CN115078767A - 一种具有应力释放的mems加速度计传感器敏感结构 - Google Patents

一种具有应力释放的mems加速度计传感器敏感结构 Download PDF

Info

Publication number
CN115078767A
CN115078767A CN202210554601.1A CN202210554601A CN115078767A CN 115078767 A CN115078767 A CN 115078767A CN 202210554601 A CN202210554601 A CN 202210554601A CN 115078767 A CN115078767 A CN 115078767A
Authority
CN
China
Prior art keywords
edge
sensitive structure
frame
stress release
beams
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210554601.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115078767B (zh
Inventor
刘福民
张乐民
刘国文
徐杰
徐宇新
王学锋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijign Institute of Aerospace Control Devices
Original Assignee
Beijign Institute of Aerospace Control Devices
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijign Institute of Aerospace Control Devices filed Critical Beijign Institute of Aerospace Control Devices
Priority to CN202210554601.1A priority Critical patent/CN115078767B/zh
Publication of CN115078767A publication Critical patent/CN115078767A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115078767B publication Critical patent/CN115078767B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，采用四周支撑结构支撑整个可动结构，并在四周支撑结构上下两侧中心和左右两侧中心放置应力释放梁和应力释放梁固定锚区。应力释放梁弯曲刚度远小于四周支撑结构的框架刚度，传感器所处温度变化时，由于材料热膨胀系数失配产生的热应力可通过应力释放梁释放，可显著降低中心敏感结构上所受的热应力，提高传感器输出特性的温度稳定性。

Description

一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构
技术领域
本发明属于微机电系统(MEMS)制造技术领域，具体涉及一种MEMS加速度计传感器敏感结构。
背景技术
MEMS器件是近二十年来发展起来的一种新型微机械仪表，其利用半导体工艺加工技术加工微机械结构。一种典型的MEMS器件由可动质量块结构、弹性梁、锚区、电极等构成，通过不同结构设计其可以实现对力、位移、角速度等物理量的测量，也可以实现谐振器、滤波器等功能，满足不同应用的需求。
MEMS器件通过电极控制可动MEMS结构运动，并将结构运动信号转化为电学信号，从而满足某种特定的需求。
MEMS传感器通常需要通过多层键合，将敏感结构封装在一个微腔中。封装过程中涉及多种不同材料，不同材料的热膨胀系数存在差异。当传感器所处的环境温度发生改变时，由于材料热膨胀系数差异，不同层热膨胀尺寸不同，从而在结构内部产生热失配及热应力。热应力会造成MEMS结构中弹性梁刚度发生变化，从而影响MEMS传感器工作模态，影响谐振频率，造成传感器输出特性漂移，降低传感器性能温度一致性。
发明内容
本发明解决的技术问题：本发明提出一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，降低环境温度变化过程中结构内部弹性梁上应力，提高加速度计传感器输出特性的温度稳定性。
本发明所采用的技术方案是：一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，包括四周支撑结构和中心敏感结构；
以所述MEMS加速度计传感器敏感结构的中心点为原点，以横轴、纵轴分别为X轴和Y轴建立坐标系；
四周支撑结构包括边缘Y向应力释放梁固定锚区、边缘Y向应力释放梁、边缘Y向边框、边缘X向应力释放梁固定锚区、边缘X向应力释放梁和边缘X向边框；
所述边缘Y向边框、边缘X向边框相互连接形成方框形框架，边缘Y向边框关于X轴对称，边缘X向边框关于Y轴对称；所述边缘Y向应力释放梁固定锚区通过两侧的边缘Y向应力释放梁与边缘Y向边框连接，边缘Y向应力释放梁固定锚区位于边缘Y向边框中点处；所述边缘X向应力释放梁固定锚区通过两侧的边缘X向应力释放梁与所述边缘X向边框连接，所述边缘X向应力释放梁固定锚区位于边缘X向边框中点处；
中心敏感结构包括第一弹性梁、敏感结构框架、敏感结构框架梳齿、检测梳齿、检测梳齿锚区和第二弹性梁；
所述敏感结构框架通过若干组第一弹性梁及第二弹性梁与所述四周支撑结构连接，位于边缘Y向边框和边缘X向边框构成的方框形框架内；所述敏感结构框架中包括若干框格；敏感结构框架梳齿、检测梳齿锚区位于敏感结构框架中的各框格中；所述检测梳齿连接在检测梳齿锚区上，沿检测梳齿锚区的两侧依次排列，所述敏感结构框架梳齿沿敏感结构框架的框格的两条平行边依次排列；敏感结构框架梳齿和检测梳齿交错排列，所述各检测梳齿及敏感结构框架梳齿方向平行，检测梳齿与敏感结构框架梳齿构成变间隙的检测电容结构。
进一步的，所述具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，还包括衬底，边缘Y向应力释放梁固定锚区、边缘X向应力释放梁固定锚区和检测梳齿锚区固定在衬底上，衬底的材料为硅或者玻璃材料。
进一步的，所述边缘Y向应力释放梁、边缘X向应力释放梁各四组，分别位于各象限，每组应力释放梁为单根梁或多根梁并联。所述边缘Y向应力释放梁和边缘X向应力释放梁为一端固定、另一端导向的弹性梁，为等宽度弹性梁或不等宽度弹性梁；所述边缘Y向应力释放梁中单根梁宽不小于5μm，梁长不大于边缘Y向边框的1/2；所述边缘X向应力释放梁中单根梁宽不小于5μm，梁长不大于边缘Y向边框的1/2。
进一步的，所述敏感结构框架为方框形、田字形或n×m的窗格型，m、n均为正整数。
进一步的，所述第一弹性梁位于所述中心敏感结构的四角，为U型弹性梁。
进一步的，所述第二弹性梁位于所述中心敏感结构的两条平行的侧边，为山字型弹性梁。
进一步的，所述第一弹性梁和第二弹性梁的方向平行。
进一步的，边缘Y向应力释放梁和边缘X向应力释放梁的弯曲刚度小于边缘Y向边框和边缘X向边框的框架刚度的1/100。
当所述中心敏感结构受到加速度时，敏感结构框架和敏感结构框架梳齿产生位移，造成检测电容变化，并通过CV电路转化为电信号。
当所述MEMS加速度计传感器敏感结构所处环境温度变化时，尺寸热胀冷缩；由于所述衬底和所述四周支撑结构、中心敏感结构的热膨胀系数差异造成热应力，通过边缘Y向应力释放梁和边缘X向应力释放梁形变得到热应力释放。
本发明与现有技术相比的有益效果是：
当结构所处环境温度发生变化时，材料会产生热胀冷缩。若与固定锚区相连的基板与敏感结构材料热膨胀系数不相同，会在敏感结构中引入热应力。本发明中采用四周支撑结构，支撑整个可动结构，并在四周支撑结构上下两侧中心和左右两侧中心放置应力释放梁和应力释放梁固定锚区。当材料热胀冷缩时，且敏感结构与基板热膨胀系数不同时，由于敏感结构为中心对称结构，敏感结构与基板X方向热膨胀尺寸的差异会造成边缘X向应力释放梁弯曲形变，Y方向热膨胀尺寸的差异会造成边缘Y向应力释放梁弯曲形变。由于应力释放梁弯曲刚度远小于四周支撑结构的框架刚度，因此显著降低了四周支撑结构的框架及框架内部的中心敏感结构上所受的热应力，降低环境温度变化过程中结构内部弹性梁上的热应力，提高传感器输出特性的温度稳定性。
附图说明
图1是本发明具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构示意图。
具体实施方式
结合附图对本发明进行进一步说明。
如图1所示，一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，包括四周支撑结构、衬底和中心敏感结构；以MEMS加速度计传感器敏感结构中心为原点，以横轴为X轴、以纵轴为Y轴，建立X-Y坐标系，四周支撑结构包括边缘Y向应力释放梁固定锚区1、边缘Y向应力释放梁2、边缘Y向边框3、边缘X向应力释放梁固定锚区4、边缘X向应力释放梁5、边缘X向边框6；中心敏感结构包括第一弹性梁7、第二弹性梁12、敏感结构框架8、敏感结构框架梳齿9、检测梳齿10、检测梳齿锚区11。
所述MEMS加速度计传感器敏感结构关于X轴上下对称，关于Y轴左右对称；
所述边缘Y向应力释放梁固定锚区1、边缘X向应力释放梁固定锚区4各两组，分别位于Y轴和X轴上；所述边缘Y向应力释放梁2、边缘X向应力释放梁5各四组，分别位于各象限，每组应力释放梁可为单根梁或多根梁并联；所述边缘Y向边框3、边缘X向边框6各两组，分别位于结构上下两侧和左右两侧。
所述边缘Y向边框3、边缘X向边框6相互连接形成方框形框架；
所述边缘Y向边框3通过边缘Y向应力释放梁2与边缘Y向应力释放梁固定锚区1连接；
所述边缘X向边框6通过边缘X向应力释放梁5与边缘Y向应力释放梁固定锚区4连接。
所述边缘Y向应力释放梁2与边缘X向应力释放梁5为一端固定，一端导向(端点处切线角度保持不变)的弹性梁，其可为等宽度弹性梁或不等宽度弹性梁。边缘Y向应力释放梁2和边缘X向应力释放梁5的弯曲刚度小于边缘Y向边框3和边缘X向边框6的弯曲刚度的百分之一。对于等宽度的一端固定一端导向弹性梁，其刚度K＝EDW3/L3，E为材料杨氏模量，D为弹性梁厚度，W为弹性梁宽度，L为弹性梁长度。对于不等宽度弹性梁其刚度可通过软件仿真得到或借助Mathematica通过材料力学中的能量法计算得到，其公式为
Figure BDA0003651857550000051
其中，U为弹性梁总形变能，M(x)为力矩，I(x)为距弹性梁固定端距离为x处截面惯性距，Δ为端点位移，F为端点处受力，K为弹性梁刚度。
当边缘Y向应力释放梁2与边缘X向应力释放梁5为N组并联的弹性梁时，其并联后总刚度为各弹性梁刚度之和。
所述边缘Y向应力释放梁2，其单根梁宽不小于5μm，梁长不大于边缘Y向边框3的二分之一。所述边缘X向应力释放梁5，其单根梁宽不小于5μm，梁长不大于边缘Y向边框6的二分之一。
所述中心敏感结构中敏感结构框架8为方框形、田字形或n×m的窗格型；所述敏感结构框架梳齿9位于各窗格中，m、n为正整数。
所述敏感结构框架8通过多组第一弹性梁7及第二弹性梁12与四周支撑结构连接；第一弹性梁7及第二弹性梁12位于敏感结构框架的四角或侧边。
所述位于中心敏感结构四角的第一弹性梁7可为U型弹性梁，位于中心敏感结构侧边的第二弹性梁12为山字型梁弹性梁。
所述各第一弹性梁7和第二弹性梁12方向平行。
所述检测梳齿10连接在检测梳齿锚区11上，沿检测梳齿锚区11的两侧依次排列，所述敏感结构框架梳齿9沿敏感结构框架8的框格的两条平行边依次排列，所述敏感结构框架梳齿9连接在敏感结构框架8上；敏感结构框架梳齿9和检测梳齿10交错排列，所述各检测梳齿10及敏感结构框架梳齿9方向平行；检测梳齿10与敏感结构框架梳齿9构成变间隙的检测电容结构。
边缘Y向应力释放梁固定锚区1、边缘X向应力释放梁固定锚区4和检测梳齿锚区11固定在衬底上，衬底的材料为硅或者玻璃材料。
当中心敏感结构受到加速度时，敏感结构框架8和敏感结构框架梳齿9产生位移，造成检测电容变化，并通过CV电路转化为电信号。
当结构所处环境温度变化时，尺寸热胀冷缩；由于衬底和四周支撑结构、中心敏感结构的热膨胀系数差异造成热应力，通过边缘Y向应力释放梁2和边缘X向应力释放梁5形变得到热应力释放，从而降低了中心敏感结构、特别是弹性梁上的应力，提高了弹性梁刚度的一致性。
本发明中采用四周支撑结构，支撑整个可动结构，并在四周支撑结构上下两侧中心和左右两侧中心放置应力释放梁和应力释放梁固定锚区。当材料热胀冷缩时，且敏感结构与基板热膨胀系数不同时，由于敏感结构为中心对称结构，敏感结构与基板X方向热膨胀尺寸的差异会造成边缘X向应力释放梁弯曲形变，Y方向热膨胀尺寸的差异会造成边缘Y向应力释放梁弯曲形变。由于应力释放梁弯曲刚度远小于四周支撑结构的框架刚度，因此显著降低了四周支撑结构的框架及框架内部的中心敏感结构上所受的热应力，降低环境温度变化过程中结构内部弹性梁上的热应力，提高传感器输出特性的温度稳定性。
以上所述，仅为本发明最佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
本发明说明书中未详细说明的部分属于本领域技术人员公知常识。

Claims (10)

1.一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，其特征在于，包括四周支撑结构和中心敏感结构；
以所述MEMS加速度计传感器敏感结构的中心点为原点，以横轴、纵轴分别为X轴和Y轴建立坐标系；
四周支撑结构包括边缘Y向应力释放梁固定锚区(1)、边缘Y向应力释放梁(2)、边缘Y向边框(3)、边缘X向应力释放梁固定锚区(4)、边缘X向应力释放梁(5)和边缘X向边框(6)；
所述边缘Y向边框(3)、边缘X向边框(6)相互连接形成方框形框架，边缘Y向边框(3)关于X轴对称，边缘X向边框(6)关于Y轴对称；所述边缘Y向应力释放梁固定锚区(1)通过两侧的边缘Y向应力释放梁(2)与边缘Y向边框(3)连接，边缘Y向应力释放梁固定锚区(1)位于边缘Y向边框(3)中点处；所述边缘X向应力释放梁固定锚区(4)通过两侧的边缘X向应力释放梁(5)与所述边缘X向边框(6)连接，所述边缘X向应力释放梁固定锚区(4)位于边缘X向边框(6)中点处；
中心敏感结构包括第一弹性梁(7)、敏感结构框架(8)、敏感结构框架梳齿(9)、检测梳齿(10)、检测梳齿锚区(11)和第二弹性梁(12)；
所述敏感结构框架(8)通过若干组第一弹性梁(7)及第二弹性梁(12)与所述四周支撑结构连接，位于边缘Y向边框(3)和边缘X向边框(6)构成的方框形框架内；所述敏感结构框架(8)中包括若干框格；敏感结构框架梳齿(9)、检测梳齿锚区(11)位于敏感结构框架(8)中的各框格中；所述检测梳齿(10)连接在检测梳齿锚区(11)上，沿检测梳齿锚区(11)的两侧依次排列，所述敏感结构框架梳齿(9)沿敏感结构框架(8)的框格的两条平行边依次排列；敏感结构框架梳齿(9)和检测梳齿(10)交错排列，所述各检测梳齿(10)及敏感结构框架梳齿(9)方向平行，检测梳齿(10)与敏感结构框架梳齿(9)构成变间隙的检测电容结构。
2.根据权利要求1所述的一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，其特征在于，还包括衬底，边缘Y向应力释放梁固定锚区(1)、边缘X向应力释放梁固定锚区(4)和检测梳齿锚区(11)固定在衬底上，衬底的材料为硅或者玻璃材料。
3.根据权利要求2所述的一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，其特征在于，所述边缘Y向应力释放梁(2)、边缘X向应力释放梁(5)各四组，分别位于各象限，每组应力释放梁为单根梁或多根梁并联；所述边缘Y向应力释放梁(2)和边缘X向应力释放梁(5)为一端固定、另一端导向的弹性梁，为等宽度弹性梁或不等宽度弹性梁；所述边缘Y向应力释放梁(2)中单根梁宽不小于5μm，梁长不大于边缘Y向边框(3)的1/2；所述边缘X向应力释放梁(5)中单根梁宽不小于5μm，梁长不大于边缘Y向边框(6)的1/2。
4.根据权利要求2所述的一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，其特征在于，所述敏感结构框架(8)为方框形、田字形或n×m的窗格型，m、n均为正整数。
5.根据权利要求2所述的一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，其特征在于，所述第一弹性梁(7)位于所述中心敏感结构的四角，为U型弹性梁。
6.根据权利要求2所述的一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，其特征在于，所述第二弹性梁(12)位于所述中心敏感结构的两条平行的侧边，为山字型弹性梁。
7.根据权利要求2所述的一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，其特征在于，所述第一弹性梁(7)和第二弹性梁(12)的方向平行。
8.根据权利要求1所述的一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，其特征在于，所述边缘Y向应力释放梁(2)和边缘X向应力释放梁(5)的弯曲刚度小于边缘Y向边框(3)和边缘X向边框(6)的框架刚度的1/100。
9.根据权利要求1～8任一所述的一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，其特征在于，当所述中心敏感结构受到加速度时，敏感结构框架(8)和敏感结构框架梳齿(9)产生位移，造成检测电容变化，并通过CV电路转化为电信号。
10.根据权利要求1～8任一所述的一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，其特征在于，当所述MEMS加速度计传感器敏感结构所处环境温度变化时，尺寸热胀冷缩；由于所述衬底和所述四周支撑结构、中心敏感结构的热膨胀系数差异造成热应力，通过边缘Y向应力释放梁(2)和边缘X向应力释放梁(5)形变得到热应力释放。
CN202210554601.1A 2022-05-19 2022-05-19 一种具有应力释放的mems加速度计传感器敏感结构 Active CN115078767B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210554601.1A CN115078767B (zh) 2022-05-19 2022-05-19 一种具有应力释放的mems加速度计传感器敏感结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210554601.1A CN115078767B (zh) 2022-05-19 2022-05-19 一种具有应力释放的mems加速度计传感器敏感结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115078767A true CN115078767A (zh) 2022-09-20
CN115078767B CN115078767B (zh) 2024-07-23

Family

ID=83249436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210554601.1A Active CN115078767B (zh) 2022-05-19 2022-05-19 一种具有应力释放的mems加速度计传感器敏感结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115078767B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115078768A (zh) * 2022-05-19 2022-09-20 北京航天控制仪器研究所 一种具有应力释放的双质量mems陀螺敏感结构
CN117192155A (zh) * 2023-11-02 2023-12-08 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 单质量三轴mems加速度传感器和电子设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102193002A (zh) * 2010-03-11 2011-09-21 苏州敏芯微电子技术有限公司 加速度传感器及其制造方法
WO2014063410A1 (zh) * 2012-10-26 2014-05-01 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 弯折形弹性梁的电容式加速度传感器及制备方法
WO2015026368A1 (en) * 2013-08-23 2015-02-26 Intel Corporation Mems devices utilizing a thick metal layer of an interconnect metal film stack
CN109110724A (zh) * 2018-09-30 2019-01-01 南京理工大学 一种应用于mems力敏感器件的二级应力隔离结构
CN112158792A (zh) * 2020-09-22 2021-01-01 浙江大学 一种适用于mems加速度传感器芯片的低应力封装结构
CN115078768A (zh) * 2022-05-19 2022-09-20 北京航天控制仪器研究所 一种具有应力释放的双质量mems陀螺敏感结构

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102193002A (zh) * 2010-03-11 2011-09-21 苏州敏芯微电子技术有限公司 加速度传感器及其制造方法
WO2014063410A1 (zh) * 2012-10-26 2014-05-01 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 弯折形弹性梁的电容式加速度传感器及制备方法
WO2015026368A1 (en) * 2013-08-23 2015-02-26 Intel Corporation Mems devices utilizing a thick metal layer of an interconnect metal film stack
CN109110724A (zh) * 2018-09-30 2019-01-01 南京理工大学 一种应用于mems力敏感器件的二级应力隔离结构
CN112158792A (zh) * 2020-09-22 2021-01-01 浙江大学 一种适用于mems加速度传感器芯片的低应力封装结构
CN115078768A (zh) * 2022-05-19 2022-09-20 北京航天控制仪器研究所 一种具有应力释放的双质量mems陀螺敏感结构

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
陈诚: "基于双侧梁结构的谐振式压力传感器设计", 中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑, no. 2, 15 February 2021 (2021-02-15) *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115078768A (zh) * 2022-05-19 2022-09-20 北京航天控制仪器研究所 一种具有应力释放的双质量mems陀螺敏感结构
CN115078768B (zh) * 2022-05-19 2024-07-09 北京航天控制仪器研究所 一种具有应力释放的双质量mems陀螺敏感结构
CN117192155A (zh) * 2023-11-02 2023-12-08 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 单质量三轴mems加速度传感器和电子设备
CN117192155B (zh) * 2023-11-02 2024-01-26 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 单质量三轴mems加速度传感器和电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN115078767B (zh) 2024-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN115078767B (zh) 一种具有应力释放的mems加速度计传感器敏感结构
US11105829B2 (en) MEMS accelerometer
CN106597016B (zh) 一种电容式mems双轴加速度计
JP3429780B2 (ja) 半導体加速度計の懸架構造
JP5127464B2 (ja) 振り子式面内ｍｅｍｓ加速度計装置
KR101286028B1 (ko) 용량형 가속도 센서 및 용량형 가속도 센서의 제조 방법
US7712366B2 (en) Multi-axis capacitive transducer and manufacturing method for producing it
CN110824196A (zh) 对应力不敏感的mems电容式z轴加速度计
CN115078768B (zh) 一种具有应力释放的双质量mems陀螺敏感结构
CN107356785B (zh) 一种具有柔性铰链结构的mems扭摆式加速度计
US20120160029A1 (en) Acceleration sensor
CN109387191B (zh) 一种高温度适应性mems平面谐振陀螺结构
CN1291232C (zh) 一种微型角速度传感器及其制作方法
CN113138292B (zh) 一种电容式微机械加速度计
CN102507981B (zh) 一种带耦合梁结构的单敏感质量元硅微二维加速度传感器
CN107782915A (zh) 硅中空梁、基于硅中空梁的硅微加速度计及其制备方法
EP4187258A1 (en) Z-axis microelectromechanical sensor device with improved stress insensitivity
CN115201515B (zh) 一种单质量三轴mems加速度计敏感结构
CN115407084A (zh) 一种梳齿电容式加速度计
CN114594281A (zh) 一种mems加速度计及其形成方法
CN113391094A (zh) 一种电容式微机械加速度计
GB2292462A (en) Transducer
CN118191362A (zh) 一种电容式微机械加速度计
CN114217094B (zh) 一种MEMS高g值三轴加速度计
JP2741861B2 (ja) 振動子

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant