CN115080339A - 存储器装置中的温度相关操作 - Google Patents

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Abstract

描述了一种用于存储器装置中的温度相关操作的方法和系统。记录存储器装置的温度测量值。执行所述存储器装置的温度测量值满足阈值温度值的确定。响应于所述确定，延迟所述存储器装置中后台操作的执行，且在延迟所述后台操作的执行的同时继续在所述存储器装置中执行主机系统操作。

Description

存储器装置中的温度相关操作
技术领域
本公开大体上涉及存储器装置中的操作，且更确切地说，涉及存储器装置中的温度相关操作。
背景技术
存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统将数据存储在存储器装置处并且从存储器装置检索数据。
发明内容
在一方面中，本公开提供一种方法，包括：记录存储器装置的一或多个温度测量值；确定存储器装置的温度测量值满足阈值温度值；以及响应于确定存储器装置的温度测量值满足阈值温度值，延迟存储器装置中后台操作的执行，其中在延迟后台操作的执行的同时继续执行存储器装置中的一或多个主机系统操作。
在另一方面中，本公开进一步提供一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时使得所述处理装置：记录存储器装置的一或多个温度测量值；确定存储器装置的温度测量值满足阈值温度值；以及响应于确定存储器装置的温度测量值满足阈值温度值，延迟存储器装置中后台操作的执行，其中在延迟后台操作的执行的同时继续执行存储器装置中的一或多个主机系统操作。
在再一方面中，本公开进一步提供一种系统，包括：存储器装置；和处理装置，其与存储器装置以操作方式耦合以：记录存储器装置的一或多个温度测量值；确定存储器装置的温度测量值满足阈值温度值；响应于确定存储器装置的温度测量值满足阈值温度值，延迟存储器装置中后台操作的执行，其中在延迟后台操作的执行的同时继续执行存储器装置中的一或多个主机系统操作；确定存储器装置的另一温度测量值不满足阈值温度值；以及响应于确定存储器装置的另一温度不满足阈值温度值，恢复后台操作的执行。
附图说明
根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。然而，图式不应视为将本公开限制于特定实施例，而是仅用于解释和理解。
图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
图2为根据本公开的一些实施例的基于温度测量值管理存储器装置中操作的执行的实例方法的流程图。
图3为根据本公开的一些实施例的基于温度测量值管理存储器装置中操作的执行的另一实例方法的流程图。
图4为可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
本公开的各方面涉及存储器装置中的温度相关操作。存储器子系统可为存储装置、存储器模块，或存储装置与存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(例如，存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供将存储在存储器子系统处的数据，且可请求将从存储器子系统检索的数据。
存储器装置可为非易失性存储器装置。非易失性存储器装置为一或多个裸片的封装。非易失性存储器装置的一个实例为与非(NAND)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。封装中的裸片可分配到一或多个信道以用于与存储器子系统控制器通信。每一裸片可由一或多个平面组成。平面可分组为逻辑单元(LUN)。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND存储器装置)，每一平面由一组物理块组成，所述物理块是用于存储数据的存储器单元的群组。单元是存储信息的电子电路/组件。
取决于单元类型，单元可存储一或多个二进制信息位，且具有与所存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由二进制值(例如“0”和“1”)或这些值的组合表示。存在各种类型的单元，例如单电平单元(SLC)、多电平单元(MLC)、三电平单元(TLC)和四电平单元(QLC)。举例来说，SLC可存储一个位的信息且具有两个逻辑状态(例如，“0”和“1”)。
存储器装置的操作温度可变化。因而，可在存储器装置处于不同温度时执行存储器装置中的操作。在高温下执行的操作可导致较高错误率和较多信道降级，从而导致存储器装置的总体较低性能。举例来说，在存储器装置中在例如90摄氏度等高温下执行的编程/擦除循环在存储器装置上比在例如25摄氏度等较低温度下执行循环时更困难。提高的交叉温度错误率被视为结果。
本公开的各方面通过基于存储器装置的温度测量值管理后台操作的执行而解决以上和其它缺陷。当存储器装置的温度测量值确定为高于或以其它方式满足阈值温度值时延迟后台操作，同时可继续处理主机系统操作。当存储器装置的温度测量值降到低于阈值温度值或以其它方式满足另一温度阈值时，后台操作恢复执行。使用此方案，后台操作可例如通过在低于阈值温度的温度下执行后台擦除和编程操作而为未来的主机写入请求准备存储器的块或其它部分。因此，实施例减轻了温度对存储器装置的误差的影响。本文中的实施例改进用于存储器装置的总体原始位错误率(RBER)和交叉温度触发率，这改进了存储器装置的性能。
图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)，或这类的组合。
存储器子系统110可以是存储装置、存储器模块，或存储装置与存储器模块的混合。存储装置的实例包含固态驱动器(SSD)、快闪驱动器、通用串行总线(USB)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(eMMC)驱动器、通用快闪存储(UFS)驱动器、安全数字(SD)卡和硬盘驱动器(HDD)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(DIMM)、小外形DIMM(SO-DIMM)，和各种类型的非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)。
计算系统100可以是计算装置，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、运载工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、支持物联网(IoT)的装置、嵌入式计算机(例如，包含在运载工具、工业设备或联网市售装置中的计算机)，或这类包含存储器和处理装置的计算装置。
计算系统100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的存储器子系统110。图1说明耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。如本文中所使用，“耦合到”或“与...耦合”大体上是指组件之间的连接，其可为间接通信连接或直接通信连接(例如，不具有中间组件)，无论有线还是无线，包含例如电连接、光学连接、磁性连接等连接。
主机系统120可包含处理器芯片组和由所述处理器芯片组执行的软件堆栈。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存器、存储器控制器(例如，NVDIMM控制器)，和存储协议控制器(例如，PCIe控制器、SATA控制器)。主机系统120使用存储器子系统110以例如将数据写入到存储器子系统110且从存储器子系统110读取数据。
主机系统120可以经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(SATA)接口、外围组件互连高速(PCIe)接口、通用串行总线(USB)接口、光纤信道、串行附接SCSI(SAS)、小型计算机系统接口(SCSI)、双数据速率(DDR)存储器总线、双列直插式存储器模块(DIMM)接口(例如，支持双数据速率(DDR)的DIMM套接接口)、开放NAND快闪接口(ONFI)、双数据速率(DDR)、低功率双数据速率(LPDDR)或任何其它接口。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间传输数据。当存储器子系统110通过PCIe接口与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用NVM高速(NVMe)接口来存取组件(例如，存储器装置130)。物理主机接口可提供接口以用于在存储器子系统110与主机系统120之间传递控制、地址、数据以及其它信号。图1说明作为实例的存储器子系统110。一般来说，主机系统120可经由同一通信连接、多个单独通信连接和/或通信连接的组合存取多个存储器子系统。
存储器装置130、140可包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可以是但不限于随机存取存储器(RAM)，例如动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)。
非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包含与非(NAND)类型快闪存储器和就地写入存储器，例如三维交叉点(“3D交叉点”)存储器装置，其为非易失性存储器单元的交叉点阵列。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列而基于体电阻的改变来执行位存储。另外，与许多基于快闪的存储器对比，交叉点非易失性存储器可执行就地写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。NAND类型快闪存储器包含例如二维NAND(2D NAND)和三维NAND(3D NAND)。
虽然描述了非易失性存储器装置，例如NAND型存储器(例如，2D NAND、3D NAND)和3D交叉点非易失性存储器单元阵列，但存储器装置130可基于任何其它类型的非易失性存储器，例如只读存储器(ROM)、相变存储器(PCM)、自选存储器、其它基于硫属化物的存储器、铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、自旋转移力矩(STT)-MRAM、导电桥接RAM(CBRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)、基于氧化物的RRAM(OxRAM)、或非(NOR)快闪存储器，以及电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。
存储器子系统控制器115(或为简单起见，控制器115)可与存储器装置130通信以执行操作，例如在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据和其它这类操作(例如，响应于由控制器115在命令总线上调度的命令)。存储器子系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路和/或离散组件、缓冲存储器，或其组合。硬件可包含具有专用(即，硬译码)逻辑的数字电路系统以执行本文所描述的操作。存储器子系统控制器115可以是微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等)，或另一合适的处理器。
存储器子系统控制器115可包含处理装置117(处理器)，其被配置成执行存储于本地存储器119中的指令。在所说明实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含嵌入式存储器，其被配置成存储指令以用于执行控制存储器子系统110的操作(包含处置存储器子系统110与主机系统120之间的通信)的各种过程、操作、逻辑流程以及例程。
在一些实施例中，本地存储器119可包含存储存储器指针、所获取数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微码的只读存储器(ROM)。虽然图1中的实例存储器子系统110已说明为包含存储器子系统控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110不包含存储器子系统控制器115，且可替代地依赖于外部控制(例如，由外部主机提供，或由与存储器子系统110分离的处理器或控制器提供)。
一般来说，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作且可将所述命令或操作转换成指令或适当的命令，以实现对存储器装置130和/或存储器装置140的所需存取。存储器子系统控制器115可负责其它操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测和错误校正码(ECC)操作、加密操作、高速缓存操作和与存储器装置130相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(LBA)、名字空间)与物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转换。存储器子系统控制器115可进一步包含主机接口电路系统以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路系统可将从主机系统接收到的命令转换成命令指令以存取存储器装置130和/或存储器装置140，以及将与存储器装置130和/或存储器装置140相关联的响应转换成用于主机系统120的信息。
存储器子系统110还可包含未说明的额外电路系统或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含高速缓存器或缓冲器(例如，DRAM)和可从存储器子系统控制器115接收地址且解码所述地址以存取存储器装置130的地址电路系统(例如，行解码器和列解码器)。
在一些实施例中，存储器装置130包含本地媒体控制器135，其结合存储器子系统控制器115操作以对存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可在外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器装置130是受管理存储器装置，其是与本地控制器(例如，本地控制器135)组合以在同一存储器装置封装内进行媒体管理的原始存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理NAND(MNAND)装置。
存储器子系统110包含温度相关操作管理器113，其根据存储器装置的温度测量值管理操作的执行。在一些实施例中，控制器115包含温度相关操作管理器113的至少一部分。举例来说，控制器115可以包含处理器117(处理装置)，其被配置成执行存储在本地存储器119中的用于执行本文描述的操作的指令。在一些实施例中，温度相关操作管理器113是主机系统110、应用程序或操作系统的一部分。
温度相关操作管理器113可管理后台操作和主机系统操作的执行。温度相关操作管理器113可基于存储器子系统110或个别存储器装置130的当前操作温度延迟后台操作的执行，同时继续存储器装置中的主机系统操作的执行。温度相关操作管理器113可基于存储器子系统110或存储器装置130的温度测量值恢复后台操作的执行。下文描述关于温度相关操作管理器113的操作的另外细节。
图2为根据本公开的一些实施例的基于温度测量值管理存储器装置中操作的执行的实例方法的流程图。方法200可由处理逻辑进行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法200由图1的温度相关操作管理器113执行。虽然以特定顺序或次序来展示，但是除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，应理解，所说明实施例仅为实例，且所说明过程可以不同次序执行，且一些过程可并行地执行。另外，在各个实施例中可以省略一或多个过程。因此，在每个实施例中并不需要所有过程。其它过程流程也是可能的。
在操作205处，处理装置记录存储器装置的一或多个温度测量值。举例来说，温度相关操作管理器113可记录存储器子系统110或存储器装置130和/或存储器装置140的一或多个温度测量值。存储器子系统110包含一或多个温度传感器以产生存储器子系统110和/或存储器装置130/140的温度测量值。在一个实施例中，用于存储器子系统110的温度传感器提供一或多个存储器装置130/140的温度测量值。替代地，每一存储器装置130/140可包含独立温度传感器，其提供个别化温度测量值。
记录一或多个温度测量值可包含从温度传感器接收温度测量值且存储存储器装置的温度测量值。在一个实施例中，处理装置以预定频率请求或接收温度测量值。尽管使用单个存储器装置描述实施例，但在一些实施例中，温度测量值可从多个存储器装置接收。温度测量值的每一集合与来自多个存储器装置的对应存储器装置相关联。
在操作210处，处理装置确定存储器装置的温度测量值是否满足阈值温度值。处理装置通过比较存储器装置的温度测量值与阈值温度值并确定温度测量值是高于、低于还是等于阈值温度值来确定温度测量值是否满足阈值温度值。在一些实施例中，当温度测量值绝对高于阈值温度值时，温度测量值满足阈值温度值；并且当温度测量值低于或等于阈值温度值时，温度测量值不满足阈值温度值。在一些实施例中，当温度测量值绝对高于或等于阈值温度值时，温度测量值满足阈值温度值；并且当温度测量值绝对低于阈值温度值时，温度测量值不满足阈值温度值。
尽管相较于阈值温度值使用个别温度测量值描述实施例，但若干温度测量值可用于确定是否满足阈值温度。举例来说，在一段时间内记录的若干温度值，例如连续温度值可各自与阈值温度值进行比较。当若干温度值中的多个温度值(例如，若干温度值的子组)满足阈值温度值时，满足阈值温度值。替代地或另外，当若干温度值的平均值满足阈值温度值时，满足所述阈值。平均值可为温度测量值的均值、温度测量值的中值、温度测量值的滚动平均值等。在不脱离本文中所描述的实施例的范围的情况下，额外或替代的方法可用于基于所记录的温度测量值确定满足阈值温度。
当处理装置确定存储器装置的温度测量值满足阈值温度值时，方法进行到操作215到220。当处理装置确定存储器装置的温度测量值不满足阈值温度值时，方法进行到操作225到230。
在一些实施例中，阈值温度值可为存储器装置或一类存储器装置的预定值。举例来说，预定阈值温度值可基于存储器装置的一或多个实验用途来设置。举例来说，可在存储器装置中在不同温度下执行一组操作(例如，擦除操作和/或编程操作)。可在存储器装置的温度处于较高温度(例如，90摄氏度、85摄氏度等)时执行所述操作。可在存储器装置的温度处于第二温度(例如，25摄氏度、20摄氏度等)时执行操作。当在不同温度下执行时对这些操作的错误率的分析可允许确定阈值温度值。在一些实施例中，处理装置以给定频率记录操作存储器装置的温度测量值。使用这些温度测量值，处理装置可确定存储器装置的操作温度范围。从温度范围确定阈值。举例来说，阈值温度值可为存储器装置可在其下操作的最低可能温度。在一些实施例中，可动态地确定阈值。举例来说，可基于存储器装置的所记录的温度测量值有规律地更新阈值温度值。在一个非限制性实例中，可使用低于在时间间隔内所记录的其它温度测量值的一或多个温度测量值来产生和/或更新阈值温度值。可以规则间隔重复此操作以更新阈值温度值。
在操作225处，处理装置在适用时更新阈值温度值。在一个实施例中，处理装置基于一系列温度测量值更新温度阈值。举例来说，处理装置可保持温度测量值的历史且在平均操作温度比预期操作温度小或大标准差量或另一方差阈值时更新阈值温度值。在一个实施例中，处理装置以预定增量更新阈值温度值。在另一实施例中，处理装置以与温度历史从预期操作温度变化多少成比例的量更新阈值温度值。处理装置可使用温度测量值的其它统计分析来动态调整阈值温度值(例如，基于历史最小和最大温度测量值)。在一些实施例中，操作225是任选的且可不执行。
在操作215处，处理装置延迟存储器装置中后台操作的执行。后台操作为将在存储器装置中执行而不从主机系统130接收对操作的请求的操作。举例来说，可通过存储器子系统控制器115或本地媒体控制器135发起后台操作。后台操作可为读取操作、擦除操作或编程操作。后台操作可以是垃圾收集过程、由于对错误率的扫描的折叠过程等的部分。后台操作可为用于将存储器的一部分从第一存储器单元位密度重新配置到第二存储器单元位密度或将存储器的一部分擦除以释放存储器单元的池的存储器的过程的部分。举例来说，后台操作可用于将存储器从SLC位密度重新配置到MLC或TLC位密度。在另一实例中，重新配置可用于将存储器从MLC或TLC位密度重新配置到SLC位密度。
当温度测量值满足阈值温度值时，处理装置可延迟一或多个后台操作的执行。所述操作可为单个操作(例如，擦除或编程)、多个操作(例如，擦除和编程)或经延迟的过程的另一部分。延迟后台操作的执行可包含停止进行中的操作的执行或延迟后台操作的执行的开始。在一个实例中，当处理装置确定温度测量值满足阈值温度值时，其可停止执行已经在存储器装置中开始执行的后台操作且延迟另一后台操作的执行的开始。在另一实例中，当处理装置确定温度测量值满足阈值温度值时，其仅延迟后台操作的执行的开始且并不停止已开始的操作的执行。
在操作220处，处理装置继续执行一或多个主机系统操作。处理装置在延迟后台操作的执行的同时继续执行主机系统操作以避免关于主机系统的时延或其它服务质量问题。在一些实施例中，主机系统操作在接收后继续执行。在一些实施例中，可在出于除满足阈值温度值以外的其它原因执行之前延迟主机系统操作。
在操作230处，处理装置恢复或继续后台操作的执行。恢复后台操作的执行包含继续先前停止的后台操作的执行。恢复后台操作的执行可包含开始未在之前执行的后台操作的执行。在一个实施例中，用于恢复后台操作的执行的温度阈值不同于用于延迟后台操作的执行的温度阈值。
图3为根据本公开的一些实施例的基于温度测量值管理存储器装置中操作的执行的另一实例方法的流程图。方法300可由处理逻辑进行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法300由图1的温度相关操作管理器113执行。虽然以特定顺序或次序来展示，但是除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，应理解，所说明实施例仅为实例，且所说明过程可以不同次序执行，且一些过程可并行地执行。另外，在各个实施例中可以省略一或多个过程。因此，在每个实施例中并不需要所有过程。其它过程流程也是可能的。
在操作305处，处理装置记录存储器子系统或存储器装置的一或多个温度测量值。举例来说，处理装置可类似于上文所描述的操作205记录温度测量值。
在操作310处，处理装置确定存储器装置的温度测量值满足阈值温度值。在一些实施例中，处理装置通过比较存储器装置的温度测量值与阈值温度值并确定温度测量值高于或等于阈值温度值来确定温度测量值满足阈值温度值。在一些实施例中，处理装置通过比较存储器装置的温度测量值与阈值温度值并确定温度测量值绝对高于阈值温度值来确定温度测量值满足阈值温度值。尽管相较于阈值温度值使用温度测量值描述实施例，但若干温度测量值可用于确定满足阈值温度。举例来说，在一段时间内记录的若干温度值，例如连续温度值可各自与阈值温度值进行比较。当若干温度值中的多个温度值(例如，若干温度值的子组)满足阈值温度值时，满足阈值温度值。替代地或另外，当若干温度值的平均值满足阈值温度值时，满足所述阈值。平均值可为温度测量值的均值、温度测量值的中值、温度测量值的滚动平均值等。方法进行到操作315。
在操作315处，响应于确定存储器装置的温度测量值满足阈值温度值，处理装置延迟存储器装置中后台操作的执行，且在延迟后台操作的同时继续执行存储器装置中的一或多个主机系统操作。
图4说明计算机系统400的实例机器，在所述实例机器内可执行用于使得所述机器执行本文中所论述的方法中的任何一或多种的指令集。在一些实施例中，计算机系统400可对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，其包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)或可用于执行控制器的操作(例如，执行操作系统以执行对应于图1的温度相关操作管理器113的操作)。在替代性实施例中，机器可连接(例如，联网)到LAN、内联网、外联网和/或因特网中的其它机器。机器可作为对等(或分布式)网络环境中的对等机器或作为云计算基础设施或环境中的服务器或客户端机器而以客户端-服务器网络环境中的服务器或客户端机器的容量进行操作。
所述机器可为个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、网络器具、服务器、网络路由器、交换机或桥接器，或能够执行(依序或以其它方式)指定待由所述机器采取的动作的指令集的任何机器。另外，尽管说明单个机器，但还应认为术语“机器”包含机器的任何集合，所述集合单独地或共同地执行一(或多)个指令集以执行本文中所论述的方法中的任何一或多种。
实例计算机系统400包含处理装置402、主存储器404(例如，只读存储器(ROM)、快闪存储器、例如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等动态随机存取存储器(DRAM))、静态存储器406(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(SRAM)等)，以及数据存储系统418，其经由总线430彼此通信。
处理装置402表示一或多个通用处理装置，例如，微处理器、中央处理单元等。更特定来说，处理装置可以是复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置402也可以是一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器等。处理装置402被配置成执行指令426以用于执行本文中所论述的操作和步骤。计算机系统400可进一步包含网络接口装置408以经由网络420进行通信。
数据存储系统418可包含机器可读存储媒体424(也称为计算机可读媒体)，其上存储有一或多个指令426集或体现本文中所描述的任何一或多种方法或功能的软件。指令426还可在其由计算机系统400执行期间完全或至少部分地驻留在主存储器404内和/或处理装置402内，主存储器404和处理装置402还构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体424、数据存储系统418和/或主存储器404可对应于图1的存储器子系统110。
在一个实施例中，指令426包含实施对应于温度相关操作管理器(例如，图1的温度相关操作管理器113)的功能性的指令。尽管在实例实施例中机器可读存储媒体424展示为单个媒体，但是应认为术语“机器可读存储媒体”包含存储一或多个指令集的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”还应被认为包含能够存储或编码供机器执行的指令集且使得机器执行本公开的方法中的任何一或多种的任何媒体。因此，应认为术语“机器可读存储媒体”包含但不限于固态存储器、光学媒体和磁性媒体。
已在针对计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示方面呈现了先前详细描述的一些部分。这些算法描述和表示是数据处理领域的技术人员用以将其工作的主旨最有效地传达给所属领域的其它技术人员的方式。在本文中，且一般将算法构想为产生所要结果的操作的自洽序列。操作是要求对物理量进行物理操纵的操作。通常(但未必)，这些量采用能够存储、组合、比较以及以其它方式操纵的电或磁信号的形式。已经证实，主要出于常用的原因，将这些信号称为位、值、元素、符号、字符、项、编号等有时是便利的。
然而，应牢记，所有这些和类似术语将与适当物理量相关联，且仅仅为应用于这些量的便利标记。本公开可以指将计算机系统的寄存器和存储器内的表示为物理(电子)数量的数据操纵和变换为计算机系统存储器或寄存器或其它这类信息存储系统内的类似地表示为物理数量的其它数据的计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程。
本公开还涉及用于执行本文中的操作的设备。此设备可以出于既定目的而专门构造，或其可包含由存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。举例来说，计算机系统或其它数据处理系统(例如，控制器115)可响应于其处理器执行存储器或其它非暂时性机器可读存储媒体中含有的计算机程序(例如，指令的序列)而实行计算机实施方法200和300。这种计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，例如但不限于任何类型的盘，包含软盘、光盘、CD-ROM以及磁性光盘、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡，或适合于存储电子指令的任何类型的媒体，其各自耦合到计算机系统总线。
本文中呈现的算法和显示器在本质上并不与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可与根据本文中的教示的程序一起使用，或其可证明构造更专用的设备来执行方法是方便的。将如下文描述中所阐述的那样来呈现各种这些系统的结构。另外，未参考任何特定编程语言来描述本公开。应了解，可使用各种编程语言来实施如本文中所描述的本公开的教示内容。
本公开可提供为计算机程序产品或软件，其可包含在其上存储有可用于编程计算机系统(或其它电子装置)以执行根据本公开的过程的指令的机器可读媒体。机器可读媒体包含用于可以机器(例如，计算机)读取的形式存储信息的任何机制。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。
在前述说明书中，本公开的实施例已经参考其特定实例实施例进行描述。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广精神和范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，应在说明性意义上而非限制性意义上看待说明书和图式。

Claims (20)

1.一种方法，其包括：
记录存储器装置的一或多个温度测量值；
确定所述存储器装置的温度测量值满足阈值温度值；以及
响应于确定所述存储器装置的所述温度测量值满足所述阈值温度值，延迟所述存储器装置中后台操作的执行，其中在延迟所述后台操作的执行的同时继续执行所述存储器装置中的一或多个主机系统操作。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
确定所述存储器装置的另一温度测量值不满足所述阈值温度值；和
响应于确定所述存储器装置的所述另一温度不满足所述阈值温度值，恢复所述后台操作的执行。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
基于所述存储器装置的多个记录温度测量值而更新所述阈值温度值。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述后台操作为擦除操作。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述后台操作为编程操作。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述后台操作为垃圾收集过程的部分。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述后台操作为用于将存储器的一部分从第一存储器单元位密度重新配置到第二存储器单元位密度的过程的部分。
8.一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时使得所述处理装置：
记录存储器装置的一或多个温度测量值；
确定所述存储器装置的温度测量值满足阈值温度值；以及
响应于确定所述存储器装置的所述温度测量值满足所述阈值温度值，延迟所述存储器装置中后台操作的执行，其中在延迟所述后台操作的执行的同时继续执行所述存储器装置中的一或多个主机系统操作。
9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述处理装置进一步进行以下操作：
确定所述存储器装置的另一温度测量值不满足所述阈值温度值；和
响应于确定所述存储器装置的所述另一温度不满足所述阈值温度值，恢复所述后台操作的执行。
10.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述处理装置进一步进行以下操作：
基于所述存储器装置的多个记录温度测量值而更新所述阈值温度值。
11.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述后台操作为擦除操作。
12.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述后台操作为编程操作。
13.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述后台操作为垃圾收集过程的部分。
14.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述后台操作为用于将存储器的一部分从第一存储器单元位密度重新配置到第二存储器单元位密度的过程的部分。
15.一种系统，其包括：
存储器装置；和
处理装置，其与所述存储器装置以操作方式耦合以：
记录存储器装置的一或多个温度测量值；
确定所述存储器装置的温度测量值满足阈值温度值；
响应于确定所述存储器装置的所述温度测量值满足所述阈值温度值，延迟所述存储器装置中后台操作的执行，其中在延迟所述后台操作的执行的同时继续执行所述存储器装置中的一或多个主机系统操作；
确定所述存储器装置的另一温度测量值不满足所述阈值温度值；以及
响应于确定所述存储器装置的所述另一温度不满足所述阈值温度值，恢复所述后台操作的执行。
16.根据权利要求15所述的系统，其中所述处理装置进一步用以：
基于所述存储器装置的多个记录温度测量值而更新所述阈值温度值。
17.根据权利要求15所述的系统，其中所述后台操作为擦除操作。
18.根据权利要求15所述的系统，其中所述后台操作为编程操作。
19.根据权利要求15所述的系统，其中所述后台操作为垃圾收集过程的部分。
20.根据权利要求15所述的系统，其中所述后台操作为用于将存储器的一部分从第一存储器单元位密度重新配置到第二存储器单元位密度的过程的部分。
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