CN115132882A - 提升抓点精度的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种提升抓点精度的方法，包括：测量硅片的特征图案对应位置的钝化膜厚度；识别硅片，生成唯一编号，将唯一编号与特征图案对应位置的钝化膜厚度绑定生成膜厚信息；根据膜厚信息调整光源的亮度；相机抓取特征图案，找到特征图案的中心点。通过根据钝化膜厚度调整光源亮度以提高特征图案与周围的对比度，使得特征图案能够被清晰、准确地捕捉到，即提升特征图案的识别精度；找特征图案的中心点，即提升特征图案的对位精度，通过提升识别精度和对位精度进而提升在识别特征图案后进行特征掺杂或是丝网印刷时的精度。

Description

提升抓点精度的方法
技术领域
本发明涉及太阳能技术领域，更具体地，涉及一种提升抓点精度的方法。
背景技术
太阳能是一种可再生能源，指太阳的热辐射能，主要表现为太阳光线，一般用于发电或者为热水器提供能源。随着全球能源短缺和环境污染等问题日益突出，太阳能光伏发电因其清洁、安全、高效等特点，已经成为备受关注的新兴产业。
太阳能电池是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片，又称为“太阳能芯片”或“光电池”，当太阳能电池收到太阳光照射时，太阳能电池内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流。太阳能电池中的电路用于将产生的电流导出，因此在制作太阳能电池的过程中，形成电路的步骤十分重要。在现有技术中，丝网相机匹配太阳能电池用于局部掺杂或是套印的过程中，由于太阳能电池钝化膜的厚度一般在中心值厚度±6μm，通常采用固定强度光源，即在一次光源调试后，使用固定亮度的光源进行生产，但钝化膜的厚度会影响钝化膜的反射率，钝化膜的反射率会影响丝网相机的识别精度，所以使用固定亮度光源对不同钝化膜厚度的太阳能电池进行识别，会导致丝网相机的识别精度不高，并且如果存在失配问题，再手动进行参数调节，增加待机时间导致产能降低。
因此，亟需一种提升抓点精度的方法，用于保证后续形成电路的精度。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种提升抓点精度的方法，包括：
硅片包括至少一个特征图案，测量所述特征图案对应位置的钝化膜厚度；
识别所述硅片，生成唯一编号，将所述唯一编号与所述特征图案对应位置的钝化膜厚度绑定生成膜厚信息；
根据所述膜厚信息调整光源的亮度；
相机抓取所述特征图案，找到所述特征图案的中心点。
与现有技术相比，本发明提供的提升抓点精度的方法，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的提升抓点精度的方法中测量特征图案对应位置的钝化膜厚度、识别硅片，生成唯一编号，将唯一编号与特征图案对应位置的钝化膜厚度绑定生成膜厚信息、根据膜厚信息调整光源的亮度，即通过膜厚信息可知特定硅片的特征图案处的钝化膜厚度，由于钝化膜的厚度会影响反射率，影响特征图案的捕捉，所以根据钝化膜厚度调整光源亮度以提高特征图案与周围的对比度，使得特征图案能够被清晰、准确地捕捉到；对每一个硅片都进行硅片都进行钝化膜厚度检测，能够使每一个硅片能够匹配到最适合的光源亮度，保证每一个硅片的特征图案都能够被清晰、准确地捕捉到，即提升每一个特征图案的识别精度；相机抓取特征图案，找到特征图案的中心点，以特征图案的中心点为对位点，在特征图案有偏移时，特征图案的中心点偏移量较小，能够提升特征图案的对位精度；通过提升识别精度和对位精度进而提升在识别特征图案后进行特征掺杂或是丝网印刷时的精度。
当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明提供的提升抓点精度的方法的一种流程图；
图2是应用本发明提供的提升抓点精度的方法的装置的一种结构示意图；
图3是比较膜厚标准值与膜厚信息的一种流程图；
图4是找到特征图案的中心点的示意图；
图5是一种硅片的结构示意图；
1-膜厚测量仪器，2-识别仪器，3-服务器，4-光源，5-第一处理器，6-第二处理器，7-光电传感器，8-检测结构，9-特征图案，10-外接圆，11-外接圆的中心点，12-硅片。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
参照图1，图1是本发明提供的提升抓点精度的方法的一种流程图，来说明本实施例提供的提升抓点精度的方法的一种具体的实施例，包括：
S101：硅片包括至少一个特征图案，测量特征图案对应位置的钝化膜厚度；
S102：识别硅片，生成唯一编号，将唯一编号与特征图案对应位置的钝化膜厚度绑定生成膜厚信息；
S103：根据膜厚信息调整光源的亮度；
S104：相机抓取特征图案，找到特征图案的中心点。
需要说明的是，特征图案在硅片的正投影可以为正多边形或是不规则图形，本实施例并不此进行限制，优选地，特征图案为圆形或是十字型。唯一编号可以是数字编号、字母编号、或者是数字与字母混合的编号，本实施例中并不此进行限制，任何能够自动生成的编号均可。
可以理解的是，识别硅片，生成唯一编号，将唯一编号与特征图案对应位置的钝化膜厚度绑定生成膜厚信息，当硅片达到任意位置，通过获取硅片的唯一编号，通过唯一编号就能找到其对应的膜厚信息，便于后续根据膜厚信息调整光源的亮度；根据膜厚信息调整光源的亮度是为了提升特征图案的识别精度，因为钝化膜的厚度变化会影响反射率，在固定亮度的光源下，反射率不同会影响特征图案的识别，所以要根据膜厚信息调整光源的亮度，使特征图案与周围区域具有明显的对比。优选地，调整光源的亮度后，此时特征图案处的亮度为A，特征图案周围区域的亮度为B，A和B均为正数，A与B的亮度差异大于15％，亮度差异的划分可以参照灰度卡。找到特征图案的中心点，可以特征图案的中心点为对位点用于后续进行特征掺杂或是丝网印刷，由于在特征图案有偏移时，特征图案的中心点偏移量较小，通过找到特征图案的中心点，能够提升特征图案后续的对位精度。
与现有技术相比，本发明提供的提升抓点精度的方法至少具有以下优点：
本发明提供的提升抓点精度的方法中测量特征图案对应位置的钝化膜厚度、识别硅片，生成唯一编号，将唯一编号与特征图案对应位置的钝化膜厚度绑定生成膜厚信息、根据膜厚信息调整光源的亮度，即通过膜厚信息可知特定硅片的特征图案处的钝化膜厚度，由于钝化膜的厚度会影响反射率，影响特征图案的捕捉，所以根据钝化膜厚度调整光源亮度以提高特征图案与周围的对比度，使得特征图案能够被清晰、准确地捕捉到；对每一个硅片都进行硅片都进行钝化膜厚度检测，能够使每一个硅片能够匹配到最适合的光源亮度，保证每一个硅片的特征图案都能够被清晰、准确地捕捉到，即提升每一个特征图案的识别精度；相机抓取特征图案，找到特征图案的中心点，以特征图案的中心点为对位点，在特征图案有偏移时，特征图案的中心点偏移量较小，能够提升特征图案的对位精度；通过提升识别精度和对位精度进而提升在识别特征图案后进行特征掺杂或是丝网印刷时的精度，能够将精度缩小至10μm。
在一些可选的实施例中，参照图2，图2是应用本发明提供的提升抓点精度的方法的装置的一种结构示意图，在膜厚测量仪器1处测量特征图案对应位置的钝化膜厚度后，将硅片传送至识别仪器2处识别硅片，硅片从膜厚测量器传送至识别仪器2的时间间隔为S，S为正数；
膜厚测量器测量特征图案对应位置的钝化膜厚度，经过时间间隔S后，将特征图案及其对应位置的钝化膜厚度传送至识别仪器2。
可以理解的是，由于硅片从膜厚测量仪器1处传送至识别仪器2处的时间间隔为S，设置经过时间间隔S后，将特征图案及其对应位置的钝化膜厚度传送至识别仪器2，即当硅片到达识别仪器2处，识别仪器2恰好接收到该硅片的特征图案处的钝化膜厚度，便于将识别时生成的唯一编号与该硅片的特征图案的钝化膜厚度进行绑定，保证生成的膜厚信息的准确性。
在一些可选的实施例中，继续参照图2，将唯一编号与特征图案对应位置的钝化膜厚度绑定生成膜厚信息后，包括：将膜厚信息按照生成顺序形成膜厚信息队列上传服务器3。
可以理解的是，在第一时刻生成第一膜厚信息，在第二时刻生成第二膜厚信息……在第C时刻生成第C膜厚信息，C为正数，按照膜厚信息生成的顺序形成膜厚信息队列上传服务器3，也可以每生成一次膜厚信息就上传一次服务器3，在服务器3内形成膜厚信息队列，本实施例对此并不进行限定。识别仪器2可以与服务器3电连接，将膜厚信息上传服务器3进行存储，既能避免识别仪器2自身无法存储大量数据导致膜厚信息丢失，还便于后续从服务器3调用膜厚信息。
在一些可选的实施例中，继续参照图2，根据膜厚信息调整光源4的亮度，包括：光源4包括第一处理器5，第一处理器5从服务器3获取膜厚信息队列，传送至光源4处的硅片按照顺序与膜厚信息队列匹配，得到硅片对应的膜厚信息。
可以理解的是，光源4与服务器3电连接，具体的，第一处理器5与服务器3电连接，按照先进先出的原则，膜厚信息队列先进入的是第一膜厚信息，再是第二膜厚信息……最后是第C膜厚信息；同理，第一处理器5获取膜厚信息时，也是先获取第一膜厚信息，再获取第二膜厚信息……最后获取第C膜厚信息。当与第一膜厚信息对应的硅片达到光源4处时，第一处理器5优先获取第一膜厚信息与之匹配，保证了硅片与其膜厚信息匹配的准确性。
在一些可选的实施例中，参照图2和图3，图3是比较膜厚标准值与膜厚信息的一种流程图，根据膜厚信息调整光源4的亮度，还包括：
在第一处理器5预设膜厚标准值，第一处理器5比较膜厚标准值与膜厚信息，当膜厚信息与膜厚标准值的差值小于-N，且大于等于-2N时，第一处理器5调整光源4的亮度为第一亮度；当膜厚信息与膜厚标准值的差值小于0，且大于等于-N时，第一处理器5调整光源4的亮度为第二亮度，第二亮度大于第一亮度；当膜厚信息与膜厚标准值的差值等于0时，第一处理器5调整光源4的亮度为第三亮度，第三亮度大于第二亮度；当膜厚信息与膜厚标准值的差值大于0，且小于等于N时，第一处理器5调整光源4的亮度为第四亮度，第四亮度大于第三亮度；当膜厚信息与膜厚标准值的差值大于N，且小于等于2N时，第一处理器5调整光源4的亮度为第五亮度，第五亮度大于第四亮度，N为正数。
可以理解的是，钝化膜的厚度越厚，反射率越低，为了清楚地识别特征图案，所需要光源4的亮度越高，优选地，N设置为5nm，因此在实际生成过程中，最小的钝化膜厚度和最大的钝化膜厚度之差为20nm左右，每5nm设置一个阶梯最合理，效果最好，本实施例对N的具体数值并不进行限定，可根据实际需求进行设置。
在一些可选的实施例中，继续参照图2，膜厚信息对应的反射率比膜厚标准值对应的反射率每低0.5％，第一处理器5调整光源4的亮度提升10％。
可以理解的是，膜厚信息对应的反射率比膜厚标准值对应的反射率低0.5％，第一处理器5调整光源4的亮度提升10％；膜厚信息对应的反射率比膜厚标准值对应的反射率低1％，第一处理器5调整光源4的亮度提升20％，即膜厚信息对应的反射率与膜厚标准值对应的反射率的差值为反射率差值，反射率差值与光源4亮度改变量为线性关系，可根据反射率差值对应调整光源4亮度。
在一些可选的实施例中，继续参照图2，调整光源4的亮度通过调整光源4的电流输入。
可以理解的是，光源4的电流输入降低，光源4的亮度变暗；光源4的电流输入增加，光源4的亮度变亮，但并不限于此，还可以通过调整光源4的输入电压等，并不限于此。
在一些可选的实施例中，继续参照图2，识别硅片，生成唯一编号，包括：在膜厚测量仪器1处测量特征图案对应位置的钝化膜厚度后，将硅片传送至识别仪器2处识别硅片，识别仪器2包括第二处理器6和光电传感器7，当硅片传送至识别仪器2处时，光电传感器7感应光线被遮挡，产生一个脉冲信号传送至第二处理器6，第二处理器6将接收到的脉冲信号的次数作为唯一编号。
可以理解的是，识别仪器2可以为计数仪，但并不限于此，第一个硅片传送至识别仪器2处，光电传感器7第一次被遮挡，产生第一个脉冲信号传送至第二处理器6，此时第二处理器6第一次接收脉冲信息，即1为第一硅片的唯一编号；同理，第M个硅片传送至识别仪器2处，M为正整数，光电传感器7第M次被遮挡，产生第M个脉冲信号传送至第二处理器6，此时第二处理器6第M次接收脉冲信息，即M为第一硅片的唯一编号，设置合理，保证唯一编号的唯一性，避免随机生成唯一编号导致信息混乱，甚至重复。
在一些可选的实施例中，继续参照图2，识别仪器2还包括检测结构8，当检测结构8检测硅片有碎片，光电传感器7产生一个虚拟脉冲信号传送至第二处理器6，并将有碎片的硅片剔除，第二处理器6将接收虚拟脉冲信号，仅更新第二处理器6接收脉冲信号的次数。
可以理解的是，硅片通过识别仪器2处，需要对硅片进行完整度检测，如果硅片有破损无法使用，需要将硅片剔除，避免使用破损的硅片而出现残次品。而硅片经过光电传感器7也会对其进行遮挡，产生一个虚拟脉冲信息传递给第二处理器6，第二处理器6接收虚拟脉冲信息后不会生成唯一编号，也不会与破损硅片的钝化膜厚度进行绑定上传服务器3，这样在将破损硅片剔除后，不会影响其他的硅片在光源4处的信息匹配。
在一些可选的实施例中，参照图4，图4是找到特征图案的中心点的示意图，找到特征图案9的中心点，包括：在特征图案9的外轮廓外接有外接圆10，找到外接圆10的中心点11，将外接圆10的中心点11作为特征图案9的中心点。
可以理解的是，以特征图案9在硅片的正投影为十字型为例，当制作特征图案9时，可能有误差，即十字型包括两个矩形，两个矩形的宽度不等，导致特征图案9的中心点也会发生偏移，也会影响对位精度。在特征图案9的外轮廓外接有外接圆10，任意找两条外接圆10的直径，两条直径相交的点就是外接圆10的中心点11，找到外接圆10的中心点11，将外接圆10的中心点11作为特征图案9的中心点，此时外接圆10的中心点11就是特征图案9没有误差时的中心点，能够对特征图案9的中心点进行纠正，提升对位精度的准确性。
在一些可选的实施例中，参照图5，图5是一种硅片的结构示意图，硅片12为矩形，特征图案9的数量为4个，4个特征图案9分别位于硅片12的4个顶角处。
可以理解的是，在图5中仅示意出特征图案9的数量为4个，当然，并不限于此，特征图案9的位置和数量都是可以根据实际需求进行调整的。通过4个特征图案9协同作用来对位，进一步提升对位精度，进一步提升在识别特征图案9后进行特征掺杂或是丝网印刷时的精度。
通过上述实施例可知，本发明提供的提升抓点精度的方法，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的提升抓点精度的方法中测量特征图案对应位置的钝化膜厚度、识别硅片，生成唯一编号，将唯一编号与特征图案对应位置的钝化膜厚度绑定生成膜厚信息、根据膜厚信息调整光源的亮度，即通过膜厚信息可知特定硅片的特征图案处的钝化膜厚度，由于钝化膜的厚度会影响反射率，影响特征图案的捕捉，所以根据钝化膜厚度调整光源亮度以提高特征图案与周围的对比度，使得特征图案能够被清晰、准确地捕捉到；对每一个硅片都进行硅片都进行钝化膜厚度检测，能够使每一个硅片能够匹配到最适合的光源亮度，保证每一个硅片的特征图案都能够被清晰、准确地捕捉到，即提升每一个特征图案的识别精度；相机抓取特征图案，找到特征图案的中心点，以特征图案的中心点为对位点，在特征图案有偏移时，特征图案的中心点偏移量较小，能够提升特征图案的对位精度；通过提升识别精度和对位精度进而提升在识别特征图案后进行特征掺杂或是丝网印刷时的精度。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种提升抓点精度的方法，其特征在于，包括：
硅片包括至少一个特征图案，测量所述特征图案对应位置的钝化膜厚度；
识别所述硅片，生成唯一编号，将所述唯一编号与所述特征图案对应位置的钝化膜厚度绑定生成膜厚信息；
根据所述膜厚信息调整光源的亮度；
相机抓取所述特征图案，找到所述特征图案的中心点。
2.根据权利要求1所述的提升抓点精度的方法，其特征在于，所述将所述唯一编号与所述特征图案对应位置的钝化膜厚度绑定生成膜厚信息后，包括：
将所述膜厚信息按照生成顺序形成膜厚信息队列上传服务器。
3.根据权利要求2所述的提升抓点精度的方法，其特征在于，所述根据所述膜厚信息调整光源的亮度，包括：
所述光源包括第一处理器，所述第一处理器从所述服务器获取所述膜厚信息队列，传送至所述光源处的所述硅片按照顺序与所述膜厚信息队列匹配，得到所述硅片对应的所述膜厚信息。
4.根据权利要求3所述的提升抓点精度的方法，其特征在于，所述根据所述膜厚信息调整光源的亮度，还包括：
在所述第一处理器预设膜厚标准值，所述第一处理器比较所述膜厚标准值与所述膜厚信息，当所述膜厚信息与所述膜厚标准值的差值小于-N，且大于等于-2N时，所述第一处理器调整所述光源的亮度为第一亮度；当所述膜厚信息与所述膜厚标准值的差值小于0，且大于等于-N时，所述第一处理器调整所述光源的亮度为第二亮度，所述第二亮度大于所述第一亮度；当所述膜厚信息与所述膜厚标准值的差值等于0时，所述第一处理器调整所述光源的亮度为第三亮度，所述第三亮度大于所述第二亮度；当所述膜厚信息与所述膜厚标准值的差值大于0，且小于等于N时，所述第一处理器调整所述光源的亮度为第四亮度，所述第四亮度大于所述第三亮度；当所述膜厚信息与所述膜厚标准值的差值大于N，且小于等于2N时，所述第一处理器调整所述光源的亮度为第五亮度，所述第五亮度大于所述第四亮度，N为正数。
5.根据权利要求4所述的提升抓点精度的方法，其特征在于，所述膜厚信息对应的反射率比所述膜厚标准值对应的反射率每低0.5％，所述第一处理器调整所述光源的亮度提升10％。
6.根据权利要求4所述的提升抓点精度的方法，其特征在于，所述调整所述光源的亮度通过调整所述光源的电流输入。
7.根据权利要求1所述的提升抓点精度的方法，其特征在于，所述识别所述硅片，生成唯一编号，包括：
在膜厚测量仪器处测量所述特征图案对应位置的钝化膜厚度后，将所述硅片传送至识别仪器处识别所述硅片，所述识别仪器包括第二处理器和光电传感器，当所述硅片传送至所述识别仪器处时，所述光电传感器感应光线被遮挡，产生一个脉冲信号传送至所述第二处理器，所述第二处理器将接收到的所述脉冲信号的次数作为所述唯一编号。
8.根据权利要求7所述的提升抓点精度的方法，其特征在于，所述识别仪器还包括检测结构，当所述检测结构检测所述硅片有碎片，所述光电传感器产生一个虚拟脉冲信号传送至所述第二处理器，并将有碎片的硅片剔除，所述第二处理器将接收所述虚拟脉冲信号，仅更新所述第二处理器接收所述脉冲信号的次数。
9.根据权利要求1所述的提升抓点精度的方法，其特征在于，找到所述特征图案的中心点，包括：
在所述特征图案的外轮廓外接有外接圆，找到所述外接圆的中心点，将所述外接圆的中心点作为所述特征图案的中心点。
10.根据权利要求1所述的提升抓点精度的方法，其特征在于，所述硅片为矩形，所述特征图案的数量为4个，4个所述特征图案分别位于所述硅片的4个顶角处。
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