CN115044881A - 沉积设备、金属硅化物层以及半导体结构的制备方法 - Google Patents

沉积设备、金属硅化物层以及半导体结构的制备方法 Download PDF

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CN115044881A CN202210971474.5A CN202210971474A CN115044881A CN 115044881 A CN115044881 A CN 115044881A CN 202210971474 A CN202210971474 A CN 202210971474A CN 115044881 A CN115044881 A CN 115044881A
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吴启明
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Hefei Xinjing Integrated Circuit Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种沉积设备、金属硅化物层以及半导体结构的制备方法，涉及集成电路技术领域。沉积设备包括：腔体，具有容置空间；载台，位于所述容置空间内，所述载台之上承载有衬底；冷却装置，位于所述载台下方，用于对所述载台进行冷却。采用本发明的沉积设备能够降低半导体结构的缺陷率。

Description

沉积设备、金属硅化物层以及半导体结构的制备方法
技术领域
本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种沉积设备、金属硅化物层以及半导体结构的制备方法。
背景技术
随着集成电路技术的发展，在半导体结构中通常利用金属与衬底进行反应形成接触层用于降低接触电阻，例如利用镍（Ni）与硅（Si）衬底反应形成镍化硅（NiSi）层作为接触层。然而，传统技术中，一些金属（例如Ni）在与硅衬底接触时，容易提前与硅反应而在界面处形成一些富硅相的金属硅化物，从而在界面处容易形成突出缺陷（extrusion defect），导致半导体结构的缺陷率较高。
发明内容
基于此，有必要针对传统技术中的半导体结构的缺陷率较高的问题提供一种沉积设备、金属硅化物层以及半导体结构的制备方法。
第一方面，本发明提供了一种沉积设备，所述沉积设备包括：
腔体，具有容置空间；
载台，位于所述容置空间内，所述载台之上承载有衬底；
冷却装置，位于所述载台下方，用于对所述载台进行冷却。
在其中一个实施例中，所述冷却装置包括：
冷却台，位于所述载台的下方，所述冷却台包括冷却进口和冷却出口；
制冷机，所述制冷机包括进口和出口，所述制冷机的出口与所述冷却台的冷却进口通过一输送管连接，所述制冷机的进口与所述冷却台的冷却出口通过另一输送管连接；所述制冷机用于将冷却介质输送至所述冷却台中循环制冷。
在其中一个实施例中，所述沉积设备还包括：
靶材，位于所述容置空间内，且位于所述衬底的上方；
聚焦环，位于所述容置空间内，且位于所述靶材和所述载台之间。
在其中一个实施例中，在所述冷却装置的冷却作用下，所述载台的温度为-40℃~0℃。
在其中一个实施例中，所述沉积设备还包括：
加热装置，所述加热装置位于所述载台内。
上述沉积设备，包括：腔体，具有容置空间；载台，位于所述容置空间内，所述载台之上承载有衬底；冷却装置，位于所述载台下方，用于对所述载台进行冷却。本发明通过降低沉积工艺时的制程温度，从而避免金属层在与衬底接触时与衬底发生反应，从而能够避免形成突出缺陷，从而能够降低半导体结构的缺陷率。
第二方面，本发明还提供了一种金属硅化物层的制备方法，所述金属硅化物层的制备方法包括：
使用如上述任一项实施例所述的沉积设备于衬底的表面沉积金属层，所述衬底包括硅衬底；
将表面沉积有所述金属层的衬底进行退火处理，使得所述金属层与部分所述衬底反应以形成金属硅化物层。
在其中一个实施例中，于衬底的表面沉积金属层后，将表面沉积有所述金属层的衬底进行退火处理之前，还包括：
于所述金属层的表面形成覆盖层。
在其中一个实施例中，所述将表面沉积有所述金属层的衬底进行退火处理，使得所述金属层与所述衬底反应以形成金属硅化物层，包括：
将表面沉积有所述金属层的衬底进行第一次退火处理，使得所述金属层与部分所述衬底反应，以形成第一金属硅化物层及第二金属硅化物层，所述第一金属硅化物层位于所述衬底的表面，所述第二金属硅化物层位于所述第一金属硅化物层远离所述衬底的表面；
去除所述覆盖层；
对表面形成有所述第一金属硅化物层及所述第二金属硅化物层的衬底进行第二次退火处理，以将所述第二金属硅化物层转化为第一金属硅化物层，所述第二次退火处理过程中得到的第一金属硅化物层与所述第一次退火处理过程中得到的第一金属硅化物层共同构成所述金属硅化物层。
上述金属硅化物层的制备方法，包括：使用如上述任一项实施例所述的沉积设备于衬底的表面沉积金属层，所述衬底包括硅衬底；将表面沉积有所述金属层的衬底进行退火处理，使得所述金属层与部分所述衬底反应以形成金属硅化物层。由于使用如上述任一项实施例所述的沉积设备于衬底的表面沉积金属层，从而能够降低沉积工艺时的制程温度，从而避免金属层在与衬底接触时与衬底发生反应，从而能够避免形成突出缺陷，从而能够降低半导体结构的缺陷率。
第三方面，本发明还提供了一种半导体结构的制备方法，所述半导体结构的制备方法包括：
提供衬底，所述衬底包括硅衬底；
于所述衬底的表面形成栅极结构，所述栅极结构包括多晶硅栅极；
于所述衬底内形成源区及漏区，所述源区及漏区位于所述栅极结构相对的两侧；
采用如上述任一项实施例所述的金属硅化物层的制备方法于所述多晶硅栅极的表面、所述源区的表面及所述漏区的表面形成所述金属硅化物层。
在其中一个实施例中，所述于所述衬底的表面形成栅极结构，包括：
于所述衬底的表面形成氧化层；
于所述氧化层的表面形成多晶硅层；
刻蚀所述多晶硅层及所述氧化层，以形成包括栅氧化层及所述多晶硅栅极的叠层结构；
于所述叠层结构的侧壁形成侧墙。
上述半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底包括硅衬底；于所述衬底的表面形成栅极结构，所述栅极结构包括多晶硅栅极；于所述衬底内形成源区及漏区，所述源区及漏区位于所述栅极结构相对的两侧；采用如上述任一项实施例所述的金属硅化物层的制备方法于所述多晶硅栅极的表面、所述源区的表面及所述漏区的表面形成所述金属硅化物层，从而能够降低沉积工艺时的制程温度，从而避免金属层在与衬底接触时与衬底发生反应，从而能够避免形成突出缺陷，从而能够降低半导体结构的缺陷率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一实施例中提供的沉积设备的结构示意图；
图2为另一实施例中提供的沉积设备的结构示意图；
图3为另一实施例中提供的沉积设备的结构示意图；
图4为另一实施例中提供的沉积设备的结构示意图；
图5为一实施例中提供的金属硅化物层的制备方法的流程示意图；
图6为一实施例中提供的金属硅化物层的制备方法中步骤S501所得结构的截面示意图；
图7为一实施例中提供的金属硅化物层的制备方法中步骤S502所得结构的截面示意图；
图8为一实施例中提供的金属硅化物层的制备方法中于金属层的表面形成覆盖层所得结构的截面示意图；
图9为一实施例中提供的金属硅化物层的制备方法中将表面沉积有金属层的衬底进行退火处理，使得金属层与衬底反应以形成金属硅化物层的流程示意图；
图10为一实施例中提供的金属硅化物层的制备方法中步骤S901所得结构的截面示意图；
图11为一实施例中提供的金属硅化物层的制备方法中步骤S902所得结构的截面示意图；
图12为一实施例中提供的金属硅化物层的制备方法中步骤S903所得结构的截面示意图；
图13为一实施例中提供的半导体结构的制备方法的流程示意图；
图14为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1301所得结构的截面示意图；
图15为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1302所得结构的截面示意图；
图16为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1303所得结构的截面示意图；
图17为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1304所得结构的截面示意图；
图18为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中于衬底的表面形成栅极结构的流程示意图；
图19为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1801所得结构的截面示意图；
图20为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1802所得结构的截面示意图；
图21为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1803所得结构的截面示意图；
图22为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1804所得结构的截面示意图。
附图标记说明：
1-腔体，2-载台，3-制冷装置，30-冷却台，301-冷却进口，302-冷却出口，31-制冷机，311-进口，312-出口，32-输送管，4-靶材，5-聚焦环，6-加热装置，10-衬底，20-金属层，201-第一金属硅化物层，202-第二金属硅化物层，40-金属硅化物层，50-覆盖层，60-栅极结构，601-氧化层，602-多晶硅层，70-源区，80-漏区，90-侧墙。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、 第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分；举例来说，可以将第一掺杂类型成为第二掺杂类型，且类似地，可以将第二掺杂类型成为第一掺杂类型；第一掺杂类型与第二掺杂类型为不同的掺杂类型，譬如，第一掺杂类型可以为P型且第二掺杂类型可以为N型，或第一掺杂类型可以为N型且第二掺杂类型可以为P型。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例，这样可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造技术导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不表示器件的区的实际形状，且并不限定本发明的范围。
半导体结构的制备过程中，通常可以利用沉积设备在室温下于衬底表面先沉积一层金属层，然后利用退火工艺使金属层与衬底进行反应形成金属硅化物层作为接触层而降低接触电阻。然而，以硅衬底为例，在沉积工艺中，某些金属在室温下与硅衬底进行接触就容易扩散至硅衬底内并与硅衬底发生反应，从而容易于金属和硅衬底的界面处形成富硅相金属硅化物的突出缺陷（extrusion defect）。例如，当采用金属镍（Ni）沉积在硅衬底表面时，Ni在沉积在硅衬底表面时容易扩散至硅衬底内并与硅衬底发生反应而于界面处形成富硅相的二硅化镍（NiSi2）的突出缺陷，从而导致半导体结构的缺陷率较高。
请参阅图1，本发明提供了一种沉积设备，沉积设备包括：腔体1、载台2和冷却装置3。
腔体1，具有容置空间。
载台2，位于容置空间内，载台2之上承载有衬底10。
可选的，衬底10可以包括硅衬底、碳化硅衬底、蓝宝石衬底等等，本实施例在此不做限制。优选地，衬底10可以为硅衬底。
可选的，载台2下方还可以设有转轴，转轴一端可以与载台2连接，转轴另一端可以与旋转马达连接，旋转马达通过镀膜沉积过程中带动载台2进行旋转，从而提高沉积设备镀膜的均匀性。
冷却装置3，位于载台2下方，用于对载台2进行冷却。
于衬底10表面沉积金属层时，冷却装置3可以使载台2的温度降低，例如，能够将载台2温度降低至零度以下。通过降低沉积工艺时的制程温度，从而避免金属层在与硅衬底接触时与硅衬底发生反应，从而能够避免形成突出缺陷，从而能够降低半导体结构的缺陷率。
本发明的沉积设备，包括：腔体1，具有容置空间；载台2，位于容置空间内，载台2之上承载有衬底10；冷却装置3，位于载台2下方，用于对载台2进行冷却。本发明通过降低沉积工艺时的制程温度，从而避免金属层在与衬底10接触时与衬底10发生反应，从而能够避免形成突出缺陷，从而能够降低半导体结构的缺陷率。
在一个实施例中，请参阅图2，冷却装置3包括：冷却台30和制冷机31。
冷却台30，位于载台2的下方，冷却台30包括冷却进口301和冷却出口302；
制冷机31，制冷机31包括进口311和出口312，制冷机31的出口312与冷却台30的冷却进口301通过一输送管32连接，制冷机31的进口311与冷却台30的冷却出口302通过另一输送管32连接；制冷机31用于将冷却介质输送至冷却台30中循环制冷。
可选的，冷却介质可以包括冷却水、氦气、氮气等等，本实施例在此不做限制。
在一个实施例中，请参阅图3，沉积设备还包括：靶材4和聚焦环5。
靶材4，位于容置空间内，且位于衬底10的上方；
其中，靶材4的材质可以根据需要进行沉积的金属层的材质确定，本实施例在此不做限制。例如，靶材4可以包括镍靶材、镍铂靶材、铝靶材等等。
可选的，在利用金属镍沉积至硅衬底而形成硅化镍（NiSi）层作为接触层时，为了避免产生富硅相的NiSi2，通常还可以于镍靶材中添加少量的金属铂（Pt）以形成镍铂靶材，其中铂的含量可以为5%~10%左右。
聚焦环5，位于容置空间内，且位于靶材4和载台2之间。
其中，聚焦环5用于在沉积过程中将靶材4中溅射出来的大部分金属离子汇聚至衬底10上，以避免靶材4的浪费。
在一个实施例中，在冷却装置3的冷却作用下，载台2的温度为-40℃~0℃。
以金属层为镍，衬底10为硅衬底为例，由于金属镍在-40℃~0℃时几乎不会与硅衬底发生反应，因此可以利用冷却装置3将载台2的温度控制为-40℃~0℃。当然，若采用其他金属或其他衬底10，冷却装置3还可以控制载台2的温度处于其他温度区间，本实施例在此不做限制。
在一个实施例中，请参阅图4，沉积设备还包括加热装置6，加热装置6位于载台2内。
其中，加热装置6可以用于对载台2进行加热，以使沉积设备满足其他不同的工艺需求，例如在进行退火工艺时即可利用加热装置6将载台2的温度升至合适的温度。
在一个实施例中，请参阅图5，本发明还提供了一种金属硅化物层的制备方法，金属硅化物层的制备方法包括：
S501：使用如上述任一项实施例的沉积设备于衬底的表面沉积金属层，衬底包括硅衬底；
S502：将表面沉积有金属层的衬底进行退火处理，使得金属层与部分衬底反应以形成金属硅化物层。
本发明的金属硅化物层的制备方法，包括：使用如上述任一项实施例的沉积设备于衬底的表面沉积金属层，衬底包括硅衬底；将表面沉积有金属层的衬底进行退火处理，使得金属层与部分衬底反应以形成金属硅化物层。由于使用如上述任一项实施例的沉积设备于衬底的表面沉积金属层，从而能够降低沉积工艺时的制程温度，从而避免金属层在与衬底接触时衬底发生反应，从而能够避免形成突出缺陷，从而能够降低半导体结构的缺陷率。
在步骤S501中，请参阅图5中的步骤S501及图6，使用如上述任一项实施例的沉积设备于衬底10的表面沉积金属层20，衬底10包括硅衬底。
可选的，衬底10还可以包括碳化硅衬底，蓝宝石衬底等等，可以根据实际应用场景选择合适的衬底10。
可选的，金属层20的材质可以包括镍、镍铂合金、铝等等，本实施例在此不做限制。
在步骤S502中，请参阅图5中的步骤S502及图7，将表面沉积有金属层20的衬底10进行退火处理，使得金属层20与部分衬底10反应以形成金属硅化物层40。
在一个实施例中，请参阅图8，于衬底10的表面沉积金属层20后，将表面沉积有金属层20的衬底10进行退火处理之前，还包括：于金属层20的表面形成覆盖层50。
其中，覆盖层50可以用于防止金属层20被氧化，可选的，覆盖层50的材质可以包括钛、氮化钛等等，本实施例在此不做限制。
在一个实施例中，请参阅图9，将表面沉积有金属层的衬底进行退火处理，使得金属层与衬底反应以形成金属硅化物层，包括：
S901：将表面沉积有金属层的衬底进行第一次退火处理，使得金属层与部分衬底反应，以形成第一金属硅化物层及第二金属硅化物层，第一金属硅化物层位于衬底的表面，第二金属硅化物层位于第一金属硅化物层远离衬底的表面；
S902：去除覆盖层；
S903：对表面形成有第一金属硅化物层及第二金属硅化物层的衬底进行第二次退火处理，以将第二金属硅化物层转化为第一金属硅化物层，第二次退火处理过程中得到的第一金属硅化物层与第一次退火处理过程中得到的第一金属硅化物层共同构成金属硅化物层。
在步骤S901中，请参阅图9中的步骤S901及图10，将表面沉积有金属层20的衬底10进行第一次退火处理，使得金属层20与部分衬底10反应，以形成第一金属硅化物层201及第二金属硅化物层202，第一金属硅化物层201位于衬底10的表面，第二金属硅化物层202位于第一金属硅化物层201远离衬底10的表面。
可选的，以金属层20的材质为金属镍，衬底10为硅衬底为例，第一次退火处理的退火温度可以为200℃~350℃，第一金属硅化物层201的材质可以为NiSi，第二金属硅化物层202的材质可以为NixSi等过渡态金属硅化物，其中x≥1。
在步骤S902中，请参阅图9中的步骤S902及图11，去除覆盖层50。
在步骤S903中，请参阅图9中的步骤S903及图12，对表面形成有第一金属硅化物层201及第二金属硅化物层202的衬底10进行第二次退火处理，以将第二金属硅化物层202转化为第一金属硅化物层201，第二次退火处理过程中得到的第一金属硅化物层201与第一次退火处理过程中得到的第一金属硅化物层201共同构成金属硅化物层40。
可选的，以金属层20的材质为金属镍，衬底10为硅衬底为例，第二次退火处理的退火温度可以为400℃~550℃。
可选的，第一次退火处理和第二次退火处理均可以在上述任一实施例的沉积设备中执行，执行过程中上述沉积设备的冷却装置3停止冷却，加热装置6对载台2进行加热，从而使载台2的温度升至合适的退火温度。
在一个实施例中，请参阅图13，本申请还提供了一种半导体结构的制备方法，包括：
S1301：提供衬底，衬底包括硅衬底；
S1302：于衬底的表面形成栅极结构，栅极结构包括多晶硅栅极；
S1303：于衬底内形成源区及漏区，源区及漏区位于栅极结构相对的两侧；
S1304：采用如上述任一项实施例的金属硅化物层的制备方法于多晶硅栅极的表面、源区的表面及漏区的表面形成金属硅化物层。
本发明的半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底包括硅衬底；于衬底的表面形成栅极结构，栅极结构包括多晶硅栅极；于衬底内形成源区及漏区，源区及漏区位于栅极结构相对的两侧；采用如上述任一项实施例的金属硅化物层的制备方法于多晶硅栅极的表面、源区的表面及漏区的表面形成金属硅化物层，从而能够降低沉积工艺时的制程温度，从而避免金属层在与衬底接触时与衬底发生反应，从而能够避免形成突出缺陷，从而能够降低半导体结构的缺陷率。
在步骤S1301中，请参阅图13中的步骤S1301及图14，提供衬底10，衬底10包括硅衬底。
可选的，衬底10还可以包括碳化硅衬底，蓝宝石衬底等等，可以根据实际应用场景选择合适的衬底10。
在步骤S1302中，请参阅图13中的步骤S1302及图15，于衬底10的表面形成栅极结构60，栅极结构60包括多晶硅栅极。
在步骤S1303中，请参阅图13中的步骤S1303及图16，于衬底10内形成源区70及漏区80，源区70及漏区80位于栅极结构60相对的两侧。
在步骤S1304中，请参阅图13中的步骤S1304及图17，采用如上述任一项实施例的金属硅化物层40的制备方法于多晶硅栅极的表面、源区70的表面及漏区80的表面形成金属硅化物层40。
在一个实施例中，请参阅图18，于衬底的表面形成栅极结构，包括：
S1801：于衬底的表面形成氧化层；
S1802：于氧化层的表面形成多晶硅层；
S1803：刻蚀多晶硅层及氧化层，以形成包括栅氧化层及多晶硅栅极的叠层结构；
S1804：于叠层结构的侧壁形成侧墙。
在步骤S1801中，请参阅图18中的步骤S1801及图19，于衬底10的表面形成氧化层601。
在步骤S1802中，请参阅图18中的步骤S1802及图20，于氧化层601的表面形成多晶硅层602。
在步骤S1803中，请参阅图18中的步骤S1803及图21，刻蚀多晶硅层602及氧化层601，以形成包括栅氧化层601及多晶硅栅极的叠层结构。
在步骤S1804中，请参阅图18中的步骤S1804及图22，于叠层结构的侧壁形成侧墙90。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种沉积设备，其特征在于，所述沉积设备包括：
腔体，具有容置空间；
载台，位于所述容置空间内，所述载台之上承载有衬底；
冷却装置，位于所述载台下方，用于对所述载台进行冷却。
2.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，所述冷却装置包括：
冷却台，位于所述载台的下方，所述冷却台包括冷却进口和冷却出口；
制冷机，所述制冷机包括进口和出口，所述制冷机的出口与所述冷却台的冷却进口通过一输送管连接，所述制冷机的进口与所述冷却台的冷却出口通过另一输送管连接；所述制冷机用于将冷却介质输送至所述冷却台中循环制冷。
3.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，所述沉积设备还包括：
靶材，位于所述容置空间内，且位于所述衬底的上方；
聚焦环，位于所述容置空间内，且位于所述靶材和所述载台之间。
4.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，在所述冷却装置的冷却作用下，所述载台的温度为-40℃~0℃。
5.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，所述沉积设备还包括：
加热装置，所述加热装置位于所述载台内。
6.一种金属硅化物层的制备方法，其特征在于，所述金属硅化物层的制备方法包括：
使用如权利要求1至4中任一项所述的沉积设备于衬底的表面沉积金属层，所述衬底包括硅衬底；
将表面沉积有所述金属层的衬底进行退火处理，使得所述金属层与部分所述衬底反应以形成金属硅化物层。
7.根据权利要求6所述的金属硅化物层的制备方法，其特征在于，于衬底的表面沉积金属层后，将表面沉积有所述金属层的衬底进行退火处理之前，还包括：
于所述金属层的表面形成覆盖层。
8.根据权利要求7所述的金属硅化物层的制备方法，其特征在于，所述将表面沉积有所述金属层的衬底进行退火处理，使得所述金属层与所述衬底反应以形成金属硅化物层，包括：
将表面沉积有所述金属层的衬底进行第一次退火处理，使得所述金属层与部分所述衬底反应，以形成第一金属硅化物层及第二金属硅化物层，所述第一金属硅化物层位于所述衬底的表面，所述第二金属硅化物层位于所述第一金属硅化物层远离所述衬底的表面；
去除所述覆盖层；
对表面形成有所述第一金属硅化物层及所述第二金属硅化物层的衬底进行第二次退火处理，以将所述第二金属硅化物层转化为第一金属硅化物层，所述第二次退火处理过程中得到的第一金属硅化物层与所述第一次退火处理过程中得到的第一金属硅化物层共同构成所述金属硅化物层。
9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括：
提供衬底，所述衬底包括硅衬底；
于所述衬底的表面形成栅极结构，所述栅极结构包括多晶硅栅极；
于所述衬底内形成源区及漏区，所述源区及漏区位于所述栅极结构相对的两侧；
采用如权利要求6至8中任一项所述的金属硅化物层的制备方法于所述多晶硅栅极的表面、所述源区的表面及所述漏区的表面形成所述金属硅化物层。
10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底的表面形成栅极结构，包括：
于所述衬底的表面形成氧化层；
于所述氧化层的表面形成多晶硅层；
刻蚀所述多晶硅层及所述氧化层，以形成包括栅氧化层及所述多晶硅栅极的叠层结构；
于所述叠层结构的侧壁形成侧墙。
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