CN115092971B - 一种高纯硫酸钴晶体的生产工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种高纯硫酸钴晶体的生产工艺,包括以下步骤:氧化铜钴粉碎、两段浸出、沉淀法除铁、萃取深度除铁、P204萃杂和P507萃钴、蒸发结晶和焙烧脱水;其焙烧包括以下工艺,具体步骤如下:首先将硫酸钴物料放入到焙烧管内,然后将焙烧管安装在套管内;控制丝杆转动,使得套管沿着丝杆向下移动,从而带动焙烧管向下移动,当连接轴上的第一齿轮移动到第二齿轮位置处,并与第二齿轮啮合连接,停止丝杆旋转工作;启动驱动电机工作,带动第二齿轮转动,第二齿轮通过啮合作用带动第一齿轮转动,从而使得焙烧管进行旋转,通过加热器对焙烧管进行焙烧,本发明实现对硫酸钴均匀焙烧,从而提高硫酸钴晶体生产的效率。

Description

一种高纯硫酸钴晶体的生产工艺
技术领域
本发明涉及硫酸钴晶体生产技术领域,具体涉及一种高纯硫酸钴晶体的生产工艺。
背景技术
中国专利CN109518005B公开一种电池级硫酸钴晶体的生产方法,步骤如下:(1)预处理:将含钴原料破碎、球磨后形成矿浆;(2)两段浸出:在矿浆中加入酸和还原剂进行两段浸出;(3)沉淀法除铁:在一段浸出液中添加氧化剂和中和剂,控制一定的温度和pH值形成铁渣,除去一段浸出液中的Fe;(4)萃取深度除铁:采用萃取法除去除铁后液中少量的Fe,达到深度除Fe的目的;(5)P204萃杂和P507萃钴;(6)蒸发结晶和焙烧脱水得到CoSO4·xH2O晶体;
现有技术中,焙烧工艺通常是采用马弗炉直接焙烧,该操作过程中,存在焙烧效率比较差,以及在存取料会不太方便,容易互相烧伤的问题。
发明内容
本发明的目的就在于解决上述背景技术的问题,而提出一种高纯硫酸钴晶体的生产工艺。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种高纯硫酸钴晶体的生产工艺,包括以下步骤:氧化铜钴粉碎、两段浸出、沉淀法除铁、萃取深度除铁、P204萃杂和P507萃钴、蒸发结晶和焙烧脱水;
其焙烧包括以下工艺,具体步骤如下:
步骤1:首先将硫酸钴物料放入到焙烧管内,然后将焙烧管安装在套管内;
步骤2:控制丝杆转动,使得套管沿着丝杆向下移动,从而带动焙烧管向下移动,当连接轴上的第一齿轮移动到第二齿轮位置处,并与第二齿轮啮合连接,停止丝杆旋转工作;
步骤3:启动驱动电机工作,带动第二齿轮转动,第二齿轮通过啮合作用带动第一齿轮转动,从而使得焙烧管进行旋转,通过加热器对焙烧管进行焙烧。
作为本发明进一步的方案:焙烧温度为150-180℃。
作为本发明进一步的方案:焙烧时间2-3h。
作为本发明进一步的方案:在步骤中,丝杆转动的同时活动轴将带动侧门沿着箱体进行转动,并使得侧门关闭。
作为本发明进一步的方案:在步骤中,当焙烧结束后,控制丝杆反转,并使得焙烧管向上移动,同时通过活动轴将侧门向外翻转,并将取料口打开。
作为本发明进一步的方案:焙烧管水平放置。
作为本发明进一步的方案:箱体的侧壁上设置有取料口,取料口位于箱体的顶面两侧,在取料口的位置处活动安装有侧门。
本发明的有益效果:
该焙烧装置可以对焙烧管内的硫酸钴物料进行均匀焙烧,同时,也将控制侧门的翻转,焙烧时,取料口自动关闭,焙烧结束后,取料口自动打开,方便将焙烧后的硫酸钴晶体取出来;通过在焙烧管内设置导热块可以快速的将热量传递到壳体内,从而对硫酸钴物料进行焙烧,同时,凸部和凹部组成的导热块,增大硫酸钴物料的受热面积,且弧形结构,使得硫酸钴物料更加分散在焙烧管内,避免出现像圆筒结构的焙烧管,其硫酸钴物料会聚集在内管体底面的问题。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1是本发明的流程框图;
图2是本发明箱体的结构示意图;
图3是本发明焙烧装置的结构示意图;
图4是本发明管体控制件的结构示意图;
图5是本发明焙烧管的结构示意图。
图中:1、底座;2、箱体;3、侧门;4、箱盖;5、驱动电机;6、加热器;7、焙烧管;8、丝杆;9、套管;10、活动轴;11、连接轴;12、第一齿轮;13、第二齿轮;14、壳体;15、导热块;16、凸部;17、凹部。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1所示,本发明为一种高纯硫酸钴晶体的生产工艺,包括以下步骤:氧化铜钴粉碎、两段浸出、沉淀法除铁、萃取深度除铁、P204萃杂和P507萃钴、蒸发结晶和焙烧脱水;
其焙烧包括以下工艺,具体步骤如下:
步骤1:首先将硫酸钴物料放入到焙烧管7内,然后将焙烧管7安装在套管9内;
步骤2:控制丝杆8转动,使得套管9沿着丝杆8向下移动,从而带动焙烧管7向下移动,当连接轴11上的第一齿轮12移动到第二齿轮13位置处,并与第二齿轮13啮合连接,停止丝杆8旋转工作;同时,活动轴10将带动侧门3沿着箱体2进行转动,并使得侧门3关闭;
步骤3:启动驱动电机5工作,带动第二齿轮13转动,第二齿轮13通过啮合作用带动第一齿轮12转动,从而使得焙烧管7进行旋转,通过加热器6对焙烧管7进行焙烧,其焙烧温度为150-180℃,焙烧时间2-3h;当焙烧结束后,控制丝杆8反转,并使得焙烧管7向上移动,同时通过活动轴10将侧门3向外翻转,并将取料口打开。
请参阅图2-5所示,底座1的顶面上设置有箱体2,箱体2内设置有焙烧装置,该焙烧装置包括加热器6、焙烧管7和管体控制件,焙烧管7水平放置,管体控制件用于驱动焙烧管7沿着竖直方向进行移动和旋转,箱体2的底面内壁上设置有加热器6,该加热器6用于对焙烧管7进行加热;箱体2的顶面设置有箱盖4,箱体2的侧壁上设置有取料口,取料口位于箱体2的顶面两侧,在取料口的位置处活动安装有侧门3,侧门3与箱体2的连接处设置有密封垫,通过设置的密封垫保证箱体2的密封性能,避免焙烧时热量外溢;
管体控制件包括驱动电机5、丝杆8、套管9、活动轴10、连接轴11、第一齿轮12、第二齿轮13,连接轴11分别安装在焙烧管7的两侧,在连接轴11远离焙烧管7的一端与套管9转动连接,套管9螺纹套设在丝杆8上,丝杆8竖直安装在箱体2内腔的两侧,在一个连接轴11上套设有第一齿轮12,第一齿轮12与第二齿轮13啮合连接,第二齿轮13与驱动电机5的输出端连接,驱动电机5安装在箱体2的外壁上,
其中,第二齿轮13与第一齿轮12不处于同一竖直面上,第二齿轮13的设置使其与丝杆8错位;驱动电机5位于箱体2的外部,其使得避免驱动电机在高温环境下进行工作;关于丝杆8的转动可通过手动把手或旋转电机进行控制,其手动把手或旋转电机可设置在箱体2的顶面上;
套管9的前后两侧分别活动连接有活动轴10,活动轴10远离套管9的一端与侧门3的内壁活动连接;
工作时,首先将硫酸钴物料放入到焙烧管7内,然后将焙烧管7安装在套管9内;接着控制丝杆8转动,使得套管9沿着丝杆8向下移动,从而带动焙烧管7向下移动,当连接轴11上的第一齿轮12移动到第二齿轮13位置处,并与第二齿轮13啮合连接,停止丝杆8旋转工作;同时,活动轴10将带动侧门3沿着箱体2进行转动,并使得侧门3关闭;然后,启动驱动电机5工作,带动第二齿轮13转动,第二齿轮13通过啮合作用带动第一齿轮12转动,从而使得焙烧管7进行旋转,通过加热器6对焙烧管7进行焙烧,其焙烧温度为150-180℃;当焙烧结束后,控制丝杆8反转,并使得焙烧管7向上移动,同时通过活动轴10将侧门3向外翻转,并将取料口打开;所以,该焙烧装置可以对焙烧管7内的硫酸钴物料进行均匀焙烧,同时,也将控制侧门3的翻转,焙烧时,取料口自动关闭,焙烧结束后,取料口自动打开,方便将焙烧后的硫酸钴晶体取出来;
焙烧管7包括壳体14、导热块15,壳体14为方形管结构,在壳体14的内壁上设置有导热块15,导热块15包括凸部16和凹部17,凸部16和凹部17均为弧面结构,凸部16和凹部17相切,通过设置有导热块15可以快速的将热量传递到壳体14内,从而对硫酸钴物料进行焙烧,同时,凸部16和凹部17组成的导热块15,增大硫酸钴物料的受热面积,且弧形结构,使得硫酸钴物料更加分散在焙烧管7内,避免出现像圆筒结构的焙烧管7,其硫酸钴物料会聚集在内管体底面的问题。
本发明的工作原理:该焙烧装置可以对焙烧管7内的硫酸钴物料进行均匀焙烧,同时,也将控制侧门3的翻转,焙烧时,取料口自动关闭,焙烧结束后,取料口自动打开,方便将焙烧后的硫酸钴晶体取出来;通过在焙烧管7内设置导热块15可以快速的将热量传递到壳体14内,从而对硫酸钴物料进行焙烧,同时,凸部16和凹部17组成的导热块15,增大硫酸钴物料的受热面积,且弧形结构,使得硫酸钴物料更加分散在焙烧管7内,避免出现像圆筒结构的焙烧管7,其硫酸钴物料会聚集在内管体底面的问题。
以上对本发明的一个实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。

Claims (3)

1.一种高纯硫酸钴晶体的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:氧化铜钴粉碎、两段浸出、沉淀法除铁、萃取深度除铁、P204萃杂和P507萃钴、蒸发结晶和焙烧脱水;
其焙烧包括以下工艺,具体步骤如下:
步骤1:首先将硫酸钴物料放入到焙烧管(7)内,然后将焙烧管(7)安装在套管(9)内;
步骤2:控制丝杆(8)转动,使得套管(9)沿着丝杆(8)向下移动,从而带动焙烧管(7)向下移动,当连接轴(11)上的第一齿轮(12)移动到第二齿轮(13)位置处,并与第二齿轮(13)啮合连接,停止丝杆(8)旋转工作;
步骤3:启动驱动电机(5)工作,带动第二齿轮(13)转动,第二齿轮(13)通过啮合作用带动第一齿轮(12)转动,从而使得焙烧管(7)进行旋转,通过加热器(6)对焙烧管(7)进行焙烧;
在步骤2中,丝杆(8)转动的同时活动轴(10)将带动侧门(3)沿着箱体(2)进行转动,并使得侧门(3)关闭;
在步骤3中,当焙烧结束后,控制丝杆(8)反转,并使得焙烧管(7)向上移动,同时通过活动轴(10)将侧门(3)向外翻转,并将取料口打开;
焙烧管(7)水平放置;
箱体(2)的侧壁上设置有取料口,取料口位于箱体(2)的顶面两侧,在取料口的位置处活动安装有侧门(3)。
2.根据权利要求1所述的一种高纯硫酸钴晶体的生产工艺,其特征在于,焙烧温度为150-180℃。
3.根据权利要求1所述的一种高纯硫酸钴晶体的生产工艺,其特征在于,焙烧时间2-3h。
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