CN115084816B - 射频电路、无源电路及电子设备 - Google Patents

Abstract

提供了一种射频电路、无源电路及电子设备，射频电路包括：微带耦合器，包含主传输线和耦合线，主传输线用于传输射频信号，耦合线用于对主传输线中的射频信号进行耦合；第一无源电路，与耦合线的耦合端相连，且第一无源电路在预设频段内的幅频特性的变化趋势与微带耦合器的耦合度在预设频段内的变化趋势相反，以改善微带耦合器的耦合的平坦度。本申请实施例通过将微带线耦合器与无源电路串联形成射频电路，利用预设频段内无源电路的幅频特性的变化趋势与微带耦合器的耦合度在预设频段内的变化趋势相反，有助于降低微带耦合器的耦合的平坦度。

Description

射频电路、无源电路及电子设备

技术领域

本申请涉及电路领域，具体涉及一种射频电路、无源电路及电子设备。

背景技术

微带耦合器通常包括主传输线和耦合线，主传输线用于传输微波或毫米波信号，耦合线可以对主传输线中的信号进行耦合，实现信号的检测或功率分配等功能。

理想状态下，微带耦合器的耦合线长度为微波信号的1/4波长能够实现较好的耦合性能，但是该长度难以满足小型电子设备的使用需求。相关技术提出了在预设的微波频段内采用多个小尺寸的微带耦合器共同实现对整个预设频段信号的检测或功率分配。但是，上述小尺寸微带耦合器的耦合平坦度较大。

发明内容

本申请实施例提供一种射频电路、无源电路及电子设备，下面对本申请实施例涉及的各个方面进行介绍。

第一方面，本申请实施例提供一种射频电路，包括：微带耦合器，包含主传输线和耦合线，主传输线用于传输射频信号，耦合线用于对主传输线中的射频信号进行耦合；第一无源电路，与耦合线的耦合端相连，且第一无源电路在预设频段内的幅频特性的变化趋势与微带耦合器的耦合度在预设频段内的变化趋势相反，以改善微带耦合器的平坦度。

第二方面，本申请实施例提供一种无源电路，包括：RLC电路；第一RC电路，位于所述RLC电路的输入端和地之间；第二RC电路，位于所述RLC电路的输出端和地之间。

第三方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括：如第一方面中所述的射频电路。

本申请实施例通过将微带线耦合器与无源电路串联形成射频电路，利用预设频段内无源电路的幅频特性的变化趋势与微带耦合器的耦合度在预设频段内的变化趋势相反，有助于降低微带耦合器的耦合的平坦度。

附图说明

图1所示为一种微带耦合器的示意图。

图2所示为一种仿真软件生成的微带耦合线的模型示意图。

图3所示为一种微带耦合器的仿真原理图。

图4所示为图3中耦合器的性能仿真结果示意图。

图5所示为图3中耦合器的宽带性能示意图。

图6所示为相关技术中的一种小型微带耦合器的PCB示意图。

图7所示为图6中微带耦合器的MB频段性能仿真结果示意图。

图8所示为图6中微带耦合器的MHB频段性能仿真结果示意图。

图9所示为本申请实施例提供的一种射频电路的结构示意图。

图10所示为无源电路的一种幅频特性曲线。

图11所示为本申请实施例提供的一种无源电路的结构示意图。

图12所示为本申请实施例提供的另一种射频电路的结构示意图。

图13所示为无源电路的一种反射特性示意图。

图14所示为本申请实施例提供的又一种射频电路的结构示意图。

图15所示为图14中射频电路的一种性能仿真示意图。

图16所示为本申请实施例提供的一种无源电路的结构示意图。

图17所示为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。

耦合器是微波测量和其它微波系统中常见的微波/毫米波部件，可用于信号的隔离、分离和混合，如功率的监测、源输出功率稳幅、信号源隔离、传输和反射的扫频测试等。

根据传输线的不同，耦合器可以分为波导、同轴线、带状线及微带线耦合器等类型。图1为一种微带耦合器的示意图。

参见图1，微带耦合器100可以由两根微带线组成，分别为主传输线110和耦合线120。主传输线110可以用于传输微波或毫米波信号。例如，主传输线110可以用于传输射频信号。被传输信号可以从端口1输入，端口2输出。耦合线120可以对主传输线中的信号进行耦合，实现信号的检测或功率分配等功能。耦合线120可以包括耦合端和隔离端。例如，端口3为耦合端，输出耦合信号，端口4为隔离端，输出隔离信号。

耦合器的性能参数可以包括耦合度、隔离度、平坦度和方向度等。其中，耦合度(coupling，C)可以为端口3的输出功率与端口1的输入功率的比值，单位用dB表示。例如，耦合度为-25dB，一般称为25dB耦合度。隔离度(isolation，I)可以为端口4的输出功率与端口1的输入功率的比值，单位用dB表示。例如，隔离度为-40dB，一般称为40dB隔离度。平坦度可以为在预设工作频段内耦合度的变化量。方向度(direction，D)为耦合度与隔离度的差值，即D＝C-I。理想状态下，微带耦合线的长度为主传输线110中信号的1/4波长可以实现较好的耦合性能。

图2为一种仿真软件生成的微带耦合线的模型示意图。

参见图2，模型200包括基材201、微带线202以及接地板203。基材201的厚度为H，介电常数为Er。作为一种实现方式，基材201可以为PCB板的基材，也可以为芯片基材。微带线202可以设置于基材201的上表面。微带线202可以为两条平行的微带线，其中，两条微带线的长度均为L，每一条微带线的宽度为W，厚度为T，两条微带线之间的耦合缝隙为S。接地板203设置于基材201的下表面。模型200的适用范围为：0.01×H≤W≤100.0×H，0.1×H≤S≤10.0×H，1≤E_r≤18，T≥0，

结合模型200，通过仿真软件可以对微带耦合器进行设计，即确定微带耦合器的参数。例如，预设工作频段为移动通信的中频段(middle band，MB)1.7GHz～2.2GHz，通过仿真软件可以计算出对应的耦合长度约为21mm。进一步仿真可以得到耦合缝隙，宽度大小等参数。

根据微带耦合器的各项参数，可以通过仿真得到微带耦合器的性能情况。图3为一种微带耦合器的仿真原理图。以适用于移动通信中频段的微带耦合器(MB耦合器)为例，下文结合图3至图5对MB耦合器进行介绍。

参见图3，微带耦合器300可以包括P1、P2、P3及P4四个端口。其中，P1为信号输入端，P2为信号输出端，P3为耦合端，P4为隔离端。微带耦合器300的微带线的宽度W为0.08mm，耦合缝隙S为0.14mm，对应的耦合长度为21mm，即主传输线和耦合线的长度均为21mm。微带耦合器300的基材厚度为0.05mm，介电常数为4.6，微带线的厚度为0.02mm。以耦合器300每个端口均为50欧姆的理想阻抗匹配为例，以步长为10MHz在预设频段(1.7GHz～2.2GHz)内对耦合器300的性能进行仿真。图4为图3中耦合器的性能仿真结果示意图。

参见图4，S(3，1)曲线可以为耦合器300的耦合度变化曲线，S(4，1)曲线可以为耦合器300的隔离度变化曲线。从图中可以看出，耦合器300的耦合度约为-24.8dB～-27dB，带内平坦度小于0.5dB。从而可以计算得出方向度约为-0.7dB～2dB。

根据仿真结果可以得出，预设工作频段为移动通信的MB频段，微带耦合线的长度为21mm(即约1/4波长)可以取得较好的耦合性能。但是21mm难以满足小型电子设备的使用需求。

为了减小微带耦合器的长度，可以充分利用耦合器的耦合曲线的上升阶段。图5为图3中耦合器的宽带性能示意图。参见图5，耦合曲线的上升阶段的频率范围约为0.1GHz～1.8GHz，在耦合长度降低的情况下，耦合曲线始终存在类似的上升区域，且这个区域的频率也会抬高，进而可以设计出小型化微带耦合器。

图6为相关技术中的一种小型微带耦合器的PCB示意图。

参见图6，图中的微带耦合器尺寸为2.32mm×1.576mm，尺寸较小。其中，实线部分可以为主传输线，1端可以为信号输入端，2端可以为信号输出端；虚线部分可以为耦合线，3端可以为耦合端，4端可以为隔离端。

图7为图6中微带耦合器的MB频段性能仿真结果示意图。图8为图6中微带耦合器的MHB频段性能仿真结果示意图。下文结合图6至图8对一种小型微带耦合器的性能进行介绍。

参见图7，该微带耦合器的耦合度约为23.7dB～25.9dB，耦合的平坦度约为2.2dB，隔离度约为45.9dB～48dB。但MB频段内耦合平坦度达到2.2dB，平坦度较大。参见图8，该微带耦合器在MHB频段(1.7GHz～2.7GHz)的耦合平坦度达到4dB，同时隔离度随着频率的升高，下降了3.8dB。

因此，根据不同的频段设计多个不同的小型耦合器共同实现对整个预设频段信号的检测或功率分配。作为一种实现方式，终端设备可以采用三个小型微带耦合器实现整个工作频段内的信号检测。但是，上述多个小型微带耦合器设计复杂，宽带内耦合平坦度较大。

为了解决上述问题，本申请实施例提出一种射频电路。通过将微带线耦合器与无源电路串联形成射频电路，利用预设频段内无源电路的幅频特性的变化趋势与微带耦合器的耦合度在预设频段内的变化趋势相反，有助于降低射频电路的耦合的平坦度。

图9为本申请实施例提供的一种射频电路的结构示意图。射频电路900可以为芯片，也可以为PCB电路板。射频电路900可以用于微波或毫米波的检测或功率分配等。例如，射频电路900可以应用于发射机、通讯电台等设备中，对微波或毫米波信号进行取样。也可以应用于手机、平板等电子设备中，对射频通信信号进行检测。又如，射频电路900可以应用于多载频合成系统中，进行信号的分配和集成。

射频电路900处理的信号的频率通常不是固定的频率，而是一个频率范围。预设频段可以为射频电路预设的工作频率范围，也可以称为预设工作频段。换句话说，预设频段可以为射频电路预设检测场景中，待检测信号的频率范围。作为一个示例，射频电路900用于射频信号的检测，预设频段可以包括多个射频频段。例如，射频电路预设检测场景为无线通信中MB、MHB频段射频信号的检测，预设频段可以为MB、MHB的频率范围，即预设频段为1.7GHz～2.7GHz。

射频电路900可以包括微带耦合器901和第一无源电路902。

微带耦合器901可以包含主传输线和耦合线。主传输线可以用于传输射频信号。主传输线通常可以包括两个端口，分别为输入端和输出端。耦合线可以对主传输线中的信号进行耦合，实现信号的检测或功率分配等功能。耦合线通常可以包括耦合端和隔离端，其中，耦合端可以输出耦合信号，隔离端可以输出隔离信号。

在一些实现方式中，主传输线可以为一条，耦合线可以为一条或者多条。主传输线和耦合线的位置关系包括多种，不同的位置关系对应的耦合性能不同。例如，耦合线可以和主传输线平行，也可以部分和主传输线平行，部分和主传输线交叉。

第一无源电路902与微带耦合器901相连。在一些实现方式中，第一无源电路902可以与微带耦合器901的耦合端相连。例如，第一无源电路902可以串联在微带耦合器901的耦合信号通路中，且与耦合端相连。作为一种实现方式，微带耦合器901可以用于检测射频通路中的信号功率，并将检测结果反馈至射频模块。第一无源电路902可以一端与微带耦合器901的耦合端相连，另一端与射频模块相连。

通过第一无源电路902的信号可以为耦合端的耦合信号。而耦合信号与射频电路900处理的信号有关，因此通过第一无源电路902的信号往往不是单一频率的信号。由于组成第一无源电路902的元件在不同的频率下阻抗可能是不同的，因此经过第一无源电路902传输的电信号的幅度可能会发生变化，且在不同的频率下，变化程度可能是不同的。经过第一无源电路902传输前后的信号幅度之比与频率的对应关系，即为第一无源电路902的幅频特性。进一步地，经过第一无源电路902的电信号的频率发生变化，第一无源电路902的输出信号和输入信号的比值可以随之变化。

由于第一无源电路902和微带耦合器901均为线性系统，因此幅频特性满足线性叠加的原理。例如，当微带耦合器901检测信号频率为1.7GHz，第一无源电路902的输出和输入信号的幅度比值为-1dB，微带耦合器901的耦合度为-25dB时，射频电路的耦合度为-26dB。因此，当预设频段内第一无源电路902幅频特性的变化趋势与微带耦合器901的耦合度在预设频段内的变化趋势相反，第一无源电路902变化趋势可以补偿和/或抵消微带耦合器901的耦合度，从而可以降低微带耦合器901在工作频段内的耦合的平坦度。

第一无源电路902幅频特性的变化趋势与微带耦合器901的耦合度在预设频段内的变化趋势相反可以包括多种情况。作为一个示例，在预设频段范围内，微带耦合器901的耦合度在部分频率范围内上升，部分频率范围内下降。则在耦合度上升的频率范围内，第一无源电路902幅频传输特性的变化趋势可以为下降，在耦合度下降的频率范围内，第一无源电路902幅频特性的变化趋势可以为上升。作为另一个示例，在预设频段范围内，微带耦合器901的耦合度随频率的升高而上升，则第一无源电路902幅频特性的变化趋势可以为下降。作为又一个示例，在预设频段范围内，微带耦合器901的耦合度随频率的升高而下降，则第一无源电路902幅频特性的变化趋势可以为上升。

以图4中的微带耦合器的性能曲线为例，在预设频段内微带耦合器的耦合度随频率的增大而增大。也就是说，在预设频段范围内，耦合度的变化趋势为上升。图10为无源电路的一种幅频特性曲线。参见图10，该幅频特性曲线的变化趋势为随频率的上升而下降。作为一种实现方式，第一无源电路902可以采用具有图10中幅频特性的电路，补偿和/或抵消预设频段范围内，图4中微带耦合器的耦合度，从而降低预设频段内耦合度的平坦度。

射频电路900的耦合平坦度的降低，可以使射频电路900实现更宽的工作频率范围。进一步地，射频电路900覆盖的工作频率范围变大，可以减少微带耦合器的数量，从而实现小型化的设计目的。作为一个示例，终端设备采用三个小型微带耦合器实现整个工作频段(MB、MHB、HB)内的信号检测。例如，射频电路900可以在MB、MHB频段内实现较好的耦合度和平坦度以满足设计要求，终端设备则可以采用射频电路900替代原有的MB频段的耦合器和MHB频段的耦合器。又如，射频电路900可以在整个工作频段(MB、MHB、HB)内实现较好的性能，终端设备则可以采用射频电路900完成整个工作频段的信号采样，有助于减小耦合电路的体积。

第一无源电路902可以为不包括有源器件的电路，也就是说第一无源电路902中的元件均为无源器件。例如，无源电路可以由电阻和电容组成，也可以由电阻和电感组成。又如，无源电路可以由电感和电容组成，也可以由电阻、电感和电容组成。

作为一种实现方式，第一无源电路902可以由电阻、电感和电容组成。作为一个示例，第一无源电路902可以包括三个部分。例如，第一无源电路902可以包括RLC电路、第一RC电路和第二RC电路。第一RC电路可以位于RLC电路的输入端和地之间，第二RC电路可以位于RLC电路的输出端和地之间。

在一些实施例中，第一RC电路可以包括第一电容和第一电阻，第二RC电路可以包括第二电容和第二电阻，第一无源电路还可以包括第一电感元件，第一电感元件的一端连接在第一电容和第一电阻之间，第一电感元件的另一端连接在第二电容和第二电阻之间。RLC电路中的电容、电感和电阻彼此并联在一起。

图11为本申请实施例提供的一种无源电路的结构示意图。无源电路1100为第一无源电路902的一种实现方式。

参见图11，无源电路1100可以包括RLC电路1101、第一RC电路1102、第二RC电路1103及第一电感L1。其中，RLC电路1101可以包括L2、R3、C3。第一RC电路1102可以包括C1、R1。第二RC电路1103可以包括C2、R2。

以第一无源电路902为图11中的电路结构，微带耦合器901为图3中的微带耦合器300为例，可以通过仿真确定第一无源电路902中的电阻、电容及电感的取值。作为一个示例，C1取值可以为0.577pF，R1取值可以为199.928Ω，C2取值可以为0.668pF，R2取值可以为18.066Ω，L2取值可以为2.015nH，R3取值可以为199.994Ω，C3取值可以为0.941pF，L1取值可以为6.922nH。

以上述取值对射频电路900的性能进行仿真，射频电路900在预设频段内的平坦度小于1dB，降低了微带耦合器的耦合平坦度。

图12为本申请实施例提供的另一种射频电路的结构示意图。射频电路1200包括微带耦合器1201和第二无源电路1202。其中，微带耦合器1201可以为前文所述的微带耦合器，此处不再赘述。

第二无源电路1202与微带耦合器1201相连。在一些实现方式中，第二无源电路1202可以与微带耦合器1201的隔离端相连。例如，第二无源电路1202可以串联在微带耦合器1201的隔离信号通路中，且与隔离端相连。

如前文所述，无源器件在不同的频率下阻抗可能是不同的，因此经过第二无源电路1202的电信号的反射情况也可能是不同的。例如，第二无源电路1202的带内回波损耗可以随着频率的变化而变化。由于第二无源电路1202和微带耦合器1201均为线性系统，因此，微带耦合器1201和第二无源电路1202的信号反射情况满足线性叠加原理。

因此，改变第二无源电路1202的信号反射情况，可以调整微带耦合器1201的信号反射情况，从而提升射频电路1200的方向度。以图4中的微带耦合器的性能曲线为例，在预设频段内微带耦合器的隔离度随频率的增大而增大。图13为无源电路的一种反射特性示意图。参见图13，带内回波损耗S(1，1)随着频率的上升而上升，输出反射系数S(2，2)随着频率的上升而下降。作为一种实现方式，第二无源电路1202可以采用具有图13中反射特性电路，改善预设频段范围内，图4中微带耦合器的隔离度，从而提升射频电路1200的方向度。

第二无源电路1202在预设频段内的信号反射情况，可以由第二无源电路1202的电路结构及元件参数确定。作为一种实现方式，第二无源电路1202可以采用图11中的电路结构。

以微带耦合器1201为图3中的微带耦合器300为例，通过仿真可以确定第二无源电路1202中的电阻、电容及电感的取值。作为一个示例，C1取值可以为4.228pF，R1取值可以为45.207Ω，C2取值可以为2.127pF，R2取值可以为199.997Ω，L2取值可以为3.402nH，R3取值可以为116.261Ω，C3取值可以为0.100pF，L1取值可以为0.109nH。

图14为本申请实施例提供的又一种射频电路的结构示意图。射频电路1400包括微带耦合器1401、第一无源电路1402和第二无源电路1403。微带耦合器1401可以为如前文所述的微带耦合器，第一无源电路1402可以为如前文所述的第一无源电路，第二无源电路1403可以为如前文所述的第二无源电路。

第一无源电路1402、第二无源电路1403均可以与微带耦合器1401相连。作为一种实现方式，第一无源电路1402可以与微带耦合器1401的耦合端相连，第二无源电路1403可以与微带耦合器1401隔离端相连。

第二无源电路1403可以采用与第一无源电路1402相同的电路结构，也可以采用与第一无源电路1402不同的电路结构。作为一个示例，第一无源电路1402和第二无源电路1403可以采用图11中的无源电路结构。

第一无源电路1402和/或第二无源电路1403可以通过多种方式实现。例如，第一无源电路1402和/或第二无源电路1403可以在印刷电路板通过电阻、电感、电容分立器件实现。器件的封装大小可以根据射频电路1400的应用场景进行选择。又如，第一无源电路1402和/或第二无源电路1403可以在芯片基材实现电阻、电感、电容器件。在芯片基材实现电阻、电感、电容器件可以通过以下中的一种或多种工艺实现：微电子工艺、低温共烧陶瓷、集成无源器件等。

图15为图14中射频电路的一种性能仿真示意图。参见图15，在预设频段内，微带耦合器的耦合度为27dB，带内平坦度在0.2dB，极大地降低了预设频段内的耦合平坦度。微带耦合器隔离度低于-74.8dB，局部产生隔离度极小值点。与图3中的微带耦合器300隔离度只有45.9dB至48dB相比，隔离度优化程度可达28.9dB，进一步地，对应方向度优化可达25dB。因此，采用图14中的射频电路结构，可以实现预设频段内的平坦度小于1dB，同时可以实现隔离度大幅提升。进一步地，可以实现方向度大幅提高。

图16为本申请实施例提供的一种无源电路的结构示意图。参见图16，无源电路1600可以包括RLC电路1601、第一RC电路1602以及第二RC电路1603。第一RC电路1602位于RLC电路1601的输入端和地之间，第二RC电路1603位于RLC电路1601的输出端和地之间。

可选地，第一RC电路1602包括第一电容和第一电阻，第二RC电路1603包括第二电容和第二电阻，无源电路1600还包括第一电感元件。第一电感元件的一端连接在第一电容和第一电阻之间，另一端连接在第二电容和第二电阻之间。

可选地，RLC电路1601中包括第三电阻、第二电感和第三电容，其中，第三电阻、第二电感和第三电容并联连接；第一电容和第一电阻串联在RLC电路1601的输入端和地之间；以及第二电容和第二电阻串联在RLC电路1601的输出端和地之间。

可选地，第一电阻为199.928Ω，第二电阻为18.066Ω，第三电阻为199.994Ω，第一电容为0.577pF，第二电容为0.668pF，第三电容为0.941pF，第一电感为6.922nH，第二电感为2.015nH。

图17为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。参见图17，电子设备1700可以包括如前文描述的射频电路1701。

需要说明的是，射频电路还可以通过对无源电路中的电阻、电容、电感进行器件优化，或通过仿真对无源电路中的电阻、电容、电感的参数进行调整，减小微带线耦合器加工工艺偏差对方向度等指标影响。

应理解，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。

在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本申请实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(digital subscriber Line，DSL))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够读取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，数字通用光盘(digital video disc，DVD))或者半导体介质(例如，固态硬盘(solid state disk，SSD))等。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种射频电路，其特征在于，包括：

微带耦合器，包含主传输线和耦合线，所述主传输线用于传输射频信号，所述耦合线用于对所述主传输线中的射频信号进行耦合；

第一无源电路，与所述耦合线的耦合端相连，且所述第一无源电路在预设频段内的幅频特性的变化趋势与所述微带耦合器的耦合度在所述预设频段内的变化趋势相反，以改善所述微带耦合器的耦合的平坦度；

其中，所述第一无源电路包括RLC电路、第一RC电路和第二RC电路，所述第一RC电路位于所述RLC电路的输入端和地之间，所述第二RC电路位于所述RLC电路的输出端和地之间；

所述第一RC电路包括第一电容和第一电阻，所述第二RC电路包括第二电容和第二电阻，所述第一无源电路还包括第一电感元件，所述第一电感元件的一端连接在所述第一电容和所述第一电阻之间，所述第一电感元件的另一端连接在所述第二电容和所述第二电阻之间。

2.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，所述射频电路还包括第二无源电路，所述第二无源电路与所述耦合线的隔离端相连，以改善所述微带耦合器的方向度。

3.根据权利要求2所述的射频电路，其特征在于，所述第一无源电路和所述第二无源电路具有相同的电路。

4.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，所述RLC电路中包括第三电阻、第二电感和第三电容，其中，所述第三电阻、所述第二电感和所述第三电容并联连接；所述第一电容和所述第一电阻串联在所述RLC电路的输入端和地之间；以及所述第二电容和所述第二电阻串联在所述RLC电路的输出端和地之间。

5.根据权利要求4所述的射频电路，其特征在于，所述第一无源电路中的第一电阻为199.928Ω，第二电阻为18.066Ω，第三电阻为199.994Ω，第一电容为0.577pF，第二电容为0.668pF，第三电容为0.941pF，第一电感为6.922nH，第二电感为2.015nH。

6.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，所述微带耦合器在所述预设频段内的平坦度小于1dB。

7.一种无源电路，其特征在于，所述无源电路包括：

RLC电路；

第一RC电路，位于所述RLC电路的输入端和地之间；

第二RC电路，位于所述RLC电路的输出端和地之间；

其中，所述第一RC电路包括第一电容和第一电阻，所述第二RC电路包括第二电容和第二电阻，所述无源电路还包括：

第一电感元件，一端连接在所述第一电容和所述第一电阻之间，另一端连接在所述第二电容和所述第二电阻之间；

所述无源电路用于与微带耦合器相连，且所述无源电路在预设频段内的幅频特性的变化趋势与所述微带耦合器的耦合度在所述预设频段内的变化趋势相反，以改善所述微带耦合器的耦合的平坦度。

8.根据权利要求7所述的无源电路，其特征在于，所述RLC电路中包括第三电阻、第二电感和第三电容，其中，所述第三电阻、所述第二电感和所述第三电容并联连接；所述第一电容和所述第一电阻串联在所述RLC电路的输入端和地之间；以及所述第二电容和所述第二电阻串联在所述RLC电路的输出端和地之间。

9.根据权利要求8所述的无源电路，其特征在于，所述第一电阻为199.928Ω，第二电阻为18.066Ω，第三电阻为199.994Ω，第一电容为0.577pF，第二电容为0.668pF，第三电容为0.941pF，第一电感为6.922nH，第二电感为2.015nH。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的射频电路。