CN115176176A - 放射线检测器、放射线图像摄影装置及放射线检测器的制造方法 - Google Patents
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Abstract
放射线检测器具备传感器基板、转换层及加强基板。传感器基板在挠性基材的像素区域中形成有蓄积根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素。转换层设置于基材的设置有像素的第1面的一侧，并且将放射线转换为光。加强基板，用于加强基材的刚性，设置于转换层的与基材侧的面相反的一侧的面上，并且包括具有多个贯穿孔的多孔层。
Description
技术领域
本发明涉及一种放射线检测器、放射线图像摄影装置及放射线检测器的制造方法。
背景技术
以往，已知有一种以医疗诊断为目的而进行放射线摄影的放射线图像摄影装置。在这些放射线图像摄影装置中使用用于检测透射了被摄体的放射线而生成放射线图像的放射线检测器。
作为放射线检测器，存在如下放射线检测器，其具备：闪烁器等转换层，将放射线转换为光；及基板，设置有蓄积根据由转换层转换的光而产生的电荷的多个像素。已知作为这种放射线检测器的传感器基板的基材使用挠性基材而成的基材。通过使用挠性基材，能够使放射线图像摄影装置轻量化，并且有时容易拍摄被摄体。
然而，已知有如下技术：在放射线图像摄影装置上施加荷载或冲击等的情况下，使用了挠性基材的基板容易挠曲，因此为了抑制冲击等对放射线检测器的影响，使放射线检测器的弯曲刚性变高。
例如，在日本特开2012-173275号公报中记载有如下技术：在将荧光作为电信号进行检测的薄膜部的与闪烁器侧相反的一侧设置成为加强基板的加强部件。并且，例如，在日本特开2014-081363号公报中记载有如下技术：在光电转换面板的放射线入射侧或与放射线入射侧相反的一侧贴附加强基板。
发明内容
发明要解决的技术课题
在日本特开2012-173275号公报及日本特开2014-081363号公报中所记载的技术中，如上所述，虽然能够提高放射线检测器的弯曲刚性，但是由于加强基板而会导致放射线检测器整体的重量增加。因此，在专利文献1及专利文献2中所记载的技术中，有时无法充分获得通过使用挠性基材来使放射线图像摄影装置轻量化的效果。
本发明提供一种弯曲刚性高且轻量化的放射线检测器、放射线图像摄影装置及放射线检测器的制造方法。
用于解决技术课题的手段
本发明的第1方式的放射线检测器具备：基板，在挠性基材的像素区域中形成蓄积根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素；转换层，设置于基材的设置有像素的面的一侧，并且将放射线转换为光；及加强基板，用于加强基材的刚性，设置于转换层的与基材侧的面相反的一侧的面上，并且包括具有多个贯穿孔的多孔层。
并且，本发明的第2方式的放射线检测器在第1方式的放射线检测器中，多个贯穿孔中的每一个的开口直径为0.5mm以上且50mm以下，间距为1mm以上且50mm以下，并且开口率为10％以上且50％以下。
并且，本发明的第3方式的放射线检测器在第1方式或第2方式的放射线检测器中，多孔层具有开口为六边形的多个贯穿孔。
并且，本发明的第4方式的放射线检测器在第3方式的放射线检测器中，多孔层具有蜂窝结构。
并且，本发明的第5方式的放射线检测器在第1方式的放射线检测器中，多孔层具有孔隙率为15％以上且50％以下，并且孔径为0.3μm以上且5mm以下的多孔结构。
并且，本发明的第6方式的放射线检测器在第1方式的放射线检测器中，多孔层具有凹槽的延伸方向为加强基板的面内方向的凹槽结构。
并且，本发明的第7方式的放射线检测器在第6方式的放射线检测器中，凹槽结构的间距为凹槽结构的厚度以上且厚度的3倍以下。
并且，本发明的第8方式的放射线检测器在第1方式至第7方式中的任一方式的放射线检测器中，多孔层的材料包含CFRP(Carbon Fiber Reinforced Plastic：碳纤维增强塑料)、CFRTP(Carbon Fiber Reinforced Thermo Pla stics：碳纤维增强热塑性塑料)、PVC(Polyvinyl Chloride：聚氯乙烯)、PET(Polyethylene Terephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PP(PolyPro pylene：聚丙烯)、PE(PolyEthylene：聚乙烯)、铝及镁中的至少一种。
并且，本发明的第9方式的放射线检测器在第1方式至第7方式中的任一方式的放射线检测器中，多孔层的材料的主成分为CFRP(Carbon Fiber Reinforced Plastic：碳纤维增强塑料)。
并且，本发明的第10方式的放射线检测器在第1方式至第9方式中的任一方式的放射线检测器中，多孔层在沿基材的设置像素的面排列的多个区域中的各区域的贯穿孔的密度不同。
并且，本发明的第11方式的放射线检测器在第10方式的放射线检测器中，与设置电路部的位置对应的区域中的贯穿孔的密度小于其他区域中的贯穿孔的密度，该电路部用于读取蓄积于像素中的电荷。
并且，本发明的第12方式的放射线检测器在第10方式的放射线检测器中，与向电路部供给电源的电源部对应的区域中的贯穿孔的密度大于其他区域中的贯穿孔的密度，该电路部用于读取蓄积于像素中的电荷。
并且，本发明的第13方式的放射线检测器在第1方式至第12方式中的任一方式的放射线检测器中，加强基板包括由多个多孔层层叠而成的层叠体。
并且，本发明的第14方式的放射线检测器在第1方式至第13方式中的任一方式的放射线检测器中，多孔层具有设置于转换层侧的面及与转换层相反的一侧的面中的至少一侧的面上的保护板。
并且，本发明的第15方式的放射线检测器在第1方式至第14方式中的任一方式的放射线检测器中，还具备设置于基材的与设置有像素的面相反的面的一侧的抗静电层。
并且，本发明的第16方式的放射线检测器在第15方式的放射线检测器中，抗静电层为树脂膜与金属膜的层叠膜。
并且，本发明的第17方式的放射线图像摄影装置具备：本发明的放射线检测器；及电路部，用于读取蓄积于多个像素中的电荷。
并且，本发明的第18方式的放射线检测器的制造方法具备：在支承体上设置挠性基材，并形成基板的工序，其中，在基材的第1面的像素区域中设置有蓄积根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素；在基材的设置有像素的面的一侧设置将放射线转换为光的转换层的工序；在转换层的与基材侧的面相反的一侧的面上设置用于加强基材的刚性的加强基板的工序，该加强基板包括具有多个贯穿孔的多孔层；及从支承体剥离基板的工序。
并且，本发明的第19方式的放射线检测器的制造方法在第18方式的放射线检测器的制造方法中，从支承体剥离基板的工序在基板上设置加强基板之后进行。
发明效果
根据本发明，弯曲刚性高且能够提高耐热性。
附图说明
图1是表示实施方式的放射线图像摄影装置中的电气系统的主要部分结构的一例的框图。
图2是从基材的第1面侧观察实施方式的放射线检测器的一例的平面图。
图3是图2所示的放射线检测器的一例的A-A线剖视图。
图4A是从放射线检测器的上表面侧观察具有冲孔结构的多孔层的一例的平面图。
图4B是图4A所示的多孔层的B-B线剖视图的一例。
图5A是从放射线检测器的上表面侧观察具有冲孔结构的多孔层的另一例的平面图。
图5B是从放射线检测器的上表面侧观察具有冲孔结构的多孔层的另一例的平面图。
图6A是从放射线检测器的上表面侧观察具有蜂窝结构的多孔层的一例的平面图。
图6B是从放射线检测器的侧面侧观察图6A所示的多孔层的侧视图。
图6C是从放射线检测器的侧面侧观察具有蜂窝结构的多孔层的另一例的侧视图。
图7A是从放射线检测器的侧面侧观察具有凹槽结构的多孔层的一例的侧视图。
图7B是从放射线检测器的侧面侧观察具有凹槽结构的多孔层的另一例的侧视图。
图8是从放射线检测器的侧面侧观察具有多孔结构的多孔层的一例的侧视图。
图9A是实施方式的放射线图像摄影装置的一例的剖视图。
图9B是实施方式的放射线图像摄影装置的一例的剖视图。
图10A是说明实施方式的放射线图像摄影装置的制造方法的一例的图。
图10B是说明实施方式的放射线图像摄影装置的制造方法的一例的图。
图10C是说明实施方式的放射线图像摄影装置的制造方法的一例的图。
图10D是说明实施方式的放射线图像摄影装置的制造方法的一例的图。
图10E是说明实施方式的放射线图像摄影装置的制造方法的一例的图。
图10F是说明实施方式的放射线图像摄影装置的制造方法的一例的图。
图11A是实施方式的放射线检测器的另一例的A-A线剖视图。
图11B是实施方式的放射线检测器的另一例的A-A线剖视图。
图11C是实施方式的放射线检测器的另一例的A-A线剖视图。
图12A是变形例1的放射线检测器的一例的A-A线剖视图。
图12B是变形例1的放射线检测器的另一例的A-A线剖视图。
图13是变形例2的放射线检测器的一例的A-A线剖视图。
图14A是用于说明变形例3的多孔层的一例的图。
图14B是用于说明变形例3的多孔层的另一例的图。
图15A是变形例4的放射线图像摄影装置的一例的剖视图。
图15B是变形例4的放射线图像摄影装置的另一例的剖视图。
图15C是变形例4的放射线图像摄影装置的另一例的剖视图。
具体实施方式
以下，参考附图对本发明的实施方式详细地进行说明。另外，本实施方式并不限定本发明。
本实施方式的放射线检测器具有检测透射了被摄体的放射线并输出表示被摄体的放射线图像的图像信息的功能。本实施方式的放射线检测器具备传感器基板及将放射线转换为光的转换层(参考图3的放射线检测器10的传感器基板12及转换层14)。本实施方式的传感器基板12是本发明的基板的一例。
首先，参考图1对本实施方式的放射线图像摄影装置中的电气系统的结构的一例的概要进行说明。图1是表示本实施方式的放射线图像摄影装置中的电气系统的主要部分结构的一例的框图。
如图1所示，本实施方式的放射线图像摄影装置1具备放射线检测器10、控制部100、驱动部102、信号处理部104、图像存储器106及电源部108。本实施方式的控制部100、驱动部102及信号处理部104中的至少一个为本发明的电路部的一例。以下，将控制部100、驱动部102及信号处理部104统称为“电路部”。
放射线检测器10具备传感器基板12及将放射线转换为光的转换层14(参考图3)。传感器基板12具备挠性基材11及设置于基材11的第1面11A上的多个像素30。另外，以下，有时将多个像素30简称为“像素30”。
如图1所示，本实施方式的各像素30具备根据由转换层转换的光而产生电荷并将其蓄积的传感器部34以及读取通过传感器部34蓄积的电荷的开关元件32。在本实施方式中，作为一例，将薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transis tor)用作开关元件32。因此，以下将开关元件32称为“TFT32”。在本实施方式中，形成传感器部34和TFT32，并且作为平坦化层，设置有在基材11的第1面11A上形成像素30的层。
像素30在传感器基板12的像素区域35上沿着一个方向(与图1的横向对应的扫描配线方向，以下也称为“行方向”)及与行方向交叉的方向(与图1的纵向对应的信号配线方向，以下也称为“列方向”)以二维状配置。图1中，简化示出了像素30的排列，例如，像素30在行方向及列方向上配置有1024个×1024个。
并且，放射线检测器10中彼此交叉地设置有针对像素30的每一行设置的用于控制TFT32的开关状态(打开及关闭)的多个扫描配线38和针对像素30的每一列设置的读取蓄积于传感器部34中的电荷的多个信号配线36。多个扫描配线38的每一个分别经由柔性电缆112A与驱动部102连接，由此从驱动部102输出的驱动TFT32来控制开关状态的驱动信号在多个扫描配线38的每一个上流动。并且，多个信号配线36的每一个分别经由柔性电缆112B与信号处理部104连接，由此从各像素30读取的电荷作为电信号输出至信号处理部104。信号处理部104生成并输出与输入的电信号相对应的图像数据。另外，在本实施方式中，关于柔性电缆112，称为“连接”时，意味着电连接。
在信号处理部104上连接有后述的控制部100，从信号处理部104输出的图像数据依次输出至控制部100。在控制部100上连接有图像存储器106，从信号处理部104依次输出的图像数据通过控制部100的控制依次存储于图像存储器106中。图像存储器106具有能够存储规定张数的图像数据的存储容量，并且每次拍摄放射线图像时，通过拍摄获得的图像数据依次存储于图像存储器106中。
控制部100具备CPU(Central Processing Unit：中央处理器)100A、包括ROM(ReadOnly Memory：只读存储器)和RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)等的存储器100B、以及闪存等非易失性存储部100C。作为控制部100的一例，可举出微型计算机等。控制部100控制放射线图像摄影装置1的整体动作。
另外，在本实施方式的放射线图像摄影装置1中，图像存储器106及控制部100等形成在控制基板110上。
并且，为了对各像素30施加偏压，在各像素30的传感器部34中，在信号配线36的配线方向上设置有共用配线39。共用配线39与传感器基板12的外部的偏压电源(省略图示)连接，由此从偏压电源向各像素30施加偏压。
电源部108向控制部100、驱动部102、信号处理部104、图像存储器106及电源部108等各种元件和各种电路提供电力。另外，在图1中，为了避免复杂化，省略了连接电源部108与各种元件和各种电路的配线的图示。
此外，对放射线检测器10详细地进行说明。图2是从基材11的第1面11A侧观察本实施方式的放射线检测器10的平面图的一例。并且，图3是图2中的放射线检测器10的A-A线剖视图的一例。
基材11具有挠性，例如是包含PI(PolyImide：聚酰亚胺)等塑料的树脂片。基材11的厚度只要可根据材质的硬度及传感器基板12的大小，即根据第1面11A或第2面11B的面积等而获得所期望的挠性的厚度即可。作为具有挠性的例子，是指在矩形状的基材11为单体的情况下，在固定了基材11的一边的状态下，在距离所固定的边10cm的位置上因基材11的自重的重力基材11下垂2mm以上(变得低于所固定的边的高度)的情况。作为基材11为树脂片的情况下的具体例，只要厚度为5μm～125μm即可，更优选厚度为20μm～50μm。
另外，基材11具有能够承受像素30的制造的特性，在本实施方式中，具有能够承受非晶硅TFT(a-Si TFT)的制造的特性。作为这种基材11所具有的特性，在300℃～400℃下的热膨胀系数(CTE：Coefficient of Thermal Expa nsion)优选与非晶硅(Si)晶片相同程度(例如，±5ppm/K)，具体而言，优选为20ppm/K以下。并且，作为基材11的热收缩率，优选在厚度为25μm的状态下400℃下的热收缩率为0.5％以下。并且，基材11的弹性模量优选在300℃～400℃之间的温度区域内不具有通常的PI所具有的转变点，在500℃下的弹性模量为1GPa以上。
并且，为了抑制基于自身的后方散射线，本实施方式的基材11优选具有包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的吸收后方散射线的无机的微粒的微粒层。另外，作为这种无机的微粒，在其为树脂制基材11的情况下，优选使用原子序数大于构成基材11的有机物的原子且原子序数为30以下的无机物。作为这种微粒的具体例，可举出原子序数为14的Si的氧化物SiO2、原子序数为12的Mg的氧化物MgO、原子序数为13的Al的氧化物Al2O3及原子序数为22的Ti的氧化物TiO2等。作为具有这种特性的树脂片的具体例，可举出XENOMAX(注册商标)。
另外，使用测微器(micrometer)测量了本实施方式中的上述厚度。根据JISK7197：1991测量了热膨胀系数。另外，关于测量，从基材11的主表面每15度改变一次角度来切取试验片，测量所切取的各试验片的热膨胀系数并将最高值设为基材11的热膨胀系数。分别在MD(Machine Direction：纵向)方向及TD(Transverse Direction：横向)方向上，在-50℃～450℃下以10℃间隔进行热膨胀系数的测量，并将(ppm/℃)换算成(ppm/K)。关于热膨胀系数的测量，使用了MAC Science公司制TMA4000S装置，将样品长度设为10mm、将样品宽度设为2mm、将初始负载设为34.5g/mm2、将升温速度设为5℃/分钟及将环境设为氩气。
作为具有所期望的挠性的基材11，并不限于树脂片等树脂制基材。例如，基材11可以是厚度相对薄的玻璃基板等。作为基材11为玻璃基板的情况的具体例，通常一边为43cm左右的尺寸时，若厚度为0.3mm以下则具有挠性，因此只要厚度在0.3mm以下，则可以是所期望的玻璃基板。
如图2及图3所示，多个像素30设置于基材11的第1面11A上。在本实施方式中，将基材11的第1面11A中的设置有像素30的区域设为像素区域35。
并且，在基材11的第1面11A上设置有转换层14。本实施方式的转换层14覆盖像素区域35。在本实施方式中，作为转换层14的一例，使用了含有CsI(碘化铯)的闪烁器。作为这种闪烁器，优选例如含有照射X射线时的发光光谱为400nm～700nm的CsI：Tl(添加有铊的碘化铯)或CsI：Na(添加有钠的碘化铯)。另外，CsI：Tl的可见光区域内的发光峰值波长为565nm。
在使用气相沉积法形成转换层14的情况下，如图3所示，转换层14形成为具有厚度朝向其外缘逐渐变薄的倾斜度。以下，将忽略制造误差及测量误差时的厚度视为大致恒定的转换层14的中央区域称为中央部14A。并且，将相对于转换层14的中央部14A的平均厚度例如具有90％以下的厚度的转换层14的外周区域称为周缘部14B。即，转换层14在周缘部14B中具有相对于传感器基板12倾斜的倾斜面。另外，以下，为了便于说明，在传感器基板12中称为“上”、“下”时，以转换层14为基准，将转换层14的与传感器基板12相对置的一侧称为“下”，并将相反的一侧称为“上”。例如，转换层14设置于传感器基板12上，转换层14的周缘部14B中的倾斜面倾斜成转换层14从上侧朝向下侧逐渐扩展的状态。
并且，如图3所示，在本实施方式的转换层14上设置有粘合层60、反射层62、粘接层64及保护层66。
粘合层60覆盖转换层14的整个表面。粘合层60具有将反射层62固定于转换层14上的功能。粘合层60优选具有透光性。作为粘合层60的材料，例如能够使用丙烯酸系粘合剂、热熔型粘合剂及硅酮系粘接剂。作为丙烯酸系粘合剂，例如可举出聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸树脂丙烯酸酯及环氧树脂丙烯酸酯等。作为热熔型粘合剂，例如可举出EVA(乙烯/乙酸乙烯酯共聚树脂)、EAA(乙烯与丙烯酸的共聚树脂)、EEA(乙烯-丙烯酸乙酯共聚树脂)及EMMA(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物)等热塑性塑料。粘合层60的厚度优选为2μm以上且7μm以下。通过将粘合层60的厚度设为2μm以上，能够充分发挥将反射层62固定于转换层14上的效果。另外，能够抑制在转换层14与反射层62之间形成空气层的危险。若在转换层14与反射层62之间形成空气层，则有可能会产生从转换层14发射的光在空气层与转换层14之间及空气层与反射层62之间重复反射的多重反射。并且，通过将粘合层60的厚度设为7μm以下，能够抑制MTF(Modulation Transfer Function：调制传递函数)及DQE(Detec tive QuantumEfficiency：量子探测效率)的降低。
反射层62覆盖粘合层60的整个表面。反射层62具有反射由转换层14转换的光的功能。作为反射层62的材料，优选由金属或包含金属氧化物的树脂材料构成。作为反射层62的材料，例如能够使用白色PET(Polyethylene Terephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)、TiO2、Al2O3、发泡白色PET及镜面反射铝等。白色PET是向PET添加TiO2或硫酸钡等白色颜料而成的PET，发泡白色PET是指表面呈多孔质的白色PET。并且，作为反射层62的材料，可以使用树脂膜与金属膜的层叠膜。作为树脂膜与金属膜的层叠膜，例如可举出在聚对苯二甲酸乙二醇酯等绝缘性薄片(薄膜)上粘接铝箔等而层叠了铝的ALPET(注册商标)薄片。反射层62的厚度优选为10μm以上且40μm以下。如此，通过在转换层14上设置反射层62，能够将由转换层14转换的光有效地引导至传感器基板12的像素30。
粘接层64覆盖反射层62的整个表面。粘接层64的端部延伸至基材11的第1面11A为止。即，粘接层64在其端部与传感器基板12的基材11粘接。粘接层64具有将反射层62及保护层66固定于转换层14上的功能。作为粘接层64的材料，能够使用与粘合层60的材料相同的材料，但是粘接层64所具有的粘接力优选大于粘合层60所具有的粘接力。
保护层66以覆盖转换层14的整体并且其端部覆盖传感器基板12的一部分的状态被设置。保护层66作为防止水分浸入转换层14的防湿膜而发挥作用。作为保护层66的材料，例如能够使用包含PET、PPS(PolyPhenylone Sul fide：聚苯硫醚)、OPP(OrientedPolyPropylene：双向拉伸聚丙烯薄膜)、PEN(PolyEthylene Naphthalate：聚萘二甲酸乙二醇酯)、PI等有机材料的有机膜或PARYLENE(注册商标)。并且，作为保护层66，可以使用树脂膜与金属膜的层叠膜。作为树脂膜与金属膜的层叠膜，例如可举出ALPET(注册商标)的薄片。
另一方面，如图2及图3所示，在基材11的第1面11A的外缘部设置有多个(在图2中为16个)端子113。作为端子113，使用各向异性导电膜等。如图2及图3所示，柔性电缆112与多个端子113的每一个电连接。具体而言，如图2所示，柔性电缆112A与设置于基材11的一边的多个(在图2中为8个)端子113的每一个热压接。柔性电缆112A是所谓的COF(Chip onFilm：覆晶薄膜)，并且在柔性电缆112A上搭载有驱动IC(Integrated Circuit：集成电路)210。驱动IC210与柔性电缆112A中所包括的多个信号线连接。另外，在本实施方式中，将柔性电缆112A及后述的柔性电缆112B不加区别地统称时，将其简称为“柔性电缆112”。
柔性电缆112A中的和与传感器基板12的端子113电连接的一端相反的一侧的另一端与驱动基板200电连接。作为一例，在本实施方式中，柔性电缆112A中所包括的多个信号线与驱动基板200热压接，由此与搭载于驱动基板200的电路及元件等(省略图示)电连接。另外，电连接驱动基板200与柔性电缆112A的方法并不限于本实施方式，例如可以设为通过连接器来电连接的方式。作为这种连接器，可举出ZIF(Zero Insertion Force：零插拔力)结构的连接器或Non-ZIF(非零插拔力)结构的连接器等。
本实施方式的驱动基板200是挠性的PCB(Printed Circuit Board：印刷电路板)基板，是所谓的柔性基板。并且，搭载于驱动基板200的电路部件(省略图示)是主要用于处理数字信号的部件(以下，称为“数字部件”)。数字部件存在面积(大小)相对小于后述的模拟部件的倾向。作为数字部件的具体例，可举出数字缓冲器、旁路电容器、上拉/下拉电阻、阻尼电阻、EMC(Electro Magnetic Compatibility：电磁兼容性)对策芯片部件及电源IC等。另外，驱动基板200无需一定是柔性基板，可以是非挠性刚性基板，也可以使用刚性柔性基板。
在本实施方式中，通过驱动基板200及搭载于柔性电缆112A上的驱动IC210来实现驱动部102。另外，驱动IC210包括实现驱动部102的各种电路及元件中与搭载于驱动基板200上的数字部件不同的电路。
另一方面，柔性电缆112B与多个(图2中为8个)端子113的每一个电连接，该端子113设置于与电连接有柔性电缆112A的基材11的一边交叉的边。与柔性电缆112A同样，柔性电缆112B是所谓的COF，在柔性电缆112B上搭载有信号处理IC310。信号处理IC310与柔性电缆112B中所包括的多个信号线(省略图示)连接。
柔性电缆112B中的和与传感器基板12的端子113电连接的一端相反的一侧的另一端与信号处理基板300电连接。作为一例，在本实施方式中，柔性电缆112B中所包括的多个信号线与信号处理基板300热压接，由此与搭载于信号处理基板300的电路及元件等(省略图示)连接。另外，电连接信号处理基板300与柔性电缆112B的方法并不限于本实施方式，例如可以设为通过连接器来电连接的方式。作为这种连接器，可举出ZIF结构的连接器或Non-ZIF结构的连接器等。并且，电连接柔性电缆112A与驱动基板200的方法及电连接柔性电缆112B与信号处理基板300的方法可以相同也可以不同。例如，可以设为柔性电缆112A与驱动基板200通过热压接电连接且柔性电缆112B与信号处理基板300通过连接器电连接的方式。
与上述的驱动基板200同样地，本实施方式的信号处理基板300是挠性PCB基板，是所谓的柔性基板。搭载于信号处理基板300的电路部件(省略图示)是主要用于处理模拟信号的部件(以下，称为“模拟部件”)。作为模拟部件的具体例，可举出电荷放大器、模拟数字转换器(ADC)、数字模拟转换器(DAC)及电源IC等。并且，本实施方式的电路部件还包括部件尺寸相对大的电源周围的线圈及平滑用大容量电容器。另外，信号处理基板300无需一定是柔性基板，可以是非挠性刚性基板，也可以使用刚性柔性基板。
在本实施方式中，通过信号处理基板300及搭载于柔性电缆112B上的信号处理IC310来实现信号处理部104。另外，信号处理IC310中包括实现信号处理部104的各种电路及元件中与搭载于信号处理基板300的模拟部件不同的电路。
另外，在图2中，对分别设置有多个(每两个)驱动基板200及信号处理基板300的方式进行了说明，但是驱动基板200及信号处理基板300的数量并不限于图2所示的数量。例如，可以是将驱动基板200及信号处理基板300中的至少一个作为一个基板的方式。
另一方面，如图3所示，在本实施方式的放射线检测器10中，将柔性电缆112与端子113热压接，由此柔性电缆112与端子113电连接。另外，图3是表示和柔性电缆112B与放射线检测器10的电连接有关的结构的一例的图，但是和本实施方式的柔性电缆112A与放射线检测器10的电连接有关的结构也与例示于图3的方式相同。
并且，如图3所示，在本实施方式的放射线检测器10的传感器基板12中的基材11的第2面11B，从接近第2面11B的一侧依次设置有抗静电层48及电磁屏蔽层44。
抗静电层48具有防止传感器基板12带电的功能，并且具有抑制静电的影响的功能。作为抗静电层48，能够使用抗静电涂料“COLCOAT”(商品名称：COLCOAT公司制造)、PET及PP(PolyPropylene：聚丙烯)等。
电磁屏蔽层44具有抑制来自外部的电磁波噪声的影响的功能。作为电磁屏蔽层44的材料，例如能够使用ALPET(注册商标)等树脂膜与金属膜的层叠膜等。
并且，如图2及图3所示，在转换层14上(具体而言在保护层66上)通过粘合剂42设置有包括多孔层50的加强基板40。
加强基板40具有加强基材11的刚性的功能。本实施方式的加强基板40的弯曲刚性高于基材11，相对于与转换层14相对置的面沿垂直方向施加的力的尺寸变化(变形)小于相对于与基材11的第2面11B沿垂直方向施加的力的尺寸变化。另外，具体而言，加强基板40的弯曲刚性优选为基材11的弯曲刚性的100倍以上。并且，本实施方式的加强基板40的厚度比基材11的厚度厚。例如，在将XENOMAX(注册商标)用作基材11的情况下，加强基板40的厚度优选0.1mm～0.25mm左右。
具体而言，本实施方式的加强基板40优选使用弯曲弹性模量为150MPa以上且2500MPa以下的原材料。从抑制基材11的挠曲的观点考虑，优选加强基板40的弯曲刚性高于基材11。另外，若弯曲弹性模量降低则弯曲刚性也降低，为了获得所期望的弯曲刚性，需要加厚加强基板40的厚度，从而导致放射线检测器10整体的厚度增加。若考虑上述加强基板40的材料，则在欲获得超过140000Pacm4的弯曲刚性的情况下，存在加强基板40的厚度相对变厚的倾向。因此，若可获得适当的刚性且考虑放射线检测器10整体的厚度，则用于加强基板40的原材料的弯曲弹性模量更优选为150MPa以上且2500MPa以下。并且，加强基板40的弯曲刚性优选为540Pacm4以上且140000Pacm4以下。
并且，本实施方式的加强基板40的热膨胀系数优选接近转换层14的材料的热膨胀系数，更优选加强基板40的热膨胀系数与转换层14的热膨胀系数之比(加强基板40的热膨胀系数/转换层14的热膨胀系数)优选为0.5以上且2以下。作为这种加强基板40的热膨胀系数优选为30ppm/K以上且80ppm/K以下。例如，在转换层14以CsI：Tl为材料的情况下，转换层14的热膨胀系数为50ppm/K。此时，作为相对接近转换层14的材料，可举出热膨胀系数为60ppm/K～80ppm/K的PVC(Polyvinyl Chloride：聚氯乙烯)或热膨胀系数为65ppm/K～70ppm/K的PET、热膨胀系数为65ppm/K的PC(Polycarbonate：聚碳酸酯)等。
从弹性的观点考虑，加强基板40更优选包括具有屈服点的材料。另外，在本实施方式中，“屈服点”是指在拉伸材料时，应力暂时急剧下降的现象，是指在表示应力与变形的关系的曲线上应力未增加而应变增加的点，是指对材料进行拉伸强度试验时的应力-应变曲线中的顶部。作为具有屈服点的树脂，通常可举出硬且粘性强的树脂及柔软且粘性强并且具有中等强度的树脂。作为硬且粘性强的树脂，例如可举出PC等。并且，作为柔软且粘性强并且具有中等程度的强度的树脂，例如可举出PP等。
并且，如上所述，本实施方式的加强基板40包括多孔层50。图4A是从放射线检测器10的上表面侧观察本实施方式的多孔层50的一例的平面图。并且，图4B是图4A中的多孔层50的B-B线剖视图的一例。
如图4A及图4B所示，多孔层50具有多个贯穿孔51。图4A及图4B所示的多孔层50具有开口部为圆形且从上表面50A贯穿至下表面50B的多个贯穿孔51并列排列的所谓的冲孔结构。如此，通过具有多个贯穿孔51以使加强基板40轻量化。
另外，多孔层50的贯穿孔51的开口直径D、间距P及开口率影响加强基板40的弯曲刚性。例如，存在如下倾向：贯穿孔51的开口率越大，加强基板40的弯曲刚性越低。另外，开口率是指贯穿孔51的开口部分的整体面积所占的比例，若间距P相对于开口直径D变小，则开口率变高。例如，在其为图4A所示的多孔层50的情况下，开口率通过下述式(1)进行计算。
开口率(％)＝(78.5×D2)/P2……(1)
因此，为了使加强基板40轻量化且获得上述的所期望的弯曲刚性，优选贯穿孔51的间距P为1mm以上且50mm以下，开口直径D为0.5mm以上且50mm以下及开口率为10％以上且50％以下。
另外，贯穿孔51的形状(例如贯穿孔51的开口部的形状)及配置等并不限于图4A及图4B所示的方式。例如，如图5A所示，贯穿孔51可以交错配置。在图5A所示的例子中，示出了贯穿孔51以半个间距的偏差配置在每一列中的方式。并且，例如，如图5B所示，贯穿孔51的开口部的形状可以是六边形。
并且，多孔层50只要具有多个贯穿孔51即可，并不限于具有冲孔结构的多孔层。并且，贯穿孔51只要贯穿多孔层50中的至少一部分即可，例如并不限于贯穿上表面50A和下表面50B的贯穿孔。
作为多孔层50的另一例，在图6A及图6B中示出具有蜂窝结构的多孔层50的一例。图6A是从放射线检测器10的上表面侧观察具有蜂窝结构的多孔层50的一例的平面图。并且，图6B是从放射线检测器10的侧面侧观察图6A所示的多孔层50的侧视图的一例。
图6A及图6B所示的多孔层50具有形成蜂窝结构的多个六边形的贯穿孔51。另外，即使在蜂窝结构的多孔层50中，由于贯穿孔51的开口直径D及间距P影响加强基板40的弯曲刚性，因此贯穿孔51的开口直径D及间距P的值优选在上述范围内。
另外，在其为具有蜂窝结构的多孔层50的情况下，如图6C所示的一例，可以设为将蜂窝结构的多孔板501夹在不具有贯穿孔51的保护板502与保护板503之间的夹层结构。并且，多孔层50可以是保护板502及保护板503中的任一个与多孔板501的层叠体。如此，通过具有保护板502及保护板503中的至少一个，成为粘接面的表面积变大，因此例如容易将多孔层50贴合至转换层14的上表面上，并且多孔层50被牢固地固定于转换层14上。
并且，在图7A中示出从放射线检测器10的侧面侧观察具有凹槽结构的多孔层50的一例的侧视图的一例。图7A所示的多孔层50可以设为所谓的使波形的中芯504夹在与衬垫对应的保护板505与保护板506之间的凹槽结构。另外，在其为具有凹槽结构的多孔层50的情况下，并不限于图7A所示的方式，只要具有保护板505及保护板506中的至少一个即可。
在图7A所示的多孔层50中，由中芯504形成的凹槽的延伸方向为加强基板40的面内方向。如此，在其为具有凹槽结构的多孔层50的情况下，通过中芯504来形成从多孔层50的侧面贯穿至相反的一侧的侧面的多个贯穿孔51。
在其为具有凹槽结构的多孔层50的情况下，间距P及厚度T影响加强基板40的弯曲刚性。例如，存在如下倾向：与厚度T相比，间距越大，弯曲刚性越低。因此，为了使加强基板40轻量化且获得上述的所期望的弯曲刚性，优选凹槽结构的间距P为厚度T以上且厚度T的3倍以下。并且，作为厚度T，优选2mm以下。
并且，在图8中示出从放射线检测器10的侧面侧观察具有多孔结构的多孔层50的一例的侧视图的一例。在其为具有多孔结构的多孔层50的情况下，基于JIS H 7009的规格的孔隙率(尤其作为贯穿孔51的贯穿气孔的孔隙率)及孔径影响加强基板40的弯曲刚性。例如，存在如下倾向：孔隙率越大，弯曲刚性越低。另外，孔隙率是指气孔体积相对于总体积的比例，该总体积为包括所有气孔而不限于贯穿气孔的多孔结构体的体积，贯穿气孔率是指贯穿气孔的体积相对于总体积的比例。并且，孔径为气孔的直径，在其为各向异性气孔的情况下，是长轴方向垂直的截面的气孔的直径。因此，为了使加强基板40轻量化且获得上述的所期望的弯曲刚性，优选多孔结构的孔隙率为15％以上且50％以下，并且孔径为0.3μm以上且5mm以下。
作为如上所述的多孔层50的材料的树脂，例如可举出CFRP(Carbon FiberReinforced Plastics：碳纤维增强塑料)、CFRTP(Carbon Fiber Reinforced ThermoPlastics：碳纤维增强热塑性树脂)、PVC、PET、PP及PE中的至少一种。并且，作为多孔层50的材料的金属，例如可举出铝及镁中的至少一种。另外，在这些之中，多孔层50更优选CFRP。尤其，图6C所示的蜂窝结构的多孔层50中的保护板502及保护板503、图7A所示的凹槽结构中的保护板505及506中的每一个通过组合使用碳纤维的延伸方向不同的两层CFRP，能够进一步提高弯曲刚性，因此优选。
另外，加强基板40可以包括由多个多孔层50层叠而成的层叠体。例如，加强基板40可以包括由树脂制的多孔层50和金属制的多孔层50层叠而成的层叠体。此时的加强基板40能够通过金属制的多孔层50来抑制由树脂制的多孔层50引起的带电。并且，例如，加强基板40可以包括贯穿孔51的位置不同的由多个多孔层50层叠而成的层叠体。此时的加强基板40通过在各多孔层50中错开贯穿孔51的位置(更具体而言开口的位置)，能够提高导热性。
并且，例如，加强基板40可以包括由凹槽结构的间距P及厚度T不同的两层多孔层50层叠而成的层叠体。在图7B中示出从放射线检测器10的侧面侧观察具有此时的凹槽结构的多孔层50的一例的侧视图的一例。图7B所示的加强基板40包括由具有间距为P1且厚度为T1的凹槽结构的多孔层507和具有间距为P2且厚度为T2的凹槽结构的多孔层508层叠而成的层叠体。此时的加强基板40能够进一步提高弯曲刚性。
此外，对放射线图像摄影装置1详细地进行说明。图9A是将本实施方式的放射线检测器10适用于从基材11的第2面11B侧照射放射线的ISS(Irradiation Side Sampling：照射侧取样)方式时的放射线图像摄影装置1的剖视图的一例。并且，图9B是将本实施方式的放射线检测器10适用于从转换层14侧照射放射线的PSS(Penetration Side Sampling：穿透侧取样)方式时的放射线图像摄影装置1的剖视图的一例。
如图9A及图9B所示，使用上述放射线检测器10而成的放射线图像摄影装置1以收纳在框体120中的状态来使用。如图9A及图9B所示，在框体120内沿放射线的入射方向排列设置有放射线检测器10、电源部108及信号处理基板300等电路部。图9A的放射线检测器10以基材11的第2面11B侧与透射了被摄体的放射线所照射的框体120的照射面120A侧的顶板相对置的状态配置。更具体而言，以加强基板40与框体120的照射面120A侧的顶板相对置的状态配置。并且，图9B的放射线检测器10以基材11的第1面11A侧与框体120的照射面120A侧的顶板相对置的状态配置。更具体而言，以转换层14的上表面与框体120的照射面120A侧的顶板相对置的状态配置。
并且，如图9A及图9B所示，在框体120内，在透射放射线检测器10的放射线所出射的一侧还设置有中板116。作为中板116，例如可举出铝或铜制薄片。铜制薄片由于入射的放射线而难以产生二次放射线，因此具有防止向后方(即转换层14侧)散射的功能。另外，中板116优选至少覆盖转换层14的射出放射线的一侧的表面整体，并且覆盖转换层14整体。并且，在中板116上固定有信号处理基板300等电路部。
框体120优选由轻量且放射线(尤其是X射线)的吸收率低并且高刚性的材料构成，更优选由弹性模量充分高的材料构成。作为框体120的材料，优选使用弯曲弹性模量为10000MPa以上的材料。作为框体120的材料，能够适当使用具有20000MPa～60000MPa左右的弯曲弹性模量的碳或CFRP。
基于放射线图像摄影装置1的放射线图像的摄影中，来自被摄体的荷载施加于框体120的照射面120A。在框体120的刚性不足的情况下，由于来自被摄体的荷载在传感器基板12上可能会发生挠曲，从而导致发生像素30损伤等故障。通过在由具有10000MPa以上的弯曲弹性模量的材料构成的框体120内部收纳放射线检测器10，能够抑制因来自被摄体的荷载而引起的传感器基板12的挠曲。
另外，在框体120中，框体120的照射面120A和其他部分可以由不同的材料形成。例如，可以如下形成：与照射面120A对应的部分由如上所述的放射线的吸收率低且高刚性并且弹性模量充分高的材料形成，其他部分由与照射面120A对应的部分不同的材料(例如，弹性模量低于照射面120A的部分的材料)形成。
另外，本实施方式的多孔层50具有多个贯穿孔51，因此通过在贯穿孔51的部分与除了贯穿孔51以外的部分中的放射线的透射量不同，到达转换层14的放射线量可能会不同。此时，在通过放射线检测器10而获得的放射线图像中有可能产生图像不均匀。因此，本实施方式的放射线检测器10优选适用于ISS方式的放射线图像摄影装置1。
参考图10A～图10F对本实施方式的放射线图像摄影装置1的制造方法进行说明。另外，本实施方式的放射线图像摄影装置1的制造方法包括本实施方式的放射线检测器10的制造方法。
如图10A所示，为了形成传感器基板12，在厚度比基材11厚的玻璃基板等支承体400上，隔着剥离层402设置基材11。例如，在通过层压法形成基材11的情况下，将成为基材11的薄片贴合于支承体400上。基材11的第2面11B与剥离层402接触。另外，形成基材11的方法并不限于本实施方式，例如也可以是通过涂布法形成基材11的方式。
此外，在基材11的第1面11A上形成像素30及端子113。像素30隔着使用SiN等而形成的底涂层(省略图示)形成于第1面11A的像素区域35上。并且，沿着基材11的两个边分别形成多个端子113。
并且，如图10B所示，在形成有像素30的层(以下，简称为“像素30”)上形成转换层14。在本实施方式中，在传感器基板12上通过真空蒸镀法、溅射法及CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积)法等气相沉积法而直接形成作为柱状晶体的CsI的转换层14。此时，转换层14中的与像素30接触的一侧成为柱状晶体的生长方向基点侧。
另外，在使用CsI闪烁器作为转换层14的情况下，也能够通过与本实施方式不同的方法在传感器基板12上形成转换层14。例如，可以准备通过气相沉积法将CsI蒸镀在铝或碳的基板等上的材料，并通过粘合性薄片等将未与CsI的基板接触的一侧与传感器基板12的像素30贴合，由此在传感器基板12上形成转换层14。此时，优选将还包括铝等基板的状态的转换层14整体由保护层覆盖的状态的材料与传感器基板12的像素30贴合在一起。另外，在该情况下，转换层14中的与像素30接触的一侧成为柱状晶体的生长方向的前端侧。
并且，与本实施方式的放射线检测器10不同，作为转换层14也可以使用GOS(Gd2O2S：Tb)等来代替CsI。此时，例如准备将GOS分散在树脂等粘合剂中而得的薄片通过粘合层等贴合在由白色PET等形成的支承体上的材料，并通过粘合性薄片等将GOS的未贴合支承体的一侧与传感器基板12的像素30贴合，由此能够在传感器基板12上形成转换层14。另外，与使用GOS的情况相比，在转换层14使用CsI的情况下，从放射线向可见光的转换效率变高。
此外，在形成于传感器基板12上的转换层14上，隔着粘合层60设置反射层62。此外，隔着粘接层64设置保护层66。
接着，如图10C所示，将柔性电缆112与传感器基板12电连接。具体而言，使搭载有驱动IC210或信号处理IC310的柔性电缆112与端子113热压接，以电连接端子113与柔性电缆112。由此，柔性电缆112与传感器基板12电连接。
接着，如图10D所示，在转换层14上设置加强基板40。具体而言，将设置有粘合剂42的加强基板40贴合于由保护层66覆盖的转换层14上。
之后，如图10E所示，将设置有转换层14的传感器基板12从支承体400剥离。以下，将本工序称为剥离工序。在机械剥离的情况下，在图10E所示的一例中，将传感器基板12的基材11中的与电连接有柔性电缆112B的边相对置的边作为剥离的起点。然后，从成为起点的边朝向电连接有柔性电缆112的边，逐渐将传感器基板12从支承体400沿图10E所示的箭头D方向剥离，从而将传感器基板12从支承体400剥离。
另外，作为剥离的起点的边，优选在俯视传感器基板12时与最长的边交叉的边。换言之，沿着因剥离而发生挠曲的挠曲方向Y的边优选为最长的边。作为一例，在本实施方式中，将与电连接有柔性电缆112B的边相对置的边作为剥离的起点。
接着，如图10F所示，在基材11的第2面11B依次设置抗静电层48、电磁屏蔽层44及加强基板40。具体而言，通过涂布等在基材11的第2面11B形成抗静电层48及电磁屏蔽层44。
此外，通过将放射线检测器10及电路部等收纳在框体120中来制造图9A或图9B所示的放射线图像摄影装置1。具体而言，通过在基材11的第2面11B侧(具体而言电磁屏蔽层44)与照射面120A相对置的状态下将放射线检测器10收纳于框体120中来制造图9A所示的放射线图像摄影装置1。并且，通过在加强基板40与照射面120A相对置的状态下将放射线检测器10收纳于框体120中来制造图9B所示的放射线图像摄影装置1。
另外，上述工序为一例，例如可以在参考图10E说明的剥离工序之后进行将使用图10C说明的柔性电缆112与传感器基板12连接的工序。即，可以在将柔性电缆112未与端子113连接的状态的传感器基板12从支承体400剥离之后，将柔性电缆112与端子113电连接。并且，例如可以在参考图10E说明的剥离工序之后进行设置参考图10D说明的加强基板40的工序。即，可以在将未设置有加强基板40的状态的传感器基板12从支承体400剥离之后，将加强基板40设置于转换层14上。另外，如上述工序，通过在剥离工序之前将加强基板40设置于传感器基板12上，从而在剥离工序中将通过加强基板40而刚性被加强的状态的传感器基板12从支承体400剥离。因此，例如能够抑制在剥离工序中因基材11的弯曲而引起的转换层14从基材1的剥离。
另外，在上述中，对加强基板40的大小(面积)与传感器基板12的基材11相同的方式进行了说明，但是加强基板40的大小(面积)并不限于上述方式。例如，如图11A所示，可以设为加强基板40大于基材11的方式。另外，具体的加强基板40的大小能够根据收纳放射线检测器10的框体120的内部的大小等来确定。在图11A所示的放射线检测器10中，加强基板40的端部位于比基材11(即传感器基板12)的端部更向外侧的位置。
通过以这种方式使加强基板40的大小大于基材11，例如，当掉落放射线图像摄影装置1等而对框体120施加冲击并且框体120的侧面(与照射面120A交叉的面)凹陷时，加强基板40会与框体120的侧面干涉。另一方面，传感器基板12小于加强基板40，因此不易与框体120的侧面干涉。因此，根据图11A所示的放射线检测器10，能够抑制施加于放射线图像摄影装置1的冲击对传感器基板12的影响。
另外，从抑制通过加强基板40施加于放射线图像摄影装置1的冲击对传感器基板12的影响的观点考虑，如图11A所示，加强基板40的端部的至少一部分比基材11的端部更向外部突出即可。例如，即使在加强基板40的大小小于基材11的情况下，比基材11的端部更向外部突出的加强基板40的端部也会与框体120的侧面干涉，因此能够抑制冲击对传感器基板12的影响。
并且，例如，如图11B及图11C所示，可以设为加强基板40小于基材11的方式。在图11B所示的例子中，在与端子113相对置的位置未设置有加强基板40。即，放射线检测器10中的加强基板40的面积小于从基材11的面积减去设置有端子113的区域的面积而得的值。另一方面，在图11C所示的例子中，加强基板40的端部位于转换层14的周缘部14B，并且在比转换层14覆盖基材11的第1面11A整体的区域窄的区域设置有加强基板40。
由于故障或位置偏移等，将与基材11(传感器基板12)电连接的柔性电缆112或部件拆卸，并重新连接的情况称为返工。如此，通过使加强基板40小于基材11，能够在不受加强基板40的端部的妨碍的情况下进行返工，因此能够容易进行柔性电缆112的返工。
另外，放射线图像摄影装置1及放射线检测器10的结构及制造方法并不限于上述的方式。例如，可以设为以下变形例1～变形例4所示的方式。另外，可以设为将上述的方式及变形例1～变形例4的各个适当组合的方式，并且并不限于变形例1～变形例4。
(变形例1)
在本变形例中，参考图12A及图12B对放射线检测器10中的加强基板40被支承部件72支承的方式进行说明。在图12A及图12B中分别示出了相当于上述图3所示的放射线检测器10的A-A线剖视图的、本变形例的放射线检测器10的剖视图的一例。
在图12A所示的放射线检测器10中，加强基板40的端部被支承部件72支承。即，支承部件72的一端与柔性电缆112或基材11的第1面11A连接，支承部件72的另一端通过粘合剂42与加强基板40的端部连接。另外，支承部件72可以设置于基材11的整个外缘部，也可以设置于外缘的一部分。如此，通过用支承部件72支承在与基材11之间形成空间并延伸的加强基板40的端部，能够抑制转换层14从传感器基板12剥离。并且，通过在与端子113连接的柔性电缆112上设置支承部件72，能够抑制柔性电缆112从端子113剥离。
另一方面，在图12B所示的放射线检测器10中，比加强基板40的端部更靠里侧的位置被支承部件72支承。在图12B所示的例子中，设置支承部件72的位置仅在设置有柔性电缆112及端子113的区域之外。在图12B所示的例子中，支承部件72的一端与基材11的第1面11A连接，支承部件72的另一端隔着粘合剂42与加强基板40的端部连接。如此，通过在柔性电缆112及端子113上不设置支承部件72，能够容易进行柔性电缆112的返工。
如此，根据本变形例的放射线检测器10，通过用支承部件72支承加强基板40，直至基材11的端部附近为止可以获得基于加强基板40的刚性的加强效果，能够起到抑制基材11弯曲的效果，因此根据本变形例的放射线检测器10，能够抑制转换层14从传感器基板12剥离。
(变形例2)
在本变形例中，参考图13对将放射线检测器10中的转换层14的周围密封的方式进行说明。在图13中示出相当于上述图3所示的放射线检测器10的A-A线剖视图的、本变形例的放射线检测器10的剖视图的一例。
如图13所示，可以设为通过密封部件70密封转换层14的周缘部14B的方式。在图13所示的例子中，如上所述，在由基材11、转换层14及加强基板40形成的空间内设置有密封部件70。具体而言，在与转换层14的周缘部14B对应的区域及其更外侧的区域中，在转换层14(保护层66)与加强基板40之间所形成的空间内设置有密封部件70。密封部件70的材料并无特别限定，例如，能够使用树脂。
设置密封部件70的方法并无特别限定。例如，可以在由粘合层60、反射层62、粘接层64及保护层66覆盖的转换层14上通过粘合剂42设置加强基板40之后，在转换层14(保护层66)与加强基板40之间所形成的空间内，注入具有流动性的密封部件70并使加强基板40固化。并且，例如，可以在基材11上依次形成转换层14、粘合层60、反射层62、粘接层64及保护层66之后，形成密封部件70，并在覆盖由粘合层60、反射层62、粘接层64及保护层66覆盖的转换层14及密封部件70的状态下，通过粘合剂42设置加强基板40。
并且，设置密封部件70的区域并不限于图13所示的方式。例如，可以在基材11的第1面11A整体上设置密封部件70，并且可以将电连接有柔性电缆112的端子113和柔性电缆112一起密封。
如此，在转换层14与加强基板40之间所形成的空间内填充密封部件70并密封转换层14，由此能够抑制加强基板40从转换层14剥离。此外，转换层14成为通过加强基板40及密封部件70这两者固定于传感器基板12上的结构，因此可进一步加强基材11的刚性。
另外，当组合本变形例和上述变形例1时，换言之，当放射线检测器10具备密封部件70及支承部件72时，能够设为如下方式：在由支承部件72、加强基板40、转换层14及基材11包围的空间的一部分或整体中填充密封部件70而通过密封部件70进行密封。
(变形例3)
在上述方式中，对多孔层50中的多个贯穿孔51的密度均匀的方式进行了说明，但是也可以是多孔层50中的多个贯穿孔51的密度不均匀的方式。更具体而言，多孔层50在沿基材11的第1面11A排列的多个区域中的各区域的贯穿孔51的密度可以不同。
在多孔层50中，与大气相比，多孔层50的导热率相对高，因此贯穿孔51的密度越小，多孔层50的导热率变得越高。例如，存在信号处理基板300等电路部的发热量多于其他部件的倾向。因此，在发热的部件附近或在框体120内热量变高的位置等处，可以使多孔层50中的贯穿孔51的密度小于其他部分以提高导热率。
将此时的多孔层50的一例示于图14A中。在图14A所示的多孔层50中，与设置有电路部的位置对应的区域52中的贯穿孔51的密度小于其他区域53中的贯穿孔51的密度。
在图14A所示的放射线检测器10中，多孔层50的区域52中的贯穿孔51的密度小于其他区域53中的贯穿孔51的密度，因此能够提高区域52中的散热性。因此，能够抑制框体120内的热量变得不均匀。例如，在传感器基板12的面方向上不均匀地传递热的情况下，有时会根据所传递的热而在像素30的传感器部34中产生的暗电流发生变化，从而导致放射线图像上产生图像不均匀。相对于此，在图14A所示的放射线检测器10中，能够提高与发热量多的位置对应的区域52中的导热率，因此能够抑制在传感器基板12的面方向上不均匀地传递热的情况，从而能够抑制放射线图像的图像不均匀。
另一方面，多孔层50的贯穿孔51的密度越大，越能够使其轻量化。根据框体120内的部件的配置，有时难以使框体120整体的重量均衡。例如，存在电源部108比其他部件重的倾向。因此，在重的部件的附近等处，可以使多孔层50中的贯穿孔51的密度小于其他部分的密度以减轻该部分的重量。
将此时的多孔层50的一例示于图14B中。在图14B所示的多孔层50中，与设置有电源部108的位置对应的区域54中的贯穿孔51的密度大于其他区域55中的贯穿孔51的密度。
在图14B所示的放射线检测器10中，多孔层50的区域54中的贯穿孔51的密度大于其他区域55中的贯穿孔51的密度，因此与其他区域55相比，能够使区域54轻量化。因此，在图14B所示的放射线检测器10中，能够调整框体120整体重量的平衡，从而能够提高放射线图像摄影装置1的可用性。
(变形例4)
在本变形例中，参考图15A～图15C对放射线图像摄影装置1的变形例进行说明。图15A～图15C分别是本变形例的放射线图像摄影装置1的剖视图的一例。
在图15A中示出放射线检测器10与框体120的照射面120A侧的顶板的内壁面接触的ISS方式的放射线图像摄影装置1的一例。在图15A所示的例子中，电磁屏蔽层44与框体120的照射面120A侧的顶板的内壁面接触。此时，放射线检测器10与框体120的内壁面可以经由粘接层来粘接，也可以不经由粘接层而仅仅接触。如此，通过放射线检测器10与框体120的内壁面的接触，放射线检测器10的刚性进一步得到确保。
并且，在图15B中示出放射线检测器10、控制基板110及电源部108等电路部在图中的横向上并置的ISS方式的放射线图像摄影装置1的一例。换言之，在图15B所示的放射线图像摄影装置1中，放射线检测器10和电路部并列配置于与放射线的照射方向交叉的方向。
另外，在图15B中示出了将电源部108及控制基板110这两者设置于放射线检测器10的一侧(具体而言，设置于矩形的像素区域35的一边的一侧)的方式，但是设置电源部108及控制基板110等电路部的位置并不限于图15B所示的方式。例如，可以将电源部108及控制基板110等电路部分散设置于像素区域35的相对置的两个边的每一边上，也可以分散设置于相邻的两个边的每一边上。如此，通过将放射线检测器10和电路部并列配置于与放射线的照射方向交叉的方向，能够减小框体120的厚度(更具体而言能够减小放射线透射的方向的厚度)，从而实现放射线图像摄影装置1的薄型化。
并且，在将放射线检测器10和电路部并列配置于与放射线的照射方向交叉的方向的情况下，如图15C所示的放射线图像摄影装置1，在分别设置有电源部108及控制基板110等电路部的框体120的部分与设置有放射线检测器10的框体120的部分中，框体120的厚度可以不同。
如图15B及图15C所示的例子，电源部108及控制基板110等电路部的厚度有时比放射线检测器10的厚度厚。在这种情况下，如图15C所示的例子，设置有放射线检测器10的框体120的部分的厚度可以比分别设置有电源部108及控制基板110等电路部的框体120的部分的厚度薄。根据图15C所示的放射线图像摄影装置1，能够构成与放射线检测器10的厚度相应的极薄型的放射线图像摄影装置1。
另外，如图15C所示的例子，在分别设置有电源部108及控制基板110等电路部的框体120的部分与设置有放射线检测器10的框体120的部分的厚度不同的情况下，若在两个部分的边界部中产生阶梯差，则有可能使与边界部120B接触的受检者感到不舒服等。因此，边界部120B的方式优选设为具有倾斜度的状态。并且，分别收纳有电源部108及控制基板110等电路部的框体120的部分和收纳有放射线检测器10的框体120的部分可以由不同的材质形成。
如上所述，上述各放射线检测器10具备传感器基板12、转换层14和加强基板40。传感器基板12在挠性基材11的像素区域35中形成有蓄积根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素30。转换层14设置于基材11的设置有像素30的第1面11A的一侧，并且将放射线转换为光。加强基板40设置于转换层14的与基材11侧的面相反的一侧的面上，并且包括具有多个贯穿孔51的多孔层50以加强基材11的刚性。
因此，在上述各放射线检测器10中，弯曲刚性高且能够提高耐热性。尤其，在ISS方式的放射线图像摄影装置1中，能够在抑制加强基板40的多孔层50所具有的贯穿孔51对放射线图像的影响的同时获得上述效果。
另外，放射线图像摄影装置1及放射线检测器10的结构及其制造方法并不限于参考图1～图15C进行说明的方式。例如，在上述中，对加强基板40仅包括多孔层50的方式进行了说明，但是加强基板40可以包括除了多孔层50以外的部件。例如，加强基板40可以包括由多孔层50和(由CFRP等形成的)刚性板层叠而成的层叠体。并且，在上述各放射线检测器10中，对在转换层14的上侧设置有加强基板40的方式进行了说明，但是也可以在基材11的第2面11B侧设置加强基板40，例如可以在电磁屏蔽层44上贴附加强基板40。并且，可以在基材11的第2面11B设置有由用于加强基材11的刚性的CFRP等形成的刚性板。
并且，例如，如上述图1所示，对像素30以矩阵状二维排列的方式进行了说明，但是并不限于此，例如可以是一维排列，也可以是蜂窝排列。并且，像素的形状也并无限定，可以是矩形，也可以是六边形等多边形。此外，像素区域35的形状也并无限定，这是理所当然的。
除此以外，在上述实施方式及各变形例中的放射线图像摄影装置1及放射线检测器10等的结构或制造方法等为一例，在不脱离本发明的宗旨的范围内，能够根据状况而进行变更，这是理所当然的。
2020年3月5日申请的日本专利申请2020-038171号的发明的全部内容通过参考而编入本说明书中。
本说明书中所记载的所有文献、专利申请及技术规格，以与具体且个别记载了通过参考而编入的各个文献、专利申请及技术规格的情况相同程度地，通过参考而编入本说明书中。
符号说明
1-放射线图像摄影装置，10-放射线检测器，11-基材，11A-第1面，11B-第2面，12-传感器基板，14-转换层，14A-中央部，14B-周缘部，30-像素，32-TFT(开关元件)，34-传感器部，35-像素区域，36-信号配线，38-扫描配线，39-共用配线，40、401、402-加强基板，42、421、422-粘合剂，44-电磁屏蔽层，48-抗静电层，50、507、508-多孔层，50A-上表面，50B-下表面，501-多孔板，502、503、505、506-保护板，504-中芯，52、53、54、55-区域，51-贯穿孔，60-粘合层，62-反射层，64-粘接层，66-保护层，70-密封部件，72-支承部件，100-控制部，100A-CPU，100B-存储器，100C-存储部，102-驱动部，104-信号处理部，106-图像存储器，108-电源部，110-控制基板，112，112A，112B-柔性电缆，113-端子，116-中板，120-框体，120A-照射面，120B-边界部，200-驱动基板，210-驱动IC，300-信号处理基板，310-信号处理IC，400-支承体，402-剥离层，D-开口直径，P、P1、P2-间距，T、T1、T2-厚度。
Claims (19)
1.一种放射线检测器，其具备：
基板，在挠性基材的像素区域中形成蓄积根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素；
转换层，设置于所述基材的设置有所述像素的面的一侧，并且将所述放射线转换为所述光；及
加强基板，用于加强所述基材的刚性，设置于所述转换层的与所述基材侧的面相反的一侧的面上，并且包括具有多个贯穿孔的多孔层。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述多个贯穿孔中的每一个的开口直径为0.5mm以上且50mm以下，间距为1mm以上且50mm以下，并且开口率为10％以上且50％以下。
3.根据权利要求1或2所述的放射线检测器，其中，
所述多孔层具有开口为六边形的所述多个贯穿孔。
4.根据权利要求3所述的放射线检测器，其中，
所述多孔层具有蜂窝结构。
5.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述多孔层具有孔隙率为15％以上且50％以下，并且孔径为0.3μm以上且5mm以下的多孔结构。
6.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述多孔层具有凹槽的延伸方向为所述加强基板的面内方向的凹槽结构。
7.根据权利要求6所述的放射线检测器，其中，
所述凹槽结构的间距为所述凹槽结构的厚度以上且所述厚度的3倍以下。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的放射线检测器，其中，
所述多孔层的材料包括CFRP即碳纤维增强塑料、CFRTP即碳纤维增强热塑性塑料、PVC即聚氯乙烯、PET即聚对苯二甲酸乙二醇酯、PP即聚丙烯、PE即聚乙烯、铝及镁中的至少一种。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的放射线检测器，其中，
所述多孔层的材料的主成分为CFRP即碳纤维增强塑料。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的放射线检测器，其中，
所述多孔层在沿着所述基材的设置所述像素的面而排列的多个区域中的各区域的所述贯穿孔的密度不同。
11.根据权利要求10所述的放射线检测器，其中，
与设置电路部的位置对应的区域中的所述贯穿孔的密度小于其他区域中的贯穿孔的密度，该电路部用于读取蓄积于所述像素中的电荷。
12.根据权利要求10所述的放射线检测器，其中，
与向电路部供给电源的电源部对应的区域中的所述贯穿孔的密度大于其他区域中的贯穿孔的密度，该电路部用于读取蓄积于所述像素中的电荷。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的放射线检测器，其中，
所述加强基板包括层叠有多个所述多孔层的层叠体。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的放射线检测器，其中，
所述多孔层具有设置于所述转换层侧的面及与所述转换层相反的一侧的面中的至少一侧的面上的保护板。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的放射线检测器，其还具备：
设置于所述基材的与设置有所述像素的面相反的面的一侧的抗静电层。
16.根据权利要求15所述的放射线检测器，其中，
所述抗静电层为树脂膜与金属膜的层叠膜。
17.一种放射线图像摄影装置，其具备：
权利要求1至16中任一项所述的放射线检测器；及
电路部，用于读取蓄积于所述多个像素中的电荷。
18.一种放射线检测器的制造方法，其具备：
在支承体上设置挠性基材，并形成基板的工序，其中，在所述基材的第1面的像素区域设置有蓄积根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素；
在所述基材的设置有所述像素的面的一侧设置将所述放射线转换为所述光的转换层的工序；
在所述转换层的与所述基材侧的面相反的一侧的面上设置用于加强所述基材的刚性的加强基板的工序，该加强基板包括具有多个贯穿孔的多孔层；及
从所述支承体剥离所述基板的工序。
19.根据权利要求18所述的放射线检测器的制造方法，其中，
从所述支承体剥离所述基板的工序在所述基板上设置所述加强基板之后进行。
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