CN115148157A - 显示装置 - Google Patents

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朴烔完
朴正国
姜到见
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Abstract

一种显示装置，包括开关部分以及电连接到所述开关部分的第一像素电路，并且所述开关部分在第一模式下向第一节点输出截止电压，并且在第二模式下向所述第一节点输出初始化电压。所述第一像素电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括电连接到所述第一节点的栅极端子、电连接到第二节点的第一端子以及电连接到有机发光二极管的第二端子；以及第二晶体管，所述第二晶体管包括接收栅极信号的栅极端子、接收数据电压的第一端子以及电连接到所述第二节点的第二端子。

Description

显示装置
技术领域
本发明的实施例一般地涉及一种显示装置。
背景技术
对于能够由用户根据需要来控制图像的视角的个人显示装置的需求增加。个人显示装置是指这样的显示器，其中，当用户在常规方式下操作显示装置时以宽视角显示图像，并且当用户在隐私保护方式下操作显示装置时以窄视角显示图像。
发明内容
通常，使用额外地贴上隐私保护膜的方法来实现个人显示装置。然而，这种方法具有这样的缺点：用户可能需要直接贴上和拆下隐私保护膜。
实施例提供了一种可以主动地控制视角的显示装置。
显示装置的实施例包括开关部分以及电连接到开关部分的第一像素电路。在这样的实施例中，开关部分在第一模式下向第一节点输出截止电压，并且在第二模式下向第一节点输出初始化电压，并且第一像素电路包括：第一晶体管，第一晶体管包括电连接到第一节点的栅极端子、电连接到第二节点的第一端子以及电连接到第一有机发光二极管的第二端子；以及第二晶体管，第二晶体管包括接收栅极信号的栅极端子、接收第一数据电压的第一端子以及电连接到第二节点的第二端子。
在实施例中，开关部分可以包括：第一开关晶体管，第一开关晶体管在第一模式下将截止电压提供给第一节点；以及第二开关晶体管，第二开关晶体管在第二模式下将初始化电压提供给第一节点。
在实施例中，第一开关晶体管可以包括：栅极端子，栅极端子在第一模式下接收导通电压；第一端子，第一端子电连接到第一节点；以及第二端子，第二端子接收截止电压。
在实施例中，第二开关晶体管可以包括：栅极端子，栅极端子在第二模式下接收导通电压；第一端子，第一端子电连接到第一节点；以及第二端子，第二端子接收初始化电压。
在实施例中，开关部分还可以包括开关，并且开关可以包括：第一端子，第一端子接收导通电压；以及第二端子，第二端子在第一模式下电连接到第一开关晶体管的栅极端子，并且在第二模式下电连接到第二开关晶体管的栅极端子。
在实施例中，截止电压可以具有正电压电平，并且初始化电压可以具有负电压电平。
在实施例中，截止电压的正电压电平的绝对值可以大于初始化电压的负电压电平的绝对值。
在实施例中，截止电压的正电压电平可以在约6伏(V)至约8伏的范围内。
在实施例中，初始化电压的负电压电平可以在约-4V至约-2V的范围内。
在实施例中，第一晶体管可以在第一模式下截止。
在实施例中，显示装置还可以包括第二像素电路，并且第二像素电路可以包括：第一晶体管，第一晶体管包括在第一模式和第二模式下接收初始化电压的栅极端子、电连接到第三节点的第一端子以及电连接到第二有机发光二极管的第二端子；以及第二晶体管，第二晶体管包括接收栅极信号的栅极端子、接收第二数据电压的第一端子以及电连接到第三节点的第二端子。
在实施例中，第一像素电路的电路结构可以与第二像素电路的电路结构相同。
显示装置的实施例包括第一像素电路。在这样的实施例中，第一像素电路包括：第一发射晶体管，第一发射晶体管包括在第一模式下接收截止电压并在第二模式下接收发射驱动信号的栅极端子、接收高电源电压的第一端子以及电连接到第一节点的第二端子；第一晶体管，第一晶体管包括接收初始化电压的栅极端子、电连接到第一节点的第一端子以及通过第二节点电连接到有机发光二极管的第二端子；以及第二晶体管，第二晶体管包括接收栅极信号的栅极端子、接收数据电压的第一端子以及电连接到第一节点的第二端子。
在实施例中，第一像素电路还可以包括第二发射晶体管，第二发射晶体管包括在第一模式下接收截止电压并在第二模式下接收发射驱动信号的栅极端子、电连接到第二节点的第一端子以及电连接到有机发光二极管的第二端子。
在实施例中，第一发射晶体管可以在第一模式下截止。
在实施例中，显示装置还可以包括第二像素电路。第二像素电路可以包括：第一发射晶体管，第一发射晶体管包括在第一模式和第二模式下接收发射驱动信号的栅极端子、接收高电源电压的第一端子以及电连接到第三节点的第二端子；第一晶体管，第一晶体管包括接收初始化电压的栅极端子、电连接到第三节点的第一端子以及电连接到有机发光二极管的第二端子；以及第二晶体管，第二晶体管包括接收栅极信号的栅极端子、接收数据电压的第一端子以及电连接到第三节点的第二端子。
在实施例中，第一像素电路的电路结构可以与第二像素电路的电路结构相同。
显示装置的实施例包括第一像素电路。在这样的实施例中，第一像素电路包括：第一晶体管，第一晶体管包括栅极端子、电连接到第一节点的第一端子以及电连接到第二节点的第二端子；第二晶体管，第二晶体管包括接收栅极信号的栅极端子、用于接收数据电压的第一端子以及电连接到第一节点的第二端子；以及控制晶体管，控制晶体管包括在第一模式下接收截止电压并在第二模式下接收导通电压的栅极端子、电连接到第二节点的第一端子以及电连接到有机发光二极管的第二端子。
在实施例中，显示装置还可以包括第二像素电路。第二像素电路可以包括：第一晶体管，第一晶体管包括栅极端子、电连接到第三节点的第一端子以及电连接到第四节点的第二端子；第二晶体管，第二晶体管包括接收栅极信号的栅极端子、接收数据电压的第一端子以及电连接到第三节点的第二端子；以及第八晶体管，第八晶体管包括在第一模式和第二模式下接收导通电压的栅极端子、电连接到第四节点的第一端子以及电连接到有机发光二极管的第二端子。
如本文中所描述的，根据本发明的显示装置的实施例可以在第一模式和第二模式下被驱动。常规像素可以在第一模式下不发射光，并且常规像素可以在第二模式下发射光。因此，可以减小在第一模式下在显示装置上显示的图像的视角，并且可以保护使用显示装置的用户的隐私。在这样的实施例中，常规像素电路的第一晶体管可以在第一模式下截止以防止常规像素在第一模式下发射光。因此，显示装置可以在第一模式和第二模式下以彼此相同的方式处理图像数据。因此，在这样的实施例中，显示装置可以不根据第一模式和第二模式而不同地处理图像数据，使得可以降低显示装置的功耗。
附图说明
通过参考附图更详细地描述本发明的实施例，本发明的上述及其它特征将变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据实施例的显示装置的框图；
图2和图3是示出被包括在图1的显示装置中的第一像素电路和开关部分的电路图；
图4是示出被包括在图1的显示装置中的第二像素电路的电路图；
图5和图6是示出图1的像素部分的平面图；
图7是示出图6的像素部分的截面图；
图8是示出根据可替代的实施例的显示装置的框图；
图9和图10是示出被包括在图8的显示装置中的第一像素电路的电路图；
图11是示出被包括在图8的显示装置中的第二像素电路的电路图；
图12是示出根据另一可替代的实施例的显示装置的框图；
图13和图14是示出被包括在图12的显示装置中的第一像素电路的电路图；以及
图15是示出被包括在图12的显示装置中的第二像素电路的电路图。
具体实施方式
现在，将在下文中参考附图更全面地描述本发明，在附图中示出了各种实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实现，并且不应被解释为局限于这里所阐述的实施例。而是，提供这些实施例以使得本公开将是详尽的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。同样的附图标记始终指代同样的元件。
将理解的是，当元件被称为“在”另一元件上时，所述元件可直接在所述另一元件上，或者在它们之间可以存在居间元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件上时，则不存在居间元件。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因而，在不脱离这里的教导的情况下，可以将下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”称为“第二元件”、“第二组件”、“第二区域”、“第二层”或“第二部分”。
这里所使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，并非旨在进行限制。如这里所使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个”、“一种”以及“所述(该)”旨在包括复数形式，包括“至少一个(种)(者)”。例如，除非上下文另有明确指示，否则“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“或”是指“和/或”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何组合和所有组合。将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”或者“含有”和/或“具有”说明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
此外，如附图中所示，可以在这里使用诸如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”的相对术语以描述一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，相对术语还旨在涵盖装置的不同方位。在实施例中，当一幅附图中的装置被翻转时，被描述为“在”其它元件“下”侧的元件随后将被定向“在”其它元件“上”侧。因此，根据附图的特定方位，示例性术语“下”可以涵盖“下”和“上”两种方位。类似地，当一幅附图中的装置被翻转时，被描述为“在”其它元件“下方”或“下面”的元件将被定向为“在”其它元件“上方”。因此，示例性术语“在……下方”或“在……下面”可以涵盖“在……上方”和“在……下方”两种方位。
考虑到讨论中的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里所使用的“约”或“近似”包括所述值，并且表示在本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以指在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％以内。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，除非在这里明确地如此定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景和本发明中的含义相一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的含义来解释所述术语。
在这里参考截面图描述实施例，所述截面图是理想化的实施例的示意图。因而，将预计到例如由于制造技术和/或公差所导致的图示的形状的变化。因而，这里所描述的实施例不应被解释为局限于如这里所图示的区域的特定形状，而是将包括例如由制造所导致的形状的偏差。例如，图示为或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，图示的尖角可以被倒圆。因而，附图中所示的区域在实质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，并且也不旨在限制权利要求的范围。
在下文中，将参考附图详细地描述本发明的实施例。
图1是示出根据实施例的显示装置的框图。
参考图1，根据本发明的显示装置10的实施例可以包括像素部分100、数据驱动电路200、栅极驱动器300、发射驱动器400以及控制器500。在实施例中，显示装置10可以在第一模式下在隐私保护方式下被驱动，并且可以在第二模式下在常规(normal)方式下被驱动。在一个实施例中，例如，在第一模式期间，被包括在像素部分100中的一些像素可以不发射光。
像素部分100可以包括多个像素。每个像素可以发射具有预设颜色的光。在实施例中，像素部分100可以具有RGBG像素结构，并且每个像素可以发射红光、绿光或蓝光。
在实施例中，像素部分100可以包括第一像素PX1以及与第一像素PX1相邻的第二像素PX2。第一像素PX1可以发射具有红色的光，并且第二像素PX2可以发射具有绿色的光。
在实施例中，像素可以被划分为常规像素和隐私保护像素。常规像素和隐私保护像素中的每一者可以被分割成菱形形状。在一个实施例中，例如，第一像素PX1可以是常规像素，并且第二像素PX2可以是隐私保护像素。第一像素PX1可以通过第一像素电路(例如，图2中的第一像素电路PC1)来驱动，并且第二像素PX2可以通过第二像素电路(例如，图4中的第二像素电路PC2)来驱动。
在实施例中，当显示装置10在第一模式下被驱动时(即，当显示装置10在隐私保护方式下被驱动时)，第一像素PX1可以不发射光，并且第二像素PX2可以发射光。在这样的实施例中，当显示装置10在第二模式下被驱动时(即，当显示装置10在常规方式下被驱动时)，第一像素PX1和第二像素PX2可以发射光。在这样的实施例中，根据显示装置10被驱动的模式，第一像素PX1可以发射光或者可以不发射光。
数据驱动电路200可以包括数据电压输出部分201和开关部分202。在实施例中，数据驱动电路200可以被实现为一个或多个集成电路(“IC”)。在可替代的实施例中，数据驱动电路200可以被安装在像素部分100上，或者被集成在像素部分100的外围部分中。
数据电压输出部分201可以基于输出图像数据ODAT和数据控制信号DCTRL产生数据电压DATA。在一个实施例中，例如，数据电压输出部分201可以产生与输出图像数据ODAT相对应的数据电压DATA，并且可以响应于数据控制信号DCTRL输出数据电压DATA。数据电压输出部分201可以通过数据线输出数据电压DATA。在一个实施例中，例如，数据电压输出部分201可以通过第一数据线DL1向第一像素PX1输出第一数据电压(例如，图2中的第一数据电压DATA1)。
输出图像数据ODAT可以是用于在像素部分100中显示的图像的RGB数据，并且数据控制信号DCTRL可以包括输出数据使能信号、水平起始信号以及负载信号。
在实施例中，开关部分202可以电连接到第一像素PX1。开关部分202可以在第一模式下提供截止电压，并且可以在第二模式下提供初始化电压。稍后将参考图2和图3详细地描述开关部分202。
栅极驱动器300可以基于栅极控制信号GCTRL产生栅极信号GS。栅极信号GS可以是时钟信号，并且可以包括用于使晶体管导通的导通电压以及用于使晶体管截止的截止电压。栅极驱动器300可以通过栅极线顺序地输出栅极信号GS。在一个实施例中，例如，栅极驱动器300可以将栅极信号GS通过第一栅极线GL1输出到第一像素PX1和第二像素PX2。栅极控制信号GCTRL可以包括垂直起始信号和时钟信号等。在实施例中，栅极驱动器300可以被安装在像素部分100上，或者被集成在像素部分100的外围部分中。在可替代的实施例中，栅极驱动器300可以被实现为一个或多个集成电路。
发射驱动器400可以基于发射控制信号ECTRL产生发射驱动信号EM。发射驱动信号EM可以是时钟信号，并且可以包括导通电压和截止电压。发射驱动器400可以顺序地输出发射驱动信号EM。发射控制信号ECTRL可以包括垂直起始信号和时钟信号等。在实施例中，发射驱动器400可以被安装在像素部分100上，或者被集成在像素部分100的外围部分中。在可替代的实施例中，发射驱动器400可以实现为一个或多个集成电路。
控制器500(例如，时序控制器)可以接收来自外部主处理器(例如，图形处理单元(“GPU”))的输入图像数据IDAT和控制信号CTRL。在一个实施例中，例如，输入图像数据IDAT可以是包括红色图像数据、绿色图像数据以及蓝色图像数据的RGB数据。控制信号CTRL可以包括垂直同步信号、水平同步信号、输入数据使能信号和主时钟信号等。控制器500可以基于输入图像数据IDAT和控制信号CTRL产生栅极控制信号GCTRL、发射控制信号ECTRL、数据控制信号DCTRL以及输出图像数据ODAT。
图2和图3是示出被包括在图1的显示装置中的第一像素电路和开关部分的电路图。具体地，图2是示出在第一模式下被驱动的第一像素电路和开关部分的电路图，并且图3是示出在第二模式下被驱动的第一像素电路和开关部分的电路图。
参考图2，可以通过第一像素电路PC1来驱动第一像素PX1(参见图1)。第一像素电路PC1可以包括多个晶体管、至少一个电容器以及至少一个有机发光二极管。第一像素电路PC1可以通过第一节点N1电连接到开关部分202。
在实施例中，第一像素电路PC1可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、存储电容器CST以及有机发光二极管OLED。
第一晶体管T1可以包括栅极端子G1、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第一晶体管T1的栅极端子G1可以电连接到第一节点N1(例如，可以通过第四晶体管T4电连接到第一节点N1)。第一晶体管T1的第一端子可以连接到第二节点N2。第一晶体管T1的第一端子可以接收第一数据电压DATA1。第一晶体管T1的第二端子可以通过第六晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。第一晶体管T1可以基于栅极端子G1与第二节点N2之间的电压差产生驱动电流。
第二晶体管T2可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第二晶体管T2的栅极端子可以通过第一栅极线GL1(参见图1)接收第一栅极信号GW。
第二晶体管T2可以响应于第一栅极信号GW而导通或截止。在一个实施例中，例如，在第二晶体管T2是P沟道金属氧化物半导体(“PMOS”)晶体管的情况下，第二晶体管T2可以在第一栅极信号GW具有正电压电平时截止，并且可以在第一栅极信号GW具有负电压电平时导通。第二晶体管T2的第一端子可以通过第一数据线DL1(参见图1)接收第一数据电压DATA1。当第二晶体管T2导通时，第二晶体管T2的第二端子可以将第一数据电压DATA1提供给第二节点N2。
第三晶体管T3可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第三晶体管T3的栅极端子可以接收第一栅极信号GW。在一个实施例中，例如，可以将第一栅极信号GW提供给第二晶体管T2的栅极端子和第三晶体管T3的栅极端子。
第三晶体管T3可以响应于第一栅极信号GW而导通或截止。在一个实施例中，例如，在第三晶体管T3是PMOS晶体管的情况下，第三晶体管T3可以在第一栅极信号GW具有负电压电平时导通，并且可以在第一栅极信号GW具有正电压电平时截止。在第三晶体管T3响应于第一栅极信号GW而导通的时段期间，第三晶体管T3可以以二极管方式连接第一晶体管T1。因此，第三晶体管T3可以对第一晶体管T1的阈值电压进行补偿。
第四晶体管T4可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第四晶体管T4的栅极端子可以接收第二栅极信号GI。第四晶体管T4的第一端子可以连接到第一晶体管T1的栅极端子G1。第四晶体管T4的第二端子可以连接到第一节点N1。第四晶体管T4可以连接第一晶体管T1的栅极端子G1和第一节点N1。
第四晶体管T4可以响应于第二栅极信号GI而导通或截止。在一个实施例中，例如，在第四晶体管T4是PMOS晶体管的情况下，第四晶体管T4可以在第二栅极信号GI具有负电压电平时导通，并且可以在第二栅极信号GI具有正电压电平时截止。
在第四晶体管T4响应于第二栅极信号GI而导通的时段期间，第一晶体管T1的栅极端子G1可以电连接到第一节点N1。因此，第四晶体管T4可以响应于第二栅极信号GI将第一节点N1的电压传送到第一晶体管T1的栅极端子G1。
第五晶体管T5可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第五晶体管T5的栅极端子可以接收发射驱动信号EM。第五晶体管T5的第一端子可以接收高电源电压ELVDD。第五晶体管T5的第二端子可以连接到第二节点N2。当第五晶体管T5响应于发射驱动信号EM而导通时，第五晶体管T5可以将高电源电压ELVDD提供给第一晶体管T1。
第六晶体管T6可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第六晶体管T6的栅极端子可以接收发射驱动信号EM。第六晶体管T6的第一端子可以连接到第一晶体管T1。第六晶体管T6的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED。当第六晶体管T6响应于发射驱动信号EM而导通时，第六晶体管T6可以将驱动电流提供给有机发光二极管OLED。
第七晶体管T7可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第七晶体管T7的栅极端子可以接收第三栅极信号GB。第七晶体管T7的第一端子可以连接到有机发光二极管OLED。第七晶体管T7的第二端子可以接收阳极初始化电压AINT。当第七晶体管T7响应于第三栅极信号GB而导通时，第七晶体管T7可以将阳极初始化电压AINT提供给有机发光二极管OLED。因此，第七晶体管T7可以将有机发光二极管OLED的第一端子初始化为阳极初始化电压AINT。
存储电容器CST可以包括第一端子和第二端子。存储电容器CST的第一端子可以连接到第一晶体管T1，并且存储电容器CST的第二端子可以接收高电源电压ELVDD。存储电容器CST可以在第一栅极信号GW的禁用(inactivation)时段期间保持第一晶体管T1的栅极端子G1的电压电平。
有机发光二极管OLED可以包括第一端子(例如，阳极端子)以及第二端子(例如，阴极端子)。有机发光二极管OLED的第一端子可以连接到第六晶体管T6以接收驱动电流，并且第二端子可以接收低电源电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以产生具有与驱动电流相对应的亮度的光。
图2示出了第一像素电路PC1的电路结构的实施例，并且第一像素电路PC1的电路结构可以不同地变化。
在实施例中，开关部分202可以包括第一开关晶体管SW1、第二开关晶体管SW2以及开关SWC。开关部分202可以通过第一节点N1电连接到第一像素电路PC1。
开关SWC可以包括第一端子和第二端子。开关SWC的第一端子可以接收导通电压VON。开关SWC的第二端子可以电连接到第一开关晶体管SW1的栅极端子SG1或者第二开关晶体管SW2的栅极端子SG2。在实施例中，开关SWC的第二端子可以在第一模式下连接到第一开关晶体管SW1的栅极端子SG1，并且可以在第二模式下连接到第二开关晶体管SW2的栅极端子SG2。
第一开关晶体管SW1可以包括栅极端子SG1、第一端子(例如，源极端子)SS1以及第二端子(例如，漏极端子)SD1。第一开关晶体管SW1的栅极端子SG1可以电连接到开关SWC。第一开关晶体管SW1的第一端子SS1可以连接到第一节点N1。第一开关晶体管SW1的第二端子SD1可以接收截止电压VOFF。在一个实施例中，例如，截止电压VOFF可以具有正电压电平，并且截止电压VOFF的电压电平可以在约6伏(V)至约8伏的范围内。
当在第一模式下将导通电压VON提供给第一开关晶体管SW1的栅极端子SG1时，第一开关晶体管SW1可以导通。因此，第一晶体管T1的栅极端子G1可以接收截止电压VOFF，使得第一晶体管T1可以截止。因此，第一晶体管T1可以不产生驱动电流，并且第一像素PX1(参见图1)可以不发射光。
参考图3，第二开关晶体管SW2可以包括栅极端子SG2、第一端子(例如，源极端子)SS2以及第二端子(例如，漏极端子)SD2。第二开关晶体管SW2的栅极端子SG2可以电连接到开关SWC。第二开关晶体管SW2的第一端子SS2可以连接到第一节点N1。第二开关晶体管SW2的第二端子SD2可以接收初始化电压VINT。在一个实施例中，例如，初始化电压VINT可以具有负电压电平，并且初始化电压VINT的电压电平可以在约-4V至约-2V的范围内。
在实施例中，截止电压VOFF可以具有使第一晶体管T1截止的电压电平。在一个实施例中，例如，在第一晶体管T1是PMOS晶体管的情况下，截止电压VOFF可以具有正电压电平。如上所述，初始化电压VINT可以具有负电压电平。在这样的实施例中，截止电压VOFF的电压电平的绝对值可以大于初始化电压VINT的电压电平的绝对值。
当导通电压VON被提供给第二开关晶体管SW2的栅极端子SG2时，第二开关晶体管SW2可以导通。因此，第一晶体管T1的栅极端子G1可以接收初始化电压VINT，使得第一晶体管T1可以响应于第二栅极信号GI而被初始化。因此，第一晶体管T1可以产生驱动电流，并且第一像素PX1(参见图1)可以发射光。
图4是示出被包括在图1的显示装置中的第二像素电路的电路图。具体地，图4是示出在第一模式和第二模式下被驱动的第二像素电路的电路图。
参考图4，可以通过第二像素电路PC2来驱动第二像素PX2(参见图1)。第二像素电路PC2可以包括多个晶体管、至少一个电容器和至少一个有机发光二极管。在实施例中，第二像素电路PC2的电路结构可以与第一像素电路PC1的电路结构基本上相同。在下文中，将省略或简化对第二像素电路PC2的与第一像素电路PC1的元件相同或相似的元件的任何重复的详细描述。
在实施例中，第二像素电路PC2可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、存储电容器CST以及有机发光二极管OLED。
第一晶体管T1可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第一晶体管T1的栅极端子可以电连接到存储电容器CST。第一晶体管T1的第一端子可以连接到第三节点N3。第一晶体管T1的第一端子可以接收第二数据电压DATA2。第一晶体管T1的第二端子可以通过第六晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。第一晶体管T1可以基于栅极端子与第三节点N3之间的电压差产生驱动电流。
第二晶体管T2可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第二晶体管T2的栅极端子可以通过第一栅极线GL1(参见图1)接收第一栅极信号GW。第二晶体管T2的第一端子可以通过第二数据线接收第二数据电压DATA2。
第二晶体管T2可以响应于第一栅极信号GW而导通或截止。当第二晶体管T2导通时，第二晶体管T2可以将第二数据电压DATA2提供给第三节点N3。
第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7、存储电容器CST以及有机发光二极管OLED可以与上述的第一像素电路PC1的相应元件基本上相同。
图5和图6是示出图1的像素部分的平面图。图7是示出图6的像素部分的截面图。
参考图5，像素部分100可以包括晶体管层TL和多个像素电极。在实施例中，多个像素电极可以被设置或被形成在晶体管层TL上，并且可以接收来自晶体管层TL的驱动电流。在一个实施例中，例如，多个像素电极可以包括第一像素电极PE1和第二像素电极PE2。第一像素电极PE1可以是用于实现第一像素PX1的像素电极(例如，阳极电极)，并且第二像素电极PE2可以是用于实现第二像素PX2的像素电极。
参考图6，像素部分100可以包括多个像素、像素限定层PDL以及黑矩阵BM。在一个实施例中，例如，多个像素可以包括第一像素PX1和第二像素PX2。在实施例中，每个像素可以被划分为多个局部像素。在一个实施例中，例如，第一像素PX1可以被划分为四个第一局部像素PPX1，并且第二像素PX2可以被划分为四个第二局部像素PPX2。
在实施例中，局部像素之间的边界可以由像素限定层PDL来限定。在这样的实施例中，像素限定层PDL可以被设置或被形成在第一局部像素PPX1之间，并且像素限定层PDL可以被设置或被形成在第二局部像素PPX2之间。
在实施例中，隐私保护像素(例如，第二像素PX2)可以被遮光。在实施例中，黑矩阵BM可以进一步设置或形成在第二局部像素PPX2之间。在可替代的实施例中，设置或形成在第二局部像素PPX2之间的像素限定层PDL可以阻挡光。
参考图7，像素部分100可以包括基底SUB、第一有源图案ACT1、第二有源图案ACT2、栅极绝缘层GI'、第一栅极电极GAT1和第二栅极电极GAT2、层间绝缘层ILD、第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2、第二漏极电极DE2、过孔绝缘层VIA、第一像素电极PE1、第二像素电极PE2、像素限定层PDL、第一发射层EL1、第二发射层EL2、公共电极CE、第一无机层IL1、有机层OL、第二无机层IL2、感测层TCL、集光(light collection)层CTL以及黑矩阵BM。在一个实施例中，例如，晶体管层TL可以包括基底SUB、第一有源图案ACT1、第二有源图案ACT2、栅极绝缘层GI'、第一栅极电极GAT1、第二栅极电极GAT2、层间绝缘层ILD、第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2、第二漏极电极DE2以及过孔绝缘层VIA。
基底SUB可以包括透明或不透明材料，或者由透明或不透明材料形成。在一个实施例中，例如，基底SUB可以包括玻璃、石英或塑料等，或者由玻璃、石英或塑料等形成。在基底SUB由塑料形成的实施例中，基底SUB可以包括多个聚酰亚胺层以及设置在聚酰亚胺层之间的阻挡层。
第一有源图案ACT1、第一栅极电极GAT1、第一源极电极SE1以及第一漏极电极DE1可以构成第一薄膜晶体管TFT1。在一个实施例中，例如，第一薄膜晶体管TFT1可以对应于以上参考图2和图3描述的第一像素电路PC1的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的任何一个。
第二有源图案ACT2、第二栅极电极GAT2、第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2可以构成第二薄膜晶体管TFT2。在一个实施例中，例如，第二薄膜晶体管TFT2可以对应于以上参考图4描述的第二像素电路PC2的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的任何一个。
第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2可以设置在基底SUB上。在实施例中，第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2可以包括硅半导体。在一个实施例中，例如，第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2可以包括非晶硅或多晶硅等。在可替代的实施例中，第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2可以包括氧化物半导体。
栅极绝缘层GI'可以覆盖第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2，并且可以设置在基底SUB上。栅极绝缘层GI'可以包括无机绝缘材料。在一个实施例中，例如，栅极绝缘层GI'可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等。
第一栅极电极GAT1和第二栅极电极GAT2可以设置在栅极绝缘层GI'上。第一栅极电极GAT1和第二栅极电极GAT2可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。在一个实施例中，例如，第一栅极电极GAT1和第二栅极电极GAT2可以包括从银(Ag)、含银合金、钼(Mo)、含钼合金、铝(Al)、含铝合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)等中选择的至少一种。
层间绝缘层ILD可以覆盖第一栅极电极GAT1和第二栅极电极GAT2，并且可以设置在栅极绝缘层GI'上。层间绝缘层ILD可以包括无机绝缘材料。
第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2可以设置在层间绝缘层ILD上。在实施例中，第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以接触第一有源图案ACT1，并且第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2可以接触第二有源图案ACT2。第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等，或者由金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。
过孔绝缘层VIA可以覆盖第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2，并且可以设置在层间绝缘层ILD上。过孔绝缘层VIA可以包括有机绝缘材料。在一个实施例中，例如，过孔绝缘层VIA可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等。因此，过孔绝缘层VIA可以具有基本上平坦的顶表面。
第一像素电极PE1和第二像素电极PE2可以设置在过孔绝缘层VIA上。在实施例中，第一像素电极PE1可以接触第一漏极电极DE1，并且第二像素电极PE2可以接触第二漏极电极DE2。第一像素电极PE1和第二像素电极PE2可以包括反射金属材料或透明金属材料。在一个实施例中，例如，第一像素电极PE1和第二像素电极PE2可以包括从银(Ag)、含银合金、钼(Mo)、含钼合金、铝(Al)、含铝合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、ITO和IZO等中选择的至少一种。在实施例中，第一像素电极PE1和第二像素电极PE2可以具有ITO/Ag/ITO的多层结构。
像素限定层PDL可以覆盖第一像素电极PE1的端部和第二像素电极PE2的端部，并且可以设置在过孔绝缘层VIA上。像素限定层PDL可以包括有机材料。暴露第一像素电极PE1和第二像素电极PE2的多个开口可以被限定或被形成在像素限定层PDL中。
第一发射层EL1可以设置在第一像素电极PE1上，并且第二发射层EL2可以设置在第二像素电极PE2上。在一个实施例中，例如，第一发射层EL1和第二发射层EL2可以分别设置在多个开口中。第一发射层EL1可以基于第一像素电极PE1与公共电极CE之间的电压差而产生光，并且第二发射层EL2可以基于第二像素电极PE2与公共电极CE之间的电压差而产生光。在实施例中，第一发射层EL1和第二发射层EL2可以包括功能层(例如，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等)，以提高第一发射层EL1和第二发射层EL2的发光效率。
公共电极CE可以设置在第一发射层EL1和第二发射层EL2上。公共电极CE可以形成为板状，并且可以包括反射金属材料或透明金属材料。
第一无机层IL1、有机层OL以及第二无机层IL2可以构成封装层ENL。封装层ENL可以设置在公共电极CE上。封装层ENL可以保护第一发射层EL1和第二发射层EL2。
感测层TCL可以设置在封装层ENL上。感测层TCL可以感测用户的触摸或非接触触摸。在一个实施例中，例如，感测层TCL可以以电容方式感测用户的触摸。在一个实施例中，例如，感测层TCL可以使用自电容方法或互电容方法来感测用户的触摸。
集光层CTL可以设置在感测层TCL上。在实施例中，集光层CTL可以包括多个微透镜。因此，集光层CTL可以将从第一发射层EL1和第二发射层EL2发射的光的路径控制在集光层CTL的厚度方向上。
黑矩阵BM可以设置在集光层CTL上。黑矩阵BM可以阻挡光。在一个实施例中，例如，黑矩阵BM的透光率可以根据第一模式或第二模式而改变。
在实施例中，黑矩阵BM可以被实现为电致变色装置。在一个实施例中，例如，黑矩阵BM可以包括阳极、阴极以及设置在阴极与阳极之间的电致变色材料。黑矩阵BM的透光率可以通过电信号而改变。在一个实施例中，例如，在第一模式下的黑矩阵BM的第一透光率可以小于在第二模式下的黑矩阵BM的第二透光率。因此，可以减小在第一模式下从第二发射层EL2发射的光的视角。
在可替代的实施例中，黑矩阵BM可以包括光致变色材料。在一个实施例中，例如，黑矩阵BM可以被具有特定波长范围的光(例如，紫外光)变色。在这样的实施例中，随着黑矩阵BM被变色，黑矩阵BM的透光率可以变化。在一个实施例中，例如，在第一模式下的黑矩阵BM的第一透光率可以小于在第二模式下的黑矩阵BM的第二透光率。因此，可以减小在第一模式下从第二发射层EL2发射的光的视角。
然而，黑矩阵BM不局限于上述那些。在一个实施例中，例如，黑矩阵BM可以具有恒定的透光率，并且从第二发射层EL2发射的光的发射角可以由于黑矩阵BM而减小。
图8是示出根据可替代的实施例的显示装置的框图。
参考图8，显示装置20的实施例可以包括像素部分100、数据电压输出部分210、栅极驱动器300、发射驱动器410以及控制器500。在实施例中，显示装置20可以在第一模式下在隐私保护方式下被驱动，并且可以在第二模式下在常规方式下被驱动。在一个实施例中，例如，在第一模式下，被包括在像素部分100中的一些像素可以不发射光。
像素部分100、栅极驱动器300以及控制器500可以与参考图1所描述的像素部分100、栅极驱动器300以及控制器500基本上相同。数据电压输出部分210可以与参考图1所描述的数据电压输出部分201基本上相同。
在实施例中，发射驱动器410可以包括第一发射驱动器401和第二发射驱动器402。发射驱动器410可以被安装在像素部分100上，或者被集成在像素部分100的外围部分中。可替代地，发射驱动器410可以被实现为一个或多个集成电路。
第一发射驱动器401可以电连接到驱动第一像素PX1的第一像素电路PC1(参见图9和图10)。第一发射驱动器401可以在第一模式下提供截止电压VOFF，并且可以在第二模式下提供发射驱动信号EM。因此，第一像素电路PC1可以在第一模式下接收截止电压VOFF，并且可以在第二模式下接收发射驱动信号EM。截止电压VOFF可以是恒定电压，并且发射驱动信号EM可以是包括截止电压和导通电压的时钟信号。在一个实施例中，例如，在第二模式下，第一发射驱动器401可以基于发射控制信号ECTRL产生发射驱动信号EM。发射控制信号ECTRL可以包括垂直起始信号和时钟信号等。
第二发射驱动器402可以电连接到驱动第二像素PX2的第二像素电路PC2(参见图11)。第二发射驱动器402可以在第一模式和第二模式下将发射驱动信号EM提供给第二像素电路PC2。因此，第二像素电路PC2可以在第一模式和第二模式下接收发射驱动信号EM。
图9和图10是示出被包括在图8的显示装置中的第一像素电路的电路图。具体地，图9是示出在第一模式下被驱动的第一像素电路的电路图，并且图10是示出在第二模式下被驱动的第一像素电路的电路图。
参考图9，可以通过第一像素电路PC1驱动第一像素PX1(参见图8)。第一像素电路PC1可以包括多个晶体管、至少一个电容器以及至少一个有机发光二极管。
在实施例中，第一像素电路PC1可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第一发射晶体管ET1、第二发射晶体管ET2、第七晶体管T7、存储电容器CST以及有机发光二极管OLED。在这样的实施例中，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第七晶体管T7、存储电容器CST以及有机发光二极管OLED可以与上面参考图2和图3描述的相应元件基本上相同。
第一晶体管T1可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第一晶体管T1的栅极端子可以电连接到存储电容器CST。第一晶体管T1的第一端子可以连接到第一节点N1。第一晶体管T1的第一端子可以接收第一数据电压DATA1。第一晶体管T1的第二端子可以通过第二节点N2电连接到有机发光二极管OLED(例如，第一晶体管T1的第二端子可以连接到第二节点N2，并且可以通过第二发射晶体管ET2电连接到有机发光二极管OLED)。第一晶体管T1可以基于栅极端子与第一节点N1之间的电压差产生驱动电流。
第一发射晶体管ET1可以包括栅极端子EG1、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第一发射晶体管ET1的栅极端子EG1可以在第一模式下接收截止电压VOFF。第一发射晶体管ET1的第一端子可以接收高电源电压ELVDD。第一发射晶体管ET1的第二端子可以连接到第一节点N1。
第二发射晶体管ET2可以包括栅极端子EG2、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第二发射晶体管ET2的栅极端子EG2可以在第一模式下接收截止电压VOFF。第二发射晶体管ET2的第一端子可以电连接到第二节点N2。第二发射晶体管ET2的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED。
当在第一模式下将截止电压VOFF提供给第一发射晶体管ET1的栅极端子EG1和第二发射晶体管ET2的栅极端子EG2时，第一发射晶体管ET1和第二发射晶体管ET2可以截止。因此，第一像素PX1(参见图8)可以不发射光。
参考图10，第一发射晶体管ET1的栅极端子EG1和第二发射晶体管ET2的栅极端子EG2可以在第二模式下接收发射驱动信号EM。当将发射驱动信号EM提供给第一发射晶体管ET1的栅极端子EG1和第二发射晶体管ET2的栅极端子EG2时，第一发射晶体管ET1和第二发射晶体管ET2可以导通或截止。当第一发射晶体管ET1和第二发射晶体管ET2导通时，第一像素PX1(参见图8)可以发射光。
图11是示出被包括在图8的显示装置中的第二像素电路的电路图。具体地，图11是示出在第一模式和第二模式下被驱动的第二像素电路的电路图。
参考图11，可以通过第二像素电路PC2驱动第二像素PX2(参见图8)。第二像素电路PC2可以包括多个晶体管、至少一个电容器以及至少一个有机发光二极管。在实施例中，第二像素电路PC2的电路结构可以与第一像素电路PC1的电路结构基本上相同。在下文中，将省略或简化对第二像素电路PC2的与第一像素电路PC1的元件相同或相似的元件的任何重复的描述。
在实施例中，第二像素电路PC2可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第一发射晶体管ET1、第二发射晶体管ET2、第七晶体管T7、存储电容器CST以及有机发光二极管OLED。
第一晶体管T1可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第一晶体管T1的栅极端子可以电连接到存储电容器CST。第一晶体管T1的第一端子可以连接到第三节点N3。第一晶体管T1的第一端子可以接收第二数据电压DATA2。第一晶体管T1的第二端子可以通过第四节点N4电连接到有机发光二极管OLED(例如，第一晶体管T1的第二端子可以连接到第四节点N4，并且可以通过第二发射晶体管ET2电连接到有机发光二极管OLED)。第一晶体管T1可以基于栅极端子与第三节点N3之间的电压差产生驱动电流。
第一发射晶体管ET1可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第一发射晶体管ET1的栅极端子可以在第一模式和第二模式下接收发射驱动信号EM。第一发射晶体管ET1的第一端子可以接收高电源电压ELVDD。第一发射晶体管ET1的第二端子可以连接到第三节点N3。
第二发射晶体管ET2可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第二发射晶体管ET2的栅极端子可以在第一模式和第二模式下接收发射驱动信号EM。第二发射晶体管ET2的第一端子可以电连接到第四节点N4。第二发射晶体管ET2的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED。
当在第一模式和第二模式下将发射驱动信号EM提供给第一发射晶体管ET1的栅极端子和第二发射晶体管ET2的栅极端子时，第一发射晶体管ET1和第二发射晶体管ET2可以导通或截止。当第一发射晶体管ET1和第二发射晶体管ET2导通时，第二像素PX2(参见图8)可以发射光。
图12是示出根据另一可替代的实施例的显示装置的框图。
参考图12，显示装置30的实施例可以包括像素部分100、数据电压输出部分210、栅极驱动器300、发射驱动器400、控制器500以及导通-截止控制部分600。在实施例中，显示装置30可以在第一模式下在隐私保护方式下被驱动，并且可以在第二模式下在常规方式下被驱动。在一个实施例中，例如，在第一模式下，被包括在像素部分100中的一些像素可以不发射光。
像素部分100、数据电压输出部分210、栅极驱动器300、发射驱动器400以及控制器500可以与上面参考图1所描述的像素部分100、数据电压输出部分201、栅极驱动器300、发射驱动器400以及控制器500基本上相同。
在实施例中，导通-截止控制部分600可以电连接到第一像素PX1。导通-截止控制部分600可以在第一模式下将截止电压VOFF提供给第一像素PX1，并且可以在第二模式下将导通电压VON提供给第一像素PX1。
图13和图14是示出被包括在图12的显示装置中的第一像素电路的电路图。具体地，图13是示出在第一模式下被驱动的第一像素电路的电路图，并且图14是示出在第二模式下被驱动的第一像素电路的电路图。
参考图13，可以通过第一像素电路PC1驱动第一像素PX1(参见图12)。第一像素电路PC1可以包括多个晶体管、至少一个电容器以及至少一个有机发光二极管。
在实施例中，第一像素电路PC1可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、控制晶体管CT、存储电容器CST以及有机发光二极管OLED。在这样的实施例中，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第七晶体管T7、存储电容器CST以及有机发光二极管OLED可以与上面参考图2和图3的描述的相应元件基本上相同。
第一晶体管T1可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第一晶体管T1的栅极端子可以电连接到存储电容器CST。第一晶体管T1的第一端子可以连接到第一节点N1。第一晶体管T1的第一端子可以接收第一数据电压DATA1。第一晶体管T1的第二端子可以通过第二节点N2电连接到有机发光二极管OLED(例如，第一晶体管T1的第二端子可以连接到第二节点N2，并且可以通过第六晶体管T6和控制晶体管CT电连接到有机发光二极管OLED)。第一晶体管T1可以基于栅极端子与第一节点N1之间的电压差产生驱动电流。
控制晶体管CT可以包括栅极端子CG、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。控制晶体管CT的栅极端子CG可以在第一模式下接收截止电压VOFF。控制晶体管CT的第一端子可以连接到第二节点N2。控制晶体管CT的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED。
当在第一模式下将截止电压VOFF提供给控制晶体管CT的栅极端子CG时，控制晶体管CT可以截止。因此，第一像素PX1(参见图12)可以不发射光。
参考图14，控制晶体管CT的栅极端子CG可以在第二模式下接收导通电压VON。当将导通电压VON提供给控制晶体管CT的栅极端子CG时，控制晶体管CT可以导通。当第六晶体管T6和控制晶体管CT导通时，第一像素PX1(参见图12)可以发射光。
图15是示出被包括在图12的显示装置中的第二像素电路的电路图。具体地，图15是示出在第一模式和第二模式下被驱动的第二像素电路的电路图。
参考图15，可以通过第二像素电路PC2驱动第二像素PX2(参见图12)。第二像素电路PC2可以包括多个晶体管、至少一个电容器以及至少一个有机发光二极管。在实施例中，第二像素电路PC2的电路结构可以与第一像素电路PC1的电路结构基本上相同。在下文中，将省略或简化对第二像素电路PC2的与第一像素电路PC1的元件相同或相似的元件的任何重复的详细描述。
在实施例中，第二像素电路PC2可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8、存储电容器CST以及有机发光二极管OLED。在这样的实施例中，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第七晶体管T7、存储电容器CST以及有机发光二极管OLED可以与上面参考图13和图14描述的相应元件基本上相同。
第一晶体管T1可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第一晶体管T1的栅极端子可以电连接到存储电容器CST。第一晶体管T1的第一端子可以连接到第三节点N3。第一晶体管T1的第一端子可以接收第二数据电压DATA2。第一晶体管T1的第二端子可以通过第四节点N4电连接到有机发光二极管OLED(例如，第一晶体管T1的第二端子可以通过第六晶体管T6和第八晶体管T8电连接到有机发光二极管OLED)。第一晶体管T1可以基于栅极端子与第三节点N3之间的电压差产生驱动电流。
第八晶体管T8可以包括栅极端子、第一端子(例如，源极端子)以及第二端子(例如，漏极端子)。第八晶体管T8的栅极端子可以在第一模式和第二模式下接收导通电压VON。第八晶体管T8的第一端子可以连接到第四节点N4。第八晶体管T8的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED。
当在第一模式和第二模式下将导通电压VON提供给第八晶体管T8的栅极端子时，第八晶体管T8可以导通。因此，当第五晶体管T5和第六晶体管T6导通时，第二像素PX2(参见图12)可以发射光。
如本文中所述的，根据本发明的显示装置10、20或30的实施例可以在第一模式和第二模式下被驱动。第一像素PX1可以在第一模式下不发射光，并且第一像素PX1可以在第二模式下发射光。因此，可以减小在显示装置10、20或30上显示的图像的视角，并且可以保护使用显示装置10、20或30的用户的隐私。在这样的实施例中，第一像素电路PC1的第一晶体管T1可以截止以防止第一像素PX1在第一模式下发射光。因此，控制器500和数据电压输出部分201或210可以在第一模式和第二模式下以相同的方式处理图像数据。因此，因为显示装置10、20或30可以不根据第一模式和第二模式而不同地处理图像数据，因此可以降低显示装置10、20或30的功耗。
本发明不应被解释为局限于这里所阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将是详尽的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的构思。
虽然已参考本发明的实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求所限定的本发明的精神或范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种变化。

Claims (10)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括开关部分以及电连接到所述开关部分的第一像素电路，
其中，所述开关部分在第一模式下向第一节点输出截止电压，并且在第二模式下向所述第一节点输出初始化电压，并且
其中，所述第一像素电路包括：
第一晶体管，所述第一晶体管包括电连接到所述第一节点的栅极端子、电连接到第二节点的第一端子以及电连接到第一有机发光二极管的第二端子；以及
第二晶体管，所述第二晶体管包括接收栅极信号的栅极端子、接收第一数据电压的第一端子以及电连接到所述第二节点的第二端子。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述开关部分包括：
第一开关晶体管，所述第一开关晶体管在所述第一模式下将所述截止电压提供给所述第一节点；以及
第二开关晶体管，所述第二开关晶体管在所述第二模式下将所述初始化电压提供给所述第一节点。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一开关晶体管包括：
栅极端子，在所述第一模式下接收导通电压；
第一端子，电连接到所述第一节点；以及
第二端子，接收所述截止电压。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二开关晶体管包括：
栅极端子，在所述第二模式下接收所述导通电压；
第一端子，电连接到所述第一节点；以及
第二端子，接收所述初始化电压。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述开关部分还包括开关，并且
其中，所述开关包括：
第一端子，接收所述导通电压；以及
第二端子，在所述第一模式下电连接到所述第一开关晶体管的所述栅极端子，并且在所述第二模式下电连接到所述第二开关晶体管的所述栅极端子。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述截止电压具有正电压电平，并且
所述初始化电压具有负电压电平。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述截止电压的所述正电压电平的绝对值大于所述初始化电压的所述负电压电平的绝对值。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述截止电压的所述正电压电平在6V至8V的范围内。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述初始化电压的所述负电压电平在-4V至-2V的范围内。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括第二像素电路，
其中，所述第二像素电路包括：
第一晶体管，所述第一晶体管包括在所述第一模式和所述第二模式下接收所述初始化电压的栅极端子、电连接到第三节点的第一端子以及电连接到第二有机发光二极管的第二端子；以及
第二晶体管，所述第二晶体管包括接收所述栅极信号的栅极端子、接收第二数据电压的第一端子以及电连接到所述第三节点的第二端子。
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