CN115053396A - 具有emi屏蔽衬垫的电磁波导 - Google Patents

Abstract

本发明涉及包括电磁干扰屏蔽衬垫的电磁波导，所述衬垫包括调整成引入一个或多个孔的非织造碳纳米管的自支撑体，并且本发明涉及所述电磁干扰屏蔽衬垫本身。

Description

具有EMI屏蔽衬垫的电磁波导

本发明涉及包括电磁干扰屏蔽衬垫(垫片，gasket)的电磁波导，所述衬垫包括调整成(适于)引入一个或多个孔的非织造碳纳米管的自支撑体，并且本发明涉及所述电磁干扰屏蔽衬垫本身。

波导衬垫通常用于为法兰、盖和扼流圈提供有效的电磁干扰(EMI)屏蔽和压力密封。衬垫可由非导电材料(例如氯丁橡胶)或导电材料(例如铜)制成，以适应所需的功能。

本发明基于如下认识：非织造碳纳米管的自支撑体在极宽频带(典型地MHz至100GHz)内具有电磁干扰(EMI)屏蔽能力，并且甚至在低的面密度下也具有意料不到的衰减值。非织造碳纳米管的自支撑体易于成型和弹性压缩的能力有助于将其部署为(例如)有效的电磁干扰(EMI)屏蔽垫圈。

从第一方面来看，本发明提供电磁波导，包括：

第一波导部分；

第二波导部分；

第一法兰，其安装在所述第一波导部分的端部上；

第二法兰，其安装在所述第二波导部分的端部上，其中所述第一法兰连接(例如密封地连接)至所述第二法兰；和

EMI屏蔽垫圈，其安装在所述第一法兰和所述第二法兰之间，

其中所述EMI屏蔽衬垫包括调整成引入一个或多个孔的非织造碳纳米管的自支撑体。

在压缩下，EMI屏蔽衬垫有效地密封第一法兰和第二法兰之间的接合部(接头)。以优化厚度、机械性能(通过制造工艺)、形状和表面化学(例如通过涂覆)的能力，所述EMI屏蔽衬垫是用于本发明的电磁波导的通用的、成本有效的且高端的屏蔽解决方案。

非织造碳纳米管的自支撑体可调整成引入具有相同或不同形状的多个孔。非织造碳纳米管的自支撑体可调整成引入单个孔。所述(或每个)孔的轮廓可为基本上圆形、正方形或矩形的。

非织造碳纳米管的自支撑体可为层叠体(层压体)。非织造碳纳米管的自支撑体可为纤维状(纤维性)的。例如，非织造碳纳米管的支撑体可为纤维、膜、带、线、片材、网或垫。

非织造碳纳米管的自支撑体可为基本上平面(平坦)的。非织造碳纳米管的平面自支撑体的轮廓可与第一法兰和第二法兰的轮廓互补(例如基本匹配)。非织造碳纳米管的平面自支撑体的轮廓可为基本上圆形、正方形或矩形的。

非织造碳纳米管的自支撑体可为基本上环形的。非织造碳纳米管的环形自支撑体可为基本上圆形的(例如O形环或D形环)或矩形的。非织造碳纳米管的环形自支撑体的横截面可为基本上O形的或D形的。

非织造碳纳米管的环形自支撑体可位于第一法兰和/或第二法兰的连接面中的环形凹部中。

非织造碳纳米管的自支撑体可与另外的材料组合。

所述另外的材料可为颗粒状的或纤维状的或涂层。

所述另外的材料可为聚合物(例如导电或非导电聚合物)、金属或非金属(例如碳)。

所述聚合物可为弹性体。所述聚合物可为热塑性、可热成型或热固性的聚合物。所述可热成型的聚合物可为丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)。所述聚合物可为化学活性的(例如可聚合的或可交联的)。

非织造碳纳米管的自支撑体可通过众所周知的技术例如真空成型、层压、纺织、编织、缠绕、分散或粘合(例如热粘合或化学粘合或电镀)与所述另外的材料组合。

优选地，非织造碳纳米管的自支撑体是经涂覆的。特别优选地，非织造碳纳米管的自支撑体涂覆有聚合物(例如导电或非导电聚合物)。

涂覆可为完全涂覆或部分涂覆。优选地，涂覆是部分涂覆。部分涂覆可使用低分子量聚合物实现并且有利地留下暴露的非织造碳纳米管。

优选地，聚合物浸渍非织造碳纳米管的自支撑体。这可使用低分子量聚合物实现并且有利地用于改进非织造碳纳米管的自支撑体的机械行为。

在优选的实施方式中，聚合物是聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。特别优选地，聚合物是低分子量PVP。该实施方式的优点是，PVP增强非织造碳纳米管的自支撑体的内聚强度。

聚合物可为硅酮(硅树脂)。

在优选的实施方式中，非织造碳纳米管的自支撑体涂覆有非导电聚合物。优选地，非导电聚合物是含氟聚合物。特别优选的是聚偏二氟乙烯(PVDF)或其共聚物或三元共聚物。

在优选的实施方式中，非织造碳纳米管的自支撑体涂覆有导电聚合物。

非织造碳纳米管的自支撑体可涂覆有如上文所定义的一种或多种聚合物(例如导电或非导电聚合物)的混合物。

第一法兰和第二法兰可相同或不同。典型地，第一法兰和第二法兰是相同的。第一法兰和第二法兰可为接触法兰、盖法兰或扼流法兰。

第一法兰和第二法兰各自的连接面可为基本上正方形、圆形、八边形或矩形的。第一法兰和第二法兰可包括z轴特征，例如斜坡部、锥部或锯齿部。

第一法兰和第二法兰可为螺纹连接的或用多个紧固件(例如螺栓或销)连接的。

第一法兰和第二法兰之间的连接可为气密的。第一法兰和第二法兰之间的连接可为接触连接或扼流圈连接。

第一波导部分和第二波导部分可相同或不同。典型地，第一波导部分和第二波导部分是相同的。

第一波导部分和第二波导部分可为细长的中空导电导管(例如金属管)。第一法兰可被插口式安装(socket-mounted)或贯穿式安装(throug-mounted)在第一波导部分上。第二法兰可被插口式安装或贯穿式安装在第二波导部分上。

非织造碳纳米管的自支撑体可调整成通过模制或切割(例如激光、水、刀片、空气或模切)而引入一个或多个孔。

一个或多个孔可包括用于电磁辐射的开口(例如基本上中心的开口)。一个或多个孔可包括用于接收连接第一法兰和第二法兰的紧固件的紧固孔。

优选地，非织造碳纳米管的自支撑体的面密度为60gsm或更低。特别优选地，非织造碳纳米管的自支撑体的面密度为30gsm或更低。更优选地，非织造碳纳米管的自支撑体的面密度为20gsm或更低。

优选地，非织造碳纳米管的自支撑体的表面是不均匀的。例如，非织造碳纳米管的自支撑体的表面可为卷曲的、凹陷的、波纹状的或波浪形的。

优选地，非织造碳纳米管的自支撑体的厚度经历最高达20％的变化。

非织造碳纳米管的自支撑体可设置有聚合物芯。所述聚合物芯可为弹性体芯或者热固性或热塑性聚合物芯。

优选地，EMI屏蔽衬垫是由包括以下的方法可获得的或获得的：

(a)将金属催化剂或金属催化剂前体的物流引入温控流通式反应器中；

(b)将碳源的物流引入所述温控流通式反应器中；

(c)将金属催化剂或金属催化剂前体和碳源暴露于足以产生颗粒状金属催化剂和产生碳纳米管的温度区；

(d)将碳纳米管作为连续的排出物通过温控流通式反应器的排放出口移出；

(e)收集非织造碳纳米管的自支撑体形式的连续的排出物；和

(f)将非织造碳纳米管的自支撑体调整成引入一个或多个孔。

典型地，颗粒状金属催化剂是纳米颗粒状金属催化剂。优选地，所述纳米颗粒状金属催化剂的纳米颗粒具有范围为1-50nm(优选1-10nm)的平均直径(例如，数量、体积或表面平均直径)。优选地，纳米颗粒状金属催化剂的颗粒的80％或更多具有小于30nm的直径。特别优选地，纳米颗粒状金属催化剂的颗粒的80％或更多具有小于12nm的直径。颗粒状金属催化剂的浓度可在10⁶至10¹⁰个颗粒cm^-3的范围内。

典型地，金属催化剂是以下的一种或多种：碱金属、过渡金属、稀土元素(例如镧系元素)和锕系元素。优选地，金属催化剂是以下的一种或多种：过渡金属、稀土元素(例如镧系元素)和锕系元素。

优选地，金属催化剂是以下的至少一种：Fe、Ru、Co、W、Cr、Mo、Rh、Ir、Os、Ni、Pd、Pt、Ru、Y、La、Ce、Mn、Pr、Nd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu、Hf、Li和Gd。

优选地，金属催化剂是铁。

金属催化剂前体可为金属络合物或有机金属金属化合物。实例包括五羰基铁、二茂铁或二茂铁衍生物(例如二茂铁硫化物)。

优选地，金属催化剂前体是含硫的。含硫的金属催化剂前体可促进碳纳米管的生长。

优选地，金属催化剂前体是含硫的有机金属型的。特别优选地，金属催化剂前体是含硫的铁有机金属型的。更优选地，金属催化剂前体是含硫的二茂铁衍生物。还更优选地，金属催化剂前体是单-(甲硫基)二茂铁或双-(甲硫基)二茂铁。

金属催化剂或金属催化剂前体的流速可在1至50g/小时(例如约7g/小时)的范围内。

金属催化剂或金属催化剂前体可与含硫的添加剂一起在步骤(a)中引入。含硫的添加剂可促进碳纳米管的生长。含硫的添加剂可为噻吩、硫化铁、含硫的二茂铁衍生物(例如二茂铁硫化物)、硫化氢或二硫化碳。

在优选的实施方式中，含硫的添加剂是噻吩或二硫化碳。特别优选地，含硫的添加剂是噻吩。

在优选的实施方式中，金属催化剂前体是二茂铁，任选地连同含硫的添加剂(优选噻吩或二硫化碳)一起。

含硫的添加剂的流速可在0.1至10g/小时(例如约5g/小时)的范围内。

在步骤(a)中引入的金属催化剂或金属催化剂前体可为气体、液体或固体形式。金属催化剂或金属催化剂前体可与非金属催化剂改性剂或其前体一起在步骤(a)中引入。非金属催化剂改性剂可为含硫属元素的(例如含硫的)。

颗粒状金属催化剂的产生可在步骤(c)中通过金属催化剂或金属催化剂前体热分解或离解成金属物种(例如原子、自由基或离子)来引发。步骤(c)中颗粒状金属催化剂的产生可包括金属物种成核成经成核的金属物种(例如簇)。颗粒状金属催化剂的产生可包括经成核的金属物种生长到颗粒状金属催化剂中。

金属催化剂或金属催化剂前体可在步骤(a)中以线性、轴向、涡旋、螺旋、层流或湍流流动路径引入(例如注入)。金属催化剂或金属催化剂前体可在多个位置处引入。

在步骤(a)中，金属催化剂或金属催化剂前体可轴向或径向地引入温控流通式反应器中。金属催化剂或金属催化剂前体可通过探针或注射器轴向地引入。

金属催化剂或金属催化剂前体可与载气混合。载气典型地是以下的一种或多种：氮气、氩气、氦气或氢气。与载气混合的金属催化剂或金属催化剂前体的物料(质量)流量通常在10至30lpm的范围内。

在步骤(b)之前，可加热碳源。

在步骤(b)之前，碳源可通过红外线、可见光、紫外线或X射线能量源经历辐射传热。

在步骤(b)中，碳源可以线性、轴向、涡旋、螺旋、层流或湍流流动路径引入(例如注入)。

在步骤(b)中，可将碳源轴向或径向地引入温控流通式反应器中。碳源可通过探针或注射器轴向地引入。碳源可在多个位置处引入。

碳源可为任选地取代和/或任选地羟基化的芳族或脂族的无环或环状烃(例如炔烃、烷烃或烯烃)，其任选地被一个或多个杂原子(例如氧)中断。优选的是任选地卤代的C_1-6烃(例如甲烷、丙烷、乙烯、乙炔或四氯乙烯)，任选地单、二或三取代的苯衍生物(例如甲苯)或C_1-6醇(例如乙醇)。

优选地，碳源是甲烷，任选地(但优选地)在任选地取代和/或任选地羟基化的芳族或脂族的无环或环状烃(例如炔烃、烷烃或烯烃)的存在下，所述烃任选地被一个或多个杂原子(例如氧)中断。

碳源可为C_1-6烃例如甲烷、乙烯或乙炔。

碳源可为醇例如乙醇或丁醇。

碳源可为芳烃例如苯或甲苯。

在优选的实施方式中，碳源是甲烷，任选地在丙烷或乙炔的存在下。

碳源的流速可在50至30000sccm(例如2000sccm)的范围内。

典型地在步骤(b)中，将碳源与载气例如氦气、氢气、氮气或氩气一起引入。

载气的流速可在1000至50000sccm(例如30000sccm)的范围内。

在优选的实施方式中，步骤(a)和(b)是同时进行的。为此目的，将金属催化剂或金属催化剂前体优选地悬浮或溶解在碳源中。特别优选地，将金属催化剂或金属催化剂前体和含硫的添加剂悬浮或溶解在碳源中。例如，可将二茂铁和噻吩溶解在有机溶剂如丁醇、乙醇、苯或甲苯中，并且可将溶液引入(例如注入)到温控流通式反应器中。

碳纳米管可为单壁和/或多壁碳纳米管。在步骤(c)中，碳纳米管结构可采用3D连续网络的形式(例如气凝胶)。

温控流通式反应器可为圆柱形或其他几何形状。温控流通式反应器可为基本上垂直的或水平的。优选地，温控流通式反应器为基本上水平的。

温控流通式反应器的壁可通过暴露于冷却流体例如水、液氮或液氦来选择性地冷却。

温控流通式反应器可调整成提供轴向温度梯度。所述轴向温度梯度可为不均匀的(例如阶梯状的)。温控流通式反应器的温度可通过电阻加热、等离子体或激光来控制。

优选地，温控流通式反应器中的温度分布基本上是抛物线形的。

足以产生颗粒状金属催化剂和产生碳纳米管的温度区可在至少600至1500℃的范围内延展。

温控流通式反应器可调整成通过注入喷嘴、喷枪、探针或多孔注射器(例如喷头注射器)引入反应物。

步骤(d)可通过机械力、静电力或磁力进行。

步骤(e)可以机械方式进行。例如，步骤(e)可在旋转心轴或滚筒上进行。

所述方法还可包括对非织造碳纳米管的自支撑体进行切割、切碎、成型、铺设、压平、拉伸、展开、对齐、梳理、加热、振动或增强。

所述方法还可包括对非织造碳纳米管的自支撑体进行化学调整。

所述方法还可包括使非织造碳纳米管的自支撑体致密化。典型地，致密化之后进行空气干燥。

所述方法还可包括对非织造碳纳米管的自支撑体进行涂覆。

优选地，非织造碳纳米管的自支撑体的电导率在10³至10⁶S/m的范围内、特别优选地在10000至500000S/m的范围内。

非织造碳纳米管的自支撑体的面密度可通过改变步骤(e)的持续时间而改变。

从另一方面来看，本发明提供如上文所定义的EMI屏蔽衬垫。

从又另一方面来看，本发明提供如上文所定义的非织造碳纳米管的自支撑体用于EMI(例如RFI)屏蔽的用途。

用于EMI屏蔽的非织造碳纳米管的自支撑体的用途优选地是作为或用于屏蔽衬垫、屏蔽壳体、屏蔽罐、屏蔽卡、屏蔽底板、屏蔽室、屏蔽带或屏蔽缆线。

现在将参考附图在非限制性的意义上描述本发明，其中：

图1至32是展示根据本发明的EMI屏蔽衬垫的代表性实施方式的屏蔽性能的衰减图；

图33和34显示未涂覆和经涂覆的CNT材料的SEM图像；

图36显示对于未涂覆和经涂覆的CNT材料的拉伸应力和应变(％)的比较；

图37显示对于未涂覆和经涂覆的CNT材料的断裂能的比较；

图38和39显示对于下述实施例3的测试设置；和

图40至47显示使用所述测试设置测量的多种衬垫材料的屏蔽性能。

实施例1

通过测量相对于自由空间或聚乙烯(PE)间隔物的衰减而在高频下评估根据本发明的EMI屏蔽衬垫的代表性实施方式的屏蔽性能。

实验

使用以固定距离安置至波导法兰侧的喇叭天线进行测量。信号源产生测试信号。使用以下法兰(Flann Microwave Limited)和频率：

WR-112 10GHz

WR-42 26.5GHz

WR-19 50GHz。

WR-112是扼流法兰，其具有比标准法兰好的金属对金属性能。对于WR-112，源被封装在屏幕盒中。

对于WR-42和WR-19，源在波导中。

在各自的情况下的终端都是波导负载。测试方法基于IEEE Std 299：2006，并且测试设备列于表1中。

表1

物品编号	型号	说明	制造商
				H058	861D	40-60GHz喇叭天线25dBi	Alpha
E204	45821H	26-40GHz喇叭天线20dBi	Hughes
				E329	8349B	2-20GHz放大器	Agilent
E296-4	11970U	40-60GHz混频器	Agilent
				E366	WBH224S	1.7-24GHz喇叭天线	Q-par
E777	MG3695B	50GHz信号发生器	Anritsu
				E755	N9030B	PXA频谱分析仪	Keysight
E853	-	Cable 2.4/2.92mm
				E933	321B	WR-112负载	Narda Calstron
E934	U910A	WR-42负载	Fmi
				E935	2217	WR-19负载	HP
H024	ESG-0015	250kHz-15GHz信号发生器	ERA Instruments

用于制备本发明的EMI屏蔽衬垫的CNT材料可从TorTech获得，其具有以下目录号：

C-322-H3 20gsm

C-340-H3B 30gsm

C-254-H2A 60gsm。

根据标准技术对CNT材料进行激光切割，以引入孔和所需的EMI屏蔽衬垫配置。对未涂覆的由CNT材料制成的EMI屏蔽衬垫和PVDF涂覆的由CNT材料制成的EMI屏蔽衬垫进行了测试。通过如下制备PVDF涂覆的EMI屏蔽衬垫：将PVDF料粒(Sigma Aldrich)溶解在丙酮(15％重量/重量)中并将该溶液施加至未涂覆的EMI屏蔽衬垫的表面。使丙酮蒸发以留下PVDF涂层。

使用含镍和石墨的硅酮弹性体(CEM-NC001-0-0.3 80H 600gsm)作为对照材料。

结果

图1至32中提供了衰减图。对于每种波导类型，下面将结果制表。在衰减图和表格中，使用了以下缩写：

“PVDF”为PVDF涂覆的EMI屏蔽衬垫

“ASIS”为未涂覆的EMI屏蔽衬垫

‘Direct’为没有衬垫的波导(即波导法兰之间的金属对金属接触)

“PE70”为聚乙烯间隔物

“NiGrSi”为由对照材料制成的衬垫。

表2-10GHz

表3-26.5GHz

表4-50GHz

结论

结果总体上表明，相对于由对照材料制成的衬垫，由CNT材料制成的EMI屏蔽衬垫在衰减方面提供了改进。令人惊讶地，由具有最低面密度(20gsm)的CNT材料制成的衬垫比由其他CNT材料(30gsm和60gsm)制成的EMI屏蔽衬垫好。PVDF涂覆的EMI屏蔽衬垫出乎意料地优于其他衬垫。

实施例2

使用标准技术测量经涂覆的CNT材料的多种性质。

图33和34分别显示涂覆有PVP的CNT材料(20gsm)的每个面的SEM图像。图35显示涂覆有10重量％PVDF的CNT材料的SEM图像。

图36显示对于未涂覆的CNT材料(60gsm)、涂覆有PVP的CNT材料(60gsm)、未涂覆的CNT材料(20gsm)和涂覆有PVP的CNT材料(20gsm)的拉伸应力和应变(％)的比较。

图37显示对于未涂覆的CNT材料(60gsm)、涂覆有PVP的CNT材料(60gsm)、未涂覆的CNT材料(20gsm)和涂覆有PVP的CNT材料(20gsm)的断裂能的比较。

实施例3

实验

用于测量的测试设备如下：

RN编号	型号	说明	制造商
				E366	WBH224S	1.7-24GHz喇叭天线	Qpar
E777	MG3695B	50GHz信号发生器	Anritsu
				H301	45821H	24-40GHz喇叭天线	Hughes
H302	DP241	6-40(50)GHz DP喇叭	Fmi
				H304	83050A	2GHz-50GHz放大器	Agilent
H305	87421A	电源	Agilent
				E755	N9030B PXA	3Hz-50GHz频谱分析仪	Keysight
E759	MX6-10-NH	75-110GHZ x6倍增器	MMW Group
				E781	MX4-10-NH	50-75GHz x4倍增器	MMW Group
E296-5	11970V	50-75GHZ混频器	HP
				E296-6	11970W	75-110GHZ混频器	HP
E503	25240-20	20dB标准增益喇叭50-75G	fmi
				0410	2524-20	20dB标准增益喇叭50-75G	fmi
E579	27240-20	20dB标准增益喇叭75-110G	fmi
				0411	2724-20	20dB标准增益喇叭75-110G	fmi

用于测试的测试壳体由Shielding Solutions Ltd基于来自RN Electronics Ltd的设计输入制造。它特定地配置用于测试材料在高频(>5GHz)下的屏蔽有效性。

测试方法：

基于IEEE 299:2006

测试标准：

IEEE 299:2006

测试物品：

衬垫样品

位置：

测试区A

样品规划：

在30cm的固定距离处测量，25-100GHz

测试要求：

非织造CNT垫(mat)25-100GHz的测量

材料相对于自由空间的有效性。

该测试的主要目的是比较和评估多种衬垫材料在高频下的屏蔽性能。这些类型的材料典型地用于屏蔽小型电子壳体，并且测试的目的是评估各材料用于在这些高频下运行的设备中的适合性。下面列出了材料(由TorTech制造的CNT材料)。

MFS-NCRS001镀铜金属化聚酯防撕裂织物上的镍

C-267-H3B CNT垫11gsm

C-279-H3B CNT垫30gsmC-279-H3B o CNT垫30gsm

C-302-H2 60gsm

C-314-H2 PCU 900NM 19gsm

C-283-H3 36gsm

C-283-H3 100％环氧圈

Optiveil 20444A铜+镍涂覆的碳覆盖物20gsm

铝箔40u 108gsm(用于在25-50GHz下的对照)

研磨铝盘10mm厚(用于在50-100GHz下的对照)

各衬垫盘居中地放置在测试壳体正面中的40mm直径孔上(参见图38)，其中频率源位于内部(参见图39)。衬垫通过直径50毫米、厚10毫米的Tufnell圆盘固定。使用与圆盘电绝缘的单个铰接夹来压缩衬垫。这确保圆盘和壳体之间的唯一电连接由衬垫提供。所有衬垫样品都经历相同的测试程序。

结果

图40-47中显示通过测试夹具/屏蔽盒中的50mm圆形孔测量的各衬垫类型的相对于自由空间的屏蔽衰减结果(以dB为单位)和随附图。

CNT材料还显示出用作EMI屏蔽衬垫材料的前景，其通过它们在壳体孔的铝表面上的自端接(自终止，self-terminated)有多好而证明。

Claims (16)

1.电磁波导，包括：

第一波导部分；

第二波导部分；

第一法兰，其安装在所述第一波导部分的端部上；

第二法兰，其安装在所述第二波导部分的端部上，其中所述第一法兰连接至所述第二法兰；和

EMI屏蔽衬垫，其安装在所述第一法兰和所述第二法兰之间，

其中所述EMI屏蔽衬垫包括调整成引入一个或多个孔的非织造碳纳米管的自支撑体。

2.如权利要求1所述的电磁波导，其中所述非织造碳纳米管的自支撑体是经涂覆的。

3.如权利要求1或2所述的电磁波导，其中所述涂覆是部分涂覆。

4.如权利要求2或3所述的电磁波导，其中所述涂覆浸渍非织造碳纳米管的自支撑体。

5.如前述权利要求任一项所述的电磁波导，其中所述非织造碳纳米管的自支撑体涂覆有聚合物。

6.如权利要求5所述的电磁波导，其中所述聚合物是非导电聚合物。

7.如权利要求6所述的电磁波导，其中所述非导电聚合物是含氟聚合物。

8.如权利要求6或7所述的电磁波导，其中所述非导电聚合物是聚偏二氟乙烯(PVDF)或其共聚物或三元共聚物。

9.如权利要求5所述的电磁波导，其中所述聚合物是导电聚合物。

10.如权利要求5所述的电磁波导，其中所述聚合物是聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。

11.如前述权利要求任一项所述的电磁波导，其中所述非织造碳纳米管的自支撑体的面密度为60gsm或更低。

12.如前述权利要求任一项所述的电磁波导，其中所述非织造碳纳米管的自支撑体的面密度为20gsm或更低。

13.如前述权利要求任一项所述的电磁波导，其中所述非织造碳纳米管的自支撑体的表面是不均匀的。

14.如前述权利要求任一项所述的电磁波导，其中所述非织造碳纳米管的自支撑体的厚度经历最高达20％的变化。

15.如前述权利要求任一项所述的电磁波导，其是由包括以下的方法能获得的或获得的：

(a)将金属催化剂或金属催化剂前体的物流引入温控流通式反应器中；

(b)将碳源的物流引入所述温控流通式反应器中；

(c)将金属催化剂或金属催化剂前体和碳源暴露于足以产生颗粒状金属催化剂和产生碳纳米管的温度区；

(d)将碳纳米管作为连续的排出物通过温控流通式反应器的排放出口移出；

(e)收集非织造碳纳米管的自支撑体形式的连续的排出物；和

(f)将非织造碳纳米管的自支撑体调整成引入一个或多个孔。

16.EMI屏蔽衬垫，其如前述权利要求任一项中定义。

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