CN115182718A - 识别水侵层的确定方法、装置、终端和存储介质 - Google Patents

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CN115182718A CN202110371495.9A CN202110371495A CN115182718A CN 115182718 A CN115182718 A CN 115182718A CN 202110371495 A CN202110371495 A CN 202110371495A CN 115182718 A CN115182718 A CN 115182718A
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Abstract

本申请提供了一种识别水侵层的确定方法、装置、终端和存储介质，属于石油开发技术领域。方法包括：基于原始时期和开发时期的储层检测数据，分别确定目标储层在原始时期和开发时期的第一测井曲线，目标储层包括多个储层块，第一测井曲线包括每个储层块的自然伽马与电阻率的第一交会曲线；基于目标储层在原始时期的第一交会曲线中，确定目标储层块，目标储层块的自然伽马的最小值与电阻率的最大值为对称状态，将目标储层块确定为气层；从气层在开发时期的第一交会曲线、电阻率直方图、电阻率趋势图中的至少一项确定气层的电阻率变化参数；若电阻率变化参数用于表示气层的电阻率状态发生改变，确定气层为水侵层，该方法提高了识别水侵层的准确度。

Description

识别水侵层的确定方法、装置、终端和存储介质
技术领域
本申请涉及石油开发技术领域，特别涉及一种识别水侵层的确定方法、装置、终端和存储介质。
背景技术
在气田开发中后期，储层中的气层会受到边底水的侵袭转变为水侵层，而水侵层会导致气井产能，气井采收率和气田开发效益下降，因此，开发气田时不仅需要识别气层以对气层进行开发，还要识别气层被水侵后变为的水侵层，以对水侵层及时治理，进而提高气田的开发效率。
相关技术中，通过测井仪器测量储层的声波时差，当储层中的某一储层块的声波时差偏大或出现周波跳跃现象时，确定该储层块为气层。但由于储层中物性较好的储层块的声波时差也会存在偏大的情况，使得储层中的气层与物性较好的储层块的声波时差区别不明显，导致通过声波时差确定气层时容易产生误差，使确定的气层不准确。而识别水侵层时，是通过测井仪器测量确定的气层的电阻率，当该电阻率低于预设值时，确定该气层被水侵；可知，当通过声波时差确定的气层不准确时，通过电阻率确定气层是否被水侵的结果也就不准确，进而不能准确识别水侵层。
发明内容
本申请实施例提供了一种识别水侵层的确定方法、装置、终端和存储介质，能够提高识别水侵层的准确度。所述技术方案如下：
一方面，提供了一种识别水侵层的确定方法，所述方法包括：
获取待研究的目标储层分别在原始时期和开发时期的储层检测数据；
基于所述原始时期和所述开发时期的储层检测数据，分别确定所述目标储层在所述原始时期和开发时期的第一测井曲线，所述目标储层包括多个储层块，所述第一测井曲线包括每个储层块的自然伽马与电阻率的第一交会曲线；
基于所述目标储层在所述原始时期的第一交会曲线中，确定目标储层块，所述目标储层块的自然伽马的最小值与电阻率的最大值为对称状态，将所述目标储层块确定为气层；
获取所述气层在所述开发时期的电阻率直方图和电阻率趋势图；
从所述气层在开发时期的第一交会曲线、电阻率直方图、电阻率趋势图中的至少一项确定所述气层的电阻率变化参数；
若所述电阻率变化参数用于表示所述气层的电阻率状态发生改变，确定所述气层为水侵层。
在一种可能的实现方式中，所述第一测井曲线还包括所述每个储层块的密度与中子的第二交会曲线和所述每个储层块的岩性曲线；
所述从所述气层在开发时期的第一交会曲线、电阻率直方图、电阻率趋势图中的至少一项确定所述气层的电阻率变化参数，包括：
若所述目标储层块在所述原始时期的第二交会曲线、岩性曲线和第一交会曲线满足第一目标条件，确定所述气层为差气层；
从所述差气层在开发时期的电阻率直方图中，确定所述差气层的电阻率变化参数。
在一种可能的实现方式中，所述第一测井曲线还包括所述每个储层块的密度与中子的第二交会曲线和所述每个储层块的岩性曲线；
所述从所述气层在开发时期的第一交会曲线、电阻率直方图、电阻率趋势图中的至少一项确定所述气层的电阻率变化参数，包括：
若所述目标储层块在所述原始时期的第二交会曲线、岩性曲线和第一交会曲线满足第二目标条件，确定所述气层为气水层；
从所述气水层在开发时期的电阻率趋势图中，确定所述气水层的电阻率变化参数。
在一种可能的实现方式中，所述第一测井曲线还包括所述每个储层块的密度与中子的第二交会曲线和所述每个储层块的岩性曲线；
所述从所述气层在开发时期的第一交会曲线、电阻率直方图、电阻率趋势图中的至少一项确定所述气层的电阻率变化参数，包括：
若所述目标储层块在所述原始时期的第二交会曲线、岩性曲线和第一交会曲线满足第三目标条件，确定所述气层为单砂体；
从所述单砂体在开发时期的第一交会曲线中，确定所述单砂体的电阻率变化参数。
在一种可能的实现方式中，所述储层检测数据包括测井数据和岩心数据；
所述基于所述原始时期和所述开发时期的测井数据，分别确定所述目标储层在所述原始时期和开发时期的第一测井曲线，包括：
对于每个时期，对所述时期的岩心数据和测井数据进行标准化处理；
基于标准化处理后的测井数据，绘制所述目标储层的第二测井曲线；
基于所述标准化处理后的岩心数据，对所述第二测井曲线进行深度校正，得到所述第一测井曲线。
在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：
获取所述水侵层的测井解释参数，所述测井解释参数包括可动水饱和度、水气比、水侵厚度比例中的至少一项；
基于所述测井解释参数，确定所述水侵层的级别。
在一种可能的实现方式中，所述测井解释参数包括可动水饱和度、水气比、水侵厚度比例，所述基于所述测井解释参数，确定所述水侵层的级别，包括：
响应于所述水气比介于第一预设水气比与第二预设水气比之间、所述可动水饱和度小于第一预设可动水饱和度、所述水侵厚度比例小于第一预设比例，确定所述水侵层的级别为第一级水侵，其中，所述第一预设水气比小于所述第二预设水气比；
响应于所述水气比介于所述第二预设水气比与第三预设水气比之间、所述可动水饱和度介于所述第一预设可动水饱和度与第二预设可动水饱和度之间、所述水侵厚度比例介于所述第一预设比例与第二预设比例之间，确定所述水侵层的级别为第二级水侵，其中，所述第二预设水气比小于所述第三预设水气比，所述第一预设可动水饱和度小于所述第二预设可动水饱和度，所述第一预设比例小于所述第二预设比例；
响应于所述水气比大于所述第三预设水气比、所述可动水饱和度大于所述第二预设可动水饱和度、水侵厚度比例大于所述第二预设比例，确定所述水侵层的级别为第三级水侵。
另一方面，提供了一种识别水侵层的确定装置，所述装置包括：
第一获取模块，用于获取待研究的目标储层分别在原始时期和开发时期的储层检测数据；
第一确定模块，用于基于所述原始时期和所述开发时期的储层检测数据，分别确定所述目标储层在所述原始时期和开发时期的第一测井曲线，所述目标储层包括多个储层块，所述第一测井曲线包括每个储层块的自然伽马与电阻率的第一交会曲线；
第二确定模块，用于基于所述目标储层在所述原始时期的第一交会曲线中，确定目标储层块，所述目标储层块的自然伽马的最小值与电阻率的最大值为对称状态，将所述目标储层块确定为气层；
第二获取模块，用于获取所述气层在所述开发时期的电阻率直方图和电阻率趋势图；
第三确定模块，用于从所述气层在开发时期的第一交会曲线、电阻率直方图、电阻率趋势图中的至少一项确定所述气层的电阻率变化参数；
第四确定模块，用于若所述电阻率变化参数用于表示所述气层的电阻率状态发生改变，确定所述气层为水侵层。
在一种可能的实现方式中，所述第一测井曲线还包括所述每个储层块的密度与中子的第二交会曲线和所述每个储层块的岩性曲线；
所述第三确定模块，包括：
第一确定单元，用于若所述目标储层块在所述原始时期的第二交会曲线、岩性曲线和第一交会曲线满足第一目标条件，确定所述气层为差气层；
第二确定单元，用于从所述差气层在开发时期的电阻率直方图中，确定所述差气层的电阻率变化参数。
在一种可能的实现方式中，所述第一测井曲线还包括所述每个储层块的密度与中子的第二交会曲线和所述每个储层块的岩性曲线；
所述第三确定模块，包括：
第三确定单元，用于若所述目标储层块在所述原始时期的第二交会曲线、岩性曲线和第一交会曲线满足第二目标条件，确定所述气层为气水层；
第四确定单元，用于从所述气水层在开发时期的电阻率趋势图中，确定所述气水层的电阻率变化参数。
在一种可能的实现方式中，所述第一测井曲线还包括所述每个储层块的密度与中子的第二交会曲线和所述每个储层块的岩性曲线；
所述第三确定模块，包括：
第五确定单元，用于若所述目标储层块在所述原始时期的第二交会曲线、岩性曲线和第一交会曲线满足第三目标条件，确定所述气层为单砂体；
第六确定单元，用于从所述单砂体在开发时期的第一交会曲线中，确定所述单砂体的电阻率变化参数。
在一种可能的实现方式中，所述储层检测数据包括测井数据和岩心数据；
所述第一确定模块，包括：
处理单元，用于对于每个时期，对所述时期的岩心数据和测井数据进行标准化处理；
绘制单元，用于基于标准化处理后的测井数据，绘制所述目标储层的第二测井曲线；
校正单元，用于基于所述标准化处理后的岩心数据，对所述第二测井曲线进行深度校正，得到所述第一测井曲线。
在一种可能的实现方式，所述装置还包括：
第三获取模块，用于获取所述水侵层的测井解释参数，所述测井解释参数包括可动水饱和度、水气比、水侵厚度比例中的至少一项；
第五确定模块，用于基于所述测井解释参数，确定所述水侵层的级别。
在一种可能的实现方式中，所述测井解释参数包括可动水饱和度、水气比、水侵厚度比例，所述第五确定模块，包括：
第七确定单元，用于响应于所述水气比介于第一预设水气比与第二预设水气比之间、所述可动水饱和度小于第一预设可动水饱和度、所述水侵厚度比例小于第一预设比例，确定所述水侵层的级别为第一级水侵，其中，所述第一预设水气比小于所述第二预设水气比；
第八确定单元，用于响应于所述水气比介于所述第二预设水气比与第三预设水气比之间、所述可动水饱和度介于所述第一预设可动水饱和度与第二预设可动水饱和度之间、所述水侵厚度比例介于所述第一预设比例与第二预设比例之间，确定所述水侵层的级别为第二级水侵，其中，所述第二预设水气比小于所述第三预设水气比，所述第一预设可动水饱和度小于所述第二预设可动水饱和度，所述第一预设比例小于所述第二预设比例；
第九确定单元，用于响应于所述水气比大于所述第三预设水气比、所述可动水饱和度大于所述第二预设可动水饱和度、水侵厚度比例大于所述第二预设比例，确定所述水侵层的级别为第三级水侵。
另一方面，提供了一种终端，所述终端包括一个或多个处理器和一个或多个存储器，所述一个或多个存储器中存储有至少一条指令，所述至少一条指令由所述一个或多个处理器加载并执行以实现上述任一实现方式所述的识别水侵层的确定方法中的指令。
另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储至少一条程序代码，所述至少一条程序代码由处理器加载并执行，以实现上述任一实现方式所述的识别水侵层的确定方法中的步骤。
另一方面，提供了一种计算机程序产品或计算机程序，所述计算机程序产品或所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码存储在计算机可读存储介质中。终端的处理器从计算机可读存储介质读取所述计算机程序代码，处理器执行所述计算机程序代码，使得所述终端执行上述的识别水侵层的确定方法所执行的操作。
本申请实施例提供的技术方案的有益效果至少包括：
本申请实施例提供了一种识别水侵层的确定方法，该方法能够确定目标储层在原始时期的每个储层块的自然伽马与电阻率的第一交会曲线，进而通过第一交会曲线中的自然伽马与电阻率的对称状态，能够确定目标储层中的气层，这样，该方法通过结合自然伽马和电阻率这两种储层检测数据来确定目标储层中的气层，提高了确定气层的准确度，进而通过确定的气层在开发时期的电阻率变化参数，确定气层是否被水侵，这样基于准确识别的气层来确定气层是否被水侵，能够准确识别水侵层，提高了识别水侵层的准确度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种识别水侵层的确定方法的流程图；
图2是本申请实施例提供的一种气层的第一交会曲线图；
图3是本申请实施例提供的一种电阻率直方图；
图4是本申请实施例提供的一种电阻率曲线图；
图5是本申请实施例提供的一种第一交会曲线对比图；
图6是本申请实施例提供的一种测井解释曲线图；
图7是本申请实施例提供的一种电阻率曲线对比图；
图8是本申请实施例提供的一种多井间的第一交会曲线图；
图9是本申请实施例提供的一种识别水侵层的确定装置的示意图；
图10是本申请实施例提供的一种终端的框图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
本申请的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们的任意变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
本申请提供了一种识别水侵层的确定方法，参见图1，该方法包括：
步骤101：终端获取待研究的目标储层分别在原始时期和开发时期的储层检测数据。
其中，目标储层可以为疏松砂岩边水气藏储层；储层检测数据包括测井数据和岩心数据；储层检测数据从测井资料中获取。
其中，原始时期为目标储层在未开发时的时期，开发时期为目标储层在开发时的时期。
步骤102：终端基于原始时期和开发时期的储层检测数据，分别确定目标储层在原始时期和开发时期的第一测井曲线。
其中，目标储层包括多个储层块，第一测井曲线包括每个储层块的自然伽马与电阻率的第一交会曲线；第一测井曲线还包括每个储层块的密度与中子的第二交会曲线和每个储层块的岩性曲线。
该步骤可以通过以下步骤(1)-(3)实现：
(1)终端对于每个时期，对时期的岩心数据和测井数据进行标准化处理。
其中，岩心数据包括岩心的孔隙度数据、渗透率数据、饱和度数据和颗粒密度数据等多种数据。
其中，测井数据包括目标储层的电阻率数据、自然伽马数据、中子数据、密度数据和自然电位数据等多种数据。
其中，由于岩心数据和测井数据分别包括多种数据，而多种数据分别通过不同的测量仪器测得，不同的测量仪器测得的数据类型不同，数据类型可以为分数、百分数、小数中的至少一种。
在一种可能的实现方式中，终端通过建立数据统一模型，将岩心数据和测井数据统一为分数、百分数、小数中的至少一种，使多种数据的数据类型相同。
在本申请实施例中，通过将岩心数据和测井数据进行标准化处理，能够将测井数据和岩心数据统一化，进而能够基于标准化处理后的岩心数据和测井数据快速确定第一测井曲线。
(2)终端基于标准化处理后的测井数据，绘制目标储层的第二测井曲线。
其中，第二测井曲线包括未校正的第一交会曲线、第二交会曲线和岩性曲线。
其中，测井数据包括目标储层的电阻率数据、自然伽马数据、中子数据、密度数据和自然电位数据。
终端通过电阻率数据和自然伽马数据绘制未校正的第一交会曲线；终端通过中子数据和密度数据绘制第二交会曲线；岩性曲线包括自然电位曲线和自然伽马曲线，终端通过自然电位数据和自然伽马数据绘制岩性曲线。
(3)终端基于标准化处理后的岩心数据，对第二测井曲线进行深度校正，得到第一测井曲线。
其中，岩心数据是通过钻井作业将目标储层中一定深度的岩心取出到地面后进行岩心实验得到的数据，而测井数据是通过钻井作业将测井仪器下到井下，通过测井仪器在井下测量的数据，由于钻井作业中的系统误差和人为误差，岩心数据对应的目标储层深度与测井数据对应的目标储层深度是有差别的，但同一深度的岩心数据和测井数据是匹配的，因此，终端基于岩心数据，能够对第二井曲线中的深度进行校正。
其中，岩心数据包括岩心的孔隙度数据、渗透率数据、饱和度数据和颗粒密度数据等多种数据，用于表示目标储层的物性；测井数据包括目标储层的电阻率数据、自然伽马数据、中子数据、密度数据和自然电位数据等多种数据，用于表示目标储层的岩性和电性，而同一深度目标储层的物性是与岩性和电性匹配的；若目标储层的岩心数据的第一目标深度与第二测井曲线中测井数据的第二目标深度不同，则将第二测井曲线中的第二目标深度校正为第一目标深度。
在本申请实施例中，通过对第一测井曲线进行校正，能够提高第一测井曲线的准确度，进而能够提高基于第一测井曲线确定的气层的准确度。
在一种可能的实现方式中，岩心数据还包括对岩心进行水敏实验和速敏实验后的数据，水敏实验是对岩心进行水侵实验，速敏实验是对岩心进行不同水速的水侵实验；将岩心水侵前后的岩心数据与测井数据匹配，可得到水侵层的测井数据的响应特征数据库，进而通过测井数据确定水侵层时，若测得的测井数据与响应特征数据库中的数据匹配，则可确定水侵层。
步骤103：终端基于目标储层在原始时期的第一交会曲线中，确定目标储层块，目标储层块的自然伽马的最小值与电阻率的最大值为对称状态，将目标储层块确定为气层。
其中，目标储层块虽然岩性差异大，但是岩性组分相对稳定，主要通过岩石颗粒粗细和泥质含量高低控制储层块的差异，储层块孔隙度变化范围小，物性差异与总孔隙度关系不密切，但与自然伽马测井关系密切。自然伽马的最小值对应目标储层中岩性最纯、物性最发育、含气饱和度最高的位置，而电阻率的最大值对应的目标储层中的气层，通过自然伽马与电阻率可共同确定气层。参见图2，图2为多种不同气层在原始时期和开发时期的第一交会曲线，多种气层在原始时期的自然伽马的最小值与电阻率的最大值为对称状态。
在本申请实施例中，通过结合自然伽马和电阻率两种储层检测数据确定目标储层中的气层，能够提高确定的气层的准确度。
其中，电阻率包括深感应电阻率和侧向电阻率。第一交会曲线包括自然伽马的最小值与电阻率的最大值的交会曲线，以及自然伽马的最小值与侧向电阻率的最大值的交会曲线。
若目标储层块为高渗透层，目标储层块的自然伽马的最小值与深感应电阻率的最大值为对称状态；若目标储层块为低渗透层，目标储层块的自然伽马的最小值与侧向电阻率的最大值为对称状态。
其中，终端对侧向电阻率和深感应电阻率进行标准化处理，使侧向电阻率和深感应电阻率的数据类型相同，进而能将侧向电阻率和深感应电阻率统一到第一交会曲线的数据类型中。
步骤104：终端获取气层在开发时期的电阻率直方图和电阻率趋势图。
其中，电阻率直方图为电阻率与采样频数的直方图，电阻率趋势图为电阻率在目标储层的等值线图；电阻率直方图和电阻率趋势图可直接从测井资料中获取。
步骤105：终端从气层在开发时期的第一交会曲线、电阻率直方图、电阻率趋势图中的至少一项确定气层的电阻率变化参数。
该步骤可以由以下任一一种实现方式来实现：
在一种可能的实现方式中，若目标储层块在原始时期的第二交会曲线、岩性曲线和第一交会曲线满足第一目标条件，终端确定气层为差气层；从差气层在开发时期的电阻率直方图中，确定差气层的电阻率变化参数。
其中，第一目标条件为第二交会曲线中密度曲线和中子曲线无异常、岩性岩心曲线中自然伽马值低于预设自然伽马值，自然电位曲线无异常、第一交会曲线中电阻率曲线呈锯齿状的曲线响应特征。
其中，差气层包括薄砂层和薄互层，呈低含气状态，渗透率低；薄砂层岩性细、物性差，饱和度较低；薄互层呈现隔夹层发育的叠合形态。
继续参见图2，薄砂层的第一交会曲线对称形态较差，交会面积小，水侵后电阻率曲线多呈现平直状态，通过第一交会曲线确定水侵层较为困难。薄互层较为常见隔夹层发育的迭合形态，多个夹层的厚度低于电阻率测量仪器的最低测量厚度，因此，测得的薄互层的电阻率多为泥质和砂岩交互的多层的平均电阻率，测得的电阻率准确度低，且薄互层的渗透层特征明显，薄互层被水侵后，从第一交会曲线上可见局部的水侵状态或从下部开始水侵状态，随着水侵的加剧，第一交会曲线上的对称状态逐步向正相关状态变化，对称形态较差，通过第一交会曲线确定水侵层较为困难。由薄砂层和薄互层的特征可知，差气层饱和程度低，在水侵阶段因压力下降，使泥浆侵入程度加深，导致水侵层的电阻率高于真实电阻率，差气层水侵后在电阻率曲线上的变化较小，而差气层被水侵后电阻率直方图变化明显，因此采用电阻率直方图确定差气层是否被水侵。
其中，差气层的电阻率变化参数包括电阻率峰值发生改变和电阻率峰值未发生改变。差气层的电阻率直方图在原始时期为右片峰状态，若差气层的电阻率直方图在开发时期变为正态分布状态，则确定电阻率变化参数为电阻率峰值发生改变；若差气层的电阻率直方图在开发时期为右片峰状态，则终端确定电阻率变化参数为电阻率峰值未发生改变。
在一种可能的实现方式中，若目标储层块在原始时期的第二交会曲线、岩性曲线和第一交会曲线满足第二目标条件，终端确定气层为气水层；终端从气水层在开发时期的电阻率趋势图中，确定气水层的电阻率变化参数。
其中，第二目标条件为第二交会曲线中密度曲线上有明显的幅度变化，且气层部分密度小，水层部分密度大，中子曲线上有不明显的变化，气层部分中子幅度高，水层部分中子幅度低、第一交会曲线中电阻率曲线和自然伽马曲线无异常、岩性曲线中自然电位曲线和自然伽马曲线无异常的曲线响应特征。
其中，气水层同时包含水层和气层，随着水侵的进行，电阻率曲线上的变化较小，而气水层被水侵后电阻率趋势图变化明显，因此采用电阻率趋势图确定气水层是否被水侵。
其中，气水层的电阻率变化参数包括电阻率局部突出或电阻率未变化，气水层的电阻率趋势图在原始时期电阻率自中心向外围下降幅度依次降低，若气水层的电阻率趋势图在开发时期电阻率出现局部突出状态，则确定气水层的电阻率变化参数为电阻率局部突出；若气水层的电阻率趋势图在开发时期电阻率为自中心向外围下降幅度依次降低，则终端确定气水层的电阻率变化参数为电阻率未变化。
在一种可能的实现方式中，若目标储层块在原始时期的第二交会曲线和岩性曲线满足第三目标条件，终端确定气层为单砂体；从单砂体在开发时期的第一交会曲线中，确定单砂体的电阻率变化参数。
其中，第三目标条件为第二交会曲线上中子值偏低，密度值为2-2.5g/cm3、岩性曲线上自然电位值偏低，自然伽马无异常、第一交会曲线上自然伽马曲线和电阻率曲线交会面积大的曲线响应特征。
其中，单砂体的厚度在1.5米以上，岩心均匀，物性发育，含气高，孔隙性和渗透性高；由于单砂体厚度大，单砂体被水侵后，电阻率曲线上电阻率变化明显，多见从下部开始的水侵，电阻率下降或电阻率峰值移动，进而通过电阻率变化可快速直观的显示单砂体被水侵的位置和厚度。
其中，单砂体的电阻率变化参数包括电阻率下降或电阻率未下降，单砂体的第一交会曲线在原始时期自然伽马的最小值与电阻率的最大值为对称状态，若单砂体的第一交会曲线在开发时期电阻率下降，使对称状态发生改变，则确定单砂体的电阻率变化参数为电阻率下降；若单砂体的第一交会曲线在开发时期电阻率未下降，对称状态未发生改变，则终端确定单砂体的电阻率变化参数为电阻率未下降。
步骤106：若电阻率变化参数用于表示气层的电阻率状态发生改变，终端确定气层为水侵层。
该步骤可以由以下任一一种实现方式来实现：
在一种可能的实现方式中，若差气层的电阻率直方图在开发时期电阻值的峰值发生改变，电阻率直方图变为正态分布状态，则终端确定差气层为水侵层。
参见图3，以差气层4-2-1层为例，差气层在未被水侵的原始时期，电阻率直方图上的电阻率的峰值位于最右侧，为右片峰状态；差气层为水侵层后，电阻率直方图上的电阻率峰值向左侧偏移，呈现正态分布状态。
在一种可能的实现方式中，对于气层为气水层，若气水层的电阻率趋势图在开发时期电阻率出现局部突出状态，则终端确定气水层为水侵层。
图4为气水层在开发时期的电阻率趋势图，气水层被水侵后，发生水侵区域的电阻率出现了明显的局部突出状态。
在一种可能的实现方式中，对于气层为单砂体，若单砂体的第一交会曲线在开发时期电阻率下降，使对称状态改变，则终端确定单砂体为水侵层。
参见图5，以3-2-1层和3-3-1层的单砂体在2008年的原始时期和2016年的开发时期的第一交会曲线为例，第一交会曲线在原始时期的3-2-1层和3-3-1层，自然伽马的最小值与电阻率的最大值为对称状态，而在开发时期的3-2-1层和3-3-1层电阻率降低，对称状态改变，则确定3-2-1层和3-3-1层的单砂体被水侵，变为水侵层。
在本申请实施例中，能够准确确定差气层、气水层和单砂体是否被水侵。由于疏松砂岩边水气藏储层具有“高矿化度、高孔隙度、高粘土含量、低电阻”的特征，层间非均质严重，导致储层成岩作用差，胶结程度低，其纵向上的储藏气体的气砂体数量多且厚度薄，包括差气层、气水层和单砂体等多种气层，气层被水侵后，电阻率下降的幅度不明显，难以准确确定水侵层，通过本申请实施例提供的识别水侵层的确定方法，能够准确识别疏松砂岩边水气藏储层的水侵层。
在本申请实施例中，通过上述步骤101-106，能够确定目标储层中的气层，以及通过确定的气层在开发时期的电阻率变化参数，能够确定气层是否被水侵，识别水侵层，本申请实施例还可以通以下步骤107-108确定水侵层的级别。
步骤107：终端获取水侵层的测井解释参数。
其中，测井解释参数包括可动水饱和度、水气比、水侵厚度比例中的至少一项。
其中，可动水饱和度、水气比可直接从测井资料中的测井解释曲线中获取；参见图6，图6为测井解释曲线，可动水饱和度、水气比可直接从测井解释曲线中获取；图6中GR表示自然伽马，SP表示自然电位。
其中，水侵厚度比例为水侵层在开发时期下降的电阻率对应的砂体厚度占开发时期的电阻率对应的砂体厚度的比例。终端通过对比原始时期的电阻率曲线与开发时期的电阻率曲线，确定水侵层厚度。参见图7，终端将水侵层在原始时期的电阻率曲线与开发时期的电阻率曲线重叠，可确定水侵比例厚度。
步骤108：终端基于测井解释参数，确定水侵层的级别。
在该步骤中，测井解释参数包括可动水饱和度、水气比、水侵厚度比例；该步骤可以由以下任一一种实现方式来实现：
在一种可能的实现方式中，终端响应于水气比介于第一预设水气比与第二预设水气比之间、可动水饱和度小于第一预设可动水饱和度、水侵厚度比例小于第一预设比例，确定水侵层的级别为第一级水侵，其中，第一预设水气比小于第二预设水气比。
其中，在气层的原始时期，气层的水气比小于第一预设水气比；第一预设水气比为0.5m3/104m3，第二预设水气比为2m3/104m3，第一预设可动水饱和度为10.0％，第一预设比例为25％，第一级水侵为弱水侵。在第一级水侵中，电阻率幅度局部下降。
在另一种可能的实现方式中，终端响应于水气比介于第二预设水气比与第三预设水气比之间、可动水饱和度介于第一预设可动水饱和度与第二预设可动水饱和度之间、水侵厚度比例介于第一预设比例与第二预设比例之间，确定水侵层的级别为第二级水侵，其中，第二预设水气比小于第三预设水气比，第一预设可动水饱和度小于第二预设可动水饱和度，第一预设比例小于第二预设比例。
其中，第三预设水气比为5m3/104m3，第二预设可动水饱和度为15.0％，第二预设比例为50％，第二级水侵为中等水侵。在第二级水侵中，电阻率幅度下降明显，对称状态中的电阻率峰值变化平缓。
在另一种可能的实现方式中，终端响应于水气比大于第三预设水气比、可动水饱和度大于第二预设可动水饱和度、水侵厚度比例大于第二预设比例，确定水侵层的级别为第三级水侵。
其中，第三级水侵为强水侵；在第三级水侵中，电阻率幅度下降明显，电阻率的峰值出现对称反转状态。
在本申请实施例中，通过确定水侵层的水侵级别，还能够确定水侵层的投产特征；当气层未被水侵时，气层产能稳定；当水侵层为第一级水侵时，水侵层产能较高，含水波动；当水侵层为第二级水侵时，水侵层含水快速持续升高；当水侵层为第三级水侵时，水侵层高含水保持高位波动。
其中，水侵层确定级别的具体参数参见表1。
表1
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在本申请实施例中，通过定性确定水侵层以及定量确定水侵层的级别，能够指导产能建设部署与调整、优化调整新投井射孔层位以及深化气藏水侵认识，为综合治水方案提供可靠的地质基础；具体体现在以下几个方面中：
(1)在指导产能建设部署与调整方面：2017-2018年共部署调整产能井64口，建成风险产能112.06亿方。
(2)在优化调整新投井射孔层位方面：2017-2018年共优化调整产能井64口，有效避免误射水侵层井6口，产能到位率提高4％。
(3)在深化气藏水侵认识，为综合治水方案提供可靠的地质基础方面：2018年气田根据治水方案共实施排水采气、调层补孔等井下措施共1149井次，日增气109.17万方，年累增气1.82亿方。
在另一种可能的实现方式中，终端基于第一交会曲线，确定单砂体的气水边界。
图8为某一单砂体储层块在多井间的第一交会曲线，可以看出，沿着单砂体的长轴方向，单砂体呈拱形状态，其流体状态主要受单砂体所在高度的影响。在井3、井4区域，第一交会曲线对称状态明显，交会面积大，说明单砂体在井3、井4区域的含气饱和度高，流体状态为气态，为典型的气层特征。而在井2区域，第一交会曲线的下部对称状态消失，含气饱和度下降明显，说明单砂体开始过渡到气水同层或水侵层，井2区域开始靠近气水边界。在井1、井5区域，第一交会曲线的对称状态均消失，说明单砂体被水侵，转变为水侵层；由于在井2和井4区域单砂体未被水侵，在井1和井5区域该单砂体转变水侵层，可知，气水边界位于井1与井2之间，以及井4与井5之间，而原有的测井解释为在井1、井5区域该单砂体均为气层，对比可以，通过本申请实施例提供的识别水侵层的确定方法，可准确识别水侵层，从而能够准确划分气水边界，使重新划分的气水边界和开发井产能情况吻合，进而解决了开发中出现的气水边界与开发井产能情况不符的情况。
本申请实施例提供了一种识别水侵层的确定方法，该方法能够确定目标储层在原始时期的每个储层块的自然伽马与电阻率的第一交会曲线，进而通过第一交会曲线中的自然伽马与电阻率的对称状态，能够确定目标储层中的气层，这样，该方法通过结合自然伽马和电阻率这两种储层检测数据来确定目标储层中的气层，提高了确定气层的准确度，进而通过确定的气层在开发时期的电阻率变化参数，确定气层是否被水侵，这样基于准确识别的气层来确定气层是否被水侵，能够准确识别水侵层，提高了识别水侵层的准确度。
本申请实施例提供了一种识别水侵层的确定装置，参见图9，该装置包括：
第一获取模块901，用于获取待研究的目标储层分别在原始时期和开发时期的储层检测数据；
第一确定模块902，用于基于原始时期和开发时期的储层检测数据，分别确定目标储层在原始时期和开发时期的第一测井曲线，目标储层包括多个储层块，第一测井曲线包括每个储层块的自然伽马与电阻率的第一交会曲线；
第二确定模块903，用于基于目标储层在原始时期的第一交会曲线中，确定目标储层块，目标储层块的自然伽马的最小值与电阻率的最大值为对称状态，将目标储层块确定为气层；
第二获取模块904，用于获取气层在开发时期的电阻率直方图和电阻率趋势图；
第三确定模块905，从气层在开发时期的第一交会曲线、电阻率直方图、电阻率趋势图中的至少一项确定气层的电阻率变化参数；
第四确定模块906，若电阻率变化参数用于表示气层的电阻率状态发生改变，确定气层为水侵层。
在一种可能的实现方式中，第一测井曲线还包括每个储层块的密度与中子的第二交会曲线和每个储层块的岩性曲线；
第三确定模块905，包括：
第一确定单元，用于若目标储层块在原始时期的第二交会曲线、岩性曲线和第一交会曲线满足第一目标条件，确定气层为差气层；
第二确定单元，用于从差气层在开发时期的电阻率直方图中，确定差气层的电阻率变化参数。
在一种可能的实现方式中，第一测井曲线还包括每个储层块的密度与中子的第二交会曲线和每个储层块的岩性曲线；
第三确定模块905，包括：
第三确定单元，用于若目标储层块在原始时期的第二交会曲线、岩性曲线和第一交会曲线满足第二目标条件，确定气层为气水层；
第四确定单元，用于从气水层在开发时期的电阻率趋势图中，确定气水层的电阻率变化参数。
在一种可能的实现方式中，第一测井曲线还包括每个储层块的密度与中子的第二交会曲线和每个储层块的岩性曲线；
第三确定模块905，包括：
第五确定单元，用于若目标储层块在原始时期的第二交会曲线、岩性曲线和第一交会曲线满足第三目标条件，确定气层为单砂体；
第六确定单元，用于从单砂体在开发时期的第一交会曲线中，确定单砂体的电阻率变化参数。
在一种可能的实现方式中，储层检测数据包括测井数据和岩心数据；
第一确定模块902，包括：
处理单元，用于对于每个时期，对时期的岩心数据和测井数据进行标准化处理；
绘制单元，用于基于标准化处理后的测井数据，绘制目标储层的第二测井曲线；
校正单元，用于基于标准化处理后的岩心数据，对第二测井曲线进行深度校正，得到第一测井曲线。
在一种可能的实现方式，装置还包括：
第三获取模块907，用于获取水侵层的测井解释参数，测井解释参数包括可动水饱和度、水气比、水侵厚度比例中的至少一项；
第五确定模块908，用于基于测井解释参数，确定水侵层的级别。
在一种可能的实现方式中，测井解释参数包括可动水饱和度、水气比、水侵厚度比例，第五确定模块908，包括：
第七确定单元，用于响应于水气比介于第一预设水气比与第二预设水气比之间、可动水饱和度小于第一预设可动水饱和度、水侵厚度比例小于第一预设比例，确定水侵层的级别为第一级水侵，其中，第一预设水气比小于第二预设水气比；
第八确定单元，用于响应于水气比介于第二预设水气比与第三预设水气比之间、可动水饱和度介于第一预设可动水饱和度与第二预设可动水饱和度之间、水侵厚度比例介于第一预设比例与第二预设比例之间，确定水侵层的级别为第二级水侵，其中，第二预设水气比小于第三预设水气比，第一预设可动水饱和度小于第二预设可动水饱和度，第一预设比例小于第二预设比例；
第九确定单元，用于响应于水气比大于第三预设水气比、可动水饱和度大于第二预设可动水饱和度、水侵厚度比例大于第二预设比例，确定水侵层的级别为第三级水侵。
图10示出了本申请一个示例性实施例提供的终端1000的结构框图。该终端1000可以是便携式移动终端，比如：智能手机、平板电脑、MP3播放器(Moving Picture ExpertsGroup Audio Layer III，动态影像专家压缩标准音频层面3)、MP4(Moving PictureExperts Group Audio Layer IV，动态影像专家压缩标准音频层面4)播放器、笔记本电脑或台式电脑。终端1000还可能被称为用户设备、便携式终端、膝上型终端、台式终端等其他名称。
通常，终端1000包括有：处理器1001和存储器1002。
处理器1001可以包括一个或多个处理核心，比如4核心处理器、8核心处理器等。处理器1001可以采用DSP(Digital Signal Processing，数字信号处理)、FPGA(Field－Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)、PLA(Programmable Logic Array，可编程逻辑阵列)中的至少一种硬件形式来实现。处理器1001也可以包括主处理器和协处理器，主处理器是用于对在唤醒状态下的数据进行处理的处理器，也称CPU(Central ProcessingUnit，中央处理器)；协处理器是用于对在待机状态下的数据进行处理的低功耗处理器。在一些实施例中，处理器1001可以集成有GPU(Graphics Processing Unit，图像处理器)，GPU用于负责显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制。一些实施例中，处理器1001还可以包括AI(Artificial Intelligence，人工智能)处理器，该AI处理器用于处理有关机器学习的计算操作。
存储器1002可以包括一个或多个计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质可以是非暂态的。存储器1002还可包括高速随机存取存储器，以及非易失性存储器，比如一个或多个磁盘存储设备、闪存存储设备。在一些实施例中，存储器1002中的非暂态的计算机可读存储介质用于存储至少一个指令，该至少一个指令用于被处理器1001所执行以实现本申请中方法实施例提供的识别水侵层的确定方法。
在一些实施例中，终端1000还可选包括有：外围设备接口1003和至少一个外围设备。处理器1001、存储器1002和外围设备接口1003之间可以通过总线或信号线相连。各个外围设备可以通过总线、信号线或电路板与外围设备接口1003相连。具体地，外围设备包括：射频电路1004、显示屏1005、摄像头组件1006、音频电路1007、定位组件1008和电源1009中的至少一种。
外围设备接口1003可被用于将I/O(Input/Output，输入/输出)相关的至少一个外围设备连接到处理器1001和存储器1002。在一些实施例中，处理器1001、存储器1002和外围设备接口1003被集成在同一芯片或电路板上；在一些其他实施例中，处理器1001、存储器1002和外围设备接口1003中的任意一个或两个可以在单独的芯片或电路板上实现，本实施例对此不加以限定。
射频电路1004用于接收和发射RF(Radio Frequency，射频)信号，也称电磁信号。射频电路1004通过电磁信号与通信网络以及其他通信设备进行通信。射频电路1004将电信号转换为电磁信号进行发送，或者，将接收到的电磁信号转换为电信号。可选地，射频电路1004包括：天线系统、RF收发器、一个或多个放大器、调谐器、振荡器、数字信号处理器、编解码芯片组、用户身份模块卡等等。射频电路1004可以通过至少一种无线通信协议来与其它终端进行通信。该无线通信协议包括但不限于：万维网、城域网、内联网、各代移动通信网络(2G、3G、4G及5G)、无线局域网和/或WiFi(Wireless Fidelity，无线保真)网络。在一些实施例中，射频电路1004还可以包括NFC(Near Field Communication，近距离无线通信)有关的电路，本申请对此不加以限定。
显示屏1005用于显示UI(User Interface，用户界面)。该UI可以包括图形、文本、图标、视频及其它们的任意组合。当显示屏1005是触摸显示屏时，显示屏1005还具有采集在显示屏1005的表面或表面上方的触摸信号的能力。该触摸信号可以作为控制信号输入至处理器1001进行处理。此时，显示屏1005还可以用于提供虚拟按钮和/或虚拟键盘，也称软按钮和/或软键盘。在一些实施例中，显示屏1005可以为一个，设置在终端1000的前面板；在另一些实施例中，显示屏1005可以为至少两个，分别设置在终端1000的不同表面或呈折叠设计；在另一些实施例中，显示屏1005可以是柔性显示屏，设置在终端1000的弯曲表面上或折叠面上。甚至，显示屏1005还可以设置成非矩形的不规则图形，也即异形屏。显示屏1005可以采用LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示屏)、OLED(Organic Light-EmittingDiode,有机发光二极管)等材质制备。
摄像头组件1006用于采集图像或视频。可选地，摄像头组件1006包括前置摄像头和后置摄像头。通常，前置摄像头设置在终端的前面板，后置摄像头设置在终端的背面。在一些实施例中，后置摄像头为至少两个，分别为主摄像头、景深摄像头、广角摄像头、长焦摄像头中的任意一种，以实现主摄像头和景深摄像头融合实现背景虚化功能、主摄像头和广角摄像头融合实现全景拍摄以及VR(Virtual Reality，虚拟现实)拍摄功能或者其它融合拍摄功能。在一些实施例中，摄像头组件1006还可以包括闪光灯。闪光灯可以是单色温闪光灯，也可以是双色温闪光灯。双色温闪光灯是指暖光闪光灯和冷光闪光灯的组合，可以用于不同色温下的光线补偿。
音频电路1007可以包括麦克风和扬声器。麦克风用于采集用户及环境的声波，并将声波转换为电信号输入至处理器1001进行处理，或者输入至射频电路1004以实现语音通信。出于立体声采集或降噪的目的，麦克风可以为多个，分别设置在终端1000的不同部位。麦克风还可以是阵列麦克风或全向采集型麦克风。扬声器则用于将来自处理器1001或射频电路1004的电信号转换为声波。扬声器可以是传统的薄膜扬声器，也可以是压电陶瓷扬声器。当扬声器是压电陶瓷扬声器时，不仅可以将电信号转换为人类可听见的声波，也可以将电信号转换为人类听不见的声波以进行测距等用途。在一些实施例中，音频电路1007还可以包括耳机插孔。
定位组件1008用于定位终端1000的当前地理位置，以实现导航或LBS(LocationBased Service，基于位置的服务)。定位组件1008可以是基于美国的GPS(GlobalPositioning System，全球定位系统)、中国的北斗系统或俄罗斯的伽利略系统的定位组件。
电源1009用于为终端1000中的各个组件进行供电。电源1009可以是交流电、直流电、一次性电池或可充电电池。当电源1009包括可充电电池时，该可充电电池可以是有线充电电池或无线充电电池。有线充电电池是通过有线线路充电的电池，无线充电电池是通过无线线圈充电的电池。该可充电电池还可以用于支持快充技术。
在一些实施例中，终端1000还包括有一个或多个传感器1010。该一个或多个传感器1010包括但不限于：加速度传感器1011、陀螺仪传感器1012、压力传感器1013、指纹传感器1014、光学传感器1015以及接近传感器1016。
加速度传感器1011可以检测以终端1000建立的坐标系的三个坐标轴上的加速度大小。比如，加速度传感器1011可以用于检测重力加速度在三个坐标轴上的分量。处理器1001可以根据加速度传感器1011采集的重力加速度信号，控制显示屏1005以横向视图或纵向视图进行用户界面的显示。加速度传感器1011还可以用于游戏或者用户的运动数据的采集。
陀螺仪传感器1012可以检测终端1000的机体方向及转动角度，陀螺仪传感器1012可以与加速度传感器1011协同采集用户对终端1000的3D动作。处理器1001根据陀螺仪传感器1012采集的数据，可以实现如下功能：动作感应(比如根据用户的倾斜操作来改变UI)、拍摄时的图像稳定、游戏控制以及惯性导航。
压力传感器1013可以设置在终端1000的侧边框和/或显示屏1005的下层。当压力传感器1013设置在终端1000的侧边框时，可以检测用户对终端1000的握持信号，由处理器1001根据压力传感器1013采集的握持信号进行左右手识别或快捷操作。当压力传感器1013设置在显示屏1005的下层时，由处理器1001根据用户对显示屏1005的压力操作，实现对UI界面上的可操作性控件进行控制。可操作性控件包括按钮控件、滚动条控件、图标控件、菜单控件中的至少一种。
指纹传感器1014用于采集用户的指纹，由处理器1001根据指纹传感器1014采集到的指纹识别用户的身份，或者，由指纹传感器1014根据采集到的指纹识别用户的身份。在识别出用户的身份为可信身份时，由处理器1001授权该用户执行相关的敏感操作，该敏感操作包括解锁屏幕、查看加密信息、下载软件、支付及更改设置等。指纹传感器1014可以被设置在终端1000的正面、背面或侧面。当终端1000上设置有物理按键或厂商Logo时，指纹传感器1014可以与物理按键或厂商Logo集成在一起。
光学传感器1015用于采集环境光强度。在一个实施例中，处理器1001可以根据光学传感器1015采集的环境光强度，控制显示屏1005的显示亮度。具体地，当环境光强度较高时，调高显示屏1005的显示亮度；当环境光强度较低时，调低显示屏1005的显示亮度。在另一个实施例中，处理器1001还可以根据光学传感器1015采集的环境光强度，动态调整摄像头组件1006的拍摄参数。
接近传感器1016，也称距离传感器，通常设置在终端1000的前面板。接近传感器1016用于采集用户与终端1000的正面之间的距离。在一个实施例中，当接近传感器1016检测到用户与终端1000的正面之间的距离逐渐变小时，由处理器1001控制显示屏1005从亮屏状态切换为息屏状态；当接近传感器1016检测到用户与终端1000的正面之间的距离逐渐变大时，由处理器1001控制显示屏1005从息屏状态切换为亮屏状态。
本领域技术人员可以理解，图10中示出的结构并不构成对终端1000的限定，可以包括比图示更多或更少的组件，或者组合某些组件，或者采用不同的组件布置。
另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储至少一条程序代码，所述至少一条程序代码由处理器加载并执行，以实现上述任一实现方式所述的识别水侵层的确定方法中的步骤。
另一方面，提供了一种计算机程序产品或计算机程序，所述计算机程序产品或所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码存储在计算机可读存储介质中。终端的处理器从计算机可读存储介质读取所述计算机程序代码，处理器执行所述计算机程序代码，使得所述终端执行上述的识别水侵层的确定方法所执行的操作。
在一些实施例中，本申请实施例所涉及的计算机程序可被部署在一个终端上执行，或者在位于一个地点的多个终端上执行，又或者，在分布在多个地点且通过通信网络互连的多个终端上执行，分布在多个地点且通过通信网络互连的多个终端可以组成区块链系统。
本申请实施例提供了一种识别水侵层的确定方法，该方法能够确定目标储层在原始时期的每个储层块的自然伽马与电阻率的第一交会曲线，进而通过第一交会曲线中的自然伽马与电阻率的对称状态，能够确定目标储层中的气层，这样，该方法通过结合自然伽马和电阻率这两种储层检测数据来确定目标储层中的气层，提高了确定气层的准确度，进而通过确定的气层在开发时期的电阻率变化参数，确定气层是否被水侵，这样基于准确识别的气层来确定气层是否被水侵，能够准确识别水侵层，提高了识别水侵层的准确度。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种识别水侵层的确定方法，其特征在于，所述方法包括：
获取待研究的目标储层分别在原始时期和开发时期的储层检测数据；
基于所述原始时期和所述开发时期的储层检测数据，分别确定所述目标储层在所述原始时期和开发时期的第一测井曲线，所述目标储层包括多个储层块，所述第一测井曲线包括每个储层块的自然伽马与电阻率的第一交会曲线；
基于所述目标储层在所述原始时期的第一交会曲线中，确定目标储层块，所述目标储层块的自然伽马的最小值与电阻率的最大值为对称状态，将所述目标储层块确定为气层；
获取所述气层在所述开发时期的电阻率直方图和电阻率趋势图；
从所述气层在开发时期的第一交会曲线、电阻率直方图、电阻率趋势图中的至少一项确定所述气层的电阻率变化参数；
若所述电阻率变化参数用于表示所述气层的电阻率状态发生改变，确定所述气层为水侵层。
2.根据权利要求1所述的识别水侵层的确定方法，其特征在于，所述第一测井曲线还包括所述每个储层块的密度与中子的第二交会曲线和所述每个储层块的岩性曲线；
所述从所述气层在开发时期的第一交会曲线、电阻率直方图、电阻率趋势图中的至少一项确定所述气层的电阻率变化参数，包括：
若所述目标储层块在所述原始时期的第二交会曲线、岩性曲线和第一交会曲线满足第一目标条件，确定所述气层为差气层；
从所述差气层在开发时期的电阻率直方图中，确定所述差气层的电阻率变化参数。
3.根据权利要求1所述的识别水侵层的确定方法，其特征在于，所述第一测井曲线还包括所述每个储层块的密度与中子的第二交会曲线和所述每个储层块的岩性曲线；
所述从所述气层在开发时期的第一交会曲线、电阻率直方图、电阻率趋势图中的至少一项确定所述气层的电阻率变化参数，包括：
若所述目标储层块在所述原始时期的第二交会曲线、岩性曲线和第一交会曲线满足第二目标条件，确定所述气层为气水层；
从所述气水层在开发时期的电阻率趋势图中，确定所述气水层的电阻率变化参数。
4.根据权利要求1所述的识别水侵层的确定方法，其特征在于，所述第一测井曲线还包括所述每个储层块的密度与中子的第二交会曲线和所述每个储层块的岩性曲线；
所述从所述气层在开发时期的第一交会曲线、电阻率直方图、电阻率趋势图中的至少一项确定所述气层的电阻率变化参数，包括：
若所述目标储层块在所述原始时期的第二交会曲线、岩性曲线和第一交会曲线满足第三目标条件，确定所述气层为单砂体；
从所述单砂体在开发时期的第一交会曲线中，确定所述单砂体的电阻率变化参数。
5.根据权利要求2-4任一项所述的识别水侵层的确定方法，其特征在于，所述储层检测数据包括测井数据和岩心数据；
所述基于所述原始时期和所述开发时期的测井数据，分别确定所述目标储层在所述原始时期和开发时期的第一测井曲线，包括：
对于每个时期，对所述时期的岩心数据和测井数据进行标准化处理；
基于标准化处理后的测井数据，绘制所述目标储层的第二测井曲线；
基于所述标准化处理后的岩心数据，对所述第二测井曲线进行深度校正，得到所述第一测井曲线。
6.根据权利要求1所述的识别水侵层的确定方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取所述水侵层的测井解释参数，所述测井解释参数包括可动水饱和度、水气比、水侵厚度比例中的至少一项；
基于所述测井解释参数，确定所述水侵层的级别。
7.根据权利要求6所述的识别水侵层的确定方法，其特征在于，所述测井解释参数包括可动水饱和度、水气比、水侵厚度比例，所述基于所述测井解释参数，确定所述水侵层的级别，包括：
响应于所述水气比介于第一预设水气比与第二预设水气比之间、所述可动水饱和度小于第一预设可动水饱和度、所述水侵厚度比例小于第一预设比例，确定所述水侵层的级别为第一级水侵，其中，所述第一预设水气比小于所述第二预设水气比；
响应于所述水气比介于所述第二预设水气比与第三预设水气比之间、所述可动水饱和度介于所述第一预设可动水饱和度与第二预设可动水饱和度之间、所述水侵厚度比例介于所述第一预设比例与第二预设比例之间，确定所述水侵层的级别为第二级水侵，其中，所述第二预设水气比小于所述第三预设水气比，所述第一预设可动水饱和度小于所述第二预设可动水饱和度，所述第一预设比例小于所述第二预设比例；
响应于所述水气比大于所述第三预设水气比、所述可动水饱和度大于所述第二预设可动水饱和度、水侵厚度比例大于所述第二预设比例，确定所述水侵层的级别为第三级水侵。
8.一种识别水侵层的确定装置，其特征在于，所述装置包括：
第一获取模块，用于获取待研究的目标储层分别在原始时期和开发时期的储层检测数据；
第一确定模块，用于基于所述原始时期和所述开发时期的储层检测数据，分别确定所述目标储层在所述原始时期和开发时期的第一测井曲线，所述目标储层包括多个储层块，所述第一测井曲线包括每个储层块的自然伽马与电阻率的第一交会曲线；
第二确定模块，用于基于所述目标储层在所述原始时期的第一交会曲线中，确定目标储层块，所述目标储层块的自然伽马的最小值与电阻率的最大值为对称状态，将所述目标储层块确定为气层；
第二获取模块，用于获取所述气层在所述开发时期的电阻率直方图和电阻率趋势图；
第三确定模块，用于从所述气层在开发时期的第一交会曲线、电阻率直方图、电阻率趋势图中的至少一项确定所述气层的电阻率变化参数；
第四确定模块，用于若所述电阻率变化参数用于表示所述气层的电阻率状态发生改变，确定所述气层为水侵层。
9.一种终端，其特征在于，所述终端包括一个或多个处理器和一个或多个存储器，所述一个或多个存储器中存储有至少一条指令，所述至少一条指令由所述一个或多个处理器加载并执行以实现如权利要求1至权利要求7任一项所述的识别水侵层的确定方法所执行的操作。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有至少一条指令，所述至少一条指令由处理器加载并执行以实现如权利要求1至权利要求7任一项所述的识别水侵层的确定方法所执行的操作。
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