周期。
在一些实施例中,如图1、图2所示,片盒室2上设有第一冷却回路22。冷却装置4包括动力元件41和可供冷却液流动的冷却管路42,动力元件41与冷却管路42连接,冷却管路42连通第一冷却回路22。第一冷却回路22与冷却管路42连通时,动力元件41驱动冷却液在第一冷却回路22和冷却管路42中循环流动。
对于片盒室2上的第一冷却回路22,具体来说,第一冷却回路22可以是设置于片盒室2的侧壁上,也可以是在片盒室2内设置冷却墙或者热交换器,第一冷却回路22位于冷却墙或者热交换器内。
进一步地,如图2所示,冷却装置4还包括第一流量计43和第一流量开关44,第一流量计43连接第一冷却回路22用于测量第一冷却回路22中的冷却液流量,第一流量开关44连接第一冷却回路22用于控制第一冷却回路22中的冷却液流量。本实施例中,通过设置第一流量计43和第一流量开关44控制第一冷却回路22中的冷却液的流量,从而改变冷却装置4对片盒室2的冷却效果,调节片盒室2内的温度,调控片盒室2的冷却效果。
具体来说,片盒室2采用铝材空心制作,铝材内部设有前述第一冷却回路22。
为防止晶圆从片盒室2传送至反应室1产生的冷热突变,在圆晶传送至反应室1内后,先进行预热后进行加热去胶。
进一步地,如图1所示,传送装置5包括移动装置51和执行元件52,执行元件52设置于移动装置51上。冷却装置4与执行元件52连接以冷却执行元件52。具体来说,执行元件52为承托板,通过承托板承托圆晶,并且通过移动装置51带动承托板移动,从而实现元件在反应室1和片盒室2之间的传送。
对于移动装置51,具体来说,移动装置51包括X轴移动组件、Y轴移动组件、Z轴移动组件和旋转组件,Y轴移动组件设置于X轴移动组件上,Z轴移动组件设置于Y轴移动组件上,旋转组件设置于Z轴移动组件上。执行元件52设置于旋转组件上。X轴移动组件、Y轴移动组件和Z轴移动组件带动旋转组件沿X轴、Y轴及Z轴移动。
在一些传送装置5的实施例中,如图1所示,传送装置5上设有一组执行组,执行组包括两个轮换执行的执行元件52。在向反应室1传送圆晶时,其中一个执行元件52承载圆晶,另一个执行元件52空载。执行元件52移动至反应室1时,空载的执行元件52取下反应室1内的去胶圆晶,之后承载未去胶圆晶的执行元件52将未去胶的圆晶放入反应室1。在本实施例中,执行组中的两个执行元件52轮换处于承载或者空载状态,使得在依次传送过程能够完成未去胶圆晶和去胶圆晶的传送,提高了传送效率。
具体来说,执行组中的两个执行元件52相对设置,通过前述旋转组件旋转切换执行元件52。
执行元件52的进一步实施例中,执行元件52内设有可供冷却流动的第二冷却回路53。依据前述冷却装置4,可知冷却装置4包括动力元件41和可供冷却液流动的冷却管路42,动力元件41与冷却管路42连接,冷却管路42连通第二冷却回路53。第二冷却回路53与冷却管路42连通时,动力元件41驱动冷却液在第二冷却回路53和冷却管路42中循环流动。第二冷却回路53连通冷却管路42,执行元件52形成冷却效果,如此,能够在下料过程中即可实现对圆晶冷却,缩减圆晶在片盒室2的冷却时间,缩减工艺周期。
在一些冷却装置4的进一步实施例中,如图2所示,冷却装置4还包括第二流量计45和第二流量开关46,第二流量计45连接第二冷却回路53用于测量第二冷却回路53中的冷却液流量,第二流量开关46连接第二冷却回路53用于控制第二冷却回路53中的冷却液流量。本实施例中,通过设置第二流量计45和第二流量开关46控制第二冷却回路53中的冷却液的流量,从而改变冷却装置4对执行元件52的冷却效果,调节执行元件52的温度。
更重要的是,第二流量开关46能够对上料和下料进行区别控制,具体来说,在上料时,第二流量开关46关闭第二冷却回路53,避免冷却液在第二冷却回路53和冷却管路42中流通,此时传送装置5中的执行元件52在传送过程中,尤其是进入传送室3内后,温度上升,圆晶受执行元件52的影响而升高温度,使得圆晶在进入反应室1后,相对去胶时的加热温度,具有更小的温度差,避免受温度突变影响而产生不良品。
在下料时,第二流量开关46开启第二冷却回路53,第二冷却回路53连通冷却管路42,执行元件52的温度下降,如此,能够在下料过程中即可实现对圆晶冷却,缩减圆晶在片盒室2的冷却时间,缩减了工艺周期。
对于前述第一流量开关44、第二流量开关46,具体可以是控制阀,比如电磁阀、电动阀等。
在一些实施例中,如图1所示,反应室1的数量为至少两个,各反应腔内设有两个并排设置的反应台11。增加反应室1数量,同时进行多个圆晶去胶,提高生产效率。
当然,送装置上设有两组并排设置的执行组。
进一步地,如图1所示,反应室1和片盒室2围绕传送室3的周围布置。在片盒室2为冷却室,其温度较低,反应室1为加热室,片盒室2和反应室1温度差距大,直接将圆晶从片盒室2传送至反应室1,圆晶温度变化过快,对圆晶良率产生影响。如图1所示,在本实施例的圆晶的传送过程中,向反应室1传送时,圆晶依次经过片盒室2、传送室3和反应室1,片盒室2为传送过程中的缓冲区域,使得圆晶的温度上升。
另外,如此布置还能缩短传送距离,缩减设备体积,减少干法去胶设备的占地面积。
在一些传送室3的实施例中,传送室3用铝材实心制作,防止片盒室2上的第一冷却回路22中的冷却液流入到传送室3及反应室1,避免第一冷却回路22对反应室1的加热造成影响,也避免反应室1的温度影响第一冷却回路22的冷却效果。
更进一步地,传送室3设有隔热层。隔热层能够减少片盒室2和传送室3的冷热交换,能够减少片盒室2的热量散失,同时提升传送室3的温度,提高传送室3对圆晶的温度缓冲效果。
上述实施方式仅为本发明的优选实施方式,不能以此来限定本发明保护的范围,本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。
Claims (10)
1.一种干法去胶设备,其特征在于,所述干法去胶设备包括:
反应室,具有反应腔,所述反应腔内设有用于放置圆晶及加热去胶的反应台;
片盒室,具有片盒腔,所述片盒腔内设有用于存放和冷却圆晶的承载台;
传送室,具有传送腔,所述传送腔内设有传送装置,所述传送装置用于将所述片盒腔内的圆晶传送至所述反应腔内,以及将所述反应腔内去胶的圆晶传送至所述片盒腔内;
冷却装置,所述冷却装置连接所述片盒室用于冷却所述片盒室。
2.如权利要求1所述的干法去胶设备,其特征在于,所述片盒室上设有第一冷却回路;
所述冷却装置包括动力元件和可供冷却液流动的冷却管路,所述动力元件与所述冷却管路连接,所述冷却管路连通所述第一冷却回路;
所述第一冷却回路与所述冷却管路连通时,所述动力元件驱动所述冷却液在所述第一冷却回路和所述冷却管路中循环流动。
3.如权利要求2所述的干法去胶设备,其特征在于,所述冷却装置还包括第一流量计和第一流量开关,所述第一流量计连接所述第一冷却回路用于测量所述第一冷却回路中的冷却液流量,所述第一流量开关连接所述第一冷却回路用于控制所述第一冷却回路中的冷却液流量。
4.如权利要求1所述的干法去胶设备,其特征在于,所述传送装置包括移动装置和执行元件,所述执行元件设置于所述移动装置上;
所述冷却装置还与所述执行元件连接以冷却所述执行元件。
5.如权利要求4所述的干法去胶设备,其特征在于,所述执行元件内设有可供冷却流动的第二冷却回路;
所述冷却装置包括动力元件和可供冷却液流动的冷却管路,所述动力元件与所述冷却管路连接,所述冷却管路连通所述第二冷却回路;
所述第二冷却回路与所述冷却管路连通时,所述动力元件驱动所述冷却液在所述第二冷却回路和所述冷却管路中循环流动。
6.如权利要求5所述的干法去胶设备,其特征在于,所述冷却装置还包括第二流量计和第二流量开关,所述第二流量计连接所述第二冷却回路用于测量所述第二冷却回路中的冷却液流量,所述第二流量开关连接所述第二冷却回路用于控制所述第二冷却回路中的冷却液流量。
7.如权利要求5所述的干法去胶设备,其特征在于,所述传送装置上设有一组执行组,执行组包括两个轮换执行的所述执行元件。
8.如权利要求5所述的干法去胶设备,其特征在于,所述移动装置包括X轴移动组件、Y轴移动组件、Z轴移动组件和旋转组件,所述Y轴移动组件设置于所述X轴移动组件上,所述Z轴移动组件设置于所述Y轴移动组件上,所述旋转组件设置于所述Z轴移动组件上;
所述执行元件设置于所述旋转组件上;
所述X轴移动组件、Y轴移动组件和Z轴移动组件带动所述旋转组件沿X轴、Y轴及Z轴移动。
9.如权利要求1所述的干法去胶设备,其特征在于,所述反应室的数量为至少两个,各所述反应腔内设有两个并排设置的反应台,所述反应室和所述片盒室围绕所述传送室的周围布置。
10.如权利要求9所述的干法去胶设备,其特征在于,所述传送室设有隔热层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210598516.5A CN115202164A (zh) | 2022-05-30 | 2022-05-30 | 一种干法去胶设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210598516.5A CN115202164A (zh) | 2022-05-30 | 2022-05-30 | 一种干法去胶设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115202164A true CN115202164A (zh) | 2022-10-18 |
Family
ID=83576714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210598516.5A Pending CN115202164A (zh) | 2022-05-30 | 2022-05-30 | 一种干法去胶设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115202164A (zh) |
-
2022
- 2022-05-30 CN CN202210598516.5A patent/CN115202164A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7371998B2 (en) | Thermal wafer processor | |
CN101799624B (zh) | 基板处理装置 | |
TWI459493B (zh) | Vacuum processing device | |
KR20120120052A (ko) | 로딩 유닛 및 처리 시스템 | |
CN101329996B (zh) | 基片处理装置 | |
CN1702023B (zh) | 基板运载装置及具有该装置的基板处理装置 | |
JP2000306978A (ja) | 基板処理装置、基板搬送装置、および基板処理方法 | |
KR100848767B1 (ko) | 기판의 열처리 방법 및 기판의 열처리 장치 | |
KR101999890B1 (ko) | 열처리 장치, 기판 처리 장치 및 열처리 방법 | |
KR20010050849A (ko) | 기판처리장치 | |
US20040177926A1 (en) | Method and apparatus for processing substrates and method for manufacturing a semiconductor device | |
KR20040028964A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
TW517092B (en) | High-temperature and high-pressure treatment device | |
KR20140075625A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2008103707A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
CN217879984U (zh) | 一种干法去胶设备 | |
JP6422673B2 (ja) | 基板処理装置 | |
CN115202164A (zh) | 一种干法去胶设备 | |
US20060156982A1 (en) | Apparatus for fabricating semiconductor device | |
CN212770954U (zh) | 一种预热型管式pecvd设备 | |
KR20220130625A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체에 기록된 프로그램 | |
CN212058211U (zh) | 中转装置及烘干设备 | |
KR101578081B1 (ko) | 기판처리시스템 | |
CN111219978A (zh) | 中转装置及烘干设备 | |
CN211238176U (zh) | 晶圆热处理设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |