CN115050913A - 一种发光屏体和发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光屏体和发光装置,其中发光屏体包括:基板;发光层,位于基板的发光区;金属阻挡层,位于基板的非发光区,金属阻挡层围绕发光层的整个边缘外侧设置;金属阻挡层用于阻隔外部的水氧,以及形成等势体以阻挡静电的进入;封装层,位于发光层以及金属阻挡层远离基板的一侧;其中,在发光层的电极引线绑定侧,金属阻挡层与电极引线之间包括层间绝缘层;位于电极引线绑定侧的金属阻挡层与位于非电极引线绑定侧的金属阻挡层通过层间绝缘层的搭接孔连接,使得金属阻挡层为密封的环状结构,提高了发光屏的封装和防静电的可靠性;只需制备金属阻挡层即可满足阻隔外部的水氧以及防静电的需求,降低了发光屏的制备难度以及成本。
Description
技术领域
本发明实施例涉及发光技术领域,尤其涉及一种发光屏体和发光装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)可以用于照明以及显示技术,具有自发光、低耗电、响应速度快、发光效率高、工艺简单等优异特性。
目前,OLED屏体由于内部的膜层比较薄,容易受到静电击穿,而且外部水氧容易从屏体的基板和盖板之间的缝隙进入,对内部膜层造成损害,因此存在屏体的封装和防静电可靠性差的问题,影响了屏体的工作性能。
发明内容
本发明实施例提供了一种发光屏体和发光装置,以提高屏体封装和防静电的可靠性。
根据本发明的一方面,提供了一种发光屏体,包括:
基板;
发光层,位于所述基板的发光区;
金属阻挡层,位于所述基板的非发光区,所述金属阻挡层围绕所述发光层的整个边缘外侧设置;所述金属阻挡层用于阻隔外部的水氧,以及形成等势体以阻挡静电的进入;
封装层,位于所述发光层以及所述金属阻挡层远离所述基板的一侧;
其中,在所述发光层的电极引线绑定侧,所述金属阻挡层与电极引线之间包括层间绝缘层;位于电极引线绑定侧的金属阻挡层与位于非电极引线绑定侧的金属阻挡层通过所述层间绝缘层的搭接孔连接。
可选的,所述金属阻挡层的个数为多个,多个金属阻挡层沿着远离所述发光层的方向依次间隔排布;其中,至少一个金属阻挡层包括尖端放电部。
可选的,所述发光层包括:
第一电极层,位于所述基板的一侧,所述第一电极层包括多个间隔设置的第一电极,
功能层,所述功能层位于所述第一电极层远离所述基板的一侧;
第二电极层,所述第一电极层位于所述功能层远离所述基板的一侧;
其中,至少一所述金属阻挡层与所述第一电极层连接,和/或至少一所述金属阻挡层与所述第二电极层连接;与所述第一电极层连接的金属阻挡层和与第二电极层连接的金属阻挡层不同,并且与所述第一电极层连接的金属阻挡层和与第二电极层连接的金属阻挡层均具有尖端放电部。
可选的,所述的发光屏体还包括:
辅助电极层,所述辅助电极层包括位于发光区的至少一条电源信号传输线以及位于非发光区的至少一条所述电极引线;所述电源信号传输线用于将所述电极引线输入的电压信号传输给所述第一电极;
其中,位于电极引线绑定侧的金属阻挡层与所述第二电极层同层设置;位于非电极引线绑定侧的金属阻挡层与所述辅助电极层同层设置。
可选的,在所述发光层的电极引线绑定侧,距离所述发光层最近的金属阻挡层与所述第二电极层连接。
可选的,在所述发光层的电极引线绑定侧,至少一条电极引线与一所述金属阻挡层连接,以使所述金属阻挡层与所述第一电极层连接。
可选的,所述电极引线与所述金属阻挡层一一对应连接。
可选的,每一所述金属阻挡层均包括尖端放电部,相邻两个金属阻挡层中的尖端放电部沿着围绕所述发光层的方向错位设置。
可选的,所述发光层还包括:
像素定义层,所述像素定义层包括多个开口,所述功能层的材料填充于所述开口中;所述层间绝缘层与所述像素定义层的材料相同。
根据本发明的另一方面,提供了一种发光装置,包括本发明任一实施例所述的发光屏体。
本发明实施例提供的技术方案,通过在发光区基板的非发光区设置围绕发光层整个边缘外侧的金属阻挡层,即阻挡层的材料为金属阻挡层材料,使得阻挡层在具备阻隔外部的水氧作用的同时,还能形成等势体以阻挡静电的进入,起到防静电的作用。只需制备金属阻挡层即可满足阻隔外部的水氧以及防静电的需求,还可以降低发光屏的制备难度以及成本。另外,在发光层的电极引线绑定侧,金属阻挡层与电极引线之间包括层间绝缘层;位于电极引线绑定侧的金属阻挡层与位于非电极引线绑定侧的金属阻挡层通过所述层间绝缘层的搭接孔连接,使得金属阻挡层可以形成密封的环状结构,提高了发光屏的封装和防静电的可靠性。
应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光屏体的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的另一种发光屏体的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的另一种发光屏体的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的另一种发光屏体的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的另一种发光屏体的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
如背景技术,因为OLED屏体内部的膜层比较薄,容易受到静电击穿,轻则将引线击伤,导致功能性不良,重则膜层击破,导致屏体失效。而且外部水氧容易从屏体的基板和盖板之间的缝隙进入,对内部膜层造成损害。目前对于防静电的设计,通过在基板边缘区域设置金属层作为静电防护部件,由于金属层为低电阻层,电荷一般会沿着电阻较小的电路转移,所以可以强制电荷不经过发光像素区域。但是由于屏体需要一定的引线设计,尤其在绑定区的电极引线,使得金属层的两端分别终止在基板上引线邦定区的两端,静电防护部件为非封闭的结构,降低了防静电的效果;另外,为了防止外部水氧从屏体中基板和盖板之间的缝隙进入屏体内部对内部膜层造成损害,通常还需在基板边缘区域设置氧化物材料的水氧阻挡层,而静电防护部件和水氧阻挡层的同时设置增加了屏体的制备难度以及成本。
鉴于此,本发明实施例提供了一种发光屏体,图1是本发明实施例提供的一种发光屏体的结构示意图,参考图1,发光屏体包括:
基板10;
发光层20,位于基板10的发光区;
金属阻挡层30,位于基板10的非发光区,金属阻挡层30围绕发光层20的整个边缘外侧设置;金属阻挡层30用于阻隔外部的水氧,以及形成等势体以阻挡静电的进入;
封装层(未画出),位于发光层20以及金属阻挡层30远离基板10的一侧;
其中,在发光层20的电极引线绑定侧,金属阻挡层30与电极引线50之间包括层间绝缘层40;位于电极引线绑定侧的金属阻挡层32与位于非电极引线绑定侧的金属阻挡层31通过层间绝缘层40的搭接孔41连接。
具体的,基板10包括发光区和非发光区,基板10的发光区中设置有发光层20,发光层20中包括多个发光结构。发光层20的至少一侧设置有电极引线50,电极引线50用于将输入的电源信号传出给发光层20,以使发光层20中的发光结构可以被点亮,从而进行发光或照明。基板10的非发光区设置有金属阻挡层30,金属阻挡层30围绕发光层20的整个边缘外侧设置。金属阻挡层30可以为“堤坝”形状,水氧从屏体中基板10和盖板之间的缝隙进入屏体内需沿着金属阻挡层30的表面进入,即可以延长水氧从屏体中基板10和盖板之间的缝隙进入屏体内部的路径,从而可以降低水氧进入屏体内部的能力,进而起到阻隔外部的水氧的作用,提高屏体封装可靠性。金属阻挡层30的材料为金属,相当于在发光层20的外围提供一等势体,阻挡静电的进入,从而起到防静电的作用。当外界设备、人手或其他物体接触屏体时,尤其是接触到基板10上的非引线区域,即基板10的边缘,如果有两个或两个以上的接触点,并且接触点之间存在电势差,电荷就会通过屏体释放。也就是说,只需制备金属阻挡层30即可满足阻隔外部的水氧以及防静电的需求,还可以降低发光屏的制备难度以及成本。其中金属阻挡层30的个数可以为一个,也可以为多个。
由于电极引线50位于非发光区中的绑定区,因此在发光层20的电极引线绑定侧,电极引线50与金属阻挡层30具有重叠区域。通过在金属阻挡层30与电极引线50之间设置层间绝缘层40,可以防止金属阻挡层30在沿着发光层20的边缘外侧设置时,与绑定区中的电极引线50直接接触,而导致电极引线50之间短路。金属阻挡层30包括位于电极引线绑定侧的金属阻挡层32与位于非电极引线绑定侧的金属阻挡层31,位于电极引线绑定侧的金属阻挡层32与位于非电极引线绑定侧的金属阻挡层31不同层设置。通过在层间绝缘层40中刻蚀的搭接孔41连接,使位于电极引线绑定侧的金属阻挡层32与位于非电极引线绑定侧的金属阻挡层31通过搭接孔41接触,从而使得金属阻挡层30形成密封的环状结构。
参考图1,发光层20的一侧设置有电极引线50,非电极引线绑定侧的金属阻挡层31的两端分别终止在基板10上引线绑定区的两端。在两端终止位置的上方,通过刻蚀层间绝缘层形成搭接孔41,使位于非电极引线绑定侧的金属阻挡层31的两端分别与位于层间绝缘层40上的金属阻挡层32的两端电连接。从而使得金属阻挡层30形成密封的环状结构。相对于现有技术中的非密封的环状结构,可以提高了发光屏的防静电的可靠性。
本发明实施例提供的发光屏,通过在发光层整个边缘的外侧设置金属材料的阻挡层,使得阻挡层在具备阻隔外部的水氧作用的同时,还能形成等势体以阻挡静电的进入,起到防静电的作用。并且金属阻挡层为密封的环状结构,提高了发光屏的封装和防静电的可靠性。只需制备金属阻挡层即可满足阻隔外部的水氧以及防静电的需求,降低了发光屏的制备难度以及成本。而且,相对于将阻挡层与防静电结构分开设置在发光屏的非发光区,将阻挡层复用为防静电结构还可以减小OLED屏体的边宽,有利于窄边宽的实现。
在本发明的一个实施例中,参考图2,金属阻挡层30的个数为多个,多个金属阻挡层30沿着远离发光层20的方向依次间隔排布;其中,至少一个金属阻挡层30包括尖端放电部33。
可以理解为,发光层20的边缘外侧围绕有多个金属阻挡层30,多个金属阻挡层30沿着远离发光层20的方向依次间隔排布。多个金属阻挡层30可以进一步的延长水氧从屏体中基板10和盖板之间的缝隙进入屏体内部的路径,降低水氧进入屏体内部的能力,提高屏体封装的可靠性。其中,至少一个金属阻挡层30包括尖端放电部33,尖端放电部33可以包括两个相对设置的尖端。使得静电容易在尖端产生、聚集,进而进行释放。即尖端放电部33为静电提供了释放路径,当屏体内部有静电,可以通过尖端放电部33进行释放。图2中示例性的画出发光层20的边缘外侧围绕有三个金属阻挡层30,并且每个金属阻挡层30均具有尖端放电部33。
在本发明的一个实施例中,参考图3~图5,发光层20包括:
第一电极层21,位于基板10的一侧,第一电极层21包括多个间隔设置的第一电极;
功能层22,位于第一电极层21远离基板10的一侧;
第二电极层23,位于功能层22远离基板10的一侧;
其中,至少一金属阻挡层30与第一电极层21连接,和/或至少一金属阻挡层30与第二电极层23连接;与第一电极层21连接的金属阻挡层30和与第二电极层23连接的金属阻挡层30不同,并且与第一电极层21连接的金属阻挡层30和与第二电极层23连接的金属阻挡层30均具有尖端放电部33。
可以理解为,发光层20包括依次层叠设置的第一电极层21、功能层22和第二电极层23,其中第一电极层21相对较靠近于基板10。第一电极层21、功能层22和第二电极层23在基板10上的垂直投影面积可以相等,并且垂直投影完全重叠,图3~图5中示例性的画出第一电极层21、功能层22和第二电极层23在基板10上的垂直投影具有不重叠部,以便以区分屏体中的膜层结构。
第一电极层21包括多个间隔设置的第一电极,功能层22位于第一电极远离基板10的一侧,第二电极层23为共用电极层,形成在功能层22远离基板10的一侧。每一第一电极对应一个发光结构。功能层22的材料为有机发光材料,通过在第一电极层21和第二电极层23之间形成电压差,可以使功能层22发光。第一电极层21可以为OLED器件的阳极,第一电极层21的材料为透明导电材料,例如可以是ITO。第二电极层23可以为OLED器件的阴极,第二电极层23的材料为金属材料,例如铝、银、镁、银或由其中的几种组合成的复合金属。
其中,参考图3,金属阻挡层30与第一电极层21连接,并且与第一电极层21连接的金属阻挡层30具有尖端放电部33。可以将第一电极层21中的静电荷通过金属阻挡层30的尖端放电部33释放出。或者,参考图5,金属阻挡层30与第二电极层23连接,并且与第二电极层23连接的金属阻挡层30具有尖端放电部33。可以将第二电极层23中的静电荷通过金属阻挡层30的尖端放电部33释放出。或者,参考图4,第一电极层21和第二电极层23均与金属阻挡层30连接。需要说明的是,若第一电极层21和第二电极层23均与金属阻挡层30连接,与第一电极层21连接的金属阻挡层30和与第二电极层23连接的金属阻挡层30为不同的金属阻挡层30,以防止第一电极层21于第二电极层23短路,影响屏体的正常显示和发光。
可选的,参考图4,在发光层20的电极引线绑定侧,距离发光层20最近的金属阻挡层30与第二电极层23连接。可以理解为,在金属阻挡层30的个数为多个时,距离发光层20最近的金属阻挡层30与第二电极层23连接,可以降低简化屏体中金属阻挡层30与第二电极层23导通的制备难度。例如在图4中,在距离发光层20最近的金属阻挡层30上不会设置有过孔42与电极引线50连接,一方面可以防止第一电极层21与第二电极层23短接,另一方面可以实现第二电极层的静电释放。而在远离发光层的电极引线区域的金属阻挡层30上会设置有过孔42连接电极引线50,从而实现第一电极层的静电释放。
可选的,参考图4和图5,在发光层20的电极引线绑定侧,至少一条电极引线50与一金属阻挡层30连接,以使金属阻挡层30与第一电极层21连接。可以理解为,发光区可以划分为多个子发光区,每一子发光区对应一条电极引线50。电极引线50可以通过过孔42与位于层间绝缘层40上方的金属阻挡层30连接,使得金属阻挡层30能够通过电极引线50与第一电极层23实现连接。
可选的,参考图5,电极引线50通过过孔42与金属阻挡层30一一对应连接。可以理解为,每条电极引线50均与一金属阻挡层30对应连接。可以将每一电极引线50上的静电均通过金属阻挡层30中的尖端放电部33进行放电,进一步的提高了屏体的防静电效果。
通过过孔将电极引线与金属阻挡层连接,不仅可以防止外部静电对发光屏体的干扰,同时可以将屏内的静电通过电极引线导到金属阻挡层中释放掉,实现了全面的屏体内外的静电防控。
在本发明的一个实施例中,参考图3~图5,发光屏体还包括辅助电极层,辅助电极层包括位于发光区的至少一条电源信号传输线(未画出)以及位于非发光区的至少一条电极引线50;电源信号传输线用于将电极引线50输入的电压信号传输给第一电极。
其中,位于电极引线绑定侧的金属阻挡层32/30与第二电极层23同层设置;位于非电极引线绑定侧的金属阻挡层31/30与辅助电极层同层设置。
可以理解为,在上述发光屏体的制作中,使用的基板10通常为玻璃,在基板10单侧表面溅射一层透明电极,例如通常采用ITO电极作为第一电极层21,再溅射一层辅助电极材料层,可以选择Cr、Mo、MoAlMo,Ag、Cu等金属作为辅助电极材料层。根据辅助电极图形和金属阻挡层图形制备好所需的掩膜板,通过掩膜板刻蚀发光区中的辅助电极材料层以及绑定区中的辅助电极材料层形成辅助电极图形。其中在发光区中形成电源信号传输线,在绑定区中形成电极引线。发光区可以划分为多个子发光区,每一子发光区对应一条电极引线50。每一子发光区中可以包括至少一条电源信号传输线,电极引线50用于向同一子发光区中的至少一条电源信号传输线传输电源信号。为避免电源信号传输线影响发光结构的正常出光,电源信号传输线可以沿着第一电极之间的缝隙设置。
同时,通过掩膜板刻蚀非发光区中位于发光层20非电极引线绑定侧的辅助电极材料层,形成位于发光层20非电极引线绑定侧的金属阻挡层31。此情况下,位于发光层20非电极引线绑定侧的金属阻挡层31与辅助电极层为同一种金属,并且同工艺形成,简化了屏体的制备流程。之后再通过透明电极所需的掩膜板刻蚀出透明电极图形,完成电极引线50、电源信号传输线以及第一电极的制备。
在电极引线绑定区中形成层间绝缘层40覆盖住电极引线50后,在第一电极层21上依次形成功能层22和第二电极材料层,其中第二电极材料层延伸至电极引线50的绑定区,并覆盖至少部分的层间绝缘层40。将位于发光区的第二电极材料层作为第二电极层23,将位于层间绝缘层40上的第二电极材料层经过刻蚀后形成位于绑定区的金属阻挡层32。即位于电极引线绑定侧的金属阻挡层32与第二电极层23的材料相同,并且同工艺形成,简化了屏体的制备过程。参考图3,当金属阻挡层30的个数为一个时,第二电极材料层可以不进行刻蚀,使金属阻挡层30与第二电极层23连接,可以将第二电极层23中的静电荷通过金属阻挡层30的尖端放电部33释放出的同时,还可以进一步的简化了屏体的制备过程。
在本发明的一个实施例中,参考图3~图5,发光屏体中的发光层20还包括像素定义层24,像素定义层24位于第一电极之间的间隙,像素定义层24可以覆盖发光区中的电源信号传输线。像素定义层24包括多个开口,功能层22的材料填充于开口中;层间绝缘层40与像素定义层24的材料可以相同。材料例如可以为有机光刻胶或无机氧化硅等绝缘材料。可以理解为,层间绝缘层40与像素定义层24可以同工艺形成,可以进一步的简化了屏体的制备过程。
在本发明的一个实施例中,参考图5,每一金属阻挡层30均包括尖端放电部33,相邻两个金属阻挡层30中的尖端放电部33沿着围绕发光层20的方向错位设置。
可以理解为,每一金属阻挡层30均包括尖端放电部33,可以使得每一个金属阻挡层30均可以进行放电,进一步的提高屏体的防静电效果。另外,沿着围绕发光层20的方向,相邻两个金属阻挡层30中的尖端放电部33沿着围绕发光层20的方向错位设置。由于尖端放电部33包括两个相对的尖端,两个尖端之间的具有一定的间距,易导致外部的水氧从两个尖端之间的位置进入。通过设置多条金属阻挡层30中,相邻两个金属阻挡层30中的尖端放电部33沿着围绕发光层20的方向错位设置,可以延长水氧进入屏体内部的路径,在进一步的提高屏体的防静电效果的同时,保证屏体封装的可靠性。
本发明实施例还提供了一种发光装置,包括上述任意实施例的发光屏体。具有相同的技术效果,这里不再赘述。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种发光屏体,其特征在于,包括:
基板;
发光层,位于所述基板的发光区;
金属阻挡层,位于所述基板的非发光区,所述金属阻挡层围绕所述发光层的整个边缘外侧设置;所述金属阻挡层用于阻隔外部的水氧,以及形成等势体以阻挡静电的进入;
封装层,位于所述发光层以及所述金属阻挡层远离所述基板的一侧;
其中,在所述发光层的电极引线绑定侧,所述金属阻挡层与电极引线之间包括层间绝缘层;位于电极引线绑定侧的金属阻挡层与位于非电极引线绑定侧的金属阻挡层通过所述层间绝缘层的搭接孔连接。
2.根据权利要求1所述的发光屏体,其特征在于,所述金属阻挡层的个数为多个,多个金属阻挡层沿着远离所述发光层的方向依次间隔排布;其中,至少一个金属阻挡层包括尖端放电部。
3.根据权利要求2所述的发光屏体,其特征在于,所述发光层包括:
第一电极层,位于所述基板的一侧,所述第一电极层包括多个间隔设置的第一电极,
功能层,所述功能层位于所述第一电极层远离所述基板的一侧;
第二电极层,所述第一电极层位于所述功能层远离所述基板的一侧;
其中,至少一所述金属阻挡层与所述第一电极层连接,和/或至少一所述金属阻挡层与所述第二电极层连接;与所述第一电极层连接的金属阻挡层和与第二电极层连接的金属阻挡层不同,并且与所述第一电极层连接的金属阻挡层和与第二电极层连接的金属阻挡层均具有尖端放电部。
4.根据权利要求3所述的发光屏体,其特征在于,还包括:
辅助电极层,所述辅助电极层包括位于发光区的至少一条电源信号传输线以及位于非发光区的至少一条所述电极引线;所述电源信号传输线用于将所述电极引线输入的电压信号传输给所述第一电极;
其中,位于电极引线绑定侧的金属阻挡层与所述第二电极层同层设置;位于非电极引线绑定侧的金属阻挡层与所述辅助电极层同层设置。
5.根据权利要求4所述的发光屏体,其特征在于,在所述发光层的电极引线绑定侧,距离所述发光层最近的金属阻挡层与所述第二电极层连接。
6.根据权利要求4所述的发光屏体,其特征在于,在所述发光层的电极引线绑定侧,至少一条电极引线与一所述金属阻挡层连接,以使所述金属阻挡层与所述第一电极层连接。
7.根据权利要求6所述的发光屏体,其特征在于,所述电极引线为多条,所述电极引线与所述金属阻挡层一一对应连接。
8.根据权利要求2所述的发光屏体,其特征在于,每一所述金属阻挡层均包括尖端放电部,相邻两个金属阻挡层中的尖端放电部沿着围绕所述发光层的方向错位设置。
9.根据权利要求3所述的发光屏体,其特征在于,所述发光层还包括:
像素定义层,所述像素定义层包括多个开口,所述功能层的材料填充于所述开口中;所述层间绝缘层与所述像素定义层的材料相同。
10.一种发光装置,其特征在于,包括权利要求1-9任一所述的发光屏体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210827184.3A CN115050913A (zh) | 2022-07-13 | 2022-07-13 | 一种发光屏体和发光装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202210827184.3A CN115050913A (zh) | 2022-07-13 | 2022-07-13 | 一种发光屏体和发光装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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CN115050913A true CN115050913A (zh) | 2022-09-13 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN202210827184.3A Pending CN115050913A (zh) | 2022-07-13 | 2022-07-13 | 一种发光屏体和发光装置 |
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CN (1) | CN115050913A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116387434A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-07-04 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种抗静电led芯片晶圆的制备方法及晶圆 |
-
2022
- 2022-07-13 CN CN202210827184.3A patent/CN115050913A/zh active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN116387434A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-07-04 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种抗静电led芯片晶圆的制备方法及晶圆 |
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PB01 | Publication | ||
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