CN115086857A - 发声装置的振膜及其制备方法、发声装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种发声装置的振膜及其制备方法、发声装置，该振膜包括有机硅类高聚物膜层，所述有机硅类高聚物膜层包含两个及以上力学损耗峰，其中至少一个力学损耗峰的峰值的温度在‑50℃～20℃之间，且所述力学损耗峰的峰高大于0.13。本申请的振膜能够使高、低温条件下的振膜的阻尼都处于较高的水平，进而使振膜的阻尼有一个很大的提升，能够减少振动过程中的偏振，降低产品失真，提升听音良率。

Description

发声装置的振膜及其制备方法、发声装置

技术领域

本申请涉及电声技术领域，更具体地，涉及一种发声装置的振膜及其制备方法、以及使用该振膜的发声装置。

背景技术

目前，微型发声装置的振膜多采用多层复合材料和硅氧烷类弹性体材料。其中，多层复合材料大多由耐温性较好，但材料回弹性较差的PEEK、PAR等工程塑料或耐高温性较差TPU、TPEE等弹性体材料搭配中间层使用。硅氧烷类弹性体材料多采用单层的结构，其相对于工程塑料和热塑性弹性体材料具有优异的热稳定性和高回弹性，但硅氧烷类弹性体的玻璃化转变温度＜-100℃，且结构柔顺性好，链段间的摩擦阻力小，所以其在-100℃～200℃时阻尼变化都比较平稳，阻尼较小，失真较高，不能满足当前扬声器高品质音质的要求(扬声器使用温度约-30℃～140℃)。而且硅氧烷类弹性体表面的活性基团较少，影响其粘接性。

因此，需要研究一种新的技术方案以满足振膜对于高、低温条件下整体的阻尼都处于较高的水平以及粘接力较高的目的。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种发声装置的振膜，能够解决现有技术的振膜在高温区域阻尼性较低以及粘接性不足的技术问题。

本发明的另一目的在于提供上述振膜的制备方法。

本发明的再一个目的在于提供上述振膜组成的发声装置。

为了实现以上目的，本发明提供了以下技术方案。

根据本发明第一方面实施例的发声装置的振膜，所述振膜包括有机硅类高聚物膜层，所述有机硅类高聚物膜层包含两个及以上力学损耗峰，其中至少一个力学损耗峰的峰值的温度在-50℃～20℃之间，且所述力学损耗峰的峰高大于0.13。

根据本发明的一些实施例，所述有机硅类高聚物由结构单元一和结构单元二组成，

其中，所述结构单元一为

所述结构单元二为

中的至少一种，所述结构单元一中的R、R₁、R₂为选自甲基、乙烯基、苯基和三氟丙基中的任意一种，所述结构单元二中的R₃为氢基或甲基，m和n为≥1的整数。

根据本发明的一些实施例，在所述有机硅类高聚物中，所述结构单元二的质量百分比为2％～50％。

根据本发明的一些实施例，所述振膜与标准胶带在剥离角度为180°时剥离测试的粘接力为100g/25mm～1000g/25mm。

根据本发明的一些实施例，所述振膜的杨氏模量为1MPa～50MPa。

根据本发明的一些实施例，所述振膜的厚度为50μm～300μm。

根据本发明第二方面实施例的发声装置的振膜的制备方法，包括以下步骤：将硅橡胶与含酯基橡胶进行混合，添加硫化剂、相容剂、及助剂，混合得到混合物料；将所述混合物料高温交联成型，得到有机硅类高聚物膜层。

根据本发明的一些实施例，所述含酯基橡胶为聚氨酯橡胶、丙烯酸酯橡胶、乙烯丙烯酸酯中的至少一种。

根据本发明的一些实施例，所述硫化剂为过氧化物。

根据本发明的一些实施例，所述相容剂为硅烷偶联剂、有机硅改性聚氨酯、马来酸酐接枝聚合物、聚硅氧烷接枝聚合物中的一种或多种。

根据本发明第三方面实施例的发声装置，包括振动系统以及与所述振动系统相配合的磁路系统，所述振动系统包括振膜和结合在所述振膜一侧的音圈，所述磁路系统驱动所述音圈振动以带动所述振膜发声，所述振膜为根据本发明上述实施例的所述振膜。

根据本发明第四方面实施例的发声装置，包括壳体以及设在所述壳体内的磁路系统和振动系统，所述振动系统包括音圈、第一振膜和第二振膜，所述音圈的顶部与所述第一振膜相连，所述磁路系统驱动所述音圈振动以带动所述第一振膜发声，所述第二振膜的两端分别与所述壳体和所述音圈的底部相连，所述第二振膜为根据本发明上述实施例的所述振膜。

根据本申请实施例的发声装置的振膜通过采用包含两个及以上的力学损耗峰，至少一个力学损耗峰的峰值的温度在-50℃～20℃之间，且该温度区间内的力学损耗峰的峰高大于0.13的有机硅类高聚物膜层，能够使高、低温条件下的振膜的阻尼都处于较高的水平，进而使振膜的阻尼有一个很大的提升，能够减少振动过程中的偏振，降低产品失真，提升听音良率。

通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本申请的实施例，并且连同其说明一起用于解释本申请的原理。

图1为根据本发明的实施例2的有机硅高聚物的动态热机械分析测试图；

图2为根据本发明的对比样品、实施例1至实施例3的有机硅高聚物的动态热机械分析测试图；

图3为根据本发明的对比样品、实施例2和实施例3的发声装置的THD曲线对比图；

图4为根据本发明的一个实施例的发声装置的结构示意图。

附图标记

扬声器振动单元100；

折环部11；球顶部12。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本申请的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

下面结合附图具体描述根据本发明实施例的发声装置的振膜。

根据本申请实施例的发声装置的振膜，振膜包括有机硅类高聚物膜层，有机硅类高聚物膜层包含两个及以上力学损耗峰，其中至少一个力学损耗峰的峰值的温度在-50℃～20℃之间，且力学损耗峰的峰高大于0.13。

换句话说，扬声器以及扬声器上的振膜的使用温度多为-30℃～140℃，而单组分的有机硅类弹性体的玻璃化转变温度小于-100℃，也就是说，单组分的有机硅类弹性体在-30℃～140℃的温度范围内的阻尼较小，即单组分的有机硅类弹性体的高阻尼值的温度区域较为集中在温度较低的区域。本实施例的振膜包括有机硅类高聚物膜层，有机硅类高聚物膜层包含两个及以上的力学损耗峰，其中至少一个力学损耗峰的峰值的温度在-50℃～20℃之间，且力学损耗峰的峰高大于0.13。可见，本实施例的有机硅类高聚物膜层的高阻尼区域更加靠近扬声器的常用使用温度的区域。此外，由于力学损耗峰的峰高大于0.13，力学损耗峰的峰高即代表材料的阻尼，由此可以表明有机硅类高聚物膜层在-50℃～20℃的温度范围内具有较高的阻尼。

由此，根据本申请实施例的发声装置的振膜通过采用包含两个及以上的力学损耗峰，至少一个力学损耗峰的峰值的温度在-50℃～20℃之间，且该温度区间内的力学损耗峰的峰高大于0.13的有机硅类高聚物膜层，能够使高、低温条件下的振膜的阻尼都处于较高的水平，进而使扬声器在振膜的振动过程中的阻尼有一个很大的提升，能够减少振动过程中的偏振，降低产品失真，提升听音良率。

根据本申请的一个实施例，有机硅类高聚物由结构单元一和结构单元二组成，

其中，结构单元一为

结构单元二为

中的至少一种，结构单元一中的R、R₁、R₂为选自甲基、乙烯基、苯基和三氟丙基中的任意一种，结构单元二中的R₃为氢基或甲基，m和n为≥1的整数。

也就是说，有机硅类高聚物主要由结构单元一和结构单元二组成，其中结构单元一为

结构单元一中的R为甲基、乙烯基、苯基或三氟丙基，R₁为甲基、乙烯基、苯基或三氟丙基，R₂为甲基、乙烯基、苯基或三氟丙基，R、R₁和R₂三者可以采用相同或者不同的基团，在此不作限定。m和n为≥1的整数，m和n可以相同或者不同，在此也不作限定。有机硅类高聚物中的结构单元一的数量可以为多个，在结构单元一的数量为多个时，同一个结构单元一中的R、R₁和R₂可以相同或者不同，不同结构单元一的结构可以相同或者不同。也就是说，有机硅类高聚物中包括至少一个结构单元一，有机硅类高聚物中的R基团包括甲基、乙烯基、苯基和三氟丙基中的至少一个；同样的，有机硅类高聚物中的R₁基团包括甲基、乙烯基、苯基和三氟丙基中的至少一个，有机硅类高聚物中的R₂基团包括甲基、乙烯基、苯基和三氟丙基中的至少一个，在此不作赘述。其中当R、R₁或者R₂中任一一个选择苯基时，由于苯基的引入可以增大分子侧链的体积，增加分子内旋转阻力，因此能够进一步提高阻尼性能。

需要说明的是，结构单元一内含有Si-O键，而硅氧烷类弹性体的表面的活性基团较少，会影响粘结性。而本实施例的有机硅类高聚物内部还含有结构单元二，结构单元二中的酯基可以增加有机硅类高聚物的活性基团，进而提高振膜后续的粘接性。也就是说，通过结构单元二不仅能够实现有机硅类高聚物在高温具有较好的阻尼性，还能够增加粘接性。其中，有机硅类高聚物中的结构单元二包括

中的至少一种，有机硅类高聚物中的结构单元二的数量可以为多个，其中不同结构单元二的结构可以相同或者不同。例如，有机硅类高聚物的结构单元二包括以下几种情况：情况一、有机硅类高聚物中的结构单元二由

组成；情况二、有机硅类高聚物的结构单元二由

组成；情况三、有机硅类高聚物的结构单元二由

共同组成。需要说明的是，上述多个组合仅仅只是对有机硅类高聚物中结构单元二的示意性说明，并不限定网状聚合物仅仅只是可以由上述三种情况组合而成。

在本申请的一些具体实施方式中，在有机硅类高聚物中，结构单元二的质量百分比为2％～50％。例如，结构单元二的质量百分比为2％、5％、10％、20％、30％、40％或50％等。如果结构单元二的质量百分比小于2％，易于导致提升阻尼的效果不明显；如果结构单元二的质量百分比大于50％，易于导致损失一部分的结构单元一的耐高、低温性能的优势。可选地，结构单元二的质量占有机硅类高聚物膜层的质量的百分比为5％～20％，通过采用该范围内的结构单元二的质量百分比，能够使本实施例的有机硅类高聚物膜层易于同时具有提升阻尼效果和耐高、低温性能的优点。

根据本申请的一个实施例，振膜与标准胶带在剥离角度为180°时剥离测试的粘接力为100g/25mm～1000g/25mm。其中，在测试时，采用的标准胶带为日东标准胶带。在粘接力测试，可以按照如下步骤进行：将25mm宽的标准胶带贴在振膜材料上，保证粘接面无气泡和杂质，放置24h后，利用拉力机180°剥离，剥离速率为300mm/min，测试粘接力的大小。由于结构单元二的加入可以增加有机硅类高聚物表面的活性基团，例如增加了酯基等，进而提升其粘接性能，改善扬声器后续振膜与球顶和外壳粘接不良的问题。

在本申请的一些具体实施方式中，振膜的杨氏模量为1MPa～50MPa，例如杨氏模量为1MPa、5MPa、10MPa、20MPa、30MPa、40MPa或50MPa等。在本申请的一些具体实施方式中，振膜的厚度为50μm～300μm，例如厚度为50μm、60μm、70μm、1000μm、150μm、2000μm或300μm等。由于扬声器的谐振频率F0正比于振膜的厚度和模量，当振膜的模量相对较小时，需要的厚度太大会导致振动空间变小；而当振膜模量太大时，需要的厚度相对太小，会导致振膜的刚度不足。

本申请还公开了一种发声装置的振膜的制备方法，包括以下步骤：将硅橡胶与含酯基橡胶进行混合，添加硫化剂、相容剂、及助剂，混合得到混合物料；将混合物料高温交联成型，得到有机硅类高聚物膜层。其中助剂可以包括补强剂、防老剂。其中补强剂可以选用二氧化硅、碳类材料、硅酸盐、碳酸盐等。防老剂可以选用四[β-(3.5-二叔丁基,4-羟基苯基)丙酸]季戊四酯醇抗氧剂、β-(3.5-二叔丁基,4-羟基苯基)丙酸十八碳醇酯、2,6-二叔丁基苯酚等。助剂还可以包括结构控制剂，结构控制剂可以选用二元醇、二有机基环硅醚、烷氧基硅烷、羟基含氟硅油等。

也就是说，本申请还公开了一种发声装置的振膜的制作方法，该制作方法可以如下步骤：将硅橡胶、含酯基橡胶、硫化剂、相容剂及其他助剂，经过混炼，固化成型得到有机硅类高聚物膜层。该有机硅类高聚物膜层由于采用硅橡胶和含酯基橡胶混合，因此该有机硅类高聚物膜层包含两个及以上力学损耗峰。其中至少一个力学损耗峰的峰值的温度可以在-50℃～20℃之间，且该温度范围对应的力学损耗峰的峰高可以大于0.13。通过采用硅橡胶和含酯基橡胶相配合，不仅能够使振膜在高低温区域均具有较好的阻尼性，还能够保证粘接性，提升振膜的装配牢固性能。

根据本申请的一个实施例，含酯基橡胶为聚氨酯橡胶、丙烯酸酯橡胶(ACM)、乙烯丙烯酸酯(AEM)中的至少一种，通过采用以上种类的含酯基橡胶有利于同时具有粘接性和在高低温区域具有高阻尼的优点。换句话说，有机硅类高聚物膜层可以由阻尼改性剂和硅氧烷类弹性体组成，阻尼改性剂选用阻尼性能比较好的橡胶，包括聚氨酯橡胶、乙烯丙烯酸酯橡胶、丙烯酸酯橡胶等中的一种或多种。也就是说，通过硅橡胶和含酯基橡胶共混能够使振膜材料的阻尼可以在较宽的温域内得到有效提升，且表面活性基团增加，进而提升振膜材料的粘接性。

根据本申请的一个实施例，将硅橡胶与含酯基橡胶进行混合并经过处理后，得到有机硅类高聚物膜层，该有机硅类高聚物膜层中含有链段一和链段二，其中链段一为

链段二为

中的至少一种，链段一中的R、R₁、R₂为选自甲基、乙烯基、苯基和三氟丙基中的任意一种，链段二中的R₃为氢基或甲基，m和n为≥1的整数。

根据本申请的一个实施例，硫化剂为过氧化物，硫化剂主要用于硫化含有链段一的主体聚合物，硫化剂可选自2,4-二氯过氧化苯甲酰、过氧化苯甲酰、2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧化己烷、二叔丁基过氧化物以及过氧化二异丙苯中的一种或几种的混合物。而对于其中含有链段二的聚合物而言，其硫化剂可以为过氧化物也可以为其他类型的硫化剂，如氨类、硫磺等。

在本申请的一些具体实施方式中，相容剂为硅烷偶联剂、有机硅改性聚氨酯、马来酸酐接枝聚合物、聚硅氧烷接枝聚合物中的一种或多种。通过添加相容剂可以改善链段一和链段二之间的相分离程度，具体地，可以根据不同的链段二选择不同的相容剂。

本发明还公开了一种发声装置，该发声装置包括振动系统以及与振动系统相配合的磁路系统，振动系统包括振膜和结合在振膜一侧的音圈，磁路系统驱动音圈振动以带动振膜发声，振膜为上述任一实施例的振膜。

本发明还公开了一种发声装置，该发声装置包括壳体以及设在壳体内的磁路系统和振动系统，振动系统包括音圈、第一振膜和第二振膜，音圈的顶部与第一振膜相连，磁路系统驱动音圈振动以带动第一振膜发声，第二振膜的两端分别与壳体和音圈的底部相连，第二振膜为上述任一实施例的振膜。

本发明提供的振膜可组成任意构造的发声装置，例如以下典型的发声装置：包括振动系统和与振动系统相配合的磁路系统，振动系统包括振膜和结合在振膜一侧的音圈。当发声装置工作时，音圈通电后在磁路系统的磁场力的作用下，音圈可以上下振动以带动振膜振动，振膜振动时可以进行发声。

根据本发明另一方面的实施例，发声装置可以包括壳体以及设在壳体内的磁路系统和振动系统，振动系统可以包括音圈、第一振膜和第二振膜，音圈的顶部与第一振膜相连，磁路系统系统驱音圈振动以带动第一振膜发声，第二振膜的两端分别与壳体和音圈的底部相连。其中，第二振膜可以为根据本发明上述实施例中的振膜。

也就是说，第一振膜可以用于振动发声，第二振膜可以用于平衡音圈的振动。具体而言，当发声装置工作时，音圈通电后在磁路系统的磁场力的作用下，音圈可以上下振动以带动第一振膜振动，第一振膜振动时可以进行发声。第二振膜也可以跟随音圈上下振动，由于第二振膜的两端分别与壳体和音圈的底部相连，第二振膜可以平衡音圈的振动，可以防止音圈出现偏振的现象，从而可以提升发声装置的发声效果。

需要进行说明的是，可以将第一振膜和第二振膜同时采用本发明上述实施例的振膜，也可以是第一振膜和第二振膜中的一个采用本发明上述实施例的振膜，本发明对此不作具体限制。

进一步地，本领域技术人员可根据实际产品需求对扬声器振动单元100做相应的调整。例如，如图4所示，在本发明的一个具体示例中，折环部11向音圈侧凸起，球顶部12位于折环部11下表面，振动系统中添加定心支片等。发声振膜由折环部11和球顶部12组成，有机硅类高聚物膜层制备的振膜可位于折环部11，也可位于折环部11及球顶部12。

下面结合具体实施例对本发明的发声装置的振膜进行具体说明。

在以下实施例1至实施例3以及对比样品的振膜材料中均选用甲基乙烯基苯基硅橡胶混炼胶作为含有结构单元一

的硅橡胶。其中，实施例1至实施例3中的相容剂均选用硅烷偶联剂。

实施例1

选择甲基乙烯基苯基硅橡胶混炼胶作为含有结构单元一的硅橡胶，选择聚氨酯混炼胶作为含有结构单元二的含酯基橡胶，占用原材料总重量1％的过氧化物作为硫化剂，过氧化物选用2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧化己烷作为硫化剂。

制备发声装置即扬声器的步骤包括：

首先，在甲基乙烯基苯基硅橡胶混炼胶中加入2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧化己烷，再加入相容剂，随后在开炼机中混炼均匀。

然后，加入占用原材料总重量10％的塑炼完成的含有结构单元二

的聚氨酯混炼胶，得到有机硅类高聚物，得到的该有机硅类高聚物的力学损耗峰在-33℃，其中通过选用塑炼完成的聚氨酯混炼胶可以防止两者混合时黏辊。

随后，在开炼机上混炼均匀，制作出振膜材料。

最后，将得到的振膜材料使用模压成型工艺经过180℃加工200s，成型出振膜组装成扬声器。

实施例2

选择甲基乙烯基苯基硅橡胶混炼胶作为含有结构单元一的硅橡胶，选择聚氨酯混炼胶作为含有结构单元二的含酯基橡胶，占用原材料总重量1％的过氧化物作为硫化剂，过氧化物选择2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧化己烷。

制备发声装置即扬声器的步骤包括：

首先，在甲基乙烯基苯基硅橡胶混炼胶中加入2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧化己烷，再加入相容剂，随后在开炼机中混炼均匀。

然后，加入占用原材料总重量30％的塑炼完成的含有结构单元二

的聚氨酯混炼胶，得到有机硅类高聚物，其中通过选用塑炼完成的聚氨酯混炼胶可以防止两者混合时黏辊。

随后，在开炼机上混炼均匀，制作出振膜材料。

最后，将得到的振膜材料使用模压成型工艺经过180℃加工200s，成型出振膜组装成扬声器。

实施例3

选择甲基乙烯基苯基硅橡胶混炼胶作为含有结构单元一的硅橡胶，选择乙烯丙烯酸酯混炼胶作为含有结构单元二的含酯基橡胶，占用原材料总重量1％的过氧化物作为硫化剂，过氧化物选用2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧化己烷。

制备发声装置即扬声器的步骤包括：

首先，在甲基乙烯基苯基硅橡胶混炼胶中加入2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧化己烷，再加入相容剂，随后在开炼机中混炼均匀。

然后，加入占用原材料总重量30％的塑炼完成的含有结构单元二

的乙烯丙烯酸酯混炼胶，得到有机硅类高聚物，得到的该有机硅类高聚物的力学损耗峰在-29℃，其中通过选用塑炼完成的乙烯丙烯酸酯混炼胶可以防止两者混合时黏辊。

随后，在开炼机上混炼均匀，制作出振膜材料。

最后，将得到的振膜材料使用模压成型工艺经过180℃加工200s，成型出振膜组装成扬声器。

对比例

选择实施例中相同的包含结构单元一的甲基乙烯基苯基硅橡胶混炼胶，加入占用原材料总重量1％的2,5-二甲基-2,5-二叔丁基过氧化己烷作为硫化剂混炼均匀，制作出振膜材料，最后使用模压成型工艺经过180℃加工200s，成型出振膜组装成扬声器。

表1实施例和对比例所用振膜原材料的性能对比

首先，将对比例与实施例1进行比较，对比例和实施例1中均采用甲基乙烯基苯基硅橡胶作为含有结构单元一的混炼胶，实施例1中还加入了聚氨酯混炼胶作为含有结构单元二的混炼胶。通过表1的测试结果可见，对比例的模量为17MPa，实施例1的样品为16MPa，也就是说，即使实施例1中加入了含有结构单元二的橡胶，混炼胶整体的模量的变化也不大。在温度为-30℃的条件下，对比例的损耗因子为0.17，实施例1的损耗因子为0.27。在温度为23℃的条件下，对比例的损耗因子为0.16，实施例1的损耗因子为0.17。可见，实施例1中加入了含有结构单元二的橡胶，能够提升低温和高温的损耗因子。此外，对比例的胶水粘接力为120g/25mm，实施例1的胶水粘接力为280g/25mm，可见，由于实施例1中加入了结构单元二，因此实施例1的振膜产品与胶水的粘接力明显增大。

其次，将对比例与实施例3进行比较，对比例和实施例3中均采用甲基乙烯基苯基硅橡胶作为含有结构单元一的混炼胶，实施例3中还采用乙烯丙烯酸酯橡胶作为含有结构单元二的混炼胶。通过表1的测试结果可见，对比例的模量为17MPa，实施例3的样品为14MPa，也就是说，即使实施例3中加入了含有结构单元二的橡胶，混炼胶整体的模量的变化也不大。在温度为-30℃的条件下，对比例的损耗因子为0.17，实施例3的损耗因子为0.38。在温度为23℃的条件下，对比例的损耗因子为0.16，实施例3的损耗因子为0.2。可见，实施例3中加入了含有结构单元二的橡胶，能够提升低温和常温的损耗因子。此外，对比例的胶水粘接力为120g/25mm，实施例3的胶水粘接力为507g/25mm，可见，由于实施例3中加入了结构单元二，因此实施例3的产品与胶水的粘接力明显增大。

由此可见，无论是采用聚氨酯橡胶还是采用乙烯丙烯酸酯橡胶作为含有结构单元二的原材料，均能够使混炼胶整体的模量变化不大，低温和常温的损耗因子都有提升，得到的振膜与胶水的粘接力明显增大。

接着，将实施例1和实施例2进行比较，实施例1中采用10％的聚氨酯橡胶作为含有结构单元二的混炼胶，实施例2中采用30％的聚氨酯橡胶作为含有结构单元二的混炼胶，通过测试结果可见，实施例1的胶水粘接力为280g/25mm，而实施例3的胶水粘接力为537g/25mm。由此可见，随着加入的结构单元二的含量越多，振膜中的活性基团酯基越多，使振膜与胶水的粘接力越大，有效改善了有机硅类高聚物粘接性弱的问题。

下面将实施例1至实施例3以及对比例进行动态热机械分析(DMA)测试，测试结果如图1和图2所示。

由图1可以看出，实施例2的有机硅类高聚物进行动态热机械分析(DMA)测试，如图1所示，得到的该有机硅类高聚物含有两个力学损耗峰，其中有一个力学损耗峰的峰值温度在在-33℃左右，峰高为0.5左右。

由图2可以看出，相比于未加入结构单元二的对比例，在实施例1和实施例2中加入含有结构单元二的聚氨酯橡胶，实施例1至实施例3的混炼胶整体的力学损耗因子有明显提升，尤其0℃以下温度提升效果更明显，并且随着加入结构单元二的比例的增多提升效果更显著。在实施例3加入含有结构单元二的乙烯丙烯酸酯橡胶后，橡胶整体的力学损耗因子也有明显提升，有助于降低产品的失真性能。

下面将对比例、实施例2和实施例3组装成的发声装置的THD曲线进行测试并对比，也就是说，将对比例、实施例2和实施例3组装产品的性能进行测试，由图3可见，实施例2和实施例3的产品的失真效果改善明显。

总而言之，根据本申请实施例的发声装置的振膜通过采用包含两个及以上的力学损耗峰，至少一个力学损耗峰的峰值的温度在-50℃～20℃之间，且该温度区间内的力学损耗峰的峰高大于0.13的有机硅类高聚物膜层，采用该有机硅类高聚物膜层能够使振膜材料的阻尼可以在较宽的温域内得到有效提升，且表面活性基团增加，进而提升振膜材料的粘接性。

虽然已经通过例子对本申请的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本申请的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本申请的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本申请的范围由所附权利要求来限定。

Claims (12)

1.一种发声装置的振膜，其特征在于，所述振膜包括有机硅类高聚物膜层，所述有机硅类高聚物膜层包含两个及以上力学损耗峰，其中至少一个力学损耗峰的峰值的温度在-50℃～20℃之间，且所述力学损耗峰的峰高大于0.13。

2.根据权利要求1所述的发声装置的振膜，其特征在于，所述有机硅类高聚物由结构单元一和结构单元二组成，

其中，所述结构单元一为

所述结构单元二为

中的至少一种，所述结构单元一中的R、R₁、R₂为选自甲基、乙烯基、苯基和三氟丙基中的任意一种，所述结构单元二中的R₃为氢基或甲基，m和n为≥1的整数。

3.根据权利要求2所述的发声装置的振膜，其特征在于，在所述有机硅类高聚物中，所述结构单元二的质量百分比为2％～50％。

4.根据权利要求1所述的发声装置的振膜，其特征在于，所述振膜与标准胶带在剥离角度为180°时剥离测试的粘接力为100g/25mm～1000g/25mm。

5.根据权利要求1所述的发声装置的振膜，其特征在于，所述振膜的杨氏模量为1MPa～50MPa。

6.根据权利要求1所述的发声装置的振膜，其特征在于，所述振膜的厚度为50μm～300μm。

7.一种发声装置的振膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将硅橡胶与含酯基橡胶进行混合，添加硫化剂、相容剂、及助剂，混合得到混合物料；

将所述混合物料高温交联成型，得到有机硅类高聚物膜层。

8.根据权利要求7所述的发声装置的振膜的制备方法，其特征在于，所述含酯基橡胶为聚氨酯橡胶、丙烯酸酯橡胶、乙烯丙烯酸酯中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的发声装置的振膜的制备方法，其特征在于，所述硫化剂为过氧化物。

10.根据权利要求7所述的发声装置的振膜的制备方法，其特征在于，所述相容剂为硅烷偶联剂、有机硅改性聚氨酯、马来酸酐接枝聚合物、聚硅氧烷接枝聚合物中的一种或多种。

11.一种发声装置，其特征在于，包括振动系统以及与所述振动系统相配合的磁路系统，所述振动系统包括振膜和结合在所述振膜一侧的音圈，所述磁路系统驱动所述音圈振动以带动所述振膜发声，所述振膜为权利要求1-6中任一项所述的振膜。

12.一种发声装置，其特征在于，包括壳体以及设在所述壳体内的磁路系统和振动系统，所述振动系统包括音圈、第一振膜和第二振膜，所述音圈的顶部与所述第一振膜相连，所述磁路系统驱动所述音圈振动以带动所述第一振膜发声，所述第二振膜的两端分别与所述壳体和所述音圈的底部相连，所述第二振膜为权利要求1-6中任一项所述的振膜。

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