CN115143870A - 事件检测方法、事件检测系统以及程序 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种事件检测方法、事件检测系统以及程序，事件检测方法通过使用磁传感器检测预先决定的由磁场产生部产生的2轴以上的磁场，来检测与磁场产生部的位置相应的事件，该事件检测方法包括以下阶段：基于使用磁传感器检测出的磁场来获取事件产生位置；基于事件产生位置，选择用于检测事件的检测轴；计算检测轴上的与事件产生位置相应的触发阈值；以及获取表示使用磁传感器检测出的磁场与触发阈值满足规定的条件的触发信号。
Description
技术领域
本发明涉及一种事件检测方法、事件检测系统以及程序。
背景技术
专利文献1中记载了“提供一种即使检测对象的移动量变大，也能够利用1个检测部来检测检测对象的移动的位置传感器”。专利文献2中记载了“提供一种对于长的探测距离而言输出具有线性、并且能够进行检测精度高的位置检测的位置检测传感器”。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-2835号公报
专利文献2：日本特开2003-167627号公报
发明内容
在本发明的第一方式中，提供一种事件检测方法，通过使用磁传感器检测预先决定的由磁场产生部产生的2轴以上的磁场，来检测与磁场产生部的位置相应的事件，该事件检测方法包括以下阶段：基于使用磁传感器检测出的磁场来获取事件产生位置；基于事件产生位置来选择用于检测事件的检测轴；计算检测轴上的与事件产生位置相应的触发阈值；以及接收表示使用磁传感器检测出的磁场与触发阈值满足规定的条件的触发信号。
在本发明的第二方式中，提供一种事件检测系统，其具备：磁场产生部，其产生预先决定的磁场；磁传感器，其用于检测磁场产生部所产生的磁场；以及处理部，其用于处理磁传感器所检测出的信号，其中，处理部具有：获取部，其基于使用磁传感器检测出的磁场来获取事件产生位置；选择部，其基于事件产生位置，选择用于检测事件的检测轴；以及计算部，其计算检测轴上的与事件产生位置相应的触发阈值，磁传感器具有输出部，输出部输出表示所检测出的磁场与触发阈值满足规定的条件的触发信号。
在本发明的第三方式中，提供一种用于使计算机执行本发明的第一方式所记载的事件检测方法的程序。
此外，上述的发明的概要并未列举出本发明的所有特征。另外，这些特征组的子组合也能够另外构成发明。
附图说明
图1A是示出事件检测系统100的概要的框图。
图1B示出磁传感器20和处理部30的更具体的结构。
图2A示出磁场产生部10和磁传感器20的配置方法的一例。
图2B示出磁场产生部10和磁传感器20的配置方法的一例。
图2C示出磁场产生部10和磁传感器20的配置方法的一例。
图3A示出磁场产生部10被配置于基准位置P0的状态。
图3B示出磁场产生部10被配置于事件产生位置Pe的状态。
图3C示出与磁场产生部10的位置相应的磁场波形。
图3D示出与图3C的磁场波形对应的磁通密度及触发信号的变化。
图4A示出使用2轴磁场的阈值判定方法的一例。
图4B示出磁场产生部10和磁传感器20的配置方法的一例。
图4C示出磁场产生部10和磁传感器20的配置方法的一例。
图4D示出使用2轴磁场的阈值判定方法的一例。
图5示出使用1轴磁场的阈值判定方法的比较例。
图6示出更具体的阈值判定方法的一例。
图7A示出更具体的阈值判定方法的一例。
图7B示出更具体的阈值判定方法的一例。
图7C示出更具体的阈值判定方法的一例。
图7D示出更具体的阈值判定方法的一例。
图7E示出更具体的阈值判定方法的一例。
图8A示出更具体的阈值判定方法的一例。
图8B示出更具体的阈值判定方法的一例。
图8C示出更具体的阈值判定方法的一例。
图8D示出更具体的阈值判定方法的一例。
图9示出事件检测系统100的动作流程的一例。
图10示出事件检测系统100的结构的一例。
图11示出可以整体或部分地实现本发明的多个方式的计算机2200的例子。
具体实施方式
下面通过发明的实施方式来说明本发明，但是以下的实施方式不对权利要求书所涉及的发明进行限定。另外，实施方式中说明的特征的所有组合未必是发明的解决方法所必须的。
图1A是示出事件检测系统100的概要的框图。事件检测系统100具备磁场产生部10、磁传感器20以及处理部30。
磁场产生部10产生预先决定的磁场。例如，磁场产生部10包括二极磁体，二极磁体包括在预先决定的方向上排列的N极和S极。磁场产生部10根据磁体的磁化方向产生预先决定的磁场波形的磁场。磁场产生部10可以向预先决定的方向移动来使磁场波形变化。
磁传感器20用于检测磁场产生部10所产生的磁场。磁传感器20检测至少2个以上的检测轴的磁场。本例的磁传感器20是能够检测2轴以上的磁场的多轴磁传感器。但是，磁传感器20也可以通过具有多个1轴传感器来检测2轴以上的磁场。磁传感器20获取检测2轴以上的磁场的磁通密度而得到的测定数据。在获取到的测定数据满足预先决定的条件的情况下，磁传感器20生成触发信号。触发信号是用于通知磁传感器20的状态变化的中断信号。
处理部30用于对磁传感器20所检测出的信号进行处理。处理部30与磁传感器20进行串行通信，接收来自磁传感器20的测定数据。另外，处理部30利用来自磁传感器20的触发信号来使内部状态变化。例如，处理部30根据接收到触发信号，来使设置有处理部30的设备从待机状态变为启动状态。
事件检测系统100基于与磁场产生部10同磁传感器20的相对位置关系相应的事件的检测来生成触发信号。本例的事件检测系统100根据磁场产生部10已移动到预先决定的位置来生成触发信号，从而执行预先决定的动作。
在一例中，事件检测系统100搭载于显示器能够伸缩的智能手机(例如卷曲屏手机)等移动终端，根据显示器伸缩至预先决定的位置来输出用于切换显示器的显示的触发信号。另外，事件检测系统100也可以根据事件的检测来将智能手机从待机状态切换为启动状态。另外，事件检测系统100可以在预先决定的期间内没有操作的情况下，从启动状态转变为待机状态。
图1B示出磁传感器20和处理部30的更具体的结构。本例的磁传感器20具备检测部22和输出部24。处理部30具备获取部32、选择部34以及计算部36。
检测部22检测磁场产生部10所产生的磁场。检测部22将检测出的磁场的测定数据(Bx，By，Bz)输出到检测部22或处理部30。Bx、By以及Bz分别表示X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向的磁通密度。本例的检测部22检测3轴方向的磁通密度来作为测定数据，也可以检测2轴方向的磁通密度。
获取部32从磁传感器20获取测定数据(Bx，By，Bz)。例如，获取部32获取磁场产生部10位于预先决定的基准位置P0的情况下的测定数据。基准位置P0可以是磁传感器20能够检测到磁场产生部10的位置的任意位置。
另外，获取部32可以获取磁场产生部10的事件产生位置Pe等选择检测轴或计算触发阈值所需的信息。事件产生位置Pe的获取方法将在后面说明。获取部32将获取到的事件产生位置Pe输出到选择部34和计算部36。获取部32也可以从设置于处理部30的存储部获取事件产生位置Pe等信息。
另外，获取部32可以按检测轴来获取与磁场产生部10的位置相应的可检测区域和不可检测区域。可检测区域是能够在对应的检测轴上检测触发阈值的区域。不可检测区域是无法在对应的检测轴上检测触发阈值的区域。无法检测触发阈值的情况例如是指无法根据输出的磁通密度来确定磁场产生部10的位置的情况。可以是，多个检测轴各自被选择为在不同的区域具有可检测区域和不可检测区域。
选择部34基于事件产生位置Pe来选择用于检测事件的检测轴。例如，选择部34选择与磁场产生部10移动的预先决定的第一方向平行的第一轴、或者与第一轴正交的第二轴来作为检测轴。选择部34以磁场产生部10的位置属于可检测区域的方式选择检测轴。具体的检测轴的选择方法将在后面说明。
计算部36计算检测轴上的与事件产生位置Pe相应的触发阈值。触发阈值是在所选择的检测轴上、在事件产生位置Pe处由磁传感器20检测的磁通密度。计算部36将计算出的触发阈值输出到输出部24。
输出部24检测预先决定的触发阈值并输出触发信号。本例的输出部24在检测部22检测出的磁场的磁通密度超过触发阈值或低于触发阈值的情况下，生成触发信号。输出部24将生成的触发信号输出到处理部30。处理部30可以根据触发信号的接收来执行预先决定的处理。
图2A示出磁场产生部10和磁传感器20的配置方法的一例。本图示出Y轴方向的视点的磁场产生部10和磁传感器20。
本例的磁场产生部10具有在X轴方向上排列的N极和S极。X轴方向是第一方向的一例。但是，磁场产生部10不限于沿X轴方向移动，也可以沿Y轴方向、Z轴方向或其它方向移动。本例的磁场产生部10在比N极靠X轴方向的负侧具有S极，但是不限定于此。磁场产生部10与磁传感器20在Z轴方向上的距离只要是磁传感器20能够检测到磁场产生部10的磁场的距离，则没有特别限定。
在本例中，磁场产生部10的磁体的形状为长方体，但也可以是圆柱等其它形状。磁体的材料可以是钕或铁氧体等任意的材料。在一例中，在事件检测系统100搭载于卷曲屏手机的情况下，磁场产生部10搭载于显示器侧，磁传感器20搭载于壳体侧，磁场产生部10与磁传感器20的相对位置关系根据显示器的伸缩而变化。
此外，如果要使磁场产生部10与磁传感器20的相对位置关系变化，则既可以使磁传感器20移动，也可以使磁场产生部10与磁传感器20这两方移动。在一例中，在事件检测系统100搭载于卷曲屏手机的情况下，磁场产生部10搭载于显示器侧，磁传感器20搭载于壳体侧，磁场产生部10与磁传感器20的相对位置关系根据显示器的伸缩而变化。
图2B示出磁场产生部10和磁传感器20的配置方法的一例。本图示出Z轴方向的视点的磁场产生部10和磁传感器20。即，本例的视点表示来自相对于图2A旋转90度后的位置的视点。
磁场产生部10以在XY平面上横穿磁传感器20的方式移动。磁场产生部10横穿磁传感器20是指在XY平面上磁场产生部10与磁传感器20的一部分重叠。换言之，磁场产生部10可以以通过磁传感器20的上方的方式移动。另外，磁场产生部10也可以以在YZ平面上横穿磁传感器20的方式移动。磁场产生部10在预先决定的平面上横穿磁传感器20，由此变得容易检测与磁场产生部10的移动相应的磁通密度的变化，并且触发阈值的判定变得容易。
另外，本例的磁场产生部10平行于X轴方向地进行移动，但也可以是，在XY平面上相对于X轴倾斜地进行移动。这样，磁场产生部10不限定于被配置为在XY平面上横穿磁传感器20的情况，能够提高壳体设计的自由度。
在本例中，示出了磁场产生部10在直线上移动的情况，但是不限定于此。即，磁场产生部10可以在曲线上移动，也可以描着其它的任意的轨迹来进行移动。磁场产生部10也可以在预先决定的圆周上旋转。
图2C示出磁场产生部10和磁传感器20的配置方法的一例。本图示出Z轴方向的视点的磁场产生部10和磁传感器20。本图是示出磁场产生部10在圆周上移动的情况的俯视图。在图2C中，磁场产生部10以在XY平面上横穿磁传感器20的方式移动。磁场产生部10横穿磁传感器20是指在XY平面上磁场产生部10与磁传感器20的一部分重叠。换言之，磁场产生部10可以以通过磁传感器20的上方的方式移动。另外，磁场产生部10也可以不通过磁传感器20的上方。
例如，磁场产生部10可以根据能够折叠的智能手机(例如可折叠手机)的折叠而移动，磁场产生部10也可以根据智能手表的表圈的旋转而移动。在可折叠手机的情况下，可以在一面设置磁场产生部10，在另一面设置磁传感器20，磁场产生部10根据开闭来在曲线上移动。在智能手表的情况下，可以在主体侧设置磁传感器20，在表圈侧设置磁场产生部10，磁场产生部10根据表圈的旋转驱动来在圆周上旋转。
图3A示出磁场产生部10被配置于基准位置P0的状态。本例的磁场产生部10被配置为N极与S极的边界位于磁传感器20的上方。在本例中，X轴方向的磁通密度Bx比Z轴方向的磁通密度Bz大。但是，在基准位置P0处由磁传感器20检测的磁通密度并不限定于此。
图3B示出磁场产生部10被配置于事件产生位置Pe的状态。即，在磁场产生部10配置在本图的位置的情况下，事件检测系统100执行预先决定的处理。本例的磁场产生部10向比图3A的基准位置P0靠X轴方向的正侧移动。在该情况下，与图3A中的磁场产生部10存在于基准位置P0的情况相比，Z轴方向的磁通密度Bz的分量变大。磁场产生部10与磁传感器20的相对位置关系以及磁场产生部10的移动方向不限定于本例，只要能够由磁传感器20检测触发阈值即可。
图3C示出与磁场产生部10的位置相应的磁场波形。横轴表示磁场产生部10在X轴方向上的位置，纵轴表示Z轴方向的磁通密度Bz。使用磁传感器20测定的磁通密度Bz的大小根据磁场产生部10的移动而变化。磁通密度Bz_0是在磁场产生部10被配置于基准位置P0的状态下由磁传感器20检测的磁通密度。磁通密度Bz_1是在磁场产生部10被配置于比基准位置P0靠X轴方向的正侧的位置的状态下由磁传感器20检测的磁通密度。
磁通密度Bthz是在磁场产生部10被配置于事件产生位置Pe的状态下由磁传感器20检测的磁通密度。在磁传感器20检测出的磁通密度超过磁通密度Bthz的情况下，本例的事件检测系统100生成触发信号。此外，在本例中，对为了说明而使用1轴的检测轴的情况进行了说明，但也可以使用2轴以上的检测轴来检测事件。
图3D示出与图3C的磁场波形对应的磁通密度及触发信号的变化。在本例中，从时刻T0至时刻T1，磁场产生部10停止在基准位置P0，并且磁通密度Bz没有变动。
在时刻T1，磁场产生部10从基准位置P0开始移动，磁通密度从Bz_0起逐渐增加。在时刻T2，在磁通密度超过磁通密度Bthz的情况下，从磁传感器20生成触发信号。之后，磁场产生部10在时刻T3移动至与磁通密度Bz_1相应的位置后停止。在时刻T4，磁场产生部10开始向基准位置P0移动，在时刻T5，在磁通密度低于磁通密度Bthz的情况下，停止生成触发信号。这样，本例的事件检测系统100基于磁传感器20的内部的阈值判定来生成触发信号。
下面，说明使用2轴磁场的阈值判定方法的一例。
图4A示出使用2轴磁场的阈值判定方法的一例。在本例中，如图2A和图2B所示，磁场产生部10以在XY平面上横穿磁传感器20的方式移动。本例的事件检测系统100选择性地使用X轴方向的磁通密度Bx以及Z轴方向的磁通密度Bz。然而，事件产生位置Pe与Z轴方向的磁通密度Bz的拐点附近对应，当以Z轴为检测轴时无法正确地检测事件产生位置Pe。因此，本例的事件检测系统100在事件产生位置Pe处，使用呈线性变化的磁通密度Bx检测事件产生位置Pe。本例的事件检测系统100能够通过使用2轴以上的测定数据进行阈值判定来扩展可探测事件区域。
在本实施方式中，即使在磁场产生部10以在XY平面上不横穿磁传感器20的方式移动的情况下，也能够进行事件检测。
图4B示出磁场产生部10和磁传感器20的配置方法的一例。本图示出Z轴方向的视点的磁场产生部10和磁传感器20。本例的磁场产生部10在XY平面上不横穿磁传感器20、而是在相对于磁传感器20在Y轴方向上发生了偏移的位置移动。在图4B中，Y轴方向上的移动量y是正的值。即，磁场产生部10向Y轴方向的正方向移动了y的量，但是不限定于此。
图4C示出磁场产生部10和磁传感器20的配置方法的一例。本图示出Z轴方向的视点的磁场产生部10和磁传感器20。本例的磁场产生部10在XY平面上不横穿磁传感器20、而是在相对于磁传感器20在Y轴方向上发生了偏移的位置移动。磁场产生部10可以在XZ平面内向X轴方向的正方向移动，Y轴方向上的移动量y是负的值。即，磁场产生部10可以在XY平面内向Y轴的负方向移动了y的量。
图4D示出与磁场产生部10的位置相应的磁场波形。横轴表示磁场产生部10在X轴方向上的位置，纵轴表示X轴方向的磁通密度Bx和Z轴方向的磁通密度Bz。使用磁传感器20测定的磁通密度Bx及Bz的大小根据磁场产生部10的移动而变化。
用虚线表示如图2B那样磁场产生部10以横穿磁传感器20的方式移动的情况下的磁场波形(Bx，Bz)，用实线表示如图4C那样磁场产生部10在相对于磁传感器20在Y轴方向上发生了偏移的位置移动的情况下的磁场波形(Bxoff，Bzoff)。由于在如图4C那样的情况下磁场产生部10与磁传感器20之间的距离大于在图2B的情况下磁场产生部10与磁传感器20之间的距离，因此使用磁传感器20检测出的磁通密度减少。
但是，如图4D所示，在磁场产生部10在XY平面上横穿磁传感器20的情况以及在相对于磁传感器20在Y轴方向上发生了偏移的位置移动的情况下，磁场产生部10在X轴方向上的提供磁通密度的峰值的位置没有大幅变化。因而，在磁场产生部10在XY平面上不横穿磁传感器20的情况下，也能够应用与横穿磁传感器20的情况同样的事件检测方法。
在此，磁场产生部10的Y轴方向上的移动量y越大，则使用磁传感器20检测的磁通密度的强度越小。虽然未图示，但是在图4B的情况下使用磁传感器20检测的磁通密度的强度小于在图4C的情况下使用磁传感器20检测的磁通密度的强度。
由此，能够考虑能够以使磁传感器20的位置处的磁通密度包含外部磁场噪声等的影响的方式进行事件检测的磁通密度尺寸来决定磁场产生部10的移动量y。通过像这样做，使磁场产生部10和磁传感器20的配置自由度变高，因此能够提高壳体设计的自由度。
图5示出使用1轴磁场的阈值判定方法的比较例。在本例中，事件产生位置Pe与Z轴方向的磁通密度Bz的拐点附近对应，因此，在事件产生位置Pe附近处难以正确地判断磁场产生部的位置。因此，在比较例的阈值判定方法中，会产生无法探测事件的不可探测区域Ru。因此，在比较例的方法中，能够进行探测的事件产生位置Pe会被限定。
图6示出更具体的阈值判定方法的一例。本例的事件检测系统100根据X轴方向上的位置来选择并使用某一个检测轴。曲线图中的实线表示能够检测磁场产生部10的位置的可检测区域。曲线图中的虚线表示无法检测磁场产生部10的位置的不可检测区域。在一例中，可检测区域是不具有磁通密度的拐点的、根据磁场产生部10的移动来单调增加或单调减少的区域。不可检测区域是磁通密度的波形具有拐点的区域或者与磁场产生部10的移动相应的磁通密度的变化小的区域。
在事件产生位置Pe属于能够在X轴上检测到磁场产生部10的位置的可检测区域的情况下，选择部34选择X轴。另一方面，在事件产生位置Pe不属于X轴的可检测区域而是属于Z轴的可检测区域的情况下，选择部34选择Z轴。另外，选择部34可以基于基准位置P0和事件产生位置Pe来选择检测轴。
本例的事件检测系统100以分成区域R1、区域R2、区域R3、区域R1'以及区域R2'这5个区域的方式选择轴。选择部34在区域R1、区域R3以及区域R1'中，将Z轴选择为检测轴。选择部34在区域R2以及区域R2'中，将X轴选择为检测轴。
区域R1是起点与边界1之间的区间，能够使用单调减少的磁通密度Bz来判定触发阈值。区域R2是边界1与边界2之间的区间，能够使用单调减少的磁通密度Bx来判定触发阈值。区域R3是边界2与边界2'之间的区间，能够使用单调增加的磁通密度Bz来判定触发阈值。区域R2'是边界2'与边界1'之间的区间，使用单调增加的磁通密度Bx来判定触发阈值。区域R1'是边界1'与终点之间的区间，使用单调减少的磁通密度Bz来判定触发阈值。区域的设定方法不限定于此。
如上所述，事件检测系统100以所选择的轴的磁通密度不具有拐点的方式设定各区域并选择检测轴。由此，事件检测系统100能够在更宽的范围内判定触发阈值并生成触发信号。
在本实施方式中，在能够针对各检测轴设定多个触发阈值的情况下，能够进行磁场产生部10向X轴的正方向或负方向移动时的事件检测。另外，在本实施方式中，在针对各检测轴只能设定1个触发阈值的情况下，也能够进行事件检测。
作为一例，示出检测磁场产生部10从基准位置P0起进行移动时的事件的方法。下面，对检测磁场产生部10向X轴的正方向或负方向移动时的事件的方法进行说明，但是磁场产生部10的移动方向不限定于此。
图7A示出与磁场产生部10的位置相应的磁场波形。横轴表示磁场产生部10在X轴方向上的位置，纵轴表示X轴方向的磁通密度Bx以及Z轴方向的磁通密度Bz。能够在磁场产生部10在基准位置P0的附近向X轴的正方向或负方向进行移动时，在Bx和Bz均不包括拐点的情况下，进行从基准位置P0移动±1mm时的事件检测。
例如，在图7A中，在基准位置P0为2mm时，与向正侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe+相应的触发阈值使用Bx，与向负侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe-相应的触发阈值使用Bz，来分别进行事件检测，由此，即使在针对各检测轴只能设定1个触发阈值的情况下，也能够进行事件检测。
但是，例如在图7A中，在基准位置P0为0mm时，在基准位置P0的周边处Bx的变化小，因此无法进行使用Bx的事件检测。即使在这样的情况下，若磁传感器20能够计算磁通密度的平方和的平方根Bsum，则也能够进行事件检测。即，能够通过使用平方和的平方根Bsum计算与事件产生位置Pe相应的触发阈值，来进行事件检测。磁通密度的平方和的平方根Bsum能够用下面的数式1所示出的式子来表示。
【数式1】
图7B示出与磁场产生部10的位置相应的磁场波形。横轴表示磁场产生部10在X轴方向上的位置，纵轴表示X轴方向的磁通密度Bx、Z轴方向的磁通密度Bz以及磁通密度的平方和的平方根Bsum。例如，能够在基准位置P0为0mm的情况下，通过使用呈左右对称的形状的Bsum，来进行从基准位置P0移动±1mm时的事件检测。
图7C示出与磁场产生部10的位置相应的磁场波形。在图7C中，基准位置P0与图7B同样为0mm。在图7C中，与向正侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe+相应的触发阈值使用Bz，与向负侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe-相应的触发阈值使用Bsum，来分别进行事件检测。由此，即使在针对各检测轴只能设定1个触发阈值的情况下，也能够进行事件检测。
图7D是分别表示基准位置P0为1mm的情况的图。在图7D中，与向正侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe+相应的触发阈值使用Bsum，与向负侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe-相应的触发阈值使用Bz、来分别进行事件检测，由此，即使在针对各检测轴只能设定1个触发阈值的情况下，也能够进行事件检测。
图7E是表示基准位置P0为-1mm的情况的图。在图7E中，与向正侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe+相应的触发阈值使用Bz，与向负侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe-相应的触发阈值使用Bsum，来分别进行事件检测，由此，即使在针对各检测轴只能设定1个触发阈值的情况下，也能够进行事件检测。
如上所述，事件检测系统100能够通过使用磁通密度的平方和的平方根Bsum来进行两个方向的事件检测。由此，即使在针对所选择的检测轴只能设定1个触发阈值的情况下，事件检测系统100也能够判定触发阈值并生成触发信号。
并且，在本实施方式中，在针对各检测轴只能设定1个触发阈值的情况下，即使在磁传感器20无法计算磁通密度的平方和的平方根Bsum的情况下，也能够进行事件检测。
图8A示出如图4C所示那样磁场产生部10不横穿磁传感器20的情况下的与磁场产生部10的位置相应的磁场波形。横轴表示磁场产生部10在X轴方向上的位置，纵轴表示X轴方向的磁通密度Bx、Y轴方向的磁通密度By以及Z轴方向的磁通密度Bz。能够在磁场产生部10在基准位置P0的附近向X轴的正方向或负方向移动时，在Bx和Bz均不包括拐点的情况下，进行从基准位置P0移动±1mm时的事件检测。
例如，在图8A中，在基准位置P0为2mm时，与向正侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe+相应的触发阈值使用Bx，与向负侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe-相应的触发阈值使用Bz，来分别进行事件检测，由此，即使在针对各检测轴只能设定1个触发阈值的情况下，也能够进行事件检测。
但是，例如在图8A中，在基准位置P0为0mm时，在基准位置P0的周边处Bx的变化小，因此无法进行使用Bx的事件检测。即使在这样的情况下，也能够通过将Y轴选择为检测轴并使用By，来进行事件检测。
图8B是表示基准位置P0为0mm的情况的图。在本实施例中，示出了如下情况：与向正侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe+相应的触发阈值使用Bz，与向负侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe-相应的触发阈值使用By，来分别进行事件检测，由此，即使在针对各检测轴只能设定1个触发阈值的情况下，也能够进行事件检测，但是不限定于此。即，也能够是：与向正侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe+相应的触发阈值使用By，与向负侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe-相应的触发阈值使用Bz，来分别进行事件检测。
图8C是表示基准位置P0为1mm的情况的图。在本实施例中，示出了如下情况：与向正侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe+相应的触发阈值使用Bz，与向负侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe-相应的触发阈值使用By，来分别进行事件检测，由此，即使在针对各检测轴只能设定1个触发阈值的情况下，也能够进行事件检测，但是不限定于此。即，也能够是：与向正侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe+相应的触发阈值使用By，与向负侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe-相应的触发阈值使用Bz，来分别进行事件检测。
图8D是表示基准位置P0为-1mm的情况的图。在本实施例中，示出了如下情况：与向正侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe+相应的触发阈值使用Bz，与向负侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe-相应的触发阈值使用By，来分别进行事件检测，由此，即使在针对各检测轴只能设定1个触发阈值的情况下，也能够进行事件检测，但是不限于此。即，也能够是：与向正侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe+相应的触发阈值使用By，与向负侧进行了移动的情况下的事件产生位置Pe-相应的触发阈值使用Bz，来分别进行事件检测。
图9示出事件检测系统100的动作流程的一例。在本例中，示出如下方法：在处理部30转移到待机状态之后，检测预先决定的事件并生成用于使处理部30启动的触发信号。
可以是，步骤S300～步骤S314由处理部30执行，步骤S200～步骤S206由磁传感器20执行。在步骤S300中，处理部30被设定为启动状态。在步骤S302中，为了获取磁场产生部10的基准位置P0的测定数据，向磁传感器20请求读出测定数据。由此，处理部30从磁传感器20获取基准位置P0处的测定数据(Bx，By，Bz)。磁场产生部10的基准位置P0没有特别限定。
在步骤S304中，处理部30根据获取到的测定数据来判定磁场产生部10的基准位置P0的区域。例如，处理部30使用预先创建的数据表或函数拟合来计算磁场产生部10的基准位置P0。
在步骤S306中，处理部30判定事件产生位置Pe的区域。处理部30也可以存储预先设定的事件产生位置Pe。处理部30也可以根据磁场产生部10位于事件产生位置Pe的情况下的测定数据来判定事件产生位置Pe的区域。在步骤S308中，处理部30基于事件产生位置Pe来计算触发阈值。处理部30可以使用预先创建的数据表或函数拟合来计算触发阈值。
在步骤S310中，处理部30将计算出的触发阈值写入到磁传感器20。由此，在步骤S202中，对磁传感器20设定要使用的检测轴和触发阈值。可以是，磁传感器20针对在触发阈值的判定中不需要的轴，不使用该轴且不检测磁通密度。磁传感器20测定磁场，在磁场的磁通密度超过所设定的触发阈值或低于所设定的触发阈值的情况下，将触发信号输出到处理部30(步骤S204、步骤S206)。然后，处理部30由于接收到触发信号而成为启动状态(步骤S314)。
图10示出事件检测系统100的结构的一例。本例的事件检测系统100与图2A的实施例的不同之处在于，本例的事件检测系统100具备多个磁传感器20。本例的事件检测系统100具备磁传感器20a和磁传感器20b这2个磁传感器20。
在作为磁场产生部10的移动方向的X轴方向上配置磁传感器20a和磁传感器20b。磁传感器20a和磁传感器20b可以是相同种类的磁传感器，也可以是不同种类的磁传感器。磁传感器20b可以与磁传感器20a的可探测事件区域重叠，也可以不与磁传感器20a的可探测事件区域重叠。
事件检测系统100能够通过设置多个磁传感器20来进一步扩展可探测事件区域。处理部30可以通过与在磁传感器20为1个的情况下决定检测轴的处理同样的处理来选择要使用的磁传感器20，从所选择的磁传感器20中决定检测轴。由此，事件检测系统100能够根据事件产生位置Pe来在最佳的磁传感器20中使用最佳的检测轴。
图11示出可以整体或部分地实现本发明的多个方式的计算机2200的例子。安装于计算机2200的程序能够使计算机2200作为与本发明的实施方式所涉及的装置相关联的操作或该装置的1个或多个部分来发挥功能，或者能够使计算机2200执行该操作或该1个或多个部分，和/或能够使计算机2200执行本发明的实施方式所涉及的工序或该工序的阶段。这样的程序可以由CPU 2212来执行，以使计算机2200执行与本说明书所记载的流程图及框图中的若干块或全部块相关联的特定的操作。
本实施方式的计算机2200包括CPU 2212、RAM 2214、图形控制器2216以及显示器设备2218，它们通过主控制器2210来相互连接。计算机2200还包括如通信接口(I/F)2222、硬盘驱动器2224、DVD-ROM驱动器2226以及IC卡驱动器那样的输入/输出单元，它们经由输入/输出(I/O)控制器2220来与主控制器2210连接。计算机还包括如ROM 2230和键盘2242那样的传统的输入/输出单元，它们经由输入/输出(I/O)芯片2240来与输入/输出控制器2220连接。
CPU 2212根据保存在ROM 2230和RAM 2214内的程序来进行动作，由此控制各单元。图形控制器2216获取由CPU 2212在RAM 2214内提供的帧缓冲器等中或者RAM 2214本身中生成的图像数据，将图像数据显示在显示器设备2218上。
通信接口2222经由网络来与其它电子设备通信。硬盘驱动器2224保存由计算机2200内的CPU 2212使用的程序及数据。DVD-ROM驱动器2226从DVD-ROM 2201读取程序或数据，经由RAM 2214向硬盘驱动器2224提供程序或数据。IC卡驱动器从IC卡读取程序及数据，和/或向IC卡写入程序及数据。
在ROM 2230中保存在激活时由计算机2200执行的引导程序等和/或依赖于计算机2200的硬件的程序。输入/输出芯片2240还可以将各种输入/输出单元经由并行端口、串行端口、键盘端口、鼠标端口等与输入/输出控制器2220连接。
程序由如DVD-ROM 2201或IC卡那样的计算机可读介质提供。从计算机可读介质读取程序，将该程序安装于也作为计算机可读介质的一例的硬盘驱动器2224、RAM 2214或ROM2230，由CPU 2212执行该程序。这些程序内描述的信息处理被计算机2200读取后，带来程序与上述各种类型的硬件资源之间的协作。装置或方法可以通过按照计算机2200的使用实现信息的操作或处理来构成。
例如，在计算机2200与外部设备间执行通信的情况下，CPU 2212可以执行加载在RAM 2214中的通信程序，基于通信程序中描述的处理来命令通信接口2222进行通信处理。通信接口2222在CPU 2212的控制下，读取如RAM 2214、硬盘驱动器2224、DVD-ROM 2201或IC卡那样的记录介质内提供的发送缓冲处理区域中保存的发送数据，将读取到的发送数据发送到网络，或者将从网络接收到的接收数据写入到记录介质上提供的接收缓冲处理区域等。
另外，CPU 2212可以将在如硬盘驱动器2224、DVD-ROM驱动器2226(DVD-ROM2201)、IC卡等那样的外部记录介质中保存的文件或数据库的全部或需要的部分读取到RAM2214中，对RAM 2214上的数据执行各种类型的处理。CPU 2212接着将已处理的数据写回到外部记录介质中。
如各种类型的程序、数据、表以及数据库那样的各种类型的信息可以被保存在记录介质中并接受信息处理。CPU 2212可以针对从RAM 2214读取到的数据，执行本公开的各处所记载的包括由程序的命令序列指定的各种类型的操作、信息处理、条件判断、条件分支、无条件分支、信息的检索/置换等在内的各种类型的处理，并且将结果写回到RAM 2214中。另外，CPU 2212可以检索记录介质内的文件、数据库等中的信息。例如，当在记录介质内保存有分别具有与第二属性的属性值相关联的第一属性的属性值的多个条目的情况下，CPU 2212可以从该多个条目中检索与指定第一属性的属性值的条件一致的条目，读取该条目内保存的第二属性的属性值，由此获取与满足预先决定的条件的第一属性相关联的第二属性的属性值。
以上所说明的程序或软件模块可以保存在计算机2200上或计算机2200附近的计算机可读介质中。另外，在与专用通信网络或互联网连接的服务器系统内提供的硬盘或RAM那样的记录介质能够用作计算机可读介质，由此将程序经由网络提供给计算机2200。
以上使用实施方式说明了本发明，但是本发明的保护范围不限定于上述实施方式所记载的范围。对于本领域技术人员而言，显然能够对上述实施方式施加各种变更或改进。根据权利要求书的记载可知，施加了这样的变更或改进而得到的方式也能够包含在本发明的保护范围中。
应当注意的是，权利要求书、说明书以及附图中示出的装置、系统、程序以及方法中的动作、过程、步骤以及阶段等各处理的执行顺序只要没有特别明示为“在…之前”、“先于…”等，另外只要不在之后的处理中使用之前的处理的输出，就能够以任意的顺序实现。关于权利要求书、说明书以及附图中的动作流程，虽然为了方便而使用“首先”、“接着”等进行了说明，但是并不意味着必须按照该顺序实施。
附图标记说明
10：磁场产生部；20：磁传感器；22：检测部；24：输出部；30：处理部；32：获取部；34：选择部；36：计算部；100：事件检测系统；2200：计算机；2201：DVD-ROM；2210：主控制器；2212：CPU；2214：RAM；2216：图形控制器；2218：显示器设备；2220：输入/输出控制器；2222：通信接口；2224：硬盘驱动器；2226：DVD-ROM驱动器；2230：ROM；2240：输入/输出芯片；2242：键盘。
Claims (13)
1.一种事件检测方法，通过使用磁传感器检测预先决定的由磁场产生部产生的2轴以上的磁场，来检测与所述磁场产生部的位置相应的事件，所述事件检测方法包括以下阶段：
基于使用所述磁传感器检测出的磁场，获取事件产生位置；
基于所述事件产生位置，选择用于检测事件的检测轴；
计算所述检测轴上的与所述事件产生位置相应的触发阈值；以及
获取表示使用所述磁传感器检测出的磁场与所述触发阈值满足预先决定的条件的触发信号。
2.根据权利要求1所述的事件检测方法，其特征在于，还包括以下阶段：
使所述磁场产生部向预先决定的第一方向移动；以及
选择与所述第一方向平行的第一轴、或者与所述第一轴正交的第二轴，来作为所述检测轴。
3.根据权利要求2所述的事件检测方法，其特征在于，
使所述磁场产生部向预先决定的第一方向移动的阶段包括如下阶段：使所述磁场产生部在所述第一轴或所述第二轴上以在所述磁传感器上通过的方式移动。
4.根据权利要求2或3所述的事件检测方法，其特征在于，
选择所述检测轴的阶段包括如下阶段：
在所述事件产生位置属于所述第一轴上的可检测区域的情况下，选择所述第一轴，所述可检测区域是能够检测所述磁场产生部的位置的区域，
在所述事件产生位置不属于所述第一轴的可检测区域、而是属于所述第二轴的可检测区域的情况下，选择所述第二轴。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的事件检测方法，其特征在于，还包括以下阶段：
获取所述磁场产生部的基准位置；以及
基于所述基准位置和所述事件产生位置，选择所述检测轴。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的事件检测方法，其特征在于，还包括以下阶段：
计算由所述磁传感器检测的磁场的平方和的平方根；以及
使用所述平方和的平方根来计算与所述事件产生位置相应的触发阈值。
7.一种事件检测系统，具备：
磁场产生部，其产生预先决定的磁场；
磁传感器，其用于检测所述磁场产生部所产生的磁场；以及
处理部，其用于处理所述磁传感器所检测出的信号，
其中，所述处理部具有：
获取部，其基于使用所述磁传感器检测出的磁场，获取事件产生位置；
选择部，其基于所述事件产生位置，选择用于检测事件的检测轴；以及
计算部，其计算所述检测轴上的与所述事件产生位置相应的触发阈值；
所述事件检测系统还具有输出部，所述输出部输出表示使用所述磁传感器检测出的磁场与所述触发阈值满足预先决定的条件的触发信号。
8.根据权利要求7所述的事件检测系统，其特征在于，
所述选择部选择与所述磁场产生部移动的预先决定的第一方向平行的第一轴、或者与所述第一轴正交的第二轴，来作为所述检测轴。
9.根据权利要求8所述的事件检测系统，其特征在于，
所述磁场产生部具有在所述第一方向上排列的N极和S极。
10.根据权利要求8或9所述的事件检测系统，其特征在于，
具备在所述第一方向上配置的多个磁传感器。
11.根据权利要求7～10中的任一项所述的事件检测系统，其特征在于，
所述磁传感器是能够检测2轴以上的磁场的多轴磁传感器。
12.根据权利要求7～11中的任一项所述的事件检测系统，其特征在于，
所述处理部计算由所述磁传感器检测的磁场的平方和的平方根，使用所述平方和的平方根来计算与所述事件产生位置相应的触发阈值。
13.一种程序，用于使计算机执行根据权利要求1～6中的任一项所述的事件检测方法。
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