CN111653646A - 薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统 - Google Patents

薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统 Download PDF

Info

Publication number
CN111653646A
CN111653646A CN201910160364.9A CN201910160364A CN111653646A CN 111653646 A CN111653646 A CN 111653646A CN 201910160364 A CN201910160364 A CN 201910160364A CN 111653646 A CN111653646 A CN 111653646A
Authority
CN
China
Prior art keywords
scribing
line
position information
scribing line
scribed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910160364.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111653646B (zh
Inventor
陈涛
李新连
刘德臣
赵树利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongjun New Energy Co ltd
Original Assignee
Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co Ltd filed Critical Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co Ltd
Priority to CN201910160364.9A priority Critical patent/CN111653646B/zh
Publication of CN111653646A publication Critical patent/CN111653646A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111653646B publication Critical patent/CN111653646B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • H01L31/188—Apparatus specially adapted for automatic interconnection of solar cells in a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明公开了一种薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统，该方法包括：在完成所述第二刻划工序后还包括：获取第二刻划线的检测信息，所述第二刻划线的检测信息包括漏刻的第二刻划线的位置信息；在所述第三刻划工序中，在所述漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的预设位置处不进行第三刻划线的刻划。本发明能够起到对第二刻划工序出现漏刻的薄膜太阳能电池进行检测和修复，过程中无需进行人工操作，无需调整生产线，也无需对薄膜太阳能电池进行重新定位，操作简单，良品率较高。

Description

薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统。
背景技术
薄膜太阳能电池主要包括：非晶硅电池、微晶硅电池、铜铟镓硒太阳能电池(CIGS)、碲化镉太阳能电池(CdTe)、砷化镓太阳能电池(GaAs)等薄膜电池，主要是在刚性衬底或柔性衬底上进行多层镀膜，并且镀膜过程中，通过例如激光刻划或机械刻划等刻划工艺对薄膜太阳能电池的电极层和发电层进行刻划，将薄膜太阳能电池分割成若干子电池，并使子电池之间形成串联电路。
图案化处理工序通常包括P1、P2及P3等刻划工序。一般而言，P1、P2及P3刻划工序各自实现功能如下：
P1：待背电极层形成后，进行P1刻划工序，将背电极层分割成众多子电池的背电极；
P2：待发电层形成后，进行P2刻划工序，将发电层分割成众多子电池的发电层单元，并形成沟槽，所述沟槽用于前电极材料的填充，这样可以将多个子电池串联；
P3：待前电极层形成后，进行P3刻划工序，将前电极和发电层进行分割从而形成多个相互独立的太阳能电池；
现有技术中P1工序通常采用激光刻划工艺，P2工序和P3工序可采用激光刻划或机械刻划。但无论是激光刻划还是机械刻划均会产生漏刻现象。对于不同刻划工序出现漏刻现象所产生的失效模式是不同的，一种失效模式如下：如果P1工序出现漏刻，则子电池的正极或负极出现短路，损失一个或多个子电池；如果P2工序出现漏刻，则子电池之间无法形成串联结构，会导致整个电池基板失效；如果P3工序出现漏刻，则子电池的正极或负极出现短路，损失一个或多个子电池。由此可知，如果P2工序出现漏刻，会导致整块薄膜太阳能电池失效，造成的后果较为严重，会直接导致产线良品率降低，给生产企业带来较大的经济损失。
现有技术中针对因P2工序出现漏刻而失效的薄膜太阳能电池，通常采取再次放到P2工序的刻划设备上进行重新刻划，但重新刻划需要对薄膜太阳能电池板进行重新定位，需要P2工序刻划设备及制造企业生产过程的执行系统(MES系统)等设备的协调配合，操作过程复杂，且占用设备资源较多。另外，由于重复定位精度较低，容易造成薄膜太阳能电池死区面积增大的问题，良品率较低。
发明内容
有鉴于现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统，使其能够对第二刻划工序出现漏刻的薄膜太阳能电池进行检测和修复，且操作简单，良品率较高。
为实现上述目的，本发明提供了一种薄膜太阳能电池的制备方法，其包括：
第一刻划工序：形成多条第一刻划线，以将背电极层分割成多个背电极；
第二刻划工序：形成多条第二刻划线，以将发电层分割成多个发电层单元，并形成用于实现相邻太阳能电池单元互联的通道；
第三刻划工序：形成多条第三刻划线，以将前电极层和发电层进行分割从而形成多个太阳能电池单元；在完成所述第二刻划工序后，还包括：
获取所述多条第二刻划线的检测信息，所述检测信息包括漏刻的第二刻划线的位置信息；
在所述第三刻划工序中，在所述漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的预设位置处不进行第三刻划线的刻划。
在一些实施例中，在获取所述漏刻的第二刻划线的位置信息之后，所述制备方法还包括：根据漏刻的第二刻划线的位置信息,获取与漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的位置信息；在所述第三刻划工序中，在所述对应的第三刻划线之外的其余第三刻划线的预设位置处进行刻划。
在一些实施例中，所述第三刻划工序之前，还包括：基于漏刻的第二刻划线的位置信息，生成用于生成或修正第三刻划工序的刻划图案的图案参数，以使所述第三刻划工序欲刻划的第三刻划线与实际存在的第二刻划线一一对应。
在一些实施例中，所述获取所述多条第二刻划线的检测信息，包括：对完成第二刻划工序后进行图像采集，并通过图像识别获取漏刻的第二刻划线的位置信息。
在一些实施例中，在获取所述漏刻的第二刻划线的位置信息时，如果通过图像识别获取到的第二刻划线是断续延伸的，则获取预设区域内所述第二刻划线的各延伸部分的总长度，并计算各延伸部分的总长度与所述预设区域内所述第二刻划线的预设长度的比值；如果所述比值大于等于所述预设值，则确定所述预设区域内断续延伸的第二刻划线为非漏刻状态；如果所述比值小于所述预设值，则确定所述预设区域内断续延伸的第二刻划线为漏刻状态。
在一些实施例中，还包括：获取漏刻的第一刻划线的位置信息；在所述第二刻划工序中，在所述漏刻的第一刻划线对应的第二刻划线的预设位置处不进行第二刻划线的刻划。
本发明实施例还提供了一种刻划装置，所述刻划装置包括控制器，所述控制器与第二刻划工序的检测装置相连；所述检测装置用于对第二刻划工序进行检测，以获取漏刻的第二刻划线的位置信息，所述控制器用于接收漏刻的第二刻划线的位置信息，并根据漏刻的第二刻划线的位置信息,控制所述刻划装置进行第三刻划工序，其中，所述第三刻划工序在漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的预设位置处不进行第三刻划线的刻划。
本发明实施例还提供了一种用于制备薄膜太阳能电池的刻划控制系统，其包括：
检测装置，用于对第二刻划工序进行检测，以获取漏刻的第二刻划线的位置信息；
控制装置，用于根据所述漏刻的第二刻划线的位置信息,获取与漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的位置信息，并根据获取到的所述对应的第三刻划线的位置信息，生成用于生成或修正第三刻划工序的刻划图案的图案参数；
刻划装置，用于接收所述控制装置输出的图案参数，并根据所述图案参数完成所述第三刻划工序。
在一些实施例中，所述检测装置包括：线扫相机，位于薄膜太阳能电池生产线的上方；光源，用于为所述线扫相机提供拍摄所需要的光照条件。
在一些实施例中，所述光源包括：反射光源，与所述线扫相机设置于所述生产线的同一侧；透射光源，设置于所述线扫相机关于所述生产线的相对侧。
本发明实施例对第二刻划工序进行检测，获取漏刻的第二刻划线的位置信息，在所述第三刻划工序中，在所述漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的预设位置处不进行第三刻划线的刻划。本方案根据所述漏刻的第二刻划线的位置信息进行所述第三刻划工序，如果某一第二刻划线缺失，则与该第二刻划线对应的第三刻划线也不进行刻划。
发明人发现：如果第二刻划线漏刻，则相邻两个电池单元(位于漏刻的第二刻划线两侧的电池单元)的发电层单元不会被分割开，这时，如果正常进行第三刻划工序，这两个电池单元的前电极和发电层单元会被分割开，相邻电池单元的串联关系由于第二刻划线的漏刻而在此断开，整块薄膜太阳能电池失效。如果采用本发明的方案，请参考图2c,在第二刻划线漏刻时，在第三刻划工序中与漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线如果也相应地不刻划(或者说也缺失)，这样，这两个相邻电池的前电极层和发电层将不会被分割，即设计上是两个相邻电池单元的前电极层和发电层是连续的(背电极可能是独立的，背电极分割由第一刻划工序实现)，形成了一个包括大的前电极和大的发电层单元的特殊的太阳能电池，该特殊的太阳能电池的前电极和背电极分别通过与漏刻的第二刻划线相邻的两个有效的第二刻划线形成的连接通道，与相邻的太阳能电池串联，从而能够保持多个太阳能电池的串联电路导通，能够实现对第二刻划工序出现漏刻的薄膜太阳能电池进行修复的作用。该过程中可以不进行人工操作，也不需要进行生产线调整。也无需像现有技术那样，对薄膜太阳能电池进行重新定位，操作简单，良品率较高。
应当理解，前面的一般描述和以下详细描述都仅是示例性和说明性的，而不是用于限制本发明。
本申请文件提供本发明中描述的技术的各种实现或示例的概述，并不是所公开技术的全部范围或所有特征的全面公开。
附图说明
在不一定按比例绘制的附图中，相同的附图标记可以在不同的视图中描述相似的部件。具有字母后缀或不同字母后缀的相同附图标记可以表示相似部件的不同实例。附图大体上通过举例而不是限制的方式示出各种实施例，并且与说明书以及权利要求书一起用于对所公开的实施例进行说明。在适当的时候，在所有附图中使用相同的附图标记指代同一或相似的部分。这样的实施例是例证性的，而并非旨在作为本装置或方法的穷尽或排他实施例。
图1为本发明实施例提供的薄膜太阳能电池的制备方法的流程图；
图2(a)为第一刻划工序后形成的半成品电池片的结构示意图；
图2(b)为第二刻划工序后形成的半成品电池片的结构示意图；
图2(c)为第三刻划工序后形成的半成品电池片的结构示意图；
图3为本发明实施例涉及的刻划装置的结构框图；
图4为本发明实施例涉及的刻划控制系统的结构框图；
图5为本发明实施例涉及的刻划控制系统的检测装置的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种薄膜太阳能电池的制备方法的流程图。
附图标记：
10-衬底层；20-背电极层；21-第一刻划线；22-背电极；30-发电层；31-第二刻划线；32-发电层单元；33-串联结构；40-前电极层；41-第三刻划线；42-前电极；50-控制器；60-检测装置；61-线扫相机；62-反射光源；63-透射光源；64-半成品电池片；70-控制装置；80-刻划装置。
具体实施方式
为了使得本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本发明实施例的以下说明清楚且简明，本发明省略了已知功能和已知部件的详细说明。
图1为本发明一些实施例提供的一种薄膜太阳能电池的制备方法的流程图。参见图1所示，该薄膜太阳能电池的制备方法包括：
S1，第一刻划工序：形成多条第一刻划线21，以将背电极层20分割成多个背电极22。
其中，背电极层20为形成于衬底层10上的电极层。在一些实施例中，第一刻划工序可基于一能够表征预设第一刻划线21位置的第一刻划参数在背电极层20上形成多条第一刻划线21，第一刻划线21可通过例如激光刻划工艺或机械刻划工艺形成于背电极层20上。多条第一刻划线21例如可互相平行布置，从而将背电极层20分割成多个相互独立的背电极22，如图2(a)所示。
S2，第二刻划工序：形成多条第二刻划线31，以将发电层30分割成多个发电层单元32，并形成用于实现太阳能电池单元互联的通道。
在一些实施例中，在完成第一刻划工序后，会采用例如物理气象沉积(PVD)等工艺在在背电极层20上方形成发电层30，该发电层30用于进行光电转化以产生电能。发电层30可以是非晶硅、微晶硅、CIGS、CdTe、GaAs等材料层。发电层30可以是一层或多层。
在一些实施例中，第二刻划工序基于一能够表征预设的第二刻划线31位置的第二刻划参数在发电层30上形成多条贯穿发电层30的第二刻划线31。预设的第二刻划线31与预设的第一刻划线21一一对应，第一刻划线21用于将相邻的两个电池单元的背电极层分割开，第二刻划线31用于将该两个电池单元的发电层分割开。多条第二刻划线31例如可以互相平行布置。用于将发电层30分割成多个相互独立的发电层单元32，并形成用于实现太阳能电池单元互联的通道，如图2(b)所示。
在完成第二刻划工序后，会采用例如物理气象沉积工艺在发电层30上方形成前电极层40，在形成前电极层40的过程中，形成前电极层40的导电材料也会沉积在第二刻划线31内，从而导通前电极层40和背电极层20，使相邻太阳能电池单元能实现串联。如果第二刻划工序出现漏刻，则太阳能电池单元之间无法形成串联，会导致整块太阳能电池失效。
S3，获取所述多条第二刻划线的检测信息，所述检测信息包括漏刻的第二刻划线的位置信息；
在一些实施例中，本步骤对经过第二刻划工序的半成品电池片64进行检测，获取所述第二刻划线31的检测信息，所述第二刻划线31的检测信息包括漏刻的第二刻划线31的位置信息在内。漏刻的第二刻划线31的位置信息只要包含半成品电池片64上那些位置存在第二刻划线31缺失即可，如何表述并不做具体限定。
为避免整块太阳能电池失效，本发明实施例中在第二刻划工序之后，会对经过第二刻划工序的半成品电池片64进行检测，以获取第二刻划线31的检测信息。对经过第二刻划工序的半成品电池片64进行检测的方式有多种，例如，可基于图像识别方式对该半成品电池片64进行检测。该第二刻划线31的检测信息包括漏刻的第二刻划线31的位置信息，该漏刻的第二刻划线31可为完全缺失的第二刻划线31、未能贯穿发电层30的第二刻划线31或其他不能使相邻太阳能电池单元之间形成有效串联结构33的第二刻划线31。该漏刻的第二刻划线31的位置信息可为能够直接表征漏刻的第二刻划线31的位置的信息，也可以是能够表征有效的第二刻划线31的位置的信息，这样基于第二刻划参数和有效的第二刻划线31的位置信息即可判断出漏刻的第二刻划线31的位置。总之，该漏刻的第二刻划线31的位置信息为能够用于确定漏刻的第二刻划线31的位置的信息。
S4，第三刻划工序：形成多条第三刻划线41，以将前电极层40和发电层30进行分割从而形成多个太阳能电池单元，在本发明的第三刻划工序中，在所述漏刻的第二刻划线31对应的第三刻划线41的预设位置处不进行第三刻划线41的刻划。
在对经过第二刻划工序的半成品电池片64进行检测之后，采用例如物理气象沉积工艺在发电层30上方形成前电极层40，在形成前电极层40的过程中，用于形成前电极层40的导电材料会沉积在第二刻划线31内并在有效的第二刻划线31内形成能够导通前电极层40和背电极层20的串联结构33。
第三刻划工序例如可基于一能够表征预设的第三刻划线41位置的第三刻划参数在前电极层40和发电层30形成多条第三刻划线41，预设的第三刻划线41与预设的第二刻划线31一一对应。第三刻划线411用于将相邻的两个电池单元的前电极层40和发电层30分割开。正常情况下，相邻的两个电池单元之间一般应该存在一个第一刻划线21、一个第二刻划线31和一个第三刻划线41，该些刻划线共同实现使相邻的两个电池单元相互独立，同时，第二刻划线31还用于容纳串联结构33。第三刻划线41例如也可以互相平行布置。
如图2(c)所示，每个太阳能电池单元包括前电极41、发电层单元32及背电极22，相邻太阳能电池单元之间的前电机和背电极22通过位于第二刻划线31内的串联结构33串联。
在第三刻划工序中，在漏刻的第二刻划线31对应的第三刻划线41的预设位置处不进行第三刻划线41的刻划。与漏刻的第二刻划线31对应的第三刻划线41例如可以为与漏刻的第二刻划线31距离最近的第三刻划线41。漏刻的第二刻划线31及其对应的第三刻划线41在设计图中位于两个相邻的电池单元之间。
例如，如图2b所示，自左向右第二条第二刻划线31漏刻，则第三刻划工序中不再刻划设计图中自左向右的第二条第三刻划线41，即图2c中左数第一条第三刻划线41和右数第一条刻划线之间按设计原本还存在一条第三刻划线41。假设自左向右第二条第二刻划线31的预设位置为K2，对应的第二刻划线31的预设位置为K3，如果第二刻划工序中在K2位置漏刻了第二刻划线31，则相应地在K3位置也不进行第三刻划线41的刻划。简言之，如果某条第二刻划线31漏刻，则相应地第三刻划线41也会缺失，这样，原本按设计欲形成的相邻两个电池单元之间的前电极层40和发电层30将不会被分割，结果只形成了一个包括大的前电极41和大的发电层单元32的特殊的太阳能电池单元，该特殊的太阳能电池单元分别通过与之相邻的两个有效的第二刻划线31中的串联结构33与相邻的太阳能电池单元串联，能够保持多个太阳能电池单元的串联导通。换言之，通过这样的方案，能够对第二刻划工序出现漏刻的薄膜太阳能电池片进行修复，并且修复过程中无需进行人工操作，无需调整生产线，不会打乱原有生产流程。本申请的方案，由于不需要对第二刻划工序的不良片(在此特指第二刻划线存在漏刻的薄膜太阳能电池片)重新进第二刻划工序，因而可避免占用设备资源，因而也无需对薄膜太阳能电池进行重新定位。本申请的方案操作简单，良品率较高。
在一些实施例中，在获取所述漏刻的第二刻划线31的位置信息之后，所述制备方法还包括：根据漏刻的第二刻划线31的位置信息,获取与漏刻的第二刻划线31对应的第三刻划线41的位置信息；在所述第三刻划工序中，在所述对应的第三刻划线41之外的其余第三刻划线41的预设位置处进行刻划。
与漏刻的第二刻划线31对应的第三刻划线41例如可以为与漏刻的第二刻划线31距离最近的第三刻划线41。在获取到漏刻的第二刻划线31的位置信息后，可获取与该漏刻的第二刻划线31距离最近的第三刻划线41的位置信息，并在所述第三刻划工序中，在除该第三刻划线41之外的其余第三刻划线41的预设位置处进行刻划。
还例如，可按设计图对第一刻划线21、第二刻划线31及第三刻划线41进行编号，例如可将多条第一刻划线21自左至右依次编排为a1～a10，将多条第二刻划线31自左至右依次编排为b1～b10，将多条第三刻划线41自左至右依次编排为c1～c10，这样与漏刻的第二刻划线31对应的第三刻划线41也可为序号相同的第三刻划线41。当基于漏刻的第二刻划线31的位置信息，判断为仅有编号为b2的第二刻划线31漏刻，则获取与编号b2的第二刻划线31对应第三刻划线41的位置信息，即编号为c2的第三刻划线41的位置信息。并在第三刻划工序中，在除编号为c2的第三刻划线41之外的其余第三刻划线41的预设位置处均进行正常刻划，其结果是形成编号为c1，c3～c10的第三刻划线41，编号为c2的第三刻划线41缺失。
在一些实施例中，所述第三刻划工序之前，还可包括：基于漏刻的第二刻划线31的位置信息，生成用于生成或修正第三刻划工序的刻划图案的图案参数，以使所述第三刻划工序欲刻划的第三刻划线41与所述半成品电池片64上实际存在的第二刻划线31一一对应。
例如在一些实施例中，基于漏刻的第二刻划线31的位置信息，生成一图案参数，该图案参数用于生成第三刻划工序的刻划图案，该刻划图案中在与漏刻的第二刻划线31对应的第三刻划线41的位置缺失第三刻划线41。
在另一些实施例中，基于漏刻的第二刻划线31的位置信息，生成一用于修正第三刻划工序的刻划图案的参数，通过该参数，第三刻划工序的刻划图案得以修正。在经过修正的第三刻划工序的刻划图案中，在与漏刻的第二刻划线31对应的第三刻划线41的位置缺失第三刻划线41。
基于上述新生成的或修正后的刻划图案，经过第三刻划工序，理想状态下，本方案将使得半成品电池片64的第三刻划线41与第二刻划线31对应出现，即，如果某一第二刻划线31存在，对应的第三刻划线41也会存在；如果某一第二刻划线31缺失，对应的第三刻划线41也会缺失。
本公开对具体通过何种方式获取第二刻划工序形成的多条第二刻划线的检测信息并不做限定，只要所述检测信息中包括漏刻的第二刻划线的位置信息即可。例如在一些实施例中，在完成第二刻划工序后进行图像采集，并通过图像识别获取漏刻的第二刻划线的位置信息。对完成第二刻划工序的半成品电池片64进行图像采集，通过图像识别技术可获取漏刻的第二刻划线31的位置信息。
由于发电层30和背电极层20的材质不同，导致发电层30和背电极层20的反光性通常不同，通常情况下背电极层20的反光性要优于发电层30的反光性。以铜铟镓硒太阳能电池为例，其衬底层10通常为玻璃材质，具有透光性，背电极层20通常为钼材质，不具有透光性，但反光性较好，发电层30通常为铜铟镓硒材质，不透光且反光性较差。在一些实施例中，可在薄膜太阳能电池生产线的上方设置线扫相机61，并设置用于为线扫相机61提供拍摄所需要的光线条件的光源，这样，线扫相机61能够对第二刻划工序的半成品电池片64进行图像采集。在采集到的半成品电池片64的表面图像中，有效的第二刻划线31对应的位置处亮度较高，而其余发电层30所对应的位置处亮度较暗，这样就能够获取到有效的第二刻划线31的位置信息。例如可通过将通过图像识别出的第二刻划线31与第二刻划的设计图进行比较就可以获得漏刻的第二刻划线31的位置信息。
在一些实施例中，上述为线扫相机61提供拍摄所需要的光线条件的光源可包括：与线扫相机61设置于生产线的同一侧反射光源62和设置于线扫相机61关于生产线的相对侧的投射光源。可控制反射光源62和投射光源例如可以一定频率间断开启，并配合线扫相机61完成对完成第二刻划工序的半成品电池片64的图像采集，以分别获取在反射光源62照射下的第一图像和在透射光源63照射下的第二图像。
第二图像可用于检测第二刻划线的过刻情况，第一图像和第二图像可结合起来用来判断第二刻划线的漏刻情况。第二刻划工序中第二刻划线31会出现三种情况：第一种情况，第二可划线贯穿发电层30但未贯穿背电极层20，这样的第二刻划线31符合要求，属于有效的第二刻划线31；第二种情况，第二刻划线31完全缺失或第二刻划线31未贯穿发电层30，这两类第二刻划线31后期均无法形成有效的串联结构33，均可视为漏刻的第二刻划线31；第三种情况，第二刻划线31已贯穿背电极层20，即出现过刻情况，这种情况下，在后后续形成前电极层40时，用于形成前电极层40的导电材料会填充到背电极层20上被刻划掉的部分上，使得第二刻划线内的导电材料能够导通前电极41和背电极22，所以过刻的第二刻划线31可视为有效的第二刻划线31。即，在一些实施例中，对经过第二刻划工序的半成品电池片64进行检测时，获取的所述第二刻划线31的检测信息还包括：所述第二刻划线31的过刻信息；如果所述第二刻划线31部分或全部存在过刻，可视为有效的第二刻划线31，第三刻划工序不做任何处理，正常进行。第二刻划线31的过刻会影响电池片的功率，但不会导致整个电池片失效，具体实施时，可在产品上予以相应标记。
在第二刻划线31为不同的刻划情况时，图像采集获取的第一图像和第二图像是不同的。如当第一图像中与预设的第二刻划线31相对应的位置处的亮度符合第一亮度阈值时，即可确认该位置存在有效的第二刻划线31。因为背电极层20的反光性较强，反射光源62的光线只有经背电极层20反射后，第一图像中相对应的位置处的亮度才能够符合第一亮度阈值。因此当第一图像中与预设的第二刻划线31相对应的位置处的亮度不符合第一亮度阈值时，则可能是前述的第二种情况(漏刻)或第三种情况(过刻)，即可能第二刻划线31漏刻，也可能第二刻划线31过刻。此时，可通过结合第二图像来进一步判断，当第二图像中与预设的第二刻划线31相对应的位置处的亮度符合第二亮度阈值时，则可确认该位置透光，即该位置第二刻划线31过刻。当第二刻划线31贯穿背电极22时，透射光源63的光线穿过玻璃背板并被线扫相机61捕捉到，从而使第二图像中相对应位置处的亮度符合第二亮度阈值。反之，如果第二图像中与预设的第二刻划线31相对应的位置处的亮度不符合第二亮度阈值时，则可确认该位置的第二刻划线31漏刻。
在一些情况下，在获取漏刻的第二刻划线31的位置信息时，如果通过图像识别获取到的第二刻划线31是断续延伸的，即所述半成品电池片64上的第二刻划线31有些部分是有效，有些部分存在漏刻，则获取预设区域内第二刻划线31的各延伸部分的总长度，并计算各延伸部分的总长度与所述预设区域内所述第二刻划线31的预设长度的比值。如果所述比值大于等于所述预设值，则确定所述预设区域内断续延伸的第二刻划线31为非漏刻状态；如果所述比值小于所述预设值，则确定所述预设区域内断续延伸的第二刻划线31为漏刻状态。所述预设值可以根据实际情况进行设定，本实施例不做限定。
所述比值大于等于所述预设值时，该断续延伸的第二刻划线31内形成的串联结构33也是断续延伸。在一些实施例中，所述预设值的取值使得断续延伸数值串联结构33能够实现导通并确保受影响的太阳能电池单元的整体输出功率能够达到一定的预设标准要求。此时，所述比值大于等于所述预设值时，可确定该预设区域内断续延伸的第二刻划线31为非漏刻状态，即该条第二刻划线31为有效的第二刻划线31，第三刻划工序正常进行，与该断续延伸的第二刻划线31对应的第三刻划线41可正常刻划。如果所述比值小于所述预设值，则说明该断续延伸的第二刻划线31内形成的串联结构33不能够导通与之相邻的两个太阳能电池，或者即使能够导通受影响的太阳能电池单元的整体输出功率没能达到预设标准的要求，则可确定所述预设区域内断续延伸的第二刻划线31为漏刻状态，即该条第二刻划线31可被认为是漏刻的第二刻划线31，第三刻划工序中，与该断续延伸的第二刻划线31对应的第三刻划线41不进行刻划。
在一些实施例中，提供另一种薄膜太阳能电池的制备方法，包括：
101、第一刻划工序；
102、获取漏刻的第一刻划线的位置信息；
103、进行第二刻划工序，其中，第二刻划工序在所述漏刻的第一刻划线对应的第二刻划线的预设位置处不进行第二刻划线的刻划。
104、获取漏刻的第二刻划线的位置信息；
105、进行第三刻划工序，其中，第三刻划工序在所述漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的预设位置处不进行第三刻划线的刻划。
步骤102中例如通过对经过第一刻划工序的半成品电池片64进行检测，获取半成品电池片64上第一刻划线的漏刻信息，即获取漏刻的第一刻划线的位置信息；步骤103中，根据漏刻的第一刻划线的位置信息对第二刻划工序进行控制，即半成品电池片64上如果某条第一刻划线缺失，则相应地也不存在对应的第二刻划线。继续步骤103和104，如果半成品电池片64上如果某条第二刻划线缺失，则相应地也不存在对应的第三刻划线。本方案的一种实施情况是，如果某条第一刻划线缺失，则对应地第二刻划线和第三刻划线也相应缺失。本实施例提供的制备方法是基于上面的实施例进行的改进方案，相关部分可相互参照，不再赘述。
本领域技术人员可以理解的是，上述薄膜太阳能电池的制备方法实际还可包括一个或多个其它步骤，例如形成空穴层的步骤等，但由于这些步骤并不直接影响本发明的实施效果，本公开中并没有进行描述。
参见图3所示，本发明实施例还提供了一种刻划装置，该刻划装置包括控制器50，控制器50与某一刻划工序的检测装置60相连。所述控制器50用于根据检测结果控制该刻划装置进行后续的刻划工序。控制器50与检测装置60的连接指可通信连接，可以是有线连接，也可以是无线连接。
一般而言，薄膜太阳能电池的制备方法包括三道刻划工序，其中，第一刻划工序形成多条第一刻划线，以将背电极层分割成多个背电极；第二刻划工序形成多条第二刻划线，以将发电层分割成多个发电层单元，并形成用于实现相邻太阳能电池单元互联的通道；第三刻划工序形成多条第三刻划线，以将前电极层和发电层进行分割从而形成多个太阳能电池单元。
在一些实施例中，检测装置50用于对第二刻划工序进行检测，以获取漏刻的第二刻划线的位置信息。例如，检测装置60可对经过第二刻划工序的半成品电池片64进行检测，以获取漏刻的第二刻划线31的位置信息。控制器50用于接收漏刻的第二刻划线的位置信息，并根据漏刻的第二刻划线的位置信息,控制所述刻划装置的刻划部件进行第三刻划工序。第三刻划工序中，在漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的预设位置处并不进行第三刻划线的刻划，即如果检测到某条第二刻划线漏刻，则对应的第三刻划线也会缺失。
在一些实施例中，控制器50可自检测装置60接收漏刻的第二刻划线31的位置信息，并根据漏刻的第二刻划线31的位置信息，直接生成第三刻划工序的刻划图案，并控制刻划装置实现该刻划图案。在另一些实施例中，控制器50可自检测装置60接收漏刻的第二刻划线31的位置信息，并根据漏刻的第二刻划线31的位置信息，对预设的刻划图案(即在不考虑第二刻划线31漏刻情况时，第三刻划工序原本的设计图案)进行修正，并控制刻划装置实现该修正后的刻划图案。
在一些实施例中，检测装置50用于对第一刻划工序进行检测，以获取漏刻的第一刻划线的位置信息。控制器50用于接收漏刻的第一刻划线的位置信息，并根据漏刻的第一刻划线的位置信息,控制所述刻划装置的刻划部件进行第二刻划工序。第二刻划工序中，在漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的预设位置处不进行第二刻划线的刻划，即如果检测到某条第一刻划线漏刻，则对应的第二刻划线也会缺失。进一步地，检测装置50还用于对第二刻划工序进行检测以获取漏刻的第二刻划线的位置信息；刻划装置还实施第三刻划工序，其中的控制器还用于接收漏刻的第二刻划线的位置信息，并根据漏刻的第二刻划线的位置信息,控制所述刻划装置的刻划部件进行第三刻划工序。
上述刻划装置可以是激光刻划装置，也可以是机械刻划装置。
本发明实施例的刻划装置可以根据自检测装置60接收的检测信息对刻划工序进行控制。例如，刻划装置可自检测装置60接收漏刻的第二刻划线31的位置信息，并根据漏刻的第二刻划线31的位置信息,控制刻划装置进行第三刻划工序，以使第三刻划工序在漏刻的第二刻划线31对应的第三刻划线41的预设位置处不进行第三刻划线41的刻划。这样，设计上相邻的两个电池单元的前电极层40和发电层30不会被分割，实际形成了一个包括大的前电极41和大的发电层单元32的特殊的太阳能电池，该特殊的太阳能电池分别通过与之相邻的两个有效的第二刻划线31中的串联结构33与相邻的太阳能电池单元串联，能够保持多个太阳能电池单元的串联导通，能够起到对第二刻划工序出现漏刻的薄膜太阳能电池片进行修复的作用，无需进行人工操作，无需调整生产线，也无需对薄膜太阳能电池进行重新定位，操作简单，良品率较高。
参见图4所示，本发明实施例还提供了一种用于制备薄膜太阳能电池的刻划控制系统，该刻划控制系统包括：检测装置60、控制装置70和刻划装置80。检测装置60用于检测某一刻划工序。控制装置70用于根据检测结果用于生成或修正后续刻划工序的刻划图案的图案参数。刻划装置80根据所述图案参数进行后续的刻划工序。
在一些实施例中，检测装置60用于获取漏刻的第二刻划线31的位置信息，例如通过对经过第二刻划工序的半成品电池片64进行检测来获取。控制装置70用于根据漏刻的第二刻划线31的位置信息,获取与漏刻的第二刻划线31对应的第三刻划线41的位置信息，并根据获取到的对应的第三刻划线41的位置信息，生成用于生成或修正第三刻划工序的刻划图案的图案参数。刻划装置80用于接收控制装置70输出的图案参数，并根据图案参数完成第三刻划工序。
进一步地，在一些实施例中，检测装置60还用于获取漏刻的第一刻划线31的位置信息。控制装置70还用于根据漏刻的第一刻划线的位置信息,获取与漏刻的第一刻划线对应的第二刻划线的位置信息，并根据获取到的对应的第二刻划线的位置信息，生成用于生成或修正第二刻划工序的刻划图案的图案参数。刻划装置80还用于接收控制装置70输出的该图案参数，并根据该图案参数完成第二刻划工序。
本发明实施例的刻划控制系统，能够对第一或第二刻划工序出现漏刻现象的薄膜太阳能电池进行修复，且该修复过程与现有生产流程一致，无需调整生产线，也无需对薄膜太阳能电池进行重新定位，操作简单，良品率较高。
在一些实施例中，利用MES系统实现控制装置70的功能。MES系统是制造企业生产过程的执行系统，是一套面向制造企业车间执行层的生产信息化管理系统。
以上描述旨在是说明性的而不是限制性的。例如，上述示例(或其一个或更多方案)可以彼此组合使用。例如本领域普通技术人员在阅读上述描述时可以使用其它实施例。另外，在上述具体实施方式中，各种特征可以被分组在一起以简单化本发明。这不应解释为一种不要求保护的公开的特征对于任一权利要求是必要的意图。相反，本发明的主题可以少于特定的公开的实施例的全部特征。从而，以下权利要求书作为示例或实施例在此并入具体实施方式中，其中每个权利要求独立地作为单独的实施例，并且考虑这些实施例可以以各种组合或排列彼此组合。本发明的范围应参照所附权利要求以及这些权利要求赋权的等同形式的全部范围来确定。
以上实施例仅为本发明的示例性实施例，不用于限制本发明，本发明的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本发明的实质和保护范围内，对本发明做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种薄膜太阳能电池的制备方法，包括：
第一刻划工序：形成多条第一刻划线，以将背电极层分割成多个背电极；
第二刻划工序：形成多条第二刻划线，以将发电层分割成多个发电层单元，并形成用于实现相邻太阳能电池单元互联的通道；
第三刻划工序：形成多条第三刻划线，以将前电极层和发电层进行分割从而形成多个太阳能电池单元；
其特征在于，在完成所述第二刻划工序后，还包括：
获取所述多条第二刻划线的检测信息，所述检测信息包括漏刻的第二刻划线的位置信息；
在所述第三刻划工序中，在所述漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的预设位置处不进行第三刻划线的刻划。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，在获取所述漏刻的第二刻划线的位置信息之后，所述制备方法还包括：根据漏刻的第二刻划线的位置信息,获取与漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的位置信息；
在所述第三刻划工序中，在所述对应的第三刻划线之外的其余第三刻划线的预设位置处进行刻划。
3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第三刻划工序之前，还包括：
基于漏刻的第二刻划线的位置信息，生成用于生成或修正第三刻划工序的刻划图案的图案参数，以使所述第三刻划工序欲刻划的第三刻划线与实际存在的第二刻划线一一对应。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述获取所述多条第二刻划线的检测信息，包括：
在完成第二刻划工序后进行图像采集，并通过图像识别获取漏刻的第二刻划线的位置信息。
5.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，在获取所述漏刻的第二刻划线的位置信息时，如果通过图像识别获取到的第二刻划线是断续延伸的，则获取预设区域内所述第二刻划线的各延伸部分的总长度，并计算各延伸部分的总长度与所述预设区域内所述第二刻划线的预设长度的比值；
如果所述比值大于等于所述预设值，则确定所述预设区域内断续延伸的第二刻划线为非漏刻状态；如果所述比值小于所述预设值，则确定所述预设区域内断续延伸的第二刻划线为漏刻状态。
6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括：
获取漏刻的第一刻划线的位置信息；
在所述第二刻划工序中，在所述漏刻的第一刻划线对应的第二刻划线的预设位置处不进行第二刻划线的刻划。
7.一种刻划装置，其特征在于，所述刻划装置包括控制器，所述控制器与第二刻划工序的检测装置相连；
所述检测装置用于对第二刻划工序进行检测，以获取漏刻的第二刻划线的位置信息，
所述控制器用于接收漏刻的第二刻划线的位置信息，并根据漏刻的第二刻划线的位置信息,控制所述刻划装置进行第三刻划工序，其中，所述第三刻划工序在漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的预设位置处不进行第三刻划线的刻划。
8.一种用于制备薄膜太阳能电池的刻划控制系统，其特征在于，包括：
检测装置，用于对第二刻划工序进行检测，以获取漏刻的第二刻划线的位置信息；
控制装置，用于根据所述漏刻的第二刻划线的位置信息,获取与漏刻的第二刻划线对应的第三刻划线的位置信息，并根据获取到的所述对应的第三刻划线的位置信息，生成用于生成或修正第三刻划工序的刻划图案的图案参数；
刻划装置，用于接收所述控制装置输出的图案参数，并根据所述图案参数完成所述第三刻划工序。
9.根据权利要求8所述的刻划控制系统，其特征在于，所述检测装置包括：
线扫相机，位于薄膜太阳能电池生产线的上方；
光源，用于为所述线扫相机提供拍摄所需要的光照条件。
10.根据权利要求9所述的刻划控制系统，其特征在于，所述光源包括：
反射光源，与所述线扫相机设置于所述生产线的同一侧；
透射光源，设置于所述线扫相机关于所述生产线的相对侧。
CN201910160364.9A 2019-03-04 2019-03-04 薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统 Active CN111653646B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910160364.9A CN111653646B (zh) 2019-03-04 2019-03-04 薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910160364.9A CN111653646B (zh) 2019-03-04 2019-03-04 薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111653646A true CN111653646A (zh) 2020-09-11
CN111653646B CN111653646B (zh) 2024-04-09

Family

ID=72342472

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910160364.9A Active CN111653646B (zh) 2019-03-04 2019-03-04 薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111653646B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113594301A (zh) * 2021-07-30 2021-11-02 成都中建材光电材料有限公司 一种降低太阳能电池串联电阻的方法及电池制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010219171A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Omron Corp スクライブ加工方法及び装置
US20100330711A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for inspecting scribes in solar modules
JP2011031302A (ja) * 2009-07-10 2011-02-17 Mitsubishi Electric Corp レーザ加工方法および装置
US20110198322A1 (en) * 2009-08-06 2011-08-18 Applied Materials, Inc. In-line metrology methods and systems for solar cell fabrication
TW201225312A (en) * 2010-09-17 2012-06-16 Ulvac Inc Method and apparatus for evaluating photovoltaic module
CN102903791A (zh) * 2012-09-21 2013-01-30 深圳先进技术研究院 薄膜太阳能电池的制作方法及系统
WO2013189605A2 (en) * 2012-06-20 2013-12-27 Tel Solar Ag Laser scribing system
JP2014024303A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd スクライブ装置及びスクライブ方法
CN104701397A (zh) * 2013-12-07 2015-06-10 威海中玻光电有限公司 一种硅基薄膜太阳能电池结构及加工工艺
US20160158890A1 (en) * 2014-12-05 2016-06-09 Solarcity Corporation Systems and methods for scribing photovoltaic structures
CN108447919A (zh) * 2018-02-01 2018-08-24 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 薄膜太阳能电池组件的制备方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010219171A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Omron Corp スクライブ加工方法及び装置
US20100330711A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for inspecting scribes in solar modules
CN102422442A (zh) * 2009-06-26 2012-04-18 应用材料公司 用于检查太阳能模块中的刻划的方法及设备
JP2011031302A (ja) * 2009-07-10 2011-02-17 Mitsubishi Electric Corp レーザ加工方法および装置
US20110198322A1 (en) * 2009-08-06 2011-08-18 Applied Materials, Inc. In-line metrology methods and systems for solar cell fabrication
TW201225312A (en) * 2010-09-17 2012-06-16 Ulvac Inc Method and apparatus for evaluating photovoltaic module
WO2013189605A2 (en) * 2012-06-20 2013-12-27 Tel Solar Ag Laser scribing system
JP2014024303A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd スクライブ装置及びスクライブ方法
CN102903791A (zh) * 2012-09-21 2013-01-30 深圳先进技术研究院 薄膜太阳能电池的制作方法及系统
CN104701397A (zh) * 2013-12-07 2015-06-10 威海中玻光电有限公司 一种硅基薄膜太阳能电池结构及加工工艺
US20160158890A1 (en) * 2014-12-05 2016-06-09 Solarcity Corporation Systems and methods for scribing photovoltaic structures
CN108447919A (zh) * 2018-02-01 2018-08-24 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 薄膜太阳能电池组件的制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113594301A (zh) * 2021-07-30 2021-11-02 成都中建材光电材料有限公司 一种降低太阳能电池串联电阻的方法及电池制备方法
CN113594301B (zh) * 2021-07-30 2023-06-16 成都中建材光电材料有限公司 一种降低太阳能电池串联电阻的方法及电池制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111653646B (zh) 2024-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101588706B1 (ko) 자동조정 스크린 인쇄 프로세스
US20090102502A1 (en) Process testers and testing methodology for thin-film photovoltaic devices
CN113823580B (zh) 一种检测mwt光伏组件导电胶印刷的方法
EP3840218B1 (en) Fault detection method and fault detection apparatus for photovoltaic assembly
CN112880837B (zh) 一种设备故障分析方法
KR20200064465A (ko) 태양광 패널 고장 검출 시스템 및 방법
US20100330711A1 (en) Method and apparatus for inspecting scribes in solar modules
CN111653646A (zh) 薄膜太阳能电池的制备方法及刻划装置、刻划控制系统
EP2450960A1 (en) Method for manufacturing photoelectric conversion elements, device for manufacturing photoelectric conversion elements, and photoelectric conversion element
EP2704204A1 (en) Method and apparatus for printing a pattern on a substrate
JP5274043B2 (ja) 半導体基板の検査装置
TW201013963A (en) Method and apparatus for manufacturing solar battery
CN116205892B (zh) 一种评估光伏组串工况的方法及装置
CN104647885A (zh) 用于电极激光转印中的激光转印对准装置及其对准方法
US9847367B2 (en) Digital x-ray detector and method for repairing a bad pixel thereof
CN115639214A (zh) 电池串检测方法
CN111458347A (zh) 缺陷检测方法及设备
CN209756393U (zh) 一种晶硅双面太阳电池的对准印刷系统
CN209911251U (zh) 缺陷检测设备
CN111530712A (zh) 粘结剂施加系统、制造叠瓦组件的方法和叠瓦组件
US8768040B2 (en) Substrate identification and tracking through surface reflectance
CN116230576B (zh) 快速建立暗场缺陷扫描检测体系的方法
CN109346537B (zh) 选择发射极电池印刷对准方法
CN113344930B (zh) 一种基于机器视觉的贴合偏移检测方法
CN103165759B (zh) 一种晶体硅太阳能电池及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20201217

Address after: 102200 1611, floor 16, building 5, No. 106, Kexing West Road, Changping District, Beijing

Applicant after: Beijing heshengtong Technology Co.,Ltd.

Address before: 100176 Beijing Daxing District Beijing economic and Technological Development Zone Rongchang East Street 7 hospital 6 Building 3001 room.

Applicant before: BEIJING APOLLO DING RONG SOLAR TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20210118

Address after: 101407 Yanqi Street, Yanqi Economic Development Zone, Huairou District, Beijing

Applicant after: Dongjun new energy Co.,Ltd.

Address before: 102200 1611, floor 16, building 5, No. 106, Kexing West Road, Changping District, Beijing

Applicant before: Beijing heshengtong Technology Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant