CN115132259B - 一种读取系数计算方法、装置、设备及介质 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种读取系数计算方法、装置、设备及介质，涉及集成电路领域，包括：按照预设第一读取次数对第一组数据进行块读取以得到第一电压图，对第二组数据进行页读取以得到第二电压图，从第一电压图和第二电压图中确定第一电压值和第二电压值的位置关系；判断第一电压值与第二电压值的位置关系是否发生改变，若否，则确定出第二读取次数，并基于第二读取次数对第二组数据进行页读取以得到第三电压图，从第一电压图和第三电压图中确定出第一电压值和第三电压值的位置关系；判断第一电压值与第三电压值的位置关系是否发生改变，若是，则计算出页读取次数，以计算出块读取和页读取之间的系数。本申请能够精确得到块读取与页读取的之间换算关系。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路领域，特别涉及一种读取系数计算方法、装置、设备及介质。
背景技术
目前，Nand Flash（闪存芯片，Flash存储器的一种）具有Read Disturb（读串扰）特性，随着Block（数据块）内读的次数的增加，使用Default Read，Err Bit会升高，具体原因是最优读电压已经偏移，当读的次数达到一定阈值时，Read的Err Bit（报错信息）数量会超过ECC（一种能够实现错误检查和纠正的内存条）纠错能力，导致读取失败，造成数据丢失。所以为了保证数据安全，再对Block读的次数达到一定值时，需要对该Block内数据进行一次搬移以消除Read Disturb的影响。Nand Flash厂商一般在告知Read Disturb的可靠性参数时，是按照Block Read次数来的，但是实际使用时，比如在SSD（Solid State Disk，固态硬盘）中，大部分应用场景是Page Read（页读取），即很少会一次读一个Block数据。所以就存在Page Read次数到Block Read（块读取）次数的转换，从而判断是否达到数据搬移的门限值。目前较为简单的做法是将Block Read与Page Read的权重看的一样，1:1换算，即：比如一个Block中有1000个Page，则1000次Page Read转换为1次Block Read，这种计算方式可以大约估算出Block Read的次数，但是结果不是很准确。
由上可见，在读取系数计算的过程中，如何精确得到不同先决条件下的Block的块读取与页读取的之间换算关系，减小Hard Decode（硬解码）失败的概率以及不必要的搬移，提高SSD盘性能是本领域有待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种读取系数计算方法、装置、设备及介质，能够精确得到不同先决条件下的Block的块读取与页读取的之间换算关系，减小Hard Decode失败的概率以及不必要的搬移，提高SSD盘性能。其具体方案如下：
第一方面，本申请公开了一种读取系数计算方法，包括：
获取预设的第一读取次数，并按照所述第一读取次数对第一组数据进行块读取，以绘制出第一电压图，基于所述第一读取次数计算出页读取起始点和计算精度，基于所述第一读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第二电压图，从所述第一电压图和所述第二电压图中确定出第一电压值和第二电压值的位置关系；
判断所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系没有发生改变，则基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第二读取次数，并基于所述第二读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第三电压图，从所述第一电压图和所述第三电压图中确定出所述第一电压值和第三电压值的位置关系；
判断所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系发生改变，则基于所述第一电压值、所述第二电压值、所述第三电压值以及所述计算精度计算出页读取次数，以便基于所述页读取次数、所述第一电压值以及所述第一读取次数计算出所述块读取和所述页读取之间的系数。
可选的，所述获取预设的第一读取次数之前，还包括：
按照预设电压图绘制规则，绘制出所述第一组数据和所述第二组数据的初始第一电压图和初始第二电压图；
判断初始第一电压图和初始第二电压图之间差异是否符合预设差异范围若初始第一电压图和初始第二电压图之间差异符合预设差异范围，则利用所述第一组数据和所述第二组数据述进行读取系数计算。
可选的，所述基于所述第一读取次数计算出页读取起始点和计算精度，包括：
确定出所述块读取和所述页读取之间的换算关系系数，并确定出所述第一组数据中的数据个数；
计算出所述换算关系系数、所述数据个数以及所述第一读取次数的乘积作为页读取起始点，计算出预设计算精度参数和所述数据个数之间的乘积作为计算精度。
可选的，所述从所述第一电压图和所述第二电压图中确定出第一电压值和第二电压值的位置关系，包括：
从所述第一电压图中确定出各最优电压值，并随机选取一个所述最优电压值作为第一电压值，同理确定出第二电压值；
确定出所述第一电压值和所述第二电压值的位置关系。
可选的，所述基于所述第一电压值、所述第二电压值、所述第三电压值以及所述计算精度计算出页读取次数，包括：
计算出所述第一电压值与所述第二电压值之间的第一差值，并计算出所述第三电压值与所述第二电压值之间的第二差值；
计算出所述第一差值与所述第二差值之间的比值，然后与所述计算精度相乘，以得到等效改变次数，并基于所述等效改变次数计算出页读取次数。
可选的，所述基于所述等效改变次数计算出页读取次数，包括：
基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第三读取次数；
计算出所述第三次读取次数与所述第二读取次数之间的差值，然后与所述等效改变次数相加，以得到页读取次数。
可选的，所述基于所述页读取次数、所述第一电压值以及所述第一读取次数计算出所述块读取和所述页读取之间的系数，包括：
计算出所述页读取次数与所述第一读取次数之间的比值，以得到所述块读取和所述页读取之间的系数。
第二方面，本申请公开了一种读取系数计算装置，包括：
电压图绘制模块，用于获取预设的第一读取次数，并按照所述第一读取次数对第一组数据进行块读取，以绘制出第一电压图，基于所述第一读取次数计算出页读取起始点和计算精度，基于所述第一读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第二电压图，从所述第一电压图和所述第二电压图中确定出第一电压值和第二电压值的位置关系；
第一判断模块，用于判断所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系没有发生改变，则基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第二读取次数，并基于所述第二读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第三电压图，从所述第一电压图和所述第三电压图中确定出所述第一电压值和第三电压值的位置关系；
第二判断模块，用于判断所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系发生改变，则基于所述第一电压值、所述第二电压值、所述第三电压值以及所述计算精度计算出页读取次数，以便基于所述页读取次数、所述第一电压值以及所述第一读取次数计算出所述块读取和所述页读取之间的系数。
第三方面，本申请公开了一种电子设备，包括：
存储器，用于保存计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序，以实现前述的读取系数计算方法。
第四方面，本申请公开了一种计算机存储介质，用于保存计算机程序；其中，所述计算机程序被处理器执行时实现前述公开的读取系数计算方法的步骤。
可见，本申请提供了一种读取系数计算方法，包括获取预设的第一读取次数，并按照所述第一读取次数对第一组数据进行块读取，以绘制出第一电压图，基于所述第一读取次数计算出页读取起始点和计算精度，基于所述第一读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第二电压图，从所述第一电压图和所述第二电压图中确定出第一电压值和第二电压值的位置关系；判断所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系没有发生改变，则基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第二读取次数，并基于所述第二读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第三电压图，从所述第一电压图和所述第三电压图中确定出所述第一电压值和第三电压值的位置关系；判断所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系发生改变，则基于所述第一电压值、所述第二电压值、所述第三电压值以及所述计算精度计算出页读取次数，以便基于所述页读取次数、所述第一电压值以及所述第一读取次数计算出所述块读取和所述页读取之间的系数。本申请利用两组数据进行块读取和页读取操作，并将块读取与页读取的之间换算关系等效为电压之间的关系，从而精确得到不同先决条件下的Block的块读取与页读取的之间换算关系，减小Hard Decode（硬解码）失败的概率以及不必要的搬移，提高SSD盘性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请公开的一种读取系数计算方法流程图；
图2为本申请公开的一种阈值分布示例图；
图3为本申请公开的一种位置关系示例图；
图4为本申请公开的一种第一电压值与第二电压值位置流程图；
图5为本申请公开的一种具体的读取系数计算方法流程图；
图6为本申请公开的一种读取系数计算装置结构示意图；
图7为本申请提供的一种电子设备结构图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
目前，Nand Flash（闪存芯片，Flash存储器的一种）具有Read Disturb（读串扰）特性，随着Block（数据块）内读的次数的增加，使用Default Read，Err Bit会升高，具体原因是最优读电压已经偏移，当读的次数达到一定阈值时，Read的Err Bit（报错信息）数量会超过ECC（一种能够实现错误检查和纠正的内存条）纠错能力，导致读取失败，造成数据丢失。所以为了保证数据安全，再对Block读的次数达到一定值时，需要对该Block内数据进行一次搬移以消除Read Disturb的影响。Nand Flash厂商一般在告知Read Disturb的可靠性参数时，是按照Block Read次数来的，但是实际使用时，比如在SSD（Solid State Disk，固态硬盘）中，大部分应用场景是Page Read（页读取），即很少会一次读一个Block数据。所以就存在Page Read次数到Block Read（块读取）次数的转换，从而判断是否达到数据搬移的门限值。目前较为简单的做法是将Block Read与Page Read的权重看的一样，1:1换算，即：比如一个Block中有1000个Page，则1000次Page Read转换为1次Block Read，这种计算方式可以大约估算出Block Read的次数，但是结果不是很准确。由上可见，在读取系数计算的过程中，如何精确得到不同先决条件下的Block的块读取与页读取的之间换算关系，减小HardDecode（硬解码）失败的概率以及不必要的搬移，提高SSD盘性能是本领域有待解决的问题。
参见图1所示，本发明实施例公开了一种读取系数计算方法，具体可以包括：
步骤S11：获取预设的第一读取次数，并按照所述第一读取次数对第一组数据进行块读取，以绘制出第一电压图，基于所述第一读取次数计算出页读取起始点和计算精度，基于所述第一读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第二电压图，从所述第一电压图和所述第二电压图中确定出第一电压值和第二电压值的位置关系。
本实施例中，在获取预设的第一读取次数之前，还包括：按照预设电压图绘制规则，绘制出所述第一组数据和所述第二组数据的初始第一电压图和初始第二电压图；判断初始第一电压图和初始第二电压图之间差异是否符合预设差异范围若初始第一电压图和初始第二电压图之间差异符合预设差异范围，则利用所述第一组数据和所述第二组数据述进行读取系数计算。
可以理解的是，在进行读取系数计算之前，先确定出两组数据，确定数据的具体过程如下：例如，第一组数据A和第二组数据B均采集一次先决条件下的阈值电压分布情况，以确定初始测试状态相近，保证测试结果的准确性，然后采集数据时，偏移电压轴的范围在Default Read的基础上以2为步长，进行正负32偏移，然后将采集的读电压±32的数据进行整合、画图，分别得到两组初始阈值电压分布图，图A和图B，并且图A和图B应当形态类似并且各个轴最优读电压相近，如果两个图差异较大，说明选取的数据组不合适，需要重新选择测试。
本实施例中，绘制电压分布图的具体过程如下：考虑到实际使用情况，本发明从P/E Cycle（Program/Erase Cycle，P/E编程擦写）、Retention（数据）、Block Read（块读取）维度进行测试；
即先使Precondition（先决条件）到预定条件，比如想要测试P/E Cycle为2000，Retention 1个月时的Block Read与Page Read换算关系，则先将待测Block P/E磨损到2000，写入随机数据，Retention到1个月，然后开始测试，本发明的主要测试方法是，使用Nand（计算机闪存设备）厂家提供的read retry（纠错编制）功能来进行：可以通过setfeature指令（芯片自带的指令）来手动设置Nand的读电压，来获取不同读电压下的Cell状态，将不同读电压下的Cell状态整合，可以得到Nand的阈值电压分布，通过阈值电压分布图可以确定此条件下Err Bit最少的位置，即最优读电压。本发明通过最优读电压的位置来确定Block Read与Page Read换算关系。3D TLC Nand（Trinary-Level Cell，三层式储存）由于每个Cell（单元）需要存储3Bit数据，即有8中状态需要保存，所以有7个电压轴（v1……v7）来区分每种状态，SLC则相对简单，每个Cell只需要保存1Bit数据，所以只有一个电压轴就可以，如图2所示。
本实施例中，对第一组数据A进行块读取并绘制出第一电压图后，确定出所述块读取和所述页读取之间的换算关系系数，并确定出所述第一组数据中的数据个数，然后计算出所述换算关系系数、所述数据个数以及所述第一读取次数的乘积作为页读取起始点，计算出预设计算精度参数和所述数据个数之间的乘积作为计算精度，对第二组数据B进行页读取并绘制出第二电压图之后，从所述第一电压图中确定出各最优电压值，并随机选取一个所述最优电压值作为第一电压值，同理确定出第二电压值，然后确定出所述第一电压值和所述第二电压值的位置关系。
可以理解的是，A作为对照组，按照厂家给出的可靠性参数M，进行块读取M次，然后按照上述绘制电压分布图的步骤，每个电压轴以2为步长，进行正负32偏移，采集此时的阈值电压分布情况为初始第一电压图，并确定每个轴的最优读电压值（n=1…7）。B作为测试组，采集不同页读取次数为Rn下的阈值电压分布并得到最优电压轴情况，首先确定测试块读取的数值范围，根据以往经验，块读取与页读取换算关系系数一般在1左右，假定第一组数据中数据的个数为M，为了数据的全面性，将页读取起始点记为/>；然后确定测试步长，即测试精度，为了兼顾效率与准确度，这里选择测试精度为/>（可以根据实际需要加大或减小步长），然后在第二组数据中随机选择一些数据，对这些数据进行页读取共/>次，然后按照上述步骤，每个电压轴以2为步长，进行正负32偏移，采集此时的阈值电压分布情况初始第二电压图，并确定每个轴的最优读电压值（n=1…7）。然后将最优读电压/>与进行比较，对于TLC来说有7个电压轴，可以选择其中一个来进行，比如选择V4：由于此时页读取Page Read只进行了PRstart次，所以与/>有一个明确的位置关系（按照Nand原理，/>会在/>左边），此步骤为确定两种测试的最优读电压的起始位置关系P。
步骤S12：判断所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系没有发生改变，则基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第二读取次数，并基于所述第二读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第三电压图，从所述第一电压图和所述第三电压图中确定出所述第一电压值和第三电压值的位置关系。
本实施例中，若所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系没有发生改变，也就是在/>左边，则在第二组数据中再随机选择一些数据，对这些数据进行页读取共PRstep次，此时累计的，然后按照上述步骤，每个电压轴以2为步长，进行正负32偏移，采集此时的阈值电压分布情况/>，并确定每个轴的最优读电压/>值（n=1…7）。
步骤S13：判断所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系发生改变，则基于所述第一电压值、所述第二电压值、所述第三电压值以及所述计算精度计算出页读取次数，以便基于所述页读取次数、所述第一电压值以及所述第一读取次数计算出所述块读取和所述页读取之间的系数。
本实施例中，将最优读电压与进行比较，对于TLC来说有7个电压轴，可以选择其中一个来进行，比如选择V4：查看此时/>与/>的位置关系是否已经发生改变，即/>在/>右边，如果位置关系没有改变，则循环执行S12中详细的步骤，直到位置关系改变，如图3为与/>的位置关系P，图4为逐渐靠近/>。然后基于所述第一电压值、所述第二电压值、所述第三电压值以及所述计算精度计算出页读取次数，以便基于所述页读取次数、所述第一电压值以及所述第一读取次数计算出所述块读取和所述页读取之间的系数。
本实施例中，获取预设的第一读取次数，并按照所述第一读取次数对第一组数据进行块读取，以绘制出第一电压图，基于所述第一读取次数计算出页读取起始点和计算精度，基于所述第一读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第二电压图，从所述第一电压图和所述第二电压图中确定出第一电压值和第二电压值的位置关系；判断所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系没有发生改变，则基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第二读取次数，并基于所述第二读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第三电压图，从所述第一电压图和所述第三电压图中确定出所述第一电压值和第三电压值的位置关系；判断所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系发生改变，则基于所述第一电压值、所述第二电压值、所述第三电压值以及所述计算精度计算出页读取次数，以便基于所述页读取次数、所述第一电压值以及所述第一读取次数计算出所述块读取和所述页读取之间的系数。本申请利用两组数据进行块读取和页读取操作，并将块读取与页读取的之间换算关系等效为电压之间的关系，从而精确得到不同先决条件下的Block的块读取与页读取的之间换算关系，减小Hard Decode（硬解码）失败的概率以及不必要的搬移，提高SSD盘性能。
参见图5所示，本发明实施例公开了一种读取系数计算方法，具体可以包括：
步骤S21：获取预设的第一读取次数，并按照所述第一读取次数对第一组数据进行块读取，以绘制出第一电压图，基于所述第一读取次数计算出页读取起始点和计算精度，基于所述第一读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第二电压图，从所述第一电压图和所述第二电压图中确定出第一电压值和第二电压值的位置关系。
步骤S22：判断所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系没有发生改变，则基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第二读取次数，并基于所述第二读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第三电压图，从所述第一电压图和所述第三电压图中确定出所述第一电压值和第三电压值的位置关系。
步骤S23：判断所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系发生改变，则计算出所述第一电压值与所述第二电压值之间的第一差值，并计算出所述第三电压值与所述第二电压值之间的第二差值，计算出所述第一差值与所述第二差值之间的比值，然后与所述计算精度相乘，以得到等效改变次数，并基于所述等效改变次数计算出页读取次数，以便基于所述页读取次数、所述第一电压值以及所述第一读取次数计算出所述块读取和所述页读取之间的系数。
本实施例中，得到等效改变次数之后，基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第三读取次数，计算出所述第三次读取次数与所述第二读取次数之间的差值，然后与所述等效改变次数相加，以得到页读取次数，然后计算出所述页读取次数与所述第一读取次数之间的比值，以得到所述块读取和所述页读取之间的系数。
可以理解的是，若所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系发生改变之后，由于最后一次增加PRstep次之后，此时PRnum次Page Read的影响已经大于M次BlockRead，需要PRnum减掉一定次数Page Read才能和M次Block Read等效。又由于PRstep选的比较小，所以在每一次步进读中Page Read的次数与产生的电压轴偏移可以简单的按照线性关系来处理，这里仍以V4电压轴为例：即最后PRstep次Page Read造成的最优电压轴偏移量为；
然而到/>的差值为
；
所以在基础上要到达，需要增加的Page Read次数为：
所以为了等效M次Block Read，需要执行的Page Read次数为：
然后计算出当前Precondition下Block Read与Page Read的换算系数：
本实施例中，获取预设的第一读取次数，并按照所述第一读取次数对第一组数据进行块读取，以绘制出第一电压图，基于所述第一读取次数计算出页读取起始点和计算精度，基于所述第一读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第二电压图，从所述第一电压图和所述第二电压图中确定出第一电压值和第二电压值的位置关系；判断所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系没有发生改变，则基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第二读取次数，并基于所述第二读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第三电压图，从所述第一电压图和所述第三电压图中确定出所述第一电压值和第三电压值的位置关系；判断所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系发生改变，则基于所述第一电压值、所述第二电压值、所述第三电压值以及所述计算精度计算出页读取次数，以便基于所述页读取次数、所述第一电压值以及所述第一读取次数计算出所述块读取和所述页读取之间的系数。本申请利用两组数据进行块读取和页读取操作，并将块读取与页读取的之间换算关系等效为电压之间的关系，从而精确得到不同先决条件下的Block的块读取与页读取的之间换算关系，减小Hard Decode（硬解码）失败的概率以及不必要的搬移，提高SSD盘性能。
参见图6所示，本发明实施例公开了一种读取系数计算装置，具体可以包括：
电压图绘制模块11，用于获取预设的第一读取次数，并按照所述第一读取次数对第一组数据进行块读取，以绘制出第一电压图，基于所述第一读取次数计算出页读取起始点和计算精度，基于所述第一读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第二电压图，从所述第一电压图和所述第二电压图中确定出第一电压值和第二电压值的位置关系；
第一判断模块12，用于判断所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系没有发生改变，则基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第二读取次数，并基于所述第二读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第三电压图，从所述第一电压图和所述第三电压图中确定出所述第一电压值和第三电压值的位置关系；
第二判断模块13，用于判断所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系发生改变，则基于所述第一电压值、所述第二电压值、所述第三电压值以及所述计算精度计算出页读取次数，以便基于所述页读取次数、所述第一电压值以及所述第一读取次数计算出所述块读取和所述页读取之间的系数。
本实施例中，获取预设的第一读取次数，并按照所述第一读取次数对第一组数据进行块读取，以绘制出第一电压图，基于所述第一读取次数计算出页读取起始点和计算精度，基于所述第一读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第二电压图，从所述第一电压图和所述第二电压图中确定出第一电压值和第二电压值的位置关系；判断所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系没有发生改变，则基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第二读取次数，并基于所述第二读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第三电压图，从所述第一电压图和所述第三电压图中确定出所述第一电压值和第三电压值的位置关系；判断所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系发生改变，则基于所述第一电压值、所述第二电压值、所述第三电压值以及所述计算精度计算出页读取次数，以便基于所述页读取次数、所述第一电压值以及所述第一读取次数计算出所述块读取和所述页读取之间的系数。本申请利用两组数据进行块读取和页读取操作，并将块读取与页读取的之间换算关系等效为电压之间的关系，从而精确得到不同先决条件下的Block的块读取与页读取的之间换算关系，减小Hard Decode（硬解码）失败的概率以及不必要的搬移，提高SSD盘性能。
在一些具体实施例中，所述电压图绘制模块11，具体可以包括：
电压图绘制模块，用于按照预设电压图绘制规则，绘制出所述第一组数据和所述第二组数据的初始第一电压图和初始第二电压图；
数据确定模块，用于判断初始第一电压图和初始第二电压图之间差异是否符合预设差异范围若初始第一电压图和初始第二电压图之间差异符合预设差异范围，则利用所述第一组数据和所述第二组数据述进行读取系数计算。
在一些具体实施例中，所述电压图绘制模块11，具体可以包括：
数据个数确定模块，用于确定出所述块读取和所述页读取之间的换算关系系数，并确定出所述第一组数据中的数据个数；
计算模块，用于计算出所述换算关系系数、所述数据个数以及所述第一读取次数的乘积作为页读取起始点，计算出预设计算精度参数和所述数据个数之间的乘积作为计算精度。
在一些具体实施例中，所述电压图绘制模块11，具体可以包括：
电压值确定模块，用于从所述第一电压图中确定出各最优电压值，并随机选取一个所述最优电压值作为第一电压值，同理确定出第二电压值；
位置关系确定模块，用于确定出所述第一电压值和所述第二电压值的位置关系。
在一些具体实施例中，所述第二判断模块13，具体可以包括：
第二差值确定模块，用于计算出所述第一电压值与所述第二电压值之间的第一差值，并计算出所述第三电压值与所述第二电压值之间的第二差值；
页读取次数计算模块，用于计算出所述第一差值与所述第二差值之间的比值，然后与所述计算精度相乘，以得到等效改变次数，并基于所述等效改变次数计算出页读取次数。
在一些具体实施例中，所述第二判断模块13，具体可以包括：
第三读取次数确定模块，用于基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第三读取次数；
页读取次数确定模块，用于计算出所述第三次读取次数与所述第二读取次数之间的差值，然后与所述等效改变次数相加，以得到页读取次数。
在一些具体实施例中，所述第二判断模块13，具体可以包括：
系数计算模块，用于计算出所述页读取次数与所述第一读取次数之间的比值，以得到所述块读取和所述页读取之间的系数。
图7为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。该电子设备20，具体可以包括：至少一个处理器21、至少一个存储器22、电源23、通信接口24、输入输出接口25和通信总线26。其中，所述存储器22用于存储计算机程序，所述计算机程序由所述处理器21加载并执行，以实现前述任一实施例公开的由电子设备执行的读取系数计算方法中的相关步骤。
本实施例中，电源23用于为电子设备20上的各硬件设备提供工作电压；通信接口24能够为电子设备20创建与外界设备之间的数据传输通道，其所遵循的通信协议是能够适用于本申请技术方案的任意通信协议，在此不对其进行具体限定；输入输出接口25，用于获取外界输入数据或向外界输出数据，其具体的接口类型可以根据具体应用需要进行选取，在此不进行具体限定。
另外，存储器22作为资源存储的载体，可以是只读存储器、随机存储器、磁盘或者光盘等，其上所存储的资源包括操作系统221、计算机程序222及数据223等，存储方式可以是短暂存储或者永久存储。
其中，操作系统221用于管理与控制电子设备20上的各硬件设备以及计算机程序222，以实现处理器21对存储器22中数据223的运算与处理，其可以是Windows、Unix、Linux等。计算机程序222除了包括能够用于完成前述任一实施例公开的由电子设备20执行的读取系数计算方法的计算机程序之外，还可以进一步包括能够用于完成其他特定工作的计算机程序。数据223除了可以包括读取系数计算设备接收到的由外部设备传输进来的数据，也可以包括由自身输入输出接口25采集到的数据等。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器（RAM）、内存、只读存储器（ROM）、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
进一步的，本申请实施例还公开了一种计算机可读存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器加载并执行时，实现前述任一实施例公开的读取系数计算方法步骤。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种读取系数计算方法、装置、设备及存储介质进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种读取系数计算方法，其特征在于，包括：
获取预设的第一读取次数，并按照所述第一读取次数对第一组数据进行块读取，以绘制出第一电压图，基于所述第一读取次数计算出页读取起始点和计算精度，基于所述第一读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第二电压图，从所述第一电压图和所述第二电压图中确定出第一电压值和第二电压值的位置关系；
判断所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系没有发生改变，则基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第二读取次数，并基于所述第二读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第三电压图，从所述第一电压图和所述第三电压图中确定出所述第一电压值和第三电压值的位置关系；
判断所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系发生改变，则基于所述第一电压值、所述第二电压值、所述第三电压值以及所述计算精度计算出页读取次数，以便基于所述页读取次数、所述第一电压值以及所述第一读取次数计算出所述块读取和所述页读取之间的系数。
2.根据权利要求1所述的读取系数计算方法，其特征在于，所述获取预设的第一读取次数之前，还包括：
按照预设电压图绘制规则，绘制出所述第一组数据和所述第二组数据的初始第一电压图和初始第二电压图；
判断初始第一电压图和初始第二电压图之间差异是否符合预设差异范围若初始第一电压图和初始第二电压图之间差异符合预设差异范围，则利用所述第一组数据和所述第二组数据述进行读取系数计算。
3.根据权利要求1所述的读取系数计算方法，其特征在于，所述基于所述第一读取次数计算出页读取起始点和计算精度，包括：
确定出所述块读取和所述页读取之间的换算关系系数，并确定出所述第一组数据中的数据个数；
计算出所述换算关系系数、所述数据个数以及所述第一读取次数的乘积作为页读取起始点，计算出预设计算精度参数和所述数据个数之间的乘积作为计算精度。
4.根据权利要求1所述的读取系数计算方法，其特征在于，所述从所述第一电压图和所述第二电压图中确定出第一电压值和第二电压值的位置关系，包括：
从所述第一电压图中确定出各最优电压值，并随机选取一个所述最优电压值作为第一电压值，同理确定出第二电压值；
确定出所述第一电压值和所述第二电压值的位置关系。
5.根据权利要求1所述的读取系数计算方法，其特征在于，所述基于所述第一电压值、所述第二电压值、所述第三电压值以及所述计算精度计算出页读取次数，包括：
计算出所述第一电压值与所述第二电压值之间的第一差值，并计算出所述第三电压值与所述第二电压值之间的第二差值；
计算出所述第一差值与所述第二差值之间的比值，然后与所述计算精度相乘，以得到等效改变次数，并基于所述等效改变次数计算出页读取次数。
6.根据权利要求5所述的读取系数计算方法，其特征在于，所述基于所述等效改变次数计算出页读取次数，包括：
基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第三读取次数；
计算出所述第三读取次数与所述第二读取次数之间的差值，然后与所述等效改变次数相加，以得到页读取次数。
7.根据权利要求5至6任一项所述的读取系数计算方法，其特征在于，所述基于所述页读取次数、所述第一电压值以及所述第一读取次数计算出所述块读取和所述页读取之间的系数，包括：
计算出所述页读取次数与所述第一读取次数之间的比值，以得到所述块读取和所述页读取之间的系数。
8.一种读取系数计算装置，其特征在于，包括：
电压图绘制模块，用于获取预设的第一读取次数，并按照所述第一读取次数对第一组数据进行块读取，以绘制出第一电压图，基于所述第一读取次数计算出页读取起始点和计算精度，基于所述第一读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第二电压图，从所述第一电压图和所述第二电压图中确定出第一电压值和第二电压值的位置关系；
第一判断模块，用于判断所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第二电压值之间的位置关系没有发生改变，则基于所述页读取起始点和所述计算精度确定出第二读取次数，并基于所述第二读取次数对第二组数据进行页读取，以绘制出第三电压图，从所述第一电压图和所述第三电压图中确定出所述第一电压值和第三电压值的位置关系；
第二判断模块，用于判断所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系是否发生改变，若所述第一电压值与所述第三电压值之间的位置关系发生改变，则基于所述第一电压值、所述第二电压值、所述第三电压值以及所述计算精度计算出页读取次数，以便基于所述页读取次数、所述第一电压值以及所述第一读取次数计算出所述块读取和所述页读取之间的系数。
9.一种电子设备，其特征在于，包括：
存储器，用于保存计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序，以实现如权利要求1至7任一项所述的读取系数计算方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，用于保存计算机程序；其中，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的读取系数计算方法。
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Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| CN110673788A (zh) * | 2019-09-05 | 2020-01-10 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 固态硬盘的数据读取方法、装置、设备及可读存储介质 |
| CN112069004A (zh) * | 2020-08-21 | 2020-12-11 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种闪存芯片中块读取与页读取换算关系测试方法及系统 |
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