CN115053903B - 一种芍药浸根溶液以及一种芍药的育苗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种芍药浸根溶液以及一种芍药的育苗方法，属于花卉繁殖技术领域。本发明通过特定的浸根溶液处理配合分段温度管理，克服了现有技术中芍药繁殖周期长、芍药苗品质差等问题，培育的芍药无需经过冬季自然春化即可萌发，极大缩短了育苗时间，延长了幼苗生长期，有效增加了根部营养积累，这使得本发明培育芍药过程中芽分化率、须根条数、须根平均根长显著提高，获得的芍药幼苗吸收养分能力强，生长势明显旺盛，另外，人工进行春化显著节约了时间，不受季节限制，提前使芍药幼苗萌发，延长芍药幼苗生长期4‑5个月。通过本发明还实现了集约化育苗，夏季便于遮阳，避免阳光的高温灼伤幼苗，有效防止芍药幼苗早衰。

Description

一种芍药浸根溶液以及一种芍药的育苗方法
技术领域
本发明涉及花卉繁殖技术领域，尤其涉及一种芍药浸根溶液以及一种芍药的育苗方法。
背景技术
芍药是既能药用，又能供观赏的经济植物之一。芍药传统繁殖方式为分株繁殖，一株3年生的芍药母株可分株3-5棵左右的子株，繁殖系数低，不能满足生产的需求。现有技术中繁育芍药的方法如下：
CN 109496765 A公开一种通过根茎繁殖芍药的方法，从第一年秋天田间种植，种植5～10天后浇水一次，使根茎处于较湿润的土壤环境，第2年的春季除去根茎顶部3～4cm的覆土，浇透水至萌芽，周期较长(约5-7个月)，要求田间条件严格，不易控制，且费工较多，且芍药根段腐烂严重，出苗率低，不利于芍药产业的发展。
CN 109716941 A公开了一种芍药根段扦插快繁方法，采用生根剂处理后进行扦插，同样未解决周期较长的问题，大田起垄种植后同样需要越冬才能实现萌发，且第二年生根条数和萌发枝条数较少，不利于后续栽培以及产业应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种芍药浸根溶液以及一种芍药的育苗方法，以解决现有技术中芍药繁殖周期长、芍药苗品质差等问题。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种芍药浸根溶液，所述芍药浸根溶液为含有生根激素的杀菌剂；
所述生根激素为萘乙酸和/或吲哚乙酸；
所述杀菌剂为百菌清药液。
优选的，所述浸根溶液中萘乙酸的浓度为10～30mg/L，吲哚乙酸的浓度为80～120mg/L；
所述百菌清药液的稀释倍数为700～1000倍，所述百菌清药液的原始浓度为70～80％。
本发明还提供了一种芍药的育苗方法，包括如下步骤：
S1)将芍药根段采用上述芍药浸根溶液进行浸泡，所述浸泡的时间为10～30min；
S2)将浸泡后的芍药根段在20～25℃条件下，生根培养30～40天，然后12～18℃，培养3～5天；
S3)2～4℃，春化培养12～18天；
S4)白天温度20～25℃，夜间温度10～20℃，成苗培养8～12天，得到芽萌发后的芍药苗，进行田间管理。
优选的，所述芍药根段的长度为3～8cm。
优选的，在所述芍药根段用浸根溶液浸泡前，还包括用高锰酸钾药液浸泡的步骤，所述高锰酸钾药液的浓度为0.08～0.12％，所述高锰酸钾药液浸泡的时间为3～8min。
优选的，步骤S2)中所述生根培养采用蛭石和培养液作为培养基质，所述蛭石的铺设厚度为6～7cm，芍药根段在蛭石中放置的深度为2～3cm，每个芍药根段之间的距离为2～6cm。
优选的，所述蛭石的规格为2～5mm；
所述蛭石在铺设之前进行高压灭菌。
优选的，所述营养液包含如下浓度的组分：
NH4NO3 600～800mg/L、KNO3 700～900mg/L、KH2PO4 80～150mg/L、MgSO4·4H2O180～250mg/L、CaCl2·2H2O 400～600mg/L、KI 0.5～1mg/L、H3BO3 5～10mg/L、MnSO4·4H2O20～25mg/L、ZnSO4·7H2O 5～10mg/L、Na2MoO4·2H2O0.1～0.5mg/L、CuSO4·5H2O 0.01～0.05mg/L、CoCl2·6H2O 0.01～0.05mg/L、Na2·ENTA 35～40mg/L、FeSO4·7H2O 25～30mg/L、抑菌剂4500～5000mg/L。
优选的，所述抑菌剂为抑菌灵药液。
优选的，所述田间管理包括在培养过程中施加上述营养液至苗长出4片以上复叶，所述施加频率为5～10天施加1次。
本发明的技术效果和优点：
本发明通过特定的浸根溶液处理配合分段温度管理，使得培育的芍药无需经过冬季自然春化即可萌发，极大缩短了育苗时间，延长了幼苗生长期，有效增加了根部营养积累，这使得本发明培育芍药过程中芽分化率、须根条数、须根平均根长显著提高，获得的芍药幼苗吸收养分能力强，生长势明显旺盛，另外，人工进行春化显著节约了时间，不受季节限制，提前使芍药幼苗萌发，延长芍药幼苗生长期4-5个月。通过本发明还实现了集约化育苗，夏季便于遮阳，避免阳光的高温灼伤幼苗，有效防止芍药幼苗早衰，芍药苗生长情况较传统方法得到显著改善。
附图说明
图1为芍药根段状态图①；
图2为芍药根段状态图②；
图3为芍药根段状态图③。
具体实施方式
本发明提供了一种芍药浸根溶液，所述芍药浸根溶液为含有生根激素的杀菌剂；
所述生根激素为萘乙酸和/或吲哚乙酸；
所述杀菌剂为百菌清药液。
在本发明中，所述芍药浸根溶液中萘乙酸的浓度优选为10～30mg/L，进一步优选为15～25mg/L，本发明中限定的上述浓度的萘乙酸能够提高芍药的出芽数量；吲哚乙酸的浓度优选为80～120mg/L，进一步优选为90～110mg/L，本发明中限定的上述浓度的吲哚乙酸能够增加根段的生根数量；所述百菌清药液的稀释倍数优选为700～1000倍，进一步优选为800～900倍，所述百菌清药液的原始浓度优选为70～80％，进一步优选为74～78％。
本发明还提供了一种芍药的育苗方法，包括如下步骤：
S1)将芍药根段采用上述芍药浸根溶液进行浸泡，所述浸泡的时间为10～30min；
S2)将浸泡后的芍药根段在20～25℃条件下，生根培养30～40天，然后12～18℃，培养3～5天；
S3)2～4℃，春化培养12～18天；
S4)白天温度20～25℃，夜间温度10～20℃，成苗培养8～12天，得到芽萌发后的芍药苗，进行田间管理。
在本发明中，所述芍药根段的长度优选为3～8cm，进一步优选为4～6cm；在本发明中，所述芍药根段优选为肉质根段；本发明对所述芍药根段的粗细程度没有特殊要求。本发明优选将芍药根段先用清水洗净，然后用高锰酸钾药液浸泡；所述高锰酸钾药液的浓度优选为0.08～0.12％，优选由分析纯高锰酸钾晶体配制而成，所述高锰酸钾药液浸泡的时间优选为3～8min，进一步优选为4～6min；在本发明中，所述芍药根段在高锰酸钾药液浸泡后采用上述芍药浸根溶液进行浸泡，所述浸泡的时间优选为10～30min，进一步优选为15～25min；
在本发明中，所述芍药根段在芍药浸根溶液浸泡后进行生根培养，所述生根培养的温度为20～25℃，优选为22～24℃，所述生根培养的时间为30～40天；本发明对所述生根培养采用的容器没有特殊要求，在一个具体实施例中，所述生根培养采用方形塑料盒进行，所述生根培养优选在暖棚中进行；所述生根培养优选采用蛭石和培养液作为培养基质，所述蛭石的规格优选为2～5mm，所述蛭石在铺设之前优选进行高压灭菌，高压灭菌可以彻底消灭基质中的细菌和真菌，极大降低了根段在育苗过程中出现腐烂的可能性；本发明中，采用蛭石和培养液作为培养基质的操作具体为蛭石铺设后加入营养液，至蛭石表面有液体浸出，然后种植芍药根段，将处理后的根段平放入培养基质中，所述蛭石的铺设厚度优选为6～7cm，所述芍药根段在蛭石中放置的深度优选为2～3cm，每个芍药根段之间的距离为2～6cm，进一步优选为3～5cm，所述芍药根段种植后还优选包括覆上黑色地膜以遮光保水。
在本发明中，所述营养液优选包含如下浓度的组分：NH4NO3 600～800mg/L、KNO3700～900mg/L、KH2PO4 80～150mg/L、MgSO4·4H2O180～250mg/L、CaCl2·2H2O 400～600mg/L、KI 0.5～1mg/L、H3BO3 5～10mg/L、MnSO4·4H2O 20～25mg/L、ZnSO4·7H2O 5～10mg/L、Na2MoO4·2H2O0.1～0.5mg/L、CuSO4·5H2O 0.01～0.05mg/L、CoCl2·6H2O 0.01～0.05mg/L、Na2·ENTA 35～40mg/L、FeSO4·7H2O 25～30mg/L、抑菌剂4500～5000mg/L。本发明所述营养液中NH4NO3的浓度优选为600～800mg/L，进一步优选为650～750mg/L；所述营养液中KNO3的浓度优选为700～900mg/L，进一步优选为750～850mg/L；所述营养液中KH2PO4的浓度优选为80～150mg/L，进一步优选为90～120mg/L；所述营养液中MgSO4·4H2O的浓度优选为180～250mg/L，进一步优选为200～220mg/L；所述营养液中CaCl2·2H2O的浓度优选为400～600mg/L，进一步优选为450～550mg/L；所述营养液中KI的浓度优选为0.5～1mg/L，进一步优选为0.7～0.9mg/L；所述营养液中H3BO3、的浓度优选为5～10mg/L，进一步优选为6～7mg/L；所述营养液中MnSO4·4H2O的浓度优选为20～25mg/L，进一步优选为22～24mg/L；所述营养液中ZnSO4·7H2O的浓度优选为5～10mg/L，进一步优选为6～7mg/L；所述营养液中Na2MoO4·2H2O的浓度优选为0.1～0.5mg/L，进一步优选为0.2～0.4mg/L；所述营养液中CuSO4·5H2O的浓度优选为0.01～0.05mg/L，进一步优选为0.02～0.04mg/L；所述营养液中CoCl2·6H2O的浓度优选为0.01～0.05mg/L，进一步优选为0.02～0.04mg/L；所述营养液中Na2·ENTA的浓度优选为35～40mg/L，进一步优选为37～39mg/L；所述营养液中FeSO4·7H2O的浓度优选为25～30mg/L，进一步优选为27～29mg/L；所述营养液中抑菌剂优选为抑菌灵药液，所述抑菌剂的浓度优选为4500～5000mg/L，进一步优选为4200～4800mg/L，也即在每1L营养液中含4.5～5g固体抑菌剂。
在本发明中，所述生根培养后在12～18℃条件下培养3～5天，该过程中温度还优选为14～16℃；然后进行春化培养，所述春化培养的温度为2～4℃，优选为2.5～3.5℃，所述春化培养的时间为12～18天，优选为13～16天；本发明中春化培养之后进行成苗培养，如前述步骤中覆盖了黑色地膜，所述成苗培养前需要将地膜除去；所述成苗培养的温度条件为：白天温度20～25℃、夜间温度10～20℃，其中白天温度优选为22～24℃，夜间温度优选为12～16℃，所述成苗培养的时间为8～12天，优选为9～11天，成苗培养过程中光照优选为自然光照，得到芽萌发后的芍药苗，然后进行田间管理。本发明所述田间管理优选包括在培养过程中施加上述营养液至苗长出4片以上复叶，所述施加的频率优选为5～10天施加1次，进一步优选为6～8天施加1次；本发明在苗长出4片以上复叶之后优选改浇清水，并且8～12天施加一次水溶肥，本发明对所述水溶肥的种类没有特殊要求，适用于芍药的水溶肥即可。本发明对之后的芍药植株培育过程没有特殊限定，采用常规培育过程即可，在本发明的一个实施例中，将芍药植株移至室外自然培养，高温时进行遮光处理，避免阳光直射，秋季芍药植株上部枯萎以后移栽至大田。
下面结合实施例对本发明提供的技术方案进行详细的说明，但是不能把它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
将芍药肉质根段切成5cm长度，清水洗净，用0.1％高锰酸钾药液浸泡5min，用含有20mg/L萘乙酸和100mg/L吲哚乙酸的百菌清组合溶液浸泡20min，百菌清为75％百菌清稀释800倍的药液。
将3mm的蛭石装入麻袋，用清水浸透，控水至麻袋不滴水，放入高压灭菌锅灭菌，将灭菌后的蛭石倒入方形塑料盒内，蛭石深度6cm，加入灭菌的营养液至蛭石表面有液体浸出，营养液组成如下：
NH4NO3 720mg/L、KNO3 800mg/L、KH2PO4 100mg/L、MgSO4·4H2O 220mg/L、CaCl2·2H2O 500mg/L、KI 0.83mg/L、H3BO3 6.2mg/L、MnSO4·4H2O 22.3mg/L、ZnSO4·7H2O 8.6mg/L、Na2MoO4·2H2O 0.25mg/L、CuSO4·5H2O 0.025mg/L、CoCl2·6H2O 0.025mg/L、Na2·ENTA37.3mg/L、FeSO4·7H2O 27.8mg/L、抑菌灵4800mg/L。
将处理后的根段平放入基质中，深度2cm，每个茎段相距4cm，种植完毕覆上黑色地膜，放入25℃的温棚进行育苗培养35天。
育苗培养第10天，根段上出现短线状白色愈伤组织，第14天时愈伤组织变大隆起并分化出芽点，如图1～2所示；
第20天时，根段开始分化出毛细根，培养到35天毛细根系可伸长至3～4cm，如图3所示。
培养至35天时调整温度到15℃环境下培养4天，然后移至2℃环境下进行芽的春化处理，15天后取出，去除黑色地膜，置于暖棚，白天温度控制为22℃，夜间温度15℃，自然光照，培养10天左右芽开始萌动，每隔1周加一次经过高温灭菌的上述营养液，培养至苗长出4片复叶，改浇清水，十天加一次水溶肥，25天以后移至室外进行自然培养，高温时进行遮光处理，避免阳光直射，秋季上部枯萎以后移栽至大田。
实施例2
将芍药肉质根段切成8cm长度，清水洗净，用0.12％高锰酸钾药液浸泡8min，用含有30mg/L萘乙酸和120mg/L吲哚乙酸的百菌清组合溶液浸泡30min，百菌清为75％百菌清稀释800倍的药液。
将2mm的蛭石装入麻袋，用清水浸透，控水至麻袋不滴水，放入高压灭菌锅灭菌，将灭菌后的蛭石倒入方形塑料盒内，蛭石厚度7cm，加入灭菌的营养液至蛭石表面有液体浸出，营养液组成如下：
NH4NO3 800mg/L、KNO3 900mg/L、KH2PO4 150mg/L、MgSO4·4H2O 250mg/L、CaCl2·2H2O 600mg/L、KI 1mg/L、H3BO3 10mg/L、MnSO4·4H2O 25mg/L、ZnSO4·7H2O 10mg/L、Na2MoO4·2H2O 0.5mg/L、CuSO4·5H2O 0.05mg/L、CoCl2·6H2O 0.05mg/L、Na2·ENTA40mg/L、FeSO4·7H2O 30mg/L、抑菌剂5000mg/L。
将处理后的根段平放入基质中，深度3cm，每个茎段相距4cm，种植完毕覆上黑色地膜，放入25℃的温棚进行育苗培养，培养至36天时调整温度到15℃环境下培养5天，然后移至4℃环境下进行芽的春化处理，18天后取出，去除黑色地膜，置于暖棚，白天温度控制为25℃，夜间温度12℃，自然光照，培养10天左右芽开始萌动，每隔1周加一次经过高温灭菌的上述营养液，培养至苗长出5片以上复叶时，改浇清水，十天加一次水溶肥，30天以后移至室外进行自然培养，高温时进行遮光处理，避免阳光直射，秋季上部枯萎以后移栽至大田。
实施例3
将芍药肉质根段切成3cm长度，清水洗净，用0.08％高锰酸钾药液浸泡3min，用含有10mg/L萘乙酸和80mg/L吲哚乙酸的百菌清组合溶液浸泡10min，百菌清为75％百菌清稀释800倍的药液。
将5mm的蛭石装入麻袋，用清水浸透，控水至麻袋不滴水，放入高压灭菌锅灭菌，将灭菌后的蛭石倒入方形塑料盒内，蛭石深度6cm，加入灭菌的营养液至蛭石表面有液体浸出，营养液组成如下：
NH4NO3 600mg/L、KNO3 700mg/L、KH2PO4 80mg/L、MgSO4·4H2O 180mg/L、CaCl2·2H2O 400mg/L、KI 0.5mg/L、H3BO3 5mg/L、MnSO4·4H2O 20mg/L、ZnSO4·7H2O 5mg/L、Na2MoO4·2H2O 0.1mg/L、CuSO4·5H2O 0.01mg/L、CoCl2·6H2O 0.01mg/L、Na2·ENTA 35mg/L、FeSO4·7H2O 25mg/L、抑菌剂4500mg/L。
将处理后的根段平放入基质中，深度2cm，每个茎段相距4cm，种植完毕覆上黑色地膜，放入22℃的温棚培养，培养至40天时调整温度到15℃环境下培养3-5天，然后移至2℃环境下进行芽的春化处理，15天后取出，去除黑色地膜，置于暖棚，白天温度控制为22℃，夜间温度15℃，自然光照，培养10天左右芽开始萌动，每隔1周加一次经过高温灭菌的上述营养液，培养至苗长出6片复叶时，改浇清水，十天加一次水溶肥，35天以后移至室外进行自然培养，高温时进行遮光处理，避免阳光直射，秋季上部枯萎以后移栽至大田。
对比例1
按照CN109716941A文件中记载的方法进行，于秋季将芍药根用10％多菌灵消毒后，从形态学上端到形态学下端依次分为上、中、下部并切成长度为6±1cm的马耳形根段，将切好的根段放入配好的生根剂溶液中浸泡2h，捞出晾干备用。根上部选用40mg/L的ABT生根剂，根中部和下部选用30mg/L的ABT生根剂浸泡。扞插在阴凉处进行，基质为疏松润湿的细河沙，上覆3cm细河沙，每天喷水，保持河沙湿润，相对湿度为65％-80％，60天后移栽至大田，次年春季萌发，与实施例1进行相同大田培育操作。
对比例2
按照CN109496765A文件中记载的方法进行，于秋季将芍药根切成2～5cm的根茎切块，配制1:800多菌灵水溶液，将所获得的根茎切块组织置于其中，浸泡处理20min后，阴凉处晾干，种植时将根茎切块切口表面与地面呈0～10°摆放，优选与地面平行摆放，带根茎芽的第一切段种植时将切口与地面平行，芽端朝上，根茎切段两两间隔8cm种植，覆土深度5cm。种植10天后浇水一次，一次浇透。使根茎处于较湿润的土壤环境，当11月底，夜间最低气温降至0℃左右，浇水一次，一次浇透，利于根茎防寒越冬；第二年春天，气温回升土壤化冻后，除去根茎顶部除去3～4cm的覆土，防止芽埋土过深而影响萌动其的发育萌发。浇水一次，一次浇透，提供充足的水分，维持芽的生长需求，直至萌发。
实验例1
按照实施例1、对比例1、对比例2的方法分别进行芍药根段的培育，每种方法培育100个芍药根段，并记录平均芽分化数量(按每5cm根段计)，实施例1于次年3月份取样、对比例1和对比例2于第三年3月份取样统计如下指标：平均生根数量和平均根长，发生根腐病情况、萌发枝条总数、平均芍药苗茎粗、平均叶片数量(每株)，结果如下表1所示：
表1芍药种植情况记录表
实施例1 对比例1 对比例2
平均芽分化数量(个) 5.13 3.12 2.84
平均生根数量(条) 19.12 7.48 7.56
平均根长(cm) 6.87 5.20 4.41
发生根腐病(株) 2 19 25
萌发枝条总数(个) 266 102 120
平均芍药苗茎粗(cm) 4.15 3.78 3.05
平均叶片数量(片) 6.82 5.33 3.60
由以上实施例可知，本发明通过特定的浸根溶液处理配合分段温度管理，使得培育的芍药无需经过冬季自然春化即可萌发，极大缩短了育苗时间，延长了幼苗生长期，有效增加了根部营养积累，这使得本发明培育芍药过程中芽分化率、须根条数、须根平均根长显著提高，获得的芍药幼苗吸收养分能力强，生长势明显旺盛，另外，人工进行春化显著节约了时间，不受季节限制，提前使芍药幼苗萌发，延长芍药幼苗生长期4-5个月。通过本发明还实现了集约化育苗，夏季便于遮阳，避免阳光的高温灼伤幼苗，有效防止芍药幼苗早衰，芍药苗平均芽分化数量、平均生根数量和平均根长，发生根腐病情况、萌发枝条总数、平均芍药苗茎粗、平均叶片数量等生长指标较其他方法得到显著提升。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种芍药的育苗方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1)将芍药根段采用芍药浸根溶液进行浸泡，所述浸泡的时间为10～30min；
S2)将浸泡后的芍药根段在20～25℃条件下，生根培养30～40天，然后12～18℃，培养3～5天；
S3)2～4℃，春化培养12～18天；
S4)白天温度20～25℃，夜间温度10～20℃，成苗培养8～12天，得到芽萌发后的芍药苗，进行田间管理；
所述芍药浸根溶液为含有生根激素的杀菌剂；
所述生根激素为萘乙酸和/或吲哚乙酸；
所述杀菌剂为百菌清药液；
所述浸根溶液中萘乙酸的浓度为10～30mg/L，吲哚乙酸的浓度为80～120mg/L；
所述百菌清药液的稀释倍数为700～1000倍，所述百菌清药液的原始浓度为70～80％；
步骤S2)中所述生根培养采用蛭石和营养液作为培养基质，所述蛭石的铺设厚度为6～7cm，芍药根段在蛭石中放置的深度为2～3cm，每个芍药根段之间的距离为2～6cm；
所述营养液包含如下浓度的组分：
NH4NO3600～800mg/L、KNO3700～900mg/L、KH2PO480～150mg/L、MgSO4·4H2O 180～250mg/L、CaCl2·2H2O 400～600mg/L、KI 0.5～1mg/L、H3BO35～10mg/L、MnSO4·4H2O 20～25mg/L、ZnSO4·7H2O 5～10mg/L、Na2MoO4·2H2O 0.1～0.5mg/L、CuSO4·5H2O0.01～0.05mg/L、CoCl2·6H2O 0.01～0.05mg/L、Na2·EDTA 35～40mg/L、FeSO4·7H2O 25～30mg/L、抑菌剂4500～5000mg/L。
2.根据权利要求1所述的芍药的育苗方法，其特征在于，所述芍药根段的长度为3～8cm。
3.根据权利要求1所述的芍药的育苗方法，其特征在于，在所述芍药根段用浸根溶液浸泡前，还包括用高锰酸钾药液浸泡的步骤，所述高锰酸钾药液的浓度为0.08～0.12％，所述高锰酸钾药液浸泡的时间为3～8min。
4.根据权利要求1所述的芍药的育苗方法，其特征在于，所述蛭石的规格为2～5mm；所述蛭石在铺设之前进行高压灭菌。
5.根据权利要求1所述的芍药的育苗方法，其特征在于，所述抑菌剂为抑菌灵药液。
6.根据权利要求1所述的芍药的育苗方法，其特征在于，所述田间管理包括在培养过程中施加上述营养液至苗长出4片以上复叶，所述施加频率为5～10天施加1次。
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