CN115176205A - 处理透明基板的方法和设备 - Google Patents
处理透明基板的方法和设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115176205A CN115176205A CN202180016687.6A CN202180016687A CN115176205A CN 115176205 A CN115176205 A CN 115176205A CN 202180016687 A CN202180016687 A CN 202180016687A CN 115176205 A CN115176205 A CN 115176205A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- structures
- substrate
- film stack
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 187
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 239
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 40
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 79
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 46
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 25
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 13
- BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N niobium monoxide Chemical compound [Nb]=O BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 23
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 8
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 8
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003963 dichloro group Chemical group Cl* 0.000 description 7
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 6
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- YUCFVHQCAFKDQG-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound F[CH] YUCFVHQCAFKDQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- PIWOTTWXMPYCII-UHFFFAOYSA-N chromium ruthenium Chemical compound [Cr].[Cr].[Ru] PIWOTTWXMPYCII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
- C03C17/3435—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a nitride, oxynitride, boronitride or carbonitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3626—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer one layer at least containing a nitride, oxynitride, boronitride or carbonitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3636—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer one layer at least containing silicon, hydrogenated silicon or a silicide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3639—Multilayers containing at least two functional metal layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3655—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating containing at least one conducting layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3657—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having optical properties
- C03C17/3665—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having optical properties specially adapted for use as photomask
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/38—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal at least one coating being a coating of an organic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/213—SiO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
- C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
- C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/365—Coating different sides of a glass substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本公开内容的多个方面一般涉及处理诸如玻璃基板等透明基板的方法和设备。在一个实施方式中，用于光学组件的膜堆叠物包括玻璃基板，玻璃基板包括第一表面和第二表面。膜堆叠物包括：形成于第一表面上的组件功能层；形成于组件功能层上的硬模层；和形成于硬模层上的基板识别层。硬模层包括铬、钌或氮化钛中的一种或多种。膜堆叠物包括：形成于第二表面上的背侧层。形成于第二表面上的背侧层包括导电层或氧化物层中的一个或多个。
Description
背景
领域
本公开内容的多个方面一般涉及处理诸如玻璃基板等透明基板的方法和设备。在一个实例中，在进行平板印刷处理之前先处理玻璃基板。
相关技术描述
当尝试使用平板印刷方法来处理透明基板时会引起操作性问题。举例而言，基板的透明度可能使平板印刷机器难以识别基板处于待处理位置。作为另一个实例，基板的透明度使得基板难以在平板印刷机器下对准。难以识别基板且难以对准基板导致效率低下、因为在图案化期间晶粒未对准导致较低的每基板晶粒数(die-per-substrate)、增加的基板缺陷、较低的机器产量、增加的机器停机时间和提高的的操作成本。
因此，需要有助于在平板印刷工艺中使用透明基板的装置和方法，以有助于提升的效率、增加的每基板晶粒数、减少的基板缺陷、提高的机器产量、减少的机器停机时间和降低的操作成本。
发明内容
本公开内容的多个方面一般涉及处理诸如玻璃基板等透明基板的方法和设备。在一个实例中，在进行平板印刷处理之前先处理玻璃基板。
在一个实施方式中，用于光学组件的膜堆叠物包括玻璃基板，玻璃基板包括第一表面和第二表面。第二表面与第一表面相对，且第一表面设置于第二表面上方。膜堆叠物包括形成于第一表面上的组件功能层、形成于组件功能层上的硬模层和形成于硬模层上的基板识别层。硬模层包括以下一种或多种：铬、钌或氮化钛。膜堆叠物包括形成于第二表面上的背侧层。形成于第二表面上的背侧层包括以下一个或多个：导电层或氧化物层。
在一个实施方式中，一种处理用于光学组件的膜堆叠物的方法，包括：提供膜堆叠物。膜堆叠物包括：包括第一表面和第二表面的玻璃基板，第二表面与第一表面相对，且多个层形成于玻璃基板的第一表面上。多个层的硬模层包括以下一种或多种：铬、钌或氮化钛。所述方法包括：识别多个层的基板识别层。所述方法包括：图案化膜堆叠物，以在多个层上形成三层平板印刷结构(tri-layer lithography structure)。所述方法包括：蚀刻三层平板印刷结构和多个层，以形成在玻璃基板的第一表面上的第一多个结构，和堆叠在第一多个结构上的第二多个结构。
在一个实施方式中，一种用于光学组件的膜堆叠物包括：包括第一表面和第二表面的玻璃基板。第二表面与第一表面相对，且第一表面设置于第二表面上方。膜堆叠物包括：形成于第一表面上的多个堆叠物。多个堆叠物的各堆叠物包括：第一多个，形成于玻璃基板的第一表面上，和第二多个结构，堆叠在第一多个结构上。第一多个结构或第二多个结构中的一个或多个包括以下一种或多种：铬、钌或氮化钛。膜堆叠物包括：背侧层，形成于玻璃基板的第二表面上。
附图说明
因此，可详细理解本公开内容的上述特征的方式，即可参照多个实施方式更具体描述上文简要概述的本公开内容，其中一些实施方式绘示于附图中。然而，应注意的是，附图仅显示出此公开内容的多个通常实施方式，并且因此不应被认为是对本公开内容范围的限制，因为本案可允许其他多个等效实施方式。
图1A是根据一个实施方式的平板印刷系统的局部示意图。
图1B是根据一个实施方式暴露于平板印刷工艺的基板的局部示意平面图。
图1C是根据一个实施方式的图1A所绘示的膜堆叠物的部分示意图。
图2A根据一个实施方式绘示使用平板印刷工艺图案化膜堆叠物后的图1C所绘示的膜堆叠物的部分示意图。
图2B根据一个实施方式绘示在使用第一蚀刻操作蚀刻三层平板印刷结构和基板识别层后的图2A中所绘示的膜堆叠物。
图2C根据一个实施方式绘示在使用第二蚀刻操作选择性地蚀刻硬模层后的图2B中所绘示的膜堆叠物。
图2D根据一个实施方式绘示在使用第三蚀刻操作选择性地蚀刻基板识别层后的图2C中所绘示的膜堆叠物。
图2E根据一个实施方式绘示在使用第四蚀刻操作选择性地蚀刻组件功能层后的图2D中所绘示的膜堆叠物，其中第四蚀刻操作具有二元蚀刻操作。
图2F根据一个实施方式绘示使用第四蚀刻操作选择性地蚀刻组件功能层后的图2D中所绘示的膜堆叠物，其中第四蚀刻操作具有成角度蚀刻操作。
图3是根据一个实施方式的处理系统的局部示意图。
为了便于理解，尽可能使用相同的组件符号来表示图中共有的相同元素。可以预期，一个实施方式中公开的元素可以在没有具体叙述的情况下有益地用于其他多个实施方式。
具体实施方式
本公开内容的多个方面一般涉及处理诸如玻璃基板等透明基板的方法和设备。在一个实例中，在进行平板印刷处理之前先处理玻璃基板。
图1A是根据一个实施方式的平板印刷系统100的局部示意图。图1B是根据一个实施方式暴露于平板印刷工艺的基板106的局部示意性平面图。应理解到，平板印刷系统100是范例系统，且可与其他系统一起使用或修饰其他系统来实现本公开内容的多个方面。平板印刷系统100包括投射单元102，投射单元102包括诸如发光二极管(LED)或激光等一个或多个光源，能够投射写入光束(write beam)111来图案化基板106，所述基板106具有形成于基板106的第一表面103上的一个或多个层121至123(显示三个层)。在形成于基板106上的一个或多个层121至123的方向上投射写入光束111。一个或多个层121至123可包括掩模图案。基板106和层121至123是膜堆叠物120的至少一部分。可例如通过使用物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积、旋涂纳米颗粒工艺(spin-on nanoparticle process)、电镀工艺和/或蒸发工艺，将一个或多个层121至123沉积于基板106的第一表面103上。在一个实例中，使用物理气相沉积、电镀工艺或蒸发工艺来形成硬模层122。在一个实例中，使用物理气相沉积、化学气相沉积或旋涂纳米颗粒工艺来形成基板识别层123。在一个实例中，使用物理气相沉积、化学气相沉积或旋涂纳米颗粒工艺来形成组件功能层121。
基板106是透明基板。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，基板106是玻璃基板。基板可包括用作平板显示器的一部分的任何合适的材料。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，基板106具有在100mm至450mm的范围内的诸如直径等尺寸。在一个实例中，基板106的尺寸是100mm。在一个实例中，基板106的尺寸是150mm。在一个实例中，基板的尺寸是200mm。在一个实例中，基板的尺寸是300mm。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，基板106具有在4英寸至18英寸的范围内的诸如直径等尺寸。在一个实例中，基板106的尺寸是约4英寸。在一个实例中，基板106的尺寸是约6英寸。在一个实例中，基板106的尺寸是约8英寸。在一个实例中，基板106的尺寸是约12英寸。
在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，基板106的厚度在150微米(μm)至850微米(μm)的范围内。在一个实例中，基板106具有200±50微米(μm)的厚度。在一个实例中，基板106具有300±50微米(μm)的厚度。在一个实例中，基板106具有400±50微米(μm)的厚度。在一个实例中，基板106具有500±50微米(μm)的厚度。在一个实例中，基板106具有600±50微米(μm)的厚度。在一个实例中，基板106具有750±50微米(μm)的厚度。在一个实例中，基板106具有800±50微米(μm)的厚度。
在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，基板106的表面宽度是5mm至70mm，如从5mm至100mm，如从5mm至20mm，或从50mm至60mm。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，基板106的表面长度是从5mm至100mm，如从5mm至60mm，如从5mm至20mm，或从50mm至60mm。在一个实例中，基板106的面积是30mm至60mm乘以25mm至60mm。层121至123中的一个或多个是待图案化形成的膜层，如通过层121至123中的一个或多个的图案蚀刻。
膜堆叠物120包括光刻胶层110，光刻胶层110形成于层121至123上。光刻胶层110对例如，UV、EUV或深UV“光”等电磁辐射敏感。正性光刻胶(positive tone photoresist)包括光刻胶层110的部分，当暴露于辐射时，在使用电磁辐射将图案写入光刻胶层110内之后，所述部分分别可溶于施加至光刻胶层110的光刻胶显影剂。负性光刻胶(negative tonephotoresist)包括光刻胶层110的部分，当暴露于辐射时，在使用电磁辐射将图案写入光刻胶层110内之后，所述部分将分别不可溶于施加至光刻胶层110的光刻胶显影剂。负性显影(negative tone development)包括正性并由明场掩模(bright field mask)曝光(expose)的光刻胶层110，其中被暴露的区域将分别地不溶于有机溶剂(如，正丁醇)并在显影后保留在基板106上。光刻胶层110的化学成分决定了光刻胶层110是正光刻胶还是负光刻胶。
在平板印刷操作期间，投射单元102在一个或多个的一个或多个层121至123中的方向上投射写入光束111。当在一个或多个层121至123中的方向上投射写入光束111时，经掩模图案化的层121至123可对应于待写入光刻胶层110内的组件图案112。组件图案112可包括写入光刻胶层110内的组件图案112的组件部分114。组件图案112可对应于待图案化至基板106内的组件或设置于基板106上的膜层。在可与本文所述的其他多个实施方式结合的其他多个实施方式中，组件图案112可对应于待图案化至基板106内的一个或多个组件或设置于基板106上的膜层。
在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，平板印刷系统100的依一定尺寸制造为(size)能够将基板106上的整个光刻胶层110暴露于写入光束111。在可与本文所述的其他多个实施方式结合的其他多个实施方式中，由平台116支撑基板106，平台116可操作的将基板106布置在投射单元102下的预定路径中。可由控制器108来控制平台116上的基板106的移动。控制器108一般被设计为促进基于掩模图案文档的平板印刷工艺的控制和自动化。控制器108可至少耦合至投射单元102、平台116和/或编码器118，或至少与投射单元102、平台116和/或编码器118通信。投射单元102和编码器118可将关于基板处理和基板对准的信息提供给控制器108。举例而言，投射单元102可提供信息给控制器108，以提示控制器108基板处理已经完成。
平台116构造为沿着X轴和Y轴移动并布置基板106。如上文所讨论，基板106是玻璃基板。上文和下文所述的本公开内容的多个方面促使包括投射单元102的平板印刷系统100能够识别透明玻璃基板106处于待扫描和图案化的位置。若平板印刷系统100无法识别基板106已就位，则平板印刷系统100可能无法开始图案化基板106，且可能向操作者显示错误信息。上文与下文所述的本公开内容的多个方面亦促使基板106沿着X轴和Y轴在平板印刷系统100的投射单元102下对准。促使基板106被平板印刷系统100识别且促使基板106相对于平板印刷系统100对准有助于在平板印刷工艺中使用透明基板，提高的效率、增加的每基板的晶粒数、减少的基板缺陷、提高的机器产量、减少的机器停机时间和降低的操作成本。
图1C是根据一个实施方式的图1A所绘示的膜堆叠物120的部分示意图。膜堆叠物120是整合膜堆叠物。膜堆叠物120可经图案化和蚀刻，以用于诸如透镜组件等光学组件。膜堆叠物120可与平板印刷系统的平板印刷工具结合用于膜堆叠物120的基板106的平板印刷处理。膜堆叠物120包括基板106，基板106是透明玻璃基板。基板106包括第一表面103和第二表面104，第二表面104与第一表面103相对。第一表面103设置于第二表面104上方。在一个实例中，第一表面103是基板106的前侧表面，且第二表面104是基板106的背侧表面。
形成于第一表面103上的一个或多个层121至123包括：组件功能层121，形成于第一表面103上；硬模层122，形成于组件功能层121的上表面上；和基板识别层123，形成于硬模层122的上表面上。膜堆叠物120亦包括一个或多个背侧层124(绘示出一个)形成于基板106的第二表面104上。形成于表面表面104上的一个或多个背侧层124包括形成于第二表面104上的背侧层124。
在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，从膜堆叠物120省略背侧层124。
组件功能层121是膜层。组件功能层121包括在20nm至500nm的范围内的厚度T1。组件功能层121包括以下一种或多种：二氧化钛(TiO2)、一氧化铌(NbO)和/或五氧化二铌Nb2O5。在一个实例中，组件功能层121包括二氧化钛(TiO2)和一氧化铌(NbO)。组件功能层121的晶相是非晶态或晶态。一个或多个层121至123中的至少一个层包括以下一种或多种：铬、钌和/或氮化钛。
在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，从膜堆叠物120省略组件功能层121，使得硬模层122形成于基板106的第一表面103上。
硬模层122至少促进平板印刷处理期间和/或膜堆叠物120的蚀刻期间的基板106对准。硬模层122是膜层。硬模层122包括以下一种或多种：铬、钌、钛和/或氮。在一个实例中，硬模层122包括氮化钛(TiN)。硬模层122在基板识别层123与组件功能层121之间。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，硬模层122包括铬和钌。硬模层122包括在10nm至400nm的范围内的厚度T2。硬模层122的方面，例如铬和/或钌，有助于提供硬模层122相对于以下一个或多个的对比度(contrast)：组件功能层121、玻璃基板106(该玻璃基板106是透明的)和/或背侧层124。硬模层122的对比度有助于使基板106在平板印刷处理期间沿着X轴和Y轴相对于平板印刷系统100的投射单元102对准。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，硬模层122包括形成于硬模层122上的一个或多个对准标记，如凸部、凹部或对比颜色。当基板106相对于平板印刷系统100对准以进行平板印刷处理时，平板印刷系统100可侦测(detect)对准标记。硬模层122的方面也有助于膜堆叠物120的蚀刻。
基板识别层123至少有助于膜堆叠物120的图案化、膜堆叠物120的蚀刻和/或平板印刷系统100对基板106的识别。基板识别层123是膜层。基板识别层123包括硅。在一个实例中，基板识别层123包括以下一种或多种：二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiN)、非晶硅、多晶硅、和/或硅掺杂的材料。基板识别层123包括在10nm至200nm的范围内的厚度T3。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，基板识别层123包括形成于基板识别层123上的一个或多个识别标记，如凸部、凹部或对比颜色。当基板106相对于平板印刷100就位以进行平板印刷处理时，平板印刷系统100可侦测识别标记。
背侧层124是膜层。背侧层124可包括以下一个或多个：背侧保护层、第二组件功能层和/或基板识别层。背侧层124可保护第二表面104和/或有助于基板106被平板印刷系统100识别。背侧层124可以是组件功能层。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，背侧层124包括形成于背侧层124上的一个或多个识别标记，如凸部、凹部或对比颜色。当基板106相对于平板印刷100就位以进行平板印刷处理时，平板印刷系统100可侦测识别标记。背侧层124是氧化物层或导电层。背侧层124包括硅或氧化硅中的一种或多种。背侧层124包括在10nm至600nm的范围内的厚度T4。
图2A至图2F绘示根据各种实施方式的处理图1C所示的膜堆叠物120的方法200的操作流程的部分示意图。
图2A绘示根据一个实施方式使用平板印刷工艺图案化膜堆叠物120后，图1C所示的膜堆叠物120的部分示意图。提供膜堆叠物120，并使用三层图案化(tri-layerpatterning)将三层平板印刷结构201图案化并形成于膜堆叠物120上。三层平板印刷结构201包括第一层211和第二层212，第一层211形成于基板识别层123的上表面上，且第二层212形成于第一层211的上表面上。第一层211包括有机平坦化层，且第二层212包括抗折射涂层。抗折射涂层包括硅。第一层211包括在60nm至1微米的范围内的厚度T5。第二层212包括在15nm至100nm的范围内的厚度T6。
三层平板印刷结构201包括经图案化并形成在第二层212的上表面上的多个光刻胶结构217。光刻胶结构包括在10nm至3微米的范围内的厚度T7。
根据方法200，进行第一蚀刻操作以蚀刻三层平板印刷结构201和基板识别层123。三层平板印刷结构201经蚀刻以去除多个光刻胶结构217、第二层212和第一层211。基板识别层123经蚀刻以打开基板识别层123的部分223A，基板识别层123在光刻胶结构217之间垂直对准或在光刻胶结构217之外垂直对准。
在第一蚀刻操作期间，在第一蚀刻速度下蚀刻光刻胶结构217、第一层211与光刻胶结构217垂直对准的部分、第二层212与光刻胶结构217垂直对准的部分，和基板识别层123与光刻胶结构217垂直对准的部分223B。并且，在第一蚀刻操作期间，在第二蚀刻速度下蚀刻第一层211在光刻胶结构217之间垂直对准和在光刻胶结构217之外垂直对准的部分、第二层212在光刻胶结构217之间垂直对准和在光刻胶结构217之外垂直对准的部分，和基板识别层123在光刻胶结构217之间垂直对准和在光刻胶结构217之外垂直对准的部分223A，所述第二蚀刻速度不同于第一蚀刻速度。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，第二蚀刻速度相对于第一蚀刻速度的比是2:1。
在第一蚀刻操作期间，使用包括氟的成分来蚀刻第二层212。在一个实例中，用于蚀刻第二层212的成分包括以下一种或多种：四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、二氟甲烷(CH2F2)、氟甲烷(CH3F)、六氟化硫(SF6)、和/或三氟化氮(NF3)。在第一蚀刻操作期间，使用包括氧和/或氢中的一种或多种成分来蚀刻第一层211。在一个实例中，用于蚀刻第一层211的成分包括以下一种或多种：氧(O2)、二氢(H2)、一氧化碳(CO)、和/或二氧化碳(CO2)。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，用于蚀刻第一层211的成分包括钝化成分(passivation composition)。在一个实例中，钝化成分包括以下一种或多种：甲烷(CH4)、乙烯(C2H4)、氮(N2)、二氯(Cl2)和/或溴化氢(HBr)。钝化成分有助于维持膜堆叠物120的临界尺寸和轮廓。在一个实例中，在第一层211的蚀刻期间，留在第二层212上的光刻胶结构217的残留部分被去除。
在第一蚀刻操作期间，使用包括氟的成分来蚀刻基板识别层123的部分223A。在一个实例中，用于蚀刻基板识别层123的部分223A的成分包括以下一种或多种：四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、六氟化硫(SF6)和/或三氟化氮(NF3)。在一个实例中，在基板识别层123的部分223A的蚀刻期间，留在第一层211上的第二层212的残留部分被去除。图2B根据一个实施方式绘示在使用第一蚀刻操作蚀刻三层平板印刷结构201和基板识别层123后的图2A中所绘示的膜堆叠物120。基板识别层123的部分223A被打开而形成在部分223B之间且在部分223B外侧的开口225。部分223B形成在开口225之间且在硬模层122的上表面上的第三多个结构。在第一蚀刻操作前使部分223B垂直对准光刻胶结构217(如图2A中所绘示)有助于形成如图2B所绘示的第三多个结构223B。以下描述组件功能层121的第一多个结构和硬模层122的第二多个结构。
根据方法200，在膜堆叠物120上进行第二蚀刻操作。在第二蚀刻操作期间，相对于基板识别层123的第三多个结构223B选择性地蚀刻硬模层122，以打开硬模层122的部分222A。在第二蚀刻操作期间，使用包括氯和/或氧中的一种或多种的成分来蚀刻硬模层122的部分222A。在一个实例中，用于蚀刻部分222A的成分包括以下一种或多种：二氯(Cl2)、三氯化硼(BCl3)和/或四氯化硅(SiCl4)，和/或以下一种或多种：氧(O2)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)和/或臭氧(O3)。在一个实例中，在硬模层122的部分222A的蚀刻期间，留在第三多个结构223B上的第一层211的残留部分被去除。
图2C根据一个实施方式绘示在使用第二蚀刻操作选择性地蚀刻硬模层122后的图2B中所绘示的膜堆叠物120。蚀刻硬模层122的部分222A，以在组件功能层121的上表面上形成第二多个结构222B。第二多个结构222B是硬模结构。硬模层122的部分222B垂直对准第三多个结构223B有助于图案化并形成第二多个结构222B。开口226也形成于第二多个结构222B之间。第二多个结构222B的各硬模结构222B设置于第三多个结构223B的硬模结构223B下。在第二多个结构222B上支撑第三多个结构223B。
根据方法200，在膜堆叠物120上进行第三蚀刻操作。第三蚀刻操作可包括干法蚀刻或湿法蚀刻。相对于组件功能层121选择性地蚀刻基板识别层123的第三多个结构223B，以去除第三多个结构223B。
在第三蚀刻操作期间，使用包括氯或氟中的一种或多种成分来蚀刻基板识别层123的第三多个结构223B。在一个实例中，用来蚀刻第三多个结构223B的成分包括二氯(Cl2)、三氯化硼(BCl3)和/或四氯化硅(SiCl4)中的一种或多种，和四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、二氟甲烷(CH2F2)、氟甲烷(CH3F)、六氟化硫(SF6)和/或三氟化氮(NF3)中的一种或多种。在一个实例中，用于蚀刻第三多个结构223B的成分亦包括稀释成分，所述稀释成分包括以下一种或多种：氩(Ar)、氦(He)和/或氪(Kr)。在一个实例中，用于蚀刻第三多个结构223B的成分亦包括钝化成分，所述钝化成分包括以下一种或多种：甲烷(CH4)、乙烯(C2H4)、氮(N2)、二氯(Cl2)和/或溴化氢(HBr)。钝化成分有助于维持膜堆叠物120的临界尺寸和轮廓。
图2D根据一个实施方式绘示在使用第三蚀刻操作选择性地蚀刻基板识别层123后的图2C中所绘示的膜堆叠物120。基板识别层123的第三多个结构223B已被移除。
根据方法200，在膜堆叠物120上进行第四蚀刻操作。第四蚀刻操作包括二元蚀刻(binary etching)操作或成角度蚀刻(angled etching)操作。第四蚀刻操作包括干法蚀刻或湿法蚀刻。在第四蚀刻操作期间，相对于第二多个结构222B蚀刻在第二多个结构222B之间和第二多个结构222B的外侧的组件功能层121的部分221A，以打开组件功能层121的部分221A。在第四蚀刻操作期间，使用包括氯或氟中的一种或多种的成分来蚀刻组件功能层121的部分221A。在一个实例中，用来蚀刻部分221A的成分包括二氯(Cl2)、三氯化硼(BCl3)和/或四氯化硅(SiCl4)中的一种或多种，和四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、二氟甲烷(CH2F2)、氟甲烷(CH3F)、六氟化硫(SF6)和/或三氟化氮(NF3)中的一种或多种。在一个实例中，用于蚀刻部分221A的成分亦包括稀释成分，所述稀释成分包括以下一种或多种：氩(Ar)、氦(He)和/或氪(Kr)。在一个实例中，用于蚀刻部分221A的成分亦包括钝化成分，所述钝化成分包括以下一种或多种：甲烷(CH4)、乙烯(C2H4)、氮(N2)、二氯(Cl2)和/或溴化氢(HBr)。钝化成分有助于维持膜堆叠物120的临界尺寸和轮廓。在一个实例中，在部分221A的蚀刻期间，留在第二多个结构222B上的基板识别层123(如，第三多个结构223B)的残留部分被去除。
图2E根据一个实施方式绘示在使用第四蚀刻操作选择性地蚀刻组件功能层121后的图2D中所绘示的膜堆叠物120，其中第四蚀刻操作具有二元蚀刻操作。二元蚀刻操作包括反应性离子蚀刻。在反应性离子蚀刻中，离子290(显示于图2D中)被导引朝向组件功能层121并平行于轴291，轴291垂直于基板106的第一表面103延伸。二元蚀刻操作打开组件功能层121的部分221A，以形成开口228和在开口228之间的第一多个结构239。第一多个结构239形成于基板106的第一表面103上，且在第一表面103与第二多个结构222B之间。组件功能层121的第一多个结构239垂直对准第二多个结构222B有助于图案化并形成第一多个结构239。第一多个结构239的各硬模结构239包括第一侧表面232和第二侧表面233，第一侧表面232和第二侧表面233二者都垂直于基板106的第一表面103延伸。第一侧表面232对准第二多个结构222B的相邻结构222B的第一侧表面234，且第二侧表面233对准第二多个结构222B的相邻结构222B的第二侧表面235。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，第一侧表面232和第二侧表面233平行于轴291。第二多个结构222B被支撑在第一多个结构239上而在第一表面103上形成多个堆叠物260。
图2F根据一个实施方式绘示使用第四蚀刻操作选择性地蚀刻组件功能层121后的图2D中所绘示的膜堆叠物120，其中第四蚀刻操作具有成角度蚀刻操作。成角度蚀刻操作包括物理性离子轰击。以相对于基板106的第一表面103的第一角度A1朝向组件功能层121导引离子295(绘示于图2D中。相对于轴291测量第一角度A1。第一角度A1在0度与90度之间。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，第一角度A1在0度至60度的范围内。成角度蚀刻操作打开组件功能层121的部分221A，以形成成角度开口240和多个成角度硬模结构241。组件功能层121的多个成角度硬模结构241垂直对准第二多个结构222B有助于图案化并形成多个成角度硬模结构241。
多个成角度硬模结构241的各成角度硬模结构241包括第一成角度侧表面242和第二成角度侧表面243，第一成角度侧表面242和第二成角度侧表面243以第二角度A2从第一表面103延伸。第二角度A2在0度与90度之间。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，第二角度A2在30度至70度的范围内。第二角度A2大于第一角度A1。第一角度A1和第二角度A2加起来约是90度。第一成角度侧表面242相对于第二多个结构222B的相邻硬模结构222B的第一侧表面234成角度设置。第二成角度侧表面243相对于第二多个结构222B的相邻硬模结构222B的第二侧表面235成角度设置。
在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，在第四蚀刻操作后进行第五蚀刻操作，以去除硬模层122的第二多个结构222B。在一个实例中，相对于基板106选择性地蚀刻第二多个结构222B。第五蚀刻操作包括湿法蚀刻或干法蚀刻。在一个实例中，湿法蚀刻使用了包括硝酸铈铵(ammonium nitrate；CAN)的成分。在一个实例中，干法蚀刻包括以下一种或多种：二氯(Cl2)和/或氧(O2)。
在第四蚀刻操作中使用二元蚀刻的实例中，在第五蚀刻操作后将第二多个结构222B从第一多个结构239(如图2E所绘示)去除。在第五蚀刻操作后，第一多个结构239(如图2E所绘示)留在基板106的第一表面103上。在第四蚀刻操作中使用成角度蚀刻的实例中，在第五蚀刻操作后将第二多个结构222B从多个成角度硬模结构241(如图2F所绘示)去除。在第五蚀刻操作后，多个成角度硬模结构241(如图2F所绘示)留在基板106的第一表面103上。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，第一蚀刻操作、第二蚀刻操作、第三蚀刻操作、第四蚀刻操作和/或第五蚀刻操作中的一个或多个被同步组合和/或进行。在一个实例中，第三蚀刻操作和第四蚀刻操作被组合成单一蚀刻操作，以就蚀刻使用相同成分同步去除第三多个结构223B和组件功能层121的部分221A。
在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，从膜堆叠物120省略组件功能层121，使得在进行第三蚀刻操作后，第二多个结构222B形成于基板106的第一表面103上。在一个实例中，省略第四蚀刻操作，且第五蚀刻操作蚀刻硬模层122和基板106。在这样的实例中，第五蚀刻操作去除第二多个结构222B和在第二多个结构222B之间垂直对准的基板106的部分，以于基板106中形成凹部。
第二多个结构222B的多个方面，如铬、钌和/或氮化钛，有助于相对于第二多个结构222B选择性地蚀刻组件功能层121。举例而言，当使用成角度蚀刻操作时，第二多个结构222B的铬、氮化钛和/或钌有助于以角度选择性地蚀刻组件功能层121，以形成第一成角度侧表面242和第二成角度侧表面243。举例而言，铬、氮化钛和/或钌有助于使用较薄的硬模层122以有助于在成角度蚀刻期间减少或消除3-D阴影效应(shadow effect)对膜堆叠物120的临界尺寸的影响。举例而言，例如，在蚀刻部分221A期间，铬、氮化钛和/或钌也有助于选择性蚀刻和有利的蚀刻速度，以有助于准确控制膜堆叠物120的临界尺寸。成角度蚀刻操作也能促进对膜堆叠物120有利的光向量(light vector)。
图3是根据一个实施方式的处理系统300的局部示意图。处理系统300包括多个工艺腔室301至305和传送腔室312。传送腔室312包括设置于传送腔室312的传送空间318中的传送机器人316。处理系统300也包括工厂7接口314。可使用工厂接口314将上文讨论的包括基板106的膜堆叠物120提供至处理系统300。处理系统300接收膜堆叠物120，且传送机器人316促使将膜堆叠物120传送进入、离开多个工艺腔室301至305，或在多个工艺腔室301至305之间传送膜堆叠物120。在一个实例中，处理系统300从第二系统322接收膜堆叠物120，第二系统322将层121至123形成于基板106的第一表面103上，并将一个或多个背侧层124形成于基板106的第二表面104上。
平板印刷腔室301包括平板印刷系统(如上文所讨论的平板印刷系统100)，所述平板印刷系统在膜堆叠物120上图案化并形成三层平板印刷结构201。本公开内容考虑了如第三系统等不同的系统，所述不同的系统可在由处理系统300接收膜堆叠物之前图案化膜堆叠物120上的三层平板印刷结构201。第一蚀刻腔室302进行关于图2A和图2B所讨论的第一蚀刻操作。第一蚀刻腔室302进行关于图2A和图2B所讨论的第一蚀刻操作。第二蚀刻腔室303进行关于图2B和图2C所讨论的第二蚀刻操作。第三蚀刻腔室304进行关于图2C和图2D所讨论的第三蚀刻操作。第四蚀刻腔室305进行关于图2D、图2E和图2F所讨论的第四蚀刻操作。本公开内容考虑单一蚀刻腔室可进行第一蚀刻操作至第四蚀刻操作中的一个或多个。
处理系统300包括控制器320，控制器320与以下一个或多个通信：处理系统300、第二处理系统322和/或第三处理系统。控制器320包括储存有指令的非暂时性计算机可读介质，当由控制器320的处理器执行时，所述指令导致本文所述的操作中的一个或多个。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，当由处理器执行时，所述指令导致多个层121至123被形成于基板106的第一表面103上，并导致背侧层124被形成于第二表面104上。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，当由处理器执行时，所述指令导致三层平板印刷结构201被图案化并形成于具有基板106的膜堆叠物120上。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，当由处理器执行时，所述指令导致以下一个或多个的进行：第一蚀刻操作、第二蚀刻操作、第三蚀刻操作、第四蚀刻操作和/或第五蚀刻操作。在可与其他多个实施方式结合的一个实施方式中，当由处理器执行时，所述指令导致方法200的一个或多个操作的进行。
本公开内容的益处包括：使用透明玻璃基板，以平板印刷系统图案化玻璃基板；促进玻璃基板的平板印刷机器识别；至少一个硬模层相对于其他硬模层和/或玻璃基板的对比度；促进玻璃基板相对于平板印刷机器的对准；促进成角度蚀刻操作；提升的效率；增加的每基板晶粒数、减少的基板缺陷、提高的机器产量、减少的机器停机时间，和降低的操作成本。
本公开内容的多个方面包括玻璃基板；形成于玻璃基板的第一表面上的一个或多个层；形成于玻璃基板的第二表面上的一个或多个背侧层；包括铬、钌和/或氮化钛的至少一个硬模层；包括铬钌和/或氮化钛的在组件功能层与基板识别层之间的硬模层；和成角度蚀刻操作。可考虑到，可结合本文公开的一个或多个方面。此外，可考虑到，本文公开的一个或多个方面可包括前述益处中的一些或全部。
虽然前述内容针对本公开内容的多个实施方式，但可在不脱离本公开内容基本范围下设计出本公开内容的多个其他和进一步实施方式。本公开内容亦考虑到，本文所述实施方式的一个或多个方面可替代所述其他方面中的一个或多个。本公开内容的范围由所附权利要求决定。
Claims (20)
1.一种用于光学组件的膜堆叠物，包含：
玻璃基板，包含第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对，且所述第一表面设置于所述第二表面上方；
组件功能层，形成于所述第一表面上；
硬模层，形成于所述组件功能层上，所述硬模层包含以下一种或多种：铬、钌或氮化钛；
基板识别层，形成于所述硬模层上；和
背侧层，形成于所述第二表面上，所述背侧层包含以下一个或多个：导电层或氧化物层。
2.如权利要求1所述的膜堆叠物，其中所述基板识别层包含硅。
3.如权利要求2所述的膜堆叠物，其中所述组件功能层包含以下一种或多种：二氧化钛或一氧化铌。
4.如权利要求3所述的膜堆叠物，其中所述硬模层包含在10nm至400nm的范围内的厚度。
5.如权利要求4所述的膜堆叠物，其中：
所述组件功能层包含在20nm至500nm的范围内的厚度；且
所述基板识别层包含在10nm至200nm的范围内的厚度。
6.如权利要求3所述的膜堆叠物，其中形成于所述第二表面上的所述背侧层包含以下一种或多种：硅或氧化硅。
7.如权利要求6所述的膜堆叠物，其中所述背侧层包含在10nm至600nm的范围内的厚度。
8.一种处理用于光学组件的膜堆叠物的方法，包含以下步骤：
提供所述膜堆叠物，所述膜堆叠物包含：
玻璃基板，包含第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对，且多个层形成于所述玻璃基板的所述第一表面上，其中所述多个层的硬模层包含以下一种或多种：铬、钌或氮化钛；
识别所述多个层的基板识别层；
图案化所述膜堆叠物，以在所述多个层上形成三层平板印刷结构；和
蚀刻所述三层平板印刷结构和所述多个层，以形成在所述玻璃基板的所述第一表面上的第一多个结构，和堆叠在所述第一多个结构上的第二多个结构。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述蚀刻所述多个层包含：相对于所述第二多个结构选择性地蚀刻形成于所述玻璃基板的所述第一表面上的组件功能层，所述蚀刻包含二元蚀刻，且所述二元蚀刻包含反应性离子蚀刻。
10.如权利要求8所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述图案化之前，使用在所述硬模层上形成的一个或多个对准标记来相对于平板印刷系统对准所述膜堆叠物。
11.如权利要求8所述的方法，其中所述蚀刻所述多个层包含：相对于所述第二多个结构选择性地蚀刻形成于所述玻璃基板的所述第一表面上的组件功能层，且所述蚀刻包含成角度蚀刻。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述成角度蚀刻包含物理性离子轰击。
13.如权利要求8所述的方法，其中所述第一多个结构包含以下一种或多种：二氧化钛或一氧化铌。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述膜堆叠物包含背侧层，所述背侧层形成于所述玻璃基板的所述第二表面上，且形成于所述第二表面上的所述背侧层包含以下一种或多种：硅或氧化硅。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述第二多个结构包含在10nm至400nm的范围内的厚度。
16.如权利要求8所述的方法，其中：
所述多个层包含：
组件功能层，形成于所述玻璃基板的所述第一表面上，
硬模层，形成于所述组件功能层上，和
基板识别层，形成于所述硬模层上；且
所述三层平板印刷结构包含：
第一层，形成于所述基板识别层上，
第二层，形成于所述第一层上，和
多个光刻胶结构，形成于所述第二层上。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述蚀刻所述三层平板印刷结构和所述多个层包含以下步骤：
在第一蚀刻速度下，蚀刻所述多个光刻胶结构、所述第一层与所述光刻胶结构垂直对准的部分、所述第二层与所述光刻胶结构垂直对准的部分，和所述基板识别层与所述光刻胶结构垂直对准的部分；和
在不同于所述第一蚀刻速度的第二蚀刻速度下，蚀刻所述第一层在所述光刻胶结构之间垂直对准的部分、所述第二层在所述光刻胶结构之间垂直对准的部分，和所述基板识别层在所述光刻胶结构之间垂直对准的部分。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述第二蚀刻速度相对于所述第一蚀刻速度是2:1的比率。
19.一种用于光学组件的膜堆叠物，包含：
玻璃基板，包含第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对，且所述第一表面设置于所述第二表面上方；
多个堆叠物，形成于所述第一表面上，所述多个堆叠物的各堆叠物包含：
第一多个结构，形成于所述玻璃基板的所述第一表面上，和
第二多个结构，堆叠在所述第一多个结构上，其中所述第一多个结构或所述第二多个结构中的一个或多个包含以下一种或多种：铬、钌或氮化钛；和
背侧层，形成于所述玻璃基板的所述第二表面上。
20.如权利要求19所述的膜堆叠物，其中所述第二多个结构的各结构包含第一成角度侧表面和第二成角度侧表面。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/803,956 | 2020-02-27 | ||
| US16/803,956 US11111176B1 (en) | 2020-02-27 | 2020-02-27 | Methods and apparatus of processing transparent substrates |
| PCT/US2021/014589 WO2021173271A1 (en) | 2020-02-27 | 2021-01-22 | Methods and apparatus of processing transparent substrates |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115176205A true CN115176205A (zh) | 2022-10-11 |
Family
ID=77463460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202180016687.6A Pending CN115176205A (zh) | 2020-02-27 | 2021-01-22 | 处理透明基板的方法和设备 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11111176B1 (zh) |
| EP (1) | EP4111263A4 (zh) |
| JP (1) | JP7542634B2 (zh) |
| KR (1) | KR20220144403A (zh) |
| CN (1) | CN115176205A (zh) |
| TW (2) | TW202330434A (zh) |
| WO (1) | WO2021173271A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11111176B1 (en) * | 2020-02-27 | 2021-09-07 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus of processing transparent substrates |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6285424B1 (en) * | 1997-11-07 | 2001-09-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Black mask, color filter and liquid crystal display |
| US6472107B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-10-29 | Photronics, Inc. | Disposable hard mask for photomask plasma etching |
| US6410192B1 (en) | 1999-11-15 | 2002-06-25 | Corning Incorporated | Photolithography method, photolithography mask blanks, and method of making |
| SE0201019D0 (sv) * | 2002-04-04 | 2002-04-04 | Micronic Laser Systems Ab | A mask blank and a method for producing the same |
| US6913706B2 (en) * | 2002-12-28 | 2005-07-05 | Intel Corporation | Double-metal EUV mask absorber |
| KR100546365B1 (ko) * | 2003-08-18 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 블랭크 포토마스크 및 이를 사용한 포토마스크의 제조방법 |
| US20050238922A1 (en) * | 2003-12-25 | 2005-10-27 | Hoya Corporation | Substrate with a multilayer reflection film, reflection type mask blank for exposure, reflection type mask for exposure and methods of manufacturing them |
| JP2006220793A (ja) | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Canon Inc | 孤立した微細構造体の製造方法 |
| US20090128908A1 (en) * | 2005-11-09 | 2009-05-21 | Tatsuhiro Nakazawa | Polarization Split Element and Production Method Thereof, and Optical Pickup, Optical Device, Optical Isolator and Polarizing Hologram Provided with the Polarization Split Element |
| US7807248B2 (en) * | 2007-08-14 | 2010-10-05 | Cardinal Cg Company | Solar control low-emissivity coatings |
| KR101576205B1 (ko) * | 2008-12-11 | 2015-12-10 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 포토마스크, 이를 제조하기 위한 방법 및 장치 |
| KR101675113B1 (ko) | 2010-01-08 | 2016-11-11 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| JP2012038787A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 擬似位相欠陥を有する反射型マスクブランクスの製造方法、および擬似位相欠陥を有する反射型マスクの製造方法 |
| KR101291382B1 (ko) | 2011-03-04 | 2013-07-30 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
| WO2013146990A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| US9494852B2 (en) * | 2012-07-13 | 2016-11-15 | Hoya Corporation | Mask blank and method of manufacturing phase shift mask |
| KR20140017767A (ko) | 2012-07-31 | 2014-02-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 및 이의 정렬 방법 |
| JP6499440B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2019-04-10 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
| TWI694304B (zh) * | 2015-06-08 | 2020-05-21 | 日商Ａｇｃ股份有限公司 | Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底 |
| US10606166B2 (en) * | 2015-06-17 | 2020-03-31 | Hoya Corporation | Substrate with electrically conductive film, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method of manufacturing semiconductor device |
| WO2017090485A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2017211803A (ja) | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 三菱電機株式会社 | タッチパネルおよびその製造方法 |
| US20190369483A1 (en) * | 2017-01-17 | 2019-12-05 | Hoya Corporation | Substrate with conductive film, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask and method for manufacturing semiconductor device |
| KR101801688B1 (ko) * | 2017-01-18 | 2017-11-27 | (주)이녹스첨단소재 | Oled 패널 하부 보호필름 및 이를 포함하는 oled 패널 |
| US11237472B2 (en) | 2017-03-02 | 2022-02-01 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method |
| JP6965833B2 (ja) * | 2017-09-21 | 2021-11-10 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| KR102418574B1 (ko) | 2017-10-20 | 2022-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
| JP7263908B2 (ja) | 2018-06-13 | 2023-04-25 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| US11333896B2 (en) * | 2018-06-28 | 2022-05-17 | Applied Materials, Inc. | Fabrication of diffraction gratings |
| US11111176B1 (en) * | 2020-02-27 | 2021-09-07 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus of processing transparent substrates |
-
2020
- 2020-02-27 US US16/803,956 patent/US11111176B1/en active Active
-
2021
- 2021-01-22 WO PCT/US2021/014589 patent/WO2021173271A1/en unknown
- 2021-01-22 KR KR1020227032852A patent/KR20220144403A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-01-22 CN CN202180016687.6A patent/CN115176205A/zh active Pending
- 2021-01-22 JP JP2022550134A patent/JP7542634B2/ja active Active
- 2021-01-22 EP EP21759756.6A patent/EP4111263A4/en active Pending
- 2021-02-05 TW TW112108089A patent/TW202330434A/zh unknown
- 2021-02-05 TW TW110104406A patent/TWI798637B/zh active
- 2021-09-03 US US17/466,803 patent/US12060297B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4111263A4 (en) | 2024-07-03 |
| JP7542634B2 (ja) | 2024-08-30 |
| US11111176B1 (en) | 2021-09-07 |
| US12060297B2 (en) | 2024-08-13 |
| EP4111263A1 (en) | 2023-01-04 |
| KR20220144403A (ko) | 2022-10-26 |
| TW202200521A (zh) | 2022-01-01 |
| TWI798637B (zh) | 2023-04-11 |
| JP2023515938A (ja) | 2023-04-17 |
| TW202330434A (zh) | 2023-08-01 |
| WO2021173271A1 (en) | 2021-09-02 |
| US20210395139A1 (en) | 2021-12-23 |
| US20210269355A1 (en) | 2021-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10768526B2 (en) | Method of forming patterns | |
| US11488823B2 (en) | Techniques to engineer nanoscale patterned features using ions | |
| US20180138078A1 (en) | Method for Regulating Hardmask Over-Etch for Multi-Patterning Processes | |
| US8445182B2 (en) | Double exposure technology using high etching selectivity | |
| KR101322112B1 (ko) | 마스크 패턴의 형성 방법 | |
| US9880464B2 (en) | Pattern forming method | |
| TWI725230B (zh) | 將基底及設置在其上的層圖案化以及形成器件結構的方法 | |
| US20230389436A1 (en) | Metal/Dielectric/Metal Hybrid Hard Mask To Define Ultra-Large Height Top Electrode For Sub 60nm MRAM Devices | |
| US6989219B2 (en) | Hardmask/barrier layer for dry etching chrome films and improving post develop resist profiles on photomasks | |
| US12060297B2 (en) | Methods and apparatus of processing transparent substrates | |
| US20160079182A1 (en) | Method for processing a carrier and a carrier | |
| US20090033362A1 (en) | Method for Forming a Structure on a Substrate and Device | |
| KR101094953B1 (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 | |
| US20050099695A1 (en) | Manufacturing method of micro-lens, manufacturing method of solid-state image pickup device and solid-state image pickup device | |
| US20090311865A1 (en) | Method for double patterning lithography | |
| US20130122703A1 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| KR20010084594A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |