CN115079339A - 包括辅助耦合区域的波分复用滤波器 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及包括辅助耦合区域的波分复用滤波器，揭示了一种用于波分复用滤波器的结构和形成用于波分复用滤波器的结构的方法。该波分复用滤波器的波导芯包括具有第一曲率的第一弯曲部和具有不同于该第一曲率的第二曲率的第二弯曲部。该结构还包括波导芯区域，该波导芯区域具有第一端面、第二端面和设置在该第一端面和该第二端面间的弯曲部。该弯曲部以重叠关系位于该波导芯的该第一弯曲部上方。
Description
技术领域
本发明涉及光子学芯片，并且更具体地，涉及波分 (wavelength-division)复用滤波器的结构和形成波分复用滤波器的结 构的方法。
背景技术
光子学芯片用于许多应用中，例如数据通信系统和数据计算系 统。光子学芯片将光组件(例如波导、光开关、耦合器和调制器)和 电子组件(例如场效应晶体管)单片集成到统一平台中。除其他因素 外，通过在同一芯片上集成两种类型的组件，可以减少布局面积、成 本和运营开销。
波分复用是一种将多个数据流复用到单个光链路上的技术。在波 分复用方案中，一组数据流被编码到光载波信号上，每个数据流使用 不同波长的激光。然后，各个数据流的这些光载波信号由波分复用滤 波器进行组合，该波分复用滤波器具有用于每个波长的数据流的专用 输入和单个输出，各个数据流在该输出处组合(即，多路复用)成单 个多波长数据流，以便通过单个光链路进一步传输。在光数据链路的 接收器侧，相同类型但反向使用的波分复用滤波器将各个数据流的光 载波信号分离(即，解复用)，分离的光载波信号可以被路由到相应的 光电探测器。
波分复用滤波器可能依赖于在硅基光子技术中实现的级联马赫- 曾德尔干涉仪(Mach–Zehnder interferometer,MZI)。由于硅表现出 微弱的电光效应，马赫-曾德尔干涉仪的特点是大形状因子(form factor)，且具有双臂形式排列的长硅基移相器。马赫-曾德尔干涉仪 受到沿臂不同位置的横截面变化所引起的线宽变化和光谱偏移的影 响。马赫-曾德尔干涉仪的特征还在于与波长相关的光功率分束比。
由于硅的相对高的热光学系数，由硅制造的波分复用滤波器对温 度变化敏感，这可能导致相位误差。电阻加热器可用于提供旨在补偿 温度移动的热调谐。然而，电阻加热器的添加增加了芯片制造的复杂 性，并且由于需要控制电阻加热器的操作而增加了操作开销的复杂 性。此外，电阻加热器需要消耗大量的电能来为温度移动控制提供必 要的加热。
因此，需要改进的波分复用滤波器结构和形成波分复用滤波器结 构的方法。
发明内容
在本发明的一个实施例中，提供一种用于波分复用滤波器的结 构，该结构包括波导芯，该波导芯包括具有第一曲率的第一弯曲部和 具有不同于该第一曲率的第二曲率的第二弯曲部。该结构还包括波导 芯区域，该波导芯区域具有第一端面、第二端面和设置在该第一端面 和该第二端面之间的弯曲部。该弯曲部以重叠关系(overlappingrelationship)位于该波导芯的该第一弯曲部上方。
在本发明的一个实施例中，提供一种形成用于波分复用滤波器的 结构的方法。该方法包括：形成波导芯，该波导芯包括具有第一曲率 的第一弯曲部和具有不同于该第一曲率的第二曲率的第二弯曲部，以 及形成波导芯区域，该波导芯区域包括第一端面、第二端面和设置在 该第一端面和该第二端面之间的弯曲部。该弯曲部以重叠关系位于该 波导芯的该第一弯曲部上方。
附图说明
包含在本说明书中并构成本说明书一部分的附图示出了本发明的 各种实施例，并且与上面给出的本发明的一般描述和下面给出的实施 例的详细描述一起用于说明本发明的实施例。在附图中，相同的附图 标记表示不同视图中的相同特征。
图1是根据本发明实施例的处理方法的初始制造阶段的结构的俯 视图。
图2是图1的结构的一部分的放大俯视图。
图3是大致沿图2中的线3-3截取的截面图。
图3A是大致沿图2中的线3A-3A截取的截面图。
图4是图1的结构的一部分的放大俯视图。
图5是大致沿图4中的线5-5截取的截面图。
图5A是大致沿图4中的线5A-5A截取的截面图。
图6和图8分别是图2和图4的结构在图1之后的后续制造阶段 的俯视图。
图7是大致沿图6中的线7-7截取的结构的截面图。
图7A是大致沿图6中的线7A-7A截取的结构的截面图。
图9是大致沿图8中的线9-9截取的结构的截面图。
图9A是大致沿图8中的线9A-9A截取的结构的截面图。
具体实施方式
请参照图1、图2、图3、图3A、图4、图5、图5A，并且根据本 发明的实施例，波分复用滤波器的结构10包括位于介电层80上方的 波导芯12、14、16、18。波导芯12、14、16、18提供结构10的臂， 其在结构10的布局内呈弯曲路径路由。波导芯12可以向结构10提供 解复用滤波器的输入，且由波导芯12、14界定的臂同步起伏，以提供 结构10的初始阶段。波导芯12的参与初始阶段的部分提供从结构10 的初始阶段到后续阶段的输入，该后续阶段进一步包括波导芯16的一 部分。波导芯14的参与结构10的初始阶段的的部分提供从结构10的 初始阶段到另一个后续阶段的输入，该另一个后续阶段进一步包括波 导芯18的一部分。参与结构10的初始阶段的波导芯14的部分在一端 由光终端器74终止。类似地，参与结构10的后续阶段的波导芯16、 18的部分在一端由各自的光终端器76、78终止。初始阶段以级联方式连接到后续阶段。或者，结构10可以被配置为初始阶段和后续阶段反 转以复用光载波信号而不是解复用光载波信号。
波导芯12、14、16、18可由高折射率材料构成。在一个实施例中， 波导芯12、14、16、18可以由折射率在三到四的范围内的材料构成。 在一个实施例中，波导芯12、14、16、18可以由单晶半导体材料组成， 例如从绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)衬底的器件层通过光 刻和蚀刻工艺图案化的单晶硅。该绝缘体上硅衬底还包括由提供介电 层80的介电材料(例如二氧化硅)构成的埋入绝缘体层，以及由单晶 半导体材料(例如单晶硅)构成的处理衬底82，处理衬底82位于该 埋入绝缘体层下方。
波导芯12包括弯曲部20、22，所述弯曲部表示沿着纵向轴线21 以连续方式连接的弯曲段，纵向轴线21随着弯曲部20、22的曲率变 化而改变方向。波导芯14包括弯曲部24、26，所述弯曲部表示沿着纵 向轴线25以连续方式连接的弯曲段，纵向轴线25随着弯曲部24、26 的曲率变化而改变方向。波导芯12的弯曲部20和波导芯14的弯曲部 24配对以提供结构10的定向耦合区域。更具体地，波导芯12的弯曲 部20被路由接近波导芯14的弯曲部24，两者的接近度可允许光耦合， 所述光耦合可以与波长无关(wavelengthindependent)。波导芯12的 弯曲部22和波导芯14的弯曲部26也以互补方式配对，且提供结构10 的波长分离区域。特别地，波导芯12的弯曲部22和波导芯14的弯曲 部26通过产生合适的相移和自由光谱范围来分离具有多个波长的输入 光信号的不同频率/波长组分。
弯曲部20和弯曲部22沿着波导芯12的纵向轴线21排列，且弯 曲部24和弯曲部26沿着波导芯14的纵向轴线25排列。弯曲部20 的曲率与弯曲部22不同，类似地，弯曲部24的曲率与弯曲部26不同。 弯曲部20、22中的每一个均可以在180°的弧长上延伸，且因此均可以将波导芯12中光信号的传播方向改变180°。弯曲部24、26中的每 一个均可以在180°的弧长上延伸，且因此均可以将波导芯14中光信 号的传播方向改变180°。
每个弯曲部20的特征在于转折点52，弯曲部20的曲率函数的导 数在转折点52处等于0。类似地，每个弯曲部24的特征在于转折点 54，弯曲部24的曲率函数的导数在转折点54处等于0。弯曲部20的 转折点52和弯曲部24的转折点54由间隙G相隔，间隙G的宽度尺寸可促进结构10的耦合区域中的光耦合。在一个实施例中，弯曲部20 的曲率可以视为是凸的，且弯曲部24的曲率可以视为是凸的，且每对 相邻的弯曲部20、24的转折点52、54均相邻设置。
弯曲部22可以具有宽度Wl，且弯曲部20可以具有小于宽度Wl 的宽度W2。弯曲部26可以具有宽度W3，且弯曲部24可以具有小于宽 度W3的宽度W4。在一个实施例中，窄化部(taper)28将弯曲部22接合 到弯曲部20，窄化部28的宽度尺寸从宽度W1逐渐变细到宽度W2，且 窄化部30将弯曲部26接合到弯曲部24，窄化部30的宽度尺寸从宽度 W3逐渐变细到宽度W4。窄化部28可以提供适应和补偿弯曲部20和弯 曲部22之间的宽度变化的相位延迟区域。窄化部30可以提供适应和 补偿弯曲部24和弯曲部26之间的宽度变化的相位延迟区域。窄化部 28、30提供的宽度补偿可以确保光谱不因不同宽度尺寸的波导段之间 的过渡而改变。可为每个波导芯12、14选择窄化部的长度L，以使每 个窄化部所造成的相变相等。
波导芯16的构造与波导芯12的构造相似或相同，其具有如针对 波导芯12所述的耦合区域和分离区域。具体地，结构10的波导芯16 包括弯曲部60及弯曲部64，弯曲部60与波导芯12的弯曲部20相似 或相同，弯曲部64与波导芯12的弯曲部24相似或相同。波导芯18的构造与波导芯14的构造相似或相同，其具有如针对波导芯14所述 的耦合区域和分离区域。具体地，结构10的波导芯18包括与波导芯 14的弯曲部24、26类似的弯曲部。
在用作解复用滤波器时，包含不同波长的混合光信号32(例如， 包含四种不同波长λ1、λ2、λ3、λ4的光信号32)的激光可以在 光子学芯片上被波导芯12引导至结构10。结构10可以根据波长分离 混合光信号32，且分离所得的按照波长分组的光信号33、34可以通过波导芯12、14、16、18其中一者离开结构10。在初始阶段，可以从光 信号32中分离出特定波长(例如λ1、λ3)的光功率，再将所述光功 率从波导芯12传输到波导芯14，且作为光信号33输入到包括波导芯 18的后续阶段，而其他波长(例如λ2、λ4)的光信号34的光功率 继续由波导芯12导引。在后续阶段，可以将特定波长(例如λ2)的 光信号33的光功率从波导芯12分离并传输到波导芯14，并将特定波 长(例如λ1)的光信号34的光功率从波导芯14分离并传输到波导芯 18。或者，也可以反向使用结构10，以将各个数据流的光载波信号复 用为包含不同波长的混合光信号32的组合数据流。
请参照图6、图7、图7A、图8、图9、图9A，且根据本发明的实 施例，介电层35被沉积并且相对于波导芯12、14、16、18平坦化， 且介电层36被沉积在介电层35上方，以覆盖波导芯12、14、16、18。 介电层35可以由介电材料组成，该介电材料例如二氧化硅，其通过化 学气相沉积而沉积形成，且被平坦化以消除形貌。介电层36可以由介 电材料组成，该介电材料例如二氧化硅，其通过化学气相沉积而沉积 形成。介电层36相对于波导芯12、14、16、18的顶面可以具有均匀 或基本均匀的厚度。
波导芯区域40包括弯曲部42，弯曲部42形成于结构10的耦合区 域中的波导芯12的弯曲部20上方的介电层36上，且波导芯区域44 包括弯曲部46，弯曲部46形成于结构10的耦合区域中的波导芯14 的弯曲部24上方的介电层36上。波导芯区域40、44可以由介电材料构成，该介电材料例如氮化硅，其具有不同于介电层36的组成。可以 对介电材料的沉积层进行光刻和蚀刻工艺以图案化该沉积层，从而形 成波导芯区域40、44。介电层36在弯曲部42、46和弯曲部20、22 之间沿垂直方向设置。
波导芯区域40的彼此不相连的弯曲部42设置在波导芯12的弯曲 部20上方，且与弯曲部20重叠。在一个实施例中，弯曲部42可以居 中设置在弯曲部20上方。每个波导芯区域40可以沿纵向轴线66延伸 并且终止于相对端43，波导芯区域40的窄化部48接合到弯曲部42。 每个波导芯区域40在其各自的相对端43处被截断，以避免窄化部48 与其下方的波导芯12的弯曲部22有任何重叠。在一个实施例中，窄 化部48可以设置在窄化部28上方并与窄化部28重叠。窄化部48沿 着每个弯曲部42的纵向轴线66的宽度尺寸变化或逐渐收窄可以和窄 化部28沿着波导芯12的纵向轴线21的宽度尺寸变化相反。
波导芯区域40的弯曲部42可以具有与弯曲部20相似的曲率。在 一个实施例中，弯曲部42可以具有与弯曲部20相同或相等的曲率， 且因此，弯曲部42与波导芯12的弯曲部20完全重叠。在一个替代实 施例中，弯曲部42可以具有基本上与弯曲部20相等的曲率。在一个 实施例中，弯曲部42的宽度尺寸可以等于弯曲部20的宽度尺寸。在 一个替代实施例中，弯曲部42的宽度尺寸可以基本上等于弯曲部20 的曲率的宽度尺寸。在一个实施例中，弯曲部42的弯曲长度可以等于 弯曲部20的曲率的弯曲长度。在一个替代实施例中，弯曲部42的弯 曲长度可以基本上等于弯曲部20的曲率的弯曲长度。
彼此分离的波导芯区域44的弯曲部46位于波导芯14的弯曲部24 上方，且与弯曲部26重叠。在一个实施例中，弯曲部46可以居中设 置在弯曲部24上方。各波导芯区域44可沿纵向轴线68延伸并且终止 于相对端45，波导芯区域44的窄化部50接合到弯曲部46。每个波导 芯区域44在其各自的相对端45处被截断，以避免窄化部50与其下方 的波导芯14的弯曲部26有任何重叠。在一个实施例中，窄化部50可 以设置在窄化部30上方并与窄化部30重叠。窄化部50沿着每个弯曲 部46的纵向轴线68的宽度尺寸变化或逐渐收窄可以和窄化部30沿着 波导芯14的纵向轴线25的宽度尺寸变化相反。
波导芯区域44的弯曲部46可以具有与弯曲部24相似的曲率。在 一个实施例中，弯曲部46可以具有与弯曲部24相同或相等的曲率， 且因此，弯曲部46与波导芯14的弯曲部24完全重叠。在一个替代实 施例中，弯曲部46可以具有基本上与弯曲部24相等的曲率。在一个 实施例中，弯曲部46的宽度尺寸可以等于弯曲部24的宽度尺寸。在 一个替代实施例中，弯曲部46的宽度尺寸可以基本上等于弯曲部24 的曲率的宽度尺寸。在一个实施例中，弯曲部46的弯曲长度可以等于 弯曲部24的曲率的弯曲长度。在一个替代实施例中，波导芯区域44 的弯曲长度可以基本上等于弯曲部24的曲率的弯曲长度。
每个弯曲部42的特征在于转折点56，在该转折点处，该凹形的外 半径的曲率函数的导数等于0。类似地，每个弯曲部46的特征在于转 折点58，在该转折点处，该凹形的外半径的曲率函数的导数等于0。 在一个实施例中，每个弯曲部42的转折点56可以和多个弯曲部46之 一的转折点58间隔设置，且其间隔为间隙G。在一个实施例中，每个 弯曲部42的转折点56可以和间隙G另一侧的多个弯曲部46之一的 转折点58对齐。在一个实施例中，每个弯曲部42的转折点56可 以位于多个弯曲部20之一的转折点52正上方。在一个实施例中，每个弯曲部46的转折点58可以位于多个弯曲部24之一的转折点54 正上方。弯曲部42与弯曲部46相邻设置，且它们各自的转折点56、 58以弯曲部42、46之间的最小间隔距离分隔，在一个实施例中，该最 小间隔距离的尺寸可以等于间隙G(图1)的宽度尺寸。在一个实施例 中，弯曲部42的曲率可以视为是凸的，且弯曲部46的曲率可以视为 是凸的，且每对相邻的弯曲部42、46的转折点56、58均相邻设置。
弯曲部20上方的波导芯区域40的弯曲部42和弯曲部24上方的 波导芯区域44的弯曲部46以不同成分(例如，硅和氮化硅)的堆 叠材料建立与波长无关(wavelengthindependent)的耦合器，而为结 构10提供了耦合区域。除了可以通过选择弯曲部20、24的形状和尺 寸而提供的调谐之外，波导芯区域40、44还允许待调谐的波导芯12、 14之间的光耦合和相互作用。波导芯区域40、44可以降低限制并降低 有效热光系数，从而使结构10不仅对于制造误差更稳健，而且对于温 度变化更稳健。
类似于波导芯区域40、44的波导芯区域(未示出)可以位在波导 芯16、18的耦合区域上方。
可以在波导芯区域40、44上方进行后端处理(back-end-of-line processing)以形成后端堆叠(back-end-of-line stack)70。后端堆 叠70可以包括由一种或多种介电材料组成的一个或多个层间介电层， 该介电材料例如二氧化硅。
在本说明书所述的任何实施例中，结构10均可集成到光子学芯片 中，该光子学芯片可以包括电子组件和除结构10之外的附加光学组 件。该电子组件可以包括例如场效应晶体管，该场效应晶体管可以使 用绝缘体上硅衬底的器件层且通过互补金属氧化物半导体(CMOS)处理 制造。后端堆叠70可以包括连接到该场效应晶体管和电有源(electrically-active)光学组件的金属线、通孔和接触点。
上述方法用于制造集成电路芯片。所得的集成电路芯片可由制造 商以原始晶片形式(例如，作为具有多个未封装芯片的单个晶片)、以 裸片形式或以封装形式发售。芯片可以与其他芯片、分立电路元件和/ 或其他信号处理器件集成，以作为中间产品或最终产品的一部分。该 最终产品可以是包括集成电路芯片的任何产品，例如具有中央处理器 的计算机产品或智能手机。
本说明书中被例如“大约”、“大致”和“基本上”等近似语修 饰的用语不限于指定的精确值。近似语可以对应于用于测量数值的仪 器的精度，且除非以另外方式依赖于仪器的精度，否则近似语可以表 示所述数值的+/-10％。
本说明书中的诸如“垂直”、“水平”等用语是作为示例而非限 制，以建立参考框架。本说明书中的用语“水平”係定义为平行于半 导体衬底的常规平面的平面，而不管其实际的三维空间方向。用语“垂 直”和“正交”指的是垂直于上述定义的“水平”的方向。用语“横 向”是指水平面内的方向。
与另一特征“连接”或“耦合”的特征可直接连接或耦合该另一 特征，或者替代地，可存在一个或多个居间特征。如果不存在居间特 征，则一个特征可以与另一特征“直接连接”或“直接耦合”。如果 存在至少一个居间特征，则一个特征可以与另一特征“间接连接”或 “间接耦合”。“在”另一特征上或“接触”另一特征的特征可直接 在该另一特征上或直接接触该另一特征，或者替代地，可存在一个或 多个居间特征。如果不存在居间特征，则该特征可以“直接在”另一 特征上或与另一特征“直接接触”。如果存在至少一个居间特征，则一个特征可以“间接在”另一特征上或与另一特征“间接接触”。如 果一个特征通过直接接触或间接接触而延伸到另一特征上并覆盖该另 一特征的一部分，则不同的特征可能重叠。
本发明的各实施例的描述是出于说明目的而非旨在穷举或限制所 公开的实施例。在不脱离所述实施例的范围和精神的情况下，许多修 改和变化对于本领域技术人员来说是显而易见的。本说明书选择的用 语能最好地说明实施例的原理、实际应用、或对市场中现有技术的改 进，或使本领域其他技术人员能理解本说明书公开的实施例。
Claims (20)
1.一种用于波分复用滤波器的结构，该结构包括：
第一波导芯，包括具有第一曲率的第一弯曲部和具有不同于该第一曲率的第二曲率的第二弯曲部；以及
第一波导芯区域，包括第一端面、第二端面和设置在该第一端面和该第二端面间的弯曲部，该弯曲部以重叠关系位于该第一波导芯的该第一弯曲部上方。
2.如权利要求1所述的结构，还包括：
第二波导芯，包括具有第一曲率的第一弯曲部和具有不同于该第一曲率的第二曲率的第二弯曲部，该第二波导芯的该第一弯曲部与该第一波导芯的该第一弯曲部相邻，且该第二波导芯的该第一弯曲部与该第一波导芯的该第一弯曲部被一间隙分隔。
3.如权利要求2所述的结构，还包括：
第二波导芯区域，包括第一端面、第二端面和设置在该第一端面和该第二端面间的弯曲部，该第二波导芯区域的该弯曲部以重叠关系位于该第二波导芯的该第一弯曲部上方。
4.如权利要求3所述的结构，其中，该第一波导芯区域的该弯曲部具有第一曲率，该第一曲率具有第一转折点，该第二波导芯区域的该弯曲部具有第二曲率，该第二曲率具有第二转折点，并且该第一转折点跨过该间隙与该第二转折点对齐。
5.如权利要求3所述的结构，其中，该第一波导芯区域的该弯曲部位于该第一波导芯的该第一弯曲部上方中间，且该第二波导芯区域的该弯曲部位于该第二波导芯的该第一弯曲部上方中间。
6.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯由硅构成，且该第一波导芯区域由氮化硅构成。
7.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯区域的该弯曲部位于该第一波导芯的该第一弯曲部上方中间。
8.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯的该第一弯曲部具有第一宽度，该第一波导芯的该第二弯曲部具有大于该第一宽度的第二宽度，且该第一波导芯包括连接该第一弯曲部和该第二弯曲部的窄化部。
9.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯区域包括与该第一端面相邻的第一窄化部和与该第二端面相邻的第二窄化部。
10.如权利要求9所述的结构，其中，该第一窄化部在该第一波导芯区域的该第一端面终止该第一波导芯区域，且该第二窄化部在该第一波导芯区域的该第二端面终止该第一波导芯区域。
11.如权利要求9所述的结构，其中，该第一波导芯的该第一弯曲部具有第一宽度，该第一波导芯的该第二弯曲部具有大于该第一宽度的第二宽度，该第一波导芯包括连接该第一弯曲部与该第二弯曲部的窄化部，且该第一波导芯的该第一窄化部与该第一波导芯的该窄化部重叠。
12.如权利要求1所述的结构，还包括：
介电层，位于该第一波导芯和该第一波导芯区域间。
13.一种形成用于波分复用滤波器的结构的方法，该方法包括：
形成第一波导芯，该第一波导芯包括具有第一曲率的第一弯曲部和具有不同于该第一曲率的第二曲率的第二弯曲部；以及
形成第一波导芯区域，该第一波导芯区域包括第一端面、第二端面和设置在该第一端面和该第二端面间的弯曲部，
其中，该弯曲部以重叠关系位于该第一波导芯的该第一弯曲部上方。
14.如权利要求13所述的方法，还包括：
形成第二波导芯，该第二波导芯包括具有第一曲率的第一弯曲部和具有不同于该第一曲率的第二曲率的第二弯曲部，
其中，该第二波导芯的该第一弯曲部与该第一波导芯的该第一弯曲部相邻，且该第二波导芯的该第一弯曲部与该第一波导芯的该第一弯曲部被一间隙分隔。
15.如权利要求14所述的方法，还包括：
形成第二波导芯区域，该第二波导芯区域包括第一端面、第二端面和设置在该第一端面和该第二端面间的弯曲部，
其中，该第二波导芯区域的该弯曲部以重叠关系位于该第二波导芯的该第一弯曲部上方。
16.如权利要求15所述的方法，其中，该第一波导芯区域的该弯曲部具有第一曲率，该第一曲率具有第一转折点，该第二波导芯区域的该弯曲部具有第二曲率，该第二曲率具有第二转折点，并且该第一转折点跨过该间隙与该第二转折点对齐。
17.如权利要求15所述的方法，其中，该第一波导芯区域的该弯曲部位于该第一波导芯的该第一弯曲部上方中间，且该第二波导芯区域的该弯曲部位于该第二波导芯的该第一弯曲部上方中间。
18.如权利要求13所述的方法，其中，介电层位于该第一波导芯和该第一波导芯区域间。
19.如权利要求13所述的方法，其中，该第一波导芯的该第一弯曲部具有第一宽度，该第一波导芯的该第二弯曲部具有大于该第一宽度的第二宽度，且该第一波导芯包括连接该第一弯曲部和该第二弯曲部的窄化部。
20.如权利要求13所述的方法，其中，该第一波导芯区域包括第一窄化部和第二窄化部，该第一窄化部在该第一波导芯区域的该第一端面终止该第一波导芯区域，且该第二窄化部在该第一波导芯区域的该第二端面终止该第一波导芯区域。
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