CN115074703A - 喷淋板、调节薄膜厚度的方法、装置及存储介质 - Google Patents

喷淋板、调节薄膜厚度的方法、装置及存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供了喷淋板、调节薄膜厚度的方法、装置及存储介质。所述喷淋板包括主进气口、载气进气口及喷淋头。所述主进气口设于所述喷淋板的中心区域，用于通入制备薄膜的反应物。所述载气进气口设于所述喷淋板的所述中心区域和/或外围区域，用于通入载气以调节所述反应物在所述中心区域和/或所述外围区域的分压。所述喷淋头设于所述主进气口及所述载气进气口之下，用于向下方的晶圆输出所述反应物和/或所述载气，以在所述晶圆表面制备所述薄膜。

Description

喷淋板、调节薄膜厚度的方法、装置及存储介质
技术领域
本发明属于芯片制造技术领域，尤其涉及一种喷淋板、一种调节薄膜厚度的方法、一种调节薄膜厚度的装置，以及一种计算机可读存储介质。
背景技术
薄膜制备工艺是芯片制造领域的重要环节，主要应用于等离子体增强化学的气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）、离子体增强原子层沉积（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition，PEALD）、热化学气相沉积（Thermal-CVD）、热蚀刻（Thermal-etching）、等离子体时蚀刻（Plasma-etching）、等离子体原子层蚀刻（Plasma atomic layer etching）等技术，其制备的薄膜厚度的均匀性直接决定了芯片的性能参数和可靠性。
现有的薄膜制备工艺主要通过喷淋板将反应物引入晶圆上方的反应区域，从而在晶圆表面沉积薄膜。然而，现有喷淋板的进气口主要集中在晶圆的中心区域，导致反应物在中心区域的分压大于其在外围区域的分压，容易形成薄膜中心厚而边缘薄的现象，从而影响产品的性能参数和可靠性。
为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种改进的喷淋技术，用于自由调节反应物在晶圆各区域的分压，以调节晶圆各区域的薄膜生长速率，从而自由控制薄膜在晶圆各区域的厚度和均匀性。
发明内容
以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
为了克服现有技术存在的上述缺陷，本发明提供了一种喷淋板、一种调节薄膜厚度的方法、一种调节薄膜厚度的装置，以及一种计算机可读存储介质，用于自由调节反应物在晶圆各区域的分压，以调节晶圆各区域的薄膜生长速率，从而自由控制薄膜在晶圆各区域的厚度和均匀性。
具体来说，根据本发明的第一方面提供的上述喷淋板包括主进气口、载气进气口及喷淋头。所述主进气口设于所述喷淋板的中心区域，用于通入制备薄膜的反应物。所述载气进气口设于所述喷淋板的所述中心区域和/或外围区域，用于通入载气以调节所述反应物在所述中心区域和/或所述外围区域的分压。所述喷淋头设于所述主进气口及所述载气进气口之下，用于向下方的晶圆输出所述反应物和/或所述载气，以在所述晶圆表面制备所述薄膜。
进一步地，在本发明的一些实施例中，所述载气进气口包括第一载气进气口和/或第二载气进气口。所述第一载气进气口设于所述喷淋板的所述中心区域，用于通入第一载气以调节所述反应物在所述中心区域的分压。所述第二载气进气口设于所述喷淋板的所述外围区域，用于通入第二载气以调节所述反应物在所述外围区域的分压。
进一步地，在本发明的一些实施例中，所述喷淋头、所述主进气口及所述第一载气进气口之间设有第一缓冲区域。所述反应物与所述第一载气先在所述第一缓冲区域混合，以生成第一混合气体，再由所述喷淋头输出所述第一混合气体。此外，在一些实施例中，所述喷淋头、所述主进气口及所述第二载气进气口之间设有第二缓冲区域，所述反应物与所述第二载气先在所述第二缓冲区域混合，以生成第二混合气体，再由所述喷淋头输出所述第二混合气体。
进一步地，在本发明的一些实施例中，所述反应物包括前驱体及反应气体。所述主进气口的前端设有前驱体入口及反应气体入口。所述前驱体入口与所述反应气体入口之间设有第三缓冲区域。所述前驱体与所述反应气体先在所述第三缓冲区域混合，以生成所述反应物，再流经所述第一缓冲区域，以进行所述反应物在所述中心区域的分压调节。此外，在一些实施例中，所述前驱体与所述反应气体先在所述第三缓冲区域混合，以生成所述反应物，再流经所述第二缓冲区域，以进行所述反应物在所述外围区域的分压调节。
进一步地，在本发明的一些实施例中，所述喷淋板还包括挡板结构。所述挡板结构设于所述主进气口与所述喷淋头之间，并与所述主进气口保持间距以形成所述第三缓冲区域。
进一步地，在本发明的一些实施例中，所述第一载气进气口和/或所述第二载气进气口通往所述挡板结构的下端。所述挡板结构与所述喷淋头保持间距，并在所述挡板结构下端的所述第一载气进气口的位置形成所述第一缓冲区域，和/或在所述挡板结构下端的所述第二载气进气口的位置形成所述第二缓冲区域。
进一步地，在本发明的一些实施例中，所述载气进气口连接流量调节机构。在对应区域的薄膜厚度过大时，所述流量调节机构增大所述载气的流量，降低所述反应物在所述对应区域的分压，以降低所述薄膜在所述对应区域的沉积速率。此外，在一些实施例中，在对应区域的薄膜厚度过小时，所述流量调节机构减小所述载气的流量，提高所述反应物在所述对应区域的分压，以提高所述薄膜在所述对应区域的沉积速率。
进一步地，在本发明的一些实施例中，所述喷淋板还包括厚度传感器，用于监测所述喷淋板的所述中心区域及所述外围区域的薄膜厚度。响应于所述中心区域的薄膜厚度大于所述外围区域的薄膜厚度，所述厚度传感器向连接所述中心区域的第一载气进气口的第一流量调节机构发送薄膜厚度过大的信号，和/或向连接所述外围区域的第二载气进气口的第二流量调节机构发送薄膜厚度过小的信号。响应于所述中心区域的薄膜厚度小于所述外围区域的薄膜厚度，所述厚度传感器向所述第一流量调节机构发送薄膜厚度过小的信号，和/或向所述第二流量调节机构发送薄膜厚度过大的信号。
此外，根据本发明的第二方面提供的上述调节薄膜厚度的方法包括以下步骤：向喷淋板的中心区域通入制备薄膜的反应物，并向所述喷淋板的所述中心区域和/或外围区域通入载气以调节所述反应物在所述中心区域和/或所述外围区域的分压；经由所述喷淋板的喷淋头向下方的晶圆输出所述反应物和/或所述载气，以在所述晶圆表面制备所述薄膜；监测所述喷淋板的所述中心区域及所述外围区域的薄膜厚度；以及响应于所述中心区域的薄膜厚度大于所述外围区域的薄膜厚度，增大所述中心区域的第一载气的流量，降低所述反应物在所述中心区域的分压，以降低所述薄膜在所述中心区域的沉积速率，和/或减小所述外围区域的第二载气的流量，提高所述反应物在所述外围区域的分压，以提高所述薄膜在所述外围区域的沉积速率。
进一步地，在本发明的一些实施例中，所述调节薄膜厚度的方法还包括以下步骤：响应于所述中心区域的薄膜厚度小于所述外围区域的薄膜厚度，减小所述中心区域的所述第一载气的流量，提高所述反应物在所述中心区域的分压，以提高所述薄膜在所述中心区域的沉积速率，和/或增大所述外围区域的第二载气的流量，降低所述反应物在所述外围区域的分压，以降低所述薄膜在所述外围区域的沉积速率。
此外，根据本发明的第三方面提供的上述调节薄膜厚度的装置包括存储器及处理器。所述处理器连接所述存储器，并被配置用于执行所述存储器上存储的计算机指令，以实施本发明的第二方面提供的上述调节薄膜厚度的方法。
此外，根据本发明的第四方面提供的上述计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令。所述计算机指令被处理器执行时，实施本发明的第二方面提供的上述调节薄膜厚度的方法。
附图说明
在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本发明的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
图1A示出了根据本发明的一些实施例提供的喷淋板的俯视示意图。
图1B示出了根据本发明的一些实施例提供的喷淋板的右半部分的剖面示意图。
图2示出了根据本发明的一些实施例提供的调节薄膜厚度的方法流程示意图。
图3示出了根据本发明的一些实施例提供的晶圆各区域的沉积速率的变化示意图。
图4示出了根据本发明的一些实施例提供的晶圆各区域的沉积速率的变化示意图。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。虽然本发明的描述将结合优选实施例一起介绍，但这并不代表此发明的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作发明介绍的目的是为了覆盖基于本发明的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本发明的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本发明也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本发明的重点，有些具体细节将在描述中被省略。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，在以下的说明中所使用的“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“水平”、“垂直”应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作，因此不应理解为对本发明的限制。
能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种组件、区域、层和/或部分，这些组件、区域、层和/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、区域、层和/或部分。因此，以下讨论的第一组件、区域、层和/或部分可在不偏离本发明一些实施例的情况下被称为第二组件、区域、层和/或部分。
如上所述，现有的薄膜制备工艺主要通过喷淋板将反应物引入晶圆上方的反应区域，从而在晶圆表面沉积薄膜。然而，现有喷淋板的进气口主要集中在晶圆的中心区域，导致反应物在中心区域的分压大于其在外围区域的分压，容易形成薄膜中心厚而边缘薄的现象，从而影响产品的性能参数和可靠性。
为了克服现有技术存在的上述缺陷，本发明提供了一种喷淋板、一种调节薄膜厚度的方法、一种调节薄膜厚度的装置，以及一种计算机可读存储介质，用于自由调节反应物在晶圆各区域的分压，以调节晶圆各区域的薄膜生长速率，从而自由控制薄膜在晶圆各区域的厚度和均匀性。
请参考图1A及图1B。图1A示出了根据本发明的一些实施例提供的喷淋板的俯视示意图。图1B示出了根据本发明的一些实施例提供的喷淋板的右半部分的剖面示意图。
如图1A及图1B所示，根据本发明的第一方面提供的上述喷淋板包括主进气口11、载气进气口121、122及喷淋头13。该主进气口11设于喷淋板的中心区域，用于通入制备薄膜的反应物。该载气进气口121、122设于喷淋板10的中心区域和/或外围区域，用于通入载气以调节反应物在中心区域和/或外围区域的分压。该喷淋头13设于主进气口11及载气进气口121、122之下，包括多个分流出口，用于对反应物和/或载气进行分流，并向下方的晶圆21输出分流的反应物和/或载气，以在该晶圆21的表面制备薄膜。
进一步地，在一些实施例中，上述载气进气口121、122可以包括设于喷淋板的中心区域的至少一个第一载气进气口121，和/或设于喷淋板的外围区域的至少一个第二载气进气口122。该第一载气进气口121用于通入第一载气以调节反应物在中心区域的分压。该第二载气进气口122用于通入第二载气以调节反应物在外围区域的分压。在此，该第一载气以及该第二载气可以选自氦气（He）、氩气（Ar）、氮气（N2）等不与反应物发生反应的稳定气体。该第一载气以及该第二载气可以选用相同种类的气体，也可以根据实际需求选用不同种类的气体，在此不做限定。
此外，在一些实施例中，上述反应物可以由前驱体（Precursor）及反应气体（Reactant gas）混合组成。对应地，上述主进气口11的前端可以设有前驱体入口211及反应气体入口212，以用于分别通入前驱体及反应气体。在此，该前躯体选自一种能够参与化学反应的化学物质，能与反应气体发生化学反应以达到成膜的效果。换言之，该前躯体在制程角度来说，可以作为沉积特定薄膜的液态源，而该反应气体可以选自氮气（N2）、氩气（Ar）、一氧化二氮（N2O）等常规的化学原料气体。
进一步地，在一些实施例中，上述主进气口11与喷淋头13之间可以优选地设有挡板结构14。该挡板结构14与主进气口11及喷淋头13之间分别保持一定间距，形成至少两级缓冲区域141、142、143，以确保前驱体及反应气体的充分混合，以及反应物分压的精确控制。
具体来说，初级缓冲区域（即第三缓冲区域）143设置在主进气口11与挡板结构14之间，用于实现前驱体及反应气体的充分混合和均匀扩散，以降低各反应组分在喷淋板中心区域及外围区域的浓度差异及流量差异。次级缓冲区域可以包括喷淋头13、主进气口11及第一载气进气口121之间的第一缓冲区域141，和/或喷淋头13、主进气口11及第二载气进气口122之间的第二缓冲区域142。
如图1B所示，在一些实施例中，第一载气进气口121可以从喷淋板中心区域的上方穿过顶板及挡板结构14，以通往挡板结构14的下端的第一缓冲区域141。第二载气进气口122可以从喷淋板外围区域的上方穿过顶板及挡板结构14，以通往挡板结构14的下端的第二缓冲区域142。之后，反应物气体可以在该第一缓冲区域141与第一载气混合，以生成第一混合气体，并根据该第一载气的流量降低反应物分压。此外，反应物气体还可以在该第二缓冲区域142与第二载气混合，以生成第二混合气体，并根据该第二载气的流量降低反应物分压。再之后，该第一混合气体和/或第二混合气体将在后续气体的气压驱动下，经由喷淋头13的各分流通道进入晶圆21上方的反应区域22，并在加热平台23的加热作用下，在晶圆21的表面沉积生成薄膜。
因此，通过在喷淋板的中心区域和/或外围区域设置载气进气口121、122，本发明可以通过调节第一载气和/或第二载气的流量，调节反应物气体在喷淋板中心区域和/或外围区域的分压，从而调节薄膜在晶圆中心区域和/或外围区域的沉积速率，以自由控制薄膜在晶圆各区域的厚度和均匀性。
更进一步地，如图1B所示，在本发明的一些实施例中，该第一载气进气口121和/或该第二载气进气口122可以优选地配置有缓冲腔123、124。通过配置该缓冲腔123、124，本发明可以更精确、稳定地控制第一载气和/或第二载气的实际输入流量和气压，从而更精确地控制薄膜在晶圆各区域的厚度和均匀性。
更进一步地，如图1B所示，在本发明的一些实施例中，该第一载气进气口121穿过顶板及挡板结构14的气路可以优选地向喷淋板的中心倾斜，以使引入的第一载气更靠近喷淋板的中心区域，以利于第一载气与反应物气体的充分混合。通过配置该斜向延伸的第一载气进气口121，本发明可以更精确地控制第一载气的实际输入位置，从而更精确地控制薄膜在晶圆中心区域的厚度。
以下将结合一些调节薄膜厚度的方法、装置及存储介质的实施例来描述上述喷淋板的工作原理。本领域的技术人员可以理解，这些调节薄膜厚度的方法、装置及存储介质只是本发明提供一些非限制性的实施方式，旨在清楚地展示本发明的主要构思，并提供一些便于公众实施的具体方案，而非用于限制本发明的保护范围。
在一些非限制性的实施例中，本发明的第二方面提供的上述调节薄膜厚度的方法，可以由本发明的第三方面提供的上述调节薄膜厚度的装置来实施。具体来说，该装置中配置有存储器及处理器。该存储器包括但不限于本发明的第四方面提供的上述计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令。该处理器连接该存储器，并被配置用于执行该存储器上存储的计算机指令，以实施本发明的第二方面提供的上述调节薄膜厚度的方法。
请结合参考图1B及图2，图2示出了根据本发明的一些实施例提供的调节薄膜厚度的方法流程示意图。
如图1B及图2所示，在调节薄膜厚度的过程中，薄膜厚度的调节装置可以首先向喷淋板的中心区域通入制备薄膜的反应物，并向喷淋板的中心区域和/或外围区域通入载气以调节反应物在中心区域和/或外围区域的分压。
如上所述，前驱体及反应气体将首先在挡板结构14与主进气口11之间的第三缓冲区域143进行第一次混合，以得到反应物气体，再分别在上述第一缓冲区域141和/或第二缓冲区143进行第二次混合，以生成第一混合气体和/或第二混合气体。之后，该第一混合气体和/或第二混合气体将在后续气体的气压驱动下，经由喷淋头13的各分流通道向下进入晶圆21上方的反应区域22，并在加热平台23的加热作用下，在晶圆21的表面沉积生成薄膜。
之后，薄膜厚度的调节装置可以经由厚度传感器，监测喷淋板的中心区域及外围区域的薄膜厚度，并根据各区域的薄膜厚度来进行对应的调节操作。在此，该厚度传感器可以是喷淋板自带的，也可以另外配置，在此不做限定。
具体请参考图3及图4。图3示出了根据本发明的一些实施例提供的晶圆各区域的沉积速率的变化示意图。图4示出了根据本发明的一些实施例提供的晶圆各区域的沉积速率的变化示意图。
在一些实施例中，响应于晶圆21中心区域的薄膜厚度大于外围区域的薄膜厚度的感测结果，厚度传感器可以向连接第一载气进气口121的第一流量调节机构发送薄膜厚度过大的信号，以控制其增大第一载气的流量。在此，该第一流量调节机构可以选自带有流量调节功能的气泵、流量调节阀等设备。如图3所示，响应于第一载气流量的上升，反应物在晶圆21中心区域的分压降低，薄膜在晶圆21中心区域的沉积速率（GPC）也随之降低，从而提升晶圆21上不同区域薄膜的均匀性。
此外，响应于晶圆21中心区域的薄膜厚度大于外围区域的薄膜厚度的感测结果，厚度传感器还可以向连接第二载气进气口122的第二流量调节机构发送薄膜厚度过小的信号，以控制其减小第二载气的流量。在此，该第二流量调节机构可以选自带有流量调节功能的气泵、流量调节阀等设备。响应于第二载气流量的下降，反应物在晶圆21外围区域的分压升高，薄膜在晶圆21外围区域的沉积速率也随之升高，从而提升晶圆21上不同区域薄膜的均匀性。
可选地，在另一些实施例中，响应于晶圆21中心区域的薄膜厚度小于外围区域的薄膜厚度的感测结果，厚度传感器可以向连接第二载气进气口122的第二流量调节机构发送薄膜厚度过大的信号，以控制其增大第二载气的流量。在此，该第二流量调节机构可以选自带有流量调节功能的气泵、流量调节阀等设备。如图4所示，响应于第二载气流量的上升，反应物在晶圆21外围区域的分压降低，薄膜在晶圆21外围区域的沉积速率（GPC）也随之降低，从而提升晶圆21上不同区域薄膜的均匀性。
此外，响应于晶圆21中心区域的薄膜厚度小于外围区域的薄膜厚度的感测结果，厚度传感器还可以向连接第一载气进气口121的第一流量调节机构发送薄膜厚度过小的信号，以控制其减小第一载气的流量。在此，该第一流量调节机构可以选自带有流量调节功能的气泵、流量调节阀等设备。响应于第一载气流量的下降，反应物在晶圆21中心区域的分压升高，薄膜在晶圆21中心区域的沉积速率也随之升高，从而提升晶圆21上不同区域薄膜的均匀性。
本领域的技术人员可以理解，上述提升晶圆21上不同区域薄膜的均匀性的操作，只是本发明提供的一些非限制性的实施方式，旨在清楚地展示本发明的主要构思，并提供一些便于公众实施的具体方案，而非用于限制本发明的保护范围。
可选地，在另一些实施例中，针对制备非均匀薄膜的实际需求，技术人员也可以使用本发明的第一方面提供的上述喷淋板来对应地调节载气流量，以达到独立控制晶圆21上不同区域薄膜厚度的效果。
可选地，在另一些实施例中，针对制备超越常规厚度参数的薄膜的实际需求，技术人员也可以使用本发明的第一方面提供的上述喷淋板来对应地调节载气流量，以达到扩大薄膜制备工艺窗口的效果。
本领域的技术人员还可以理解，图1A及图1B所示的同时配置第一载气进气口121及第二载气进气口122的喷淋板设计，也只是本发明提供的一些非限制性的实施方式，旨在清楚地展示本发明的主要构思，并提供一些便于公众实施的具体方案，而非用于限制本发明的保护范围。
可选地，在另一些实施例中，本发明的第一方面提供的上述喷淋板也可以单独配置第一载气进气口121及第二载气进气口122中的一者，以达到调节对应区域的薄膜沉积速率的效果，因而同样能够提升晶圆21上不同区域薄膜的均匀性。
尽管为使解释简单化将上述方法图示并描述为一系列动作，但是应理解并领会，这些方法不受动作的次序所限，因为根据一个或多个实施例，一些动作可按不同次序发生和/或与来自本文中图示和描述或本文中未图示和描述但本领域技术人员可以理解的其他动作并发地发生。
提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对本领域技术人员来说都将是显而易见的，且本文中所定义的普适原理可被应用到其他变体而不会脱离本公开的精神或范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广范围。

Claims (12)

1.一种喷淋板，其特征在于，包括主进气口、载气进气口及喷淋头，其中，
所述主进气口设于所述喷淋板的中心区域，用于通入制备薄膜的反应物，
所述载气进气口设于所述喷淋板的所述中心区域和/或外围区域，用于通入载气以调节所述反应物在所述中心区域和/或所述外围区域的分压，
所述喷淋头设于所述主进气口及所述载气进气口之下，用于向下方的晶圆输出所述反应物和/或所述载气，以在所述晶圆表面制备所述薄膜。
2.如权利要求1所述的喷淋板，其特征在于，所述载气进气口包括第一载气进气口和/或第二载气进气口，其中，
所述第一载气进气口设于所述喷淋板的所述中心区域，用于通入第一载气以调节所述反应物在所述中心区域的分压，
所述第二载气进气口设于所述喷淋板的所述外围区域，用于通入第二载气以调节所述反应物在所述外围区域的分压。
3.如权利要求2所述的喷淋板，其特征在于，所述喷淋头、所述主进气口及所述第一载气进气口之间设有第一缓冲区域，所述反应物与所述第一载气先在所述第一缓冲区域混合，以生成第一混合气体，再由所述喷淋头输出所述第一混合气体，和/或
所述喷淋头、所述主进气口及所述第二载气进气口之间设有第二缓冲区域，所述反应物与所述第二载气先在所述第二缓冲区域混合，以生成第二混合气体，再由所述喷淋头输出所述第二混合气体。
4.如权利要求3所述的喷淋板，其特征在于，所述反应物包括前驱体及反应气体，所述主进气口的前端设有前驱体入口及反应气体入口，所述前驱体入口与所述反应气体入口之间设有第三缓冲区域，其中，
所述前驱体与所述反应气体先在所述第三缓冲区域混合，以生成所述反应物，再流经所述第一缓冲区域，以进行所述反应物在所述中心区域的分压调节，和/或
所述前驱体与所述反应气体先在所述第三缓冲区域混合，以生成所述反应物，再流经所述第二缓冲区域，以进行所述反应物在所述外围区域的分压调节。
5.如权利要求4所述的喷淋板，其特征在于，还包括挡板结构，其中，所述挡板结构设于所述主进气口与所述喷淋头之间，并与所述主进气口保持间距以形成所述第三缓冲区域。
6.如权利要求5所述的喷淋板，其特征在于，所述第一载气进气口和/或所述第二载气进气口通往所述挡板结构的下端，所述挡板结构与所述喷淋头保持间距，并在所述挡板结构下端的所述第一载气进气口的位置形成所述第一缓冲区域，和/或在所述挡板结构下端的所述第二载气进气口的位置形成所述第二缓冲区域。
7.如权利要求1所述的喷淋板，其特征在于，所述载气进气口连接流量调节机构，在对应区域的薄膜厚度过大时增大所述载气的流量，降低所述反应物在所述对应区域的分压，以降低所述薄膜在所述对应区域的沉积速率，和/或在对应区域的薄膜厚度过小时减小所述载气的流量，提高所述反应物在所述对应区域的分压，以提高所述薄膜在所述对应区域的沉积速率。
8.如权利要求7所述的喷淋板，其特征在于，还包括厚度传感器，用于监测所述喷淋板的所述中心区域及所述外围区域的薄膜厚度，其中，
响应于所述中心区域的薄膜厚度大于所述外围区域的薄膜厚度，所述厚度传感器向连接所述中心区域的第一载气进气口的第一流量调节机构发送薄膜厚度过大的信号，和/或向连接所述外围区域的第二载气进气口的第二流量调节机构发送薄膜厚度过小的信号，
响应于所述中心区域的薄膜厚度小于所述外围区域的薄膜厚度，所述厚度传感器向所述第一流量调节机构发送薄膜厚度过小的信号，和/或向所述第二流量调节机构发送薄膜厚度过大的信号。
9.一种调节薄膜厚度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
向喷淋板的中心区域通入制备薄膜的反应物，并向所述喷淋板的所述中心区域和/或外围区域通入载气以调节所述反应物在所述中心区域和/或所述外围区域的分压；
经由所述喷淋板的喷淋头向下方的晶圆输出所述反应物和/或所述载气，以在所述晶圆表面制备所述薄膜；
监测所述喷淋板的所述中心区域及所述外围区域的薄膜厚度；以及
响应于所述中心区域的薄膜厚度大于所述外围区域的薄膜厚度，增大所述中心区域的第一载气的流量，降低所述反应物在所述中心区域的分压，以降低所述薄膜在所述中心区域的沉积速率，和/或减小所述外围区域的第二载气的流量，提高所述反应物在所述外围区域的分压，以提高所述薄膜在所述外围区域的沉积速率。
10.如权利要求9所述的调节薄膜厚度的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
响应于所述中心区域的薄膜厚度小于所述外围区域的薄膜厚度，减小所述中心区域的所述第一载气的流量，提高所述反应物在所述中心区域的分压，以提高所述薄膜在所述中心区域的沉积速率，和/或增大所述外围区域的第二载气的流量，降低所述反应物在所述外围区域的分压，以降低所述薄膜在所述外围区域的沉积速率。
11. 一种调节薄膜厚度的装置，其特征在于，包括：
存储器；以及
处理器，所述处理器连接所述存储器，并被配置用于执行所述存储器上存储的计算机指令，以实施如权利要求9或10所述的调节薄膜厚度的方法。
12.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，所述计算机指令被处理器执行时，实施如权利要求9或10所述的调节薄膜厚度的方法。
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